JPS60107551A - 光フアイバ母材の組成分析方法 - Google Patents
光フアイバ母材の組成分析方法Info
- Publication number
- JPS60107551A JPS60107551A JP58214744A JP21474483A JPS60107551A JP S60107551 A JPS60107551 A JP S60107551A JP 58214744 A JP58214744 A JP 58214744A JP 21474483 A JP21474483 A JP 21474483A JP S60107551 A JPS60107551 A JP S60107551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- optical fiber
- radiation
- distribution
- analysis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
- G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非破壊手段によシ光ファイバ母材の組成を分析
する方法に関する。
する方法に関する。
光フアイバ母材の組成分析は、これを製造する際のツイ
ードバンク制御とか、あるいは特性のよい光ファイバを
得るための研究開発にとって有用であるとされており、
その１手段として非破壊分析法が採用されている。
ードバンク制御とか、あるいは特性のよい光ファイバを
得るための研究開発にとって有用であるとされており、
その１手段として非破壊分析法が採用されている。
光フアイバ母材長手方向の任意箇所における組成分布（
＝屈折率分布）ｆｔ非破壊的に測定する手段として、レ
ーザビームを当該母材に照射し、その出射光の散乱パタ
ーンを解析する方法、平行光線を当該母材に照射し、そ
の出射光の干渉縞を解析する方法などが公知となってい
るが、これらの光学的方法は、母材が透明体である場合
のみ有効であり、例、（ｉｌ’Ｖ Ａ Ｄ法、ＯＶＤ法
などによシつくられる多孔質ガラス製の光フアイバ母材
、すなわち不透明な母材の場合はとれを測定できない不
都合がおる。
＝屈折率分布）ｆｔ非破壊的に測定する手段として、レ
ーザビームを当該母材に照射し、その出射光の散乱パタ
ーンを解析する方法、平行光線を当該母材に照射し、そ
の出射光の干渉縞を解析する方法などが公知となってい
るが、これらの光学的方法は、母材が透明体である場合
のみ有効であり、例、（ｉｌ’Ｖ Ａ Ｄ法、ＯＶＤ法
などによシつくられる多孔質ガラス製の光フアイバ母材
、すなわち不透明な母材の場合はとれを測定できない不
都合がおる。
一方、不透明母材の非破壊測定法として、単色Ｘ線ｆｔ
肖該母材に照射し、その−成分（例えばＧｅ ）の分布
を他成分（例えば５ｌｏｔ）との関係から推定する試み
もあるが、この方法の場合、母材成分が主に石英（Ｓｉ
Ｏｘ）とＧｅとの二成分であるとして、二種類以上のエ
ネルギ成分が必要となシ、例えばその二種のエネルギ成
分に対する５ｉ０２とＧｅとの質量吸収係数が適当な関
係にないとき、高精度の分析が行なえないとされている
。
肖該母材に照射し、その−成分（例えばＧｅ ）の分布
を他成分（例えば５ｌｏｔ）との関係から推定する試み
もあるが、この方法の場合、母材成分が主に石英（Ｓｉ
Ｏｘ）とＧｅとの二成分であるとして、二種類以上のエ
ネルギ成分が必要となシ、例えばその二種のエネルギ成
分に対する５ｉ０２とＧｅとの質量吸収係数が適当な関
係にないとき、高精度の分析が行なえないとされている
。
殊に現状の一般的なＸ線発生装置が１００Ｋｅｙ以下の
エネルギしか発生できないことを鑑みた場合、上記高精
度分析を満足させるのに適当なエネルギ成分が得られな
い。
エネルギしか発生できないことを鑑みた場合、上記高精
度分析を満足させるのに適当なエネルギ成分が得られな
い。
その他、γ線が利用できることも知られているが、光フ
アイバ母材の分析に関してこれの具体的な報告例は見あ
たらない。
アイバ母材の分析に関してこれの具体的な報告例は見あ
たらない。
本発明の目的は、線源を適切に設定して該線源からの放
射線を光ファイバに照射することによシ、透明な母材は
もちろん、不透明な母材であってもこれの組成分布が非
破壊的に精度よく分析できる方法を提供することにある
。
射線を光ファイバに照射することによシ、透明な母材は
もちろん、不透明な母材であってもこれの組成分布が非
破壊的に精度よく分析できる方法を提供することにある
。
本発明の方法は Ｂ＆ｉｌｌを線源として該線源からの
放射線を光フアイバ母材に照射し、その透過線量を測定
鱗析することにより光フアイバ母材の組成分布を分析す
ることを特徴としている。
放射線を光フアイバ母材に照射し、その透過線量を測定
鱗析することにより光フアイバ母材の組成分布を分析す
ることを特徴としている。
以下、本発明方法の実施例につき、図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明方法を実施するための１手段を示したも
のである。
のである。
同図において、１は光フアイバ母材、２はＸ線、γ線な
どの放射線を上記母材１へ照射するための放射線発生器
、３は上記母材１を透過した放射線を検出するための透
過線検出器である。
どの放射線を上記母材１へ照射するための放射線発生器
、３は上記母材１を透過した放射線を検出するための透
過線検出器である。
上記放射線発生器２はＢａ！１８からなる線源４と、放
射線遮蔽材料（鉛、鉄など）からなる収納箱６とで構成
され、線源４は照射用の開口を有する収納箱６内に収納
されている。
射線遮蔽材料（鉛、鉄など）からなる収納箱６とで構成
され、線源４は照射用の開口を有する収納箱６内に収納
されている。
一方、透過線検出器３は既知の検出素子６と放射線遮蔽
材料からなる収納箱７とで構成され、検出素子６は受承
用開口を有する収納箱７内に収納されている。
材料からなる収納箱７とで構成され、検出素子６は受承
用開口を有する収納箱７内に収納されている。
放射線発生器２と透過線検出器３とは互いに対向して配
置され、これらの間に光フアイバ母材１が介在されるが
、この際、光フアイバ母材１と放射線発生器２との間、
光７アイパ母材１と透過線検出器３との間には、それぞ
れコリメータ８ａ、８ｂ、および８ｃ、８ｄが配置され
、さらに透過線検出器３の検出素子６には、その検出結
果に基づく出力を電気的に増巾する増巾器９と、各透過
線のうち、特定エネルギによるものだけを選出すぺ〈増
巾器９からの信号を選分するマルチチャンネル屋などの
波高分析器１゜と、記録器１１とが順次接続されている
。
置され、これらの間に光フアイバ母材１が介在されるが
、この際、光フアイバ母材１と放射線発生器２との間、
光７アイパ母材１と透過線検出器３との間には、それぞ
れコリメータ８ａ、８ｂ、および８ｃ、８ｄが配置され
、さらに透過線検出器３の検出素子６には、その検出結
果に基づく出力を電気的に増巾する増巾器９と、各透過
線のうち、特定エネルギによるものだけを選出すぺ〈増
巾器９からの信号を選分するマルチチャンネル屋などの
波高分析器１゜と、記録器１１とが順次接続されている
。
本発明方法において測定対象となる光７アイバ母材１は
石英系であり、具体的には８１０２−Ｇ ｅ ０２系と
か、あるいはこれｌＩＣＰｔ０５、Ｂ、 Ｏ，などが添
加されたものである。
石英系であり、具体的には８１０２−Ｇ ｅ ０２系と
か、あるいはこれｌＩＣＰｔ０５、Ｂ、 Ｏ，などが添
加されたものである。
さらに上記母材１はＶＡＤ法、ＯＶＤ法によりつくられ
る多孔質ガラス製（不透ｆ１４）％ＭＣＶＤ法によりつ
くられる透明ガラス製など、各種あシ、層構成からはコ
ア層のみのもの、コア層とクラッド層とからなるもの、
コア層とクラッド層とサポート層またはジャケット層と
からなるものなど、各種の母材１が測定対象となる。
る多孔質ガラス製（不透ｆ１４）％ＭＣＶＤ法によりつ
くられる透明ガラス製など、各種あシ、層構成からはコ
ア層のみのもの、コア層とクラッド層とからなるもの、
コア層とクラッド層とサポート層またはジャケット層と
からなるものなど、各種の母材１が測定対象となる。
本発明方法によるとき、光フアイバ母材１はこれの製造
工程と同期してその組成を分析することができ、また、
該母材製造後においてその組成を分析することもできる
。
工程と同期してその組成を分析することができ、また、
該母材製造後においてその組成を分析することもできる
。
一般に、石英系光フアイバ母材１では５ｉｏｔが不可欠
成分となっておシ、Ｇｅ０１が屈折率特性を決定づける
重要成分となっており、当該母材１中のＧｏ濃度を測定
分析すれば、その屈折率特性が判明する。
成分となっておシ、Ｇｅ０１が屈折率特性を決定づける
重要成分となっており、当該母材１中のＧｏ濃度を測定
分析すれば、その屈折率特性が判明する。
さらに上記分析結果が母材製造時のフィードバック制御
、母材の良否判別、母材研究開発の資料などに活用でき
る。
、母材の良否判別、母材研究開発の資料などに活用でき
る。
したがって以下に述べる本発明方法の具体例では、光フ
アイバ母材１が５ｉｎ２−Ｇｅ０２系（通常、Ｓｉｎ、
に対するＧｅ量はｌＯ数−以下）である場合を説明する
。
アイバ母材１が５ｉｎ２−Ｇｅ０２系（通常、Ｓｉｎ、
に対するＧｅ量はｌＯ数−以下）である場合を説明する
。
第１図において、放射線発生器２０線源４から発する放
射線■がコリメータ８ａ、８ｂを経由して光ファイバ母
材ＩＫ照射されると、該放射線Ｉ＃ｉ上記母材１ｔ−透
過し、その透過線Ｊがコリメータ８ （！ ％ ８ ｄ
を経由して透過線検出器３の検出素子６へ入る。
射線■がコリメータ８ａ、８ｂを経由して光ファイバ母
材ＩＫ照射されると、該放射線Ｉ＃ｉ上記母材１ｔ−透
過し、その透過線Ｊがコリメータ８ （！ ％ ８ ｄ
を経由して透過線検出器３の検出素子６へ入る。
つまり放射線Ｉはそのエネルギに対する物質の質量吸収
係数、距離に応じて波器され、透過線Ｊとなって検出素
子６へ入る。
係数、距離に応じて波器され、透過線Ｊとなって検出素
子６へ入る。
この透過線Ｊを受けた検出素子６は、増巾器９、波高分
析器１０を介して上記母材１中の組成すなわちＧｅ濃度
を分析するとともにこれを記録計１１により記録する。
析器１０を介して上記母材１中の組成すなわちＧｅ濃度
を分析するとともにこれを記録計１１により記録する。
この際、放射線発生器２および透過線検出器３は母材断
面からみて第２図のごとく走査されるのであシ、光フア
イバ母材１におけるＧｅ分布が第３図のようなものであ
るとすると、上記分析によＦ）Ｇｅ分布が第３図の通り
精度よくあられる。
面からみて第２図のごとく走査されるのであシ、光フア
イバ母材１におけるＧｅ分布が第３図のようなものであ
るとすると、上記分析によＦ）Ｇｅ分布が第３図の通り
精度よくあられる。
光フアイバ母材１が第３図のごときＧｅ分布を有すると
き、その透過線Ｊの強度を放射線Ｉとの比であられすと
次表のようＫなる。
き、その透過線Ｊの強度を放射線Ｉとの比であられすと
次表のようＫなる。
つぎに本発明方法の有効性につき、測定対象物を一般化
して述べる。
して述べる。
測定物の成分をｊ（ｊ＝１〜ｍ）、その成分量をＸｊ
、Ｌ番目（ｌ＝１〜ｍ）の光量子エネルギをＥｉｌその
Ｅｉに対するｊ番目の成分の質量減弱吸収係数をμｉｊ
／ρｉ、測定物に入射する上記Ｅｉの強度をＩｔ、測定
物から波器されて出る上記Ｅｉの強度をＪｉとすると、
放射線の波器の原理から次式が定まる。
、Ｌ番目（ｌ＝１〜ｍ）の光量子エネルギをＥｉｌその
Ｅｉに対するｊ番目の成分の質量減弱吸収係数をμｉｊ
／ρｉ、測定物に入射する上記Ｅｉの強度をＩｔ、測定
物から波器されて出る上記Ｅｉの強度をＪｉとすると、
放射線の波器の原理から次式が定まる。
ここで［１１式を簡単にするためｈ １＝ｔｎ（Ｉｉ／
Ｉｊ）、ａｉｊ＝μｉｊ／ρｉとおくと次式のようにな
る。
Ｉｊ）、ａｉｊ＝μｉｊ／ρｉとおくと次式のようにな
る。
ｈｉ＝Σａｉｊ ：Ｘｊ （ｉ＝１．＊＋＋ｓｅ、ｙｌ
） ｍ５ｍｍ５！２１ｊ＝１ すなわち上記（２）式はつぎの行列式の成分となる。
） ｍ５ｍｍ５！２１ｊ＝１ すなわち上記（２）式はつぎの行列式の成分となる。
これは、それぞれの対応する行列をＨｌＡｓＸとすると
りぎのように表わせる。
りぎのように表わせる。
Ｈ＝ Ａ Ｘ −−−−−−−１４１
Ｘは未知量、Ａは既知量、Ｈは測定により得られる量で
ある。
ある。
上記ｆｉ１式または（４）式はＸｊについて解くことが
できる。
できる。
たソし、ｍ＝ｎの場合、ｎ元１次連立方程式によシ数式
として解けるが、この場合の測定値はいわゆる測定誤差
を含み、その影響で解が不安定となる。
として解けるが、この場合の測定値はいわゆる測定誤差
を含み、その影響で解が不安定となる。
ｍ ） ｎとし、ｈｉの測定値から最小２乗法でＸｊを
導けば安定な解が得られる。
導けば安定な解が得られる。
ここでＸｌ（ｊ＝１、・・・・・、ｎ）を解とずれを含
むかぎり必ずしも０とならない。
むかぎり必ずしも０とならない。
したがって下記（５）式が最小に導びけるよう、ように
なる。
なる。
Ａ’ Ｈ＝Ａ’ ＡＸ・・・・・・（６）たソしＡ′は
Ａの転置行列である。
Ａの転置行列である。
なお、（６）式はｍ ） ｎであっても一義的に解くこ
とができ、各成分の量Ｘｊ（ｊ＝１、・・・φ、ｎ）が
最小２乗法でまることを示している。
とができ、各成分の量Ｘｊ（ｊ＝１、・・・φ、ｎ）が
最小２乗法でまることを示している。
いま、実施例のごとく母材成分の数を２とすると、ｊ＝
１．２となシ、Ａ’ Ａ、Ａ’ Ｈはつぎのｔ７１ ＋
８１式のようになる。
１．２となシ、Ａ’ Ａ、Ａ’ Ｈはつぎのｔ７１ ＋
８１式のようになる。
上記（７１＋８１式により前記（６）式は次式のように
なる。
なる。
これら各式からＸＩ 、Ｘｔをめると次式のようになる
。
。
ところで前述した（７）式であるが、第４図に示すごと
く成分ｔ１と成分ｔ、２との吸収係数が比例関係にある
と解がなく、また、比例に近い場合も解が不安定となる
ことがわかる。
く成分ｔ１と成分ｔ、２との吸収係数が比例関係にある
と解がなく、また、比例に近い場合も解が不安定となる
ことがわかる。
すなわち、Ｋを定数とした場合、συ（１２０３式のよ
うになり、解がない。
うになり、解がない。
（μ／ρ）ｈ、＝Ｋ（μ／ρ）１１ ・・・・・−συ
ａ ｉ、 ＝ｌ（＊Ｂ ｉ ｌ−ａｍ−＊＊＊＊＊ｅ−
ａｍ （１３１にＡｌ＝に’（Σａｊ４”ア、 −に″
（Σａｉｌ＊、）２ ＝０．、、、α３ＳｉＯ１とＧｅ
である場合、光量子エネルギに対するこれら成分の質
量吸収係数を詳細に調べると第５図のようになる。
ａ ｉ、 ＝ｌ（＊Ｂ ｉ ｌ−ａｍ−＊＊＊＊＊ｅ−
ａｍ （１３１にＡｌ＝に’（Σａｊ４”ア、 −に″
（Σａｉｌ＊、）２ ＝０．、、、α３ＳｉＯ１とＧｅ
である場合、光量子エネルギに対するこれら成分の質
量吸収係数を詳細に調べると第５図のようになる。
第５図で明らかなように１上記エネルギ１００ＫｅＶ”
ｊ：境に吸収特性が大きく変化しており、１００ＫｅＶ
よりも小さい範囲では、（μ／ρ）Ｇｅ／（μ／ρ）
Ｓｔが８〜１１程度であり、両者の質量吸収係数は概ね
比例関係にあると見做せる。
ｊ：境に吸収特性が大きく変化しており、１００ＫｅＶ
よりも小さい範囲では、（μ／ρ）Ｇｅ／（μ／ρ）
Ｓｔが８〜１１程度であり、両者の質量吸収係数は概ね
比例関係にあると見做せる。
つまり、この範囲内のエネルギを用いることは解が不安
定となるので適当でなく、従来例で述べたエネルギ１０
０ＫａＶ 以下のＸＩｗがこれに該当する。
定となるので適当でなく、従来例で述べたエネルギ１０
０ＫａＶ 以下のＸＩｗがこれに該当する。
第５図において、２００ＫｅＶ 以上における各成分の
質量吸収係数の比、例えは（μ／ρ） Ｇｅ／（μ／ρ
）Ｓｔは２４より本小さく、シたがって１００ ＫｅＶ
以下とは大きく異なり、しかも１００ ＫｅＶ 以下
の範囲と２００ ＫｅＶ 以上の範囲とは比例関係にな
いことがわかる。
質量吸収係数の比、例えは（μ／ρ） Ｇｅ／（μ／ρ
）Ｓｔは２４より本小さく、シたがって１００ ＫｅＶ
以下とは大きく異なり、しかも１００ ＫｅＶ 以下
の範囲と２００ ＫｅＶ 以上の範囲とは比例関係にな
いことがわかる。
前記光フアイバ母材１のごとく成分が５ｔ（ｈとＧｅで
ある場合、２種類の放射線エネルギとしては、一方がお
よそ１００ ＫｅＶ 以下、他方がおよそ２００ Ｋｅ
Ｖ 以上の範囲になければならない。
ある場合、２種類の放射線エネルギとしては、一方がお
よそ１００ ＫｅＶ 以下、他方がおよそ２００ Ｋｅ
Ｖ 以上の範囲になければならない。
本発明における線源４すなわちＢ ａ”” ｌ′ｉ、第
６図を参照して明らかなように、上記両範囲にエネルギ
成分をもち、３Ｌ（ＩＫ＠’Ｖ、８０．８ Ｋ ｅ Ｖ
、３５ａθＫｅＶが特に優位のレベルにある。
６図を参照して明らかなように、上記両範囲にエネルギ
成分をもち、３Ｌ（ＩＫ＠’Ｖ、８０．８ Ｋ ｅ Ｖ
、３５ａθＫｅＶが特に優位のレベルにある。
第５図に併記したこれらのエネルギはそれぞれ１００
ＫｅＶを境を分布しており、Ｂ ａ １８１からなる線
源４が５ｔ０２、Ｇｅなどを成分とする光フアイバ母材
１の分析に有効であることを確証している。
ＫｅＶを境を分布しており、Ｂ ａ １８１からなる線
源４が５ｔ０２、Ｇｅなどを成分とする光フアイバ母材
１の分析に有効であることを確証している。
以上説明した通り、本発明方法によるときは透明な光フ
アイバ母材はもちろん、多孔質ガラス製のごとき不透明
な光フアイバ母材であってもこれを精度よく測定分析す
ることができ、母材製造時のフィードバンク制御、母材
の良否判別、母材研究開発の資料など、これらに貢献す
るところ大である。
アイバ母材はもちろん、多孔質ガラス製のごとき不透明
な光フアイバ母材であってもこれを精度よく測定分析す
ることができ、母材製造時のフィードバンク制御、母材
の良否判別、母材研究開発の資料など、これらに貢献す
るところ大である。
第１図は本発明方法の１実施例を示す説明図、第２図は
同上における放射線の走査状況を示す説明図、第３図は
同上におけるＧｅ濃度の測定結果を示す説明図、第４図
、Ｍ５図は光量子エネルギと質量吸収係数との関係を示
す説明図、第６図はＢ＆ｉｌｌの光量子エネルギスペク
トラムを示す説明図である。 １・・・・・光フアイバ母材 ４・・・・・線源 ６・拳・・・検出素子 ■・・・・・放射線 Ｊ・・・０透過線 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠 手続補正書 特許庁長官 殿 ■ 事件の表示 特願昭５８−２１４７４４２ 発明の
名称 光フアイバ母材の組成分析方法３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 ４復代理人〒１００ 東京都千代田区有楽町１−１１１−８小谷ビル昭和５９
年 ２月２８日 ６ 補正の対象 明細書全文 ７ 補正の内容
同上における放射線の走査状況を示す説明図、第３図は
同上におけるＧｅ濃度の測定結果を示す説明図、第４図
、Ｍ５図は光量子エネルギと質量吸収係数との関係を示
す説明図、第６図はＢ＆ｉｌｌの光量子エネルギスペク
トラムを示す説明図である。 １・・・・・光フアイバ母材 ４・・・・・線源 ６・拳・・・検出素子 ■・・・・・放射線 Ｊ・・・０透過線 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠 手続補正書 特許庁長官 殿 ■ 事件の表示 特願昭５８−２１４７４４２ 発明の
名称 光フアイバ母材の組成分析方法３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 ４復代理人〒１００ 東京都千代田区有楽町１−１１１−８小谷ビル昭和５９
年 ２月２８日 ６ 補正の対象 明細書全文 ７ 補正の内容
Claims (1)
- Ｂ、ＩＩＩを線源として該線源からの放射線を光フツイ
パ母材に照射し、その透過線量を測定解析するととＫよ
シ光ファイバ母材の組成分布を分析する光フアイバ母材
の組成分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214744A JPS60107551A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の組成分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214744A JPS60107551A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の組成分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107551A true JPS60107551A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16660868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214744A Pending JPS60107551A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の組成分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107551A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296744A (en) * | 1991-07-12 | 1994-03-22 | Vlsi Technology, Inc. | Lead frame assembly and method for wiring same |
| US7782162B2 (en) | 2005-09-06 | 2010-08-24 | Omron Corporation | Switching device |
| US8477000B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-07-02 | Fujitsu Component Limited | Relay |
| US9076617B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-07-07 | Omron Corporation | Electromagnetic relay |
| US9570258B2 (en) | 2015-04-13 | 2017-02-14 | Lsis Co., Ltd. | Magnetic switch |
-
1983
- 1983-11-15 JP JP58214744A patent/JPS60107551A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296744A (en) * | 1991-07-12 | 1994-03-22 | Vlsi Technology, Inc. | Lead frame assembly and method for wiring same |
| US7782162B2 (en) | 2005-09-06 | 2010-08-24 | Omron Corporation | Switching device |
| US8477000B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-07-02 | Fujitsu Component Limited | Relay |
| US9076617B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-07-07 | Omron Corporation | Electromagnetic relay |
| US9570258B2 (en) | 2015-04-13 | 2017-02-14 | Lsis Co., Ltd. | Magnetic switch |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| León‐Marroquín et al. | Spectral analysis of the EBT3 radiochromic films for clinical photon and electron beams | |
| Girard et al. | X-rays, $\gamma $-rays, and proton beam monitoring with multimode nitrogen-doped optical fiber | |
| US4618975A (en) | Method and apparatus for analyzing a porous nonhomogeneous cylindrical object | |
| JPS60107551A (ja) | 光フアイバ母材の組成分析方法 | |
| Henderson et al. | A quantitative study of pleochroic haloes.—I | |
| Morgan et al. | Post-irradiation examination of optical components for advanced fission reactor instrumentation | |
| Clark et al. | Goniometric spectrometer for the measurement of diffuse reflectance and transmittance of skin in the infrared spectral region | |
| Joo et al. | Radioactivity measurement of radioactive contaminated soil by using a fiber-optic radiation sensor | |
| JPS60107553A (ja) | 光フアイバ母材の組成分析方法 | |
| JPS60107552A (ja) | 光フアイバ母材の組成分析方法 | |
| JPS60107550A (ja) | 光フアイバ母材の組成分析方法 | |
| JPS60250225A (ja) | 光フアイバ母材の組成分析方法 | |
| Arzumanov et al. | Determination of a dose absorbed in a biological sample under mixed gamma–neutron irradiation | |
| Esbelin et al. | High concentration measurements of U and Pu with nondestructive and standardless K‐edge densitometer device | |
| US5553105A (en) | Polychannel multiple-total-external reflection neutron radiography | |
| Fishman et al. | Gamma transmission gauge for assay of integral water content in soil | |
| KR950001735B1 (ko) | 분열 중성자 조사선량계에서 동위원소 버언-인(Burn-In)효과에 대하여 보정하기 위한 방법 | |
| Girard et al. | Spectroscopic studies of radiation effects on optical materials | |
| US6393094B1 (en) | Methods and apparatus using attenuation of radiation to determine concentration of material in object | |
| Olson et al. | Radiation-induced changes in refractive index and absorption coefficient for several optical materials | |
| Drake et al. | Nondestructive analysis of laser fusion microsphere targets using rotational Raman spectroscopy | |
| JP2599360B2 (ja) | Ｘ線による被測定物の非破壊測定方法 | |
| Pereira Ferrazzi | A study of mirrors for an Aerogel Ring Imaging Cherenkov detector | |
| Gunsing et al. | Determination of the boron content in polyethylene samples using the reactor Orphée | |
| JPH071241B2 (ja) | Ｘ線による被測定物の組成分析方法 |