TW496024B - Laser chamber with fully integrated electrode feedthrough main insulator - Google Patents

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TW496024B
TW496024B TW089117639A TW89117639A TW496024B TW 496024 B TW496024 B TW 496024B TW 089117639 A TW089117639 A TW 089117639A TW 89117639 A TW89117639 A TW 89117639A TW 496024 B TW496024 B TW 496024B
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electrode
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TW089117639A
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R Kyle Webb
William N Partlo
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Cymer Inc
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Description

A7
發明之技術範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本專利申請案係1998年9月18曰提出之專利申請案 第 〇9/157,〇67號’標號為”Reliable, Modular, Productio n Quality Narrow-Band High Rep Rate Excimer Lase r者之部分繼績申請。本發明大致有關於供激元雷射和 其他放電雷射用之雷射室，以及更特別地有關於脈動 之高壓饋通結構之用於此類室者。 發明之背景 第1A和1 B圖係橫截面圖，顯示在一傳統式橫向受 激TE之激元雷射（參看Akin等人之美國利案第4,959,84 〇號，1990年9月25日頒佈，並以其全部内容引用於本 文中作為參考）中一雷射室1〇之内部結構。第1A及1B圖 係摘取自第840專利案。第i C圖係類似於第1 b圖之橫截 面，但顯示早期技藝雷射室之整個長度。一雷射室1〇 提供一雷射室内部和外部之間之絕緣裝置，典型地圍 封體100係以上部及下部圍封構件12和14所形成，它們 係結合一起並利用〇環密封裝置16沿著圍封體1〇之一 周圍伸展而密封。此雷射室内部係充滿至一預定壓力 具有雷射氣體混合物包括危險氣體氟F2。一脈動之放電 係藉一咼壓脈動應用於陰極組合1 8和陽極組合2 〇之間 而在一放電區22内產生於雷射氣體混合物中。由於陽 極組合20 —般地係電接地線地至雷射圍封體〗〇，故整 個脈動南電壓係應用於陰極組合1 8和上部圍璧構件^ 2 之間。此脈動之氣體排放典型地受激之氟，含氟氬氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 線 496024 A7 B7 五、發明說明（2 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 或含氟分子之氪，它們產生雷射脈動輪出能量。此脈 動輸出能量自排放區22傳播通過一光學輪出窗口組合 (未顯示於第1A圖内）。陰極組合18和陽極組合2〇，界定 =放區22，並伸展至大約28吋大體上在大部份垂直於 第1A圖之平面之雷射室1〇之長度上相互平行。 雷射氣體混合物之再循環由一切線風扇46所提 供。一♦如第1A圖内箭頭所示，雷射氣體混合物之流動 係朝上通過此切線風扇46並橫向地越過排放區Μ如由 一輪葉構件52所導向者。此雷射氣體混合物之已流動 通過排放區22者，因脈動氣體排放而變得相當地被分 解和被加熱。一氣體至液體熱交換器58，大體上伸展 於垂直於第1A圖之平面之雷射室1〇之長度者，係經定 置於氣μ再循環路控中以冷卻此加熱之氣體。再循環 冷卻以及再結合此雷射氣體混合物由是而提供重複性 地脈動之雷射操作而勿須更換雷射氣體混合物。 在此一早期技藝室中，大約16KV至30KV之範圍内 之高壓脈動係以大約每秒丨000脈衝之重複率自一高壓 匯流排70之安裝於室1〇之頂部上如第ic圖内所示者應 用於陰極20。匯流排70包含一薄銅板安裝於一 1/2厚鋁 板上具有圖形之表面。（由於其目的係來減少自此高電 壓匯流排之電暈放電或使其減至最小，故此一鉛板亦 稱為電暈板）。此匯流排係由一失幅電容器組所賦能， 此電容器組典型地包含28個個別電容器（圖中未顯示） 並聯地安裝’並電連接於匯流排7〇和作用如接地線之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
[-請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^0024 A7 ------ B7 五、發明說明（3 ) 金屬圍璧1 0之間。此高壓脈動係通過一饋通結構而發 送至陰極1 8 ’此結構主要地包含丨5個饋通電導組合7 2 如第ΙΑ、1B和1C圖内所示者。 陰極18和每一 15個饋通電導體載有尖幅電壓在16 KV至3 0KV之範圍内者必須自係在接地電位之圍璧1〇 之金屬表面絕緣。因為室之内面腐蝕性之F2環境僅含高 純度之陶瓷絕緣體，諸如高純度A丨〇2者，可以為暴露 至氣體環境之部份饋通組合而使用。 以第1Λ、B和C圖内所示之此類型之設計，陶瓷組 件28係被夾在一銅組件32和一鋁組件12之間。此雷射 室係要承受於在正常周圍溫度之大約23 °c者和大約j 2 〇 c之溫度之間擺動之溫度。鋁，銅和ai〇2之熱膨脹係 數，係大約 23x 1〇-5/艺，20x -5/t：以及 8x 1〇_5rc。兩 終端饋通之間之距離係大約2 2吋。因此，在此一距離 中一 loo°c溫度增加可能會為鋁，銅和A1〇2分別地產生 大約0 ·052忖，0 ·045忖以及〇 ·〇 1 7忖之未能抑制之膨脹。 此將造成陶瓷和金屬組件之大間太約1/32吋之差動。 至為重要者，即良好之密封係為饋通組合而提供以 防止危害性之氟之洩漏入工作環境中。 上文所討論之内容業已涉及第ΙΑ、B和C圖中所描 寫之雷射之設計中。此一雷射利用三個主要之絕緣體2 8A ’ 28B和28C以自此室構件1 2隔離此陰極1 §。在此一 早期技藝電如第1 C圖中所示者，1 5個饋通連接器係被 分隔成為三個個別組，俾使每一的產生之/金屬——陶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
