TW411634B - Organic electroluminescent display device and method of forming the same - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 167
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 120
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 52
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 28
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 9
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 claims description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 7
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 22
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 19
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 16
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 12
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 210000002414 leg Anatomy 0.000 description 6
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 2
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- MXVLMYZRJAHEIS-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylphenyl)naphthalene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MXVLMYZRJAHEIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000543381 Cliftonia monophylla Species 0.000 description 1
- 208000001613 Gambling Diseases 0.000 description 1
- 241000283973 Oryctolagus cuniculus Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008485 antagonism Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 238000009933 burial Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012771 household material Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000003716 rejuvenation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
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Description
經濟部中央標準局員工消费合作社印製 411634 五、發明説明（1 ) ~ 本發明係有關於一種有機電發光顯示裝置及其製造 方法’特別是有關於適於平面顯示之_種有機電發光顯 示裝置及其製造方法。。 第1圖所所示為習知有機電發光顯示裝置的部份剖 面圖不。此有機電發光顯示裝置是形成於一透明支持基 板31上’通常是以iTO(indium tin oxide)所組成之一透 明電極31，先以光學石版術（ph〇t〇Uth〇graphy)定義囷案 於透明支持基板31，再施以包含氣化鐵等化學物質的濕 式姓刻處理’此經定義圖案之透明電極32作為一陽極β 一有機電發光層35經真空蒸鍍法沈積於經定義圖案之透 明電極32上。然後，一陰極37經定義圖案形成於有機 電發光層35上》倘若定義陰極37時是採用光阻技術施 以濕式蝕刻行之的話’則在濕式蝕刻後需將使用過的光 阻去除，此舉會戀卿平3蹲^+。 當使用過的光阻自陰極37處移除時、或當藉光阻 蝕刻陰極時，會有邋氩遂入至有槪電秦态屬35和陰極:37 間之介齑，此濕氣滲入會造致有機電發光特性及使用壽 命明齡地劣化現象。 為避免這個問題，在蒸鏈形成複數盡巍電《藏為竭成 及陰極„迹*<¥採^遽J (shadow mask)以形成有機電發光 顯示裝置。 若採用遮罩於所示之第1圖，譬如以濺鍍法 (sputtering)沈積ITO组成之透明電極、形成於玻璃之透 明支持基板31上，接著定義透明電極成帶狀之陽極32。 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4获洛（210X297公釐） ---------i — - - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) 訂 經濟部中央標準局员工消費合作社印裝 411634 _^__ 五、發明説明（2 ) 然後’第一和第二有機電發光層33和34覆於全般陽極 32和透明支持基板31上，第一和第二有機電發光層33 和34構成一有機電發光層35。 以金屬備製之一遮罩具有帶狀切痕之一帶狀遮蔽部 36，此遮罩係以帶狀切痕的縱長方向與陽極圖案成垂直 擺置，並與有機電發光層35相接觸β之後，以真空蒸鍍 法將陰極物質經遮罩沈積於有機電發光層35上。 在曰本早期公開專利公告號5-275172案中，揭示 一種有機電發光影像顯示器及其製造方法，將複數ΪΤΟ 陽極線以倒叙間隔排列於遑明H線扳上，在有機電發 光層形成於透明支持基板上之前，形成沿與陽極垂直方 向相隔之若干牆狀物（walls)，此等牆狀物具有較有機電 發光層厚度大之高度。然後，一金屬氣相沈積源係於一 絕緣牆狀物夾置於沈積源與鄰近於有機電發光層表面間 之一角度安置，藉以形成一金屬膜做為一陰極。 至於牆狀物的材質可以是旋轉塗佈之員光阻膜或虼 式膜。負光阻膜或乾式膜經光學圖案（optical pattern)曝 光，使光阻呈刹面連結（cross-linking)關係，故當光阻未 經曝光區需顯影去除時無法溶解。 此外，亦揭露了下述的牆狀物形成的方法》在定義 圖案的製程把光阻形成於將隨後欲形成之牆狀物圍繞的 區域處上。接著，將諸如破酸物（silica)、氮化碎（silicon nitride)、或鋁等之牆狀物材質，形成於上述區域，之後 在以舉離法（lift-off)去除光阻以形成牆狀物。 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（21 ο X 297公釐） ^^^1 Et —^—1» ί "、1 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ7 B7 411634 五、發明説明（3 ) 倘若供做陰極之金屬是於真空蒸鍍以—斜角形成， 然後此金屬在某一部係沿牆狀物被隔離，使得牆狀物是 夾置於此部份和有機電發光層間，結果，陰極可如所需 的圖案形成。 