TW447138B - Manufacturing method of thin-film transistor - Google Patents

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TW447138B
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Jian-Sheng Yang
Fang-Jen Luo
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Unipac Optoelectronics Corp
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ΑΑΊ13 8 Λ7 5372twf.doc/〇〇g 五、發明說明（f ) 本發明是有關於一種薄膜電晶體的製造方法，且特別 是有關於一種以四道光罩製程製造薄膜電晶體的方法。本 案所請薄膜電晶體的製造方法，除可運用於傳真機（FAX machine )'接觸式影像感測器（CIS )，例如掃描器 (scanner)，以及其它各種電子元件等之製造外，亦可運 用於一般薄膜電晶體平面顯示器之製造，其中平面顯示器 則可以是液晶顯示器（L C D )、有機光激發雙極晶體（〇 L E D )等平面顯示器。 薄膜電晶體平面顯示器主要係由薄膜電晶體元件和平 面顯示元件構成，其中薄膜電晶體元件係由多個薄膜電晶 體組成，而以矩陣的方式排列，其中每一個薄膜電晶體都 對應一個畫素電極(Pixel Electrode)。上述之薄膜電晶體主 要是由形成於一絕緣基材上之聞極（Gate)、聞介電層（Gate Dielectric)、通道層（Channel Layer) '與源極/汲極堆疊而 成，此薄膜電晶體係用來作爲平面顯示單元的開關元i牛。 習知技藝之薄膜電晶體的製造步驟略述如下。 請參照第1A圖，首先提供絕緣基材1〇〇，再於絕緣 基材100上濺鍍一導體層，該導體層係由一層或多層（如 複合層）之包含至少一種或多種選自金屬或/及其合金之 材料所形成，其中之金屬或/及其合金係可選自鋁、銅、 金、銀 '鉬、鉻、鈦、鎢等材料，其中之鋁合金亦可包含 銳C N d )。在一較佳實施例中其係可爲至少包含一駄/ 銘/駄複合層（未顯示），而其中之欽、鋁等材料亦包含其 合金之範圍’而鋁合金亦可包含鈸（N d )，然後進行第 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) 裝---- 訂---------線 經濟部智慧財產局員工湞費合作社印製 447138 Λ7 5872twf.doc/008 B7 五、發明說明（>) 一次微影蝕刻製程，圖案化此駄/鋁/鈦複合層以形成閘 極110與閘極線路。 請參照第1B圖，接著依序沉積較佳爲至少包括一氮 化矽層（SiNx)120、較佳爲至少包括一非晶矽層（a-Si:H)l 30、與較佳爲至少包括一慘雑非晶砂層（n+ a-Si) 140 於絕緣基材100之上’再進行第二次微影蝕刻製程，其僅 保留位於閘極110上方的較佳爲至少包括一非晶矽層130 與較佳爲至少包括一摻雜非晶矽層140。 請參照第1C圖，接下來濺鍍一層或多層（如複合層） 之包含至少一種或多種選自金屬或/及其合金之材料之金 屬層150於絕緣基材之上’其中該金屬或/及其合金 係可選自鋁、銅、金、銀、鉬、鉻、鈦、鎢等材料，其中 之鋁合金亦可包含銨（N d.)。在一較佳實施例中其係可 爲至少包含一駄/銘/欽之複合層’而其中之欽、銘等材 料亦包含其合金之範圍，而鋁合金亦可包含銳（N d ) ’ 再進行第三次微影蝕刻製程’依序圖案化此金屬層與其下 方之較佳爲至少包括一摻雜非晶矽層140,以形成源極/汲 極線路150a、源極/汲極金屬層150、與源極/汲極140a。 請參照第1D圖，接著沉積較佳爲至少包括一氮化砍 保護層160於絕緣基材〗00之上，再進行第四次微影蝕刻 製程，以在氮化矽保護層160中形成開口 166，此開口】66 暴露出源極/汲極金屬層150的一部分。 請參照第1E圖，接下來於絕緣基材100之上濺鍍較 佳爲至少包括一氧化銦錫層（Indium Tin Oxide ; ΙΤΟ)Π〇 ’ 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂---------線 A7 !37 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 447138 5872twf(doc/008 發明說明（、） 最後進行第五次微影蝕刻製程，圖案化此氧化麵錫層以形 成畫素電極170。 