訂-I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496024 A7 經 濟 部 ，智 慧 財 產 局 員 X 消 f 合 作 社 印 製 五、發明說明（4 I —一金屬夾層組合之密封區之有效長度係僅大約6 吋。如與涵蓋全部電極長度之單件之絕緣體比較時， «有大約3.5之固數之差分膨脹之減少。在饋通處之 被封係由鍍錫於鎳一銅合金上之”c”密封裝置32和3个 所提供如第1A和1B圖中所示。密封裝置32係圖形密封 形成一密封圍繞在絕緣體28，陰極支承26介面處每一 ι 5個饋通。每一此三個密封裝置34形成上部室12之底部 和三個絕緣體板28之一之頂部之間之密封，每一密封 裝置34提供一單一密封環繞五個饋通。 在此一早期技藝設計中，陰極支承條2 6係以螺栓固 疋至陰極1 8。穿過饋通桿3 6旋轉入陰極支承條2 6内。 饋通絶緣體4 1電隔離桿3 6和一饋通螺帽（第ι a和ι b圖 内未顯示）者係軸轉於饋通桿3 6上並固定絕緣體4 1於適 當位置。具有一比利佛墊圈之抑壓螺栓係傳送通過稱 之為蝶翼杯之一絕緣帽者，係隨後以螺釘固定入饋 螺帽内，俾能應用一壓縮性力量以夾持此電極支承 室璧内面之頂部而以絕緣板28和密封裝置34及3 2被 在中間。 顯示於第ΙΑ，1B和1C圖内之此早期技藝饋通設計 業已非常成功地商業化，並係已被利用於時下在全 各地操作之數百種激元雷射。此設計基本上是沒有 '疵而具有極少之微小問題在除危害性F2環境以外之 漏和電故障上，以及在甚多情況是連續不停地一次操 作至數週和數月。 通 至 夾 球 瑕 洩 --------------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· •線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 9 496024
不匕上文所述早期技藝設計十之大量組件使得製 造印貝’㈣，對與饋通設計相關聯之電感應上之減 少仍存在有需求。目此，對用於放電雷射之-較佳， 饋通系統係存在有需要。 ^ 氣to排放田射室之饋通結構通過一密封之氣體 圍封體之璧而傳導電功率至圍封體内面之—單件伸長 之電極。此饋通結構包括_單件整合之主絕緣體之較 電極更大者m緣體係被壓縮於電極和圍封體之 璧之間。形成電極和單件絕緣體之間之介面之表面於 此絕緣體，以及此璧均係非常平滑以容許組件於室: 變化時之膨脹和縮小。此饋通結構亦提供機械性支撐
和才父準供電極用，並白杯令土壯Μ、》U ia括岔封裝置以防止氣體之環繞 此饋通結構之洩漏。 數個中空，大體上為圓筒形之饋通絕緣體，與經整 合之主絕緣體整合，自經整合之主絕緣體之上部表面 伸展，典型地呈一均衡間隔之列。每一整合饋通絕緣 體含一大體上為同心之孔，它伸展通過至經整合之主 絕緣體之下部表面並容納一饋通導電體。在一較佳具 體例中，每一大體上為圓筒形之饋通絕緣體包括一同 心槽溝圍繞其外徑。在某些具體例中，經整合之主絕 緣體係陶瓷材料製成，典型地為99 5%純度之氧化鋁。 此經整合之主絕緣體被夾持於一下部電極和此 密封之圍璧之上部内璧之間，因此，此整合之饋通絕 緣體伸展通過圍璧中之直線對準之淨空孔。夾持係典 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 -五、發明說明（6 ) 經濟部4曰慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 -------- 型地藉穿過饋通電導體 、， 甩守&卜冲終知進入電極内而提 ^ 並抵靠密封圍封體之上部外璧上之一絕、緣之”翼形 .巾目而拉緊上部終端。比較正常不變之夾緊力係利用比 利佛塾圈而提供。要限制較熱之膨脹於此圍封體和單 件主絕緣體之間，此絕緣體係僅在其中央位置處被明 ~ 確也制止以谷5午相關之膨脹和收縮僅來自其中央。 _ “而·铪封係經提供於整合之主絕緣體之光滑表面和 電極之各自之相對面以及密封圍封體之内璧之間之介 -处這二面始封大體上係繞著通過此整合饋通絕緣 體之孔而同心地定置，由是而使密封抗拒氣體之外 洩。此面密封適當地座落於電極中之槽溝内以及密封 圍封肢之内2。此面密封適當地係鍵錫之銅一鎳基體，， C型岔封。有利的是這些面密封在整合之主絕緣體之 光滑表面之上面順從地滑行，容許差分熱膨脹超越周 圍溫度以上伸展至l〇〇ac之溫度範圍。 在較佳具體例中，此電極係陰極，或更明確地為 一放電雷射之陰極，諸如含氟之氬氣或含氟之氪氣之 激元雷射，或者一氟分子雷射。 本發明於熟思關聯附圖之下文詳細說明時，將有更 佳之瞭解。 圖式之簡要說明： 本發明可以作更佳之瞭解，以及其若干目的，特徵 及優點藉參看附圖對那些精於此技藝者將更顯明。為 簡化及易於瞭解起見，說明文内元件之只用代號係被 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 ”〇υ24 Α7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 ^—-2i____ 五、發明說明（7 ) · 引用於不同圖中之相同元件上。 第1A圖係一橫截面端視圖，顯示第840專利案之第 1圖之複製及一傳統式TE激元雷射中一雷射室i 〇〇之内 部結構； 第1B圖係一室之橫截面以及840專利案之第2圖之 複製； 策JC圖係類似於第1B圖之擴張圖，但顯示整個室 之橫截面； 第2圖係一橫戴面圖，顯示依照本發明之一部份上 部圍封體構件經結合至陰極組合，包括一改良之饋通 結構； 第3圖係一分解透視圖，顯示第2圖之改良之陰極組 合之組件； 第4圖係利用其改良之饋通結構之雷射室之橫載 面； 第5圖係橫截面圖，展示面密封之功能；以及 第6圖係一繪圖，顯示在一單件絕緣體中饋通孔之 一般形狀。 具體例之詳細說明 下文係本發明之闡述性具體之一詳細說明。由於本發 明之此等具體例係以上文提及之附圖為基準而說明，故各 種不同修正或方法之採用，以及或所說明之特殊結構可能 變成很顯明。這些說明及附圖係不能被視為一種限制之意 義’一如吾人所瞭解，即本發明係不對所說說明之具體例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 12 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 訂---------線一 496024 A7 五、發明說明（8 經 濟 部 智 慧 財- 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 作限制。 第2圖係- k戴面圖，顯示一部分上部圍封體構件^ 2，依照本發明包括—改良之饋通結構28()之陰極組合⑴ 係結合於此構件。第3圖係一分解之透視圖，顯示饋通結構 280和上部圍封體212之組件。在諸多其他物件之中，饋通 結構以單件整合主絕緣體276為其特徵，包括自行包含之整 合饋通.絕緣體288和光滑之密封表面。上部圍封體構件212 包括15個淨空孔232 ’它們係如此構件’即結構之直線對準 係經保持而無熱膨脹。滑行面密封1 84, 1 85係設置在上部 圍封體212之内表面中適當範圍之槽溝234内（參看第2圖及 第5圖）’以及槽溝174在電極218之頂部内（參看第二圖）。