TW414970B - Baffle plate of dry etch apparatus for manufacturing semiconductor devices - Google Patents

Description

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41497C 五、發明説明（i ) 太發明眢景 1.本發明領域 本發明係有關於用於製造半導體元件之乾式蝕刻裝置 的阻板’尤其是，該用於製造半導體元件之乾式蝕刻袭置 的阻板係以縮小加工室内真空程度之改變及源於來自該半 導體元件製程副產物之聚合物等的粒子產生。 2_相關技藝描述 一般而言’半導體元件係於半導體基板 '晶元上形成 多層’並根據該半導體之電性形成電路類型以製造之。 此處，該半導體基板上形成的類型可經選擇性移除之 該半導體基板上之層以形成之。 形成該電路類型之蚀刻加工處理中，有利用化學製品 之溼姓刻加工處理、利用電漿之乾姓刻加工處理，及用以 改善該電漿效率之反應性離子蝕刻加工處理等。 用於該反應性離子姓刻加工處理之習知蚀刻加工處理 係以特定方式建構’如第1圖所示，用以在加工室〗〇内部 形成電漿之較高電極12及較低電極14係為了採用高頻率電 源。 由此觀之，採用該較低電極14之電源以形成電漿時， 該較高電極12作用為接地基極，且該較低電極丨4被置於該 用以裝置晶元之卡盤之下。 該加工室1 〇之側壁周圍，有用以在該加工處理過程中 對該加工室10提供磁場之線圈丨5等。 ----------4- 本紙張尺度適财 ϋ ® ( CNS ) A4im- ( 210X297^ ) ----------装------tr------^ {請先聞讀背面之注$項再 ^本頁) 經濟部中央榇準局員工消費合作衽印製 經濟部中央標準局負工消費合作社印策 41497C at ____ B7 五、發明説明（2 ) 供氣管線16位於較高電極12上方’對蝕刻加工處理所 需之加工室10提供反應氣體等。 在加工室10之下有一真空室24，且該真空室24與造成 該加工室10中真空之真空泵18，及操縱開啟/關閉等之閥 20、22相連。 該閥20、22係由在該真空果18之抽氣操作下為開啟之 柵狀閥20，及控制該真空室24等之真空程度之真空控制閥 22所組成。 也就是’根據該真空控制閥22之開啟角度，可以造成 該真空室24之真空程度之不同。 該真空室24之一側’有真空讀取部26，用以讀取及偵 測該真空室24之真空程度，及傳送部28，用以傳送該晶元 至該較低電極14上之卡盤。 該真空讀取部26讀取該真空室24之真空程度，並將之 輸入該控制部（未顯示）。據此，該控制部（未顯示）控制 該真空控制閥22之開啟/關閉’並以該真空控制閥22之開 啟/關閉控制該真空室24之程度。 該加工室10之真空程度係以真空室24之真空程度決 定，該真空室24係與真空泵18相連接，使用於操控形成該 加工室10之真空。 也就是，該加工室10之真空程度可和該真空讀取部26 之讀取值相同，其係於該真空室24内部被輸入，該讀取值 並可被認為具有和真空'+室24相同之真空程度。 此外，該加工室1 〇和該真空室24之間有一阻板30，其 _____ -5- 本紙張逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------^-------ίτ------^ - · - > - (請先閲讀背面之注意事項再 /本頁) .二ΐίι!Ζ<1_. .二ΐίι!Ζ<1_. Α7 Β7

41497C 五、發明説明（3 ) 具有用於釋出該包括留存於該加工室1〇至真空室以内部之 聚合物專未反應氣體之裂隙。 該阻板30可被安裝面對於該較低電極14商之卡盤周圍 使釋出副產品，聚合物。 該卡盤於該加工處理中，落於該傳送部28之位置，且 該晶元被安裝於其上。然後，該卡盤周圍面對該阻板3〇凸 起。 如第2圖所示，該阻板30被建構使得多數裂隙34以特 疋間隔形成於該阻板30之盤32上，且360個裂隙34被提供 於該習知阻板30上。 如第3圖所示，形成於該習知阻板3〇之裂隙34被建構 使付面對该加工室1 〇之較高部形成其傾斜的内表面，該中 間部垂直地以特定寬度形成’而面對該真空室Μ之較低部 以較該中間部大之寬度垂直地形成。 據此，該等留存於該加工室1 〇之未反應氣體經該阻板 30之裂隙34釋出至該真空室24。 然而’該聚合物36由所形成的電漿提供之未反應氣體 等形成於該加工室10内部。該聚合物36不釋出至該真空室 24，而如第3圖所示，附著於該阻板30之盤32及該等裂隙34 上。 如第3圖所示，對於習知具有該聚合物36附著於其上 之阻板30之盤32及裂隙34，若自該加工室10之較上方開口 觀之，其寬度（A)為0.8誦，但若被該聚合物36附著，該 留存於該加工室10内部之未反應之氣體等無法被釋出。 ________-6 - _ 本紙張尺度適用中园國家揉準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ----------^-----1<τ------^ - - - j (請先聞讀背面之注意事項再>ϊ本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 經濟部中夬操準局員工消費合作社印製 414970 A7 B7 五、發明説明（4 ) 據此，該留存於該加工室1〇内部被釋出之未反應氣體 等造成該加工室10真空程度之改變。 然而，該加工室10之真空程度可依該真空室24之真空 程度決定，所以，該加工室10之真空程度因為留存之未反 應氣體無法被準確地測出。 例如，該加工處理之起始事例中，該加工室i 〇及該真 空室24内部形成約35 mTorr之真空，但隨該加工處理之持 續，該加工室10之真空程度變為超過35 mTon·因為該聚合 物之產生及該聚合物36之附著。該真空讀取部26所讀取之 該真空室24為35 mTorr。 所以，該持續蝕刻加工處理中，如第4圖所示，該餘 刻速率對該加工處理時間成反比，其係由於該加工室丨〇之 真空程度之改變，也就是，該蝕刻速率降低。 尤其是’以CHF3作為主要反應氣體，並以c〇作為輔 助氣體於半導體基板之氧化薄膜（Si02薄膜）上形成接觸孔 之触刻加工處理中，該聚合物36快速地被產生，並快速地 附著於該阻板30之盤32及該裂隙34之表面。 也就是，供作主要反應氣體之CHF3係以電漿態游離 成CHFa+F* (* :原子團），也就是，活潑的原子團F*與蝕 刻層Si〇2反應成SixFy和〇2。該〇2和供作輔助氣體之c〇反 應而產生聚合物。 據此，該加工室10之真空程度因附著於該阻板3〇及該 裂隙3 4之聚合物3 6而改變，但是，其不被準峰地彳貞測藉以 造成該蚀刻速率之降低。因為第5圖所顯示之蚀刻速率降 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > A4规格（210X297公釐） I.--------装-- - - (請先閱讀背面之注意事項真>本頁)

.II 瘃 A7 414970 五、發明説明（~ 低，該接觸孔於具有栅電極4〇及場氧化薄膜43等之半導體 基板’’W”上之特定層44形成之底42不能被完全開啟。 此外，既然該附著於該阻板30之裂隙34及盤32上之聚 合物36有粒子來源之功用’也就是附著於該加工室1〇内部 之半導體基板’’W”上之粒子，其’在該蝕刻加工處理中造成 加工處理無效。 所以，採用具該習知阻板之習知蝕刻裝置之加工處理 中，該加工室内部之真空程度隨該附著之聚合物而改變， 並藉由粒子之產生導致半導體元件製造之產量及可信度的 降低。 本發明之板逋 本發明係有關於提供一用於製造半導體元件之乾式蝕 刻裝置之阻板，藉由使由該加工室内部之副產物所產生之 聚合物而使該加工室内部之真空變化減至最低程度而改善 產量。 