JPS60107553A - 光フアイバ母材の組成分析方法 - Google Patents
光フアイバ母材の組成分析方法Info
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- JPS60107553A JPS60107553A JP58214746A JP21474683A JPS60107553A JP S60107553 A JPS60107553 A JP S60107553A JP 58214746 A JP58214746 A JP 58214746A JP 21474683 A JP21474683 A JP 21474683A JP S60107553 A JPS60107553 A JP S60107553A
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
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- G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非破壊手段により光フアイバ母材の組成を分析
する方法に関する。
する方法に関する。
光フアイバ母材の組成分析は、これを製造する際のフィ
ードバック制御とか、あるいは特性のよい光ファイバを
得るための研究開発にとって有用であるとされておシ、
その１手段として非破壊分析法が採用されている。
ードバック制御とか、あるいは特性のよい光ファイバを
得るための研究開発にとって有用であるとされておシ、
その１手段として非破壊分析法が採用されている。
光フアイバ母材長手方向の任意箇所における組成分布（
＝屈折本分布）を非破壊的に測定する手段として、レー
ザビームを当該母材に照射し、その出射光の散乱パター
ンを解析する方法、平行光線を当該母材に照射し、その
出射光の干渉縞を解析する方法などが公知となっている
が、これらの光学的方法は、母材が透明体である場合の
み有効であり、例えばＭＡＤ法、ＯｖＤ法などによりつ
くられる多孔質ガラス製の光フアイバ母材、すなわち不
透明な母材の場合はこれを測定できない不都合がある。
＝屈折本分布）を非破壊的に測定する手段として、レー
ザビームを当該母材に照射し、その出射光の散乱パター
ンを解析する方法、平行光線を当該母材に照射し、その
出射光の干渉縞を解析する方法などが公知となっている
が、これらの光学的方法は、母材が透明体である場合の
み有効であり、例えばＭＡＤ法、ＯｖＤ法などによりつ
くられる多孔質ガラス製の光フアイバ母材、すなわち不
透明な母材の場合はこれを測定できない不都合がある。
一方、不透明母材の非破壊測定法として、単色Ｘ線を当
該母材に照射し、その−成分（例えばＧｏ）の分布を他
成分（例えば５ｉＯｚ）との関係から推定する試みもあ
るが、この方法の場合、母材成分が主に石英（Ｓｔｏｗ
）とＧｅとの二成分であるとして、二種類以上のエネル
ギ成分が必要となり、例えばその二種のエネルギ成分に
対する５ｉ０２とＧｅとの質量吸収係数が適当な関係に
ないとき、高精度の分析が行なえないとされている。
該母材に照射し、その−成分（例えばＧｏ）の分布を他
成分（例えば５ｉＯｚ）との関係から推定する試みもあ
るが、この方法の場合、母材成分が主に石英（Ｓｔｏｗ
）とＧｅとの二成分であるとして、二種類以上のエネル
ギ成分が必要となり、例えばその二種のエネルギ成分に
対する５ｉ０２とＧｅとの質量吸収係数が適当な関係に
ないとき、高精度の分析が行なえないとされている。
殊に現状の一般的なＸ線発生装置が１００ＫｅＶ以下の
エネルギしか発生できないことを鑑みた場合、上記高精
度分析を満足させるのに適当なエネルギ成分が得られな
い。
エネルギしか発生できないことを鑑みた場合、上記高精
度分析を満足させるのに適当なエネルギ成分が得られな
い。
その他、γ線が利用できることも知られているが、光フ
アイバ母材の分析に関してこれの具体的な報告例は見あ
たらない。
アイバ母材の分析に関してこれの具体的な報告例は見あ
たらない。
本発明の目的は、適切な線源を組み合わせることＫより
複合線源を構成し、該複合線源からの放射線を光フアイ
バ母材に照射することにより、透明な母材は本ちるん、
不透明な母材であっても非破壊的に精度よく分析できる
方法を提供するととＫある。
複合線源を構成し、該複合線源からの放射線を光フアイ
バ母材に照射することにより、透明な母材は本ちるん、
不透明な母材であっても非破壊的に精度よく分析できる
方法を提供するととＫある。
本発明の方法は’ Ｃｓ １１７ からなる線源と他の
線源とを組み合わせることにより複合線源を構成して該
複合線源からの放射線を光フアイバ母材に照射し、その
透過線量を測定解析することＫより光フアイバ母材の組
成分布を分析することを特徴としている。
線源とを組み合わせることにより複合線源を構成して該
複合線源からの放射線を光フアイバ母材に照射し、その
透過線量を測定解析することＫより光フアイバ母材の組
成分布を分析することを特徴としている。
以下、本発明方法の実施例につき、図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明方法を実施するための１手段を示したも
のである。
のである。
同図において、１は光フアイバ母材、２はＸ線、γ線な
どの放射線を上記母材１へ照射するための放射線発生器
、３は上記母材１を透過した放射線を検出するための透
過線検出器である。
どの放射線を上記母材１へ照射するための放射線発生器
、３は上記母材１を透過した放射線を検出するための透
過線検出器である。
上記放射線発生器２は、複合線源４を収納箱６内に収納
することにより構成され、その複合線源４はＣｇ１Ｂ７
からなる線源と他の線源（Ｇｄ１８８、Ｉｒ１９１、Ｂ
ａｌｇｌなど）との組み合わせ構成からなり、照射用
開口を有する収納箱６は鉄、釦な１どの放射線遮蔽材料
からなる。
することにより構成され、その複合線源４はＣｇ１Ｂ７
からなる線源と他の線源（Ｇｄ１８８、Ｉｒ１９１、Ｂ
ａｌｇｌなど）との組み合わせ構成からなり、照射用
開口を有する収納箱６は鉄、釦な１どの放射線遮蔽材料
からなる。
一方、透過線検出器３は既知の検出素子６と、放射線遮
蔽材料からなる収納箱７とで構成され、検出素子６は受
承用開口を有する収納箱γ内に収納されている。
蔽材料からなる収納箱７とで構成され、検出素子６は受
承用開口を有する収納箱γ内に収納されている。
放射線発生器２と透過線検出器３とは互いに対向して配
置され、これらの間に光フアイバ母材１が介在されるが
、この際、光フアイバ母材１と放射線発生器２との間、
光フアイバ母材１と透過線検出器３との間には、それぞ
れコリメータ８ｍ、８ｂ、および８ｅ、８ｄが配置され
、さらに透過線検出器３の検出素子６には、その検出結
果に基づく出力を電気的に増巾する増巾器９と、各透過
線のうち、特定エネルギによるものだけを選出すべく増
巾器９からの信号を選分するマルチチャンネル型などの
波高分析器１０と、記録器１１とが順次接続されている
。
置され、これらの間に光フアイバ母材１が介在されるが
、この際、光フアイバ母材１と放射線発生器２との間、
光フアイバ母材１と透過線検出器３との間には、それぞ
れコリメータ８ｍ、８ｂ、および８ｅ、８ｄが配置され
、さらに透過線検出器３の検出素子６には、その検出結
果に基づく出力を電気的に増巾する増巾器９と、各透過
線のうち、特定エネルギによるものだけを選出すべく増
巾器９からの信号を選分するマルチチャンネル型などの
波高分析器１０と、記録器１１とが順次接続されている
。
本発明方法において測定対象となる光フアイバ母材１は
石英系であり、具体的には５ｉ０２−Ｇｅ０２ 系とか
、あるいはこれにＰ２０Ｈ、ＢｔＣｈなどが添加された
ものである。
石英系であり、具体的には５ｉ０２−Ｇｅ０２ 系とか
、あるいはこれにＰ２０Ｈ、ＢｔＣｈなどが添加された
ものである。
さらに上記母材１はＶＡＤ法、ＯｖＤ法によりつくられ
る多孔質ガラス製（不透明）、ＭＣＶＤ法によりつくら
れる透明ガラス製など、各種あり、層構成からはコア層
のみのもの、コア層とクラッド層とからなるもの、伽弊
蕃各す手層凄孕４４４′Ｊ コア層とク ラッド層とサポート層またはジャケット層とからなるも
のなど、各種の母材１が測定対象となる。
る多孔質ガラス製（不透明）、ＭＣＶＤ法によりつくら
れる透明ガラス製など、各種あり、層構成からはコア層
のみのもの、コア層とクラッド層とからなるもの、伽弊
蕃各す手層凄孕４４４′Ｊ コア層とク ラッド層とサポート層またはジャケット層とからなるも
のなど、各種の母材１が測定対象となる。
本発明方法によるとき、光フアイバ母材１はこれの製造
工程と同期してその組成を分析することができ、また、
該母材製造後においてその組成を分析することもできる
。
工程と同期してその組成を分析することができ、また、
該母材製造後においてその組成を分析することもできる
。
一般に１石英系光ファイバ母材１では５ｉ０２が不可欠
成分となっており、ＧｅＯ２が屈折率特性を決定づける
重要成分となっておシ、当該母材１中のＧｅ濃度を測定
分析すれば、その屈折率特性が判明する。
成分となっており、ＧｅＯ２が屈折率特性を決定づける
重要成分となっておシ、当該母材１中のＧｅ濃度を測定
分析すれば、その屈折率特性が判明する。
さらに上記分析結果が母材製造時のフィードバック制御
、母材の良否判別、母材研究開発の資料などに活用でき
る。
、母材の良否判別、母材研究開発の資料などに活用でき
る。
したがって以下に述べる本発明方法の具体例では、光フ
アイバ母材１がＳ ｉ ０２−ＧｅＯ２系（通常、Ｓ
ｉ ＯＨＫ対するＧｅ量は１０数−以下）である場合を
説明する。
アイバ母材１がＳ ｉ ０２−ＧｅＯ２系（通常、Ｓ
ｉ ＯＨＫ対するＧｅ量は１０数−以下）である場合を
説明する。
第１図において、放射線発生器２の複合線源４から発す
る放射線工がコリメータ８ａ、８ｂを経由して光フアイ
バ母材１に照射されると、該放射線工は上記母材１を透
過し、その透過線Ｊがコリメータ８ｃ、８ｄを経由して
透過線検出器３の検出素子６へ入る。
る放射線工がコリメータ８ａ、８ｂを経由して光フアイ
バ母材１に照射されると、該放射線工は上記母材１を透
過し、その透過線Ｊがコリメータ８ｃ、８ｄを経由して
透過線検出器３の検出素子６へ入る。
つまり放射線工はそのエネルギに対する物質の質量吸収
係数、距離に応じて波器され、透過線Ｊとなって検出素
子（６）へ入る。
係数、距離に応じて波器され、透過線Ｊとなって検出素
子（６）へ入る。
この透過線Ｊを受けた検出素子６は、増巾器９、波高分
析器１０を介して上記母材１中の組成すなわちＧｅ濃度
を分析するとともにこれを記録計１１により記録する。
析器１０を介して上記母材１中の組成すなわちＧｅ濃度
を分析するとともにこれを記録計１１により記録する。
この際、放射線発生器２および透過線検出器３は母材断
面からみて第２図のごとく走査されるのであり、光フア
イバ母材１におけるＧｅ分布が第３図のようなものであ
るとすると、上記分析によりＧｅ分布が第３図の通り精
度よくあられれる。
面からみて第２図のごとく走査されるのであり、光フア
イバ母材１におけるＧｅ分布が第３図のようなものであ
るとすると、上記分析によりＧｅ分布が第３図の通り精
度よくあられれる。
光フアイバ母材１が第３図のごときＧｅ分布を有すると
き、その透過線Ｊの強度を放射線工との比であられすと
次表のようになる。
き、その透過線Ｊの強度を放射線工との比であられすと
次表のようになる。
つぎに本発明方法の有効性につき、測定対象物を一般化
して述べる。
して述べる。
測定物の成分ｔｊ（ｊ＝１−ｍ）、その成分量をＸｊ、
ｉ番目（ｉ＝１〜ｍ）の光量子エネルギをＥｉｂそのＥ
ｉＫ対するｊｔ目の成分の質量減弱吸収係数をμｉｊ／
ρ１１測定物に入射する上記Ｅｉの強度をＩｆ、測定物
から波器されて出る上記Ｅｉの強度をＪｉとすると、放
射線の波器の原理から次式が定まる。
ｉ番目（ｉ＝１〜ｍ）の光量子エネルギをＥｉｂそのＥ
ｉＫ対するｊｔ目の成分の質量減弱吸収係数をμｉｊ／
ρ１１測定物に入射する上記Ｅｉの強度をＩｆ、測定物
から波器されて出る上記Ｅｉの強度をＪｉとすると、放
射線の波器の原理から次式が定まる。
ここで１１１式を簡単にするためｈ １−４ｎ （Ｉ
ｉ／Ｉ ｊ ）、ａｉｇ＝μｉ Ｊ／ｐ ｉとおくと次
式のようになる。
ｉ／Ｉ ｊ ）、ａｉｇ＝μｉ Ｊ／ｐ ｉとおくと次
式のようになる。
ｈｉ＝Ｘ ａｉｇ Ｘｉ （ｉ＝１． ・ａ＊・・、ｎ
）・・・−＋２１ｊ＝１ すなわち上記（２）式はつぎの行列式の成分となる。
）・・・−＋２１ｊ＝１ すなわち上記（２）式はつぎの行列式の成分となる。
これは、それぞれの対応する行列ｔ： Ｈ１Ａ ｓＸと
するとつぎのように表わせる。
するとつぎのように表わせる。
Ｈ＝ＡＸ−・・・（４）
Ｘは未知量、Ａは既知量、Ｈは測定により得られる量で
ある。
ある。
上記（１１式または（４）式はＸｊ について解くこと
ができる。
ができる。
ただし、ｍ＝＝ｎの場合、ｎ元１次連立方程式により数
式として解けるが、この場合の測定値はいわゆる測定誤
差を含み、その影響で解が不安定となる。
式として解けるが、この場合の測定値はいわゆる測定誤
差を含み、その影響で解が不安定となる。
ｍ ） ｎとｌ、、ｈｉの測定値から最小２乗法でＸｊ
を導けば安定な解が得られる。
を導けば安定な解が得られる。
ここでＸｉ （ｊ＝１、・・・・・、ｎ）を解とすれば
、Δ１＝ｈｉ７Ｘａ１ｊ Ｘｊは、ｈｉが実験誤コ＝１ 差を含むかぎり必ずしもＯとならない。
、Δ１＝ｈｉ７Ｘａ１ｊ Ｘｊは、ｈｉが実験誤コ＝１ 差を含むかぎり必ずしもＯとならない。
したがって下記（５）式が最小に導ひけるよう、Ｓ
ｌ、Ｘ＝０の正規方程式を組みたてると、（６）式のよ
うになる。
うになる。
ただしＡ′はＡの転置行列である。
なお、（６）式はｍ）ｎであっても一義的に解くことが
でき、各成分の量Ｘｊ （ｊ＝１、・・・・、ｎ）が最
ｌ」・２乗法でまることを示している。
でき、各成分の量Ｘｊ （ｊ＝１、・・・・、ｎ）が最
ｌ」・２乗法でまることを示している。
いま、実施例のごとく母材成分の数を２とすると、ｊ＝
１．２となり、Ａ’ Ａ、Ａ’ Ｈはつぎのｔ７１ ＋
８１式のようになる。
１．２となり、Ａ’ Ａ、Ａ’ Ｈはつぎのｔ７１ ＋
８１式のようになる。
上記＋７１ ＋８１式により前記（６）式は次式のよう
Ｋなる。
Ｋなる。
これら各式からＸ１％Ｘ２をめると次式のようになる。
ところで前述した（７１式であるが、第４図に示すごと
く成分ｔ、と成分ｔ、との吸収係数が比例関係にあると
解がなく、また、比例に近い場合も解が不安定となるこ
とがわかる。
く成分ｔ、と成分ｔ、との吸収係数が比例関係にあると
解がなく、また、比例に近い場合も解が不安定となるこ
とがわかる。
すなわち、Ｋを定数とした場合、ｕｔｔｚｈｚ式のよう
になり、解がない。
になり、解がない。
（μ／ρ）ｔ２−Ｋ（μ／ρ）ｔ、・・・・・圓ａｉ２
＝に＠ａｉ１ ””α２ −１にＡ１：＝に２（Σａｉｌ’）’−に’（Σａｉｌ
； ７−０ ＊・−ａ ０３上述の説明で明らかなよう
に、光量子エネルギと測定物質の成分の質量吸収係数と
は適当な関係になければならない。
＝に＠ａｉ１ ””α２ −１にＡ１：＝に２（Σａｉｌ’）’−に’（Σａｉｌ
； ７−０ ＊・−ａ ０３上述の説明で明らかなよう
に、光量子エネルギと測定物質の成分の質量吸収係数と
は適当な関係になければならない。
前述した光フアイバ母材のように、成分がＳｉＯ□とＧ
ｅである場合、光量子エネルギに対するこれら成分の質
量吸収係数を詳細に調べると第５図のようになる。
ｅである場合、光量子エネルギに対するこれら成分の質
量吸収係数を詳細に調べると第５図のようになる。
第５図で明らかなように、上記エネルギ１００ＫａＶを
境に吸収特性が大きく変化しており、１００ＫｅＶより
も小さい範囲では、（μ／ρ） Ｇｅ／（μ／ρ）Ｓｔ
が８〜１１ 程度であり、両者の質量吸収係数は概ね
比例関係１ｃ、りると見做せる。
境に吸収特性が大きく変化しており、１００ＫｅＶより
も小さい範囲では、（μ／ρ） Ｇｅ／（μ／ρ）Ｓｔ
が８〜１１ 程度であり、両者の質量吸収係数は概ね
比例関係１ｃ、りると見做せる。
つまり、この範囲内のエネルギを用いることは解が不安
定となるので適当でなく、従来例で述べたエネルギ１０
０ＫｅＶ以下のＸ線がこれに該当する。
定となるので適当でなく、従来例で述べたエネルギ１０
０ＫｅＶ以下のＸ線がこれに該当する。
ｇＪ５図において、２００ＫｅＶ 以上における各成分
の質量吸収係数の比、例えば（μ／ρ）Ｇｅ／（μ／ρ
）Ｓｔ けｚ４よりも小さく、シたがって１００ＫｅＶ
以下とは大きく異なり、しがも１００ＫｅＶ以下の範囲
と２００ＫｅＶ以上の範囲とは比例関係にないことがわ
かる。
の質量吸収係数の比、例えば（μ／ρ）Ｇｅ／（μ／ρ
）Ｓｔ けｚ４よりも小さく、シたがって１００ＫｅＶ
以下とは大きく異なり、しがも１００ＫｅＶ以下の範囲
と２００ＫｅＶ以上の範囲とは比例関係にないことがわ
かる。
前記光フアイバ母材１のごとく成分が５ｉ０２とＧｅで
ある場合、２種類の放射線エネルギとしては、一方がお
よそ１００ ＫｅＶ 以下、他方がおよそ２００ＫｅＶ
以上の範囲になければならない。
ある場合、２種類の放射線エネルギとしては、一方がお
よそ１００ ＫｅＶ 以下、他方がおよそ２００ＫｅＶ
以上の範囲になければならない。
本発明において他の線源としたもののうち、ＢａＩＢＭ
と１ｒ１０！ とはｙＸ６図、第７図を参照して明ら
かなように１上記両範囲にエネルギ成分全もち、Ｂａ１
Ｂ＠では３１．０ＫｅＶ、８０．８ＫｅＶ。
と１ｒ１０！ とはｙＸ６図、第７図を参照して明ら
かなように１上記両範囲にエネルギ成分全もち、Ｂａ１
Ｂ＠では３１．０ＫｅＶ、８０．８ＫｅＶ。
３５６、ＯＫ ｅ Ｖ％ Ｉ ｒ肉では６６．８ＫｅＶ
、３１６５Ｋｅｙ、４６７．９ＫｅＶがそれぞれ優位（
７）Ｌ／−＜ルに４る。
、３１６５Ｋｅｙ、４６７．９ＫｅＶがそれぞれ優位（
７）Ｌ／−＜ルに４る。
第５図に併記したこれらのエネルギはそれぞれ１００Ｋ
ｅＶを境にして分布しており Ｂ ａ ｉｌＭ、工ｒ１
９！が５ｉ０２、Ｇｏなどを成分とする光・ファイバ母
材１の分析に有効な線源であることを確証している。
ｅＶを境にして分布しており Ｂ ａ ｉｌＭ、工ｒ１
９！が５ｉ０２、Ｇｏなどを成分とする光・ファイバ母
材１の分析に有効な線源であることを確証している。
一方、本発８Ａにおいて特定した線源Ｃ５１１７と、他
の線源Ｇｄ”“とは、第５図に示すごと〈１００ＫｅＶ
を境にして片側圧しか主エネルギ成分をもたず、Ｇ ｄ
１ｓ”ｌ’ｊ： ｌ ００ ＫｅＶ近辺、Ｃ３ｌＩ＋
７ハ６６２ ＫｅＶにそれぞれ主エネルギ成分を有して
いるが、既述のごと＜ Ｃｍ １ｓｌ を特定線源とし
、Ｇｄ” ％ Ｂ ａ”” 、ＩｒＩ＃童 などを他の
線源とし、これら線源の組み合わせ構成からなる複合線
源４の場合は、自明の通り光フアイバ母材１の分析に有
効であるといえる。
の線源Ｇｄ”“とは、第５図に示すごと〈１００ＫｅＶ
を境にして片側圧しか主エネルギ成分をもたず、Ｇ ｄ
１ｓ”ｌ’ｊ： ｌ ００ ＫｅＶ近辺、Ｃ３ｌＩ＋
７ハ６６２ ＫｅＶにそれぞれ主エネルギ成分を有して
いるが、既述のごと＜ Ｃｍ １ｓｌ を特定線源とし
、Ｇｄ” ％ Ｂ ａ”” 、ＩｒＩ＃童 などを他の
線源とし、これら線源の組み合わせ構成からなる複合線
源４の場合は、自明の通り光フアイバ母材１の分析に有
効であるといえる。
以上説明した通り、本発明方法によるときは透明な光フ
アイバ母材はもちろん、多孔質ガラス製のごとき不透明
な光フアイバ母材であってもこｉ″ＬＬヲ精度測定分析
することができ、母材製造時のフィードバック制御、母
材の良否判別、母材研究開発の資料など、これらに貢献
するところ大である。
アイバ母材はもちろん、多孔質ガラス製のごとき不透明
な光フアイバ母材であってもこｉ″ＬＬヲ精度測定分析
することができ、母材製造時のフィードバック制御、母
材の良否判別、母材研究開発の資料など、これらに貢献
するところ大である。
第１図は本発明方法の１実施例を示す説明図、第２図は
同上における放射線の走査状況を示す説明図、第３図は
同上におけるＧｅ濃度の測定結果を示す説明図、第４図
、第５図は光量子エネルギと質量吸収係数との関係を示
す説明図、第６図、第７図はそれぞれｆ３ａｒａｍ、ｌ
ｒ１″２の光量子エネルギスペクトラムの説明図である
。 １、・・・・・光フアイバ母材 ４・・・・・複合線源 ６・・・・・検出素子 ■・・・・・放射線 Ｊ・・・・・透過線 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠 １ＪＩｆ図 第３図 ２ ぶ 第４図 第６図 ！量子工オルで（ＫｅＴ７．１ 第５図 第７図 光量子エネルぞ（Ｋｅｙ） 手続補正書 ｌ 事件の表示 特願昭５８−２１４／４６２ 発明の
名称 光フアイバ母材の組成分析方法３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 ４復代理人〒１００ 東京都千代田区有楽町１−Ｅｌ−６小谷ビル昭和５９年
２月２８日 ６ 補正の対象 明細書全文 ７ 補正の内容
同上における放射線の走査状況を示す説明図、第３図は
同上におけるＧｅ濃度の測定結果を示す説明図、第４図
、第５図は光量子エネルギと質量吸収係数との関係を示
す説明図、第６図、第７図はそれぞれｆ３ａｒａｍ、ｌ
ｒ１″２の光量子エネルギスペクトラムの説明図である
。 １、・・・・・光フアイバ母材 ４・・・・・複合線源 ６・・・・・検出素子 ■・・・・・放射線 Ｊ・・・・・透過線 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠 １ＪＩｆ図 第３図 ２ ぶ 第４図 第６図 ！量子工オルで（ＫｅＴ７．１ 第５図 第７図 光量子エネルぞ（Ｋｅｙ） 手続補正書 ｌ 事件の表示 特願昭５８−２１４／４６２ 発明の
名称 光フアイバ母材の組成分析方法３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 ４復代理人〒１００ 東京都千代田区有楽町１−Ｅｌ−６小谷ビル昭和５９年
２月２８日 ６ 補正の対象 明細書全文 ７ 補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉｌｌ Ｃｓ ｘｓｔからなる線源と他の線源とを組み
合わせることＫよυ複合線源を構成して該複合線源から
の放射線を光フアイバ母材に照射し、その透過線量を測
定解析することにより光フアイバ母材の組成分布を分析
する光フアイバ母材の組成分析方法＠ ＋２１ 他の線源がＧ ａ Ｉｌｌ、１ｒ１Ｇ！、Ｂ
ａ １ｇ１ のいずれかからなる特許請求の範囲第１項
記載の光フアイバ母材の組成分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214746A JPS60107553A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の組成分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214746A JPS60107553A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の組成分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107553A true JPS60107553A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16660897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214746A Pending JPS60107553A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | 光フアイバ母材の組成分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107553A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9711310B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-07-18 | Fujitsu Component Limited | Electromagnetic relay |
-
1983
- 1983-11-15 JP JP58214746A patent/JPS60107553A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9711310B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-07-18 | Fujitsu Component Limited | Electromagnetic relay |
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