這 些密封提供氣密整合體而不會在饋通結構280内傳動 矩，因為它們是滑行在主絕緣體276之光滑表面上。 一陰極2 1 8以銅製成者係使用饋通結構2丨8而繫結 一上部圍封體構件，如此，即陰極2丨8係經定置在一陽極 合220之上面並與其直線對準地縱向地並聯（顯示於第*圖 内）而橫越一排放區2 2 2。沿著陰極2 1 8之上部表面之中線係 15個大體上完全相同均衡地間隔之未穿螺孔m一如第3圖 内所示。與每一螺孔1 73同心者是環形槽溝丨74。 饋通結構2 8 0提供機械冬承，高脈動電壓之電接觸， 以及用於陰極21 8之電絕緣，以及密封裝置以抗拒環繞此 饋通之氣體洩漏。饋通結構280包括一構形之縱向伸展之 件整合之主絕緣體276，通常以鋁製成，有一單列之多個 體上均衡間隔之垂直向孔同心地貫通大體上為圓筒形之 轉 至 組 電 單 大 整 ^---------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 496024 A7 B7 五、發明說明（9 ) 合饋通絕緣體288，自單件整合之主絕緣體276之一上部表 面垂直向伸展，與陰極170之未穿螺孔173呈直線對準。單 件整合之主纟巴緣體2 7 6係使用業界熟知之方法製造，例如， 鑄造及機加工綠色陶瓷材料’高溫發光，並隨後機器加 工此發光之陶瓷。整合之主絕緣體276之上部和下部面兩者 係經拋光，典型地至一 1 6微吋（〇·4 1微米）之表面加工，抵 罪陰極_·2 1 8和上部圍封體構件2 1 2而提供改良之密封。整合 饋通絕緣體288各有兩個外同心槽溝289如第2圖内所示。領 通結構2 8 0亦包括多個（陰極2 8内每一未穿螺孔1 7 3 —個）螺 旋之饋通螺帽2 9 6，較大直徑和較小直徑面密封！ 8 4和1 8 5 分別地包含鍵錫’’C”型密封。饋通結構280另包括數個硅橡 膠墊片1 9 4 ’適當大小之比例弗墊圈2 9 5，以及絕緣陶瓷，， 蝶翼帽”298。饋通結構280另包括一氣體排淨遮蔽266，包 含一扁平之聚酰亞胺或類似之隔離條，含單列之淨空孔與 陰極218内15個未穿螺孔173呈直線對準。 一如第2圖内所說明者，一小直徑面密封裝置185係嵌 入陰極2 1 8内之每一同心環形構溝1 74内。整合之主絕緣體2 76係與未穿螺孔173直線對準，並係密封在嵌入陰極218内 之面密封185上。 上部圍封體構件2 1 2，適當地以鋁製成者，有一單列1 5個淨空孔232通過其頂璧大體上與陰極21 8之未穿螺孔173 呈直線對準。在上部圍封體構件2 1 2之内面上與各淨空孔同 心者係一環形槽溝234(第2圖内所示）。一較大直徑面密封1 84係嵌入上部圍封體構件212之各環形槽溝234内。上部圍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs)A4規格（210 X 297公釐） -14 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496024 A7 經濟部智慧脉產局員工消費合作社印製 _____B7_ " ' — —---•五、發明說明（10 ) 封體構件212係在整合饋通絕緣體288上面直線對準並穷 封。氣體排淨遮蔽266係在整合饋通絕緣體288上而直線對 ‘ 準並密封於上部圍封體構件212之外部面上如第3圖内所指 示者。一娃橡膠塾片1 9 4係同心地定置在每一整合饋通絕緣 體288之頂部上。一，，蝶翼帽，，298係可滑動地安裝在每一整 合饋通絕緣體288之上面，以及一銅質饋通螺栓296與一鋼 質比利佛墊圈295係通過每一蝶翼帽298内之淨空孔，並通 過整合饋通絕緣體288而嵌入未穿螺孔173内。饋通螺检29 6係使用大約200吋一磅（2.3kg 一米）之繫緊轉矩而接合並 繫緊入陰極174之未穿螺孔173内。此一轉矩係足夠以壓縮 此比利佛墊圈充分地以產生每螺栓大約24〇〇磅之力量。因 此，圍封體，主絕緣體陰極夾層之總壓縮力係大約36,〇〇〇 镑。饋通螺栓2 9 6之外輪緣係與一脈動高電壓容器組2 3 〇之 高電壓邊電連線，並作用如饋通電導體對陰極218。 一接陰極218者係一前置電離作用管124,它大體上平 行於陰極21 8伸展幾乎至雷射體圍封1〇2之全長，它藉創造 一南瞬間電磁場以協助來致動脈衝放電。一前置電離作用 桿係以電導體材料製成（通常為銅），並係縱向地被嵌入一 電絕緣材料製成之管内。一高瞬間電磁場由此前置電離作 用官124所產生’以及一電導性墊片ι28，典型地以銅片製 成並自陰極218橫向地伸展且對其電連接。墊片128之一長 而薄之邊緣抵靠前置電離桿之邊而壓下以產生非常高之電 磁場’並於每一脈動中剛好在顛峰電壓之前，一電暈放電 圍繞此前置電離裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填落本頁) •裝 •線. 本紙張尺度翻中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 15 Α7 -----—------B7^_ 五、發明說明（11 ) 第5圖係一分裂之橫截面圖，說明以面密封1 84為準之 上部圍封體構件2數中環形槽溝丨74之適當大小。在第$圖之 左手邊内係顯不以單件整合之主絕緣體276之相對上部面 移除之％形槽溝中而密封丨84之部份。應予說明者，不像第 5圖中所不之干涉A，它分別地有一淨空C在面密封1 84之内 I和％形槽溝234之間。在第5圖之右手邊内，面密封ι84 係經顯·♦示被壓縮於環形槽溝234和單件整合之主絕緣體276 之相對上部面之間。此壓縮性束缚並不造成面密封1 84之内 徑之畸變’保持密封之整體性並保護”C”環1 84以抗拒材料 疲乏之誤失。 本發明超越早期技藝之饋通k計而提供重要之改 進。個別組件之數目係已減少。裝配及處理時間和精力係 減少。此係由上文所述之螺栓轉矩程序所促進。互連組件 之堆疊情形係減少。最壞之情況中累積之垂直容許度疊 上’此整合饋通絕緣體288和，，蝶翼帽”298之間之垂直淨空 變化係僅0.012吋（0.30毫米）。 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印制衣 單件整合主絕緣體276包括自行包含之整合饋通絕緣 體2 88 ’取代第1 A圖内所示之複雜個別饋通絕緣體諸如絕 緣體41者。此將排除如第1A圖中所示之絕緣體41和28之間 之可疑之類似物質滑行介面。此整合之絕緣體亦排除在介 面處為一反電暈塾圈之需要。 一中央縱向基準係已建立，將縱向容許度聚積及總縱 間差動熱膨脹減至最小。在上部圍封體構件2丨2内之中央淨 空孔23 2C亦提供一實質之定置定位器，所有組件係自其 16 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 24
五、發明說明（I2 經濟部智慧狀產局員工消費合作社印製 決定其大小及容許度。最壞的情況為中央孔232之淨空係〇· 0020寸（G. 051¾米）。此時提供饋通結構⑽之其他特徵之 精確容許度及定置。最壞情況在上部圍封構件（DE)内終端 淨空孔232處要求之縱向間隙係0.0130吋(0.33毫米)，以及” 蝶翼帽”298和整·合雨纟g # 。頭逋、、邑緣體288之間隙0·0135吋（〇 343毫 米）。上部圍封體構件212内之終端淨空孔232係縱向地印形 地伸長，當容許縱向之#叙换 • 卞％门之差動膨脹之同時，由是而提供側向 結構性之直線對準。淨空孔⑵2)縱向地位於上部圍封體構 件212内中央和終端之間者係對稱式地徑間地放大，藉以容 納縱向及側向兩者之相關活動而不會過抑制。纟約36,〇〇〇 磅之壓縮力量由壓縮性比利佛墊圈295所提供者容許之絕 緣體276來以圍封體212和電極218為準而滑行以反應熱應 力。貫通絕緣體276之2 12和電極218為準而滑行以反應熱應 力。貫通絕緣體276之U個螺栓孔之直徑一如隨圍封體212 者係經選擇為大得足夠，以容許絕緣體之熱膨脹和收縮 無干涉。一如第6圖内所示，此中央孔提供聚密配合（類 於圍封體212)供雷射轴向方向中之螺栓用，但此孔在垂 於軸之方向中係被放大以容許在該其之向中之某些小小 動。此兩個端孔在此垂直方向中提供緊密裝配，但在軸 方向中被放大。此一配置迫使絕緣體以陰極218和圍封體2 12為準而自陰極和絕緣體之軸向中央膨脹及收縮。此兩 端孔在垂直方向中陰極為直線對準此絕緣體。因此，主 緣體276係有效地’完全被束縛於圍封體2 1 2和電極2 1 8之 間僅於一點處，亦即圍封體212内之中央孔232C處。 而 直 運 向 個 絕 -------------裝-----„----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) , 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17 A7
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· --線· 496024 A7 -----—---B7 .五、發明說明（H ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件標號對照 10···雷射室 128…電導性墊片 12…上部圍封構所 170…陰極 14…下部圍封構所 173.··未穿螺孔 16…0環密封裝置 174…槽溝，銅質陰極 1 8…陰極組合 184,185···面密封 2 0…陽極組合 194…硅橡膠墊片 2 2…放^電區 2 12…上部圍封體構件 2 6…陰極支承條 21 8···饋通結構 28A，B，C··.陶瓷組件絕緣體 2 2 0…陽極組合 32…銅組件密封裝置 222…放電區，排放區 34.··密封裝置 230…電容器組 36···饋通桿 232…淨空孔 41...絕緣體 232C··.中央孑匕 4 6…切線風扇 234···槽溝 52.··輪葉構件 266···排淨遮蔽 58…氣體一液體熱交換器 276···單件整合主絕緣體 7 0 · · ·高電匯流排 280.··饋通結構 72…饋通電導體組合 288…整合饋通絕緣體 100...圍封體 2 8 9…同心槽溝 100…雷射室 295…比利佛墊圈 102…雷射圍封體 296…饋通螺帽 124...前置電離作用管 298···蝶翼帽 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂： -·線· 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 19

Claims (1)

  1. 496024 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 可/年F月
    第89117639號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：91年05月 1二_二以傳導高電功率通過一放電雷射之密封室之 &壁义套界定一電極長度之室内部之一伸長的電極之裝 置，包含； 一大於該電極長度、以電氣絕緣材料製成之單件主 絕緣體’該主絕緣體包含； 一第一大體上拋光成平面之表面部分，以及一第二 大體上拋光成平面之表面部份，其大體上平行於該第一 大體上拋光成平面之表面部分；以及 數個大體上為圓筒形之饋通絕緣體部分，其與該單 主絕緣體成一體，並自該第一大體上拋光成平面之表面 部份延伸； 其中一大體上為圓筒形之孔，大體上共軸地延伸通 過該圓筒形饋通絕緣體部份，以及通過該第一和第二大 體上拋光成平面之表面部份。 2·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該饋通絕緣體部份 另包含一大體上同心之外槽溝。 3·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第一和第二大體 上拋光成平面之表面部份具有大約16微对（0.4微米）之 表面加工。 4.如申請專利範圍第1項之裝置，其中該電氧絕緣材料係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2i〇x297公釐） 20 請 先 閲 面 之 注 意 事 項 再 填 窝 W Α8 Β8 C8 D8 '申請專利範圍 純度大於約99.5%之氧化鋁陶瓷。 5·如申請專利範圍第1項之裝置，更包含壓制抵靠該第一 和第一大體上抛光成平面之表面部份之面密封體，各該 面密封體大體上為同心地圍繞該大體上為圓筒形之孔。 • 6·如申請專利範圍第5項之裝置，其中該面密封體之組成 物不同於該電氣絕緣材料。 7·如申請專利範圍第6項之裝置，其中該組成物係在一鎳-鋼合金基材上鍍錫者。 8·如申請專利範圍第5項之裝置，其中該面密封體被構形 成一大體上具有橫截面形狀近似字母，，c，，形狀之環形 圈’譎橫截面形狀之一開口部分面朝向該環之外徑。 9·如申請專利範圍第1項之裝置，更包含： 至少一個饋通電氣傳導體，大體上共轴地通過該大 體上為圓请形之孔而設置；以及 一連接至該饋通電氣傳導體之電極，該電極鄰接該 第二大體上拋光成平面之表面部份而設置。 10·如申請專利範圍第9項之裝置，其中該電極係一陰極。 11·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該放電雷射係選自 於由下列所構成之群組：氟氬氣激元雷射，氟氪氣激元 雷射’以及氟（F2)分子雷射。 12· —種用以傳導高電功率之裝置，包含： 一以電氣絕緣材料製成之主絕緣體，該主絕緣體包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 21 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可| ;線丨 496024 * A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 含; 一第一大體上拋光成平面之表面部份，以及一第二 大體上拋光成平面之表面部份，其大體上平行於該第一 大體上拋光成平面之表面部份；以及 數個大體上為圓筒形之饋通絕緣體部份，其與該主 絕緣體成一體，並自該第一大體上拋光成平面之表面部 份延伸； 、 其中一大體上地為圓筒形之孔，大體上共軸地延伸 通過該圓筒形饋通絕緣體部份，以及通過該第一和第二 大體上拋光成平面之表面部份。 \ 13· —種通過一放電雷射之密封氣體圍體辆作溫 度之範圍上傳導高電功率至大體上由該圍封體戶斤圍繞 之一電極之方法，該方法包含傳導該電功率通過於數個 饋通電氣傳導體内之壁，該各饋通電氣傳導體係由一大 體上管形饋通絕緣體部分以大體上圓筒狀地圍繞，該大 體上管形饋通絕緣體部分與以電氣絕緣材料製成之單 件主絕緣體之第一大體上拋光成平面之表面部分成一 體且自其延伸，該單件主絕緣體更包含一大體上平行於 該第一大體上拋光為平面之表面部份之第二大體上拋 光成平面之表面部分。 14.如申請專利範圍第13項之方法，其中該饋通絕緣體部份 更包含一大體上同心之外槽溝。 &張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（ 210 X 297公爱）~ -~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁). .訂· •Φ· 496024 * A8 B8 C8 一 ___ D8 _ '申請專利範圍 15·如申請專利範圍第13項之方法，其中該第一和第二大體 上拋光成平面之表面部分具有大約16微吋（0.4微米）之 表面加工。 16·如申請專利範圍第13項之方法，其中該電氣絕緣材料係 純度大於約99.5%之氧化鋁陶瓷。 Π·如申請專利範圍第13項之方法，面密封體壓制抵靠該第 一和第二大體上抛光成平面之表面部份，各該面密封體 大體上同心地圍繞該饋通電氣傳導體之一。 18·如申請專利範圍第17項之方法，其中該面密封體之組成 物不同於該電氣絕緣材料。 19·如申請專利範圍第18項之方法，其中該組成物係在一鎳 ’鋼合金基材上鐘錫者。 20·如申請專利範圍第18項之方法，其中該面密封體以一順 從形態橫越該第一和第二大體上拋光成平面之表面部 分而滑動，以回應於該範圍上操作溫度之變化。 21. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該面密封體係被構 开> 成一大體上具有橫截面形狀近似字母” C”形狀之環 形圈，該橫截面形狀之一開口部分面朝向該環之外徑。 22. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該操作溫度之範圍 自周圍溫度延伸至高於周圍溫度之1 。 23·如申請專利範圍第13項之方法，其中該電極係—陰極。 24·如申请專利範圍第13項之方法，其中該放電雷射係選自 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— :線· 23 496024 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 由下列所構成之群組：氟氬氣激元雷射，氟氪氣激元雷 射，以及氟（f2)分子雷射。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本'頁) 、τ· 峰 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐）
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Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6671294B2 (en) * 1997-07-22 2003-12-30 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6853653B2 (en) 1997-07-22 2005-02-08 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6567450B2 (en) 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US20020127497A1 (en) * 1998-09-10 2002-09-12 Brown Daniel J. W. Large diffraction grating for gas discharge laser
US6795474B2 (en) * 2000-11-17 2004-09-21 Cymer, Inc. Gas discharge laser with improved beam path
US7856044B2 (en) 1999-05-10 2010-12-21 Cymer, Inc. Extendable electrode for gas discharge laser
US6801560B2 (en) * 1999-05-10 2004-10-05 Cymer, Inc. Line selected F2 two chamber laser system
US6882674B2 (en) 1999-12-27 2005-04-19 Cymer, Inc. Four KHz gas discharge laser system
US6865210B2 (en) * 2001-05-03 2005-03-08 Cymer, Inc. Timing control for two-chamber gas discharge laser system
US6625191B2 (en) * 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6661826B2 (en) * 1999-08-31 2003-12-09 Cymer, Inc. Laser chamber insulator with sealed electrode feedthrough
US6493375B1 (en) 2000-02-22 2002-12-10 Tuilaser Ag Adjustable mounting unit for an optical element of a gas laser
US6782029B1 (en) 2000-02-22 2004-08-24 Tuilaser Ag Dedusting unit for a laser optical element of a gas laser and method for assembling
US6480517B1 (en) 2000-02-22 2002-11-12 Tuilaser Ag Shadow device for a gas laser
US6804284B1 (en) 2000-02-22 2004-10-12 Tuilaser Ag Optical element holding and extraction device
US6603790B1 (en) 2000-02-22 2003-08-05 Hans Kodeda Gas laser and a dedusting unit thereof
US6522679B1 (en) * 2000-02-22 2003-02-18 Tuilaser Gas laser discharge unit
US6859482B1 (en) * 2000-02-22 2005-02-22 Tuilaser Ag Modular gas laser discharge unit
US6847671B1 (en) 2000-03-29 2005-01-25 Lambda Physik Ag Blower for gas laser
US6904073B2 (en) * 2001-01-29 2005-06-07 Cymer, Inc. High power deep ultraviolet laser with long life optics
US7180081B2 (en) * 2000-06-09 2007-02-20 Cymer, Inc. Discharge produced plasma EUV light source
US6693939B2 (en) 2001-01-29 2004-02-17 Cymer, Inc. Laser lithography light source with beam delivery
US6914919B2 (en) * 2000-06-19 2005-07-05 Cymer, Inc. Six to ten KHz, or greater gas discharge laser system
US6628693B1 (en) * 2000-09-18 2003-09-30 Komatsu Ltd. Discharge electrode for laser device
US6839372B2 (en) 2000-11-17 2005-01-04 Cymer, Inc. Gas discharge ultraviolet laser with enclosed beam path with added oxidizer
US6912052B2 (en) * 2000-11-17 2005-06-28 Cymer, Inc. Gas discharge MOPA laser spectral analysis module
US6704339B2 (en) 2001-01-29 2004-03-09 Cymer, Inc. Lithography laser with beam delivery and beam pointing control
US20050025882A1 (en) * 2001-01-29 2005-02-03 Partlo William N. Optical elements with protective undercoating
US7190707B2 (en) * 2001-01-29 2007-03-13 Cymer, Inc. Gas discharge laser light source beam delivery unit
US6704340B2 (en) 2001-01-29 2004-03-09 Cymer, Inc. Lithography laser system with in-place alignment tool
US6690704B2 (en) 2001-04-09 2004-02-10 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
US7079564B2 (en) * 2001-04-09 2006-07-18 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
US7039086B2 (en) * 2001-04-09 2006-05-02 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
US7230964B2 (en) * 2001-04-09 2007-06-12 Cymer, Inc. Lithography laser with beam delivery and beam pointing control
US7009140B2 (en) * 2001-04-18 2006-03-07 Cymer, Inc. Laser thin film poly-silicon annealing optical system
US7167499B2 (en) 2001-04-18 2007-01-23 Tcz Pte. Ltd. Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system
US7061959B2 (en) * 2001-04-18 2006-06-13 Tcz Gmbh Laser thin film poly-silicon annealing system
US7378673B2 (en) * 2005-02-25 2008-05-27 Cymer, Inc. Source material dispenser for EUV light source
US7372056B2 (en) * 2005-06-29 2008-05-13 Cymer, Inc. LPP EUV plasma source material target delivery system
US20050259709A1 (en) 2002-05-07 2005-11-24 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US7598509B2 (en) * 2004-11-01 2009-10-06 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US7439530B2 (en) * 2005-06-29 2008-10-21 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US6928093B2 (en) 2002-05-07 2005-08-09 Cymer, Inc. Long delay and high TIS pulse stretcher
US7465946B2 (en) * 2004-03-10 2008-12-16 Cymer, Inc. Alternative fuels for EUV light source
US7154928B2 (en) * 2004-06-23 2006-12-26 Cymer Inc. Laser output beam wavefront splitter for bandwidth spectrum control
US7830934B2 (en) * 2001-08-29 2010-11-09 Cymer, Inc. Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing
US6963595B2 (en) 2001-08-29 2005-11-08 Cymer, Inc. Automatic gas control system for a gas discharge laser
US20050100072A1 (en) * 2001-11-14 2005-05-12 Rao Rajasekhar M. High power laser output beam energy density reduction
US7671349B2 (en) * 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US6798812B2 (en) 2002-01-23 2004-09-28 Cymer, Inc. Two chamber F2 laser system with F2 pressure based line selection
US7016388B2 (en) * 2002-05-07 2006-03-21 Cymer, Inc. Laser lithography light source with beam delivery
US7741639B2 (en) * 2003-01-31 2010-06-22 Cymer, Inc. Multi-chambered excimer or molecular fluorine gas discharge laser fluorine injection control
DE602004027429D1 (de) * 2003-02-12 2010-07-15 Coherent Gmbh Elementensatz zur chirurgischen Ablation von Augengewebe
US7217941B2 (en) * 2003-04-08 2007-05-15 Cymer, Inc. Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source
US7277188B2 (en) * 2003-04-29 2007-10-02 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US7209507B2 (en) * 2003-07-30 2007-04-24 Cymer, Inc. Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge MOPA laser system
US6873418B1 (en) 2003-09-30 2005-03-29 Cymer, Inc. Optical mountings for gas discharge MOPA laser spectral analysis module
US6894785B2 (en) * 2003-09-30 2005-05-17 Cymer, Inc. Gas discharge MOPA laser spectral analysis module
US20050083984A1 (en) * 2003-10-17 2005-04-21 Igor Bragin Laser system sealing
US7277464B2 (en) * 2003-12-18 2007-10-02 Cymer, Inc. Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge laser system
US7196342B2 (en) * 2004-03-10 2007-03-27 Cymer, Inc. Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source
US7522650B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-21 Cymer, Inc. Gas discharge laser chamber improvements
US7006547B2 (en) * 2004-03-31 2006-02-28 Cymer, Inc. Very high repetition rate narrow band gas discharge laser system
US20050286599A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Rafac Robert J Method and apparatus for gas discharge laser output light coherency reduction
US7355191B2 (en) * 2004-11-01 2008-04-08 Cymer, Inc. Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source
US7482609B2 (en) * 2005-02-28 2009-01-27 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US20060222034A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Cymer, Inc. 6 Khz and above gas discharge laser system
US7633989B2 (en) * 2005-06-27 2009-12-15 Cymer, Inc. High pulse repetition rate gas discharge laser
US7180083B2 (en) * 2005-06-27 2007-02-20 Cymer, Inc. EUV light source collector erosion mitigation
US7365349B2 (en) * 2005-06-27 2008-04-29 Cymer, Inc. EUV light source collector lifetime improvements
US7317536B2 (en) 2005-06-27 2008-01-08 Cymer, Inc. Spectral bandwidth metrology for high repetition rate gas discharge lasers
US7653095B2 (en) * 2005-06-30 2010-01-26 Cymer, Inc. Active bandwidth control for a laser