如上所述，習知技藝之薄膜電晶體的製造方法總丑需 要至少5次彳·_製程。_每〜次㈣㈣呈皆靖 經過去水烘烤（Dehydration Bake)、塗底（primm 衣彳，白心、 軟烤（Soft Bake)、曝光（Exposure)、曝光後执上光「且 (Development)、硬烤（Hard Bake)、蝕刻（Etch^、烤、顯影 光阻等步驟，故每增加一次微影蝕刻製程，ng)、以及去 生產成本。而且每經過—次上述步驟， 會增加許多 漸降低。 <具率亦會逐 本發明提出一種薄膜電晶體的製造方法， 傳真機（FAX machine)、接觸式影像感測器〜刁運用方、 如掃描器（scanner)，以及其它各種電子元件等CB)，例 亦可運用於一般薄膜電晶體平面顯示器之製兔之製造外， 顯示器則可以是液晶顯示器（L C 1D ) '有^，其中平面 晶體（Q L E D )等平翻示器。本案时物發雙極 緣基材，其步驟如下。首先於絕緣基材上依摩趫用於一絕 體層、閘介電層、矽材料層、與摻雜矽材料騰t成第—導 案化摻雜矽材料層、矽材料層、閘介電層、與第，再依序圖 以形成閘極與閘極線路。接著於絕緣基材上、私二，體層， 層，再依序圖案化第二導體層與摻雜矽材料騰成第二導體 極/汲極線路主體、源極/汲極導體層、與源梅/以形成源 源極/汲極線路主體位於閘極線路兩側，月未丨及極’其中 導體層連接，以免源極/汲極線路主體接們φ辑源極/汲極 啊到_極與閘極 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 x 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 裝--------訂---------線 1 _ 447 1 3 8 5 8 7 2 ti * ci 〇 c / 0 0 8 A7 U7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（π ) 線路而導致短路。接下來於絕緣基材上形成保護層，再圖 案化此保護層，以形成數個開口於源極/汲極導體層與鬧 極線路兩側之源極/汲極線路主體之上。最後形成透明導 體層於保護層之上與所有開口之中，再圖案化此透明導體 層，以形成一畫素電極，並保留另一部分的透明導體層， 以使閘極線路兩側之源極/汲極線路主體與源極/汲極導體 層電性連接’而完成一源極/汲極線路。 如上所述，在本發明之薄膜電晶體的製造方法中，源 極/汲極前身（即摻雜矽材料層）之圖案化與閘極及閘極線路 之圖案化共只需要一次微影製程，且源極/汲極線路主體' 源極/汲極導體層、與源極/汲極之形成共只需要一次微影 製程。因此，使用本發明可以使製造薄膜電晶體所需之微 影鈾刻製程數目由5次以上減爲4次’也就是說可以降低 成本，以及增加量產之良率。 爲讓本發明之上述目的'特徵、和優點能更明顯易懂， 下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如 下： 圖式之簡單說明： 第1A-1E圖所繪示爲習知技藝中，薄膜電晶體平面顯 示器中的薄膜電晶體的製造流程剖面圖。 第2、3A、4 ' 圖所繪示爲本發明之較佳實施 例中，薄膜電晶體平#'示器中的薄膜電、曰<體的製造流程 剖面圖。第3Β、5&Β圖各自爲第3Α圖之上視 圖。 4' 7 本紙張尺度適用中S國@準規袼（2l〇x 297公Έ ------------_! ^--------訂-----I---線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 47138 5072twf 'doc / 008 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（l ) 圖式之標號說明： 100、200 :絕緣基材 110、210a :閘極 120、220 :氮化矽層、閘介電層 130、230 :非晶矽層、矽材料層 140、240 :摻雜非晶矽層、摻雜矽材料層 140a、240a :源極/汲極 150、250a :源極/汲極金屬層、源 150a ' 280 :源極/汲極線路 160、260 :氮化矽保護層、保護層 166、266 :開口 170、27〇a :畫素電極 210、250 :導體層 210b :閘極線路 25〇b :源極/汲極線路主體 27〇 :透明導體層 較佳實施例說明 請參照第2圖，首先提供絕緣基材200，再依序於絕 緣基材200之上形成導體層2丨◦、閘介電層22〇、矽材料 層23〇、與摻雜矽材料層24〇。