TW441125B - Semiconductor device providing over voltage and over current protection for a line - Google Patents

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TW441125B
TW441125B TW089106615A TW89106615A TW441125B TW 441125 B TW441125 B TW 441125B TW 089106615 A TW089106615 A TW 089106615A TW 89106615 A TW89106615 A TW 89106615A TW 441125 B TW441125 B TW 441125B
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Claims (1)

  1. Λ/
    0^615號專利申請案 專利範圍更正本(90年10月） g》年/〇月巧曰更正 A8 B8 申請專利範圍 ΐ〇Λ 終 填睛蚕員明治，本案一^^後是否變更原實質内 1. 一種對一導線提供過電壓及過電流保護之積體丰導體 裝置，該積體丰導體裝置包含: 一陰極、陽極及閘極端； 該半導體裝置之多個半導體區，當一過電壓加之於 該陰極與陽極端之間時，不論閘陰極電流之大小，其 安排可對該導線提供過電壓保護； 一電阻，由一半導體材料構成，位於該閘極端輿陰 極端之間；及 該丰導體裝置之多個半導體區，當超出一特定臨界 之導線電流通過該閘極及陰極端之間之半導體材料所 形成時，其安排可對該導線提供過電流保護，且當超 過該特定臨界時，該半導體裝置受驅入成導通狀態， 其時陰陽極電壓之大小為低的。 2. 如申請專利範圍第1項之積體半導體裝置，其中該陰 陽極電壓之大小是低於約3伏特。 3. 如申請專利範圍第1項之積體半導體裝置，當包含組 合該導線，且其中該半導體裝置之閘極及陰極端與該 導線成_聯連接。 4. 如申請專利範圍第3項之積體丰導體裝置，其中該：£_ 導體裝置之陽極端係接到電路共同點。 5·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該半導體 材料之電阻與該導線串聯，當該半導體裝置在截斷狀 態時用以限制在該導體中之電流，並響應一超過經該 半導體材料構成之電阻之該等定臨界之電流而將該£ 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） >5 as B8 C8 _____ D8 、申請專利範圍 裝置驅入導通狀態。 6·如申請專利範圍第.5項之I體丰導體裝置，其中該半 導體材料槿成之雷阻是低於約20歐姆。 7·如申請專利範圍第1項之遗JI半導體裝置，其中該半 導體裝置響應一超出約180毫安培之閘陰極電流而受 觸發成導通狀態。 8·如申j青專利範圍第1項之盘1半導體裝置，其中該半 導體裝置可在四個象限中對該導線提供過電流保護之 操作。 9·如申請專利範圍第8項之t體一半導體裝置，其中用以 導通該半導體裝置之閘陰極電流在所有四個操作象限 中約為相同之大小。 10·如申請專利範圍第1項之毯1半導體裝置，其中該裝 置係與一電話線路導線耦合以對其提供過電流及過電 壓保護。 11·如肀請專利範圍第1項之一瘦^半導體裝-置，其中所製 成之該裝置具有實際上與該裝置之交換電流相同大小 之特定保持電流。 12·如申請專利範圍第U項之瘦^半導體裝置，其中該保 持電流是大於該導線上所載之交流及直流資訊信號電 流。 13·如申請專利範圍第12項之盘^半導體裝置，其中該導 線包含供以直流線路電流之電話線路，且其中續半導 體裝置之保持電流是大於該電話線路之直流線路電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 流。 14’如申請專利範圍第1項之積體—半導體裝置，其中該裝 置係封裝成一提供過電流及過電壓保護功能之三端裝 置。. 一 15· 一種用於保護電話線路設備免遭過電壓及過電流狀況 之致A半導體模組，包含·· 一導體材料中形成之第一雙向載流裝置，該 第雙向載流裝置包含一陽極、一陰極及一閘極，並 響應於在陽極與陰極間特定大小之過電壓以將該第一 雙向裝置驅入導通狀態； 一在一半導體材料中形成之第二雙向載流裝置，該 第二雙向載流裝置包含一陽極、一陰極及一閘極，且 實際上與該第一雙向載流裝置有相同之操作； 一在該半導體材料中形成並連接至該第一雙向載流 裝置之該閘極與該陰極之第一電阻，該第一電阻係選 定在當一預定的過電流值在一電話線路尖塞端導線與 一用戶設備尖塞端導線間流過時用以觸發該第一雙向 載流裝置之值；及 一在該半導體材料中形成並連接至該第二雙向載流 裝置之該閘極與該陰極之第二電阻，該第二電阻係選 定在當一預定的過電流值在一電話線路振鈐導線與一 用戶設備振鈐導線間流過時用以觸發該第二雙向載流 裝置之值。 16·如申請專利範圍第15項之通1半導體模組，其中該第 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 斗州〆S B8 C8 ----- —___— D8 六、申請專利範圍 及第一電阻貫質上為相等的，因而對搞合之電話線 路提供縱向平衡。 17·如申請專利範圍第16項之瘦^半導體模组，其中該等 電阻各在2-20歐姆之範圍。 18.如申請專利範圍第16項之積體半導體模組，其中該等 電阻係由在該半導體材料中個別之掺雜半導體區所形 成。 19·如申請專利範圍第15項之逸^半導體模組，其中該第 一及第二雙向載流裝置包含個別之tHac，其構造使其 響應約180毫安培或更高之過電流狀況而驅入傳導。 2〇·如申請專利範圍第15項之疲^半導體模組，其中該第 一及第二雙向載流裝置之形成使得各該雙向載流裝置 響應一過電流惟不會受到該特定大小的過電壓，而可 受觸發成導通狀態。 21·如申請專利範圍第2〇項之積體半導體模組，其中該第 一及第二雙向載流裝.置之形成使得當該特定大小的過 電壓狀況加之於該等裝置時，使得其等受觸發成個別 足導通狀態，而將電流注入該等個別之閘極，將不會 受觸發成導通狀態。 曰 22·如申清專利範圍第15項之盘體半導體模組，其中該第 一及第二雙向載流裝置之結構使得起初該第二雙向載 流裝置響冑電話線路的一料線上之㊣電流狀況而將 觸發成導通狀態，且其後該第一雙向載流裝置響應該 過電流狀況將受觸發成導通狀態。 β -4 ·
    23·如申請專利範圍第22項之盘^半導體模組，其中在該 •第一及第二雙向載流裝置兩者受驅動成個別之導通狀 態後，在過電流狀況期間，僅該第一雙向載流裝置將 保持在導通狀態，而縱然在過電流狀況仍存在之情 況，第二雙向載流裝置將截斷。 24·如申請專利範圍第15項之瘦^半導體模組，其中該第 一雙向載流裝置之陽極係連接至該第二雙向載流裝置 之陽極。 25·如申請專利範圍第15項之半導體模組，其中各該 第一及第二雙向載流裝置之陰極及閘極與一電話線路 個別之導線_聯相接，以對該電話線路之兩導線提供 過電壓及過電流保護。 26·如申請專利範圍第25項之盘半導體模組其中該等 電阻是與一電話線路個別之導線成串聯。 27·如申請專利範圍第15項之積體半導體模組，其中對一 電話線路保護器該模組包含五支模組腳。 28·如申請專利範圍第27項之遵i半導體模组其中該模 組包含一基座，該等模組腳安裝於其中，且該第一及 第二雙向載流裝置係電氣地接至該模組腳。 29·如申請專利範圍第28項之致^半導體模組，尚包含一 安置在該基座上之印刷電路板，該印刷電路板具有各 接至一個別模組腳之多個導電路徑，且其中該第一及 第二雙向載流裝置係安裝至該印刷電路板之導電路 徑。
    A8 B8 C8 D8 --- 、申請專利範圍 30·如申請專利範圍第28項之盘^半導體模組，其中該第 一及第二雙向載流裝置為安裝至該印刷電路板之唯一 組件。 31· —種對一導線提供過電壓及過電流保護之積良半導體 裝置，該半導體裝置包含： 一具有一陰極接點、：二陽極接點及一閘極接點之半 導皲晶片； 一在該半導體晶片中形成之過電壓保護裝置，該過 電壓保護裝置係製成當一特定破壞電壓大小之過電壓 加在該陰極接點與遂^陽極接點之間時，該過電壓保護 裝置受驅動成導通狀態以在該陰接點極與陽極接點間 提供一電流路徑；及 該過電壓保護裝置尚製成對該導線提供過電流保 護，包括一與該閘極及陰極接點相關、之半導體電阻， 使得當一超過一特定臨界之電流在該導體流過並經過 該半導體電阻時，閘陰極接面受順向偏壓，且該過電 壓保護裝置被驅入導通狀態。 32·如申請專利範圍第31項之韻1半導體裝置，其中對於 保護一電話線路導線之使用，該過電壓保護裝置係製 成可供大於電話線路導線用之尖辛振铃電壓之該特 定破壞大小。 33·如申請專利範圍第31項之盘半導體裝置，其中對於 保護一電話線路導線之使用，該過電壓保護裝置係製 成具有大於電話線路導線上所載文流及直流資訊信號 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) Α4規格(210 X 297公釐）
    A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 之保持電流。 34· ·如申請專利範圍第31項之積體半導體裝置，其中該特 定破壞复^大小係由形成多個既定摻雜物位準之埋入 麁所建立。 35·如申請專利範圍第31項之積體丰導體裝置，其中該半 導體裝置係以對應於陰極瘥y占、陽極接點及閘極接點 之三“端封裝，以提供過電壓及過電流保護，而不須使 用連接至三個包裝端之附加外部組件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4規格(210 X 297公爱)
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