TW480796B - High power gas discharge laser with helium purged line narrowing unit - Google Patents

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0796 A7 B7 五、發明說明（1 ) 本發明疋關於雷射，特別是具有光栅基線窄化罩元 之问功率乳體放電雷射。本發明是1999年11月30號成案， 序號第09/451407號之延續的一部份。 、 發明的背景 窄頻帶氣體放電雷射 一般被用作為積體電路顯影之光源的氣體放電紫外 線雷射是線窄化的。先前技藝中一個較佳的線窄化技術， 是使用一個具有輸出偶合器之光柵基線窄化單元，以形成 該雷射共振腔。在該腔中之該增益介質可以藉由放電至一 循環的雷射氣體，如氪、氟和氖（如一氟化氪雷射）；氮， 氟和氖（如一氟化氬雷射）；或氟和氦及[或]氖（如一氟雷射） 而產生。 先月ιΐ線窄化技術 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 --裝--- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) -H ϋ a— n · 先期技藝之系統的示意圖如第1圖所示，其是由曰本 專利第2,696,285號摘錄出來。所顯示的系統包括輸出耦 合器（或前面的鏡子）4、雷射腔3、腔視窗1】和一光柵基線 乍化單元7。該線窄化單元7是一般是在石版印刷雷射系統 上，被當做一個容易替換的單元，而且有時是被稱為，•線 乍化封裝’’或縮寫為’’LNP”。這個單元包括二個光束擴大 稜鏡27和29，和一個放置在一利特羅（utrow)結構中的光 柵16。用在這些系統中的光柵是非常敏感的光學裝置，而 且在標準空氣中有氧氣存在的情況中，在紫外線輕射下會 迅速退化。基於這個理由，該些用於石版印刷雷射系統之 線窄均單元的光學組件，一般在操作期間都是連續用氣氣 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 獨796 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π A7 B7 五、發明說明（2 ) 做吹掃。 許多年以來，線窄化雷射的設計者都相信藉由氣體 流過該光柵的表面附近可能會使該雷射光束退化。因此， 在過去雷射設計者已經做過特別的努力於保持該吹掃氮氣 直接流向該光柵的表面。這些努力的數個例子被說明於上 面提到的曰本請准專利第2,696,285號。摘錄於第i圖的實 > 施例中，該吹掃氣流是直接由氮氣瓶44通過汽門46而流向 該光栅16的背側。 該光柵處方 另一種先期技藝之準分子雷射系統是利用一個用於 譜線選擇之繞射光栅，如第2圖所示。該雷射的腔體是由 一輸出耦合器4和一個光柵16所建立的，其功用是作為 一反射器和一光譜選擇元件。輸出耦合器4反射部份該雷 射背後的光，並且傳輸視為該雷射之輸出的其他部份6。 稜鏡8，10和12形成一個光束擴大器，在其加熱該光柵之前 I 擴展忒光束。當它朝該光栅前進時，一鏡子1 4被用來引導 該光束，如此可控制入射角。該雷射中心的波長一般是藉 由調整該鏡子14來改變。在腔室3中產生一個增益代。 繞射光柵藉著在不同角度下，反射不同波長的光波 來做波長選擇。因為只有那些反射回該雷射之光線，會被 該雷射增益介質擴大，同時其他不同波長的光線則會減低 〇 在該先前技藝中，當它正好將光線反射回來時，該 繞射考柵在一個所謂的利特羅結構中工作。對於 結構 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ^--------^---------線 (請先閱讀背面之;±意事項再填寫本頁)

五、發明說明（3 ) 而言’該人射（繞射）角和該波長的關係如方程式所示： 2d * η * sin a =m λ (ι) 其中α疋在光柵上的該入射（繞射）角，⑺是繞射階數 ，η是氣體的折射率而且d是該光柵的週期。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 因為微影曝光透鏡對該光源的色差是很敏感，該雷 射必需產生非常窄的光譜線寬。舉例來說，就技藝而言， 在最大值之半的全寬度測量時，現在準分子雷射可以產生 的光4線見的大小是〇·5微微米（pm)，而且95%的光線能 量疋集中在大約1.5微微米的範圍中。新一代的微影曝光 工具需要更嚴格的光譜需求。除此之外，該雷射中央波長 盡可把保持1¾度的精確性是很重要的。實際上，該中央波 長更好而要維持在0.05-0· 1微微米的穩定性。就技藝而言 ’微影準分子雷射有一板上的分光計，其可以將該雷射的 波長控制在所需的準確度。不過，問題是為了使該分光計 運作’該雷射必須發射脈衝。因此，當雷射連續曝光該些 晶圓時，它的分光計能控制該波長至所需的準確度。當該 曝光程序停止時，如晶圓更換，即會產生問題。該晶圓更 換可能需花一或二分鐘，而且在這時間該雷射不許發射脈 衝。當雷射發射的時候，它會產生許多的熱量。當雷射不 發射的時候，它會冷卻下來。因為熱飄移，此冷卻動作為 改變雷射的波長。該飄移可能會產生隨溫度變化之氣體折 射率η，依上述方程式而改變。η值改變將會引起該光柵之 利特羅波長的改變，因此會改變該雷射的工作中央波長。 所以，.在該雷射光再啟動之後，開始的數個脈衝通常具有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 480796 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

