TW446566B - Cell necrosis apparatus - Google Patents

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^ 44656 β Α7 Β7 五、發明說明（1 ) 發明背景 發明領域 請 先 閱， 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 本發明廣泛地關於一種細胞壞死裝置，而更明確地關 '於一種具有一引入器及可展開之電極的細胞壞死裝置。 相關技術之說明 目前所公開之用於治療腫瘤的程序是極具破壞性的並 且對於健康的組織會產生極大的損害。於手術程序期間， 醫生需謹慎切除腫瘤以免使其產生腫瘤之繁殖，而導致轉 移。近年來，產品之發展已指向強調於減小傳統手術程序 之外傷的本質。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 已有相當大量之發展於過高熱（hyperthermia )之領域 >以作爲醫療腫瘤之一種手段。已知其腫瘤溫度之升高有 助於癌組織之醫療及處理。藉由過高熱之選擇性癌細胞消 滅的機構未被完全地瞭解。然而，對於癌組織之過高熱的 四個細胞效果以被提出；（i )改變細胞或細胞核膜之滲 透性及流動性，（ϋ )細胞質的溶媒體（】y S 〇 m a I )崩解， 導致消化酵之釋放，（Μ )蛋白質熱損害影響細胞呼吸及 D Ν Α或R Ν Α之合成，以及（iv )免疫系統之潛在的剌 激。應用熱以處理腫瘤之醫療方法包含直接接觸之無線電 頻率（R F )塗藥器、微波輻射、誘導耦合之R ί7場、超 音波、及種種簡單熱傳導技術的使用。 在所有與這些程序有關的問題中的是需要其高度局部 化的熱被產生於皮膚表面下之數公分的深度上° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公« > -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社、 ^ 44656 6 A7 B7 五、發明說明（2 ) 嘗試使用裂縫的局部過高熱並未證實爲非常成功。其 結果經常產生不均勻的溫度遍及其腫瘤。相信其藉由過高 熱之腿瘤塊減少是相關於熱劑量。熱劑量是於一定時間週 期內應用遍及腫瘤塊之最小的有效溫度。因爲血液流量是 用以治療腫瘤之熱損失的主耍機構1而血液流量隨著腫瘤 之各部位改變 > 甚至腫瘤組織之加熱需被確保其有效的治 療。 同樣情形發生於透過R F能量之使用的腫瘤本身之切 除。不同的方法以被利用於組微塊（例如腫瘤）之R F切 除。取代加熱腫瘤，其經由施加壓力而被切除。此方法亦 不易達成 > 因爲種種因素，包含；（i ) R F切除電極之 放置以有效地切除所有組織塊，（ii ) R F切除電極之引 入至腫瘤位置，以及（iii ) R F能量之被控制的傳送及監 督以達成成功的切除而不會損害非腫瘤之組織。 因此，用以提供熱至內部組織之非侵入性程序不易達 成基本上特定而選擇性的治療。 說明電磁能量之使用以切除組織的範例被揭露於：美 國專利編號4，5 6 2，2 0 0 :美國專利編號 4，411 ，266:美國專利編號4，838，265 ;美國專利編號5 ，4 0 3 ，3 1 1 ;美國專利編號 4 ，0 1 1 ，8 7 2 ;美國專利編號 5 1 3 8 5 ，5 4 4 :及美國專利編號5 ，3 8 5 ，5 4 4。 有需求一種具有至少兩個電極之細胞壞死裝f置’此兩 個電極可展開以彎曲自一引入器。另有需求於一種具有至 、纸張尺度適用中國國家標準（CNS>A4规格（210 X 297公« ) -------I---Θ裝--------訂---------線^ (請先r讀背面之注意事項再填寫本貝) 446566 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7_____________ 五、發明說明（3 ) 少兩個電極之細胞壞死裝置，此兩個電極可選擇性地展開 以彎曲自一引入器至一所想要之展開的幾何結構u還有另 一進一步之需求於一種細胞壊死裝置，其提供可展開之電 •極以產生種種不同的幾何之細胞壞死損害。 發明槪述 因此，本發明之一目的是提供一種細胞壞死裝置，其 提供組織削減於所選定之解剖的位置。 本發明之另一目的是提供一種醫療裝置以產生細胞壞 死。 本發明之又另一目的是提供一種具有至少兩個電極及 —第三電極之細胞壞死裝置，此兩個電極可展開以灣曲自 一引入器，此第三電極可展開以最小的彎曲》

本發明之再另一目的是提供一種細胞壊死裝置，其具 有可選擇性地展開之電極X 本發明之進一步目的是提供一種細胞壊死裝置，其.被 構成以選擇性地展開電極於一組織位置來產生一所想要 細胞壞死損害。 本發明之這些及其他目的被達成於一細胞壊死裝g , 其包含具有足夠尖銳之一末端以穿透組織的一個引入器。 一能量傳送設備具有一第一組R F電極及一第二組R F m 極。第一及第二組之每個R F電極具有一組織刺穿末端且 可被置於引入器中，當引入器被推進通過組織時。第〜-& 第二組R F電極可展開以彎曲自引入器。第二組R f_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線 -6- 446566 經濟部智M財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 可展開一較大距離_引入器，相較於第--組R F電極。 於另一實施例中，細胞壞死裝置具有一能量傳送設備 ’其包含一第一 R F電極、一第二R F電極及一第三R F 電極。每個第一、第二及第三R F電極具有一組織刺穿末 端且可被置於引入器中，當引入器被推進通過組織時。第 一及第二R F電極可選擇地展開以彎曲自引入器至一組織 位置。第三R F電極可展開自引入器以較第一及第二：R F 電極爲小之彎曲。 於另一實施例中，細胞壞死裝置具有一包含第一及第 二R F電極之能量傳輸設備。第一及第二r F電極具有組 織刺穿末端且可被置於引入器中*當引入器被推進通過組 織時。第一及第二R F電極可選擇地推進以彎曲自引入器 至一組織位置-可展開構件被含入且具有一組織刺穿未 端。可展開構件可被置於引入器中（當引入器被推進通過 組織時）且可展開自引入器以較第一及第二R F電極爲小 之彎曲。一感應器被耦合至可展開構件。 圖形簡述 圖1爲具有兩個可展開電極及一可展開構件於一選定 之細胞壊死組織位置上的一種本發明之細胞壞死裝置之一 横斷面圖。 圖2 ( a )顯示具有一第一及一第二組可展開電極之 本發明的一種細胞壞死裝置之一實施例的橫斷面圖。 