TW418550B - Compound semiconductor laser diode and method for fabricating the same - Google Patents

Description

> 4 18 5 5 0 五、發明說明（1) 一一 發明背景 ;發明領域 : 本發明之發明領域係有關於雷射二極體，尤其是化合 !物半導體雷射二極體及其製造方法’其具有改進的雷射性 I能及改進的可靠度。 習知技術之背景說明： 因為來自雷射二極體的雷射束其頻寬相當窄且方向性 極高，所以在光通訊，多向通訊及空間通訊上多使用雷射 二極體。光通訊中一項重要的應用為光碟，其中現在的精 密光碟及可讀寫光碟裝置均需要優良的雷射二極體，可具 有相當大的平行遠場肖度（parallel far field angle)， 可在低電流下振堡，且可通過長的生命周期之操作測試。 ! 習知技術中的GaN半導體雷射具有相當簡單的背脊結. 構（ridge structure) ’其結構提供在GaN基體上長成的多 ;廣雷射結構晶體及在其上長成的p型電極。圖1示習知技術 之GaN半導體雷射區域。 現在請參考圖1，習知技術中的GaN半導體雷射進行由 |多層晶體層形成的背脊結構，如η - A1 G a N / G a N電流護套層 i 2，InGaN活化層3，p-AiGaN/GaN護套層4，及在GaN基體1 ：上的pGaN電極層6，在振盪方向蝕刻晶體平面的一部位， ；且由絕緣臈5定義電流路徑。然後，在背脊上形成ρ型電極 7 ’且在基體1下方形成η型電極8以完成雷射二極體的製 L.

第5頁 4 18550 五、發明說明（2) 造 ° 但是，上述結構只可放射雷射，而在裝置操作上卻有 多項問題產生，如使用如光碟之光源上的平行遠場角度， 在藍光雷射之襄置可靠度的應用上尤其重要。下文將說明 習知技術之化合物半導體雷射二極體結構上的缺點。 第一項缺點為雷射之平行遠場角度的控制。圖2示習 知技術之半導體雷射的光場分佈及遠場角度之間的關係。 現在請參考圖2 ’ 一般雷射的平荇遠場角度θρ與光場分佈 9之水平長度％成反比，即。因此，一般半導體 雷射的平行遠場角度θρ小於正常的遠場角度θη。例如， 一用於CD-ROM的780 nm半導體雷射之平行遠場角度<9ρ對正 常遠場角度0η的比率約為1 :3，其本質上係為不對稱 的。與圖3比較下，習知技藝的GaN半導體雷射具有較大之 光場分佈之水平長度％，此係因為活化層的光場分佈j 〇由 現在擴散分佈Π而決定，且可更進一步減少雷射的平行遠 場角度，而使得平行遠場角度對正常遠場角度之比率比一 般的半導體雷射還差’而影響光碟系統中的光系統。例 如，但是習知技術GaN半導體雷射的平行遠場角度之差異 多多少少與背脊寬度有關’但是與用sCD_R〇M之雷射二極 ，（大約U。）比較下，習知技術GaN半導體雷射的平行遠 :角度非常小。所以習知技術背脊結構的化合物半導體雷 射二極體存在一項⑽’即平行遠場角度很難做得很大。 第二項缺點為電阻上的問題。在習知技術GaN半導體 雷射的例子中，為了符合同一時間低電流操作及大的平行

第6頁 ^18550 五、發明說明（3) =角度的需要’必需使得P型電極達到最小。但 果要使P型電極達到最小，由於電極金屬及半導體之 二Ϊ的2面積將使得半導體及金屬#觸電阻急劇增：。 阻將SI義接觸電限為每單位時間及單位面積中的電 阻變差，但是使得㈣半導體雷射的_接觸電 =差。由於平行遠場及正常平行角度的具意義的對稱性 ，習知技術中的化合物半導體雷射二極體很難 目' ^碟的光源。最後，習知技術化合物半導體雷射二極 骽二有—不利的問題，即活化層的*寬度較小，以提供較大 的平行遠場角度，將形成較小的電極考量，而產生電阻問 題且將電極區域製造报較大也減少電阻，而增加活化層 的寬度，如此將減少平行遠場角度。 發明概述 因此’本發明的目的係提供一種化合物半導體雷射二 極體及該化合物半導體雷射二極體的製造方法，其實際上 可解決由於習知技術的限制及缺點所產生一或多項問題。 本發明的另一目的係提供一種化合物半導體雷射二極 體及其製造方法，其可而且平行遠場角度，且減少操作及 熱電阻’因此可在低電流下操作。 由下文中的說明可更進一步了解本發明之特徵及優點’閱 讀時並請參考附圖。 為了到達上述本發明的目的中的優點’本發明中提供