其中，導體層21〇係由〜 層或多層（如複合層）之包含至少—種或多種選自金 =及其合金之材料所形成，其中之賴或/及其合金； 进自銘、銅、金、銀、鉬.、鉻 '欽、鎢等材料，其中二 ./汲極導體層 合金亦可包含敏（Nd)。在—較佳實施例中可 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -------—訂·--—----III --- f紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4^T^ 297公釐） 44713 8 5872twf,doc/〇〇| Λ： Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 ) 少包含一鋁/鈦複合層，而其中之鈦、鋁等材料亦包 含其合金之範圍，而鋁合金亦可包含鈸（N d )，閘介電 層220較佳爲至少包括一氮化矽層，矽材料層23〇之材質 較佳爲至少包括一非晶矽，摻雜矽材料層240之材質較佳 爲至少包括〜hi型摻雜非晶矽。 請參照第3A-3B圖，其中第3B圖爲第3A圖之上視 圖’而沿直線I-Ι切割第3B圖所得之剖面圖即爲第3A圖。 如第3A_3B圖所示，接著進行第一次微影蝕刻製程，依序 圖案化摻雜矽材料層240、矽材料層230、閘介電層220、 與導體層210，以得閘極21〇a與閘極線路2]〇b。 請參照第4圖，接著於絕緣基材200之上形成導體層 25〇 ’此導體層2S0係由一層或多層（如複合層）之包含 至少一種或多種選自金屬或/及其合金之材料所形成，其 中之金屬或/及其合金係可選自鋁、銅 '金、銀、鉬、鉻' 鈦、鎢等材料，其中之鋁合金亦可包含鈸（N d )。在一 較佳實施例中其係可爲至少包含一鈦/鋁/鈦複合層，而 其中之鈦、鋁等材料亦包含其合金之範圍，而鋁合金亦可 包含銳（N d )。 請參照第5A-5B圖’其中第SB圖爲第5A圖之上視 圖’而沿直線ΙΙ-Π切割第5B圖所得之剖面圖即爲第5A 圖。如第5A-5B圖所示，接著進行第二次微影蝕刻製程’ 依序圖案化導體層250與摻雜砂材料層240，以形成源極/ 汲極線路主體MOb、源極/汲極導體層25〇a，以及源極/汲 極240a。其中，源極/汲極240a係位於矽材料層23〇之上， 9 -------------- 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本1) 本紙張尺度適用中园國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱> _ M. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 447138 Λ7 5872twf-doc/008 ny 五、發明說明（q ) 源極/汲極導體層250a位於源極/汲極240a之上，源極/汲 極線路主體250b則位於閘極線路210b兩側之絕緣基材200 之上，且未與源極/汲極導體層250a相連，使得源極/汲極 線路主體250b不致於接觸閘極210a與閘極210b而導致 短路。 請參照第6A_6B圖，其中第6B圖爲第6A圖之上視 圖，而沿直線ΙΙΙ-ΠΙ切割第6B圖所得之剖面圖即爲第6A 圖。如第6A-6B圖所示，接下來於絕緣基材200之上形成 保護層260，此保護層260較隹爲至少包括一氮化矽層。 接著進行第三次微影蝕刻製程來圖案化保護層260，以形 成數個開口 266於閘極線路兩側的源極/汲極線路主體250b 與源極/汲極導體層250a之上。 請參照第7A-7B圖，其中第7B圖爲第7A圖之上視 圖，而沿直線IV-IV切割第7B圖所得之剖面圖即爲第7A 圖。如第7A-7B圖所示，接著形成透明導體層27〇於保護 層260之上與所有開口 266之中，此透明導體層270較佳 爲至少包括一氧化銦錫層，接著再進行第四次微影蝕刻製 程來圖案化透明導體層270，以形成畫素電極270a，同時 保留另一部分的透明導體層270，藉以電性連接閘極線路 210b兩側的源極/汲極導體層250a與源極/汲極線路主體 25〇b，此時源極/汲極線路主體250b與透明導體層270即 構成了完整的源極/汲極線路280。 如第7A-7B圖所示，依本發明較佳實施例之薄膜電晶 體的製造方法所得之薄膜電晶體係由下列部分所構成：絕 本纸張尺度賴巾®國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 11 — 1 11111 .