圖2 ( b )顯示位於一目標細胞壞死組織位置上之圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（2】0 X 297公* ) -----------y裝--------訂---------線W (請^閲續背面之注意事項再填寫本頁) 4 4 6 5 6 6 A7 B7 五、發明說明（5 ) 2 ( a )的細胞壞死裝置 il 3顯示具有耦合至電極之多個感應器的本發明之一 細胞壞死裝置的一個實施例。 圖4顯示利用以本發明之一細胞壞死裝置的一個電極 之一球形的橫斷面。 圖5顯示利用以本發明之一細胞壞死裝置的一個電極 之一橢圓的橫斷面。 圖6顯示利用以本發明之一細胞壞死裝置的一個電極 之一橫斷面，其具有大於寬度之一橫斷面長度》 圖7顯示利用以本發明之一細胞壞死裝置的一個電極 之-一横斷面，其具有一平坦狀之外表面。 圖8爲本發明之一細胞壞死裝置的一個透視圖，此細 胞壞死裝置包含置於電極之外表面上的絕緣套筒。 圖9爲本發明之一細胞壞死裝置的一個透視圖，此細 胞壞死裝置包含多個周邊地絕緣所選定之電極的區域的絕 緣套筒》 圖1 0爲本發明之一細胞壞死裝置的一個透視圖 > 此 細胞壞死裝置之絕緣延伸沿著電極之縱向區域以界定鄰近 之縱向能量傳送表面。 圖1 1爲沿著圖1 0之線段1 1 — 1 1所取得之細胞 壞死裝置的一個橫斷面圖° 圖1 2爲本發明之一細胞壞死裝置的一個透視圖，此 細胞壞死裝置之絕緣延伸沿著電極之縱向區域且並未連續 至電極之末端。 本紙張尺度適用中國0家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） (請先"'讀背面之注意事項再填寫本頁) ^農--------訂--------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8 - 44656 6 A7 B7 五、發明說明（6 ) 圖1 3爲一横斷而圖以顯示放置電極於鄰近—選定之 組織位置，其具有絕緣延伸沿著電極之一縱向表面’且絕 緣面對遠離所選定之組織位置之一中心軸° 圖1 4爲一橫斷面圖以顯示放置電極於一所選定之組 織位置，其具有絕緣延伸沿著電極之一縱向表面，且絕緣 面對朝向所選定之組織位置之一中心軸。 圖1 5爲一電極主體之一表面區域的一個特寫透視圖 ，於本發明之一細胞壞死裝置之一電極之一末端上。 圖1 6爲本發明之一細胞壞死裝置之一透視圖，其具 有與每個展開之電極有關的墊片（spacer)。 圖1 7爲本發明之一細胞壞死裝置之一橫斷面圖，其 顯示一塾片、—相關之電極及塾片內之絕緣。 圖1 8爲本發明之一細胞壞死裝置之一賁施例的一個 横斷面圖，其包含一可滑動之構件以嚙合一電源至一耦合 到電極之接點（c ο n t a c t )。 圖1 9爲圖1 8之裝置之一橫斷面圖，以可滑動構件 向後拉並解開電源自電極。 圖2 0爲一方塊圖以顯示包含本發明之一控制器、電 磁能量源及其他電子元件。 圖2 1爲一方塊圖以顯示本發明所使用之一類比放大 器、類比多工器及微處理器· 主要元件對照表 10 細胞壞死裝置 本紙張尺度適用t困理家摞準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 44656 6 A7 B7 五、發明說明（7 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2 引 入 器 1 4 末 1 6 能 量 傳 送 設 備 1 8 第 — R F 電 極 2 0 第 ^— R F 電 極 2 1 標 Sw 2 2 ，2 4 組 織 刺 穿 2 6 末 梢 部 分 2 8 組 織 位 置 3 0 電 極 推 進 構 件 3 2 近 端 3 4 可 展 開 構 件 3 6 感 應 器 3 8 末 端 4 0 能 量 源 4 2 第 —1 組 R F 電 極 4 4 第 二 組 R F 電 極 4 6 ’ 4 8 t 5 0 > 5 2 5 4 絕 緣 5 6 能 量 傳 送 表 面 5 8 中 心 軸 6 0 表 面 區 域 6 2 墊 片 6 4 絕 緣 (請先閱讀背面之注t事項再填寫本頁) 裝 -------線 本紙張尺度適用中國困家楳準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公龙） -10- 44656 6 A7 B7 五、發明說明（8 ) 6 6 可 滑 動 構 件 6 8 電 接 觸 板 7 0 接 點 7 2 回 饋 控 制 系 統 7 4 電 流 感 應 器 7 6 電 壓 感 應 7 8 電 力 及 阻 抗 計 算 裝置 8 0 使 用 者 介 面 及 顯 示 8 2 控 制 器 8 4 電 力 電 路 8 6 溫 度 測 里 裝 置 8 8 可 變 的 電 極 設 定 9 0 類 比 放 大 器 9 2 A / D 轉 換 器 9 6 微 處 理 器 ----------->裝--------訂---------線'wr (請先fli讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 詳細說明 參考圖1 ，一細胞壞死裝置1 0之一實施例包含一具 有足夠尖銳以穿透組織之末端1 4的引入器1 2。一能量 傳送設備，一般稱爲1 6，包含一第一 RF電極1 8及一 第二R F電極2 0 «電極1 8及2 0可置於引入器1 2中 當引入器1 2推進通過組織時。電極1 8及2 0個別具 有組織刺穿末端2 2及2 4。電極1 8及2 0被選擇性地 展開以彎曲自一末端1 4或一形成於引入器1 2之末梢部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼<210x297公* ) -11 - 44656 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（9 ) 分2 6的側埠，至一選定之組織位置2 8。組織2 8可爲 任意組織塊且可爲待被切除之一腫瘤。電極1 8及2 0被 可選擇地展開以被可控制地置於相關於組織位閽2 8之一 •所想要的位置上，其包含組織2 8之一周邊上的內配置、 外配置及任何相關於組織位置2 8之所想要的位置上。電 極1 8及2 0之可選擇的配置可被達成以電極1 8及2 ϋ 自引入器1 2之前進量、電極1 8及2 0自引入器1 2之 獨立的前進、用於電極1 8及2 0之材料的差異、以及電 極1 8及2 0於其展開狀態之幾何結構的差異。 爾極1 8及2 0是位於壓縮之位置，當它們被廇於引 入器1 2中時。