TW412634B - Methods and apparatus using attenuation of radiation to determine concentration of material in object - Google Patents

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412634 A7 B7 五、發明说明（[) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 發明領域： 本發明係關於使用穿透輻射線衰減以決定物體中材料 濃度之方法與裝置。特別是，本發明係關於使用X射線以決 定粉塵預製件中摻雜劑濃度之方法與裝置，該預製件使用 來形成光學波導纖維Γ光纖"）。 相關技術說明： 光纖通常包含由純石夕石（Si02)所構成之包層與摻雜二 氧化鍺矽石所構成之心蕊。二氧化鍺摻雜劑改變心蕊中矽 石之折射率。部份心蕊通常包含不同的二氧化鍺濃度，其 將沿著心蕊直徑產生不同的折射率。沿著心蕊直徑折射率 分佈（即折射率分佈）將決定光纖之操作特性。 光纖能夠藉由傳統處理過程例如為外側汽相沉積法(》 OVD”）形成。通常f〇VD處理法包含藉由燃燒氣態混合物以 產生含有矽石與二氧化鍺，接著沉積多層粉塵於心軸桿件 上以形成粉麈預製件之心蕊部份，燃燒氣態混合物以形成 只含有矽石之粉塵，以及接著沉積多層粉塵於心蕊部份上 以形成粉塵預製件包層部份而製造出粉塵預製件。粉塵預 製件藉由境結加以固結以形成玻璃毛胚。光纖由玻璃毛胚 抽拉出。在形成心蕊部份粉塵中之二氧化鍺濃度主要地決 定沿著所形成光纖心蕊直徑之二氧化鍺濃度。 Hara之日本第59-106803號專利申請案及Glantschnig 之美國第4618975號專利揭示出使用X光衰減非破壞性評估 粉塵預製件中二氧化鍺濃度之技術。兩個方法都量測兩個 能量之X光衰減。Hara之方法決定於摻雜劑(Ge)與基質（Si 本紙張尺度適用中國国家榇隼（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再壤讀本頁} 41263^ A7 B7 " 门 - _ . - . 一 一·五、發明説明（2 ) 經濟部中央標準局員工消费合作杜印5'1 )衰減比將隨著X光之光子能量而變化。Hara方法對粉塵預 製件並不特別地靈敏，然而由於在實用X光能量範圍内並不 固定。Glantschnig方法主要在於摻雜劑衰減(吸收)與密 度衰減(散射）比值將隨著X光光子能量而變化。因而Giant_ schnig比值對粉塵預製件實用之能量範圍内為不固定的d Glantschnig方法改變了密度隨著摻雜劑濃度而變化。 發明大要： 作為實施例以及廣泛說明，本發明包含一種方法以決 定出粉塵中摻雜劑濃度，該粉塵至少構成一部份粉塵預製 件以使用來製造出光學波導。該方法包含下列步驟:量測 粉塵預製件重量，量測粉塵預製件厚度參數，以感測器透過 被照射粉塵之穿透輻射線強度，以及依據量測重量，量測厚 度參數，及所感測穿透輻射線強度而測定出摻雜劑濃度α 本發明另外一方面包含一種方法以測定出第一及第二 粉塵區段之摻雜劑濃度，該粉塵至少構成一部份粉塵預製 件以使用來製造出光學波導。該方法包含下列步驟:在第 一粉塵區段沉積在粉塵預製件上後量測粉塵預製件重量， 在第一粉塵區段沉積在粉塵預製件上後量測粉塵預製件厚 度參數，在第二粉塵區段沉積在粉塵預製件上後量測粉塵 預製件重量，在第二粉塵區段沉積在粉塵預製件上後量測 粉塵預製件厚度參數，利用穿透輻射線照射粉塵第二區段 ’感測出通過粉塵第二區段之穿透輻射線強度，在第二粉塵 區段沉積於粉塵預製件後依據感測通過粉塵第二區段穿透 辕射線之強度與粉塵預製件量測重量及厚度參數測定出第 本纸張尺心請巾_家標格（2]οχ297/α$ γ ---------^-- V (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂 rs. 412634 Α7 Β7 五.、發明说明（3 ) 經濟部令夬標率局員工消費合作社印製 二粉塵區段之摻雜劑濃度，利用穿透輻射線照射第一與第 二粉塵區段，感測通過第—及第二粉塵區段之穿透輻射線 強度，在粉塵第一區段沉積於粉塵預製件後依據所感測通 過第一及第二粉塵區段穿透輻射線強度與粉塵預製件量測 重量及厚度參數測定出第一粉麈區段之摻雜劑濃度。 本發明另外一項包含一種裝置以測定出粉塵中摻雜劑 濃度，該粉塵構成至少—部份粉塵預製件以使用來形成光 學波導。裝置包含一種量測粉塵預製件重量之量測重量裝 置，量測粉塵預製件厚度參數之量測厚度參數裝置，利用穿 透輻射線照射粉塵之光源，感測通過粉塵穿透輻射線強度 之輻射線感測器，以及測定裝置，該測定裝置依據量測重量 與厚度參數，以及所感測之穿透輻射線強度測定出摻雜劑 濃度。 本發明特定優先實施例藉由在粉塵沉積過程中連續性 地量測預製件重量以及預製件直徑，（在粉塵沉積過程中或 之後）量測預製件X光衰減，以及由衰減公式之解計算出摻 雜劑濃度分佈而定量出粉塵密度分伟。 人們了解先前一般說明以及下列詳細說明只作為範例 性及說明性，而並非作為限制本發明。 附圖簡單說明： 附圖列舉出本發明一項實施例以及連同說明作為說明 本發明之原理。 第一圖（圖1)為本發明裝置之實施例以測定出粉塵預 製件中摻雜劑之濃度。 本紙ί艮尺度適用中國國家摞準（CNS > A4規格（210+XM7公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -Τ . 412634 A7 -—I---------— ___________ B7五、發明説明（十） 經濟部中央標率局κκ>\消費合作杜印製 第二圖（圖2)為圖1沿著直線2-2展開之斷面圖，其顯米 出量測厚度參數之裝置。 第三圖（圖3)為圖1沿著直線3-3展開之斷面圖，其顯系 出利用穿透輻射線照射粉塵預製件區段N之照射光源。 第四圖（圖4)為圖1沿著直線3-3展開之斷面圖，其顯系 出利用穿透輻射線照射粉塵預製件區段N與N-1之照射光游 ，該輻射線由輻射線感測器感測。 附圖元件數字符號說明： 裝置10;粉塵預製件12;心軸桿件14;量測重量装f 20;光源30;輻射線感測器40;銀幕42;攝影機46;測定 裝置50;量測厚度參數裝置60;光源62;感測器64。 優先地實施例詳細說明： 現在對本發明優先地實施例詳細加以說明。儘可鵃地 ，所有附圖之相同參考數目係指相同或類似元件。 通常，本發明藉由量測粉塵預製件重量，量測粉塵預製 件厚度參數，利用穿透輻射線照射粉塵預製件，以及量測通 過粉塵預製件穿透輻射線之強度而測定出粉塵預製件中摻 雜劑濃度"使用量測重量，厚度參數，以及強度，本發明測 定出粉塵預製件中粉塵區段之摻雜劑濃度。 圖1至4顯示出本發明裝置1 〇之優先實施例以測定出粉 塵預製件12中摻雜劑濃度。裝置1〇包含量測重量裝置20， 量測厚度參數裝置60,照射光源30,光線感測器40,以及測 定裝置50。 量測重量裝置20量測粉塵預製件12重量以及產生相對 :浐. ^^££^中國國家標準（〇邶）六4规格（21〇\ 297公赀） 412634 A7 B7五、發明説明（f) 經濟部令夬標準局負工消費合作社印製 訊號至測定裝獅。優先細制重量裝獅包含連接至 心轴桿件14—端之電_力器，粉塵赚件12形成於心軸 桿件上。心軸桿件U糾-魏触住於鶴馬達(並未 顯示出）上。 在粉塵沉積過程中連續性地記錄預製件重量。由於預 製件抽拉產生之變化可藉由在預製件轉動過程中平均各別 測力器讀取之讀數或預製件轉動為整數而加以去除。預製 件通過位置產生之變化藉由對預製件通過位置同步讀重 量而加以調整。換言之，雖熬重量之量測為連績性，每一次 通過時適當重量量測之啟始點作為辨識器或標記，以及在 每一次通過啟始點為相同的。某一區段之預製件重量為這 些同步平均讀數之平均值。區段重量為對先前區段所觀察 之增加重量。 優先地，量測重量裝置20在粉塵預製件12形成過程中 多次地量測粉塵預製件12之重量。例如，量測重量裝置20 能夠量測粉塵預製件12之重量，在粉塵預製件12形成過程 中每一次能夠沉積出預先決定數目之粉塵層。 量測厚度參數裝置60董測厚度參數，例如為粉塵預製 件12之半徑或直徑》為了容易顯示，量測厚度參數裴置6〇 偏移顯示於圖1右邊，其優先地量測粉塵預製件12之中央部 份。如圖2所示，量測厚度參數裝置60能夠為雷射遮蔽測微 尺，其包含發射出光束之光源62以及感測光源62發射出光 束之感測器64。依據所感測光束，感測器64產生訊號傳送 至測定裝置50。該資訊可為厚度參數，優先地為粉鏖預製 本纸張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X 公漦） Br (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '訂 4^634 λ7 ----___ B7 五·、發明説明（k ) 件12之半徑τ，其由傳統數學方式測定出。能夠產生該功能 已商業化可利用之裝置包含Anritsu KL-154A以及Keyence LS-50Q1 〇 優先地，量測厚度參數裝置60在粉塵預製件12形成過 程中多-欠量測粉塵預製件12厚度參數。例如，每次在粉塵 預製件12形成過程中沉積出預先決定數目層之粉塵時量測 厚度參數裝置60能夠量測粉塵預製件之厚度參數^更優先 地，每次藉由重量量測裝置2〇量測粉塵預製件重量時量測 厚度參數。 辕射線光源30將穿透輻射線照射於粉塵預製件丨2。所 謂穿透輻射線係指具有穿透以及通過相當短粉塵長度能力 之輻射線。5至100千電子伏特X輻射線為優先地種類穿透 輻射線。X光之光源為點X光真空管光源，其產生扇形光束， 其照射粉塵預製件12之整個斷面。優先地為微細焦點，iq 至50微米點大小之100千電子伏特X光真空管例如為此⑴敗， Kevex，或Pantak使用作為輻射光源30。 輻射感測器4 0感測通過粉塵預製件12之穿透輻射線強 度以及產生相對訊號至測定裝置50。輕射線感測器4〇包含 圖素化感測器，例如為4" x4''磷銀幕以及漸變纖維光束44， 其導引光線脈沖由銀幕42至CCD攝影機46,如圖3及4所示。 為了簡單表示，附圖顯示出輻射線光源30以及ϋ射線 感測器40,其放置於相鄰量測重量裝置20與量測厚度參數 裝置60,即粉塵沉積區域内。輻射線光源30以及輻射線感 測器40能夠放置於粉塵沉積區域内使得在形成粉塵預製件 用中國國家標準(CNS ) Λ4規格（210X 297公着） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --a 丁 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 «2634 A7 B7 五、發明説明（ 經濟部中央播準負工消f合作社印-?,']表 12過程中能夠作衰減量測。優先地，放置輻射線光源30以 及輻射線感測器40於粉塵沉積區域外側以及在完全地形成 後經由粉塵預製件12縱向中央部份作衰減量測。 測定裝置50接收由量測重量裝置2〇,量測厚度參數裝 置60感測器64以及輻射線感測器40之訊號，以及測定粉塵 中摻雜劑濃度。摻雜劑濃度測定方式將對優先穿透輻射線 即X光詳細地說明於底下。 當X光為穿透光線時，X光被吸收(Einstein光電效應)， 彈性地散射(Rayleigh),非彈性散射(Compton)或無影響地 通過。強度隨著厚度指數地衰減： dl=-l //dt (1) 其中丨二照射預製件X光之最初強度 //二物體線性衰減係數，為每單位厚度(cm 衰減；以及 t二經由物體X光之路徑長度 公式（1)之積分得到Lambert定理： l/l0=exp(-/U) (2) 其中1=通過材料X光之量測強度 1，照射預製件X光之最初強度；以及 t=通過物體X光之路徑長度(on)。 線性衰減係數β為質量衰減係數(平方公^^八 克)與密度Ρ (公克/立方公分）之乘積： Α β 财 ss= β , Ρ (3) 因此，Lambert公式可改寫為： l/l^expC-z/^pt) (4) 用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -丁 -s A7 __— B7 五、發明说明（ί) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 為了容易說明，往後所有讀指以·。 對於化合物之質量衰減係數為為質量乘以化合物中每一 元素(A，B，... N)產生衰減之乘積和： # (A，B，，， N)=(Wa#a)+(wb//b)+. .. +(wn#n) (5) 其中W=各元素之重量分數。 因而例如矽石（Si〇2)質量衰減係數能夠以下列公式決 定出，其中Si與0質量分數分別為〇. 4674與0. 5326。 ^si〇2~〇. 4674^Si + 0. 5326/z0 ⑹ 公式(6)能夠立即求出，因為質量衰減係數已編輯於一 些表中，例如為S,M，Seltzer之Calculation of Photon Mass Energy-Transfer and Mass Energy-Absorption Coefficients, Radiation Research, Vol. 136, 147-170 (1993)= 質量衰減係數能夠藉由質量乘以混合物成份a，2,,.. N)之質量衰減係數： /^ixture=(W1^1)+(W2/i2)+... KW^N) C7) 因而在含有〇6〇2與8丨02混合物中： ^ fflf xure— (Wce02"Ge02) + (Wsi02"繼） （8) 由於WGe02+Ws⑽=1，公式⑻可改寫為： //inixture=(WGe02 ,^^02)+(( l~WGe02) //si02) (9) 將公式(9)代入公式(4)將得到下列公式： 1 / l0=exp( -((WGe〇g //^)+((1 -WGe02) // 5ι〇2)) P t) (10) 假如被評估材料包含多個區段，通過粉塵預製件12輻 射線所有部份為通過每一區段（U2，，. ·Ν)分數乘積： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 本紙崎用中國國家標準（一格…^ 412634 A? B7 五、發明説明（if ) 經濟部中央標準局只工消費合作社印？衣 ^/Utotard/ua/u.-.d/UN (id(1/U她i=exp(- // ⑴ P ⑴t(1))exp(~ "⑵ p ⑵t(2)),., exp( ~ p (K) t(N)) (12) ([’ [o)total=eXP(~((Wcd^ " _)+((卜" Si0g))⑴ p ⑴t⑴） eXP(-((WGe〇g#Ge〇2)+((HGe02) "Si02))(2) /5 ⑵七⑵） eXp(-((WCe02//GrfB)+((l-~WGe02) Msi02))(N) P (N)t(N)^ 公式（10)與（13)需要衰減I/I。，密度以及路徑長度 t以測定出摻雜劑濃度。由裝置1〇所作之量測產生所 需要所有資訊以測定出衰減I/I。，密度p，以及路徑長度i 。因而測定裝置50能夠使用公式（10)與（13)以測定出粉塵 預製件12之摻雜劑濃度Wee02。 上述處理係假設單色X光。對於多色X光光源例如為X 光真空管，人們藉由假設一個有效波長可選擇來處理多色 輸出為單色，或人們可考慮在特定能量間隔處之衰減(選擇 質量衰減係數）以及藉由加總計算總衰減。 作為特定範例，顯示於圖3與4中Si02/Ge02粉塵預製件 12完全地形成以及包含區段1，2,... N-l，N。所謂區段係指 粉塵預製件12任何部份，其重量以及厚度參數能夠藉由裝 置10所作重量以及厚度參數量測而測定出。例如，假如單 一粉塵層之重量以及厚度參數能夠測定出，該粉塵層能夠 構成一個區段。當然，一組多個粉塵層亦能夠形成一個區 段。 在該優先實施例中，在至少每一次區段（1, 2,... N-1 N)加入至粉塵預製件12時，粉塵預製件12重量以及厚度參 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210X297公麓} I〕· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 訂 412634 A7 ------- B7五、發明説明（.) 經濟部中央摇準局負工消费合作社印？4 數分別地藉由量晰量裝置㈣及量測厚度錄裝置60進 行量到。各驅段f #_贼_雜段之前與之後粉 塵預製件124#之紐。同祕，各舰段厚度能夠 測定沉積親段之前與之後粉_製件}2厚度之差值a 裝置觸始時败最相區段N t摻_濃度ff_) 。最切，由區段N產生之X光衰減L/I。藉由輻射光源加發出 X光照射區段似及利帛細❹彳獅量騎祕段M光 強度而測定出，如圖3所示。 由於只有早-轉區細產生衰減，測絲置5 Q籍由解 衰減公式⑽歧轉雜觀度Wg_。解公式（i〇)以 決定摻雜劑濃度WGe〇2W，除了衰減丨/丨^需要區段^密度 以及通過區段N之X光路徑長度、^測定裝置5〇使用傳 統數學以依據區段Ν重量，區段㈢厚度參數，以及粉塵預製件 12長度決定出密度/3〆其能夠假設或藉由傳統構件(並未 顯示出）量測出）。測定裝置5〇亦能夠使用傳統數學依據輻 射光源30,輻射感測器40,以及粉塵預製件15間空間相對關 係決定出路徑長度1;_〜·，以及粉塵預製件12之厚度參數tN。 測定裝置50再藉由遞迴地解衰減公式（1〇)得到摻雜劑 濃度WGe02⑻。特别地，開始利用摻雜劑濃度WeeD2(N)約 略值，計算出預期衰減值。在預期衰減值與觀察衰減比較 後，調整摻雜劑濃度Wceo^)預測值以及使用來計算新的 預測衰減值。該處理過程持續到預期衰減與觀測衰減值一 致時。當預期與觀測衰減一致時，測定裝置50測定出區段 N之摻雜劑濃度Wc^oo。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2!0X297公嫠） 13 (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) -訂 1241263^- A7 B7五、發明説明（U ) 經濟部中央標，準局負工消費合作社印—装 移到下一區段Ν-l，衰減1/1。利用由照射光源40發出X 光照射區段N與N- i測定出，以及利用輻射感測器40量測通 過區段X光之強度，如圖4所示。 由於多粉麈區段N-1與N產生衰減，測定裝置5 0藉由解 衰減公式（13)決定出摻雜劑濃度Wee()2(N D。對摻雜劑濃 度WGe〇2[m解公式（13)j·除了 I/1σ外，需要密度p N..i及 ，路徑長度tN_P^tN,以及摻雜劑濃度WSe02((0。如同 先前對單一區段N所說明，測定裝置50使用傳统數學決定齿 密度；〇N_i及及路徑長度與tN(路徑長度1^為1：._ 與tN(B)* =摻雜劑濃度Wee02iN)由先前所作測定求出。 測定裝置50再藉由遞迴地解衰減公式（13)決定出摻雜 劑ί辰度WGeQ2@ .丨〆開始時利用推雜劑濃度約 略濃度，計算岀預測衰減。在比較預期衰減與觀測衰減值. 後，調整摻雜劑濃度估計值以及使用來計算新 的預期衰減。該處理過程持續到預期衰減與觀測衰減一致 時。當預期與觀測衰減一致時，測定裝置50測定出區段M-1 之推雜劑濃度Wee02(:n。 對於其餘區段之摻雜劑濃度能夠依據相同的處理過程 持續地測定岀= 上述所說明本發明產生方法與裝置，其相信可測定出 粉塵預製件中摻雜劑濃度，其靈敏性大於先前非破壞性方 法之靈敏度。例如，我們相信本發明能夠測定出粉塵密度 分怖在± 5%相對值内以及能夠使摻雜劑濃度測定在± 5至 i〇%相對值内。： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’衣. -訂 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐） 1屮 412634 A7 一____ B? 五、發明説明（) 熟知此技術者能夠對本發明方法與裝置作各種改變與 變化而不會脫離本發明之精神與範圍。作為一個範例，在 完成粉塵預製件後並不測定摻雜劑濃度，每一區域摻雜劑 濃度能夠在沉積每一區段於粉麈預製件後立即加以測定。 熟知此技術者思考以及實施在此所揭示本發明之說明 可了解其他實施例。說明書以及範例只作為範例性，本發 明範圍以及精神均顯示於下列申請專利範圍内。 3 —ί (請先閲读背面之注意事項再填寫本頁) -丁 、-=' 經濟部中央標準局工消费合作社印製 一適 一度 尺 張 紙 一本 準 ¾ Λ Ns

Claims (1)

1. 經骑部中*標举局！^工消分合作社印袋 412634 H C8 D8六、申請專利範圍 1. 一種測定粉麈中摻雜劑濃度之方法，該粉塵至少構成一 部份粉塵預製件，該預製件使用來形成光學波導，該方法包 含下列步驟： 量測粉塵預製件之重量； 量測粉塵預製件厚度參數； 利用穿透輻射線照射粉塵； 感測通過照射粉塵之輻射線強度；以及 依據測量重量，量測厚度參數，以及感測之穿透輻射線強 度測定出摻雜劑濃度。 2. 依據申請專利範圍第1項之方法，其中量測粉塵預製件重 量之步驟在形成粉塵預製件過程中包含多次量測粉塵預製 件之重量。 3. 依據申請專利範圍第1項之方法，其中穿透輻射線包含X 光。 1依據申請專利範圍第1項之方法，其中在完全地形成粉塵 預製件後進行照射步驟。 5. 依據申請專利範圍第1項之方法，其中在粉麈預製件形成 過程中於每一區段粉塵沉積後進行照射步騍。 6. 依據申請專利範圍第丨項之方法，其中量測粉塵預製件厚 度參數步驟包含在粉塵預製件形成過程中多次量測粉塵預 製件厚度參數。 7. 依據申請專利範圍第1項之方法，其中更進一步測定通過 粉塵預製件穿透輻射線路徑長度之步驛，其中摻雜劑濃度 依據感測穿透輻射線強度，測量重量，以及量測路徑長度測 4 ---------裝-- (請先閱讀背&之注意事項再填寫本頁) 、1T Μ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2!0Χ297公釐） A8 Μ C8 D8六、申請專利範圍 412634 15 短済部中央樣準局負工消纪合作社印製 贪出。 'Sp- 8· —種測定第一及第二粉塵區段中摻雜劑濃度之方法，該 粉塵至少構成一部份粉塵預製件，該粉麈預製件使用來形 成光學波導，該方法包含下列步驟： 在第一粉麈區段沉積於粉塵預製件後量測粉塵預製件之 重量； 在第一粉塵區段沉積於粉塵預製件後量測粉塵預製件之 厚度參數； 在第二粉麈區段沉積於粉塵預製件後量測粉麈預製件之 重量； 在第二粉塵區段沉積於粉麈預製件後量測粉塵預製件之 厚度參數； 利用穿透輻射線照射第二粉麈區段； 感測通過第二粉麈區段之穿透輻射線強度； 測定第二粉塵區段中摻雜劑濃度，其在第二區段沉積於 粉塵預製件上後依據感測通過第二粉麈區段之穿透輻射線 強度以及粉塵預製件量測重量以及厚度參數測定出； 利用穿透輻射線照射第一及第二粉麈區段； 感測通過第一及第二粉塵區段之穿透輻射線強度；α及 測定第一粉塵區段中摻雜劑濃度，其在第一區段況積在 粉塵預製件上後依據感測通過第一及第二粉塵區段之穿透 輻射線強度以及粉麈預製件.量測重量及厚度參數測定忠。 9.依攄申請專利範圍第8項之方法，其中穿透輻射線包含X 光0 ---------寒------ΐτ------1 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規你（210Χ2?7公芨） 412634 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 10.依據申請專利範圍第1項之方法，其中在第一粉塵區段 中測定摻雜劑濃度在第一區段沉積於粉:盤預製件後依據感 測通過第一及第二粉麈區段之穿透輻射線強度，粉麈預製 件之量測重量以及厚度參數而測定出，以及測定出第二粉 塵區段之摻雜劑濃度。, 11 · 一種測定粉麈中摻雜劑濃度之裝置，該粉麈至少構成一 部份粉塵預製件，該粉塵預製件使用來形成光學波導，該裝 置包含： 量測粉塵預製件重量之量測重量裝置； 量測粉塵預製件厚度參數之量測厚度參數裝置： 利用穿透輻射線照射粉塵之輻射線光源； 感測通過粉塵穿透輻射線強度之輻射線感測器；以及 測定粉塵中摻雜劑濃度之測定裝置，其依據量測重量以 及厚度參數，以及感測穿透輻射線強度而測定出。 12.依據申請專利範圍第li項之裝置，其中穿透輻射線包含 X光。 ---------^ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --° 經漓部中央標準局負工消費合作社印- 本纸汝尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規潘（210X297公釐）