-Γ < -----I — ^ > —------- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在4713 8 五、發明說明（ϊ) 緣基材200、閘極210b '閘極線路210b、閘介電層220 ' 矽材料層230、源極/汲極240a、源極/汲極導體層250a、 源極/汲極線路280、保護層260 '以及畫素電極270a，其 中源極/汲極線路280係由源極/汲極線路主體250b與透明 導體層270組成。 請參照第7A-7B圖，上述之閘極210a位於絕緣基材 200之上。閘極線路210b位於絕緣基材200之上。閘介電 層220位於閘極210a與閘極線路210b之上。矽材料層230 位於閘介電層220之上，且當由垂直絕緣基材200之方向 觀視時，矽材料層230、閘介電層220之形狀與閘極210a 加上閘極線路210b之形狀相同且重合。源極/汲極240a位 於矽材料層230之上。源極/汲極導體層250a位於源極/汲 極240a之上。源極/汲極線路280中的源極/汲極線路主體 250b之材質與源極/汲極導體層250a相同，且位於閘極線 路210b兩側之絕緣基材200上，此分段之源極/汲極線路 主體250b係藉由源極/汲極線路280中的透明導體層270 以行電性連接，並藉之與源極/汲極導體層250a電性連接。 保護層260位於矽材料層230、源極/汲極導體層250、與 源極/汲極線路主體250b之上，且位於透明導體層270之 下，此保護層260中具有數個開口 266，而透明導體層270 係經由這些開口 266以電性連接源極/汲極導體層250a與 閘極線路210b兩側之源極/汲極線路主體250b，以構成完 整的源極/汲極線路280。畫素電極270a之材質與透明導 體層270相同，此畫素電極270a係位於保護層260之上。 本紙張疋度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ------------- 裝--------訂·-------•線 (請先閒讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ4713 8 Λ7 5872twf.doc/008 uj , 五、發明說明（q) 如上所述，在本發明較佳實施例之薄膜電晶體的 方法中，源極/汲極前身（即第3圖中圖案化之摻雜矽材料 層240)之形成與閘極2 1 Oa及閛極線路21 Ob之形成共只需 要一次微影製程(請見第3A-3B圖）；且源極/汲極線路主體 250b、源極/汲極導體層250a '與源極/汲極240a之形成亦 只要一次微影製程(請見第5A-5B圖）。因此，使用本發明 可以使製造薄膜電晶體所需之微影蝕刻製程數目由5次以 上減爲4次，也就是說可以降低成本，以及增加量產之良 率。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 -I--I I—---I I i . . I I-----_ν__π· —----I-- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智婪財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4蜆格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 8 3 8 ο ο / C 0 d f w t 2 7 8 5 8 88 8 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1.一種薄膜電晶體的製造方法，適用於一絕緣基材， 該方法包括下列步驟： 依序形成一第一導體層、一鬧介電層、一砂材料層、 一摻雜矽材料層於該絕緣基材上； 進行第一微影蝕刻步驟，依序圖案化該摻雜矽材料層、 該矽材料層、該閘介電層、與該第一導體層，以形成一閘 極與一閘極線路； 形成一第二導體層於該絕緣基材上； 進行第二微影蝕刻步驟，依序圖案化該第二導體層與 該摻雜矽材料層，以形成一源極/汲極導體層、一源極/汲 極、與位於該閘極線路兩側之該絕緣基材上之一源極/汲 極線路主體； 形成一保護層於該絕緣基材之上； 進行第三微影蝕刻步驟，圖案化該保護層，以形成複 數個開口於該源極/汲極導體層上與該閘極線路兩側之該 源極/汲極線路主體上； 形成一透明導體層於該保護層之上與該些開口之中； 以及 進行第四微影蝕刻步驟，圖案化該透明導體層，以形 成一畫素電極，並保留另一部分的該透明導體層，以使該 閘極線路兩側之該源極/汲極線路主體與該源極/汲極導體 層電性連接，而完成一源極/汲極線路。 