A7 B7 、發明說明（4 ) 與所需要的不同之波長。如果這些脈衝被用來曝光晶圓， 色差將會造成影像品質降低。接著會產生嚴重的產率問題 。此問題的-個解決方法是不要使用剛開始的這幾個脈衝 來曝光晶圓。這可以藉由在開始的數個脈衝期間，關閉該 機械快門來完成。不幸地，因為閉合和打開機械的快門需 花時間，它將會使產出降低。在半導體製造廠中，該顯影 雷射是串聯許多非常昂貴的工具一起工作。因此，即便是 該雷射降低1%的產出，都將產生實質的價值損失。 增加重複率 目前，被用在積體電路工業裡之該線窄化紫外線雷 射光源，在大約2000赫（Hz)的重複率下，每次脈衝一般會 產生大約10亳焦耳（mJ)而且功率因子大約是百分之2〇。在 較兩的重複率和較大的功率週期可以增加積體電路生產。 申请人與其工作伙伴設計並測試一 4000赫的放電顯影雷射 。申凊人現在有經驗處理更高的重複率，並且打算將雷射 中央波長飄移降到最小。申請人有經驗在該些較高的重複 率和功率週期下維持一致的窄頻帶寬度。 其需要一個用於高重複率、高功率週期氣體放電雷 射之可靠的線窄化裝置與技術。 發明之摘要 本發明提供一種用於一光柵基線窄化裝置之氦氣吹 掃’以將在高重複率下產生高能雷射光束支線窄化雷射的 熱變形降到最低。申請人已指出與線前氮氣吹掃技藝相比 ’使吊氦氣吹掃可以對效能作實質的改善。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）

· I I f請先閱讀背面之土意事項再填寫本頁) ^ · •線· 4^0796

五、發明說明（ 在較佳的實施例中，_1氣流之接吹過該光拇的表 面·。在其它的實施例中，該吹掃氣體的壓力被降低已減少 該熱氣體層的光學效應。 圖式之概要說明 第1圖是先前技藝之第一線窄化雷射系統。 第2圖是先前技藝之第二線窄化雷射系統。 第3圖顯示在一線窄化光柵的表面上之一熱氣體層對 譜帶寬度的不利影響。 第4A和4B圖顯示本發明之較佳實施例。 第3 A圖顯示在各種不同重複率下，以先前技藝吹掃 時頻帶寬度圖。 第5B圖顯示在各種不同重複率下，依據本發明吹掃 時頻帶寬度圖。 第6A、6B和6C圖顯示本發明的另一些實施例。 第7、8和8A-D圖顯示配備快速回饋控制之線窄化封 裝。 第9圖顯示在該光柵表面上之該氣體層的加熱。 第10圖顯示用於降低該吹掃氣體壓力之技術。 第11圖顯示本發明之一較佳實施例。 第12圖是比較氮氣吹掃與氦氣吹掃的圖式。 較佳實施例的詳細說明 高平均功率下雷射效能 一先前技藝之線窄化氟化氪準分子雷射是在相當低 的平哼功率下操作，一般是低於5瓦（W) ’將產生集中於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) 訂： % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 五、發明說明（6 ) 大約248奈米（nm)，且譜帶寬度小於〇·6微微米的雷射光束 。.該雷射能在高重複率高達2000赫，只要平均功率低於$ 瓦，甚至可以在更高的頻率下運轉。一個典型顯影乾化氣 準分子雷射有一個10毫焦耳的脈衝能量。因此，為了要保 存低的平均功率，它必須以相當低的功率週期運作。舉例 來說它能在2仟赫下爆發200個脈衝每個爆發之間停止大 約0.45。如此的運作所產生的平均功率為：

