TW392237B - Polishing cloth for use in a CMP process and a surface treatment thereof - Google Patents

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abrasive
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Sadahiro Kishii
Yoshihiro Arimoto
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Fujitsu Ltd
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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 隔及大體均勻高度。於拋光布上形成此種均匀凸部的製程 將於後文參照不同的具體例詳细說明。 經由使用第3A圖之拋光布，於矽基材上形成的耐熱氧 化物膜獲得拋光速率約70nm/min(容後詳述）。他方面，使 甩第3B圖之拋光布之例中拋光速率降至約26mn/min。第3B 圖之拋光布中需注意凸部高度有實質變化。前文發現指示 需要增加拋光布接觸面積來獲得大拋光速率。 又如第3C圖指示，經由縮小凸部間隔達第3A圖之例之. »·«Λ 約兩倍，拋光速率增至約140nm/min。如此凸部的間隔或 間距亦為提高拋光速率的重要因素。 第4及5圖顯示本發明之發明人對獲得最大拋光速率 有關拋光布表面狀態進行研究结果，其中第4圖顯示拋光 布表面上凸部間距與拋光速率間之關係，而第5圖顯示凸 部高度與拋光速率間之關係。 全部實施中拋光皆於試驗件上進行，如前述，試驗件 包含耐熱氧化物膜成形於矽基材上。試驗件固定於以8〇 rpm ° 旋轉的拋光頭14上，對前述平臺10上的耐熱氧化物膜 進行拋光，平臺也K80 rpm速度旋轉。平臺10由IC-1000 布覆蓋，SUBM00布（由Rodel-Nitta供應）又鋪在其上。拋 光過程中含MnCh磨擦劑（平均粒度0.3um)之漿液連同溶劑 如水供應。抛光係將試驗件M0.21 kg/cm2之壓力牴住平 臺進行。 參照第4圖注意拋光速率隨著拋光布上凸部間隔的縮 / · 本紙朵尺度適用中國國家揉準（CNS )八4規格（21〇χ297公釐） I—----CT裝^--------訂-----丨線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 " B7五、發明説明（1 ) 發明背景 本發明一般係關於用於製造半導體裝置的化學機械拋 光技術，特別係關於用於化學機械拋光製程之拋光布，包 含其表面處理。 隨著晩近極大型積體電路製造上的進展，一塊積體電 路上包含的裝置增加。與其相關也造成互連多個裝置之積 體電路使用的互連圖樣複雜度增高。欲獲得複雜的互連圔 樣，晚近先進積體電路使用所謂的多層互連結構，寒中互 連圖樣提供於多層具有層間絕緣膜。 他方面，此種多層互連结構易引起覆蓋下方互連圖樣 的互連絕緣膜上階級高度增加問題。由於階級高度增加， 故層間絕緣膜上方提供互連圔樣可能有扭曲或不互連的風 險。又此種層間涵緣膜頂面的不規則由於用來暴露此種極 端微型互連圖樣的高解析度光學系統的焦點深度有限，故 引起互連圖樣的圖樣不良問題。此種問題於具有極大積體 ! 密度的晚近先進積體電路特別明顯。 如此，平面化乃實現多層互連结構的最重要問題，曾 經進行多種研究意圖克服此種問題。 習知平面化之進行方式係提供曆間絕緣膜作為低黏度 材料例如SOG (離心塗覆玻璃）或含B或P之低熔點矽玻璃。 但習知平面化方法於設計厚則〇.35iim或以下的CMOS裝置較 無效，其中整個晶圓表面需要進一步平面化程度。 此處稱為CMP的化學機械拋光技術是一種可滿足此種 嚴苛需求的技術。使用此種CMP製程可大體完全平面化晶 HI I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 _lrlrrl:」 一線 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（2 ) 圓及由晶圓表面去除凸部及凹部。 第1圖顯示用於半導體基材之CMPfe程的拋光裝置構 造。 參照第1圖拋光裝置包含一片轉盤或平臺10，平躉1〇 被拋光布12覆蓋。又旋轉拋光頭14設於平臺10，面對平臺 10由拋光布12遮蓋的頂面。拋光頭14上方固定一個有待拋 光的基質16，平臺I%方設有一個漿液噴嘴20，漿液噴嘴 20滴落漿液18於拋上。 操作時平臺1〇及1頭14分別以預定速度驅動同時獎 液滴入拋光布12上，拋光頭14K預定壓迫力或壓力迫使基 材16牴住拋光布12。習知漿液其中氧化鋁或膠體氧化矽磨 擦劑分散於鹼性溶劑用做漿液18。又發泡聚合物例如聚胺 甲酸酯薄片用做拋光布12。 此種由第1圖之拋光裝置進行的CMP製程中，需注意 拋光布12表面狀態對拋光機制包含漿液18保有於其上造成 深刻影響。如此欲提供最佳拋光，需要控制拋光布12的表 面狀態。 習知拋光布12中，布12表面包含微小凸部及凹部，其 係於、拋光布12製造時藉發泡製程隨機形成者。換言之習知 @勺表面狀態僅隨機控制。如此使用習知拋光布12 進行_知CMP製程難以最適化，難恆定拋光速率及 以可再現地拋光基材16。 一種拋光布包含溝或小凹部來容納漿液。但此種習知 拋光布上的溝或凹部的大小約為毫米大小’此種大型凹部 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ihlL-I.---^----ο 裝' 訂- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準扃員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（3 ) 無法有效改善拋光製程。 欲發揮效果，拋光布上的溝必需具有微米尺寸範圍。 同時並無可於拋光布上形成如此微小溝的藥g。曾經 提議利易研磨拋光，而於 拋光布表面形成微米大小的溝，但未曾研究何種製择最佳 〇 拋光布連續使用後容易收集拋光结果形成的顆粒。顆 粒包含磨耗的磨擦劑。習知拋光布中難以去除此種顆粒而 未影響拋光布性能。 發明概述 如此本發明的一般目的係提供一種新穎有用的拋光布 及其表面處理其可消除前述問題。 本發明之另一種更為特異性目的係提供一種拋光布用 於CMP製程時，可長時間提供最大拋光速率，及維持拋光 布性能的表面處理。 本發明之另一.目的係提供一種用過的拋光布清潔方法 〇 本發明之另一目的係提供一種化學機械拋光製程用之 拋光布，包括： 一張底布具有一個表面；及 該表面形成凸部及凹部， 該凸部具有高度30jum或Μ下具K間距55jum或Μ下形成 〇 根據本發明拋光布與接受拋光製程的基材接觸面積變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） Ι.Γ--S--^---裝-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(4 ) 成最大，因此拋光速率最大。又於拋光布上存在有此種凸 部及凹部可改良拋光製程中漿液保有於拋光布上。 本發明之另一目的係提供一種處理用於化學機械拋光 製程的拋光布表面之方法，包含下列步驟： 使用化學機械拋光製程使用的漿液處理拋光布表面， 進行該處理使凸部及凹部形成於該表面上，具有高度 3〇nm或Μ下及具有間隔55jum或K下。 本發明之另一目的係提供一種用於化學機械拋光製程 之拋光布之表面處理方法，包括下述步驟： 藉載有鑽石磨擦劑的工具粗化拋光布表面， 該等鑽石磨擦劑具有直徑為3〇Mm或Μ下。 根據本發明拋光布表面最適化可於拋光製程之同時或 拋光製程之前達成。經由如前述形成凸部及凹部拋光布與 接受拋光製程的基材接觸面積變成最大，因此拋光速率變 成最大。又存在此種凸部及凹部可改良拋光製程中漿液保 有於拋光布上。 本發明之另一目的係提供一種清潔用於化學機械拋光 製程之拋光布之方法，包括下述步驟： 藉與磨擦劑進行的化學反應去除附著於拋光布上的磨 擦劑。 根據本發明當CMP製程係由溶液磨擦劑提供時，拋光 布可恢復初始狀態。因此拋光布可反覆使用而每次可保證 獲得高拋光速率。又可延長拋光布的壽命。 本發明之另一目的係提供一種製造半導體裝置之方法 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X2.97公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 、1T-
Α7 Β7 V 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) ，包括下述步驟： 利用漿液經由於拋光布上進行化學機械拋光製程而拋 光基材表面， 該拋光步驟進行使拋光結果於拋光布上形成具有高度 30jnm或K下及間距55从111或以下之凸部。 根據本發明化學機械拋光製程可Μ高拋光速率及絕佳 再現性進行。因此可顯著降低半導體裝置的生產成本。/ 本發明之其他目的及進一步特點參照附圖研讀下文詳 细說明將顯然自明。 圖式之簡單說明 第1圖為顯示習知拋光裝置構造之圖解； 第2圖為顯示市售拋光布表面狀態之圖解； 第3A-3C圖為顯示根據本發明之第一具體例多種拋光 布表面狀態之拋光機制圖解； 第4圖為顯示拋光速率與拋光布上凸部間隔或間ip間 之關係之圖解； 第5圖為顯示拋光速率與拋光布上凸部高度之關係之 圖解； 第6圖為顯示根據本發明之第二具體例用於拋光布表 面處理的拋光裝置構造圖解； 第7圖為顯示根據本發明之第三具體例藉Mn〇3磨擦劑 處理的拋光布表面狀態之圖解； 第8圖為顯示根據第三具體例藉Μπ2〇3磨擦劑處理的 拋光布表面狀態之圖解； (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) _L 1 ------ -- I: ^ _ - ^-------^ ./ -;L\ -訂- 線. :..;L_-rirr. .·-. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 , B7 _ 、·、、 ... . 五、發明説明（6 ) 第9圖為顯示使用Mn(h磨擦劑之例中拋光速率隨時間 改變之圖解； 第10圖為顯示使用Mn2〇3磨擦劑之例中拋光速率隨時 間改變之圖解；及 第11A-11L圖為顯示根據本發明之第四具體例之半導 體裝置製法之圖解； 較佳具體例之詳细說明 第一具體例 第2圖顯示市/售CMP製程用聚胺甲酸酯拋光布之表面 粗度。 參照第2圖，拋光布製造時因發泡辱承微小凸部及凹 部，該拋光布於表面顯示不規則的凸部@_其中凸部 的深度及間隔或間距也觀察到不規則現象。第2圖的圔樣 未見特殊頻率組件。事實上某些凸部的高度30/m或以上而 某些凸度高度極小，幾乎無法辨認。又某些凸部的間隔超 過55um，而某些的間隔極小。 CMP製程用拋光布中希望擴大拋光過程中接觸基材的 拋光布面積。通常拋光速率係與拋光布與接受拋光的基材 之接觸面積成比例。換言之重要的且希望於CMP製程盡可 能加大拋光布與基材的接觸面積。但具有第2圖之表面粗 度的拋光布僅最高峰可獲得如此滿意的接觸，而拋光布的 實質部分包含較低峰絲毫也無法接觸基材。 第3A圖顯示根據本發明之第一具體例達成的所需表面 粗度，需注意拋光布的凸部係均勻形成，具有大體均勻間 —r-ri-LJ---I -I - (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 _::Η:..」..-ΓΙΕΙ二 ,¥ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 隔及大體均勻高度。於拋光布上形成此種均匀凸部的製程 將於後文參照不同的具體例詳细說明。 經由使用第3A圖之拋光布，於矽基材上形成的耐熱氧 化物膜獲得拋光速率約70nm/min(容後詳述）。他方面，使 甩第3B圖之拋光布之例中拋光速率降至約26mn/min。第3B 圖之拋光布中需注意凸部高度有實質變化。前文發現指示 需要增加拋光布接觸面積來獲得大拋光速率。 又如第3C圖指示，經由縮小凸部間隔達第3A圖之例之. »·«Λ 約兩倍，拋光速率增至約140nm/min。如此凸部的間隔或 間距亦為提高拋光速率的重要因素。 第4及5圖顯示本發明之發明人對獲得最大拋光速率 有關拋光布表面狀態進行研究结果，其中第4圖顯示拋光 布表面上凸部間距與拋光速率間之關係，而第5圖顯示凸 部高度與拋光速率間之關係。 全部實施中拋光皆於試驗件上進行，如前述，試驗件 包含耐熱氧化物膜成形於矽基材上。試驗件固定於以8〇 rpm ° 旋轉的拋光頭14上，對前述平臺10上的耐熱氧化物膜 進行拋光，平臺也K80 rpm速度旋轉。平臺10由IC-1000 布覆蓋，SUBM00布（由Rodel-Nitta供應）又鋪在其上。拋 光過程中含MnCh磨擦劑（平均粒度0.3um)之漿液連同溶劑 如水供應。抛光係將試驗件M0.21 kg/cm2之壓力牴住平 臺進行。 參照第4圖注意拋光速率隨著拋光布上凸部間隔的縮 / · 本紙朵尺度適用中國國家揉準（CNS )八4規格（21〇χ297公釐） I—----CT裝^--------訂-----丨線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 小而加大。特別當間隔縮小至小於於60<im時拋光速率顯著 增高。例如經由將間距由約55iim減至35(im可使約125nm/ min拋光速率增至約lSOnm/min^^^gSOnm/min拋光速率 值比較凸部間距為lOOirn之例幾^倍。如此第4圖結 果指示較佳形成間距約55/im或Μ下的凸部。顯然拋光速率 的增加係由於拋光布與試驗件間接觸面積加大的結果。 又第5圔指示拋光速率也隨凸部高度的減小丽加快。 參照第5圖注意當凸部高度減至約35/im或Μ下時拋光速率 顯蓍增高。例如經由將凸部高度設定於約30wm或Μ下可達 成拋光速率約140rm/niin。如此第5圖結果指示較佳形成 ) 高度約30jum或Μ下之凸部。又此種拋光速率的增加係由於 拋光布與試驟件之接觸面積增加的结果。 當凸部間隔或直度迤土腹，他方面，漿液於拋为布上 的保有變困難。因此無法使拋光布表面完全平坦。 第二具體例 第6圖顯示根據本發明之第二具體例處理拋光布表面 之裝置之構造。 本發明之第一具體例中發現拋光布較佳具有表面上凸 部間距約55um或Μ下及高度約3〇um或Κ下俾增高拋光速率 ’姐·亩鱼邀渔產王具有本發明琴現的較佳特點。因此需設 計一種方法或裝置來處理市售拋光布表面而形成前述所需 凸部。 第6圖顯示根據本發明之第一具體例用於處理拋光布 表面之裝置之構造。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^^1 nl·.-—— In -1« . 一 1^· 士5"··— n - JL· φ (請先闆讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ::Ltbrl-Lil: 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 參照第6圖表面處理裝置具有與第1圔之拋光裝置相 同構造包含載有拋光布12來接受表面處理的旋轉平臺10。 又旋轉拋光頭14設置於覆蓋有拋光布12的平臺10上方，現 在拋光頭14固定一個其上載有電沈積鑽石磨檫劑的工具22 Ο 操作時平臺10被驅動而工具22經由驅動拋光頭14而施 用於拋光布12上，使工具22的鑽石磨擦劑研磨拋光布12表 面。研磨結果拋光布12上提供有前一具體例所述凹部及相 關凸部。 需注意如此於拋光布12表面上形成的凸部及凹部輪廓 係隨著工具22上提供鑽石磨擦劑直徑改變。本具體例中鑽 石磨擦劑係選用其直徑可使表面處理结果形成的凸部高度 約為30um或Μ下。與例言之載有直徑約30iim之鑽石磨擦劑 之工具可用做於拋光布12表面上形成具有高度約I5*im之凸 部的工具。需注意本發明使用的鑽石磨擦劑具有直徑略小 於60uin，60iim乃習知鑽石磨擦劑使用的直徑。 工具22使用的鑽石磨擦劑直徑也控制於拋光布表面上 形成凸部間距或間隔。例如經由設定鑽石磨擦劑直徑約30 iim可獲得凸部間距約30關。經由設定工具22上的鑽石磨擦 劑直徑約30jim或Μ下，可於拋光布12上形成具有所需高度 約30顏或以下及所需間距約55iim或Μ下之凸部。 藉工具22研磨拋光布12之製程中，需注意工具22的單 次通過拋光布12即是，但拋光頭14需Κ足夠壓力壓迫。一 般無需第二次或第三次通過。因此Μ均勻的壓迫壓力僅將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ---Γ----裝------訂------線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 工具22施加於拋光布12上一次即可於拋光布12上形成所需 / 凸部。於此種製程中較佳設定頭14之壓迫壓力使鑽石磨擦 劑不會完全陷入或切入拋光布12内部。 如此經由施用工具22於拋光布12上而工具上方電沈積 有適當直徑的鑽石磨擦劑，可根據第一具體例之教示於拋 光布表面上形成凸部。 經由使用拋光布12拋光基材，可以高拋光速率穩定進 行拋光。 第三具體例 前述具體例中，拋光布之表面處理係藉第6圖裝置使 用工具22進行。換言之，前一具體例之表面處理係於拋光 過程分開進行。 本具體例中將揭示拋光布之表面處理過程，其中拋光 表面處理係與拋光製程同時進行。 本具體例係使用第1圖之拋光裝置進行拋光，其中拋 光頭14載有有待拋光之基材16而非工具22。基灰T16可載有 絕緣層如氧化矽膜或半導體層如聚矽膜供拋光。又基材16 可載有導體層或圖樣例如Si或tf。 操作時平臺10及拋光頭14分別K預定速度驅動，經由 壓迫頭14牴住拋光布12同時漿液18滴落於拋光布12時進行 拋光。拋光製程中，不僅基材16被拋光，同時，拋光布12 也被漿液18的磨擦劑處理而於拋光布12表面形成所需凸部 及凹部。 本具體例使用一種漿液其含有氧化錳作為漿液18之磨 本紙張尺度適用中國國家操準（CNS )八4規格（210'〆297公釐） ___________________________________________________________________ _____I. . .-..-==-1-^1111.:..-11. . . . I............. I _ I ——r----裝------訂------J0 J (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（11 ) 擦劑’其中氧化錳KMnOx(lS X各2)表示。較佳氧化錳為 Mn〇2 ’ Mn3〇3或Mn3〇4或其混合物之任一者。 需注意習知漿液一般使用氧化矽或氧化鋁磨擦劑顆粒 與鹼性溶液組合。例如使用膠體氧化矽磨檫劑之漿液使用 含K之鹼性溶劑。當此種鹼性漿液用於第丨圖漿液18之拋 光製程時，拋光布12接受的化學製程使其表面經由鹼性溶 劑反應結果而平面化。如此，習知CMP方法無法於拋光過 程中於拋光布12表面上形成所需凸部及凹部。 與習知CMP方法相反本具體例之方法使用前述氧化錳 磨擦劑於漿液18合併水溶劑，其優點為漿液18之溶劑不再 需為鹼性。需注意使用前述氧化錳磨擦劑漿液即使於溶劑 内之鉀含量降於900ppm時仍可有效用於CMP方法。相反地 ，習知漿液例如使用膠體氧化t漿液於溶劑之鉀含量如此 低時顯示拋光速率顯著降低於半導體裝置之製法 不含實際。 ^ 第7及8圖顯示藉第1圖之裝置於矽基材16上的耐熱 氧化物薄膜進行拋光結果獲得拋光布12表面凹凸，其中第 7圖顯示Mn〇2磨擦劑顆粒用於漿液18的結果而第8圖顯示 使用Mna〇3顆粒的結果。二例中磨擦劑顆粒之平均直徑為 約 0.3iim。 詳言之，於第7及8圖之例中包括係使用前述SUBA400 布提供於IC-1000布上同時以0.21kg/cm2之壓力壓迫基材 16至平臺10上進行拋光。拋光頭14及平臺10係Μ相等轉速 80 rpm驅動。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格」210X297公釐） -一° (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 參照第7及8圖由於本具體例之製程結果於拋光布12 表面上形成凸部而間隔或間距約為55iim或以下。第7及8 圖驗證，如此形成的凸部高度為3〇iim或以下。於平均直徑 0·3ϋΐη之Mn3(U磨擦劑用於漿液18之例中也獲得類似结果。 第7及8圖之結果指示顯然於拋光過程中使用MnOx磨 擦劑（此處IS X各2例如Μπ〇2，Mn2〇3，Μη3〇4或其混合物） 之錳氧化物漿液18處理拋光布12表面可連續穩定達成高拋 光速率。 本具體例中，當然可使用第6圖之構造與漿液16之拋 光製程分開施用粗化製程至拋光布12。此程情況下即使拋 光本身係藉習知漿液例如膠化矽漿液或氧化錳漿液進 行時也推薦使用氧化錳漿液錳氧化物磨擦劑易藉 下述酸浴製程完全由拋光布12去除，而未損害拋光布上形 成的凸部及凹部。 需注意連續使用拋光布造成磨擦劑顆粒沈積於拋光布 上，其中如此沈積的磨擦劑顆粒黏著於拋光布而且去除困 難。此亦適用於使用膠體氧化矽或氧化錳磨擦劑的習知漿 液。 如第二或第三具體例使用前述錳氧化物（MnOx，IS X S2)磨擦劑之漿液之例中，可以化學方式由拋光布去除黏 著的磨擦劑，係經由將錳氧化物磨擦劑溶解於酸如HC1或 CH1及H2〇2之混合物。因此可未使用機械手段或方如刮擦 進行去除，磨擦劑可由拋光布上去除而未修改或破壞拋光 布表面形成的凸部。 _>.l·--r-----*0 裝-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tl :rlrullLllLULlii 丨· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2.97公釐） 濟 央 標 準 局 Ά 合 作 衽 印 製 A7 B7 五、發明説明（13 ) 他方面Μ使用膠體氧化矽磨擦劑槳液為例，也可將磨 擦劑溶解於HF而去除磨擦劑。 實驗 後文參照第9及10圖敘述拋光基材1〇同時進行拋光布 12表面處理之利用第1圖之拋光裝置進行的本發明之實例 〇 實驗中藉m光布熱氧化薄膜達成的拋光速率係對拋光 布表面接受含磨擦劑例如Mn〇2，Mn2〇3或Mn3〇4之錳氧化物 漿液處理之例測量。又供比較用，也對拋光布表面接受習 知鑽石磨擦劑表面處理之例測量拋光速率。 特別對固定於第1圖之拋光頭14上作為漿液16之Si基 材上方形成的耐熱氧化物薄膜拋光，同時於漿液使用具有 平均粒徑0.3/m之Mn〇2，Mn2〇3或Mn3〇4之磨檫劑。拋光時 平臺10上方覆蓋IC-1000其上方又提供SUBA400。又拋光壓 力設定於0.21 kg/cm2及拋光頭14及平臺10係K80 rpm之 速度旋轉。 比較實驗中平臺10上之相同IC-1000/SUBA400拋光布 使用第6圖之構造接受表面處理，其中使用工具12上方載 有電沈積粒徑約60<m之鑽石磨擦劑。比較實驗中平臺10係 K轉速100 rpm驅動及製程連續進行1分鐘。 比較實驗中如此生產的拋光布用於第1圖之構造利用 類似前述含錳氧化物磨擦劑之漿液拋光於Si基材形成的耐 熱氧化物薄膜。拋光過程中，拋光頭14M0.21 kg/cm2之 壓力壓迫牴住平臺10，同時’以80 rpm之轉速驅動拋光頭 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
Ll·I-----0 裝------訂—I------r--------- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ______B7 五、發明説明（!4 ) 14及平臺10。 參照第9圖顯示拋光速率與拋光持續時間之關係，實 心圓表示含Mn〇2磨擦劑之漿液用於拋光布之處理及同時拋 光耐熱氧化物薄膜之例。第9圖之空心圏顯示比較實驗， 其中使用工具22且第6圖之構造表面處理後利用ΜηΟ2磨擦 劑進行耐熱氧化物薄膜之拋光。 第9圖中，需注意，Κ實心圓表示之本發明概略提供 比較比較實驗更優異的拋光速率。更重要地，本發明之散 射大體小於比較實驗之散射，表示本發明可提供拋光製程 的絕佳再現性及穩定性。需注意Κ標準差表示第9圖之實 心圓之散射約為3.711111/111化，而空心圓之標準差約為12.5 nm/min 0 第10圖顯示拋光布同時利用Mn2〇3或Mn3〇4漿液處理之 例與前述比較實驗比較。 參照第10圖顯然同時藉處理拋光布所達成 的拋光速率遠優於藉習知方法達成的拋光速率。又同時使 用漿液處理達到拋光速率概略優於藉習知方法達成 的拋光速率。拋光布同時藉Μη2〇3或Mn3(U拋光處理之任一 例中，拋光速率的發散極小，Μ標準差表示，Μη2〇3漿液 約為3.8nm/min而Μη3〇4漿液約為3.2nm/min。如此再度獲 得结論：藉Mn2〇3或Mn3(k磨擦劑進行拋光布的表面處理同 時進行拋光，可大體穩定拋光製程。 第四具體例 第11A-11L圖為顯示根據本發明之第四具體例包含多 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） _rl·--LJ------裝---- - (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂-----.}猓- ;·ΙΙ」.1ί.11.Ε:1ΕΕ.._.- A7 B7 經濟部中央標準局W；工消費合作社印製 五、發明説明（15 ) 層互連構造之半導體裝置之製法圖解。 參照第11A圖矽基材31由場氧化物薄膜31a界定一個活 性區31A及閘極32提供於基材31之活性區31A，閘極絕緣膜 (未顯示出）位於基材31與閘極32間。又基材31於閘極32而 側形成擴散區31b及31c，及通道區31d界定於其材31恰在 閘極32下方。閘極32於其兩外側壁上載有側壁氧化物薄膜 32a及32b典型由Si〇2形成的層間絕緣膜33藉CVD方法提供 於基材31上，層間絕緣膜33覆蓋閘極32含側壁氧化物薄膜 32a及32b。 如第11A圖所見，如此形成的層間絕緣膜33於其頂面 具有對應於閘極32的凸部及凹部，如此第11A圖之構造於 第11B圖之步驟藉CMP方法拋光層間絕緣膜平面化，該CMP 方法使用漿液合併第1圖之構造其中Mn2〇3或Mn3〇4磨擦劑 分散於適當溶劑如;!|<。藉此使用含Mn2〇3磨擦劑漿液替代 習知膠體氧化矽漿液，可達成比較習知拋光速率大三倍以 上的拋光速率。又當含Μπ3〇4磨擦劑之漿液用於相同目的 時，可獲得比較習知拋光速率大兩倍Μ上的拋光速率。 其次，於第11C圖之步驟中，如此平面化的層間絕緣 膜33成形有接觸孔33a而暴露擴散區31b，TiN層34C及U層 34藉濺鍍法或CVD方法連績沈積於第11C圖之構造上。 然後如此沈積的W薄膜34於第11E圖之步驟藉CMP方法 使用Mn〇2磨擦劑去除，如第11E圖所示獲得W柱塞34b填滿 接觸孔33a的構造。第11E圖之製程中，需注意TiN層34c或 多或少保持定整。如此形成的W柱塞34b由於沈積時接觸孔 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) if 訂 --_|IJ------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 18 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（16 ) 33a之W層向外側生長結果於中部包含一條接縫34e，如此 經由使用Μη〇2磨檫劑可成功地避免接縫被液體氧化劑如 Η2〇2溶蝕的問題。需注意漿液內Μη〇2磨擦劑作為固體氧化 劑，即使於W層34的拋光過程也不會穿透接鏠34e。 其次，於第11F圖之步驟，藉濺鍍法或CVD方法於第 11E圖之構造上形成薄的鈦膜（未顯示出），及於第11E圖之 構造上形成鋁或鋁合金之導體層35。又薄鈦層（示顯示出） 沈積於導體層35上及TiN層35b藉濺鍍方法或CVD方法又沈 積於其上。 其次，於第11G圖之步驟中導體層35及TiK層34c及35b 之圖樣，如此所得構造於第11H圖之步驟被典型Si〇2之層 間絕緣膜覆蓋。需注意如此形成層間絕緣膜36於其頂面對 應於導體圖樣35顯示凸部。 其次於第111圖之步驟，層間絕緣膜36藉 Mn2〇3或此3〇4磨擦劑於漿液而平面化。又如此平面化的層 間絕緣膜36於第11J圖之步驟將圖樣，其中形成接觸孔36A 而暴露導體層35。又TiN層37a及W層37於第11K圖之步驟連 續沈積於層間絕緣膜36上填滿接觸孔36及進行第11L圖之 步驟其中W層37藉CMP方法使用Mn〇2磨擦劑漿液去除。拋光 結果形成導電柱塞37A填滿接觸孔36A。如前述導電柱塞 37A於其中部包含一條接縫37b。 又可於第11L圖之構造上提供另一個互連圖樣或層間 絕緣膜。 前述半導體裝置之製法中，需注意於第11B或111圖之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（17 ) 構造藉CMP方法對Si〇2製之絕緣膜33或曆間絕緣膜36施加 平面化，該CMP方法使用Mn2〇3，Mn3〇4或其混合物磨擦劑 於漿液合併第1圖之構造。如此平臺10上之拋光布12與拋 光之同時接受粗化過程，拋光係Μ高拋光速率且具有再現 性或穩定性進行，如第8圖或第9圖所示。 如前已述，MnOs，Mn2〇3，Mri3〇4磨擦劑可溶於酸，如 此，任何殘留於基材（工作件）或拋光布或裝置的殘餘磨擦 劑易藉酸清胃去除。欲達此目的，可使用含有鹽酸、過 ’ 氧兔氫和水金: 1 : 48之清潔溶液。 須瞭解前述化學機械拋光製程可有效用於製造微形半 導體裝置，例如，具有多層互連構造或分隔溝者。藉由使 用本發明，拋光速率與產率改良，半導體裝置的製造成本 大體下降。 又，本發明也可有效拋光工作 又，本發明非僅限於前述具體例，反而可做出多種變 化與修改而未悖離本發明之範圍。 本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閛讀背面之注意事項再填寫本頁)
31 b....擴散區 32a，32b....側壁氧化物薄膜 33,36....層間絕緣膜 34b.... W 柱塞 34c,35b....TiN層 ^34,37____W 層 接鏠 33a,36A....接觸孔 A7 B7 五、發明説明（18 ) 元件標號對照 10.. ..轉盤，平臺 12____拋光布 14.. ..拋光頭 16.. ..基材 18.. ..漿液 20.. ..漿液噴嘴 22____工具 31.. ..矽基材 31a....場氧化物薄膜 35....導體層 31A....活性區 37A....導電柱塞 32.. ..閘極 ---°裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) " 經濟、可中央標準局員工消費合作社印製 本紙琅尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 第86109033號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期· 8 8年q 8月 1. 一種處理一用於化學機械拋光製程之拋光布表面之方 法，其包括下述步驟： 藉由一用於該化學機械拋光製程的漿液來處理該 抛光布表面，並 經由可與磨擦劑反應之化學反應而去除掉被搭接 至拋光布之磨擦劑， 進行該處理，藉此，使凸部與凹部成形於讓表面 上，該等凸部具有一高度約為3〇μπι或以下，且問隔 約5 5 μιη或以下， 其中在該處理步驟進行之同時，藉該化學機械拋 光製程來拋光一位於該拋光布上的工作件。 2. 如申請專利範圍第i項之方法，其中該漿液含有磨擦 劑粒子和溶劑’磨擦劑粒子分散於溶液内，及其中該 4磨擦劑粒子係由.具有組成為ΜηΟχ( 1$χ$2)的猛氧 化物所構成。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該溶劑包含濃度 在900 ppm或以下的卸。 4 ·如申請專利範圍第2項之方法，其中該等磨擦劑粒子 係選自：Μη02、Μη203、Mn3〇4及其等之混合物。 5. —種製造半導體裝置之方法，其包括下列步驟： 使用一漿液藉由於一拋光布上進行化學機械拋 製程而撤光一基材表面，並 光 Γ.------©—裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-----*線 I m 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Μ規格（_210X297公瘦） A8 B8 C8 D8
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 第86109033號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期· 8 8年q 8月 1. 一種處理一用於化學機械拋光製程之拋光布表面之方 法，其包括下述步驟： 藉由一用於該化學機械拋光製程的漿液來處理該 抛光布表面，並 經由可與磨擦劑反應之化學反應而去除掉被搭接 至拋光布之磨擦劑， 進行該處理，藉此，使凸部與凹部成形於讓表面 上，該等凸部具有一高度約為3〇μπι或以下，且問隔 約5 5 μιη或以下， 其中在該處理步驟進行之同時，藉該化學機械拋 光製程來拋光一位於該拋光布上的工作件。 2. 如申請專利範圍第i項之方法，其中該漿液含有磨擦 劑粒子和溶劑’磨擦劑粒子分散於溶液内，及其中該 4磨擦劑粒子係由.具有組成為ΜηΟχ( 1$χ$2)的猛氧 化物所構成。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該溶劑包含濃度 在900 ppm或以下的卸。 4 ·如申請專利範圍第2項之方法，其中該等磨擦劑粒子 係選自：Μη02、Μη203、Mn3〇4及其等之混合物。 5. —種製造半導體裝置之方法，其包括下列步驟： 使用一漿液藉由於一拋光布上進行化學機械拋 製程而撤光一基材表面，並 光 Γ.------©—裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-----*線 I m 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Μ規格（_210X297公瘦）
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 - —-----—一 ____^六、申请專利範圍 、’至由可與磨擦劑反應之化學反應而去除掉被搭接 至拋光布之磨擦劑粒子藉以清潔該拋光布， 該拋光步驟被進行，藉此，由於抛光之故，而於 拋光布上形成具有尚度為3〇卿或以下及間距”陣或 以下之凸部。 6. 如申清專利㈣第5項之方法，其中該漿液含有猛氧 化物磨擦劑粒子，該錳氧化物係選自該Mn02、Μη203、 ΜII3 Ο 4及其專混合物。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該漿液又含有一 種浴劑，其中磨擦劑粒子被分散於該溶劑内，其中該 >谷劑包含具有濃度在9〇〇 ppm或以下之斜》 8_ —種處理一用於化學機械拋光製程之拋光布表面之方 法，其包括下述步驟： 藉由一用於該化學機械拋光製程的漿液來處理該 抛光布表面，並 經由可與磨擦劑反應之化學反應而去除掉被搭接 至拋光布之磨擦劑， 其中在該處理步驟進行之同時，藉該化學機械抛 光製程來拋光一位於該拋光布上的工作件^ 9. 一種製造半導體裝置之方法，其包括下列步驟： 使用一漿液藉由於一拋光布上進行化學機械拋光 製程而拋光一基材表面，並 經由可與磨擦劑反應之化學反應來去除掉被搭接 至拋光布之磨擦劑粒子而清潔該拋光布。 -2- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3^ ί • ϋ I—--- βίχτ ^ . 、言. 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 - —-----—一 ____^六、申请專利範圍 、’至由可與磨擦劑反應之化學反應而去除掉被搭接 至拋光布之磨擦劑粒子藉以清潔該拋光布， 該拋光步驟被進行，藉此，由於抛光之故，而於 拋光布上形成具有尚度為3〇卿或以下及間距”陣或 以下之凸部。 6. 如申清專利㈣第5項之方法，其中該漿液含有猛氧 化物磨擦劑粒子，該錳氧化物係選自該Mn02、Μη203、 ΜII3 Ο 4及其專混合物。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該漿液又含有一 種浴劑，其中磨擦劑粒子被分散於該溶劑内，其中該 >谷劑包含具有濃度在9〇〇 ppm或以下之斜》 8_ —種處理一用於化學機械拋光製程之拋光布表面之方 法，其包括下述步驟： 藉由一用於該化學機械拋光製程的漿液來處理該 抛光布表面，並 經由可與磨擦劑反應之化學反應而去除掉被搭接 至拋光布之磨擦劑， 其中在該處理步驟進行之同時，藉該化學機械抛 光製程來拋光一位於該拋光布上的工作件^ 9. 一種製造半導體裝置之方法，其包括下列步驟： 使用一漿液藉由於一拋光布上進行化學機械拋光 製程而拋光一基材表面，並 經由可與磨擦劑反應之化學反應來去除掉被搭接 至拋光布之磨擦劑粒子而清潔該拋光布。 -2- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3^ ί • ϋ I—--- βίχτ ^ . 、言. 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6790768B2 (en) * 2001-07-11 2004-09-14 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for polishing substrates comprising conductive and dielectric materials with reduced topographical defects
JP2003338469A (ja) 2002-05-21 2003-11-28 Fujitsu Ltd 研磨剤、研磨方法および洗浄方法
JP5407748B2 (ja) * 2009-10-26 2014-02-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体ウェーハの研磨方法
JP5935531B2 (ja) 2012-06-14 2016-06-15 富士通株式会社 研磨剤及び研磨剤の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3926673A1 (de) * 1989-08-11 1991-02-14 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen polieren, insbesondere von halbleiterscheiben
JP3438383B2 (ja) * 1995-03-03 2003-08-18 ソニー株式会社 研磨方法およびこれに用いる研磨装置
JP3438410B2 (ja) * 1995-05-26 2003-08-18 ソニー株式会社 化学機械研磨用スラリーおよびその製造方法ならびにこれを用いた研磨方法
US5763325A (en) * 1995-07-04 1998-06-09 Fujitsu Limited Fabrication process of a semiconductor device using a slurry containing manganese oxide

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