當電極1 8及2 0被推進自引入器1 2時 >則它們移動至一展開的狀態自它們的壓縮結構。任意數 目之電極可被包含於能量傳送設備1 6中。能量傳送設備 1 6之電極可被同時展開；成對地、整組地 '及一次一個 地。一電極推進構件30被耦合至能量傳送設備1 6。電 極推進構件3 0可由醫師啓動1藉由移動相關於引入器 1 2之一縱軸的一個近端3 2。 引入器1 2可爲撓性的。於一實施例中 > 引入器1 2 是足夠地撓性的以刺穿組織，並移動以任意所要的方向穿 越組織至組織位置2 8。於男一實施例中，引入器1 2爲 足夠地撓性的以反轉其行進之方向並移動以與其本身相反 之方向。於一實施例中，引入器1 2是較電極1 8及2 0 還更具撓性的。 當引入器1 2到達組織位置2 8 (其包含但不限定於 丨(請先蚶讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂---------線 本紙張尺度適用中困Η家標準（CNS>A4規格（210 * 297公爱） 12- 4 4 6 5 6 6 A7 B7 五、發明說明（1〇) (請先M·讀背面之注意事項再填寫本頁) 一完整的損害）時，則能量傳送設備1 6最好逛被展開圉 引入器1 2之末端1 4。能量傳送設備1 6亦可被展開自 形成於引入器1 2之主體中的側埠。於展開之狀態下’能 '量傳送設備1 6變爲張開自其於引入器1 2中之歷縮的結 構，且被選擇性地相關於組織位置1 2而放置。電極1 8 及2 0可被分開於組織位置1 2之一內部中、組織位置 1 2之外部上以及其組合。電極1 8、2 0以及第三、第 四、第五等等電極可被推進不同之長度自引入器1 2之末 端1 4。於一實施例中，展開之能量傳送設備1 6的電極 被放置相等地遠距離組織位置2 8之一中心軸。體積的細 胞壞死可前進自組之位置2 8之內部、外部及其種種組合 (以能量傅送設備1 6之每個展開的電極），來產生一可 選擇且可預測之細胞壞死。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 電極1 8及2 0可由多種導電材料所製，金屬或非金 屬。一種適當的材料是皮下注射特性之型式3 0 4的不鏽 鋼。於某些應用中，電極1 8及2 0之所有或一部分可由 一種成型之存儲金屬所製成，例如N i T i ，其可購得自 Raychem Corporation, Menlo Park, California。·一種不透光 的標識2 1可被塗敷於電極1 8及2 0 _h以利觀看。 電極1 8及2 0可具有推進自引入器1 2之末端1 4 的不同長度。此長度可由電極1 8及2 0之實際長度、電 極1 8及2 ◦之一能量傳送表面的長度以及其未被一絕緣 器所覆蓋之電極1 8及2 0的長度所決定。適當的畏度包 含但不限定於1 7 . 5公分、2 5 . 0公分及3 0 . 0公 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐〉 -13- 56 6 A7 B7 五、發明說明（11) 分。電極1 8及2 0之實際長度是根據待被切除之組織位 ® 2 8之位置、其與皮膚之距離、其可接近性以及醫師是 ΪΪ；'選擇一內視鏡、經皮的（p e r c in a n e 〇 u s )或其他手續。 —可展開之構件3 4可被耦合至電極推進構件3 0。 可展開構件3 4可提供多項功能，包含但不限定於：一所 選定之組織位置上之一感應器的放置以測量/監視溫度及 /或阻抗。此外可展開構件3 4之全部或一部分可以是一 種可操作於雙極或單極模式下的R F電極。可展開構件 3 4亦可爲一接地墊電極。 一感應器3 6可被耦合至可展開構件3 4於一末端 3 8，或者於可展開構件3 4之任何實體位置。以此方式 '則溫度及/或阻抗被測量或監視於組織位置2 8之一末 梢部分或者於組織位置2 8內或外之任意位置上。可展開 構件3 4可展開自引入器1 2之末端1 4以較電極1 8及 2 0爲小之彎曲。可展開構件.3 4可被展開自末端1 4而 無本質上之任何彎曲。 — 經濟部智蒽財產局員工消費合作社印製 ------------W裝— •(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線 感應器3 6容許溫度之準確測量於組織位置2 8以決 定：(i )細胞壞死之程度，（ϋ )細胞壊死之Μ， （ m )進一步之細胞壞死是否需要以及（iv )切除組織塊之範 圍或邊界此外，感應器3 6減少非目標之組織被破壞或 切除。 感應器3 6爲傳統的設計，包含但不限定於電熱調節 器（thermistors )、熱電偶（thermocouples )、電阻線， 等等。一適當的熱感應器3 6包含一具有康銅（copper 本紙張尺度適用尹國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 446 56 6 A7 B7 五、發明說明（12) c ο n s t a n t e n e )之T型式熱電偶、J型式、K型式、：?b纖、 電阻線、熱電偶I R檢測器，等等。將瞭解其感應器3 6 無須爲一熱感應器。 感應器3 6測量溫度及/或阻抗以利監視以及欲被達 成之細胞壞死的水準而不會破壞太多組織°如此減少對於 圍繞待被切除之目標組織塊周圍的組織的損害。藉由監視 於組織位置2 8內部中及外部之不同點上的溫度，則可做 出對於所選定之組織塊周界的決定1同時決定細胞壞死何 時完成。假如於任何時間感應器3 6決定其一所要的細胞 壊死溫度已超過，則一適當的回饋信號被接收於耦合到能 量傳送設備1 6之一能量源4 0，其接著調節傳送到電極 1 8及2 0之電磁能量的量。 能量源4 0可爲--R F電源 '超音波能量源、一微 波產生器、一電阻熱源、一雷射等等。微波天線、光纖、 電阻熱元件及超音波變換器可用以取代電極1 8及2 0。 當能量源4 0爲一 R F電源時，則5至2 0 0瓦（最好是 5至1 0 0 )，更理想的是5至5 0瓦之電磁能量從能量 源4 0被傳送至能量傳送設備1 6之電極而不會阻礙電極 0 電極1 8及2 0被電磁地耦合至能量源4 0。此耦合 可被導引自能量源4 0而個別至每個電極1 8及2 0 |或 者被導引藉使用一夾套（collet )、套筒等等，其耦合一個 以上爾極至能量源4 0。 現在參考圖2 ( a )，裝置1 0之另一實施例被顯示 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44656 6 Α7 Β7 五、發明說明（13) 。