TW473786B - Method and apparatus for reducing stress across capacitors used in integrated circuits - Google Patents

Method and apparatus for reducing stress across capacitors used in integrated circuits Download PDF

Info

Publication number
TW473786B
TW473786B TW089117028A TW89117028A TW473786B TW 473786 B TW473786 B TW 473786B TW 089117028 A TW089117028 A TW 089117028A TW 89117028 A TW89117028 A TW 89117028A TW 473786 B TW473786 B TW 473786B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
capacitor
node
voltage
capacitors
terminal
Prior art date
Application number
TW089117028A
Other languages
English (en)
Inventor
Ramkarthik Ganesan
Owen W Jungroth
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW473786B publication Critical patent/TW473786B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 A7 B7 五、發明說明(1 ) 本發明之範圍 本發明乃關於積體電路及裝置中之電壓控制。更特別是 本發明係關於用以控制跨於積體電路中所用各電容器上之 電壓位準之裝置,方法及系統,故跨於此等電容器上之電 壓位準不致超過各該電容器之破壞電極極限。 本發明之背景 積體電路及系統,不斷向前發展及變成更爲複雜,各積 體電路及系統之有效功率與熱管理已成爲電路設計及實用 中更迫切之事。爲減少積體電路及系統中之功率消耗,已 將此等電路及系統設計成操作於低電壓位準。例如已將各 積體電路及系統設計成操作於諸如5伏特;3.3伏特或電源 所提供之更低電壓位準。然而,此等積體電路或系統中之 若干組件或電路要求較高之電壓以供操作或發生功用。舉 例而言,用於電腦或系統中之快閃可電抹除程式規劃之僅 讀(flash EEPROM)記憶裝置通常需要較電源所提供者更高 之電壓位準,以完成例如讀取,抹除或程式規劃等操作之 各項作用。爲產生快閃記憶器所需較電源提供者爲高之電 壓位準,典型者使用充電泵電路以從一較低電壓位準源產 生較高之電壓位準。充電泵電路通常含有多個泵激級,用 以經由每一級之遞增電壓將一低電壓輸入增加至高電壓輸 出。在充電泵電路中多個泵激級之每一級通常使用一或更 多之電容器,用以儲存及轉移電荷至次一泵激級以期將一 級之電壓位準增至次一級之電壓位準。不過在若干級所需 之電壓位準,特別是充電栗電路之最後各級,可超過用以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------裝--------訂--------r線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4737S6 A7 B7 五、發明說明(2 ) 儲存及轉移電荷之單一電容器之應力或破壞電壓極限。如 若單一電容器之應力或破壞電壓極限已超過,則在此等泵 激級所產生之最大電壓位準受到限制。爲克服此一問題, 可將二個或更多之電容器接成串聯以減少跨於每一電容器 上之電壓。將二個或更多之電容器接成串聯亦稱作堆疊電 容器組態。不過使用接成_聯之二個或更多電容器增加充 電泵電路之壓模區域。因此並不希望在充電泵電路中使用 較該電路適切操作所需之數更多之任何電容.器。再者,在 許多充電泵電路中,充電泵電路之輸出節點可自一類型之 π--一 - 快閃記憶器操作所需之電壓位準被驅動至另一類型之快閃 記憶器操作所需之另一電壓位準,結果導致大於串聯連接 之每一電容器的破壞電麼之總電壓拂掠。例如當負充電泵 在其停止及起動至一適當之内部信號而運轉至+11伏特 時,一負充電泵之輸出節點可一路下降至-15伏特。在此 例中,總電壓拂掠爲26伏特,可大於接成串聯之兩電容器 能忍受之總共最大電壓。 因此需將實作需求,電为使用需求及充電泵電路之壓模 區域作有效卓越之平衡,俾能獲致所需之輸出電壓而不超 出充電泵電路中所用各電容器之應力極限,以及毋須對壓 模區域作不必要之增加。 本發明之概要 用以控制橫跨於一積體電路之第一節點與第二節點間所 耦合之各電容器的電壓位準之方法,裝置及系統,俾使跨 於此等電容器上之電壓位準不致超過各該電容器之破壞電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------裝--------訂--------r線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 A7 B7 五、發明說明(3 ) 壓極限。當積體電路自第二功率狀態轉變至第一功率狀態 時,該積體電路第一與第二節點間之電壓位準能自第二電 壓位準改變成第一電壓位準。第一電容器及第二電容器係 在該積體電路之第一節點與第二節點間成夢聯連接,形成 在第一與第二電容器間之一中間節點。當該積體電路被置 於第一功率狀態而使第一與中間節點間之電壓位準不超過 第一電容器之破壞電壓,以及中間與第二節點間之電壓位 準不超過第二電容器之破壞電壓時,中間節點之電壓位準 係定置於第三電壓位準。 圖式之簡單説明 參閱各附圖可對本發明之特色與優點有更完整之瞭解, 附圖中: 圖1顯示單一電容器之組態; 圖2顯示以兩電容器接成串聯之堆疊式電容器組態; 圖3顯示使用一電壓控制機構以防止跨於各該電容器之 瞬變應力之一堆疊式電容器組態; 圖4顯示使用一電晶體作爲電壓控制機構之堆疊式電容 器組態; 圖5爲將本發明之敎導付諸實施之一具體實例之方塊 圖;· 圖6舉例説明具有堆疊式電容器組態之一充電泵級之具 體實例電路圖; 圖7顯示與圖6中充電泵級連同使用之各時鐘信號之定 時圖範例; -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------·裝--------訂--------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473786 A7 B7 五、發明說明(4 ) 圖8顯示具有堆疊式電容器組態之一充電泵級具體實例 之電路圖; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖9顯示用以降低跨於一積體電路中所用電容器上應力 之一種方法實例之流程圖;及 圖10爲一種用以使包括輸出電壓需求之系統性能需求與 包括一積體電路之電容器應力極限與壓模區域之其他系統 約束達成平衡之方法實例流程圖。 發明之詳細説明 在下文之詳細説明中,陳述許多特別之細節,以期對本 發明有徹底之瞭解。不過,熟諳本技藝者明瞭即無此等特 別細節亦可暸解及實施應用本發明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在下文之討論中,本發明之敎導乃用以完成以動態方式 控制跨於一積體電路中所用各電容器上之電壓位準之方法 與裝置,故每一單獨電容器之破壞電壓得以不超過。此 外,亦利用本發明之敎導完成關於輸出電壓位準之性能需 求,各電容器之應力或電壓破壞極限及積體電路之壓模區 域間之有效績優平衡之方法與裝置。在一實例中,確定跨 接該積體電路中第一節點及第二節點之最大電壓。在一實 例中,當積體電路自第一功率狀態轉換至第二功率狀態 時,跨於第一節點及第二節點之電壓能分別自第一位準改 變至第二位準。如若該最大電壓係大於第一類型之單一電 容器之破壞電壓,將至少第一類型之兩個電容器在該積體 電路之第一節點與第二節點間成串聯連接以減少跨於每個 單獨電容器上之電壓位準。在一實例中,當積體電路係在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 Α7 Β7 五、發明說明(5 ) 第二功率狀態時,第一電容器與第二電容器間之中間節點 係連接於一基準電壓源,當該積體電路在第一功率狀態時 則自該基準電壓源拆下。 