第7頁 418550 五、發明說明（4) — —---—------------------------- -種化合物半導體雷射二極體，包含：第一導電型式基 體：在該第-導電型式基體上形成的第一導電型式護套 ^在忒第V電型式護套層上形成的活化層；在該具有 部之活化層上形成的第二導電型式護套層；至少一層第 -導電型式電流封鎖層’位在該脊部兩側上的第二導電型丨 式濩套層1 ;在該第二導電型式護套層上形成的第二導電 型式電極層；以及在該第一導電型式基體及第二導電型式 電極層下方及上方形成的對應電~極。 在本發明的另一設計理念中，，本發明提供.一種用於 製造化合物半導體雷射二極體的方法，包含下列步驟： (1)在η型GaN基體上依序形成—n型A1GaN/GaN護套層，一 InG.aN活化層，一p型A1GaN/GaN護套層，及一 ^GaN電極 層，（2)在p型GaN電極層的一區域上形成絕緣膜圖樣；I 使用絕緣膜圖樣作為p型GaN電極層及p型A1GaN/GaN護套層 中蝕刻部位的光罩；（4)在蝕刻的p型A1GaN/GaN護套層中 至少开> 成一層η型G a N電流封鎖層；（5 )在包含n型g a n電流 封鎖層的整個表面上去除絕緣膜且形成一p型GaN電極層； 以及（6)分別在η型GaN基體的下方及p型GaN電極層的上方 形成電極。 i [ 在本發明的另一設計理念中’本發明提供—種用於製| 造化合物半導體雷射二極體的方法，包含下列步驟：（1) 在η型GaN基體上依序形成一 η型AlGaN/GaN護套層，一 InGaN活化層’一p型AlGaN/GaN護套層，及一p型GaN電極 層；（2)在p型GaN電極層的一區域上形成絕緣膜圖樣；（3)

1 418550 ' ------------------------------- ---------------------— i 五 '發明說明（5) — |使用絕緣膜圖樣作為p型GaN電極層及p型AlGaN/GaN護套層 |中勒ί刻部位的光罩；（4)在蝕刻的p型AlGaN/GaN護套層中 I至少形成一層η型GaN電流封鎖層；（5)在包含η型GaN電流 I封鎖層的整個表面上去除絕緣膜且形成一 p型電極層；以 及（6)在η型GaN基體的下方形成η型電極。 圖式之簡單說明 由下文中的說明可更進一步了*解本發明之特徵及優 I點’閱讀時並請參考附圖，文中在實施例及說明係用於解 1釋本發明的原理。 各圖中： 圖1示習知技術中GaN半導體雷射之一區域； 圖2示習知技術之半導體雷射中的光場分佈及遠場負 | 度之間的關係； ! ! 圖3示在圖1之半導體雷射之活化層中的光場分佈； 圖4示依據本發明第一實施例之GaN半導體雷射之一區 域； 圖5示圖4之之GaN半導體雷射的電子路徑； 圖6示圖4之GaN半導體雷射活化層中的電流路徑及光 場分佈； 圖7示圖4之GaN半導體雷射中活化層的水平及垂直光 i場分佈； 圖8示圖4中GaN半導體雷射的活化層之量子井；

第9頁 418550 五、發明說明（6) 圖9示圖4之GaN半導體雷射中電流遮層的不同結合； 圖10示圖4之GaN半導體雷射封裝； 圖11a〜Ilf示圖4中用於製造GaN半導體雷射的方法之 步驟； 圖1 2示依據本發明之儲存較佳實施例中的GaN半導體 雷射區域； 圖13a〜13ί示圖12中用於製造GaN半導體雷射的方法 之步驟；以及 ' 圖14示圖1 2之GaN半導體雷射封裝。 圖號說明 η 型AlGaN/GaN 33 InGaN/GaN 活化層 34 ρ型AlGaN/GaN護套層 35 電流封鎖層 36 ρ型電極 38 η型電極 39 較佳實施例之詳細說明： 下文將說明本發明之實施例，並請參考附圖。本發明 中提出一種GaN半導體雷射二極體，其可符合用於光碟之 光源的規格。對於作為光碟之光源的雷射二極體，其必需