Pave -10¾ 焦耳 *200 脈衝/〇·5 秒=4 瓦（，） 當該平均功率被增加的時候，譜帶寬度的控制開始 產生問題。舉例來說，這會發生在該爆發間延遲被減少的 時候。舉例來說，相同產生200個脈衝且爆發間延遲為〇ι 秒的雷射所產生的平均功率為··

Pave - 1〇念焦耳*200脈衝/〇·2秒=1〇瓦（3) 在最大值時，該雷射以連續模式運轉，其在2〇〇〇赫 和10毫焦耳脈衝能量下，是相當於20瓦的平均功率。 當該先前的技藝之雷射系統是在高平均功率下運轉 時，該譜帶寬度會在大約5至20分鐘的時間内由起始的小 於〇·6微微米逐漸增加，並且實質上保持高於〇·6微微米。 此一譜帶寬度的增加在微影生產運轉中應該被避免，因為 它將會因投射透鏡的色彩改變而造成影像模糊。另外一個 重要的應用是在當該雷設在高功率週期下被用來測試其他 顯影組件，諸如投射透鏡本身，的熱性質時。在這個應用 中，該雷射在測試期間必須維持它的譜帶寬度以及其他在 規範中的參數。 480796

五、發明說明（7 ) 該譜帶寬度瞬變可以使用一特殊的譜帶寬度控制裝 置做一點修正。 第2圖顯是由申請者之雇iCymer公司所製造之一先 前技藝的線窄化單元，以與先前技藝的一部份之線窄化顯 影氟化氪雷射系統合併成為一個裝置。該單元包括三個光 束擴大稜鏡8· 1〇和12、一個調諧鏡子14和一個光柵16。 需注意的是來自瓶44的吹掃氮氣進入該調諧鏡子46之背面 上的該單元，以避免吹掃器直接流向該光柵表面。在這系 統中’雷射光束6的波長是被回饋控制的，其中該光束 的波長是由監視器22與電腦控制器24使用波長資料來測量 ，以調整該調諧鏡子14的角度位置，而將波長控制在所需 要的數值上。該譜帶寬度控制裝置20被用來機械地彎曲光 柵16以使其’舉例來說，輕微的内凹。該裝製備詳細說明 於歸於Cymer之美國請准專利第5,095,492號中。該裝置的 使用可以使該譜帶寬度稍微的減小，但當該雷射是在高功 率週期下運作時，它仍然是在規範之外。 第3圖顯示如此的實施例，當該譜帶寬度超出先前技 $之規蛇時’或雷射是在20瓦的平均功率（1〇毫焦耳、2〇〇〇 赫連續操作）下運轉。該譜帶寬度控制裝置也可以在一特 定的操作模式下被最適化，但是顯影雷射必須能夠在數個 不同的模式中運轉。舉例來說一個典型的運轉模式可能如 下： (1)在2000赫下〇·3秒爆發600個脈衝10毫焦耳脈衝， (?)停止0.3秒 本纸張尺度適用中國國家標準（cns)a4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項㈣填寫本頁) :裝 T.- 今° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 10 480796 A7 B7 Φ 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 (3) 重複步驟（1)與（2)做85次爆發，以及 (4) 停止9秒 熱吹掃氣體層 申请者已確定在如第3圖中所顯示之較高的重複率下 ，該較差的效能是應為一熱氮氣層形成，其在該光栅48面 上形成大約5分鐘的時間，所造成的結果。 該熱氣體被該光柵表面加熱，其依序藉由吸收部份 入射的雷射光所加熱。一般有15至20%的入射光可以被光 栅表面吸收。該光柵的表面溫度可上升⑺至丨5艽。這溫度 的增加是不均勻的，在該光柵的中間溫度較高，而在兩端 溫度較低，如第9圖所示。因此，在該光柵中間的前面之 空氣比在邊緣前面的空氣熱。因此，當該雷射光束8〇入射 在該光柵表面86時，它可以通過該邊際層82。因為這些空 氣有相同的壓力，較熱的空氣，其密度較小。所以，靠近 光栅中心的空氣較接近邊緣處不密集。因為如此，當它通 過該光栅的中央部份與邊於時，該雷射光束80會有不同的 相位移。所以，’與波前88平行之該入射光，相對於該發散 的光束’將會有一彎曲的波前90。即便是光柵1 6是非常平 整，這也可能發生。 對於該線窄化單元，申請人已經發展出較佳的修正 方式以實質地消除此熱氮氣層。 通過光栅表面的氣流 本發明的第'較佳實施例如第4 A與4 B圖所不。在此 情況f，大約每分鐘2公升之該吹掃氮氣向上流過作為吹 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） -------------^--------^---------線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 480796 Α7 Β7 五、發明說明（9 ) 掃氣體歧管用之10英吋長内徑3/8的管子之1/4吋處、大約 直徑1公爱的孔。樓板60和擋蓋62迫使大部分的吹掃氮氣 流向第4B圖中箭頭所指的方向。如此的安排會產生如第5 圖中所示之優異的結果。在這情況中，該輸出平均功率由 0.1瓦增加至20瓦時僅產生〇·4至〇·5微微米的變化。有趣的 是在10瓦之平均功率下的譜帶寬度實際上是稍小於〇1瓦 時。 該吹掃氣體流過該光柵的表面必須仔細地加以控制 ’以避免流量相關的失真是很重要的。申請人已經試驗各 種不同的流速，同時也已確定過多的流量是有害的。舉例 來說，每分鐘20的的流速會產生非常差的結果。建議的流 速是在大約每分鐘0.5公升至大約每分鐘丨〇公升的範圍中 〇 也應注意的是該吹掃氣體實質上不會降低該光柵的 溫度。該光柵仍保持熱的。該吹掃氣體所做的是連續置換 在該光柵前面的空氣，使其沒有時間被該光柵加熱。很小 的流速以及相當的氣體速度可以避免任一氣體因為該氣流 本身的失真，而影響雷射的操作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印 其他的吹掃配置 有許多可能的配置可以使氣體流過該光柵的面，而 避免該熱層的發展，其將產生第3圖所示的問題。舉例來 說，在該歧管的長度中一大約0·5毫米之窄的狹縫可以被 用來取代該些小的孔。較平順的氣流也可以由如第6八圖 中所吊之載面的狹縫式噴嘴所提供，或是由第6β圖中 480796 A7 B7 五、發明說明（10 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 示在該光柵的上面與底部的狹縫噴嘴所提供。在第…圖 中·所示之半密閉系統中，該流過該光柵表面的氣流也可以 由-小的風扇提供。在這情況中，該規則的吹掃I氣也可 以由第2圖中所示之先前技藝來提供。在第6C圖的實施例 中，在該光柵與該障蔽之間的空腔沒有被密封而且吹掃 氣體被允許循環進出該腔體，如所示之64和66。該些管子 68通向風扇70並穿出而連接到剛好在光柵上最熱區域的上 面與下面處之狹縫管72與74的中央附近。 減少氣體壓力 第一種~決遠熱氣體層問題的方法是，降低該線窄 化封裝中的氣體壓力。 因為該折射率的不均勻分佈，氣體對流控制空間中 A氣體的岔度，而依序產生相前差。因為接近該受熱的光 柵表面的氣體對流，使得氣體密度的擾動所造成的任一差 異大約是與該 磁化率的值或該折射率以及該氣體密度成線性關係 c 在該線窄化封裝中，只要該氣體分子的平均自由路 從不小於該熱”的與該”冷”的表面之間的距離時，該光柵 的表面或其他組件之對流冷卻實質上是不會被減少的。如 果我們假定這些距離是大約1 〇公分，然後根據經驗法則我 們可以說該氣體壓力不應該被降低超過該平均自由粒徑大 約是10公分處的壓力。該壓力是在大約1至1〇毫巴（millibar) ’使得在該線窄化封裝中，該氣體的密度是在大氣壓條件

--- (請先閱讀背面之茳意事項再填寫本頁) 1^]. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 480796 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明（η ) 下之密度的大約百分之⑴丨至^。 .第10圖是一用來維持在該線窄化封裝中的控制壓力 是在大約1至ίο毫巴的系統的圖式。該氮氣經由孔9〇進入 密封的線窄化封裝。真空幫浦92被用來在該線窄化封裝中 產生真空，而且該所需的真空藉由控制器94，使用一由壓 力感應裔96至控制針閥98的回饋訊號來維持。因為線窄化 封裝疋一密封的系統，而且該壓力大約是平衡的，感應器 96可能是一熱電耦。 氦氣吹掃 降低該熱層效應的另一解決方法是以氦氣吹掃該線 乍化封裝。氮氣比較小的差分折射率，使得該熱層產生較 小的失真。除此之外，氦氣比氮氣有更好的熱傳性質。具 有相同優點的氬氣也可以被使用。不過，氦氣比氤氣貴很 多。 用於該利特羅波長的方程式（參見在背景段中之方程 式（1))有兩個可能隨溫度改變的成分，d(該光柵的週期）和 n(氣體的折射率）。就技藝而言，微影準分子雷射通常有 一 eschelle繞射光柵。該光柵的基材通常是由熱膨脹非常 低的材料做成的，如由康寧（c〇rning)所做之ULE零膨脹玻 璃。這些材料的熱膨脹係數非常小，一般大小是在1〇·8 !/ C ;因此’ d的改變很小。另一方面，氣體的折射率η與 溫度的關係可以下列的方程式來表示： η = 1 + kT/300 (4) 甚中丁為溫度，。C、k是比例常數。對氮氣以及248奈 巧張尺度適用中闕家標準 (21Q x 297公爱)------ -14 - (請先閱讀背面之注意事項_填寫本頁) -裝 . % 480796

經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 米的光線而言，k=3*10·4。因此，對於氮氣，我們有△丁y °C.其△ n = 1 * 1〇·6的關係。根據方程式（1)，對於I%奈米 光線’由此△ η可以獲得△ λ =0.25微微米（每。c )。這是一 個很強烈的溫度關係，而且它表示在該線窄化封裝中，如 果我們想要獲得小於0·05微微米的飄移時，該氣體的溫度 應該較好被保持在0.2°C。在技術上這是非常困難的工作 該較佳實施例的雷射顯示於第η圖中。在該雷射中， 該光束擴張器稜鏡8、10和12 ;鏡子14和光栅16被放置在 一緊密密封的殼34中。該外殼有一氣體輸入與一氣體輸出 。該密封中充滿氦氣。一視窗30被放置該光束的通道2〇中 以密封該外殼。一光圈36被放置在接近該窗3〇處。該出口 部份是一長且薄的管子’以避免空氣分子擴散回來。 對於氦氣而言’該k係數大約是k =3 · 8木1 〇.5或大約是 比氮氣的係數小8倍。因此，對於氦氣，我們有△ 丁=1艺 其△ η = 1·25 * 10·7的關係。根據方程式，對於248奈米 光線，由此Δη可以獲得△又=0 03微微米（每。c)，而對於 193奈米光線，其大約是〇〇25微微米（每。c )。現在必須將 該線窄化封裝之内的溫度維持在大約2度，這是一個比較 易辦的問題。事實上，該線窄化封裝的熱質量，在較佳實 施例中5-1 0磅的重量已足夠將該溫度維持在該該範圍數分 鐘。因為氦氣比氮氣與空氣有更多不同的性質，該線窄化 封裝外殼應該被密封良好，並且應該有一氣體入口與一個 或多甸供氦氣吹掃的出口。該出口部份應該有一長且柔軟