裝K1 0包含一第一組R F電極4 2及一第二組RF電 極4 4。第一及第二組電極4 _ 2及4 4可包含一、二、三 、四、五，等等數目之R F電極》如圖2中所顯示，第一 組4 2包含電極4 6及4 8 ，而第二組4 4包含電極5 0 及5 2 »將瞭解其第一及第二組4 2及4 4可包含較圖2 所示之更多或更少的電極。電極4 6、4 8 、5 0及5 2 具有組織刺穿末端，其可置於壓縮狀態下之引入器1 2中 ’且可推進至展開的狀態自末端1 4以彎曲自引入器1 2 。第一組4 2可展開一較大距離自末端1 4 ，相較於第二 組4 4。 第一及第二組4 2及4 4被耦合至電極推進構件3 ◦ 且可同時或單獨地展開自未端1 4。選配地耦合至第一組 4 2、第二組4 4及/或電極推進構件3 〇者爲可展開構 件3 4。再一次，可展開構件3 4可被耦合至一感應器 3 6且可展開構件3 4之所有或一部分可爲一R F電極。 圖2 ( b )顯示數個感應器（3 6 )之使用。感應器 3 6可被耦合至所有或某些電極4 6、4 8、5 0及/或 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 ·(請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 2於電極之不同位置。於不同之實施例中，感應器被置 於電極4 6至5 2之末端，在其鄰近引入器1 2之末端 1 4，以及在其介於電極的展開長度的末梢與近側部分之 間的中間某處位置上。可展開構件3_ 4可包含感應器於組 織位置2 3中之其展開長度的末梢及近側部分。感應器 3 6之放置於不同地點提供了溫度及/或阻抗之測量•同 時決定了產生於組織位置2 8上之細胞壊死的水準。 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公« ) -16- 446566 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（14 ) 如圖3中所顯示，電極1 8、2 0、4 6、4 8、 5 0及5 2 (通稱爲''電極1 8 ")可各被耦合至一個以 上之感應器3 6 。感應器3 6可位於電極1 8之外部表面 上，在其末端、在中問部位以及鄰近引入器1 2之末端 1 4。某些或所有電極1 8及可展開構件3 4可具有一中 空的內腔，而多種不同液體媒介物可藉由此內腔來從近側 引入至末端。適當的液體媒介物包含但不限定於電解質溶 劑、化學療法劑、藥物、藥劑、基因治療劑、對比劑（ contrast agents )等等- 電極1 8以及可展開構件3 4可具有多種不同的幾何 横斷面。電極1 8可由不同形狀之傳導固體或中空直線所 組成，例如圓形、平坦的、三角形、四角形、六角形、橢 圓形等等。圖4及圖5顯示圓形及橢圓形橫斷面。於圖6 中’其橫斷面具有較寬度* W 〃爲大之長度l " •於圖 7中，橫斷面被拉長。於不同之實施例中，横斷面之長度 較寬度爲大以增進超音波之可觀看性。 所有電極1 8之一部分以及可展開構件3 4各具有一 外表面’其爲完全或部分絕緣的，且提供一當作能量傳送 表面之一非絕緣區域。於圖8中，兩個電極1 8,包含..絕緣 5 4。於圖8之實施例中，絕緣5 4爲一套筒，其爲固定 或可調整的。電極1 8之活動區域爲非絕緣的且提供一能 量傳送表面5 6。 於圖9所顯示之實施例中，絕緣5 4被形成於電極 1 8之外部以周圍之型態，留下多數能量傳送表面5 6 。 本紙張尺度適用中國國家標率<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------W裝·— ·(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· --線· •17- 446566 A7 B7 五、發明說明（15 ) 現在參考圖1 0及1 1之實施例，絕緣5 4延伸沿著電極 1 8之一縱向外部表面。絕緣5 4可延伸沿著電極1 8之 一縱向長度之一選定的距離並圍繞電極丨8之周圍之一可 •選擇的部分。於不同之實施例中，電極1 8之部位可具有 絕緣5 4沿著電極之選定的縱向長度以及完全包圍電極 1 8之一個以上的周園部位。置於電極1 8之外部上的絕 緣5 4可被改變以界定任意所想要的形狀、尺寸及幾何的 能量傳送表面5 6。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 於圖1 2中，絕緣5 4被配置於電極1 8之一展開長 度的只有一部位。能量傳送表面5 6位於電極1 8之末梢 部分以及鄰近絕綠5 4之縱向表面上u於圖1 3中，絕緣 5 4延仲沿著電極1 8之一縱向長度並朝向組織位置2 8 之一中心軸5 8 ，而能量傳送表面5 6面朝向一朝著中心 _1| 5 8之方向。於圖1 4中，絕緣5 4延伸沿著電極1 8 之一縱向長度並背向中心軸5 8 ，以能量傳送表面5 6背 向中心籼5 8。於圖1 2及1 3所示之實施例中，三個電 極1 8被置於組織位置2 8之一周邊的內或外部。將瞭解 其任何數目之電極1 8可被展開，具有或不具絕綠以產生 一種可選擇的細胞壞死型態。 電極1 8被可選擇地展開自引入器1 2以彎曲，來產 生細胞壞死之任意所要的幾何區域。可選擇的展開被達成 •藉凼使得電極1 8具有：（i )不同的前進長度自引入 器1 2， （ ϋ )不同的展開之幾何型態，（iii )於橫斷而 之幾何形狀的變化，（iv )提供於每個及/或所有展開之 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） 446566 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（16) 電極1 8上之可選擇的絕緣，或（v )可調整之絕緣的使 用。 展開之電極1 8可產生多種不同的幾何細胞壞死區域 包含但不限定於球形 '半球形、橢球體、三角形、半三 角形、方形、半方形、矩形、半矩形、圓椎形、半圓椎形 、四邊形、半四邊形、長菱形、半長菱形、梯形、半梯形 、前項之組合、具有非平面斷面或側面之幾何形狀、自由 型態，等等》 於一實施例中，電極1 8之超音波可觀看性被增進， 藉由產生一較大的電極末端表面區域6 0。表酣區域6 是其位於電極1 8之末端上的電極主體之量。現在參 1 5，電極1 8之末端具有至少2 5 _之切角，而於只％ 衡 施例中切角是至少3 0 ’。如此產生一較大的表面區峨6 Q 。可展開構件3 4之末端亦可具有這些切角。 參考圖1 6及1 7，每個或選定之電極1 8及可興_ 構件3 4可具有一相關的墊片6 2。墊片6 2可推進自％ 入器1 2之末端1 4並可被耦合至推進構件3 0。墊少| 6 2產生一實體之間隔，其分離各個電極1 8 » ώ墊片 6 2所產生之間隔亦形成一區域於組織位置2 8中，_ ψ 具有減少的或非常少的細胞壞死。位於墊片6 2之中者胃 一絕緣6 4，其電地或電磁地隔絕電極1 8自墊片6 2。 如圖1 8及1 9中所示，裝置1 0可包含一可滑動_ 件6 6，其提供一電連接於能量傳送設備1 6與能量瘕 4 0之間。可滑動構件6 6可以是推進構件3 0或者％ π ------------wt--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁」 -*-r-°J· -線. 本紙張尺度適用中國@家棵準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1.9-

f I 44656 6 經濟部智慧財產局負工消f合作社印製 A7 B7 五、發明說明（17 ) 動件（handpiece ) »於一實施例中，可滑動構件6 6具有 一或二個電接觸板6 8 ，其可爲電阻帶°當可滑動構件被 栘勘以相關於引入器1 2之末端1 4的末梢方向時，則電 .阻帶6 8便嚙合與一接點7 0 (圖1 8 )。接點7 〇被耦 合至能量傳送設備1 6。當電阻帶6 8被嚙合與接點7 〇 時，則電力及能量從能量源被傳送至電極1 8。可滑動構 件6 6接著被移動於一末梢方向且電阻帶變爲分離與接點 70，而來自能量源40之電力傳送被中斷（圖19)。 可滑動構件6 6之利用提供了一種方便的能量傳送設備 1 6 (機械及非機械）於醫師之手上° 爾阻帶6 8可被使用爲感應器以辨別能量傳送設備 1 6之其中一個或所有電極1 8之一可變的設定。電阻帶 6 8可被使用以測量於一設定之電阻以致其電阻値之一改 變可被測得，當可滑動構件6 6被移動且一相應之改變發 生於對應電極1 8之能量傳送表面時·>此電阻値可被相互 關連以決定於傳送能量自能量源4 0時之一最佳的電力。 間隔感應器（包含但不限定於雷射及超音波）可被使用以 決定可變之設定。 現在參考圖2 0 ，一回饋控制系統7 2被連接至能量 源4 0、感應器3 6及能量傳送設備1 6。回饋控制系統 7 2接收溫度及阻抗資料自感應器3 6，且由能量傳送設 備1 6所接收之電磁能量的量被修改自細胞壞死能量輸出 、細胞壞死時間、溫度及目前密度（四參數〃）之一起 始設定値。回饋控制系統7 2可自動地改變任何四參數 本紙張尺度適用令國0J家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） ·(請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) ^裝--------訂---------線 -20- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，446566 A7 B7 五、發明說明（18 ) 回饋控制系統7 2可偵測阻抗或溫度並改變任何四參數。 回饋控制系統7 2可包含一多工器以多路傳輸不同的電極 1 8及一溫度偵測電路，其提供代表於一個以上感應器 .3 6所偵测之溫度或阻抗的一個控制信號。一微處理器可 被連接至溫度控制電路·^ 裝置1 0之使用者可輸入一阻抗値，其相應於位在裝 置1 0上之一設定的位置。根據此値，以及測得之阻抗値 回饋控制系統7 2決定於R F能量之傳送中所需之一最 佳的電力及時間》溫度亦被感測以利監督及回饋。溫度可 被保持於某一位準，藉由使得回饋控制系統7 2自動地調 整電力輸出以保持其位準。 於另一實施例中，回饋控制系統7 2決定對於一越線 設定之一最佳的電力及時間'切除量或損害首先被形成於 基線。較大的損害可被達成，藉由延長切除之時間在一中 心核被形成於基線之後。損害製造之完成可被檢查，藉由 推進能量傳送設備1 6自引入器1 2之末端1 4至一所要 的損害尺寸，以及藉由監督於損害之周邊上的溫度- 於另一實施例中，回饋控制系統7 2被程式化以致能 量之傳送至能量傳送設備1 6被暫停於某些其溫度被測量 之時間間隔。藉由比較所測得之溫度與所想要之溫度，則 回饋控制系統7 2可終止或繼續電力之傳送至電極1 8以 一段適當長度之時間。 下列討論特別有關於一 R F能量源及R F電極之使用 >但應用至其他的能量傳送設備及能量源，包含但不限定 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS>A4规格（210 X 297公釐） ---I--------^--------訂--------線 <請先^讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 - 446566 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 i、發明說明（19 ) 於微波、超音波、電阻熱、相干或不相干的光，等等》 傳送至電極1 8之電流被測定以一電流感應器7 4。 電壓被測定以電壓感應器7 6。阻抗及電力接著被計算於 +電力及阻抗計算裝置7 8。這些値可接著被顯示於使用者 介面及顯示8 0。代表電力及阻抗値之信號被接收以控制 器8 2。 一控制信號被產生以控制器8 2 ，此控制信號正比於 —實際測量値與一所想要的値之間的差異。控制信號被電 力電路8 4所使用以調整電力輸出於一適當的量，來保持 傳送於能量傳送設備1 6之所要的電力。 以一類似之方式，則於感應器3 6所偵測之溫度提供 回饋以決定細胞壞死之程度，以及一完成之細胞壞死何時 到達感應器3 6之實體位置。實際的溫度被測量於溫度測 量裝置8 6 ，且此溫度被顯示於使用者介面及顯示8 0 » 一控制信號由控制器8 2所產生，此控制信號正比於一寅 際測得的溫度與一所要的溫度之間的差異。控制信號被電 力電路8 4所使用以調整電力輸出於一適當的量，來保持 傳輸於個別感應器3 6之所要的溫度。一多工器可被包含 以測量電流、電壓及溫度（於不同的感應器3 6 ) ’且能 量被傳送至能量傳送設備1 6。一可變的電極設定8 8被 耦合至控制器8 2。 控制器8 2可以是一種數位或類比的控制器、或者具 葙軟體之電腦。