本發明之敎導亦適用於用以產生較電源供應之電壓爲高 之電壓位準之任何充電泵電路。不過本發明並不限用於各 充電泵電路,並能應用於其他之積體電路與系統,其中跨 於單一電容器上之所需電壓乃可大於各個電容器之破壞電 壓極限者。 圖1顯示單一電容器之組態,其中單一電容器C係連接 於一積體電路中例如一充電泵電路中之兩節點間,用以儲 存及轉移電荷。在該實例中,假定在節點1之電壓V (即 跨於電容器C之電壓)能升高至超過電容器C之應力極限或 破壞電壓之位準。爲避免此一問題,可使用如圖2中所示 之堆疊電容器組態以減少加於連接成串聯之單獨電容器上 之應力。如圖2中所示,可將兩電容器C1及C2連接成串聯 以期減少加於每一單獨電容器之應力。在此結構中,跨於 C1 (在節點1與中間節點Μ之間)上電壓稱爲VI及跨於C2 上電壓(在中間節點Μ與地電位之間)稱爲V2。跨接於兩電 容器C1及C2上之電壓V乃係各單獨電容器上電壓之代數 和: V 二 VI + V2 圖1中電容器C之等效電容之倒數係等於圖2中電容器 C1及C2之個別電容倒數之和:. 1/C- 1/C1 + 1/C2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------裝--------訂--------.線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473786 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 —----— R7__ 五、發明說明(6 ) 、在-實例中,宜將電壓V等分加於兩電容器cucu 以均衡跨於每一單獨電容器上之應力,因而:
VI = V2 = V/2 Cl = C2 = 2C 例如假定Vmax = _15伏特則V1=V2 = -75伏特。 圖3舉例説明一堆疊式電容器組態,其中可將在中間節 點Μ之電壓位準予以動態控制,以避免跨於各該電容器上 之瞬變應力。該瞬變應力可超過各單獨電容器之應力極限 即使在堆疊電容器組態中亦然。由於電壓位準ν可自該積 體電路在一功率狀態時之位準改變爲該電路在另一功率狀 態時之另一位準,目舜變應力能發生。舉例而言,假定圖3 中之節點1爲一負充電泵中最後泵激級之輸出節點,該負 充電泵乃係設計成可產生供快閃記憶器抹除或程式規劃操 作用之-15伏特之負電壓位準者。並假定C1 = C1 = 2C及 Vl = V2 = V/2。又假定節點連接於另一充電泵電路之輸 出節點,而該充電泵電路乃設計爲用以產生供若干快閃記 憶器操作例如程式操作用之充分正電壓位準者。在此實例 中,當充電泵電路於其停止及起動至一適切内部信號而運 轉至+11伏特時,在節點i之電壓位準能自_15伏特之負電 昼位準上升。假足在圖3中之每一電容器之應力極裉或破 壞電壓爲-12.5伏特。在此實例中,當節點1自-15伏特升至 +11伏特而中間節點超過_12.5伏特之應力極限時,總電壓 拂掠爲26伏特。因此圖2中所示之堆疊式組態於具有上述 之瞬變應力時並不能完全解決該應力極限問題。 •9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) " I--丨 1 丨—丨丨—-----丨 — —訂-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473786 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明( 圖3舉例説明具有一電壓控制機構之堆疊式電容器組 態,用以克復上述之瞬變應力問題者。如圖3中所示,在 電谷条C1與電容器C2間之中間節點M係耦合於與一電壓 源Vinh連接之一控制裝置311。在一實例中,該控制裝置 311操作如同一開關,並係基於一輸入控制信號而接通 或開斷。在一實例中,當該電路在第一功率狀態時(例如 一低功率狀態),輸入控制信號321被定置於第一値,以及 β電路在第二功率狀態(例如一高功率狀態)時,係設定於 罘二値。在一實例中,當控制信號321係定置於第一値(例 如一正電壓)以將中間節點Μ連接於電壓源%也時,該控 制裝置被接通。當控制信號321係定置於第二値(例如地電 ^ )以將中間節點Μ與電壓源Vinit拆開時,控制裝置321被 斷電。因此,控制中間節之電壓位準,跨於各個別電 谷恭上<電壓位準可降低至各該個別電容器之破壞電壓位 準或應力極限以下,甚至具有瞬變應力時亦然。在一實例 中,當電路轉變自一狀態至另一狀態而造成如上述之瞬變 應力=電壓Vlnit係定置於圖3中所示堆疊式電容器組態之 上面節點1之相同電壓位準。在此實例中,因爲該中間節 點係定置於Vlnit即與該電路轉變至第一功率狀態(例如關 閉)時上面之節點i處相同之電壓位準,跨於電容器〇上 C2上之電壓位準V2則係v(節點丨)—地電位=節點〇根 據上述之實例,v(節點D將爲在該轉變之粜値+11伏特並 於该電路在轉變後穩定時降至另_電壓位準例如+5伏特。 裝-------丨訂----------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10 - 473786 A7 B7 五、發明說明(8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此,跨於C1上之電壓位準及跨於C2上之電壓位準將較 該堆疊式組態中每一個別電容器之玻壞電壓位準(例如 12.5伏特)爲低。雖然已以用作説明目的之實例與數字對 本發明加以敘述,熟諳本技藝之人士可鑑別及瞭解本發明 之敎導乃完全適用於堆疊式電容器組態之其他結構,變體 及具體實例。舉例而言,祗要跨於每一單獨電容器之電壓 位準不超過各別電容器之破壞電壓位準,電壓V可用任何 比例分開加於各單獨電容器上。此外,祗要跨於每一單獨 電容器之瞬變應力不超過各別電容器之應力極限或破壞電 壓位準,電壓Vinit可定置於與節點1之電壓不同之若干電 壓位準。再者,在可替用之各實例中,Vinit亦能操作如同 控制裝置311之電壓源及控制信號,因而排除須有一分開 之控制信號321之需要。例如當定置於一位準(例如地電 位)時之Vinit可關閉控制裝置311,因而將中間節點Μ與 Vinit拆開或隔離。定置於另一位準(例如+11伏特或5伏 特)時之Vinit則可使控制裝置311接通以將該中間節點連接 於 Vinit 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖4顯示一種堆疊式電容器組態之一實例圖解,該實例 使用一 P型電晶體裝置411作爲控制裝置311,以於該電路 自一狀態轉變至另一狀態導致如上述之加於各電容器之瞬 變應力時控制中間節點上之電壓位準。在一實例中,電晶 體411之閘極係連接於地電位。各堆疊電容器之中間節點 Μ係連接於電晶體411之汲極終端。NWELL則係耦合於 Vinit,當該電路在一種狀態(例如高功率狀態)時,Vinit係 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 473786 A7 B7 五、發明說明(9 ) 定置於一位準(例如地電位)並於該電路在另一狀態(例如 低功率狀態)時,被定置於另一位準(例如在節點1之位 準)。在此實例中,電晶體411操作如同一開關電晶體以基 於Vinit之電壓位準連接中間節點Μ於Vinit或將該節點拆離 Vinit。因此,當該電路在第二功率狀態(例如運轉)時, Vinit係定置於地電位以關閉電晶體411而使中間節點與 Vinit隔離或斷開。當該電路在第一狀態(例如關閉)時, Vinit係定置於一電壓位準相當於上面之節點1之電壓位準 以接通電晶體411,而將中間節點Μ之電壓位準定置於 Vinit及上面節點1之同一位準。 圖5顯示根據本發明敎導之一系統之具體實例方塊圖。 該系統500包括一電源501,一相位產生器511及包括多個 泵激級531,一快閃記憶裝置541及一電壓控制裝置551之 一充電泵電路521。電源501係耦合於充電泵電路521以供 給充電泵電路521以輸入電壓及電流。在此實例中,充電 泵電路521包括接成_聯之多個泵激級。每一泵激級之輸 出節點係連接於次一泵激級之輸入節點,以將來自電源之 低輸入電壓位準增高至快閃記憶裝置541之若干操作所需 之較高電壓位準。在一實例中,最先泵激級531(1)之輸入 節點係經連接以接收來自電源501之輸入電壓與電流。在 一實例中,最後泵激級531(N)之輸出係連接於快閃記憶裝 置541以供給快閃記憶裝置541所需之電壓及電流位準。