本發明之另一目的係在於提供用於製造半導體元件之 乾式姓刻裝置之阻板，以藉由減少該加工室内部因聚合物 所產生之粒子而加強該裝配加工處理之可信度。 為達到這些及其他利益並根據本發明具體及廣泛描述之 論點’用於製造半導體元件之乾式蝕刻裝置之阻板接觸用於 安置一個位於製造半導體元件之乾式蝕刻裝置之加工室内部 之晶元的卡盤之周圍表面，及該加工室之内壁，以及具有一 個辨識該加工室與該加工室下方之真空室的環狀形狀，沿該 阻板之周圍放射狀地設置有多個裂隙俾供釋出該加工室内部 ' -8- .紙張尺度適用中國囷家樣隼（CNS ) A4規格（210X297公董） ----------t— 1 (請先聞讀背面之注拳項再 Γ本頁)

,1T 線 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 414970 A7 B7 經濟部t央樣準局貝工消費合作社印51 五、發明説明（ 殘留之氣ϋ及副產品，其中各裂隙之斷面被塑造成由該阻板 底部至-特定高度之垂直形狀，而一尖細形狀以一特定傾斜 度自該特定高度形成至該阻板之頂部。 該裂隙之尖細形狀之垂直高度對該裂隙之垂直形狀之 垂直高度的比率為L5至2.5: 1>5至〇5，且該裂隙之尖細 形狀之傾斜度為75。至85。。該裂隙之垂直形狀之寬度較佳 的大於1.0 mm以防止該聚合物附著。 本發明之另一方面，用於製造半導體元件之乾式蝕刻 裝置之阻板接觸用於安置一個位於製造半導體元件之乾式 蝕刻裝置之内部加工室内部之晶元的卡盤之周圍表面，及 该加工室之内壁，以及具有一個辨識該加工室與該加工室 之下方的一個真空室之環狀形狀，沿該阻板周圍放射狀地 设置有多個釋出部俾供釋出該加工室内部殘留之氣體及副 產品，且每一釋出部具相同面積’且各釋出部之總面積大 於該阻板總面積之50%。 該釋出部較佳的具有向下漸窄的尖細形狀之斷面，其 可較佳的防止該聚合物之累積。 設置於該阻板上之釋出部數目為4、8或16，其可較佳 的用於該釋出平衡之維持。 必須了解的是後續一般性敘述及下列詳述皆為範例及 解釋並試圓提供本發明如申請專利範圍之進一步解釋。 圈式餌萆說明 附圖中： 9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） I . I I n m I - I n -I n If 一 s . . * (請先閏讀背面之注意事項再，./本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 414970 A7 _ B7 五、發明説明（7 ) ^ ~ 第1圖係習知用於製造半導體元件之乾式蝕刻裴置； 第2圖係習知用於製造半導體元件之乾式蝕刻裝置之 阻板的平面圖； 第3圖係沿著第2圖標線ΙΙΙ-ΙΠ之橫剖面圖· 第4圖係顯示習知用於製造半導體元件之乾式蝕刻裝 置蚀刻加工處理之姓刻時間特徵之曲線圖； 第5圖為說明以習知用於製造半導體元件之乾式蝕刻 裝置形成之接觸孔處發生問題的橫剖面圖； 第6圖說明本發明之用於製造半導體元件之乾式蝕刻 裝置； 第7圖為本發明第一具體實施例之用於製造半導體元 件之乾式蚀刻裝置之阻板的平面圖； 第8圖為沿著第7圖標線VIII-VIII之橫剖面圓； 第9圖為沿著第7圖標線IX-IX之橫剖面圖； 第10圖為第9圖之圓圈部分X之放大視野； 第11至13圖為根據本發明之第二具體實施例之用於製 造半導體元件之乾式蝕刻裝置之阻板的平面圖； 第I4圖係說明以本發明之用於製造半導體元件之乾式 蝕刻裝置形成之接觸孔之橫剖面圊。 較佳具饉實施例之烊述 現在將詳述本發明之較佳具體實施例，以該附圖作為 實施例說明。 第6圖說明本發明之用於製造半導體元件之乾式蝕刻 裝置，且其對應數字所指元件如第1圖所示。 _:_ -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚1 一 " ~ (請先閲讀背面之注$項再.