當控制器8 2是一部電腦時，則其可包含 耦合經由一系統匯流排之一C P U »此系統上可以是一鏈 本紙張尺度適用t國國家標準<CNS)A4規格（210 * 297公釐） -----------Y裝--------訂---------線''^ (請先¾讀背面之注意事項再填寫本頁) -22- 44656 6 A7 B7 盤 五、發明說明（20) 磁碟機、或其他不變性記憶體系統、一顯示及其他 周邊裝置，如本技術中所已知者<*同樣耦合至匯流排者爲 一程式記憶體及一資料記憶體。 使用者介面及顯示8 0包含操作者控制及一顯示。控 制器8 2可被耦合至影像系統，包含但不限定於超音波、 C T掃描器、X射線、M R I '乳腺X光攝影檢查等等。 此外，直接的觀看及有形的映像可被利用。 電流感應器7 4及電壓感應器7 6之輸出由控制器 8 2所使用以保持一選定之電力位準於能量傳送設備1 6 。所傳送之R F能量之量控制了電力之量。所傳送之電力 的量變曲線（profile )可被結合入控制器8 2，而待被傳 送的能量之一預定量亦可被表示。 控制器8 2之電路、軟體及回饋導致程序控制及所選 定之電力的維持，並且被使用以改變：（i )所選定之電 力，包含R F、微波、雷射等等，（ϋ )負載循環（ο η - 及瓦特數），（iii)雙極或單極能量傳送以及（ iv )注入媒介物傳送，包含流動率及壓力。這些程序變數 被控制及改變，而保持所要的電力傳送不受電壓或電流之 改變所影響，根據於感應器3 6所監督之溫度。 現在參考圖2 1 ，電流感應器7 4及電壓感應器7 6 被連接至一類比放大器9 0之輪入。類比放大器9 0可爲 一種使用以感應器3 6之傳統的差動放大器電路。類比放 大器9 0之輸出由一類比多工器4 6而被接續地連接至A / D轉換器9 2之輸入。類比放大器9 0之輸出爲代表個 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS)A4規格（210*297公爱） 請 先 閱· 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫裝 本^ 頁I f I 1 I I I I 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 446566 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（21 ) 別感應的溫度之一電壓'^數位化放大器輸出電壓藉由A / D轉換器9 2而被供應至一微處理器9 6。微處理器9 6 可以是摩托羅拉所製造之模型序號6 8 H C I I 。然而， 將瞭解其任何適當的微處理器或一般用途之數位或類比電 腦可被使用以計算阻抗或溫度。 微處理器9 6依序地接收並儲存阻抗及溫度之數位表 示。每個由微處理器9 6所接收之數位値對應一不同的溫 度及阻抗。 計算之電力及阻抗値可被指示於使用者介面及顯示 8 0 »另外，或者除了電力或阻抗之數字指數外，所計算 之阻抗及電力値可藉由微處理器9 6而被比較與電力及阻 抗限制。當這些値超過預定之電力或阻抗値時，則一警告 可被提供於使用者介面及顯示8 0上，且額外地，R F能 量之傳送可被減少、修改或中斷。來自微處理器9 6之一 控制信號可修改由能量源4 0所供應之電力位準。 本發明之一較佳實施例的前述說明已被呈現，以作爲 說明及解釋之用。其並非爲了詳細列出或者限制本發明於 所揭露之明確形式。明顯地，許多修改及變異對於本技術 之從事者而言將是很明白的。本發明之範圍欲由接續之申 請專利範圍及其同等項所界定。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公« ) -----------Θ裝--------訂---------線二 (請先ftr讀背面之注意事項再填寫本頁) -24-

Claims (1)

1. 446566 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 六、申請專利範圍 1 . 一種細胞壊死裝置，包括： 一具有足夠尖銳以穿透組織之末端的引入器；以及 一能量傳送設備，包含一第一組R F電極及一第二組 r F電極，其第一及第二組之每個R F電極具有一組織刺 穿末端且可被置於引入器中，當引入器被推進通過組織時 ，第一及第二組R F電極可展開以彎曲自引入器，其中第 二組R F電極可展開一較大距離自引入器’相較於第一組 R F電極- 2 .如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包括： 一具有一組織_穿末端之可展開構件，可展開構件可 置於引入器中（當引入器被推進通過組織），可展開構件 可展開自引入器以較第一及第二組R F電極爲小的彎曲。 3 .如申請專利範圍第2項之裝置，其中可展開構件 之至少一部分爲一R F電極。 4 .如申請專利範圍第2項之裝置，進一步包括： 一耦合至可展開構件之一末梢部分的感應器。 5 .如申請專利範圍第3項之裝置，進一步包括： 一耦合至可展開構件之一末梢部分的感應器。 6 ·如申請專利範圍第2項之裝置，進一步包括： 一被置於可展開構件之一外部的絕緣器》 7 ·如申請專利範圍第3項之裝置，進一步包括： --被置於可展開構件之至少一部分的絕緣器。 8 如申請專利範圍第1項之裝置，其中第一及第二 組R F電極之至少一部分R F電極具有一非圓形的橫段而 本紙依尺度適用中國國家標準（CNSJA4规格（210x297公釐〉 (請先1閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂i --線 _ -25- 446566 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 幾何形狀》 9 如申請專利範圍第8項之裝置，其中非圓形之橫 段面幾何形狀包含一寬度及一長度，其中長度大於寬度。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中第一及第 二組R F電極之至少一部分R F電極具有一非圓形的橫段 面幾何形狀，此幾何形狀具有可被超音波觀看之一足夠的 外部表面積。 1 1 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中第一及第 二組R F電極之至少一部分R F電極具有其爲超音波可觀 看之一組織刺穿末端。 1 2 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中第一及第 二組R F電極之至少一部分r F電極具有一組織刺穿末端 ，此組織刺穿末端具有至少2 5 ·之一切角。 