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該第一導體層係由一層或多層之包含至少一種或多種 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A.4規格（210 X 297公釐） ------------裝----! ---訂---------線1 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471 3 8 as R8 C8 _5 8 7 2 tw£ . doc/ 0 0 8_™_ 六、申請專利範圍 選自金屬或/及其合金之材料所形成。 3.如申請專利範圍第、項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該金屬或/及其合金係選自鋁、銅、金、銀、鉬、鉻、 鈦、鎢等材料。 4如申請專利範圍第3項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該鋁合金係可包含钕（N d )。 5. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該第一導體層係至少包含一鈦/鋁/鈦複合層，其中 之鈦、鋁等材料亦包含其合金之範圍。 6. 如申請專利範圍第5項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該鋁合金係可包含鈸（Nd)。 7. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該閘介電層至少包括一氮化矽層。 8. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該矽材料層之材質至少包括一非晶矽。 _ 9.如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該摻雜矽材料層之材質至少包括一 N型摻雜非晶矽。 10. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該第二導體層係由一層或多層之包含至少一種或多種 選自金屬或/及其合金之材料所形成。 11. 如申請專利範圍第10項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該金屬或/及其合金係選自鋁、銅、金、銀、鉬、鉻、 欽、鎢等材料。 12. 如申請專利範圍第11項之薄膜電晶體的製造方法， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝·!-----訂---1-----線' {請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 ^4713 8 Ll72 七 wf+ doc/008 、申請專利範圍 其中該鋁合金係可包含钕（Nd)。 13.如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該第二導體層係至少包含一鈦/鋁/鈦複合層，其中 之鈦、鋁等材料亦包含其合金之範圍》 ]4.如申請專利範圍第13項之薄膜電晶體的製造方法， 其中其中該鋁合金係可包含銨（Nd)。 15. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該透明導體層至少包括一氧化銦錫層。 16. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其中該保護層至少包括一氮化砂層。 Π.如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其係可運用於一般薄膜電晶體平面顯示器之製造’其中平 面顯示器則可以是液晶顯示器（LCD)、有機光激發雙 極晶體（0 L E D )等之平面顯示器。 18. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體的製造方法， 其係可運用於於傳真機（FAX machine)、接觸式影像感 測器（CIS) ’以及其它各種電子元件等之製造。 19. 