而驅動上述方法形成之有機電發光顯示裝置時，在 陽極和陰極間施加5-20V之一電壓，造致一電流流經有 機電發光層。 上述習知有機電發光顯示裝置具有將有機電發光層 夾置於陽極和陰極間之結構，施於陽極和陰極間之電壓 造成有機電發光層發光，基於顯示所需圖案的理由，陽 極和陰極必須按所需定義圖案。對於一點矩陣（dot_mairix) 顯示器，定義陽極和陰極圖案時，係在矩陣中互為交越。 如上所述’對於定義透明支持基板上的陽極相當容 易’問題在於定義有機電發光層上陰極的圖案。若是採 用光阻技術以濕式蝕刻法行之’則是選擇性蝕刻得陰極 後將光阻去除，此時在有機電發光層和陰極間介面會有 濕氣滲入的問題，因此會明顯地劣化顯示器的發光特性 暨使膝壽命。 為避免這個問題，已提出定義有機電發光層上陰極 圖案時使用一遮罩的方法’亦提出使用光阻牆狀物做為 罩幕（masks)定義陰極圖案者。 在使用遮罩的方法中，若基板的尺寸很大，因遮罩 重量之故，遮罩未能牢固地安裝於透明支持基板中央部 之有機電發光層上，亦很難獲致所需精確的陰極圖案， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（2i〇X297公釐） ^^1 ^^1 11 - - I ^^1 I- - I —- - - -.1 n 1^1 - * I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 4U634 ΑΊ _____Β7 五、發明説明（4 ) 一 可能會形成陰極短路》甚或基板尺寸不大、卻需要較為 精細的圖案時，則薄遮罩即為所需，但是薄遮罩的硬度 小，亦不易將遮罩與有機電發光層相接觸。 為解決上述問題，有提出形成由磁性物質所組成的 薄遮箪，並將一磁鐵置於透明支持基板形成有機電發光 層表面相對之表面’迫使遮罩帶狀部因磁力得與有機電 發光層緊Φ接觸。在遮罩得以緊密、疫觸有機電發光層之 則’有機電發光層可能具有刮痕38，而為能將驅動電壓 控制在不超過20V之故，有機電發光層的厚度較1微米 薄，因此，刮痕38可能會及於有機電發光層下之陽極。 若刮痕38存在的位置適為陰極欲形成之所，則做為陰極 之金屬會經由刮痕與陽極接觸，造成^陽極與陰極間形成 短路。陽極與陰極間之短路使得夾置於其間的有機電發 光層無法被施以既定的電壓，結果，位於此短路位置的 顯示像素對於施加電壓未予反應，造成顯示器良率下降。 使用光阻牆狀物後者方法中，需於有機電發光層和 供沈積金屬做為陰極之一蒸鍍源間提供牆狀物，因此， 於大尺寸透明支持基板上定義陰極圖案需要大型真空蒸 經濟部中央橾準局員工消资合作社印11 —--4H m· ^^—^1 ^^^1 In L 1^1 n »^—^1 ^^^1 Jn I - (請先w讀背面之注意事項再填寫本頁) 鳆機’此大装.真空蓋娘機：義費孤高毒成本，.故會增加 製造成太。 相鄰陰極間是以一距離相隔，此距離相當於牆狀物 寬與夾置於供沈積金屬做為陰極之蒸鍍源和有機電發光 層間沿牆狀物突出於有機電發光層表面上之區域寬之總 合。基於是項理由，對於大型顯示基板中，近於或遠於 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（5 ) 沈積金屬做為陰極之蒸鍵源之牆狀物突出於像素分隔寬 度是有所不同。 再者’若供沈積金屬做為陰極之蒸鍍源和透明支持 基板間、以約略呈平行延伸至—直線連接，則無牆狀物 可突出於有機電發光層上之餘地，此意即不可能在有機 電發光層上定義陰極圖案。 針對上述的情況’屬息發展此二種新賴的有旅電發 光顯示裝釁’可％患除;上鹿與問題泰缺點。 因此，本發明之一f的’在於提供一種有機電發光 顯示裝置’得以免除上述問題。 本發明之另一目的，在於提供一種有機電發光顯示 裝置，得以避免對有機電發光層造成任何破壞。 本發明之在一目的，在於提供一種有機電發光顯示 裝置，免於對有機電發光層造成任何劣化的問題。 本發明之尚一目的，在於提供二種有機電發光顯示 裝置’可以精細地定義陰極圓案。 本發明之再另一目的，在於提供一種有▲電發光顯 示裝置，可減少生產成本。 本發明之尚另一目的，在於提供一種有機電發光顯 示裝置，可根據所需定義任何陰極的圖案。 下術為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點 能更明顯易懂。 一種有機電發光顯示裝置，包括：一透明支持基板、 呈複數帶狀物形成於透明支持基板上之一透明陽極、延 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 "1 . 本紙張尺度適财Η@家標準（CNS ) Α4規格（210X297公赛） 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印策 Λ7 B7 五、發明説明（6 ) 伸於透明支持基板和透明陽極上方一之有機電發光層、 以及呈複數帶狀物沿與陽極延伸之一方向垂直之另一方 向延伸之一陰極。其中，至少一絕緣分離牆狀物設置於 陽極之帶狀物間，絕緣分離牆狀物具有較陽極和有機電 發光層總和厚度大之高度，有機電發光層尚延伸於絕緣 分離牆狀物上方。 為讓本發明之上述和其他目的、特微、和優點能更 明顯易懂’下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式， 作詳細說明如下： 圖示之簡單說明： 第1圖所示為習知有機電發光顯示裝置的部份剖面 圖示； 第2圖係顯示根據本發明第一實施例之有機電發光 顯示裝置的平面圖； 第3A-3F圖係顯示根據本發明第一實施例之有機電 發光顯示裝置的製造方法流程剖面圖； 第4圖係顯示根據本發明形成有機電發光顯示裝置 方法採用一遮罩的平面圖； 第5圖係顯示根據本發明形成有機電發光顯示裝置 方法採用另一遮罩的平面圖： 第6A-6B圖係係顯示根據本發明第二實施例之有機 電發光顯示裝置的製造方法流程剖面圖；以及 第7圖係顯示根據本發明第三實施例之有機電發光 顯示裝置的製造方法流程剖面圖。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Μ規格（210X297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 ____B7 五、發明説明（7 ) ~~~~ 符號說明： 1、31〜透明支持基板；i、18、32〜陽極；3〜分離賭 狀物；4、35〜有機電發光層；4a〜a-NPD層；4b〜Alq3層； 5、21、37〜陰極；6〜負乾式膜光阻；7〜光罩；8〜近紫外 光；9〜遮光部；10〜蒸鍍有機分子；11、遮罩；12、 19、36~遮蔽部；13、13a〜切口； 14~磁鐵；15、20〜蒸 鍍金屬；16〜合金層；17〜橋接部；33〜第一有機電發光 層；34~第二有機電發光層；3 8~刮傷。 實施例： 一種有機電發光顯示裝置，包括：一透明支持基板、 呈複數帶狀物形成於透明支持基板上之一透明陽極、延 伸於透明支持基板和透明陽極上方一之有機電發光層、 以及呈複數帶狀物沿與陽極延伸之一方向垂直之另一方 向延伸之一陰極。其中，至少一絕緣分離牆狀物設置於 陽極之帶狀物間，絕緣分離牆狀物具有較陽择和有機電 發光層總和厚度大之高度，有機電發光層尚延伸於絕緣 分離勝狀物上方。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 絕緣分離牆狀物可包括複數帶狀物，每一帶狀物以 與陽極帶狀物平行方向連續地延伸於透明支持基板上 方’使絕緣分離牆狀物帶狀物延伸於陽極帶狀物間。 