1 3 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中第一及第 二組R F電極之至少一部分r f電極具有一組織刺穿末端 ’此組織刺穿末端具有至少3 0 ·之一切角。 1 4 .如申請專利範圍第2項之裝置，其中可展開構 件之組織刺穿末端爲超音波可觀看的。 1 5 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中可展開構 件之組織刺穿末端具有至少2 5 ·之一切角。 1 6 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中可展開構 件之組織剌穿末端具有至少3 0 ·之一切角。 1 7 ·如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包括： —耦合至第一及第二組R F電極之一R F電極的墊片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210x297公爱） (靖先、閲讀背面之注意事項再填寫本頁) )裝-------- 訂 -----線 ιγ. 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 26 - 44656 A8 B8 C8 D8 /、、申δ青專利紅圍 構件。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之裝置，其中墊片構 件可推進自引入器。 1 9 ·如申請專利範圍第1 7項之裝置，其中墊片構 件可推進自其具有r F電極之引入器。 2 0 .如申請專利範圍第1 7項之裝置，其中墊片構 件包含一 R F絕緣，其電地隔絕r f電極自墊片構件。 2 1 .如申請專利範圍第2 〇項之裝置，其中墊片構 件之至少一部分爲一 r F電極。 2 2 ·如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包括： 一耦合至能量傳送設備之第一感應器。 2 3 .如申請專利範圍第1項之裝置.，進一步包括： 耦合至第一組R F電極之一電極的一個第一感應器及 一個第二感應器。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之裝置，其中第一及 第二感應器被耦合至電極的不同外部表面位置。 2 5 .如申請專利範圍第2 3項之裝置，進一步包括 一耦合至第二組R F電極之一電極的第三感應器。 2 6 _如申請專利範圍第2 5項之裝置，進一步包括 一耦合至第二組R F電極之一電極的第四感應器。 2 7 .如申請專利範圍第2 5項之裝置，其中第三及 第四感應器被耦合至電極的不同外部表面位置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 X 297公釐） <請先1閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >裝-------- 訂---------線丨 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -27- -446566 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 六、申請專利範圍 2 8 .如申請專利範圍第2 3項之裝置，進—步包括 耦合至第二組R F電極之一電極的不同外部表面位置 之一第三感應器及一第四感應器。 2 9 .如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包括： 一耦合至第一組R F電極之一第一電極的第感應器 以及一耦合至第一組R F電極之一第二電極的第二感應器 〇 3 0 ·如申請專利範圍第2 9項之裝置，進步包括 一耦合至第二組R F電極之一第一電極的第三感應器 。 蟑 3 1 .如申請專利範圍第3 0項之裝置’進一步包括 —耦合至第二組R F電極之一第二電極的第四感應器 0 3 2 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中第一組 RF電極包含一第一電極及一第二電極，而第二組R F電 極包含一第三電極及一第四電極。 3 3 .如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包括： 一被置於第一組R F電極之一第一電極的一個外部表 Ϊ5ΐ上的第一絕緣構件。 3 4 .如申誚專利範圍第3 3項之裝置，進一步包括 本紙張尺度適用117國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公# > ---------------------訂---------線 —Y (請先έ讀背面之注意事項再填寫本頁) -28- 446566 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 —被置於第一組R F電極之一第二電極的一個外部表 面上的第二絕綠構件。 3 5 ·如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包括： —耦合至第一組R F電極之一第一電極的第一絕綠構 件’此第一絕緣構件包含一第一絕緣部位（其延伸於第一 電極之一第一外部位置周圍），及一第二絕緣部位（其延 伸於第一電極之一第二外部位置周園），第一電極具有被 置於第一與第二絕緣部位之間的一個活性能量傳送表面 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之裝置，進一步包括 一耦合至第一組R F電極之一第二電極的第二絕緣構 件’此第二絕緣構件包含一第一絕緣部位（其延伸於第二 電極之一第一外部位置周圍），及一第二絕緣部位（其延 伸於第二電極之一第二外部位置周圍），第二電極具有被 置於第一與第二絕緣部位之間的一個活性能量傳送表面。 3 7 .如申請專利範圍第3 6項之裝置，進一步包括 一稱合至第二組R F電極之一第一電極的第三絕緣構 件，此第三絕緣構件包含一第一絕緣部位（其延伸於第一 電極之一第一外部位置周圍），及一第二絕緣部位（其延 伸於第一電極之一第二外部位置周圍），第一電極具有被 置於第一與第二絕緣部位之間的一個活性能量傳送表面。 3 8 ·如申請專利範圍第3 7項之裝置，進一步包括 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐> (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂·1 線二 -29- 0^8008 ABaD 446566 々、申請專利範圍 .