第10頁 4^6550 ~~—____________ 五、發明說明（7) — 一 : 符合下列情況。 ^ 第一’雷射束之平行遠場角度相當，當角度愈大時， 田射二極體的性能愈好。 第二’電極區域應相當大以使得金屬的半導體之間的 接觸電阻達到最小。 第二’表面需包含電極，此電極完全可帶動一活化層 丨 部位’而產生更多的熱，使得當雷射體組裝時，容易放出| 熱，且改進整個裝置的可靠度。t | 為了符合上述情況’該直接之*設計可如圖4所示。一 ! 了般的GaN半導體雷射p —^二極體結構，且具有光結構其係丨 電子及電洞可從對應nSAlGaN/GaN護套層33及ρ型

AlGaN/GaN護套層35中釋放至lnGaN/GaN活化層34以作用成 光’其中基本上AlGaN/GaN護套層33及35用於形成限制電 子及電洞進入活化層34的電柵。 但是，如圖4所示，本發明的GaN半導體雷射具有11型.

GaN電流封鎖層36，此層只插入活化層34中 I 護套層35中，而在達到亮戲3之電流流動區 以防止電流流過，所以可供應最小電流予活化層34。如圖 5所示’本發明的GaN半導體雷射結構使用—項原理，即電 流流過通過活化層區域（I區域）之動作如一二極體，i 使得有電流封鎖層之區域（Π區域）為p-n-p往槿， 止電流通過其上’即如圖6所示，甚至因為可供活：;方 之區域限制為部位％，其部位由電流封鎖層定義成電流流| 動區域’考量電流將注入雷射二極體的整個區域，注入活

第11頁 4 18550 :五、發明說明（8) 〜一 ;化層的電流只限制在一比習知技術還小的區域W4。 本發明之GaN半導體雷射結構不只對於雷射的遠場角 丨 度產生更大的平行度，但是也允許使用雷射二極體電極的 i 整個表面’因此減少動作的雷射接觸電阻，所以可確定雷i 射二極體可此係可靠且穩定的操作。此雷射二極體電極整i ；佃表面的使用活化層部位產生更多的熱，此熱接近金屬封i 裝’因此可允許簡化散熱產生。下文說明決定電流封鎖層 i 的電特性。首先，通過電流的寬1W3約為1〜6 μ m ,第二 ！ 點係η型滲雜濃度約〇. (H〜9 X 1 0i8 /cm3，且第三點係厚度 !約 〇 , 0 5 〜2 # m。 本發明的電流封鎖層限制活化層中的光場分佈，而非 電流封鎖區域。當由電流注入，而從活化層中放射出光 ：時，依據活化層及護套層中的反射係數，在電流的方向中！ !決定光的光場分佈D圖7說明在圖4之GaN半導體雷射中活 化層内的水平及垂直光場分佈的強度。已知因為雷射活化 層的反射係數操作雷射所需要者，此係因為對於操作雷射 時，雷射活化層的必需要有相當高的反射係數。在定義電 流封鎖層的反應區域附近，光場分佈5 1不只來自分佈從活i 化層之側向的光場分佈，而且來自由從電流流動區域之擴 散電流所致之活化層。如果設計電流封鎖層的能帶隙於小 在活化層中所產生之雷射束之帶隙能量，在活化層中之反 應區域外的光場分佈可由電流封鎖層所吸收，其可大大地 限制電流通道外側的光場分佈，以相當地改進平行遠場角 度。在控制光場分佈的例子中’可不只由單層的η型GaN成