另外，絕緣分離牆狀物可包括複數帶狀物，每—帶 狀物包括以間隙互為相隔之複數區段定位於透明支持基 板上方，絕緣分離牆狀物之帶狀物以與陽極帶狀物平行 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 411634 __J?7 五、發明説明（8 ) " " ~ 方向斷續地延伸於陽極帶狀物間。此例中，區段間之間 隙的寬度及位置，疋以保持陰極予一均勻之形狀而決定。 區段間之間隙的寬度可較遮罩帶狀遮蔽部之寬度為窄， 以避免間隙延伸至遮罩之帶狀切口。 絕緣分離牆狀物的高度，是為能保持遮罩與有機電 發光層相隔來決定。 有機電發光層至少需覆於陽極。較佳而言，有機電 發光層覆盖絕緣分離牆狀物和陽極上，並延伸於透明支 持基板全般區域》有機電發光層也可能唯覆蓋絕緣分離 牆狀物和陽極，未覆蓋絕緣分離牆狀物和陽極間之邊界 部〇 經濟部中央標準局貝工消費合作社印策 I ----·111" 裝 ----I 1!-r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明尚提供一種有機電發光顯示裝置的製造方 法，包括下列步驟：形成呈複數帶狀物之一陽極於一透 明支持基板上：提供複數分離牆狀物於陽極帶狀物間及 透明支持基板上方，其中，分離牆狀物具有較陽極厚度 和一既定值總合大之高度；形成一有機電發光層於陽極 和分離牆狀物上方，有機電發光層具有對應於既定值： 以及’置具有複數切口之一遮罩於分離牆狀物頂部表面 上並緊密地接觸，致使蒸鍍一金屬材料經遮罩選擇性地 形成具有複數帶狀物之一陰極於有機電發光層上方。 遮罩具有陰極的圖案》 最好遮罩具有若干帶狀開口，每一開口係連續地延 伸於基板上方。 遮罩也可以具有若干帶狀開口，每一開口包括以間 11 I紙張尺度適用?ϋ·ϋ^ΤΑ·Μ 2丨以297公^- 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 411634 B7 —___* -五、發明説明（9 ) 隙互為相隔之複數區段，而定位於基板上方。 有效的方式是將遮罩配合一磁場產生器，磁場產生 器產生一磁場致使遮罩緊密地接觸分離牆狀物頂部表 面，藉以形成精細準確的圖案。此磁場產生器可以是永 久磁鐵或電磁鐵。 曰本早期公開公告號第8-171989號案中，揭示將 分離牆狀物形成於一陽極帶狀物間及透明支持基板上 方，再形成一有棒電發光層，然後呈帶狀之陰極方形成 於有機電發光層上。此習知有機惠嚴光顧古m風於务命勢陽雇紫疾氣赢摄痛士癥暴感與矣集電 發為孤办惠齡·饑，氣泰氣葬屢與秦爲多猶。 與上述習知有機電發光顯示裝置相較，本發明之有 機電發光顯示裝置可避免上述問題。因分離牆狀物高度 大於陽極與有機電發光層總合厚度，故焱薦牆胤物部 具《在遍^龜巍機s霧潑，層π攝，部？命:：的π暴、位..。這表示遮 罩可以與分離牆狀物緊密地接觸，並《處》i念牆.散物,..1= ϋ。此一結構可以使有機電發光mm接麟，故 不會對有機電發產慮暴成暴傷真琳傷。 另外，因遮罩與分離牆狀物緊密地接觸，據此形成 陰極以蒸鍍金屬雖為等向，仍可獲致精確的圖案。 再者，本發明利用一光阻膜定義陰極圖案時，並立 使式触..刻·技，放』兔>於。上、述:極:「想v.濃ί氣'渗'透..至有/機 電發光層與陰極間的問題。因此，本發明之有機電發光 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 —_411634_t__ 五、#明説明（ίο) 顯示裝置之電發光性質和壽命可免於劣化，呈現較優的 電發光性質和使用壽命。 根據本發明，分離牆狀物是陽極形成，故與陰極延 伸方向垂直之一方向延伸，故分離踏狀物的帶狀線與遮 罩帶狀切口呈直角交錯，故定氣拮術n以 雅_底^氣置爲念德腾J(物<上。 若與本發明者相較，曰本早期公開公告號第5-275172號案5中，揭示將分離牆狀物形成於陽極上方， 使分離牆狀物的帶狀物與陽極成垂直之方向延伸。此例 中，為能獲致精確的陰極圖案，分離牆狀物的厚度需較 遮罩帶狀遮蔽部寬度為薄。在精確調整分離牆狀物厚度 之外，尚須調整分離牆狀物相鄰牆狀物間的距離。甚者， 遮罩之帶狀遮蔽部需精確地置於分離牆狀物上方，使得 分離牆狀物無延伸至遮罩帶狀切口處之部份，此舉意味 著很難獲致精確的陰極圖案。根據上述說明，習知有機 電發光顯示裝置有相當多的缺點，因此，.JL隹故.方式.是 分狀*...物，的a帶，狀^線與陰極方之方.. 向延伸。 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印掣 ---------裝-- (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第一實施例 根據本發明之第一實施例茲參照第2圖所示一有機 電發光顯示裝置的平面圖示詳述如下。先以濺鍍法沈積 具有厚度約為l〇〇nm之一 1TO膜於一透明支持基板1 上，此透明支持基板包括一玻璃基板，因無鹼（no-alkali) 玻璃基板對於濕氣吸收性較少，故為較佳的基板材料， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印聚 Λ7 Β7 五、發明説明（11) 若能將基板置於乾燥環境下，則廉價的含鹼玻璃基板或 是碳酸鈉石灰（soda lime)玻璃基板亦可使用。 然後，沈積ITO膜於玻璃基板上，再施以光j學石版 技術蝕刻定義出圖案，以形成ΠΌ帶狀物做為陽極，陽 極帶狀物係沿垂直方向^^伸，側向以一固定間距對齊。 ITO膜不僅是做為陽極2·亦負責透射來自有機電赢光 屬巍射邀、恭，知基/於^是^項、趣〃由^，以使用低阻值及向透光 率材質為佳。陽極2包括128條帶狀線，每一線具有1.0 mm的間距、0.6刪的線寬、以及45刪的線長。陽極2 的帶狀處瓜定jtj#麗 呈帶狀線之分離牆狀物3形成於陽極2影故巍，亂之 玻％,基^板L.上，方。分離牆狀物3之帶狀線係沿列方向延 伸、或是與陽極2帶狀線平行之方向延伸。分離牆狀物 3帶狀線圖案具有1.0 ΠΜ的間距和0.3腿的線寬，，氣蘿牆 ^^^物::.;3«*具_1有.:。..1.5，?5.25>«.(^111.:.;.的@;叔:._度。 一有機邋藏蟲層4是以f空蒸鍍播沈積於玻璃基板 上，使有機電發光層成長方形或正方形，藉以使有機電 發光層-4覆於陽極2和分離牆狀物3上。然後，提供一 遮罩，此遮罩具有沿肷.撒論，藥:皰:<之4« 長部。利用這個麗，，真交蒸錄金屋以形成帶狀 線陰.振丄.於:本.機'屬着 下文即參照第3A-3F圖將根據本發明第一實施例有 機電發光顯示裝置的製程重要之處予以描述，第3A-3F 圖係顯示根據本發明第一實施例之有機電發光顯示裝置 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐） n m· l ^^^1 ^^^1 ^^^1 ^^^1 I^^r ...... - - - -* (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明（l2) 的製造方法流程部份剖面圖。 請參照第3A圖，以真空蒸鍍法沈積一 ITO膜於透 明玻璃基板1上，再以鍊T學石版術定義1το膜圖案形成 呈複數互為平行帶狀物之一陽極2，後經一薄膜形成機 (laminator)形成一負乾式膜光阻6覆於玻璃基板1和陽 極2上。自一曝光系統發射近紫外光（near ultraviolet ray) 經一光罩7及於玻璃基板1上的乾式滅A驵6 ’使帶狀 圖案得以轉移至乾式膜光阻6上。此乾式膜光阻6譬如 可以是 Tokyo Applied Industry Co.所產製的 alpha-450， 乾式膜光阻6薄片化的製程，是以85-115°C間的溫度、 以及2-4Kg/cm2間之壓力以每分鐘1-3酬的速率行之° 光罩7具有一光遮蔽圖案9,此光遮蔽圖案9包括31條 帶狀線，此等帶狀線具有0.3 ram的線寬與1.〇腿的線距。 至於光罩7所擺設的位置係位於乾式膜圖案6上方’致 使光遮蔽圖案9的31條帶狀線係平行於陽極2帶狀線’ 光遮蔽圖案9每二條帶狀線相對邊外間距約為0.6腿。 上述以近紫外線照射於乾式膜光阻6上，造成乾式 膜光阻6所露出區域產生交^^^^^^^(cross-linking reaction)變—成，然後乾式膜光阻6未經 曝光區域以包含〇.8-1.2%Na2C03之溶液顯影，接著利用 2-4%KOH溶液清洗選擇性地釋放去除未經曝光區域。當 施以顯影和清洗步騍時，玻璃基板1係將乾式膜光阻6 以面向下方的方式擺置，而玻璃基板1則以4000rpm的 速率在顯影和釋放溶液中旋轉。在選擇性地釋放去除乾 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)八4規格（210x297公幻 — II----titi衣 - - - n H (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 ，、 · Λ 7 —_411S34_^__ 五、發明説明（13) 式膜光阻6未經曝光區域後，則將玻璃基板1置於乾淨 的烤箱中予以乾燥處理，此時玻璃基板1係以3000rpm 的轉速、以130°C的溫度處理60分鐘。 請參照第3B圖，窟奎位(於破璃基扳;乂上陽極2 f 狀物間之乾阻6，此桌』LMU且6包為-惠篇^屋 帶狀物圖案，係沿與陽極2帶狀物平行方向延伸，為玻 璃基板1上陽極2帶狀物之間。此經定義之乾式膜光阻 6帶狀線係做為分離谶狀應3，意即是成帶狀之分離牆狀 物3是延伸於玻璃基板1上陽極2帶狀物間，重要的是 乾式膜光阻6(或分離牆狀物3)的厚度需大於啄極2 #對 應於後續步驟形成之有機電發光層既名蠢第厚度之fe 和。若就陰極之鋁交連導線做考量，乾式膜光阻6或分 離牆狀物3的厚度較佳者約為10-25um。 請參照第3C圖，將玻璃基板1置於一真空蒸鍍機 内之基板的基板座處，使得狀離牆狀物面向―卜万。將N，N’-二苯基-N，N’雙（α-萘基聯苯基_4,4’-公哮（下文以α-NPD簡稱）提供至真空蒸鍍機阻.^;m_(resiStance-heating board) > 而以 tris(8-quinolight) aluminum complex 提供至另一阻值加熱板處，真空蒸鍍機真在為浦（pump) 抽至lxlO-5Torr或以下的》範_.::圍。 備置具有最感單，將此遮 罩置於具有分離牆狀物3之玻璃基板1上方，致使金屬 遮罩下方之玻璃基板1和阻_值和，戴氣服氟施*以_^旒， 以tx-NPD阻值加熱板加熱基板1，蒸鍍厚度約為50nm 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 1^1^1 Ini . I flu tm flu tflu Λ ^ 香 T* (請先鬩讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4ti634 五、發明説明（14) 的ot-NPD層4a於全般玻璃基板1、陽極2、以及分離牆 狀物3上。之後，施以一電流於玻璃基板1和包含Alq3 之阻值加熱板間，形成厚度約為50nm的Alq3層4¾於cx-NPD層4&上。因此，一有機電發光層4便包括Alq3層 4b和α-NPD層4a，α-NPD層4a係做為一 f洞傳輸層， 而Alq3層4b則做為一電子傳_輸.蘑暨光發射層。 上述真空蒸鍍法是以垂直於基板表面實現者為較 佳，如是，因無分離牆狀物的遮蔽，故無遮蔽部的形成。 另外，基板係沿平行於基板表面者旋轉，故有機分子得 以均勻地沈積。 第4圖所示SUS430之遮罩11係於形成有機電發 光層4於玻璃基板1之前預先置於真空蒸鍍機内。 遮罩11具有32條帶狀遮蔽部12和帶狀切口 islits)， 而羞板1的據置係识帶狀衰1瓿3之墓德直激與產抵丄.上 .漆分狀'帶德向::垂::—·直i 13 遮罩 1 1 的帶狀遮 蔽部12具有0.4刪的厚度、0.4麵的寬度、以及130瞧 的長度。此帶狀遮蔽部uuci麒m亂鉱。 請參照第3D圖，提供一磁鐵14於基板1相對於形 成有陽極2、分離牆狀物3、以及有機電發光層4之面， 致使磁鐵14吸引金屬遮罩11及於分離牆狀物3。因此， 金屬遮罩12的氣^遮屋>氱..二2^緊暴龜與，♦離"牆条·物^士喊 部相接觸，赞稃。 提供鎂金屬至真空蒸鍍機内之龜滅加熱板處，而提 借,至其涫陣與;权氣板: 1之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210XM7公釐） ----------^------訂------^ I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 411634
< S 五、發明説明（15) 蒸發比例同時蒸鑛’此等金屬係經遮罩及於有機電發光 廣4上’其蒸鍵方向幾垂直於基板1表面，而且幾乎為 篆森跑段pie)。較佳的方式是在蒸鍍製程内將基板1 保持旋轉。鎂和銀經由遮罩11的帶狀切口及於帶狀切口 下所選擇的區域，至於遮罩11帶狀遮蔽部12下方則無 鎮和銀的沈積。 請參照第讣圖，藏威鑲^涂金复氣彼歡念獻牆狀 3、有機電發光層4、以及遮箪之帶狀遮蔽部12上方， 但僅及於帶狀切口下的區域，至於遮罩11之帶狀遮蔽部 12下方則無形成鎮-銀合金層。此鎮-銀合金層具有約 200nm的厚度，爾後將遮罩U自基板1處移除。 請參照第3F圖，鎮-銀合金層係做為陰極5，此陰 極5包括^^行·褒瓶參，與陽極2帶狀線延伸方向成垂 直之方向延伸。結果，所形成的有機電發光顯示裝置， 具有烈帶:狀線之麻拉2、此靡欲線^此雜酱狀„物4、以及 行帶狀線之陰極5。 * 如上述’遮罩是置於分離牆狀物3上，啖得有機電 發光層_ 4與遮罩間以一距離相隔，因此，可以避免與遮 罩接觸對有機電發光層4造成痛1或刮瘊的問題。 有機電發光顯示裝置的驅動方式，是施加一 8V的 脈衝電壓信號於陰極5，故對陰極5之分時掃瞄（time-division scanning) 是以 1/32 的工作因子（duty factor) 及畫 框頻率（frame frequency)為150Hz等來實現，其中，未 經選擇的陰極被施以+8V，而被選擇的陰極經施以〇γ。 本紙張尺度適用巾關家料（CNS ) M規格（21QX 297公楚> (請先聞讀背面之注項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（16) ~~~ 另一方面，一定電流產生器以具最高電壓8V之一 300mA/cm2脈衝電流，施加於所選擇的陽極2之一帶狀 線或若干帶狀線上，而此等經選擇之陽極2帶狀線所連 接的像素欲為點亮開啟（light ON);而以〇v電壓施於其 他未經選擇之陽極2帶狀線上，此等未經選擇之陽極2 帶狀線欲為暗滅關閉（light 〇FF)。據此，顯示器則顯示 出一具有600cd/cm2像素亮摩所需夂赛示周案。 除了第4圖所示者外，尚有其他各式各樣的遮罩可 供使用，例如，第5圖所示之遮罩。第5圖所示之遮罩 11a具有若干互為平行的帶狀線，每一帶狀線經區分為 若干區段13a ’此等區段13a，間係以機播部17相隔，據 此’區段13a是以矩陣形式排列於基板1上方。故可以 此遮罩11a取代上述遮罩11。因為分離牆狀物3具有 10-25μπι的高度，而蒸鍍方向係以一 v偏斜角”馬沈積金屬， 故遮罩11a的橋接部Π對所需蒸錄之處造赤阻礙。由於 有機電發光層4的^厚，度冰、於1 μπι，自有機電發光層4表 面至遮罩11a表面的距離約為x〇_：^wm。為使基板1於 蒸锻機内沿平行基板1表面方向旋轉，故蒸鍍機的設計 需確保蒸鍍金屬時入射角度不超過又5度，據此，雖然每 一橋接部17具有20μιη的寬度’仍能將金屬沈積於橋接 如第5圖所示’遮罩11a橋接部17呈網目結構（mesh structure)以支持帶狀切口’此一結構的機械強度可降低 遮罩1 la厚度至50μιη。遮罩11a橋接部π寬度、分離 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
I n n ---11 n I ^ in ϋ I- In i I - V (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁J 4116S4 五、發明説明（17) ~~~~~~— 牆狀物3的高度、以及遮罩Ua厚度等等，是以考量入 射角度和遮罩機械強度後決定。根據遮罩的機械強度， 遮罩11a厚度最好是不超過5〇μϊϊ^本例中，遮罩橋 接部Π的寬度較佳約為2〇μηι，分離牆狀物3的高度較 佳約為介於10·25μπι間的範圍。 根據本發明如上所述，在有機電發光麇4形成之前， 提供呈帶狀線之分離牆狀物3衿陽極2帶狀線和基板i 上方之間’接著覃遮罩U舲分離牆狀物3上，其中，遮 罩11與有機電發光層4間保持一間距。利用遮罩丨丨將 蒸鍍金屬形成陰極5。由於有機電發光層舞與遮罩u無 接觸之情事，故可免於對有機電發光層4造成損傷或到 傷，而陽極2與陰極5間亦不可能有杈啟之現象發生， 故可顯著地提高有機電發光顯示裝置的良率。 藉由對分離牆狀物3高度的選擇，也可形成任何所 需的陰極圖案。 旋轉基板1可使蒸鍍源得以被有效利月，並可對基 板1全般表面施行均勻蒸鑛，此舉可降低蒸發機的·尺寸。 笫二t施例 經濟部中央標準局負工消費合作社印裂 ---------參-- . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明之第二實施例茲詳述如下。先以濺鍍法 沈積具有厚度約為l〇〇nm之一 Ι7Ό膜於一透明支持基板 1上，此透明支持基板包括一玻璃基板，因無鹼(n〇 alkali) 玻璃基板對於濕氣吸收性較少，故為較佳的基板材料， 若能將基板置於乾燥環境下，則廉價的含鹼玻璃基板或 是碳酸鈉石灰（soda lime)玻璃基板亦可使用。 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4tm (Ίΐ0729Τ^~ 經濟部中央樣準局負工消费合作社印製 411634 五、發明説明（18) 然後，沈積ITO膜於玻璃基板上，再施以光學石版 技術蝕刻定義出圖案，以形成ITO帶狀物做為陽極，陽 極帶狀物係沿垂直方向延伸，側向以一固定間距對齊。 ITO膜不僅是做為陽極18，亦負貴透射來自有機電發光 層所發射的光，基於是項理由，以使用低阻值及高透光 率材質為佳。陽極18包括256條帶狀線，每一線具有〇,35 麵的間距、0.25 mm的線寬、以及29 min的線長。陽極18 的帶狀線係沿顯示裝置之列方向延伸。 呈帶狀線之分離牆狀物3形成於陽極18帶狀線間 之玻璃基板1上方》分離牆狀物3之帶狀線係沿列方向 延伸 '或是與陽極18帶狀線平行之方向延伸。分離牆狀 物3帶狀線圖案具有〇_35画的間距和〇·1醒的線寬，分 離牆狀物3具有10-25 μηι的高度。 一有機電發光層4是以真空蒸鍍機沈積於玻璃基板 上’使有機電發光層成長方形或正方形，藉以使有機電 發光層4覆於陽極18和分離牆狀物3上。然後，提供一 遮罩’此遮罩具有沿與分離牆狀物3垂直方向延伸之細 長帶遮蔽部。利用這個遮罩，真空蒸鍍金屬以形成帶狀 線陰極5於有機電發光層4上。 下文即參照第6Α-6Β圖將根據本發明第二實施例有 機電發光顯示裝置的製程重要之處予以描述，第6Α-6Β 圖係顯示根據本發明第二實施例之有機電發光顯示裝置 的製造方法流程部份剖面圖。 請參照第6Α圊，以真空蒸鍍法沈積一 ΙΤΟ膜於透 本紙張尺度適财國g家縣（CNS ) M規格（训幻97公楚） I I I I I I I^r1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 5 ' , . Λ 7 " Β7 五、發明説明（19) 明玻璃基板1上，再以光學石版術定義ITO膜圖案形成 呈複數互為平行帶狀物之一陽極18，後經一薄膜形成機 (laminator)形成一負乾式膜光阻6覆於玻璃基板1和陽 極18上。自一曝光系統發射近紫外光(near ultraviolet ray) 經一光罩7及於玻璃基板1上的乾式膜光阻6，使帶狀 圖案得以轉移至乾式膜光阻6上。此乾式膜光阻6譬如 可以是 Tokyo Applied Industry Co.所產製的 aipha-450， 乾式膜光阻6薄片化的製程，是以85-115t間的溫度、 以及2-4Kg/cm2間之壓力以每分鐘1-3醒的速率行之。 光罩7具有一光遮蔽圖案9’此光遮蔽圖案9包括31條 帶狀線’此等帶狀線具有0.3酬的線寬與1.〇删的線距。 至於光罩7所擺設的位置係位於乾式膜圖案6上方，致 使光遮蔽圖案9的31條帶狀線係平行於陽極18帶狀線， 光遮蔽圖案9每二條帶狀線相對邊外間距約為0.6陋。 上述以近紫外線照射於乾式膜光阻6上，造成乾式 膜光阻6所露出區域產生交越鏈結反應-(^0Ss-linking reaction)變成不可溶（insoluble)，然後乾式膜光阻6未經 曝光隆域以包含0.8-1.2%Na2CO3之溶液顯影，接著利用 2-4%KOH溶液清洗選擇性地釋放去除未經曝光區域。當 施以顯影和清洗步驟時，玻璃基板1係將乾式膜光阻6 以面向下方的方式擺置，而玻璃基板1則以4000rpm的 速率在顯影和釋放溶液中旋轉《在選擇性地釋放去除乾 式膜光阻6未經曝光區域後，則將玻璃基板1置於乾淨 的烤箱中予以乾燥處理，此時玻璃基板1係以3000rpm 本紙張尺度適用中國國家操準（CNS ) A4说格（2丨0X297公釐） m 1^^ an ^^1 II m n HI 1^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^J. 03 、T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ηΐ634 Λ7 t ___ B7____ 五、發明説明（20) 的轉速、以130°c的溫度處理60分鐘。 而留存位於玻璃基板1上陽極18帶狀物間之乾式 膜光陴6、此乾式膜光阻6包括經定義呈帶狀物圖案， 係沿與陽極18帶狀物平行方向延伸，位於玻璃基板1上 陽極18帶狀物之間。此經定義之乾式膜光阻6帶狀線係 做為分離牆狀物3，意即是成帶狀之分離牆狀物3是延 伸於玻璃基板1上陽極18帶狀物間，重要的是乾式膜光 阻6(或分離牆狀物3)的厚度需高於陽極18與對應於後 續步驟形成之有機電發光層既定值等厚度之總和。若就 陰極之鋁交連導線做考量，乾式膜光阻6或分離牆狀物 3的厚度較佳者約為1〇_25μιη。分離牆狀物3帶狀線寬 約為0 1 mm，並以約0.35麵之間距定位。 經濟部中央橾準局員工消费合作社印裝 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 將玻璃基板1置於一真空蒸鍍機内之基板的基板座 處，使得分離牆狀物面向下方。將N，N’-二苯基-N，N’雙（〇1-萘基)-1，1、聯苯基-4,4，-二胺（下文以α-NPD簡稱）提供至 真空蒸鍍機阻值加熱板（resistance-heating board)處，而 以 tris(8-quinolight) aluminum complex 提供至另一阻值 加熱板處，真空蒸鍍機真空泵浦（pump)抽至ιχι〇_5τ〇γγ 或以下的範圍。 備置具有長方形或正方形開口之金屬遮罩，將此遮 罩置於具有分離牆狀物3之玻璃基板1上方，致使金屬 遮罩下方之玻璃基板1和阻值加熱板間經施以一電流， 以α-NPD阻值加熱板加熱基板1，蒸鍍厚度約為50nm 的ct-NPD層4a於全般玻璃基板1、陽極18、以及分離 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) ΛΊ规择（2丨〇〆297公嫠） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 421634 五、發明説明（21) 牆狀物3上。之後，施以一電流於玻璃基板丨和包含八丨七 之阻值加熱板間，形成厚度約為50nm的Alq3層4b於α-NPD層4a上。因此’一有機電發光層4便包括八丨七層 4b和ot-NPD層4a，〇t-NPD層4a係做為一電洞傳輸層， 而Akb層4b則做為一電子傳輸層暨光發射層。 上述真二蒸鑛法疋以錯直於基板表面實現者為較 佳，如是’因無分離牆狀物的遮蔽，故無遮蔽部的形成。 另外’基板係沿平行於基板表面者旋轉，故有機分子得 以均勻地沈積。 第4圖所示SUS430之遮罩11係於形成有機電發 光層4於玻璃基板1之前預先置於真空蒸鍍機内。 遮罩11具有32條帶狀遮蔽部19和帶狀切口（siits)， 而基板1的擺置係以帶狀遮蔽部19延伸方向與基板丨上 方分離牆狀物3帶狀線延伸方向呈垂直◎遮罩η的帶狀 遮蔽部19具有0‘4瞧的厚度、0.4麵的寬度、以及130 mm的長度。此帶狀遮蔽部19以1_0咖的中央間距對準。 提供一磁鐵14於基板1相對於形成有硌極]、分 離牆此物3、以及有機電發光層4之面，致使磁鐵14吸 引金屬遮罩11及於分離牆狀物3。因此，遮罩11的帶 狀遮蔽部19緊密地與分離牆狀物3頂部相接觸，而遮罩 11是以磁性材料製得。 供應鎂金屬至真空蒸鍍機内之阻值加熱板處，而提 供銀至其它阻值加熱板。鎂和銀是以鎂對銀為1〇:1之蒸 發比例同時蒸鍍’此等金屬係經遮罩及於有機電發光層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) 1 i ' ϋ n I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（22) 4上，其蒸鍍方向幾垂直於基板1表面，而且幾乎為等 向的（isotropic)。較佳的方式是在蒸鍍製程内將基板1保 持旋轉。鎂和銀經由遮罩11的帶狀切口及於帶狀切口下 所選擇的區域’至於遮罩11帶狀遮蔽部19下方則無鎮 和銀的沈積β 形成鎂-銀合金層延伸於分離牆狀3、有機電發光層 4、以及遮罩11之帶狀遮蔽部19上方，但僅及於帶狀切 口下的區域’至於遮罩11之帶狀遮蔽部19下方則無形 成鎮-銀合金層。此鎮-銀合金潛具有約200nm的厚度， 爾後將遮罩11自基板1處移除。 請參照第6B圖，鎂-銀合金層係做為陰極5，此陰 極5包括32條行帶狀線’與陽極18帶狀線延伸方向成 垂直之方向延伸。結果’所形成的有機電發光顯示裝置， 具有列帶狀線之陽極18、列帶狀線之分離牆狀物3、以 及行帶狀線之陰極5。 根據本發明如上所述’在有機電發光層4形成之前， 提供呈帶狀線之分離牆狀物3於陽極18帶狀線和基板1 上方之間，接著置遮罩11於分離牆狀物3上，其中，遮 罩11與有機電發光層4間保持一間距。利用遮罩11將 蒸鎮金屬形成陰極5。由於有機電發光層4與遮罩11無 接觸之情事’故可免於對有機電發光層4造成損傷或刮 傷’而陽極18與陰極5間亦不可能有短路之現象發生， 故可顯著地提高有機電發光顯示裝置的良率。 藉由對分離牆狀物3高度的選擇，也可形成任何所 25 本紙張尺度適财關家辟（CNS) A4· (21QX297公楚） (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 訂 Λ 1. 4HH4 Β7 五、發明説明（23) 需的陰極圖案。 旋轉基板1可使蒸鍍源得以被有效利用，並可對基 板1全般表面施行均勻蒸鍍，此舉可降低蒸鍍機的尺寸。 第三實施例 根據本發明之第三實施例茲配合第7圖詳述如下， 第7圖係顯示根據本發明第三實施例之有機電發光顯示 裝置的製造方法流程部份剖面圖。先以濺鍍法沈積具有 厚度約為1 OOnm之一 ITO膜於一透明支持基板1上，此 透明支持基板包括一玻璃基板，因無驗(no-alkali)玻璃基 板對於濕氣吸收性較少，故為較佳的基板材料，若能將 基板置於乾燥環境下，則廉價的含鹼玻璃基板或是碳酸 鈉石灰（soda lime)玻璃基板亦可使用。 然後，沈積ITO膜於玻璃基板上，再施以光學石版 技術蝕刻定義出圖案，以形成ITO帶狀物做為陽極，陽 極帶狀物係沿垂直方向延伸，側向以一固定間距對齊。 ITO膜不僅是做為陽極18，亦負責透射來自身機電發光 層所發射的光，基於是項理由，以使用低阻值及高透光 率材赘為佳。陽極18包括256條帶狀線，每一線具有0.35 腿的間距、0.25刪的線寬、以及29 ram的線長。陽極18 的帶狀線係沿顯示裝置之列方向延伸。 呈帶狀線之分離牆狀物3形成於陽極18帶狀線間 之玻璃基板1上方。分離牆狀物3之帶狀線係沿列方向 延伸、或是與陽極18帶狀線平行之方向延伸《分離牆狀 物3帶狀線圖案具有0.35 mm的間距和0.1腿的線寬，分 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） m I ml HI ^^^1 ^^^1 ^^^1 / ....... . - - ..... J^i ' 一°4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局—工消費合作社印^ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 ^___ 五、發明説明（24) 離牆狀物3具有10-25 μιη的高度。 一有機電發光層4是以真空蒸鍍機沈積於玻璃基板 上，使有機電發光層成長方形或正方形，藉以使有機電 發光層4覆於陽極18和分離牆狀物3上。然後，提供一 遮罩，此遮罩具有沿與分離牆狀物3垂直方向延伸之細 長帶遮蔽部。利用這個遮罩，真空蒸鍍金屬以形成帶狀 線陰極5於有機電發光層4上。 第三實施例與第一暨第二實施例之有機電發光顯示 裝置之結構差異在於.客義&黨《最d嚴*表淑威《兹^分.雜、牆.狀 伽獻產;雜座..:V..因·此....有..篇，黑致息暴.繞〇 以下便就本發明第三實施例有機電發光顯示裝置之 重要製程步驟做說明。 以真空蒸鍍法沈積一 ITO膜於透明玻璃基板1上， 再以光學石版術定義ITO膜圖案形成呈複數互為平行帶 狀物之一陽極18，後經一薄膜形成機（laminator)形成一 負乾式膜光阻6覆於玻璃基板1和陽極18上。自一曝光 系統發射近紫外光（near ultraviolet ray)經一光罩7及於 玻璃基板1上的乾式膜光阻6,使帶狀圖案得以轉移至 乾式膜光阻6上。此乾式膜光阻6譬如可以是Tokyo Applied Industry Co.所產製的 alpha-450，乾式膜光阻 6 薄片化的製程，是以85-115°C間的溫度、以及2-4Kg/cm2 間之壓力以每分鐘1-3腿的速率行之。光罩7具有一光 遮蔽圖案9,此光遮蔽圖案9包括31條帶狀線，此等帶 狀線具有0.3臟的線寬與1.0刪的線距。至於光罩7所擺 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.
C 經濟部中央標準局員工消費合作社印11 411634 Λ ' __ 五、發明説明（25) 設的位置係位於乾式膜圖案6上方，致使光遮蔽圖案9 的31條帶狀線係平行於陽極18帶狀線，光遮蔽圖案9 每二條帶狀線相對邊外間距約為0.6 mm。 上述以近紫外線照射於乾式膜光阻6上，造成乾式 膜光阻6所露出區域產生交越鏈結反應（cross-iinking reaction)變成不可溶（insoluble)，然後乾式膜光阻6未經 曝光區域以包含0.8-1.2%Na2CO3之溶液顯影，接著利用 2-4%ΚΟΗ溶液清洗選擇性地釋放去除未經曝光區域。當 施以顯影和清洗步驟時，玻璃基板1係將乾式膜光阻6 以面向下方的方式擺置，而玻璃基板1則以4000rpm的 速率在顯影和釋放溶液中旋轉。在選擇性地釋放去除乾 式膜光阻6未經曝光區域後，則將玻璃基板1置於乾淨 的烤箱中予以乾燥處理，此時玻璃基板1係以3000rpm 的轉速、以130°C的溫度處理60分鐘。 而留存位於玻璃基板1上陽極18帶狀物間之乾式 膜光阻6，此乾式膜光阻6包括經定義呈帶狀物圖案， 係沿與陽極18帶狀物平行方向延伸，位於玻璃基板1上 陽極1·8帶狀物之間。此經定義之乾式膜光阻6帶狀線係 做為分離牆狀物3，意即是成帶狀之分離牆狀物3是延 伸於玻璃基板1上陽極18帶狀物間，重要的是乾式膜光 阻6(或分離牆狀物3)的厚度需高於陽極18與對應於後 續步驟形成之有機電發光層既定值等厚度之總和。若就 陰極之鋁交連導線做考量，乾式膜光阻6或分離牆狀物 3的厚度較佳者約為1〇-25μιη。分離牆狀物3帶狀線寬 ---------裝-- , - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 4ίήί4 五、發明説明（26) 約為0.1醒，並以約0.35皿η之間距定位。 將玻璃基板1置於一真空蒸鍍機内之基板的基板座 處，使得分離牆狀物面向下方。將Ν，Ν’-二苯基-Ν，Ν’雙（〇1-萘基聯苯基-4,4’-二胺（下文以α-NPD簡稱）提供至 真空蒸鍍機阻值加熱板（resistance-heating board)處，而 以 tris(8-quinolight) aluminum complex 提供至另一阻值 加熱板處，真空蒸鑛機真空泵浦（pump)抽至ιχι〇-5τ〇π· 或以下的範圍。 備置具有長方形或正方形開口之金屬遮罩，將此遮 罩置於具有分離牆狀物3之破璃基板1上方，致使金屬 遮罩下方之玻璃基板1和阻值加熱板間經施以一電流， 以α-NPD阻值加熱板加熱基板1，蒸錢厚度約為5〇nm 的a-NPD層4a於全般破璃基板1、陽極a、以及分離 牆狀物3上。之後，施以一電流於玻璃基板1和包含Alq3 之阻值加熱板間，形成厚度約為50nm的八^3層朴於α-NPD層4a上。因此，一有機電發光層4便包括八丨93層 4b和α-NPD層4a，ot-NPD層4a係做為—電洞傳輸層， 而Alq3層4b則做為一電子傳輸層暨光發射層。 上述真空蒸鍍法是以鉛直於基板表面實現者為較 佳，如是，因無分離踏狀物的遮蔽’故無遮蔽部的形成。 另外，基板係沿平行於基板表面者旋轉，故有機分子得 以均勻地沈積。 第4圖所示SUS430之遮罩11係於形成有機電發 光層4於玻璃基板1之前預先置於真空蒸錄機内。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210X297公釐） --------1.· - ! ---訂 (請先閱讀背面之注意事項再填两本頁) 4Λ16Ζ4 A7 • · B7 五、發明説明（27) ----------紅-- {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 遮罩11具有32條帶狀遮蔽部19和帶狀切口（slits)， 而基板1的擺置係以帶狀遮蔽部19延伸方向與基板1上 方分離牆狀物3帶狀線延伸方向呈垂直。遮罩11的帶狀 遮蔽部19具有0.4 mm的厚度、〇·4 mm的寬度、以及13〇 麵的長度。此帶狀遮蔽部19以1.0麵的中央間距對準。 提供一磁鐵14於基板1相對於形成有陽極18、分 離牆狀物3、以及有機電發光層4之面，致使磁鐵14吸 引金屬遮罩11及於分離牆狀物3。因此，遮罩11的帶 狀遮蔽部19緊密地與分離牆狀物3頂部相接觸，而遮罩 11是以磁性材料製得。 供應鎂金屬至真空蒸鍍機内之阻值加熱板處，而提 供銀至其它阻值加熱板。鎂和銀是以鎂對銀為10:1之蒸 發比例同時蒸鍍’此等金屬係經遮罩及於有機電發光層 4上’其蒸链方向幾垂直於基板1表面，而且幾乎為等 向的（isotropic)。較佳的方式是在蒸鍍製程内將基板1保 持旋轉◊鎂和銀經由遮罩11的帶狀切口及於帶狀切口下 所選擇的區域’至於遮罩11帶狀遮蔽部19下方則無鎮 和銀的^沈積。 經濟部中央標準局肩工消費合作社印製 形成鎂-銀合金層延伸於分離牆狀3、有機電發光層 4、以及遮罩11之帶狀遮蔽部19上方，但僅及於帶狀切 口下的區域，至於遮罩11之帶狀遮蔽部19下方則無形 成鎂-銀合金層。此鎂-銀合金層具有約2〇〇nm的厚度， 爾後將遮罩11自基板1處移除。 鎂-銀合金層係做為陰極5，此陰極5包括32條行 張 紙 適 準 標 家 祕 釐 公 17 9 2 ^ a? _________B7 五、發明説明（28) 帶狀線，與陽極18帶狀線延伸方向成垂直之方向延伸。 結果’所形成的有機電發光顯示裝置，具有列帶狀線之 陽極18、列帶狀線之分離牆狀物3、以及行帶狀線之陰 極5。 根據本發明如上所述’在有機電發光層4形成之前’ 提供呈帶狀線之分離牆狀物3於陽極18帶狀線和基板1 上方之間，接著置遮罩11於分離牆狀物3上，其中，遮 罩11與有機電發光層4間保持一間距。利用遮罩u將 蒸鍍金屬形成陰極5»由於有機電發光層4與遮罩11無 接觸之情事，故可免於對有機電發光層4造成損傷或刮 傷，而陽極18與陰極5間亦不可能有短路之現象發生， 故可顯著地提高有機電發光顯示裝置的良率。 藉由對分離牆狀物3高度的選擇，也可形成任何所 需的陰極圖案。 旋轉基板1可使蒸鍍源得以被有效利用，並可對基 板1全般表面施行均勻蒸鍍，此舉可降低蒸鍍機的尺寸。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 — — — ———— — — ¥1--n ϋ I ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖然本發明已以若干較佳實施例揭露如上，然其並 非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發 明之精神和範圍内，當可作更動與潤飾，因此本發明之 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐）
Claims (1)
- 411634 六、申請專利範圍 1. 一種有機電發光顯示裝置，包括： 一透明支持基板； 一透明陽極，呈複數帶狀物形成於該透明支持基板 i— n n n I i m > n —i· HI I T 責 , (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 上；一有機電發光層，延伸於該透明支持基板和該透明 陽極上方；以及 一陰極，呈複數帶狀物，沿與該陽極延伸之一方向 垂直之另一方向延伸； 其中，至）,一絕緣分離牆狀物設置於該陽極之該等 帶狀物間，該絕緣分離牆狀物具有較該陽極和該有機電 發光層總和厚度大之高度，該有機電發光層尚延伸於該 絕緣分離牆狀物上方。 2. 如申請專利範圍第1項所述之該有機電發光顯示 裝置’其中’該絕緣分離牆狀物包括複數帶狀物，每一 該帶狀物以與該陽極該等帶狀物平行方向連續地延伸於 該透明支持基板上方’使該絕緣分離牆狀物該等帶狀物 延伸於該陽極該等帶狀物間》 _ - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 3. 如申請專利範圍第1項所述之該有歡電發,光顯示 裝置i其中’該絕緣分離牆狀物包括複數帶狀物，每一 該帶狀物包括以間隙互為相隔之複數區段定位於該透明 支持基板上方，該絕緣分離牆狀物之該等帶狀物以與該 陽極該等帶狀物平行方向斷續地延伸於該陽極該等帶狀 物間。 4. 如申請專利範圍第3項所述之該有機電發光顯示 裝置’其中，該等區段間之該等間隙的寬度及位置，是 本紙 财關家eNS > Α4ί^_ (210X297公釐） 4 3 6 1 41 ABC D8 六、申請專利範圍 以保持該陰極予一均勻之形狀而決定。 5·如申請專利範圍第1項所述之該有機電發光顯示 裝置，其中，該等區段間之該等間隙的寬度較遮罩帶狀 遮蔽部之寬度為窄，以避免該等間隙延伸至該遮罩之帶 狀切口。 6. 如申請專利範圍第1項所述之該有機電發光顯示 裝置’其中’該絕緣分離牆狀物的高度，是為能保持該 遮罩與該有機電發光層相隔來決定。 7. 如申請專利範圍第1項所述之該有機電發光顯示 裝置’其中’該有機電發光層至少覆於該陽極D 8. 如申請專利範圍第7項所述之該有機電發光顯示 裝置’其中’該有機電發光層覆蓋該絕緣分離牆狀物和 該陽極，並延伸於該透明支持基板全般區域。 9·如申請專利範圍第7項所述之該有機電發光顯示 裝置’其中’該有機電發光層唯覆蓋該絕緣分離牆狀物 和該陽極’未覆蓋該絕緣分離牆狀物和該陽極間之邊界 部。 10如申請專利範圍第丨項所述之該有機電發光顯 示裝置’其中，該絕緣分離牆狀物包括光阻膜。 u·一種有機電發光顯示裝置的製造方法，包括下 列步驟： 形成呈複數帶狀物之一陽極於一透明支持基板上； 提供複數分離牆狀物於該陽極該等帶狀物間及該透 明支持基板上方，其中，該等分離牆狀物具有較該陽極 33 本紙張中國S家樣準（CNS } ( 210X297公釐 1 "" n- ^^^1 ^nw ^^^1 fn ^^^1 In n ^^^1-----.1 ^^^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央棵準局貝工消费合作社印¾ Α8 Β8 C8 D8 夂、申請專利範圍 厚度和一既定值總合大之高度； 形成一有機電發光層於該陽極和該等分離牆狀物上 方’該有機電發光層具有對應於該既定值；以及 置具有複數切口之一遮罩於該等分離牆狀物頂部表 面上並緊密地接觸，致使蒸鍍一金屬材料經該遮罩選擇 性地形成具有複數帶狀物之一陰極於該有機電發光層上 方。 12_如申請專利範圍第11項所述之該有機電發光顯 不裝置的製造方法，其中，該遮罩具有若干帶狀開口， 每一該開口係連續地延伸於該基板上方。 13. 如申請專利範圍第丨丨項所述之該有機電發光顯 示裝置的製造方法，其中，該遮罩具有若干帶狀開口， 每一該開口包括以間隙互為相隔之複數區段，而定位於 該基板上方。 14. 如申請專利範圍第η項所述之該有機電發光顯 示裝置的製造方法，其令’該遮罩配合二-磁·揚產生器， 該磁場奏生器產生一磁場致使該遮罩緊密地-接觸'該等分 離牆狀物頂部表面。 經濟部中失橾半局貝工消費合作社印輦 ------ —---. 裝-----~~ 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 15·如申請專利範圍第^項所述之該有機電發光顯 示裝置的製造方法’其中，該分離牆狀物是以光學石版 術所形成之一光阻膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4说格（2丨Ο X 297公釐）
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9037439A JP2848371B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW411634B true TW411634B (en) | 2000-11-11 |
Family
ID=12497554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW087102491A TW411634B (en) | 1997-02-21 | 1998-02-21 | Organic electroluminescent display device and method of forming the same |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6326726B1 (zh) |
| JP (1) | JP2848371B2 (zh) |
| KR (1) | KR100345972B1 (zh) |
| TW (1) | TW411634B (zh) |
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| KR100345972B1 (ko) | 2002-10-25 |
| JP2848371B2 (ja) | 1999-01-20 |
| US6390874B2 (en) | 2002-05-21 |
| JPH10241859A (ja) | 1998-09-11 |
| US20010017518A1 (en) | 2001-08-30 |
| KR19980071583A (ko) | 1998-10-26 |
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