一耦合至第二組3R F電極之一第二電極的第四絕緣構 件’此第四絕緣構件包含一第一絕緣部位（其延伸於第二 電極之一第一外部位置周圍），及一第二絕緣部位（其延 伸於第二電極之一第二外部位置周圍），第二電極具有被 置於第一與第二絕緣部位之間的一個活性能量傳送表面 3 9.如申請專利$g圍弟1項之裝置，進一步包括： 一耦合至第一組R F電極之一第一電極的第一絕緣構 件’此第一絕緣構件延伸沿著第一電極之一第一縱向外部 表面並留下一非絕緣的活性能量傳送表面（其延伸沿著第 一電極之一第二縱向外部表面）。 4 0 .如申請專利範圍第3 9項之裝置，進一步包括 閱· 讀 背 之 注 項 再 填 w· ϊ r 頁 訂 電極的第二絕緣構 耦合至第一組R F電極之 件，此第二絕緣構件延伸沿著第二電極之一第一縱向外部 表面並留下一非絕緣的活性能量傳送表面（其延伸沿著第 二電極之一第二縱向外部表面）。 4 1 .如申請專利範圍第4 0項之裝置’進一步包括 一耦合至第二組R F電極之一第一電極的第三絕緣構 件，此第三絕緣構件延伸沿著第一電極之一第一縱向外部 表面並留下一非絕緣的活性能量傳送表面（其延伸沿著第 一電極之一‘第縱向外部表面）。 4 2 .如申請專利範圍第4 1項之裝置’其中第—、 第二及第三絕緣構件各被放置以朝向一所選定組織位置之 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中0困家標準（CNS)A4規格（210X297公« > -30- 446566 8888 ABaD 經濟部智慧財產局員X消費合作社印製 六、申請專利範圍 —中心軸。 4 3 .如申請專利範圍第4 1項之裝置，其中第一、 第二及第三絕緣構件被放置以背向一所選定組織位置之一 中心籼。 4 4 .如申請專利範圍第4 1項之裝置，進一步包括 一糊合至第二組R F電極之一第二電極的第四絕緣構 件’此第四絕緣構件延伸沿著第二電極之一第一縱向外部 表面並留下一非絕緣的活性能量傳送表面（其延伸沿著第 二電極之一第二縱向外部表面）。 4 5 .如申請專利範圍第4 1項之裝置，進一步包括 一耦合至第二組R F電極之一第二電極的第四絕緣構 件’第二絕緣構件延伸沿著第二電極之一第一縱向外部表 面並留下一非絕緣的活性能量傳送表面（其延伸沿著第一 電極之一第二縱向外部表面）。 4 6 .如申請專利範圍第4 5項之裝置，其中第一、 第二、第三及第四絕緣構件各被放置以朝向一所選定組織 位置之一中心軸。 4 7 .如申請專利範圍第4 5項之裝置，其中第一、 第二、第三及第四絕緣構件被放置以背向一所選定組·織位 置之一中心軸。 48 種細胞壞死裝置，包括： 一具有足夠尖銳以穿透組織之末端的引入器：以及 本紙張尺度適用中S國家標準（CNS>A4规格（210 K 297公釐〉 (請^閱讀背面之注4事項再填寫本頁) > 一裝 ----1---------線， -31 - A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一·能量傳送設備，包含一第一R F電極、一第二R F 電極及一第三R F電極，每個第一、第二及第三R F電極 具有一組織刺穿末端且可被置於引入器中，當引入器被推 進通過組織時 > 第一及第二R F電極可選擇性地展開以彎 曲自引入器至一組織位置，第三RF電極可展開自引入器 以較第一及第二R F電極爲小的彎曲。 4 9 ·如申請專利範圍第4 8項之裝置，進—步包括 —具有可置於引入器之一近端部分之一近端部分的可 滑動構件：以及 一被置於引入器之近端部分的電極接觸構件。 5 0 .如申請專利範圍第4 9項之裝置，其中電極接 觸構件被耦合至能量傳送設備。 5 1 如申請專利範圍第5 0項之裝置’其中可滑動 構件包含一耦合至可滑動構件之感應器。 5 2 .如申請專利範圍第5 1項之裝置，其中感應器 可嚙合與電極接觸構件以耦合一能量源至能量傳送設備° • 5 3 .如申請專利範圍第4 8項之裝置，其中第三電 極可基本上無彎曲地展開自引入器。 5 4 ·如申請專利範圍第4 8項之裝置’進步包括 一耦合至第一組R F電極 '第二組& F電極及第三組 RF電極之RF電極推進構件。 55 . —種細胞壞死裝置，包括： 本紙張尺度適用中囷因家標準（CNS>A4规格（210* 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) W裝--------訂----- 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 446566 齡 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 々、申請專利範圍 -具有足夠尖銳以穿透組織之末端的引入器：以及 一能量傳送設備，包含一第一 R F電極及一第二R F 電極，其各具有一組織刺穿末端且可被置於引入器中，當 引入器被推進通過組織時，第一及第二R F電極可選擇性 地展開以彎曲自引入器至一·組織位置： 一可展開構件，此可展開構件具有一組織刺穿末端且 可被置於引入器中，當引入器被推進通過組織時，此可展 開構件可展開自引入器以較第一及第二R F電極爲小的_ 曲；以及 一耦合至可展開構件之感應器》 5 6 如申請專利範圍第5 5項之裝置，其中感應器 被置於可展開構件之一未梢部分。 5 7 ,如申請專利範圍第5 5項之裝置，其中感應器 被置於可展開構件之一末端。 5 8 如申請專利範圍第5 5項之裝置，進--步包括 —耦合至第一及第二R F電極之推進構件。 5 9 .如申請專利範圍第5 8項之裝置，其中推進構 件被耦合至可展開構件。 6 0 ,如申請專利範圍第5 5項之裝置，其中可展開 構件是R F電極。 6 1 .如申請專利範圍第5 5項之裝置，其中可展開 構件是接地墊電極。 I 6 2 .如申請專利範圍第5 5項之裝置，其中能量傳 本紙張尺度適用中國Η家標準（CNS)A·!規格（210x297公釐） (靖先fia*«背面之注意»項再填寫本頁) > _裝 訂---------線- -33- 88 88 ABCD 446566 六、申請專利範圍 送設備以單極方式操作。 6 3 .如申請專利範圍第5 5項之裝置，其中能量傳 送設備以雙極方式操作。 ------------")裝--------訂---------線-.Y (請先Ks«i*背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34-