TW396085B - Method and apparatus for chemical mechanical polishing (CMP) with temperature compensation - Google Patents
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Description
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 £7_^_ 五、發明説明(1) 【發明領域】 本發明係關於利用化摩機械式硏磨技術除去晶_表面 材料的方法與裝置,特別是一種利用溫度補償使得表面材 料移除速度在整個晶圓表面上保持一致。 【發明背景】 , v 化學機械式硏磨技術是一種藉由硏磨來除去晶圓表面 材料以達到表面平迫化的常用方法,其係由一晶圓載座承 載待硏磨之晶圖,復將此待拼磨之晶圓抵壓於旋轉之硏磨 台上的硏磨墊,硏磨時亦須將硏漿塗布於讲磨墊。 美國第5 1 9 6 3 5 3號專利係描述一種製作化學機 械式硏磨過程中晶圓之熱量佈圖之方法與裝置,熱量佈圖 則在分析後用來調核硏磨進行的參數。 美國第5 4 8 6 1 2 9號專利係描述一種控制化學機 械式硏磨的次系統與方法,該次系統係控制帶有區域施壓 器之硏磨頭,以調整晶圓上硏磨頭在各區域之施壓,該硏 蘑的次系統亦可用於控制晶_表面溫度與硏磨台之速度。 美國第‘4 9 1 0 1 5 5號專利係描述一種用妗絕緣材 料之化學機械式硏磨技術,諸如二氧化矽與氮化矽層之硏 磨,該法係使用具有硬度與待硏磨之絕緣材料相當之硏漿 微粒,硏磨溫度控制在華式β 5 °F與9 5 °F之間,使硏 磨墊的壽命與平坦化的均勻度能逢到最大。 ‘ 美國第5 4 2 2 3 1 6號專利係描述一種具有限制器 之化學機械式硏磨系統,該限制器用以限制硏磨時晶圓減 少的厚度。 本紙张尺度適用中國國家標_( CNS〉A4規格(210X297公釐) 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) 【發明簡要說明】 本發狎揭露一種具溫度補償之化學機械式硏磨方法與 裝置,晶圓載座上環形部之溫度與硏磨台上環形部乏溘度 係分別獨立控制,藉由獨立控劁兩者之溫度以補償整個晶 圓硏磨壓力的變動,以及晶圓與硏磨台之間相對速度的變 動,使表面材料移1除速度在整個晶圓表面上保持一致。 化學機械式硏磨技術(CMP)在作爲晶圓金屬或介電 層平坦化的製程應用上愈來愈重要,對於該法而言,使表 面材料移除速度在整個晶圓袠面上保持一致是很重要的; 見圖1,体學機械式硏磨技術典型上使用一硏磨台'1 〇以 角速度ωΡ轉動,一晶圓載座1 2以角速度〇〇。轉動承載一 晶圓*並將該晶圓置於硏磨台10上,硏漿則由一硏漿供 給器3 4提供,讲漿從硏漿供給器3 4經由供給管3 2由 一供給嘴3 0到達硏磨台1 0上,晶圓載座1 2軸心至硏 磨台1 〇軸心之距離爲第一間距2 0,材料自晶圓單元1 4移除之速度正比於晶圓單元1 4之溫度、晶圓載座1 2 施於晶圓單元1 4之壓力以及硏磨台1 〇與晶圓單元1 4 之相對速度大小,晶圓單元1 4至晶圓載座1 2軸心之距 離爲第一間距1 8 ’晶圓單兀1 4有一1位置角1 6,該位 置角1 6之基準線2 4爲硏磨台1 0軸心與晶圓載座1 2 •軸心之連線.。 理想的狀涴下在任何的第二間距1 8與位置角1 6其 材料自晶圓的移除速库應爲定値,然而晶圓載座1 2施於 晶圓單元1 4之壓力並非定値,而是位於晶圓載座1 2之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ' 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) % 訂' B7 五、發明説明(3 ) 中心爲最小,並且隨著位置愈接近晶圓載座1 2邊緣而遞 燴。圖2爲顯示常規·化之晶圓載座1 2施於晶圓之壓力爲 其輿晶i載座1 2軸心之距離的函數,硏磨台1 0輿晶ΒΓ 單元1 ^之相對速度大小亦隨著不_的位置角1 6與第二 間距1 8而變化;。 相對速度大小會隨著不同的位置角ί 6、不同的箄二 Ρ曰Ϊ距1 8而變化,以及晶圓載座施於晶圓之壓力的變異, 使得要達到理想化的狀況,意即要使表面材料移除速虔在 整個晶圓表面上保持一致非常困難。 【發明之目的】 本發明的主要目的在於提供一種具溫度補償之化學機 械式硏磨的方法,使表面材料移除速度在整個昴圓表面每 個位置上保持一致。 本發明的另一目的在於提供一種具溫度補償之化學機 械式硏磨的裝置,使表面材料移除速度在整個晶圖表面每 個位置上保持一致。 【圖示簡要說明】 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖傳統化學機械式硏磨裝置之俯視圖 第2圖常規化之晶圓載座施於晶圓壓力與晶圓載座軸向 距離之函數關係圖 第3圖常規化之材料移除速度與位置角之函數關係调 (晶圓載座之角速度與硏磨台之角速度相等) 第4圖具有個別溫控環狀結構之晶圓載座之俯親圖 第5圖具有個別溫控環狀結構之晶圓載座及其溫控裝置 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) ' A7 B7 五、發明説明(4·) 之俯視圖 第6A圖常規化之材料移除速度與位置角之函數關係圖 (晶圓載座之角速度小於硏磨台之角速度,晶圓載座之各 環形部溫度相同,硏磨台之各環形部蕰度相同) 第6 B圖常規化之材料移除速度與位置角之函數關係圖
I (晶圓載座之角速度小於硏磨台之角速度,晶圓載座i各 環形部進行溫度控制 ',硏磨台之各環形部進行溫度控制) 第7A圖常規化之材料移除速度與位置角之函數關係圖 (晶圓載座之角速度大於硏磨台之角速度,晶圓載痤之各 環形部溫度相同,硏磨台之各環形部溫度相同) 第7 B圖常規化之材料移除速度與位置角之函數關係圖 (晶圓載座之角逮度大於硏磨台之角璋度,晶圓載座之各 環形部進行溫度控制,硏磨台之各環形部進行溫度控制) 第8圖具溫控環形部之晶圓載座與之硏磨台俯視圖 第9圖具有個別溫控瓌形部之硏磨台及其溫控裝置仰視 圖 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 0圖‘具有個別溫控之環形部之硏磨台1 0及供給溫 控硏漿裝置與各同心環形槽之俯視圖 第1 1圖具環槽的硏磨墊與硏磨台之剖面圖 【發明詳_說明】 有關具溫度補償之化學機械式硏磨方法與裝置,現就 ,附圖說明如下: 如第1圖所示,顯示傳統化學機械式硏磨裝置之俯視 圖,使用一硏磨台1 0以一角速度轉動,一晶圓載座1 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 乒、發明説明(s ) 以另一角輝度轉動,拼漿則由一硏漿供給器3 4提供,該 讲漿供給器3 4包含供給管3 2與供給嘴3 Q ;晶圓載座 1 2之半徑在本實施例被設計爲R,大約介於3至7英 吋,其可依讲.磨晶圓之需求調整,晶圓載座1 2軸心至硏 磨台1 0軸心之距離爲第一間距2〇,在本實施例被設計 爲a,大約介於6至7英吋。 硏磨係由晶圓單元14與硏磨台1〇之相對蓮動達 成,晶圓單元1 4至晶圓載座1 2軸心之雎離爲第二間距 1 8,晶圓單元1 4有一位置角1 P,該位置角1 6之基 準輝2 4爲硏磨台1 0軸心與晶圓載座1 2軸心之連線, 晶圓單元1 4與硏磨台1 ◦之相對運動Ινι2|可由下列方 程式表示:
YjW2 上述方程式·中,r爲第二間距1 8,a爲第一間距2 0, Θ爲晶圓車元1 4之位置角1 6,讲磨台1 0之角速度爲 ωΡ,晶_載座1 2之角速度爲㈣。 在硏磨台1 0之角速度麵於晶圓載座1 2的狀況下, 晶_單元1.4與硏磨台1 0之相對運動的大小等於讲·磨台 1 0之角速度乘以第一間距2 0且與晶圓單元1 4之位置 角1 6及第二間距1 8無關。 如第2圖所示,顯示常規化之晶圓載座施於晶圓壓力 J'e (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 , A7 __ _ B7_'_ 五、發明説明(t) … 與晶圓載座徑向跑離之函數關係圖,常規化之壓力在晶圓 載座1 2之中心爲最小’在晶圓載座1 2之邊緣爲最大, 且愈遠離晶圓載座1 2之中心,常規化之壓力逐漸遞增。 如第3圖所示,顯示晶圓載座1 2之角速度與硏磨台 1 0之角速度栢等之情況下,·常規化之材料移除速度與位 置角1 6之函數關係圖,材料自晶圓單元1 4移除之速度 正tt於晶圓單元1 4之溫度、晶圓載座1 2施於晶圓單元 4之壓力以及硏磨台1 0與晶圓單元1 4之相對速度大 小,第一曲線7 0、第二曲線7 1與第三曲線7 2顧示無 蕰控之狀況下常規化之材料移除速度與位置角1 6之函數 關係曲線,第一曲線7 0顯示位於晶圓中心之狀猊,第二 曲線7 1顯示位於離晶圓中心一段距離之狀況,第三曲線 72顯示位於晶圓邊緣之狀況。 如第4圖所示,一組同,心之第二環狀部4 0設於晶圓 載座1 '2上,使得在晶圓載座1 2不同之環形區域-各別 作溫度控制,溫度在晶圆載座1 2之中心控制爲最大,且 隨離晶圓載座ί 2之中心距離漸增,控制之溫度愈小,溫 度在晶圓載座1 2之邊緣爲最小。藉由溫度的調校,使得 使表面材料移除速度在整個晶圓表面上不再隨位置角16 或第二間距1 8不同而熊保持一致,如同第3圖中第四曲 線7 4所示 如第5圖所示,顯示晶圓載座1 2上同心之第二環狀 .部4 0與控溫結構,個別之第二環狀部4 〇可透過個別之 電熱單元控溫,個別之竃熱單元由個別之第二供給器5 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注項再填寫本頁)
-、βτ A7 B7_ 五、發明説明(1 ) 控制,該第二供給器5 0則爲電源供應裝置,第二環狀部 '4 0亦可設計爲附於晶圓載座1 2之流管,該第二供給器 5 0則爲提供熱流或冷流之供應裝置。 如第6A圖所示,爲晶圓載座1 2之角速度小於硏磨 台1 0之角速度之情況下,常規化之材料移除速度與位直 角1 6之函數關係圖,第五曲線8 0,第六曲線8 1與第 七曲線8 2顯示無溫控之狀況下常規也之材料移除速度與 位置角1 6之函數關係,第五曲線8 0顯示位於晶圓中心 之狀況,第六曲線0 1顯示位於離晶圓中心一段距離之狀 況,第七诲線8 j顯示位於晶圓邊緣之狀況。 如第4圖與第5圖所掸述之溫控裝置,使得在晶圓載 座1 2不同之環形區域能各別作溫度控制,溫度在晶圓載 座1 2之中心控制爲蕞大,且隨離晶圓載座1 2之中心距 離漸增,控制之溫度愈小,在晶圓載座1 2之邊緣爲最小, • \ · · 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此使表面材料移除速度在整個晶圓表面上隨著離晶圓中 心之距離-化大致相同,但如笫6 Β圖所示,第五曲線8 0、第六曲線8 1與第七曲線8 2顯示其仍隨不同之位Λ 角1 6而變化。 如第8圖所示,爲硏磨台1 0上環狀部之第一溫控環 6 1、第二輝控環6 3寒第三溫控環6 5,以及晶圓載座 1 2上環狀.部之第四溫控環4 1、第五溫控環4 3與第六 溫控環4 5,由圖中可見對應於晶圓載座1 2位置角0° 或3 6 0 °有最低之移除速度,因此對應於硏磨台1 0上 內部第一溫控瓌6 1控制於較高之溫度,而對應於晶圖載 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 _^_ 五、發明説明(S ) .,’ 座1 2位置角1 8 0'0有最高之移除速度’因此對應於硏 摩台1 0上外部第三溫控_ 6 5硿制於較低之溫度,而介 菸第一辍控環6 1室第三溫控環6 5則溫度漸遞減。 在硏磨台1 0之溫控與晶圓載座1 2之溫控的疊加作 用下,使得表面材料移除速度在整個晶圓義面上大致相 同,如第6 B圖第八曲線S 4所示’實際之移除速度之變 動不超過百分之4 » 如第7Α圖所示,爲晶圓載座之角速度大於硏磨台之 角速度之情況下,常規化之材料移除速度與位置角之函數 關係圖,第九曲線9 0、第十曲線9 1與第十一曲線9 2 顯示無溫控之狀祝下常規化之材料移除速度與位置角之函 數關係曲線,第九曲線9 0顯示位於晶圓中心之狀況,第 十曲線9 1.顯示位於離晶圓中心一段鉅離之狀況,第十一 曲線9 2顯示fe於晶圓邊緣之狀況β 如同第4圖與第5圖所描述之溫控裝置,使得在晶圓 載座1 2不同之環形區域能各別作溫度控制,溫度在晶圓 載座1 2之中心控制爲最大,且隨離晶圓載庳12之中心 距離漸增,控制之溫度愈小,在晶圓載座1 2之邊緣鳥最 小,如此使得使表面材料移除速度在整個晶圓表面上隨著 離晶圓中心之距離變化大致相同,但如第7 B圖所示,第 九曲線9 0、第十曲線9 1與第十一曲線9 2顯示其仍隨 不同之坪置角1 6而變化。 由第7 B圖中可見對應於晶圓載座1 2位置角0 °或3 6 0 °有最高之移除孽度,如第8圖所示,因此對應於硏 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝I1· 訂· A7 B7______ 五、發明説明(1 ) 磨台1 0上環形部之第一溫控環6 1控制於較低之溫度’ 而對應於晶圖載座1 2位置角,1 8 0°有最低之移除速 度,因此對應於硏磨台1 〇上環形部之第三溫控環6 5控 .制於較高之溫度,而介於第一溫控環6 1至第三溫控環6 5則將蕰度渐增。 在硏磨台1 0之溫控與晶圓載座1 2之溫控的疊加作 用下,使得表面材料移除速度在整個晶圓表面上大致相 同,如議7B圖第十二曲線9 4所示,實際之移除速度之 變動不超過百分之4。 如第9、圖所示,顯示晶圓載座1 2上同心之第一環形 部6 0與控溫結構,個別之第一瓌形部6 0可透過個別之 電熱單元控溫,個別、之電熱單元由個別之第一供給器3 2 控制,該第一供給器5 2則爲電源供應裝直,第一環形部 6 0亦可設計爲附於晶圓載座1 2之流管,該第一供給器 5 2則爲提供熱流或冷流之供應裝置。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請it-閲讀背面之注意事項再填商本頁) 如第1 0圖所示,爲本創作另一實施例,、爲具有個別 溫控環狀結_之硏磨台10及供給溫控硏漿裝置與各同心 環形槽之俯視圖,該同心環形槽之深度介於0 · 0 1至0 · 0 2英吋之間。 如第1 1圖所示?爲具環形槽5 6的硏磨墊與硏磨台 沿第10圖切癱方向11至11 ‘之剖面圖,硏漿由硏漿 供給器4 8經由個別之供給嘴4 6流至硏磨台1 0上,藉 由硏磨墊上之環形槽5 6使不同之控溫硏漿得以分離,而 達到控制硏磨台1 〇之目的。_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210'_<297公釐1 ~ ~" 一 II 一 A7 B7 五、發明説明(丨〇 ) ' 本創作_藉由實施例來描述,仍可變化其形態與細 節,但亦不脫離本創作之精神而璋成,並由熟悉此項技藝 之人士苛了解。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 II 一
Claims (1)
- 經濟部中央樣隼局貝工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 1 種具溫度補償之企擧機械式硏磨方法,其步驟係包 含: (1)提供一晶圓; ,(2:)提供一硏摩台t (3l)提供一晶圓1載座 < 具有一軸心與以該軸心爲中 * 4 心之複數個同心環狀部; (4)提供一硏磨墊,置於該硏磨台上; (5 )提供一溫度變化手段,用以控制該複數個同心 環狀部之溫度; (6) 將該晶圓置於該晶圓載座上; (7) 以相同之角速度旋轉該硏磨台與該晶圓載座; (8) 將硏漿塗布於該硏磨墊上; (9 )將該晶圓載座與該硏磨台相抵,使該硏漿與該 晶圓接觸,而該晶圓載座施於該晶圓之壓力於 該晶圓載座中心爲最小,於該晶_載座邊緣爲 最大,且壓力隨與該晶圓載座軸心之距離增加 而琢增;以及 (10 )調整該同心環狀部之溫度,使位於該晶圓載 座上晶圓材料移除速率在每一晶圓單元均一, 不因晶圓單元與晶圓載座中心距離不同而有不 同之輅除速率。 2 ·如申請專利範圍第1項所述具溫度補償之化學機械式硏 磨方法,其中用以控制該同心環狀部溫度之溫度變化 手段係包含: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) —/3 一 (請先閲讀背面之注項再埃寫本頁) 裝· 訂_ 經濟部十央揉準局5K工消費合作社印装 AB88 ES______ 六、申請專利範園 將電熱單元設於該晶圓載座之該同心環狀部’且獨立之該 同心環狀部具有獨立之該電熱單元; 控制供給至該亀熱單元之電量’藉由改變該電量的大小控 ‘ 制該I電熱單元之發熱功率,進而控制該同心環狀部溫 度。 \ .3 .如申i請專利範圍第1項所述具溫度補償之化學檄械式 硏磨I法,其中用以控制各該同心環狀部溫度之溫度變 化手係包含: 將流管設於該晶圓載座之該同心環狀部,且獨立之該同心 環狀部具有獨立之該流管; 、控制供給至該流管之流體溫度,藉由該流體控制該同心環 狀部溫度。 4 .如申請專利範圍第1項所述化學機械式硏磨法,其中 該晶圓爲一積體線路晶片。 5、.一種具溫度補償之化學機械式硏磨方法,其步驟係包 含: (1 )提供一硏磨台,其具有第一軸心與以該第一軸 心爲中心之複數個第一同心環狀部; (2 )提供一晶圓載座,其具有第二軸心與以該第二 軸心爲中心之複數個第二同心環狀部; (3 )提供一硏磨墊,置於該硏磨台上; (4 )提供一第一溫度變化手段,用以控制該硏磨台 之複數個第一同心環狀部溫度; (5 )提供一第二溫度變化手段,用以控制該晶圓載 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇><297公釐) " -III 一 --------T 裝--:----訂------k (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A8 B8 . gl______ 六、申請專利範圍 I 座之複數個第二同心_狀部溫度; (6 )將晶圓置於該晶圓載座; (7|)以第一角速度旋轉該硏磨台; . (8 )以第二角速度旋轉該晶圓載座; (9 )將硏漿塗佈於該硏磨墊上; ; S (1;0 )將該晶圓載座與該硏磨合相抵,使該硏_與 1 I 該晶圓接艢,而該晶圓載座施於該晶圓之壓力 於該晶圓載座之軸心爲最小,於該晶圓載座邊 緣爲最大,且壓力隨殚該晶圓載座之軸心之距 離增加而遞增;以及 (1 1 )調整該第一同心環狀部之溫度與第二同心環 狀部之溫度,使位於骸晶圓載座上晶圓材料移 餘速率在每一昴圓車元均一,不因晶圓單元與 晶圓載座中心距離不同而有不同之移除速率。 6·如申請專利範_第5項所述具溫度補償之化學機械式 硏磨方法,其中用以控制該第二同心環狀部溫度之該 第二溫度變化手段係包含: 將電熱單元設於該第二同心環狀部,旦獨立之該第二 同心環狀部具有獨立之該電熱單元; 控制供給至該電熱車元之電量,籍由改變該電量的大 小控制該電熱單元之發熱功率,進而控制該第二同心 環狀部溫度。 7 .如申請專利範圍第5項所述具溫度補償之化學機械式 硏磨法、其中用以控制各該第二同心谭狀部溫度之溫 本紙張尺度適用中國國家棣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) —一 --------1 ·裝 11----訂------ (請先Μ讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局員工消費合作社印裝 A8 ?88 D8 六、申請專利範圍 度_化手段係包含: 將流管設於該第二同心環狀部,且獨立之該第二同心 環狀部具有獨立之該流管; 控制供給至該流管之流體溫度,藉由該流體控制該第 二同心瓌狀部溫度。 8 .如申請專利範圍第5項所述具溫度補償之化學機械式 硏磨方法,其中用以控制該第一同心環狀部溫度之該 第一溫度變化手段係包含: 將電熱單元設於該第一同心環狀部,且獨立之該第一 同心環狀部具有獨立之該電熱單元; 控制供給垄該電熱單元之電量,藉由改變該電量的大 小控制該電熱單元之發熱功率,進而控制該第一同心 .· / · 環狀部溫度。 9 .如申請專利稗圍第5項所述具溫度補償之化學機械式 硏磨方法,其中用以控制各該第一同心環狀部溫度之 溫度變化手段係每含: 將流管設於該第一同心環狀部,且獨立之該第一同心 環狀部具有獨立之該流管; 控制供給至該流管之流體溫度,藉由該流體控制該第 一同心環狀部溫度6 1 Q .如申請專利範圍第5項所述具溫度補償之化學機械 式硏磨方法,其中用以榉制各該第一同心環狀鈕溫度 之溫度變化手段係包含: 建構複數環形槽於該硏磨墊上,該環形槽係以該硏磨 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) L- -n - m n - - n I I I n - ^ It n I (t先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 A8 ?88 D8 _ 六、申請專利範圍 台之軸心爲中心; 提供複數供給嘴,其置於該硏磨墊上方且保持一距 離,獨立之該供給嘴與該硏磨台之軸心有不同距離; .將不同溫度之該硏漿經由獨立之該供給嚙流注於獨 立之該環形槽,藉此控制該硏磨台上不同區域之溫度。 1 1 .如申請專利範圍第5項所述具溫度補傖之化學機械式 硏磨方法,其中該晶圓爲一積體線路晶片。 1 2 .—種具溫度補償之化學機械式硏蘑裝置,其構造係 包含: 一硏磨台,以第一角速度旋轉,其中該硏磨台係具有 第一軸心,與以該第一軸心爲中心之複數個第一同 心環形部; 一晶圓載座,以第二角速度旋轉,其中該晶圓載座具 有第二軸心,與以該第二軸心爲中心之複數個第二 同心環狀部; 一硏磨墊,其置於該硏磨台上;. 第一溫度控制裝置,用以獨立控制該複數個第一同心 環狀部於不同之溫度; 第二溫度控制裝置,用以獨立控制該複數個第二同心 環狀部於不同之溫度; 一硏發,其塗佈於該硏磨墊上; 一硏磨機構,用以驅動將該晶圓載座與該硏磨台進行 接觸。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述具溫度補償之化學機 本紙張尺度逋用中國國家梯準(CNS > A4規格(210Χ297公A ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) Ja A8 控 D8 六、申請專利範圍 械式硏磨裝置,其中用以改變該第一同心環狀部溫 度之該筚一溫度控制裝置係包含: 一電熱單元,其設於該第一同心環狀部,且獨立之該 第一同心環狀部具有獨立之該電熱單元; 一電源供應器,其供應該電熱單元之電量,且可供應 \ 不同之電量於不同之該電熱單元,用以控制該第一 同心環狀部之溫度。 .1 4 .如申請專利範圍第1 2項所述具溫度補償之化學機 械式硏磨裝置,其中用以改變該第一同心環狀部溫 度之該第一溫度控制裝置係包含: 一流管,設於該第一同心環狀部,且獨立之該第一同 心環狀部具有獨立之該流管; 一流體供應器,其控制供給至該流管之流體溫度,且 供應不同溫度之流體於不同之該流管,用以控制該 第一同心環狀部之溫度。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 .如申請專利範圍第1 2項所述具溫度補償之化學機 械式硏磨裝置,其中用以改變該第一同心環狀部溫 度之該第一溫度控制裝置係包含:: 一設妗該硏磨墊上複數個環形槽,其中該複數個環形 槽爲以該硏磨台之軸心爲中心; 複數個供給嘴,其置於該硏磨墊上方且保持一距離, 獨立之該供給嘴對應流注獨立之該環形槽: 一硏漿供應器,其控制該硏槳之溫度,且供應不同溫 度之該硏漿於不同之該供給嘴。 本紙张尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公;t ) 一 I A8 B8 S______ 六、申請專利範園 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 6 .如申請專利範圍第1 2項所述之具溫度補償之化學 機械式硏磨裝置,其中用以改變該第二同心環狀部 溫度之該第二溫度控制裝置係包含·· 一電熱卓元,其設於該第二同心環狀部,且獨立之該 第二同心環狀部具有獨立之該電熱單元;以及 ^ 1 一電源供應器,其供應該電熱車元之電量,且可供應 不同之電暈於不同之該電熱單元,用以控制該第二 同心_狀部之溫度。 1 7 .如申請專利範圍第1 2項所述之具溫度補償之化學 機械式硏磨裝置,其中用以改變該第二同心環狀部 溫度之fe第二溫度控制裝置係包含: 一流管*設於該第二同心環狀部,且獨立之該第二同 心環狀部具有獨立之該流管; 一流體供應器,其硿制供給至該流管之流體溫度,且 供應不同溫度之流體於不同之該流管,甩以控制該 第二同心環狀部之溫度。 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW86110278A TW396085B (en) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | Method and apparatus for chemical mechanical polishing (CMP) with temperature compensation |
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TW86110278A TW396085B (en) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | Method and apparatus for chemical mechanical polishing (CMP) with temperature compensation |
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TW396085B true TW396085B (en) | 2000-07-01 |
Family
ID=21626819
Family Applications (1)
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TW86110278A TW396085B (en) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | Method and apparatus for chemical mechanical polishing (CMP) with temperature compensation |
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TW (1) | TW396085B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI476070B (zh) * | 2011-02-25 | 2015-03-11 | Ebara Corp | 具備用於研磨墊之溫度調整器之研磨裝置 |
TWI607831B (zh) * | 2013-08-27 | 2017-12-11 | 荏原製作所股份有限公司 | 研磨方法及研磨裝置 |
-
1997
- 1997-07-16 TW TW86110278A patent/TW396085B/zh not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI476070B (zh) * | 2011-02-25 | 2015-03-11 | Ebara Corp | 具備用於研磨墊之溫度調整器之研磨裝置 |
TWI607831B (zh) * | 2013-08-27 | 2017-12-11 | 荏原製作所股份有限公司 | 研磨方法及研磨裝置 |
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