本纸張尺度適財_冢標準（CNS)A4規格⑽χ挪公髮 -------------·1111111 ^ ·1111111« (請先閱讀背面之淦意事項再填寫本頁) 五、 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 發明說明（13 ) 的管子附著其上，以避免外面的空氣回流進入該線窄化封 裝。 第12圖顯示用氮氣與氦氣吹掃之線窄化封裝中所測 $之線中心飄移的比較圖。 技巧熟練的人將會知道，除了上述本發明之特殊的 實施例之外，有許多其它的實施例可以處理因為該熱氣體 層所引起的失真。其他用來處理該熱氣體問題的技藝可以 有效控制譜帶寬度以校正該熱氣體層之不良的效應。實質 上用於及時控制數個波長參數的技術被說明於1999年九月 3曰成案之美國申請專利序號第〇9/390,5 79號以及2〇〇〇年 十月31曰成案之美國申請專利序號第〇9/7〇3,317號中， 在此處被併入參考資料中。這些技術包括該光束膨脹稜鏡 之位置、光概曲率和調諸鏡子位置之快速回饋控制。也提 供該雷射腔室之位置的控制。第7圖式該整個雷射系統的 組合方塊圖式，第8A與8B圖是具有該額外的回饋控制特 性之該線窄化封裝的圖式。在第8圖的實施例中，該光柵 的曲率可以藉由光柵曲率步進馬達30來控制，以補償因為 在該光柵面上之該熱氣體層所造成的失真。在第8Α·〇圖 的實施例中，該光柵的曲率是以透過七個在該背後阻體88 上不變鋼棒84作動之七個壓電裝置8，6以及壓縮彈簧9〇來 控制。該實施例可以提供非常快之該光柵表面的曲率調整 本發明的範圍應該可以藉由附錄的申請專利範圍與 其法芩上同等物來確定。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項填寫本頁) 裝 訂： % 16 480796 A7 B7 五、發明說明（14 元件標號對照 镥 3...雷射腔室 62…擋蓋 4...輸出耦合器 64…進氣 7...線窄化單元 66···排氣 11...腔室視窗 68...管子 16…光柵 70…風扇 8,10，12,27,29··.稜鏡 72、74…狹長管子 20...譜帶寬度控制裝置 80...雷射光束 22...監視器 82...邊界層 24...電腦控制器 84...不變鋼桿 30...步進馬達 86...壓電裝置 34…密封外殼 88…波前 36...光圈 90…壓縮彈簧 4 4…氣氣瓶 92…真空幫浦 46...通道 94...控制器 48...光柵 96·.·壓力感測器 60...擋板 98.··針狀閥 ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第八九一二五三五九號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期·· 90年12月 •種用來線窄化一產生高能雷射光束之雷射的光 柵基線窄化裝置，該裝置包含： (A) —個界定一光柵面的光栅， (B) —個用來至少覆蓋該光柵的腔室， —: (C) 一個用於提供吹掃氦氣以吹掃該腔室的氦 氣源， (D) —個用於擴大由該雷射而來的光束以產生 一個擴大的光束之光束擴大工具， (E) —個用來使該光束在一朝向該光柵表面， 以由該擴大的光束選擇一所需要的.波長範圍之調 諧工具。 2·如申請專利範圍第·丨項之裝置，其中該擴大的尤束 加熱該光栅表面，而在該光柵中產生溫度上升，其 依次加熱在緊鄰該光栅表面之一熱吹掃氣體層，以 及一用來將熱量由該吹掃氣體層移除之熱量移除 工具’以降低因為該熱吹掃氣體層而造成的光學失 真。 3.如申請專利範圍第2項之裝置，其中該熱量移除工 具包含一具有多數的小通道，以將吹掃氣體導向流 過該光柵表面之吹掃氣體歧管。 4·如申請專利範圍第3項之裝置，其中該熱量移除工 、又=3 舀卞、UlC：\'5)A4 規格（210x297 公殳）

   六、申請專利範圍 ::匕3用於控制流過該光柵表面之吹掃氣體，的 9栅σ人掃氣流控制工具。 ' 5. 7請專㈣圍第4項之裝置，其中該吹掃氣流控 /、匕έ疋義通過该光栅表面，並離開該光柵表 面之氣流通道的結構。 • 6.如巾請專利範圍第2項之裝置，其中該熱量移除工 二匕S具有至少一個長且非常窄的狹縫的吹-掃 氣體歧管。- 7.如申請專利範圍第6項之裝置，其中該狹缝是呈長 方形形狀噴嘴的型式。 8· ^請專利範圍第2項之裝置，其中流過該歧管之 忒氦氣吹掃氣體是小於每分鐘2 〇公升。 9.如申請專利範圍第㈣之裝置，其¥'該氦氣吹掃氣 體流量是大約每分鐘2公升。 、.1〇·如申請專利範圍第1項之裝置，並且進一步、息含 個用於在該腔室中產生一真空的真空泵久 u·如申請專利範圍第10項之裝置，其中該真空的壓 力是大約1至1 〇毫巴。 12·—如申請專利範圍第1〇項之裝置，其中該真空被選 疋使仔在該腔至内的氣體分子的平均自由路經是 在5公分至30公分之間。 13·如申請專利範圍第1項之裝置，並且進一步包含 一個提供該光柵表面之曲率的主動控制之回饋光 栅曲率控制機制。 ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) yj/y〇 yj/y〇 月’曰故止為 姑ά R -----

   申請專利範圍 14· 一如申請專利範圍第1項之裳置，並且進-步包含 几扇以及至V —個具有強迫氦氣氣流通過該光 柵表面結構的歧管。 15.種㈣卜窄帶氣體放電雷射之帶寬的方法，該 f射具有—界定―光柵㈣光柵之光柵基線窄化 單凡’該方法包含強迫氣流流過該光柵表 面的步驟 〇 -r* —— 16·—如巾請專利第15項的方法，其中該氣體流量小於 每分鐘2 0公升。 17.如申睛專利第16項的方法，其中該氣體流量在每 分鐘1至8公升之間。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

   、’:3 a (C\S)A4 規格 CIO