US8379687B2 (en) 2005-06-30 2013-02-19 Cymer, Inc. Gas discharge laser line narrowing module
US7394083B2 (en) 2005-07-08 2008-07-01 Cymer, Inc. Systems and methods for EUV light source metrology
US20070071047A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Cymer, Inc. 6K pulse repetition rate and above gas discharge laser system solid state pulse power system improvements
US7706424B2 (en) * 2005-09-29 2010-04-27 Cymer, Inc. Gas discharge laser system electrodes and power supply for delivering electrical energy to same
US7679029B2 (en) * 2005-10-28 2010-03-16 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations
US7317179B2 (en) * 2005-10-28 2008-01-08 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate
US7321607B2 (en) * 2005-11-01 2008-01-22 Cymer, Inc. External optics and chamber support system
US7307237B2 (en) * 2005-12-29 2007-12-11 Honeywell International, Inc. Hand-held laser welding wand nozzle assembly including laser and feeder extension tips
US7655925B2 (en) * 2007-08-31 2010-02-02 Cymer, Inc. Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
US7812329B2 (en) * 2007-12-14 2010-10-12 Cymer, Inc. System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus
US8519366B2 (en) * 2008-08-06 2013-08-27 Cymer, Inc. Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source
US7756171B2 (en) * 2008-10-21 2010-07-13 Cymer, Inc. Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
US7720120B2 (en) * 2008-10-21 2010-05-18 Cymer, Inc. Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
US7751453B2 (en) * 2008-10-21 2010-07-06 Cymer, Inc. Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
JP5687488B2 (ja) 2010-02-22 2015-03-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
CN104378900A (zh) * 2014-10-31 2015-02-25 大连民族学院 一种大气压大面积均匀空间等离子体发生装置
CN105098580B (zh) * 2015-09-01 2018-10-19 西北核技术研究所 一种气体放电预电离装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4698518A (en) * 1985-04-29 1987-10-06 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Magnetically switched power supply system for lasers
US4891818A (en) * 1987-08-31 1990-01-02 Acculase, Inc. Rare gas-halogen excimer laser
US4959840A (en) * 1988-01-15 1990-09-25 Cymer Laser Technologies Compact excimer laser including an electrode mounted in insulating relationship to wall of the laser
US5033055A (en) * 1988-01-15 1991-07-16 Cymer Laser Technologies Compact excimer laser
JP2824069B2 (ja) * 1988-11-26 1998-11-11 富士電機株式会社 エキシマレーザ装置
US5771258A (en) * 1997-02-11 1998-06-23 Cymer, Inc. Aerodynamic chamber design for high pulse repetition rate excimer lasers
US5991324A (en) * 1998-03-11 1999-11-23 Cymer, Inc. Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser
US5818865A (en) * 1997-05-16 1998-10-06 Cymer, Inc. Compact excimer laser insulator with integral pre-ionizer
WO2000038286A1 (en) * 1998-12-15 2000-06-29 Cymer, Inc. ArF LASER WITH LOW PULSE ENERGY AND HIGH REP RATE

Also Published As

Publication number Publication date
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