β本頁) •裝· ，丁, A7 B7 五、發明説明（8 ) 本發明中’第一具體實施例為一阻板上具有裂隙者， 而第二具體實施例為其中具釋出部者。 第一具體實施例 參照第6及7圖，阻板50被設置接觸於該卡盤（靜電卡 盤）之表面周圍及加工室10内部乏較低電極14。此處，該 裝設晶元之卡盤可與該棱低電極14分開並設置於該較低電 極14之上。 該阻板50具有盤51作為該加工室1〇及該加工室丨〇下方 真空室24之間的範圍。 此外，該阻板50具有於該加工處理中釋出包含殘留於 該加工室10内部之聚合物等未反應氣體至位於該加工室1〇 下之真空室24之裂隙52。 參照第7及8圖，該盤5 1上之裂隙5 2被建構以裂隙間距 離由其頂端至特定深度漸窄為一尖細形狀，且該距離由該 特定深度至該底部不變以形成一垂直形狀。 也就是，該裂隙52係由一尖細形狀和一垂直形狀所合 成。 經濟部中央榡準局員工消費合作杜印製 09 {請先Μ讀背面之注拳項再：/本頁) 該盤51具有許多以特定間隔，輻射狀設置的裂隙52， 且考慮真空泵之釋出效率，較佳地設置至少45個或更多裂 隙。 此外’該尖細形狀之垂直高度對該垂直形狀之垂直高 度的比例較佳的為1.5至2,5 : 1.5至0.5 » 在第—具體實施例中，該阻板50具180個以特定間隔 設置之裂隙52，如第7圖所示。 -~~~-- -Π- 〜張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2l0x297公兼）

41497C A7 B7 五、發明説明（9 ) 根據業界觀點，該裂隙52之數目可考慮該阻板50之直 徑，及該盤51之面積*以及該蚀刻加.工處理之加工處理條 件而決定 在第一具體實施例中，該阻板50之直徑為365至366 mm ’且該阻板50之尖細形狀的最大距離（B)以1.6至2.0 mm 作為標準距離，而該垂直形狀之最小距離（C)為1.0至1.2 mm 〇 如第9及10圖所示，第一具體實施例之完整構造具有 於該阻板50上具特定面積寬度之盤51(裂隙），且固定部54 以特定高度作為階梯差被設置於該盤51上。 設置該固定部54將該阻板51固定於作為蝕刻閘室之該 加工室1 〇内部，通常以螺釘固定之。 直徑365至366 mm之該阻板50上，形成一直徑260 mm 用於卡盤之環，且沿該卡盤周圍，設置該固定部54及該盤 5卜 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 {請先聞讀背面之注意事項再与本頁) 該阻板50之直徑可依該加工室1 〇之構造或該卡盤之直 徑等而不同。在直徑22〇腿之晶元實施例中，該阻板5〇之 直徑，也就是包含該盤51之直徑為365至366 mm。 由此觀之，該裂隙52中尖細形狀之較佳最大距離（B) 為1.8麵並向下漸窄，而該垂直形狀之垂直形狀距離（〇 為 1.0 mm。 所以，第一具體實施例之該阻板50厚度約3 mm，且直 徑為365.7 mm，並具180個裂隙52。 此外，該裂隙52之尖細形狀的高度為2麵，該裂隙52 _____- 11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) ( 2獻297公| ) ~ ' A7 414970 B7 ......Ί·Ι Ml I —I—·ΙΙ— I ^ I IH· I , I I || . — _ 五、發明説明（1〇 ) 之尖細形狀之最大距離（B)約為1.8 mm，而最小距離（〇約 為1.0 mm。由該尖細形狀延續之垂直形狀的高度約1.〇腦， 且該垂直形狀之距離約為1.0画。 據此，該裂隙52之尖細形狀之傾斜度為75至85°，較 佳的為78°。 本發明之阻板50係以鋁（A1)製成，其表面經陽極化處 理。 本發明之第一具體實施例可根據該裂隙52構造之修正 以被適當應用，並根據其構造改變之裂隙52數目可由該加 工處理操作之最大條件決定。 本發明之第一具體實施例之阻板50被提供於該蝕刻裝 置内部，如第6圖所示，所以，該真空程度之改變及產生 自留存於該加工室10内部之未反應氣體等生成之聚合物的 粒子產量可被減小。 也就是’不同於習知事例，該裂隙52被建構使得該上 述尖細形狀及該上述垂直形狀被組合，且其寬度被加寬使 得該產生自未反應氣體及副產物之聚合物易於被釋出。 換句話說，即使該聚合物附著於該阻板50之盤5 1之較 高表面及該裂隙52之内部表面，該裂隙52之寬度被充分的 形成使能夠由此縮小該加工室10内部真空程度之改變》 此外，因為該未反應氣體易於被釋出，且該附著之聚 合物可被減少，由該聚合物造成之該粒子產量可被減少。 所以根據本發明，完全釋出該上述未反應氣體，並 減少該聚合物產量，該蝕刻裝置之真空，也就是該真空室 -13- 本紙張尺度逍用中國國家標準{ CNS ) ( 210X297公釐） 訂— I 11 線 . -(請先聞讀背面之注項再 /本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装

41497C 經濟部宁央標準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（u ) 24及該加工室丨〇之真空程度可被維持於相似值。 所以’由該真空讀取部26讀取該真空室Μ之真空程度 所測得的讀取值可被視為該加工室1 〇之真空程度。 然而，既然本發明之該加工處理發生於和習知者相同之 加工處理條件下，該聚合物之產生’不能自其來源移除。 據此’本發明中，規律或不規律地完成該阻板5〇之清 各操作以移除該上述聚合物為必須的，但是與習知事例比 較’該阻板5 0之清潔次數可被減少以由此改善具有該阻板 5〇之蝕刻裝置的保養效率。 1二具體會施例 首先，第二具體實施例與第一具體實施例被安裝於同 一蝕刻裝置，且根據第二具體實施例’釋出部取代第一具 體實施例之裂隙被安裝於該阻板之盤上以將該留存於該加 工室内部等之未反應氣體釋出至該真空室。 據此’第二具體實施例中’佔據該阻板6〇、7〇、80之 盤61、71、81表面積之約50%或更多之釋出部可以特定距 離及相同形狀被裝設。 據此，如第11圖所示’具有4個釋出部66之阻板60被 裝設，並如第12圖所示，8個釋出部76，或第13圖中之16 個釋出部86可被裝設。 該阻板60、70、80之盤61、71、81中之釋出部66、76、 86的數目可用與決定第一具體實施例中該裂隙52之數目相 同的方式*經考慮該阻板60、70、80之直徑，該盤61、71、 81之寬度而輕易地被決定。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公着） ----------¥------,訂------I . , - - (諳先閱讀背面之注意事項再..r本頁) 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（12 ) 另外，該釋出部66、76、86之内表面向下漸窄以形成 尖細形狀" 該阻板60、70、80以鋁材質形成，其表面經陽極化處 理。 此外’既然第二具體實施例中具有該釋出部66、76、 86之阻板60、70、80如第一具體實施例中以固定部64、74、 84固定於該加工室10内部之卡盤上，具有該裂隙52之阻板 50，可有效的釋出留存於該加工室10内部之未反應氣體， 該未反應氣體所造成之聚合物附著，及該聚合物所引起之 粒子產生可被減小。 如此一來’本發明之具體實施例之詳述及其操作可被 執行。 首先’在以具有本發明之阻板50、60、70、80之蝕刻 裝置移除該形成於半導體基板” W”上之絕緣層（主要為氧 化層）之後之接觸孔形成之加工處理時，CHF3氣體被用作 主要反應氣體，而CO被用作輔助反應氣體。 用於形成該接觸孔之加工處理條件，如真空程度、溫 度等可依製造者觀點被任意決定》 用於形成該接觸孔之蝕刻加工處理中，聚合物由該主 要反應氣體與該輔助反應氣體等反應而產生。 在該上述钱刻裝置中，該阻板50、60、70、80可減少 該聚合物及該粒子之產生所導致的該加工室10内部之真空 程度的改變。 也就是，利用具有裂隙52及釋出部66、76、86之阻板 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） ----------装-------1T------Φ - r - (請先閲讀背面之注意事項再+.C本頁) A7 B7 13 414970 五、發明説明（ 50、60、70 ' 80使釋出可由加大其寬度，及其斷面、未反 應氣體等方面輕易執行。包括聚合物易於被釋出，且由該 未反應氣體引起之聚合物附著可被減少。 根據具有該阻板50、60、70、80之本發明之蝕刻裝置 及其加工加工處理，如第14圖所·示，可形成接觸孔使其底 部90可經移除包括栅電極92及場氧化膜93等元件之半導體 基板”W”之特定層94而被完全開啟。 也就是，根據本發明，改善如上所述之蝕刻裝置之阻 板50之裂隙52構造及釋出部66、76、86,由該產生自留存 於該加工室10内部未反應氣體等之聚合物，及該粒子之產 生所引起其内部真空程度之改變可被減少。 在該實施例中，如同以該真空讀取部26所偵測之真空 程度讀取值之結果’以具有該阻板50、6〇、70、80之蝕刻 裝置加工處理時，該加工室1〇之真空程度幾乎和該真空室 24的相同。 本發明之阻板50、60、70、80主要可被積極應用於利 用磁力及電力場釋出的電漿蝕刻裝置。 所以’根據本發明，減小由未反應氣體等產生之聚合 物造成的加工室之真空的改變，可改善生產力，且經減少 該粒子產生*可改善該半導體元件製造之可信度。 對熟於此像技藝者而言，本發明之不背離本發明之精 神及觀點之各式修飾及變化為顯而易見的。所以，本發明 隨付之申請專利範圍及其類似語包含有本發明所提供之各 式修飾及變化。 表紙張尺度it财S ϋ家標公釐} 1· , .¢1T-------—^ (请先聞讀背面之注意事項再、本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 414970 A7 B7 五、發明説明（14 ) 元件標號釾照表 10 加工室 12 較高電極 14 較低電極 15 線圈 16 供氣管線 18 真空泵 20 閥 22 真空控制閥 24 真空室 26 真空讀取部 28 傳送部 30 阻板 32 盤 34 裂隙 36 聚合物 40 柵電極 42 底部 43 場氧化膜 44 特定層 50 阻板 51 盤 52 裂隙 54 固定部 60 阻板 61 盤 64 固定部 66 釋出部 70 阻板 71 盤 74 固定部 76 釋出部 80 阻板 81 盤 84 固定部 86 釋出部 90 底部 92 柵電極 93 場氧化膜 94 特定層 -17- i n 1 訂-> n I n « (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 第87118186號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：89年8月 1. 一種用於製造半導體元件之乾式蝕刻裝置之阻板，其 接觸用於安置位於製造半導體元件之乾式蝕刻裝置之 加工室内部的晶元之卡盤的周圍表面，及該加工室之 内壁’並具有一個分辨該加工室及該加工室的下方之 真空室之環狀形狀，其中該阻板具多數輻射狀延其周 圍設置之裂隙以釋出該加工室内部留存之氣體及副產 物，且各裂隙之斷面被塑型使其垂直形狀自該阻板底 部形成至特定高度’而尖細形狀以特定傾斜率自該特 定高度形成至該阻板頂部。 2·如申請專利範圍第1項之阻板，其中該裂隙之數目大 於45。 3.如申請專利範圍第2項之阻板，其中該裂隙之數目大 於 180。 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 4‘如申猜專利範圍第3項之阻板，其中具有180個裂隙 之阻板的直徑係為365至366皿！，該裂隙之較高表面 之寬度為1.6至2,0 mm，而該裂隙之底部寬度為1.0 至 1. 2 mm 。 5. 如申請專利範圍第1項之阻板，其令該裂隙之尖細形 狀之垂直高度與該裂隙之垂直形狀之垂直高度之比例 為 1.5 至 2· 5: 1.5 至 0. 5» 6. 如申請專利範圍第1項之阻板，其中該裂隙之尖細形 狀之傾斜度為75。至85。。 • 18 · 本纸張尺度適用中圉國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

   六、申請專利範圍 第87118186號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：89年8月 1. 一種用於製造半導體元件之乾式蝕刻裝置之阻板，其 接觸用於安置位於製造半導體元件之乾式蝕刻裝置之 加工室内部的晶元之卡盤的周圍表面，及該加工室之 内壁’並具有一個分辨該加工室及該加工室的下方之 真空室之環狀形狀，其中該阻板具多數輻射狀延其周 圍設置之裂隙以釋出該加工室内部留存之氣體及副產 物，且各裂隙之斷面被塑型使其垂直形狀自該阻板底 部形成至特定高度’而尖細形狀以特定傾斜率自該特 定高度形成至該阻板頂部。 2·如申請專利範圍第1項之阻板，其中該裂隙之數目大 於45。 3.如申請專利範圍第2項之阻板，其中該裂隙之數目大 於 180。 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 4‘如申猜專利範圍第3項之阻板，其中具有180個裂隙 之阻板的直徑係為365至366皿！，該裂隙之較高表面 之寬度為1.6至2,0 mm，而該裂隙之底部寬度為1.0 至 1. 2 mm 。 5. 如申請專利範圍第1項之阻板，其令該裂隙之尖細形 狀之垂直高度與該裂隙之垂直形狀之垂直高度之比例 為 1.5 至 2· 5: 1.5 至 0. 5» 6. 如申請專利範圍第1項之阻板，其中該裂隙之尖細形 狀之傾斜度為75。至85。。 • 18 · 本纸張尺度適用中圉國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 _______ D8 夂、申請專利範圍 7.如申請專利範圍第1項之阻板，其中該阻板之表面係 以經電鍍處理的鋁製造之。 8，如申請專利範圍第1項之阻板，其中該裂隙之垂直形 狀宽度至少大於1.0咖1。 9， 一種用於製造半導體元件之乾式蝕刻裝置之阻板，其 接觸用於安置一個位於製造半導艘元件之乾式蚀刻裝 置之加工室内部之晶元的卡盤之周圍表面，及該加工 至之内壁’並具有一個分辨該加工室及該加工室的下 方之真空室之環狀形狀，其中有數個釋出部以特定間 隔被輻射狀設置於該阻板上，俾以釋出該加工室内部 留存之氣趙及副產物，且各釋出部具相同面積，且各 释出部之總面積較該阻板之總面積大50 10_如申請專利範圍第9項之阻板，其中該釋出部具一向 下漸窄之尖細形狀斷面。 11. 如申請專利範圍第9項之阻板’其中該阻板中設置4 個釋出部。 12. 如申請專利範圍第9項之阻板，其t該阻板中設置8 個釋出部》 13. 如申請專利範圍第9項之阻板，其中玆阻板中設置16 個釋出部》 14. 如申請專利範囡第9項之阻板’其令該阻板之表面係 以經陽極化處理的鋁製造之。 -19- 本紙張尺度適用中國國家棋率（CNS > Α4规格（2丨ΟΧ297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) *衣 *1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製