如 上所述,快閃記憶裝置541需有較電源501爲高之電壓位準 以實施例如抹除或程式規劃之若干操作。相位產生器511 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 l·---訂---------τ 線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 Α7 Β7 五、發明說明(10 ) 係耦合於充電泵電路521以供給每一泵激級適切操作所需 之時鐘信號。在本説明書中,充電泵電路521係假定爲負 充電泵電路,雖則本文中所論述者均相等地適用於正充電 泵電路。同樣,本發明之敎導亦係相等地適用於其他積體 電路,其中此等電路之兩節點電壓乃可超過單一電容器之 應力極限或破壞電壓位準者。來自電源501之輸入電壓以 連續通過充電泵電路521之每一泵激級之方式增加,俾能 產生充電泵電路521之輸出節點處所需之較高電壓位準。 在一實例中,爲了解釋及舉例説明之目的,假定有兩種不 同類型之電容器可用以儲存及轉移充電泵電路521中之電 荷,雖熟諳本技藝者應可瞭解及鑑別本文中所論及者乃相 等地適用於僅用一種電容器或用二種以上不同類型電容器 之其他電路配置及結構。在一實例中,ΟΝΟ電容器(使用 氧化物-氮化物-氧化物之poly2/poly 1層狀結構)或MOS (金 屬一氧化物-半導體)電容器可用於各泵激級。爲舉例説明 及解釋之目的,假定充電泵521之輸出電壓約爲-15伏特。 充電泵521之輸出節點如上文中對圖3及4所述者,能於充 電泵電路521停止及起動至適當電壓位準例如5伏特而運轉 至+11伏特時自-15伏特之負電壓升進,是以當該充電泵電 路自一狀態(運轉或全功率狀態)進至另一狀態(例如關閉 或電源關斷狀態)時,可有26伏特之總電壓拂掠或暫態應 力。在一實例中,用於充電泵電路521之ΟΝΟ電容器係假 定具有約-12.5伏特之應力極限或破壞電壓位準。因而跨於 各單一 ΟΝΟ電容器之電壓不應超過-12.5伏特。在此項討論 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------^-----Γ---訂--------r 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 A7 B7 五、發明說明(11 ) 中,MOS電容器能較ΟΝΟ電容器忍受較高之應力(例如 -15.5伏特),但仍不能承擔負充電泵電路521之-26伏特應 力要求。然而MOS電容器具有較ΟΝΟ電容器較大之壓模區 域。在一實例中,控制邏輯551 (亦稱爲電壓起始及控制) 係耦合於充電泵電路521之輸出節點及最後兩泵激級531(Ν-1)及531(Ν)。在此實例中,假定在最後兩級之輸出電壓超 過單一電容器之應力極限或破壞電壓位準,及因而使用如 上所述之堆疊式電容器組態於兩最後泵激級中,以期降低 跨於最後兩泵激級中所用各單獨電容器上之應力。在一實 例中,用於充電泵電路521之最後兩泵激級中之堆疊式電 容器組態包括成串聯連接之兩個0Ν0電容器。單一電容器 之組態係使用於電壓位準不超過單一電容器應力極限之其 他泵激級。0Ν0或MOS電容器可使用於單一電容器之組態 中。在一實例中,如圖5中所示,控制邏輯551操作如同一 開關,當充電果電路521在一種功率狀態(例如低功率狀 態)時,根據控制信號555,將堆疊電容器之中間節點連接 於電壓位準Vinit,以及於充電泵電路在另一功率狀態(例 如高功率)時將堆疊電容器之中間節點拆離Vinit。在一實 例中,當充電泵電路在第一狀態(例如,功率低落,備用 狀態等)時,控制信號555被定置於第一位準(例如正電壓 位準),及於充電泵電路521在第二狀態(例如有效)時,則 被定置於第二位準(例如地電位)。在此實例中,當控制信 號555係定置於第一位準(例如正電壓位準)以將堆疊之各 電容器之中間節點連接於電壓源Vinit時,控制裝置551被 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------裝-----r---訂--------τ 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473786 A7 B7 五、發明說明(12 ) 接通。當控制信號555係定置於第二位準(例如地電位)以 使該中間節點與電壓Vinit拆開或隔離,控制裝置551被開 斷。另一方式,電壓Vinit亦可用作控制信號555以使控制 裝置551接通或關閉,因而排除具有公開之控制信號555之 需要。 圖6顯示在一負充電泵電路中一充電泵級600之實例電路 圖,該充電泵電路實施根據本發明敎導之堆疊式電容器組 態。在一實例中,充電泵級600包括一輸入節點601及一輸 出節點691輸入節點601係耦合於前一充電泵級(未圖示)之 輸出節點。在此實例中,假定充電泵級600係該負充電泵 電路中之最後泵激級及因此輸出節點691係耦合於一快閃 記憶器裝置,雖則在下列之情況中,即充電泵級600並非 充電泵電路之最後一級及因而輸出節點691係耦合於次一 泵激級之輸入節點,在本文中所論及之一切應相等地適 用。充電泵級600包括一開關電晶體611。在一實例中,此 開關電晶體係P型場效電晶體,雖然P'型裝置亦可使用。 開關電晶體611之源極與汲極終端係分別耦合於輸入節點 601及輸出節點691。充電栗級600亦包括一拉下(pull-down) 電晶體621。在一實例中,拉下電晶體621係一 型場效電 晶體雖然Ρ塑裝置亦可使用。Γ型裝置具有較Ρ型裝置爲低 之臨限電壓位準。拉下電晶體621之汲極終端係連接於開 關電晶體611之閘極終端。在此實例中,拉下電晶體621係 與連接於開關電晶體611源極終端之拉下電晶體621之源極 及閘極終端以兩極體連接。充電泵級600亦包括一提升電 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----:----訂--------r線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 A7 B7 五、發明說明(13 ) 晶體625。在一實例中,提升電晶體625係一 P型場效電晶 體。提升電晶體625之源極終端係連接於開關電晶體611之 源極終端。在此實例中,提升電晶體625乃與連接於開關 電晶體611之閘場終端之提升電容器625之汲極及閘極終端 以兩極體連接。 如圖6中所示,充電泵級600包括一堆疊式電容器組態, 使用接成串聯之兩個電容器C2A及C2B以降低跨於各單獨 電容器上之應力。本具體實例中,在節點691之電壓位準 可到達某一負電壓位準(例如-15伏特)此電壓超過單一 ΟΝΟ或MOS電容器之應力極限或破壞電壓位準。在此實例 中,電容器C2A及C2B係能忍受較MOS電容器爲低之應力 但具有較小壓模區域之ΟΝΟ電容器。ΟΝΟ電容器之所以用 於此堆疊式電容器組態,乃因爲此種電容器具亦較小之壓 模區域但當其如所示者成事聯連接時仍能承受應力。儲存 電容器C2A及C2B係在開關電容器611之汲極終端與時鐘信 號CLK2 (662)間成串聯連接。儲存電容器C2A之第一端係 連接於開關電晶體611之汲極終端(C2A亦係耦合於充電泵 級600之輸出節點)。儲存電容器C2A之第二端則係連接於 儲存電容器C2B之第一端。儲存電容器C2B之第二端係連 接於時鐘信號CLK2 (662)。 圖6中所示之實例亦包括一堆疊電容器組態,具有在開 關電晶體611之閘極與時鐘信號CLK1 (652)間成串聯連接之 兩個靴式節點電容器Cl Α及C1B .。在此實例中,Cl Α及C1B 係ΟΝΟ電容器。各ΟΝΟ電容器之所以用於此堆疊式組態中 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂--------1線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 A7 B7 五、發明說明(14 ) 乃因此等電容器具有較小之壓模區域,但當其爲所示者連 接成串聯時,仍能承受應力ClA電容器之第一端係連接於 開關電容器611之閘極終端,及C1A電容器之第二端係連 接於C1B電容器之第一端。C1B電容器之第二端則係連接 於時鐘信號CLK1 (652)。 如圖6中所示,充電泵級600包括一控制裝置641,其功 能如同一開關,用以控制在中間節點INIT1及IN.IT2之電壓 位準,而於充電泵電路自一功率狀態(例如有效運轉等)轉 變至另一功率狀態(例如關閉,電源斷路,備用等)時解決 上述之瞬變應力問題。在此實例中,當充電泵電路被關閉 及起動至一適當電壓位準例如+5伏特時,在輸出節點691 之電壓位準於該充電泵電路運轉至某一正電壓位準(例如 + 11伏特)時,能自某一負電壓位準(例如-15伏特)升進, 在一實例中’控制裝置641包括兩P型場效應控制電晶體 643及645,雖然F型裝置可使用。控制電晶體643之汲極 終端係連接於中間節點INIT1。控制電晶體643之閘極終端 則係接地,控制電晶體643之源極終端係連接於本文中稱 爲DINITPCW之控制電壓位準。控制電晶體645之汲極終端 係連接於中間節點INIT2,控制電晶體645之閘極終端乃係 接地。控制電晶體645之源極終端則係連接於控制電壓位 準DINITPCW。控制電晶體643及645之操作將在下文中作 更爲詳盡之敘述。 圖7顯示與充電泵級600連同使用之時鐘信號652及662之 定時圖範例。在一實例中,時鐘信號652及662在高狀態期 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂--------J線' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 A7 B7 五、發明說明(l5 ) 間爲Vcc及在低狀態期間爲地電位。當時鐘信號652低下 時,開關電晶體611接通,及儲存於輸入節點601之電荷轉 移至儲存電容器C2A及C2B。當輸出節點691之電壓位準較 輸入節點601之電壓位準爲更負時,兩極體連接之提升電 晶體625操作以阻止自輸出節點691至輸入節點601之回流 如上所述,在此實例中,當充電泵電路有效操作時在輸出 節點691之輸出電壓位準係約-15伏特。在此實例中,C2A 之電容約與C2B之電容相同。結果,在輸出節點691之電 壓位準(例如-15伏特)係大約均分施加於電容器C2A及 C2B。因此,當該電路運轉時,跨於C2A上之電壓係約 -7.5伏特。同樣當該電路運轉時,跨於C2B上之電壓亦係 約-7.5伏特。換言之,當該電路操作時,在中間節點INIT1 及INIT2上之電壓位準係約-7.5伏特。從此實例可知跨於接 成串聯之每一電容器上之電壓乃係降低至該電路中所用單 一電容器之應力極限或破壞電壓位準以下(例如ΟΝΟ電容 器爲-12.5伏特)。 在一實例中,當充電泵電路運轉時,NWELL及 DINITPCW均被定置於地電位,以關閉控制電晶體643及 645因而將中間節點ΙΝΙΤ1及ΙΝΙΤ2與電壓DINITTCW斷開或 隔離。在一實例中,當充電泵電路關閉時,NWELL及 DINITPCW被定置於正電壓位準,使控制電晶體643及645 接通,因而將中間節點INIT1及INIT2連接於DINITPCW電 壓。在一實例中,當充電泵電路關閉時,DINITPCW被定 置於與輸出節點691相同之電壓位準。經由控制電晶體643 -18· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ··裝 訂--------1線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 A7 B7 五、發明說明(16 ) 及645控制中間節點INIT1及INIT2之電壓位準,使充電泵 電路自一狀態(例如運轉)轉變至另一狀態(例如關閉)時可 發生之瞬變應力問題得以解決。 圖8顯示使用堆疊式組態以MOS電容器取代ΟΝΟ電容器 之一充電泵級800實例之電路圖。充電泵級800之功用與操 作基本上乃與上文中對充電泵級600所敘述者相同。MOS 儲存電容器C2A及C2B係成串聯連接以減少跨於各單獨電 容器上之應力。同樣,靴式接點電容器C1A及C1B係成串 聯連接以減少跨於ClΑ及C1B上之應力位準。控制裝置841 係用作一開關,以於充電泵電路在一種狀態(例如關閉)時 將中間節點INIT1及INIT2連接於電壓DINITPCW並於充電 泵電路在另一狀態(例如運轉)時使中間節點INIT1及INIT2 與電壓DPINITPCW斷開或P禹離。在一實例中,控制裝置 841包括兩個P型場效應控制電晶體843及845,雖然F型裝 置亦可使用。控制電晶體843之汲極終端係連接於中間節 點INIT1。控制電晶體843之閘極終端接地。控制電晶體 843之源極終端則係連接於本文討論中稱爲DINITPCW之控 制電壓位準。控制電晶體845之汲極終端係連接於中間節 點INIT2。控制電晶體845之閘極終端接地,控制電晶體 845之源極終端係連接於控制電壓位準DINITPCW。控制電 晶體843及845之操作基本上乃與上文中對控制電晶體643 及645所述者相同。 圖9説明用以降低跨於一積體電路中所用各電容器上應 力之一種方法900之一實例之流程圖。在本文討論中乃假 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------•裝----1---訂--------1線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 Α7 Β7 五、發明說明(17 ) 定該積體電路要求將至少一電容性裝置連接於積體電路之 兩節點(例如第一節點與第二節點)之間。且假定爲解釋及 舉例説明之目的,有兩種不同型式之電容器可用作第一與 第二節點間之電容性裝置。此兩種型式之一係稱爲型式1 電容器(第一型)而另一型式則稱爲型式2電容器(第二 型)。在此實例中,乃假定型式2電容器較之型式1電容器 能承受更高之應力,但較型式1電容器具有更大之壓模區 域。在一實例中,型式1電容器爲ΟΝΟ電容器及型式2電 容器爲MOS電容器。如上所述,MOS電容器能忍受較0Ν0 電容器爲高之應力。然而,MOS電容器佔據較多之壓模區 域,該方法900在方塊901處開始並進行至方塊905。在方 塊905處,確定第一節點與第二節點間之最大電壓位準。 然後該方法900進行至方塊909。在決定方塊909處,如若 在方塊905處決定之最大電壓不超過單一之型式電容器(例 如ΟΝΟ )之應力極限,則方法900進行至方塊913。否則, 該方法進行至方塊917,在方塊913處,使用單一之型式1 電容器作爲第一節點與第二節點間之電容性裝置,因爲該 最大電壓並不超過單一之型式1電容器之應力極限。在決 定方塊917處,該方法900進行至方塊921,使用單一之型 式2電容器作爲第一與第二節點間之電容性裝置,如若該 最大電壓並不超過單一之型式2電容器之應力極限或破壞 電壓位準。否則,方法900進行至方塊925。在方塊925 處,因爲跨於第一及第二節點之最大電壓位準超過單一之 型式1電容器之應力極限及單一之型式2電容器之應力極 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------裝-----:----訂--------1 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473786 A7 B7 五、發明說明(18 ) 限,需用具有兩個或更多電容器之堆疊式組態以減少跨加 於各單獨電容器上之應力位準。在此實例中,假定型式1 或型式2之兩個電容器乃足以抵抗第一節點與第二節點間 之最大電壓。該堆疊式電容器組態可包括所需之更多電容 器,如若成串聯連接之兩電容器仍不足以抵抗應力。因爲 型式1之電容器較型式2之電容器具有較小之壓模區域, 宜使用型式1之電容器於該堆疊式組態中,若是此種型式 之電容器能承受應力,在方塊925處,兩個或更多之型式1 電容器在第一與第二節點間連接成串聯,以將該最大電壓 位準分開跨於各單獨電容器。如上所述,分擔之電壓乃如 下列: V 二 VI + V2 式中V係在該堆疊式電容器組態中跨接於第一與第二節 點之最大電壓,VI係加於第一電容器之電壓及V2係加於 第二電容器之電壓。在一實例中,第一及第二電容器具有 相同之電容,因此VI = V2。 然後該方法自方塊925進行至方塊929。在方塊929處, 爲防止該積體電路自高功率狀態(例如,有效,全功率, 運轉等)轉變至低功率狀態(例如關閉電力中斷,備用等) 時能發生之瞬變應力在接成串聯之第一與第二電容器間之 中間節點被定置於該積體電路轉變至低功率狀態時足以降 低瞬變應力之控制電壓位準。當該電路係在高功率狀態 (例如有效)時,該中間節點係與控制電壓位準拆開或隔 離,在一實例中,如上所述,可使用一控制裝置例如一開 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂-----------1線一 473786 A7 B7 五、發明說明(19 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 關電晶體,基於該積體電路之特定功率狀態將該中間節點 連接於控制電壓位準或與控制電壓位準拆開。然後方法 900進行至在方塊991處之終點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖10顯示一種使用一充電泵電路中之系統限制(例如電 容器之壓模區域應力極限)以平衡系統性能需求(例如輸出 電壓需求)之方法1000之流程圖。在此實例中之充電泵電 路包括多個接成串聯之泵激級。每一果激級包括一輸入節 點及一輸出節點。每一級之輸出節點係耦合於次一級之輸 入節點,第一泵激級之輸入節點係镇合於電源以接收一輸 入電壓。最後一級之輸出節點係耦合於需要較電源供給者 更高電壓位準之一裝置(例如一快閃記憶裝置)。又假定爲 解釋及例示起見有兩種不同型式之電容器(例如型式1及型 式2)可用作充電泵電路中之儲存及靴式節點電容器。此實 例中並假定型式2之電容器可較型式1電容器抵抗更多之 應力,但具有較型式1爲更大之壓模區域。.在一實例中, 型式1之電容器係ΟΝΟ電容器及型式2之電容器係MOS電 容器。M0S電容器較之0Ν0電容器能抵抗更高之應力。然 而MOS電容器佔據較多壓模區域。方法1000從方塊1001開 始進行至方塊1005、在方塊1005處,確定在充電泵電路中 每一泵激級之輸出節點之電壓位準。在決定方塊1009處, 如若在各別輸出節點之輸出電壓位準不超過單一型式一個 (例如ΟΝΟ )電容器之應力極限或破壞電壓位準,方法1000 進行至方塊1013。否則,該方法1000進行至決定方塊 1017。在方塊1013處,使用單一之型式1 (ΟΝΟ)電容器作 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 473786 A7 B7 五、發明說明(20 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲貯存電容器因其能抵抗應力。並使用單一之型式1 (ΟΝΟ)電容器作鞭式節點電容器。在決定方塊1017處,如 若個別輸出節點之輸出電壓不超過單一之型式2電容器(例 如MOS電容器)之應力極限,方法1000進行至方塊1021。 否則,該方法1000進行至方塊1023,在方塊1021處,單一 之型式2電容器(例如MOS電容器係用作儲存電容器及單一 之形式2電容器亦用作各該泵激級之靴式節點電容器,在 方塊1023處,因爲在各輸出節點之輸出電壓超過單一之型 式1及單一之型式2電容器之應力極限,需用包括揍成串 聯之兩個或更多電容器之堆疊式電容器組態以降低加於每 一單獨電容器上之電壓。在此實例中,使用型式1電容器 之堆疊式電容器組態被採用,因爲型式1之各電容器具有 較型式2之電容器更小之壓模區域。在堆疊式組態中須連 接成串聯之型式1之電容器數量視各個輸出節點之最大電 壓位準而定。在此實例中乃假定接成串聯之兩個電容器已 是足夠。在一具體實例中,成_聯連接之各電容器乃具有 相同之電容而將電壓均分加於各單獨電容器上。然後該方 法自方塊1023進行至方塊1025。在方塊1025處,爲防止充 電泵電路自一種功率狀態(例如全功率,運轉等)轉變至另 一功率狀態(例如關閉,電力中斷,備用等)可發生之瞬變 應力,接成串聯之第一與第二電容器間之中間節點係定置 於當該積體電路自高功率狀態轉變至低功率狀態時足以減 少瞬變應力之一控制電壓位準。在一實例中,如上文所解 釋者,至少在充電泵電路中最後一級之輸出節點於 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4737S6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(Z1 ) 二充私泵私路關閉,然後起動至一適當電壓位準例如+5伏 特時能於該充電泵電路運轉至正電壓位準(例如+n伏特) 時”包壓位準(例如_15伏特)升進當此轉變發生時,總 電壓拂掠或瞬變應力係26伏特,此電壓超過各電容器之應 力極限甚至在茲堆疊式組態時亦然。爲防止此種瞬變應 力在串聯連接之兩電容器間之中間節點之電壓位準,乃 如上述者予以動態控制,在決定方塊1〇25處,如若充電泵 弘路係在低功率狀態(例如關閉),方法1〇〇〇進行至方塊 1029。否則,方法1〇〇〇進行至方塊咖。在方塊刪處, 咸中間郎點係連接於足以#瞬變應力p条低至各電容器應力 極限以下之一控制電壓位準。在方塊1033處,將該中間節 點與控制電壓位準拆開或隔離。在一實例中,如上所述, 可使用例如一開關電晶體之控制裝置。根據該充電泵電路 I私机狀怨(例如眾電路是否係關閉或運輸)將該中間節點 連接或拆離該控制電壓位準。然後方法1〇〇〇進行至在方塊 1091之終點。 現已連同較佳之具體實例對本發明予以説明。顯然,徵 堵則列説明,蛑多可替用的方法,修正,變體及使用對於 熟諳本技藝者乃屬顯而易見者。 -----------裝-----r---訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -24-

Claims (1)

  1. 473786
    5. 6· 根據:請專利範圍第4项之方法,其中如若該積體電路 係在第工力率狀怨’將該控制信號定置於第-值及如 若該積體電路係在第二功率狀態,則定置於第二值。 根據申w專利仙第4项之方法,其巾將該中間節點連 接於該電壓源,包含: 接通-開關裝置以將中間節點連接於該電壓源。 根據申4專利圍第6項之方法’其中將該中間節點與 該電壓源拆開,包含: 關閉琢開關裝置以使該中間節點脫離該電源。 8·根據中請專利範圍第7項之方法,纟中該開關裝置包含 一電晶體。 9·根據申請專利範圍第,項之方法,其中第_及第二電容 器係選自氧化物-氮化物-氧化物(〇N〇)電容器及金屬_ 氧化物-半導體(MOS)電容器所組成之一組中選出。 10·根據申請專利範圍第!項之方法,其中第一電容器之電 容ίί、大概等於第二電容器之電容。 11·根據申請專利範圍第!項之方法,其中在中間節點之第 三電壓位準,於該積體電路被置於第一功率狀態時乃 相當於第一節點之電壓位準。 12.根據申請專利範圍第丨1項之方法,其中當該積體電路 被置於第一功率狀態時,中間節點係經由一開關裝置 連接於第一節點。 13·根據申請專利範圍第12項之方法,其中當該積體電路 被置於第二功率狀態時,中間節點係經由該開關裝置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 473786 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 與第一節點分開。
    狀態中之讀i®! r." - 14.根據申請專利範圍第13項之方法,其中該開關裝置係 〜1 “積體電路係在第一功率狀態中之一控制 並響應於指示該積體電路係在第二功率 4信號而關閉。 15. 根據申請專利範圍第14項之方法,其中該開關裝置包 含一電晶體。 16. —種使至少一節點之電壓需求與電容性裝置之應力極 限及模區相平衡之方法,在具有多個接成串聯之泵激 級之一充電泵中,至少一泵激級包括擬經由一電容性 裝置耦合於一對應時鐘信號之至少一節點,當該充電 泵係在第一功率狀態時該至少一節點具有第一電壓, 並於該充電泵係在第二功率狀態中時具有第二電壓; 該方法包含: 如若所述第一電壓與第二電壓並不超過第一類型之 單一電容器之應力極限,使用第一類型之單一電容器 作為該至少一節點與對應之時鐘信號間之電容性裝 如若第二電壓超過第一類型之單一電容器之應力極 限,使用第二類型之單一電容器作為該至少一節點與 對應之時鐘信號間之電容性裝置,若是第一電壓及第 二電壓不超過第二類型之單一電容器之應力極限,該 第二類型之單一電容器具有較第一類型之單一電容器 更大之應力極限及壓模區域;以及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 6 8 7 3 7 4 A B c D 、申請專利範圍 如若第二電壓超過第二類型之單一電容器之應力極 •限,使用串聯連接之兩個第一類型電容器作為該至少 一節點與對應之時鐘信號間之電容性裝置,若是第一 電壓及第二電壓不超過第一類型之兩電容器之合併應 力極限。 17. —種包括多個串聯連接之泵激級之充電泵電路,每一 級具有一輸入節點及一輸出節點,各泵激級之至少一 級包含: 一開關電晶體,具有一閘極,一第一終端及一第二 終端,第一終端係耦合於個別泵激級之輸入節點及第 二終端係耦合於個別泵激級之輸出終端; 一第一電容器,具有第一端及第二端,第一電容器 之第一端係耦合於開關電容器之閘極; 一第二電容器,具有第一端及第二端,第二電容器 之第一端係韓合於第一,電容器之第二端,形成第一中 間節點,第二電容器之第二端係耦合於第一時鐘信 號; 一第三電容器,具有第一端及第二端,第三電容器 之第一端係耦合於個別泵激級之輸出端;以及 一第四電容器,具有第一端及第二端,第四電容器 之第一端係耦合於第三電容器之第一端,形成第二中 間節點,第四電容器之第二端係耦合於一第二時鐘信 號。 18. —種在一充電泵電路中充電泵級,該充電泵級包含: • 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 4737S6 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一第一開關電晶體,具有一閘極,一第一終端及一 •第二終端,第一終端係耦合於該充電泵級之一輸入節 點,第二終端係耦合於該充電泵級之一輸出節點; 在第一開關電晶體之閘極與第一時鐘信號間成串聯 連接之至少兩個電容器,形成該兩電容器間之一第一 中間節點; 在該輸出節點與第二時鐘信號間成串聯連接之至少 兩個電容器,形成該兩電容器間之一第二中間節點; 以及 一控制裝置,當該充電泵電路係在第一功率狀態 時,將所述之第一及第二中間節點連接於第一電壓 源,並於該充電泵電路係在第二功率狀態時,將第一 及第二中間節點與第一電壓源拆開。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 473786 第89117028號專利申請案 中文說明書修正頁(90年10月) A8 , B8 彳。 C8 D8 申請專利範圍 1. 一種控制耦合於一積體電路之第一節點與第二節點間 之各電容器上所跨接電壓位準之方法,俾使跨於此等 電容器上之電壓位準不超過各該電容器之破壞電壓極 限,當該積體電路自第二功率狀態轉變至第一功率狀 態時,第一節點與第二節點間之電壓位準自第二電壓 位準改變為第一電壓位準,該方法包含: 將在該積體電路之第一與第二節點間之第一電容器 與第二電容器連接成串聯,形成在第一與第二電容器 間之一中間節點;及 當該積體電路被置於第一功率狀態時,將該中間節 點之電壓位準定置於第三電壓位準,以使第一與中間 節點間之電壓位準不超過第一電容器之破壞電壓,及 該中間節點與第二節點之電壓位準不超過第二電容器 之破壞電壓。 2. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中第一功率狀態相 當於低功率狀態及第二功率狀態相當於高功率狀態。 3. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中定置該中間節點 之電壓位準包含: 響應於指示該積體電路係置於第一功率狀態之一控 制信號,將中間節點連接於相當於第三電壓位準之電 壓源。 4. 根據申請專利範圍第3項之方法,另包含: 響應於指示該積體電路係置於第二功率狀態之該控 制信號,將中間節點與該電壓源拆開。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂 •線
TW089117028A 1999-09-27 2000-08-24 Method and apparatus for reducing stress across capacitors used in integrated circuits TW473786B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/405,977 US6297974B1 (en) 1999-09-27 1999-09-27 Method and apparatus for reducing stress across capacitors used in integrated circuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW473786B true TW473786B (en) 2002-01-21

Family

ID=23606020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089117028A TW473786B (en) 1999-09-27 2000-08-24 Method and apparatus for reducing stress across capacitors used in integrated circuits

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6297974B1 (zh)
JP (1) JP2003511003A (zh)
KR (1) KR100438371B1 (zh)
CN (1) CN1187884C (zh)
AU (1) AU6109300A (zh)
TW (1) TW473786B (zh)
WO (1) WO2001024348A1 (zh)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6696883B1 (en) * 2000-09-20 2004-02-24 Cypress Semiconductor Corp. Negative bias charge pump
US6791396B2 (en) * 2001-10-24 2004-09-14 Saifun Semiconductors Ltd. Stack element circuit
US6917544B2 (en) 2002-07-10 2005-07-12 Saifun Semiconductors Ltd. Multiple use memory chip
US6781897B2 (en) * 2002-08-01 2004-08-24 Infineon Technologies Flash Ltd. Defects detection
US7136304B2 (en) 2002-10-29 2006-11-14 Saifun Semiconductor Ltd Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array
US7148739B2 (en) * 2002-12-19 2006-12-12 Saifun Semiconductors Ltd. Charge pump element with body effect cancellation for early charge pump stages
US20040151032A1 (en) * 2003-01-30 2004-08-05 Yan Polansky High speed and low noise output buffer
US6842383B2 (en) 2003-01-30 2005-01-11 Saifun Semiconductors Ltd. Method and circuit for operating a memory cell using a single charge pump
US7178004B2 (en) 2003-01-31 2007-02-13 Yan Polansky Memory array programming circuit and a method for using the circuit
US6885244B2 (en) 2003-03-24 2005-04-26 Saifun Semiconductors Ltd. Operational amplifier with fast rise time
US6906966B2 (en) 2003-06-16 2005-06-14 Saifun Semiconductors Ltd. Fast discharge for program and verification
US7050319B2 (en) * 2003-12-03 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Memory architecture and method of manufacture and operation thereof
US8339102B2 (en) * 2004-02-10 2012-12-25 Spansion Israel Ltd System and method for regulating loading on an integrated circuit power supply
US7176728B2 (en) * 2004-02-10 2007-02-13 Saifun Semiconductors Ltd High voltage low power driver
US7652930B2 (en) 2004-04-01 2010-01-26 Saifun Semiconductors Ltd. Method, circuit and system for erasing one or more non-volatile memory cells
US7256438B2 (en) * 2004-06-08 2007-08-14 Saifun Semiconductors Ltd MOS capacitor with reduced parasitic capacitance
US7187595B2 (en) * 2004-06-08 2007-03-06 Saifun Semiconductors Ltd. Replenishment for internal voltage
US7190212B2 (en) * 2004-06-08 2007-03-13 Saifun Semiconductors Ltd Power-up and BGREF circuitry
US7638850B2 (en) * 2004-10-14 2009-12-29 Saifun Semiconductors Ltd. Non-volatile memory structure and method of fabrication
US7561866B2 (en) * 2005-02-22 2009-07-14 Impinj, Inc. RFID tags with power rectifiers that have bias
US8053812B2 (en) 2005-03-17 2011-11-08 Spansion Israel Ltd Contact in planar NROM technology
US8400841B2 (en) 2005-06-15 2013-03-19 Spansion Israel Ltd. Device to program adjacent storage cells of different NROM cells
US7804126B2 (en) 2005-07-18 2010-09-28 Saifun Semiconductors Ltd. Dense non-volatile memory array and method of fabrication
US7668017B2 (en) 2005-08-17 2010-02-23 Saifun Semiconductors Ltd. Method of erasing non-volatile memory cells
US7808818B2 (en) 2006-01-12 2010-10-05 Saifun Semiconductors Ltd. Secondary injection for NROM
US7692961B2 (en) 2006-02-21 2010-04-06 Saifun Semiconductors Ltd. Method, circuit and device for disturb-control of programming nonvolatile memory cells by hot-hole injection (HHI) and by channel hot-electron (CHE) injection
US7760554B2 (en) 2006-02-21 2010-07-20 Saifun Semiconductors Ltd. NROM non-volatile memory and mode of operation
US8253452B2 (en) 2006-02-21 2012-08-28 Spansion Israel Ltd Circuit and method for powering up an integrated circuit and an integrated circuit utilizing same
US7701779B2 (en) 2006-04-27 2010-04-20 Sajfun Semiconductors Ltd. Method for programming a reference cell
US7629831B1 (en) * 2006-10-11 2009-12-08 Altera Corporation Booster circuit with capacitor protection circuitry
US8228175B1 (en) 2008-04-07 2012-07-24 Impinj, Inc. RFID tag chips and tags with alternative behaviors and methods
US8115597B1 (en) * 2007-03-07 2012-02-14 Impinj, Inc. RFID tags with synchronous power rectifier
KR20090105684A (ko) * 2008-04-03 2009-10-07 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것을 위한 전압 발생회로
US8326256B1 (en) 2008-07-15 2012-12-04 Impinj, Inc. RFID tag with MOS bipolar hybrid rectifier
KR200452404Y1 (ko) * 2008-08-11 2011-02-28 (주) 케이.아이.씨.에이 플러그의 착탈이 용이한 어댑터
IT1404156B1 (it) * 2010-12-30 2013-11-15 St Microelectronics Srl Moltiplicatore di tensione
US9214924B2 (en) 2011-03-25 2015-12-15 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit and method for reducing an impact of electrical stress in an integrated circuit
CN103138248B (zh) * 2011-12-02 2016-02-24 赛普拉斯半导体公司 用于从负载电容电路释放电压的系统和方法
US9013938B1 (en) * 2011-12-02 2015-04-21 Cypress Semiconductor Corporation Systems and methods for discharging load capacitance circuits
CN103364712A (zh) * 2012-04-09 2013-10-23 快捷半导体(苏州)有限公司 Evs测试电路、evs测试系统和evs测试方法
US11352287B2 (en) 2012-11-28 2022-06-07 Vitro Flat Glass Llc High strain point glass
US9515548B2 (en) * 2013-03-15 2016-12-06 Wispry, Inc. Charge pump systems and methods
CN103715883B (zh) * 2014-01-07 2016-08-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种电荷泵电路
US11611276B2 (en) * 2014-12-04 2023-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Charge pump circuit
US9491151B2 (en) * 2015-01-07 2016-11-08 Ememory Technology Inc. Memory apparatus, charge pump circuit and voltage pumping method thereof
CN106817021B (zh) * 2015-12-01 2019-09-13 台湾积体电路制造股份有限公司 电荷泵电路
US20230327551A1 (en) * 2022-04-11 2023-10-12 Hamilton Sundstrand Corporation Dc to dc converter with improved duty ratio and configurable output polarity

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4156838A (en) * 1978-06-12 1979-05-29 Control Concepts Corporation Active filter circuit for transient suppression
US4679114A (en) * 1986-04-09 1987-07-07 Carpenter Jr Roy B Method and equipment for lightning protection through electric potential neutralization
CA2019525C (en) * 1989-06-23 1995-07-11 Takuya Ishii Switching power supply device
US5059815A (en) 1990-04-05 1991-10-22 Advanced Micro Devices, Inc. High voltage charge pumps with series capacitors
US5008799A (en) 1990-04-05 1991-04-16 Montalvo Antonio J Back-to-back capacitor charge pumps
JP3373534B2 (ja) * 1991-07-02 2003-02-04 株式会社東芝 半導体記憶装置
NL9200057A (nl) * 1992-01-14 1993-08-02 Sierra Semiconductor Bv Terugkoppelnetwerk voor cmos hoogspanningsgenerator om (e)eprom-geheugen cellen te programmeren.
US5301097A (en) * 1992-06-10 1994-04-05 Intel Corporation Multi-staged charge-pump with staggered clock phases for providing high current capability
US5553030A (en) 1993-09-10 1996-09-03 Intel Corporation Method and apparatus for controlling the output voltage provided by a charge pump circuit
US5422586A (en) * 1993-09-10 1995-06-06 Intel Corporation Apparatus for a two phase bootstrap charge pump
WO1996028850A1 (en) 1995-03-09 1996-09-19 Macronix International Co., Ltd. Series capacitor charge pump
EP0772282B1 (en) * 1995-10-31 2000-03-15 STMicroelectronics S.r.l. Negative charge pump circuit for electrically erasable semiconductor memory devices
EP0880783B1 (en) 1996-02-15 1999-10-13 Advanced Micro Devices, Inc. Low supply voltage negative charge pump
EP0992103B1 (en) * 1998-04-24 2008-10-29 Nxp B.V. Combined capacitive up/down converter

Also Published As

Publication number Publication date
AU6109300A (en) 2001-04-30
CN1187884C (zh) 2005-02-02
CN1399811A (zh) 2003-02-26
US6297974B1 (en) 2001-10-02
KR100438371B1 (ko) 2004-07-02
WO2001024348A1 (en) 2001-04-05
KR20020038773A (ko) 2002-05-23
JP2003511003A (ja) 2003-03-18
USRE41217E1 (en) 2010-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW473786B (en) Method and apparatus for reducing stress across capacitors used in integrated circuits
TW578377B (en) Charge-pump circuit and method for controlling the same
CN101355299B (zh) 多级电荷泵电路及其方法
JP4040467B2 (ja) プログラマブルチャージポンプ装置
EP0851561B1 (en) Negative voltage charge pump, particularly for flash EEPROM memories.
CN211046760U (zh) 电荷泵电路和非易失性存储器设备
US7724073B2 (en) Charge pump circuit
CN102377334B (zh) 电荷泵电路、非易失性存储器、数据处理装置和微计算机应用系统
US4527074A (en) High voltage pass circuit
TW417280B (en) A voltage generation circuit of a semiconductor memory device
JPH08287687A (ja) 半導体メモリ用オンチップ電圧倍増器回路
US20060120157A1 (en) Charge-pump device with increased current output
US6404272B2 (en) Charge pump booster device with transfer and recovery of the charge
US7511559B2 (en) Booster circuit
TW583682B (en) System and method for achieving fast switching of analog voltages on a large capacitive load
TW466495B (en) Charge pump circuit
CN110601528A (zh) 电荷泵及存储设备
US20070081366A1 (en) Capacitive coupling assisted voltage switching
US11114937B2 (en) Charge pump circuit
Mohammad et al. Switched positive/negative charge pump design using standard CMOS transistors
US6738273B2 (en) Charge pump drive signal recovery circuit
KR100909837B1 (ko) 단위전하펌프
CN217135174U (zh) 减小新增设备容性等效负载对电源冲击的电路
CN110800214A (zh) 抗老化装置
US5638023A (en) Charge pump circuit

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees