TW408409B - Multi-chip chip size package - Google Patents
Multi-chip chip size package Download PDFInfo
- Publication number
- TW408409B TW408409B TW88100111A TW88100111A TW408409B TW 408409 B TW408409 B TW 408409B TW 88100111 A TW88100111 A TW 88100111A TW 88100111 A TW88100111 A TW 88100111A TW 408409 B TW408409 B TW 408409B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- chip
- wafer
- carrier
- circuit board
- patent application
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
380lt\vi*.doc/008 408409 A7 B7
A I? Λ 消 jV i' 11 ii- 印 v. 五、發明说明(f ) 本發明是有關於一種半導體封裝結構,且特別是有關 於一種多晶片型晶片尺寸封裝(nuiki-chip chip scale package) ° 隨著半導體業的進展,許多相關技術也日新月異地不 斷演進中。就半導體成品製造而言,一般可分爲三個階段, 一爲半導體基底的形成,即磊晶技術部份;再則半導體元 件製造,諸如MOS製程、多重金屬內連線等;最後則是 封裝製程(Package)。然而現今所有電子產品之開發莫不朝 向輕、薄、短、小的目標發展,對於半導體來說即是提高 其積集度(Integration),至於封裝技術方面,則有晶片尺寸 封裝(Chip Scale Package,CSP)、多晶片型封裝(Multi-Chip Module,MCM)等封裝技術的提出。由於半導體製程技術 已發展至線寬Ο.Ιδμπι的元件生產,在積集度提高上有許 多突破,因此如何開發出相對應之小體積封裝,以達到產 品縮小化的目的,便成爲現今重要課題。此外,不管在電 腦上或民生用品上之應用,爲了縮小產品體積及節省封裝 成本,將多個晶片封裝在一起的多晶片型封裝,將是未來 的趨勢之一。多晶片型封裝可以將處理器(processor)晶片 及S億體(memory)晶片,或者邏細電路(Logic)晶片及記憶 體晶片(包括DRAM及Flash Memory)封裝在一起,不但可 以降低成本,縮小封裝體積,並可縮短訊號傳輸路徑,提 高效能,並可使不同製程之晶片’合爲一封裝中,而無需 使用特殊整合製程生產。多晶片型封裝可適用於各種功能 及各種應用頻率之多晶片系統,例如: 1·記憶體晶片+微處理器晶片+電阻+電容+電感; {1¾先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) *1Τ 線 本紙认凡度诚圯中阀囤家標.吟{ ('NS ) Λ心見招(公釐) A7 380lw/00S 408409 B7 ___. ...........— —' — 五、發明说明(7·) 2 _記憶體晶片(DRAM)+邏輯電路晶片+記億體晶片 (Flash Memory); 3 ·類比晶片(Anal〇g)+邏輯電路晶片+記憶體晶片(包括 DKAM、SKAM、Flash Memory)+電阻 + 電容 + 電感 …等等。 請參照第1圖’其所繪示爲一種習知多晶片型封裝。 目前應用於多晶片型封裝的承載器大部份以多層印刷電路 板(multi-levei PCB)作爲基材i〇(substrate),而將多個晶片 12以絕緣膠14黏附於基材1〇上。晶片12上的焊墊⑦仙以叩 pad)則以導線16與基材10上的接點連接,形成電性導通。 晶片I2與基材10之連接,除了可以上述打導線(wire bonding)的方法連接外’亦可利用覆晶技術(fHp chip 〇r controlled collapse chip connection,C4)以凸塊(bump)作爲 連接。之後’再以樹脂18將晶片12及連接部份包裝起來, 而整個封裝與電路板的電性連接可採用習知錫球格狀陣列 封裝(Ball Grid Array, BGA)的方式,以錫球2〇與電路板 上的接點接合。然而’習知此種多晶片型封裝的缺點在於 其晶片係並列於同一平面,因此其封裝之體積較大,且晶 片間連接的訊號路徑較長。此外,此種多晶片型封裝若採 用覆晶技術作爲晶片與承載器之連接,雖然可以縮小封裝 面積,然而卻造成測試上的困難,良率低且成本高,因此 必須採用”預知好晶片,,(Known Good Die,KGD)的方式進 行封裝,徒增許多封裝成本。 爲了縮小多晶片型封裝的體積,一種面對面(face to face)的多晶片型封裝方式曾揭露於美國專利第5331235號 ____ 4 本紙张尺度逆) ~ (誚先閲讀f面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7
3 80 I i wf. d〇c/00K 408409 五、發明説明(々) 中。請參=第2圖,其所繪示爲習知面對面多晶片型封裝 的剖面示意圖。習知面對面多晶片型封裝主要藉由將二晶 片30!、32具有元件的表面相互面對配置,而採用的是軟 片自動接合的方式(Tape
Automatic Bonding, TAB)。在內 腳接口的 口|5份(Inner Leacj Bonding, ILB),二晶片 30、32 係分別利用凸塊34、36與一具有導線的軟片承載器38(;filni CarHer)電性連接;而在外腳接合的部份(Outer Lead Bonding, 〇LB) ’則與一導線架4〇(ieacj frame)連接,而二晶片3〇、 32間還配置—錫球42,使得二晶片3〇、32丰目互連接。二 晶片30、32連同軟片承載器3S及部份導線架4〇,則以鑄 模方式用樹脂44將其包覆。習知此種多晶片型封裝的缺 點在於:利用軟片自動接合的封裝方式,還需透過導線架 或其他載體與電路板接合,徒增訊號傳輸路徑;此外,封 裝外之封裝材料(樹脂)將使得封裝成品厚度及面積變大, 降低其應用性,且亦會造成散熱的阻礙,對於將來速度更 快的高頻產品,必定影響其效能。 因此本發明目的之一就是在提供一種多晶片型晶片尺 寸封裝’降低封裝後之厚度,以及面積,使得封裝後成品 之面積僅略大於晶片尺寸。 本發明的另一目的在於提供一種多晶片型晶片尺寸封 裝’/縮短晶片與電路板間的訊號傳輸路徑,提高晶片的效 能。 本發明的再一目的在於提供一種多晶片型晶片尺寸封 裝’提高其散熱效能,並可藉由電路板上之金屬片或外加 散熱裝置,增加其散熱量。 5 本紙張尺度诚川屮随家標碑((,NS ) Λ 4規格(210X297公:ft ) ~ (对先閲讀背而之注意事項再填碎本頁) -6 線 380l.wf.doc/00R 408409 B7 五、發明説明(u) (邡先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 本發明又一目的在於提供一種多晶片型晶片尺寸封 裝,'1 吏得其封裝測試可在封裝過程中進行,無須利用預知 好晶片;方式。 爲達成本發明之上述和其他目的,本發明提出一種多 晶片型晶片尺寸封裝,採用軟片型承載器,同時將二大小 不同的晶片封裝在同一承載器上。並且採用覆晶接合技 術,使得二晶片具有元件的表面面對面地配置在軟片型承 載器的二側,分別以凸塊與承載器電性連接。此外,封裝 時僅將絕緣材質塡入二晶片之間,並將二晶片的背面裸露 出來,不但縮減封裝之整體厚度並提高散熱量。本發明中 乃利用軟片型承載器之導線直接與外界訊號連接,不需透 過其他承載器,以縮短訊號傳遞路徑。 線 本發明之多晶片型晶片尺寸封裝應用於一印刷電路板 時,可以將鄰近印刷電路板之晶片背面與印刷電路板上的 印刷線路或金屬片接觸,以提供較佳的散熱路徑。並且可 再遠離印刷電路板之晶片背面裝設一散熱裝置,以提高散 熱效能。此外,可以在軟片型承載器之絕緣軟片上增加一 定位孔,使得絕緣材質塡充於二晶片間時,可覆蓋此定位 孔,增加絕緣材質的固持性及封裝品質之可靠性。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細 說明如下: 圖式之簡單說明: 第I圖所繪示爲一種習知多晶片型封裝。 第2圖所繪示爲習知面對面多晶片型封裝的剖面示意 6 本紙張尺度蝻;1]十囷囤家標彳((’NS )八4規枯(2】〇χϋ公梦_ ) — 408409
3 80 I【wt..doc/OOS A7 B7 五、發明説明(亡) 圖。 第3圖所繪示爲依照本發明之一較佳實施例,一種多 晶片型1晶片尺寸封裝之剖面示意圓。 第4A圖至第4D圖所繪示爲應用於本發明較佳實施例 之數種軟片型承載器。 第5圖所繪示爲軟片型承載器具有定位孔之封裝的剖 面示意圖。 第6A、6B圖,其所繪示爲一種將本發明之多晶片型 晶片尺寸封裝應用於一電路板的剖面示意圖。 圖示標號說明_ (計先閱讀背而之注意事項再"寫本頁) 10 :基材 12、 30、32、50、52 :晶片 14 :絕緣膠 16 : 導線 18、44 :樹脂 20 : 錫球 34 ' 36 :凸塊 38 : 軟片承載器 40 :導線架 42 : 錫球 54 :絕緣軟片 56 : 導線 58 :軟片型承載器 60、 62 :表面 64、66 :凸塊 68 : 絕緣材質 70、72 :晶片背面 80 : 導引孔 82 :浮動環 84 : 邊角支撐環 86 :定位孔 88 : 絕緣材質塡充範圍 i〇〇 ‘·電路板 102 :基板 104、106 :印刷線路 108 :散熱裝置 線 7 本紙乐尺度適州屮國阁家標肀(ΓΝΜ Λ4規椋(210X 297公釐} 408409 A7 380 1 twf. doc/008 n_ D / 五、發明説明(C ) 實施例 一般封裝技術可大略分爲幾階段: 1. !承載器(Carrier)之選擇:依照產品之需求選擇適當 之晶片承載器,比如導線架(Lead Frame)、軟片式承 載器(film carrier)或印刷電路板(PCB)等。其中軟片 式承載器大多用於軟片自動接合(Tape Automatic Bonding, TAB)技術。 2. 晶片與承載器之電性接合:目前之技術包括打導 線(wire bonding) '軟片自動接合(TAB)及覆晶技術 (flip chip or controlled collapse chip connection, C4)。 3·包裝及成型:將晶片及晶片與承載器接合部份以 樹脂、陶瓷或其他包裝材質覆蓋,以保護元件及接 合部份。 請參照第3圖,其所繪示爲依照本發明之一較佳實施 例,一種多晶片型晶片尺寸封裝之剖面示意圖。本發明之 多晶片型晶片尺寸封裝,係將二尺寸大小不相同的晶片 5〇、52 ’封裝在一體積與較大晶片約略相同的封裝中,舉 例來說’比如晶片50之面積大於晶片52的面積,而晶片 5〇 ' 52比如是動態隨機存取記憶體(DRAM)、唯讀記憶體 (ROM)、邏輯電路晶片(LOGIC)或類比晶片(ANALOG)等各 種積體電路晶片,均可應用於本發明之封裝中。在承載器 的選擇方面,本發明採用軟片型承載器58,而軟片型承載 器58係由絕緣軟片54及配置於其上的導線56所構成。 由於軟片型承載器58之導線56較細,所以十分適合應用 8 本紙张尺度读;丨]中國阄家標彳(('NsTa4^* ( 2]〇X 297/>^T " ("先閲讀背而之注意事項再"寫本頁) 訂 A7 B7 3 80 1【w f'doc/008 五、發明説明〇 ) 於闻頻之兀件。 至於晶片與承載器電性接合部份,本發明係採用覆晶 技術,I以縮減封裝厚度及縮短訊號傳輸路徑。晶片50、52 分別具有多個元件,比如金氧半導體元件(MOS)、金屬內 連線、絕緣護層等形成於其表面60 ' 62上,而表面60、62 上亦會形成多個焊墊(bonding pad,未繪示)。在焊墊上分 別形成凸塊6心66,而二晶片50、52具有元件的表面60、 62面對面地(face to face)配置於軟片型承載器58的二側, 並分別以凸塊64、66與導線56電性連接。其中較佳的配 置方式是將面積較小的晶片52,配置於與絕緣軟片54同 一側’如此配置可以得到較薄之厚度。此外,晶片52之 凸塊66與導線56之接合位置’較佳是在導線56之內腳 的內緣;而晶片50之凸塊64與導線56之接合位置,較 佳是在相對於絕緣軟片Μ位置的導線56上。如此配置可 以使得接合時’導線56較不會因爲接合應力而變形或移 位’ ia成凸塊64、66與導線56對準不佳(misalignment)。 最後包裝及成型的部份’本發明則是採用絕緣材質 68’比如環氧基樹脂(Epoxy),塡充於二晶片5〇、52之間。 然而,値得一提的是,本發明的包裝方式與習知大不相同, 絕緣材質68僅塡充於二晶片50、52間,以保護晶片50、 52具有兀件的表面60、62,及晶片50、52與軟片型承載 器58接合的凸塊料、06部份,而裸露..出晶片50、52的 背面70、72。如此的包裝技巧不但可以縮減整體封裝厚度, 且讓晶片背面裸露將可以提供較佳的散熱路徑。 此外、本發明中係直接利用軟片型承載器58的導線56 9 本紙ί[尺度诚川中R3 1¾家標碑(('阽)Χ4ϋ( 210X297公釐) 对先閱讀背而之注意事項再填寫本頁)
*1T 線 380 I twf.doc/OOS 408409 b7 IT I - - ----------- …,.IT - — - 五、發明説明() 作爲晶片50、52對外的訊號傳輸路徑,而無需透過另外 的承載器,因而可以縮短訊號傳輸路徑。而後續將導線56 折彎成型(forming)的部份,以及導線56與電路板間以表 面焊接技術(Surface Mount Technique, SMT)接合部份,由 於與習知技術相同,在此不再贅述。 請參照第4A圖至第4D圖,其所繪示爲應用於本發明 較佳實施例之數種軟片型承載器。關於軟片型承載器部 分’在此作進一步說明,如第4A圖所示,軟片型承載器 58係由絕緣軟片54,及配置於其上的導線56,比如銅線 所組成。一般軟片型承載器58在進行封裝前是呈帶狀, 而具可撓性(flexible),爲方便生產自動化,在絕緣軟片54 的二側通常會配置導引孔80,以利軟片型承載器58之輸 送。桌4A圖所不爲懸探式長導線(i〇ng丨eati cantilever)的 軟片型承載器’其導線56只有外緣的一端與絕緣軟片54 結合。 弟4B圖所不爲具有浮動環82(free-floating ring)的軟 片型承載器’絕緣軟片54還包括一浮動環82,配置在導 線56的內腳(inner lead)區域,導線56可藉由浮動環82 固定其內腳部份的位置。而第4C圖所示爲具有邊角支撐 環84(corner supported ring)的軟片型承載器,絕緣軟片54 還包括一支撐環84,支撐環84在邊角的部份與絕緣軟片 54主體相連,而導線56配置在支撐環84上,更能確保其 固定性。 第4A、4B、4C.圖所示的軟片型承載器皆可應用於本 發明之多晶片型晶片尺寸封裝中,而爲了加強第3圖中絕 _ 10 本紙張尺度埤用中 ( CNS ) Λ4^ { 21〇^'297^^ ) ----
(邻先閱讀背而之注意事项再填玲本頁J -13 级 3»tMtwf.doc/008 n_ —〜_________ B7 _ 五、發明説明(〒) (旬先閱讀背而之注項再填寫本頁) 緣材質68的固持性(fixture),本發明亦提出一種改良之軟 片型承載器。如第4D圖所示,在邊角支撐環84上配置定 位孔,其形狀比如是十字形、圓形、方形等。請同時參 照第5圖,其所繪示爲軟片型承載器具有定位孔之封裝的 剖面示意圖。在包裝時由於絕緣材質68塡充範圍如第4D 圖中虛線88所包圍之範圍’絕緣材質68會塡充於定位孔 86中,因此可更確保絕緣材質08與軟片型承載器58間的 固持效果,同時亦可改善晶片50、52在軟片型承載器58 上的固定效果。 請參照第6Α ' 6Β圖,其所繪示爲一種將本發明之多 晶片型晶片尺寸封裝應用於一電路板的剖面示意圖。一般 電路板100係由基板102及其表面的印刷線路1〇4、106 所組成,其中基板102比如是由多層的印刷電路板壓合而 形成多層印刷電路基板(multi-level PCB),而印刷線路 ⑺4、106比如是由銅箔所形成。本發明之多晶片型晶片尺 寸封裝係直接以軟片型承載器58之導線56與電路板100 之印刷線路104電性接合,因此比習知的訊號傳輸路徑來 得短,而其接合方式比如是利用表面焊接技術(SMT)。然 而由於本發明中,包裝係僅將絕緣材質68塡充於二晶片 50、52之間,裸露出晶片50、52的背面70、72,在應用 上如第6A、6B圖所示,可將鄰近電路板1〇〇之晶片52 的背面72直接與印刷線路106接觸,可提供一良好的散 熱路徑。舉例來說,印刷線路1〇6可以利用電路板100上 的地線(ground),且將其面積加大,以提昇散熱效果。此 外,在遠離電路板1〇〇之晶片50的背面7〇還可以裝設一 本纸乐尺度诚州屮阖®家標蜱(C’NS ) Λ4規枱(2! 0 X 297公费j A7 3 80 l twf.cfoc/008 408409 b7 五、發明説明(γ) (誚先閱讀背而之注意事項再填寫本頁} 散熱裝置108,比如散熱片,提供另一散熱路徑。由於散 熱裝置108係直接接觸晶片50之背面70,因此散熱效能 更佳。I其中第6A圖所繪示的是晶片50之面積大於晶片52 的情形;而第6B圖所繪示的是晶片50之面積小於晶片52 的情形。 除此之外,値得一提的是,由於本發明之封裝係採用 軟片型承載器,可在封裝製程中直接對晶片作測試,並不 須採用”預知好晶片”(KGD)的方式進行封裝,可降低習知 多晶片型封裝的成本。 綜上所述,本發明之多晶片型晶片尺寸封裝至少具有 下列優點: 1·本發明之多晶片型晶片尺寸封裝,可降低封裝後之 厚度以及面積’使得封裝後成品之面積僅略大於晶片尺 寸,提供了一種具有多晶片的晶片尺寸封裝結構。 線 2-本發明之多晶片型晶片尺寸封裝,直接以軟片型承 載器之導線作爲晶片與訊號源之電性連接,縮短晶片與電 路板間的訊號傳輸路徑,提高晶片的效能。 3·本發明之多晶片型晶片尺寸封裝,由於採用裸晶的 封裝方式,可提高其散熱效能,並可藉由電路板上之印刷 線路、金屬片或外加散熱裝置,增加其散熱量。 4_本發明之多晶片型晶片尺寸封裝結構,使得其封裝 測試可在封裝過程中進行’無須利用預知好晶片方式進行 封裝製程。 5.本發明之多晶片型晶片尺寸封裝,藉由軟片型承載 器之絕緣軟片增加定位孔,可強化封裝中絕緣材質與承載 本紙乐尺度诚中阗®家標蟫(Λ4规袼(2]0X2^^^ 380 1 lwf.doc/008 408409 A7 B7 五、發明説明(丨丨) 器的固持性,並同時可提高晶片在承載器上的固定效果。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上,然其並非用 以限S本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精 神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 (邡先閱讀背1&之注意事項再填穷本頁) 訂 線 本紙张尺度过州中闽围篆標吟「('NS ).Λ视梢(210Χ 297公t )
Claims (1)
- 么408409 ABCD 經濟部中央標準局負工消費合作社印東 六、申請專利範圍 1. 一種多晶片型晶片尺寸封裝,包括: 一軟片型承載器,該軟片型承載器由一絕緣軟片及複 數個導線所構成,其中該些導線配置於該絕緣軟片上; 一第一晶片,配置於該軟片型承載器之一側,該第一 晶片面對該軟片型承載器之表面具有複數個第一凸塊,且 該第一晶片藉由該些第一凸塊分別與該軟片承載器之該些 導線電性連接; 一第二晶片,配置於該軟片型承載器之另一側,該第 二晶片面對該軟片型承載器之表面具有複數個第二凸塊, 且該第二晶片藉由該些第二凸塊分別與該軟片承載器之該 些導線電性連接,其中該第一晶片的面積大於該第二晶片 之面積;以及 一絕緣材質,塡充於該第一晶片與該第二晶片之間, 裸露出該第一晶片與該第二晶片背對該軟片型承載器之表 面。 2. 如申請專利範圍第1項所述之多晶片型晶片尺寸封 裝,其中該絕緣材質所塡充之區域涵蓋部份該絕緣軟片, 且該絕緣軟片被該絕緣材質覆蓋的部份具有一定位孔。 3. 如申請專利範圍第1項所述之多晶片型晶片尺寸封 裝,當該多晶片型晶片尺寸封裝配置於一電路板,其中該 電路板之表面具有複數條印刷線路,該多晶片型晶片尺寸 封裝之該些導線使得該第一晶片與該第二晶片與部分該些 印刷線路電性連接,且使得該第一晶片鄰近該電路板α 4. 如申請專利範圍第3項所述之多晶片型晶片尺寸封 裝,其中該第一晶片背對該軟片型承載器之表面接觸部份 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(〇奶)人4規^格(210乂297公嫠) 380 1 twt'.doc/Q08 408409 A8 BS C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 該些印刷線路。 5. 如申請專利範圍第3項所述之多晶片型晶片尺寸封 裝,更包括一散熱裝置配置於該第二晶片背對該軟片型承 載器之表面。 6. 如申請專利範圍第5項所述之多晶片型晶片尺寸封 裝,其中該散熱裝置包括複數個散熱片。 7. 如申請專利範圍第1項所述之多晶片型晶片尺寸封 裝,當該多晶片型晶片尺寸封裝配置於一電路板,其中該 電路板之表面具有複數條印刷線路,該多晶片型晶片尺寸 封裝之該些導線使得該第一晶片與該第二晶片與部分該些 印刷線路電性連接,且使得該第二晶片鄰近該電路板。 8. 如申請專利範圍第7項所述之多晶片型晶片尺寸封 裝,其中該第二晶片背對該軟片型承載器之表面接觸部份 該些印刷線路。 9. 如申請專利範圍第7項所述之多晶片型晶片尺寸封 裝,更包括一散熱裝置配置於該第一晶片背對該軟片型承 載器之表面。 10. 如申請專利範圍第9項所述之多晶片型晶片尺寸封 裝,其中該散熱裝置包括複數個散熱片。 Π.—種電路板,該電路板上具有一積體電路元件,該 電路板包括: 一基板;以及 複數條印刷線路,配置於該基板之表面, 而該積體電路元件包括: 一軟片型承載器,該軟片型承載器由一絕緣軟片及複 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 铲! 