第12頁 418550 :五、發明說明（9) | ! j電流封鎖層，而且也可以由多層I j^Ga^N/GaN或 i | GaN/ InxGaHN/GaN形成該電流封鎖層，兩者均包含inGaN， | 1因為此〗nGaN的能帶隙可吸收來自的活化層光。此時在 i ! InxGaHN中In的成份X應大於InGaN之活化層中有效In成 |份，使得來自活化層的光可被吸收。 ! 包含I nGaN的電流封鎖層具有如下的設計： 當電流封鎖層包含I nx Ga^x N時，I η成份X需大於開始 丨_ Ir^Gai—nN中的In成份Υ2，該Ir^G^wN對應來自活化層 | 丨（Ir^GaHj的1%/&1_21!^量子井）中所放射之光的能帶隙， | |如圖8所示’ 一般量子井的活化層結構為Ir^Ga!— | | Y1 WI nz! N結構。依據量子井的基本原理’來自活化層 | :的光為實際者，而非對應量子井I nY1 N中I η成份Y1的 能帶隙之光放射，而是對應I η成份Υ 2之能帶隙的光放射， I η成份Υ2小於量子井I ηγ2 Ν中的Υ1。因此’如果在電 流封鎖層I nx G a1-x N中的I η成份X大於對應放射光之能帶隙的 i In成份Υ2 ’則電流封鎖層inxGai_xN玎吸收光。 例如’顯示I n G a N的能帶隙去除In成份而減少。 可依據量子井電流而由此的Υ2應簡單下列式子 X 2Υ2， Υ2 = Υ 卜 ΔΥ(其中，0<Υ1<〇.8，〇·01<ΔΥ<0·2) ’ 0 <Z1 <0. 5 當電流封鎖層為多層時，可應用上述電性能範圍。對I !於通過電流封鎖層的寬度π約1〜6#^1’11型滲雜的濃度約 0. 01〜9x 1018/cm3，且厚度約〇· 05〜2. 〇 。如圖10所

第13頁 418550 五、發明說明（ίο) 一〜 -------- 示，本發明對於雷射二極體電極之整個表面的使用允呼活 化層部位在近金屬封裝處，對應更多的結 ，使得 熱可簡單的熱散出去。即近活化層㈣型電極側在因/屬使封得 裝上，以簡化熱釋放。雖然，當將熱從活化層經基底到金 屬封裝的釋出程序，關係技術的結構非常沒有效率（此係 因為熱移轉路徑太長之故），但是本發明的儲存可將埶從 活化層經p型電極向金屬封裝釋出，其路徨極短，所’以'可 允許雷射在商業上使用。 、 下文說明上述本發明之化合物·半導體雷射二極體的操 作’請參考附圖4。 ’、 當對η型電極39及p型電極38加壓時，兩者形成全表面 電極’注入電子及電洞’以在活化層34中再行結合，而放^ 出光來。為了光從活化層34中可結合地放射出來，電子及| 電洞必需在極小區域内再行結合D為了達到此目的，限制 電流通過的電流封鎖層36係在活化層34中由半導體所形 成，因此電流可蝕入活化層34中一極受限制的部位，^以 可有效地放射光。在活化層中從限制之光場分佈中放射的 光具有相當大的平行遠場角度，此係因為雷射的水平成份 反比於活化層中水平的光場分佈。 圓11a〜11F示用於限制圖4之GaN半導體雷射的方法之 步驟。 現在請參考圖11A， 體雷射的方法為：起初 AIGaN/GaN 護套層 33，一

本發明較佳實施例中製造半導 ,依序在η型GaN基體32中長成 InGaN 活化層 34 ’ -p型A1GaN/GaN

第14頁 418550 丨五、發明說明（li) Ί

I I 護套層35 ’及一p型GaN電極層37，且如圖11B所示，由微 |影技術，在P型GaN電極層37的一區域上形成Si02或8丨3化的| :絕緣膜圖樣40。絕緣膜圖樣4〇的寬度約1〜6 μ m。然後， ' :如圖1 1 c所示’在乾蝕刻p型GaN電極層3 7時，絕緣膜圖樣 | 40作為光罩使用’且部份蝕刻pSA1GaN/GaN護套層35。 此時’在钮刻留下p型A1 GaN/GaN護套層35的表面為GaN表 |面，且蚀刻後，p型AlGaN/GaN護套層35的厚度約0.05〜 i 〇.5ym。且，如圖lid所示，在蝕刻之p sA1GaN/GaN護套 ：層35上長成n SGaN電流封鎖層36的晶體。此時，η型GaN I電流封鎖層36的厚度約0.05至2.0 /zm，且n型滲雜濃度為 :〇 _ 0 1〜9 X 1 018 / cm3。然後，如圖i J e所示，去除絕緣膜圖 |樣40，且再度於n型GaN電流封鎖層36的整個表面上長成p !型GaN電極層37的晶體。此時，儘可能使濃度上升。且， 如圖Ilf所示’在p型GaN電極層37上沉積一p型電極38，且 η型GaN基體32的底部拋光。且，在n sGaN基體32的拋光扈 丨部形成η型電極39。當完成上述程序時，形成雷射振盪器 的鏡面’因此完成雷射二極體的製造。 圖1 2示依據本發明第二較佳實施例之GaN半導體雷 射，其中不由p型護套層35中插入電流封鎖層36，而是在 雷射活化層34之背部兩側形成電流封鎖層36。雖然此結構 的操作原理與具有電流封鎖層3 6之第一實施例的操作原理 丨相同，但是此結構可縮短製造製造程序，其中經由三次的 晶體Ή達到-完全的結構H由叫^及以 份V形成電流封鎖層3 6，其中v的範圍為〇 $ v $ i。如電流

第15頁 4 185 50 五、發明說明（12) i封鎖層36之厚度，滲雜濃度等的情況與第一實施例相同D 圖13a-13f示用於製造圖12iGaN半導體雷射的方法之 且圖1 3a〜1 3d的說明中將略去與實施例 步驟 Π d中相同的說明 現在請參考圖13e，去除絕緣膜圖樣40，在n型(JaN電 流封鎖層3 6的整個表面上形成p型電極3 8，且如圖1 3 f所 示’抛光η型GaN基體32的底部。在抛光之η型GaN基體32的 底部形成η型電極39。當完成上述程序時，可形成雷射振 盈益的鏡面，因此完成雷射二極體的製造。 在本發明第二實施例之G a ν半導體雷射二極體的製造 中，雖然p型電極中小的接觸面積導致在p型(^{^半導體及 :屬電極之間的接觸電阻相當大’但是電流只流動過活化 =的背部，所以可簡化維持低電流操作侑大的平行遠場角 度之作業。 丄如圖14所示，使用整個雷射的上表面作為金屬電 時了 屬封裝及雷射二極體使用焊接方式結合 叶將k供相當良好的結合力。 因此，因為在護套層中^7雷.;占, 中水平方βI & & s T的電抓封鎖層允許控制活化層 τ八十方向先場分佈的寬度，所、^ ^ ^ 得到改進，且因為全表面電極可使；角度將 觸電阻達到取小’所以可改進雷射的可靠产。 且因為平表面電極允許在兩 又 積。所W® 在田射的活化層部位進行沉

積所以在近金屬封裝處產峰鲂容 心1J 用雷射B 座生較多的熱，所以可製造出商

4 18 5 5 0 五、發明說明C13) 雖然文中已應較佳實施例說明本發明 者需了解可對上述實施例由化合物半導體 造，及用於製造本發明的方法加以更改及 本發明的精神及觀點，本發明本發明的精 請專利範圍所定義。 但嫺熟本技術 射二極體的製 更’而不偏離 及觀點係由申

Claims (1)

1. 418550 I六、申請專利範圍 I I 1· 一種化合物半導體雷射二極體，包含： i 第一導電型式基體； ! 在該第一導電型式基體上形成的第一導電型式護套 i 層； ! 在該第一導電型式護套層上形成的活化層； I 在該具有脊部之活化層上形成的第二導電型式護套 ； 層； | | 至少一層第一導電型式電流·封鎖層’位在該脊部兩側 !上的第二導電型式護套層上； - I 在該第二導電型式護套層上形成的第二導電型式電極| 1層；以及 I | 在該第一導電型式基體及第二導電型式電極層下方及 1上方形成的對應電極。 | 2.如申請專利範圍第1項之化合物半導體雷射二極體，ί 其中由GaN形成該基體，由AlGaN/GaN形成該第一及第二導 電型式護套層’而由GaN形成該第一導電型式電流封鎖層 及第二導電型式電極層。 i | 3_如申請專利範圍第1項之化合物半導體雷射二極 j體，其中只在該第二導電型式護套層上，或第二導電型式 護套層及第一導電型式電流封鎖層上形成該第二導電型式 電極層。 ； 4.如申請·專利範圍第3項之化合物半導體雷射二極 r 體，其中在只在第二導電型式護套層上形成第二導電型式 電極層下’在第二導電型式電極層及第一導電型式電流封

   第19頁 4 18 5 5 0 r、申諳專利範圍 鎖層上形成在第二導電型式電極層上 5.如申請專利範 /成的電極。 體，豆中口在繁也圍第3項之化a物半導體雷射二極 極層/第一：電型式護套層上形成第二導電型式電 電；：的式電流封鎖層的表面及第二導電塑式 復j衣®7叱位在同一高度處。 體專ΐ範圍第1項之化合物半導體雷射二極 。二以部寬度為…。 體’其中該第一導電型义雷巧抖/物半導體雷射二極 y 。 良式電'现封鎖*層的厚度為0. 05〜2_ 0 體ΛίΓΐΐΓ:圍第之化合物半導體雷射二極 〜9x i〇l8/cm3。1式電机封鎖層中㈣參雜濃度為0.01 «--VIniGa-N>GaN/I^ 10. 如申請專利範圍第9項之化八 次Aiv(jai-vN 體，其中在InxGai-xN中In成份X小於1 =體雷射二極 隙的活化層中成份。、有對應之放射光能帶 11. 如申請專利範圍第9項之化合 體 其中在AlvGai_vN中A1成份V為0 。 田射一極 1 2.如申請專利範圍第1項之化:二 體，其中在第二導電型式電極層的：捏導體雷射二極 釋出活化層中產生的熱。 @上方焊接金屬封裝，以

   > 418550 i六、申請專利範圍 ' ! 13_ —種用於製造化合物半導體雷射二極體的方法， ： 包含下列步驟： (1)在η型GaN基體上依序形成一 η型AlGaN/GaN護套 層’一InGaN活化層，一ρ型AlGaN/GaN護套層，及一p型 G a N電極膚； (2 )在p型GaN電極層的一區域上形成絕緣膜圖樣； | (3)使用絕緣膜圖樣作為P型GaN電極層及P型 :AlGaN/GaN護套層中蝕刻部位的光罩； (4)在钱刻的p型AlGaM/GaN護套層中至少形成—居 ^ i GaN電流封鎖層； 5 n型 | (5)在包含η型GaN電流封鎖層的整個表面上去除絕 膜且形成一 p型G a N電極層；以及 ' ' (6)分別在η型GaN基體的下方及p型(jaN電極層的上古 形成電.極。 方 1 4.如申μ專利範圍第丨3項之用於製造化合物 雷射二極體的方法，其中由Si〇2或叫〜形成絕緣膜。 15,如申請專利範圍第13項之用於製造化合物半 雷射一極體的方法’其中該絕緣膜的寬度為】〜6心。 雷射 1 7 ^由咬击 p J )的蚀刻馬乾蝕刻。 一 N護套層之表中面在為 =)二刻後所留下的㈣ 1 8 _如申請專利笳囿Mς 乾圍弟13項之用於製造化合物半導體 16·如申請專利範圍第13項之用於製造化合 二極體的方法，盆中A牛聰,0、 , 切千导體 .如申諸直刹：丄f驟(3)的触刻為乾姓刻

   .418550 六、申請專利範圍 一 '… ' : --------— 雷射二極體的方法，其t在步驟（3)蝕刻後所留下p型 丨 AiGaN/GaN護套層之表面厚度為〇〇5〜〇·5 之間。 ； ^ ‘如申請專利範圍第I 3項之用於製造化合物半導體I 替射極體的方法’其中在步驟（4 )中形成η型G a N電流封| 鎖層的Π型摻雜濃度為〇 {η〜9χ 1〇]S/cm3。 ； 20. —種用於製造化合物半導體雷射二極體的方法，i 包含下列步驟： (1 )在η型GaN基體上依序形成一n型乂丨GaN/GaN護套 丨1 層，一InGaN活化層，一p型以^㈣護套 ! GaN電極層； a P i (2) 在p型GaN電極層的一區域上形成絕緣膜圖樣； (3) 使用絕緣膜圖樣作為p型。】電極層及p型 ， A1 G a N / G a N護套層中儀刻部位的光罩； 至少形成一層η型 表面上去除絕緣 (4) 在蝕刻的p型AlGaN/GaN護套層中 GaN電流封鎖層； (5) 在包含η型GaN電流封鎖層的整_個 膜且形成一p型電極層；以及 (6)在η型GaN基體的下方形成^型電極

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