一種薄膜電晶體，適用於一絕緣基材，該薄膜電晶 體結構包括： 一閘極’該閘極位於該絕緣基材之上； 一閘極線路’該閘極線路位於該絕緣基材之上； 一閘介電層位於該閘極與該閘極線路之上； 一矽材料層位於該閘介電層之上，當由該絕緣基材上 方觀視時’該砂材料層、該閘介電層之形狀與該閘極加上 ------；----^--裝--------訂---------線 (請先閱讀^面之注意事項再填寫本頁〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 @國家標準（CNS)A域格（21〇 x 297公釐） 44713 8 5 8 7 2 twf. doc/008 AS R8 C8 Π8 經濟即智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 該閘極線路之形狀相同且重合； 一源極/汲極位於該矽材料層之上； 一源極/汲極導體層位於該源極/汲極之上； 一源極/汲極線路，該源極/汲極線路包含一源極/汲極 線路主體與一透明導體層，其中該源極/汲極線路主體僅 位於該閘極線路兩側之該絕緣基材上，且該源極/汲極線 路主體之材質舆該源極/汲極導體層相同，而該透明導體 層電性連接該源極/汲極導體層與該閘極線路兩側之該源 極/汲極線路主體； 一保護層位於該矽材料層、該源極/汲極導體層、與該 源極/汲極線路主體之上，但位於該透明導體層之下，該 保護層中具有複數個開口，該透明導體層係經由該些開口 而與該源極/汲極導體層及該閘極線路兩側之該源極/汲極 線路主體電性連接；以及 一畫素電極，其材質與該透明導體層相同，該畫素電 極係位於該保護層之上。 20. 如申請專利範圍第19項之薄膜電晶體，其中該閘 極與該閘極線路之材質係由一層或多層之包含至少一種或 多種選自金屬或/及其合金之材料所形成。 21. 如申請專利範圍第20項之薄膜電晶體，其中該金 屬或/及其合金係選自鋁、銅、金、銀、鉬、鉻、鈦、鎢 等材料。 22. 如申請專利範圍第21項之薄膜電晶體，其中該鋁 合金係可包含钕（N d )。 16 ----------! '裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 147138 5872twf.doc/008 A8 H8 C8 D8 六、申請專利範圍 23. 如申請專利範圍第19項之薄膜電晶體，其中該閘 極與該閘極線路之材質係至少包含一鈦/鋁/鈦複合層， 其中之鈦'鋁等材料亦包含其合金之範圍。 24. 如申請專利範圍第23項之薄膜電晶體，其中該鋁 合金係可包含銳（Nd)。 25. 如申請專利範圍第19項之薄膜電晶體，其中該閘 介電層至少包括一氮化矽層。 26. 如申請專利範圍第19項之薄膜電晶體，其中該矽 材料層之材質至少包括一非晶矽。 27. 如申請專利範圍第19項之薄膜電晶體，其中該源 極/汲極之材質至少包括一 N型摻雜非晶矽。 28. 如申請專利範圍第19項之薄膜電晶體，其中該導 體層與該源極/汲極導體層之材質係由一層或多層之包含 至少一種或多種選自金屬或/及其合金之材料所形成。 29. 如申請專利範圍第28項之薄膜電晶體，其中該金 屬或/及其合金係選自鋁、銅、金、銀、鉬、鉻、鈦、鎢 等材料。 30. 如申請專利範圍第29項之薄膜電晶體，其中該鋁 合金係可包含鈸（N d )。 31. 如申請專利範圍第19項之薄膜電晶體，其中該保 護層至少包括一氣化敬層。 32. 如申請專利範圍第19項之薄膜電晶體，其中該透 明導體層與該畫素電極之材質至少包括一氧化銦錫。 33. 如申請專利範圍第19項之薄膜電晶體，其係可運 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標竿（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 80088 Am^cn d47l3B 5872twf.doc/008 六、申請專利乾圍 用於一般薄膜電晶體平面顯示器之製造’其中平面顯示器. 則可以是液晶顯示器（L C D ) '有機光激發雙極晶體（〇 L E D )等平面顯示器° 34.如申請專利範圍第19項之薄膜電晶體’其係可運 用於傳真機（FAX machine)、接觸式影像感測器（CIS) ’ 以及其它各種電子元件等之製造° ：------^-------裝--------訂---------線： • 1-' I - (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Ai規格（210 X 297公釐）
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