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2IOX297公釐) 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 408409 b 380 Uwl\doc/008 六、申請專利範圍 數個導線所構成,其中該些導線配置於該絕緣軟片上,且 與該電路板之部份該些印刷線路電性連接; 一第一晶片,配置於該軟片型承載器鄰近該電路板之 一側,該第一晶片面對該軟片型承載器之表面具有複數個 第一凸塊,且該第一晶片藉由該些第一凸塊分別與該軟片 承載器之該些導線電性連接; 一第二晶片,配置於該軟片型承載器遠離該電路板之 一側,該第二晶片面對該軟片型承載器之表面具有複數個 第二凸塊,且該第二晶片藉由該些第二凸塊分別與該軟片 承載器之該些導線電性連接,其中該第一晶片之面積大於 該第二晶片之面積;以及 ‘ 一絕緣材質,塡充於該第一晶片與該第二晶片之間, 並裸露出該第一晶片與該第二晶片背對該軟片型承載器之 表面。 12. 如申請專利範圍第11項所述之電路板,其中該第 一晶片背對該軟片型承載器之表面與部份該些印刷線路接 觸。 13. 如申請.專利範圍第11項所述之電路板,其中該第 二晶片背對該軟片型承載器之表面配置一散熱裝置。 H.如申請專利範圍第13項所述之電路板,其中該散 熱裝置包括複數個散熱片。 15. 如申請專利範圍第II項所述之電路板,其中該絕 緣材質所塡充之區域涵蓋部份該絕緣軟片,且該絕緣軟;& 被該絕緣材質覆蓋的部份具有一定位孔。 16. 如申請專利範圍第11項所述之電路板,其中該基 16 本紙張尺度適用中國^家梂準(CNS ) A4規格(2〖0Χ297ϋ " -- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 380 1twi'.doc/008 408409 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 板包括多層印刷電路基板。 —種電路板,該電路板上具有一積體電路元件,該 電路板包括: , 一基板;以及 複數條印刷線路,配置於該基板之表面, 而該積體電路元件包括: 一軟片型承載器,該軟片型承載器由一絕緣軟片及複 數個導線所構成,其中該些導線配置於該絕緣軟片上,且 與該電路板之部份該些印刷線路電性連接; 一第一晶片,配置於該軟片型承載器遠離該電路板之 --側,該第一晶片面對該軟片型承載器之表面具有複數個 第一凸塊,且該第一晶片藉由該些第一凸塊分別與該軟片 承載器之該些導線電性連接; 一第二晶片,配置於該軟片型承載器鄰近該電路板之 一側,該第二晶片面對該軟片型承載器之表面具有複數個 第二凸塊,且該第二晶片藉由該些第二凸塊分別與該軟片 承載器之該些導線電性連接,其中該第一晶片之面積大於 該第二晶片之面積;以及 一絕緣材質,塡充於該第一晶片與該第二晶片之間, 並裸露出該第一晶片與該第二晶片背對該軟片型承載器之 表面。 18. 如申請專利範圍第17項所述之電路板,其中該第 二晶片背對該軟片型承載器之表面與部份該些印刷線路接 觸。 19. 如申請專利範圍第17項所述之電路板,其中該第 17 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 408409 bI 380 \ lwr('.d〇c/008 D8 ^、申請專利範圍 一晶片背對該軟片型承載器之表面配置一散熱裝置。 20. 如申請專利範圍第19項所述之電路板,其中該散 熱裝置包括複數個散熱片。 21. 如申請專利範圍第17項所述之電路板,其中該絕 緣材質所塡充之區域涵蓋部份該絕緣軟片,且該絕緣軟片 被該絕緣材質覆蓋的部份具有一定位孔。 ’ 22.如申請專利範圍第17項所述之電路板,其中該基 板包括多層印刷電路基板。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .aT 經濟部中央梯率扃員工消費合作社印製 本紙張尺度逍用中國圃家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW88100111A TW408409B (en) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | Multi-chip chip size package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW88100111A TW408409B (en) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | Multi-chip chip size package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW408409B true TW408409B (en) | 2000-10-11 |
Family
ID=21639296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW88100111A TW408409B (en) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | Multi-chip chip size package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW408409B (zh) |
-
1999
- 1999-01-06 TW TW88100111A patent/TW408409B/zh not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW415056B (en) | Multi-chip packaging structure | |
US6236109B1 (en) | Multi-chip chip scale package | |
US6239367B1 (en) | Multi-chip chip scale package | |
US7598617B2 (en) | Stack package utilizing through vias and re-distribution lines | |
TW442873B (en) | Three-dimension stack-type chip structure and its manufacturing method | |
US6239366B1 (en) | Face-to-face multi-chip package | |
US5959356A (en) | Solder ball grid array carrier package with heat sink | |
US10068847B2 (en) | Package substrate and method of fabricating the same | |
US20050104182A1 (en) | Stacked BGA packages | |
US7663217B2 (en) | Semiconductor device package | |
US20120217627A1 (en) | Package structure and method of fabricating the same | |
JP2006080521A (ja) | ミラー構造を有するスタックボードオンチップパッケージ及びそれを装着した両面実装型メモリモジュール | |
JP2001320014A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7615858B2 (en) | Stacked-type semiconductor device package | |
US7649253B2 (en) | Semiconductor device | |
US20060226543A1 (en) | Ball grid array package stack | |
US6570246B1 (en) | Multi-die package | |
TW408409B (en) | Multi-chip chip size package | |
TW449894B (en) | Face-to-face multi-chip package | |
TW459315B (en) | Stack-up chip packaging | |
US10157839B1 (en) | Interconnect structure and manufacturing method thereof | |
TW400587B (en) | Multi-chip chip scale package | |
KR200295665Y1 (ko) | 적층형반도체패키지 | |
KR20010025861A (ko) | 적층형 칩 스케일 반도체 패키지 | |
KR100286766B1 (ko) | 적층형반도체패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |