TW387115B - Silicon wafer, and method of manufacturing the same - Google Patents

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A7 A7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 - ? ______B7__ 五、發明説明（1 ) 發明背景發明領域 本發明係有關一種矽晶圓及其製造方法。更特定地， 本發明係有關一種矽晶圓，在與半導體裝置將製造於其上 之主要表面（此後稱爲一「前表面」）相對的主要表面（ 此後稱爲一「背部表面」）上，具有用於吸氣操作中之一 多晶矽薄膜，以及係有關一種製造該矽晶圓之方法。 相關技藝說明 爲了各種不同的原因，重金屬般的雜質在一半導體裝 置的製造期間由一矽晶圓產生，而所產生之雜質，污染將 成爲該半導體裝置中之一作用區的矽晶圓表面附近。如果 將成爲一作用區之矽晶圓的表面附近被雜質污染，該裝置 的性能惡化，必然降#無缺點裝置之比例。爲了避免此一 問題，通常使用一種有意地收集該作用區外部之雜質的技 術；亦即，一種吸氣技術。該吸氣技術的一種代表性方法 ，乃是形成一多晶矽薄膜，用於一矽晶圓之背部表面上的 吸氣操作。 根據此種習知方法，通常藉由使用一種LPCVD ( 低壓化學蒸汽沉積）方法，在該矽晶圓之背部表面上長成 多晶矽以形成一多晶矽層。藉由該低壓化學蒸汽沉積法形 成爲一吸氣薄膜之多晶矽薄膜的特性，由作用於該矽晶圓 上之應力與吸氣能力加以表示。 _ 特定地，該多晶矽薄膜將應力施加於具有多晶矽薄膜 形成於其背部表面上的矽晶圓之上。結果，與不具一多晶 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ' (請先閲讀t·'面之ii.意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（2 ) 矽薄膜之一矽晶圓相較，具有一多晶層之矽晶圓翹曲至一 較大的程度。 該晶圓可觀的翹曲，在製造半導體裝置的過程中呈現 出一種問題，因此需要一種矽晶圓，其具有可降低作用於 該矽晶圓之上的應力之一多晶矽薄膜。 特別地，即使由該多晶矽薄膜施加於一矽晶圓之上而 具有一特定大小的應力相同，在該矽晶圓中發展之翹曲， 隨著該矽晶圓增加的直徑而變大。與將以較高的準確性髙 度整合之半導體裝置的一種最近趨勢結合，該矽晶圓之直 徑穩定地增加。因此，要求該矽晶圓之翹曲儘可能地減少 0 如圖5中所示，如果試圖減少作用於該矽晶圓之上的 應力，該多晶矽層的$氣能力降低。即使參數改變，例如 用於低壓化學蒸汽沉積之一室內的溫度與壓力，以及 S i H4(其爲反應氣體）的流率，應力與吸氣能力之間 的關係仍保持不變。因此，作用於該矽晶圓上之應力，在 未降低該多晶矽薄膜之吸氣能力的情況下，已認爲無法降 低作用於該矽晶圓上的應力。 如圖3與4中所示，當注意力指向該多晶矽薄膜中具 有一 < 2 2 0 >方向的分量（此後稱爲「< 2 2 9 >方向 分量j )之一比例時，該多晶矽薄膜之吸氣能力隨著該< 2 2 0 >方向分量的比例增加而改進，同時作用於該矽晶 圓之上的應力變大》其原因如下：亦即，該多晶矽薄膜由 各種不同晶粒大小的矽晶所組成，而小晶粒的矽晶包含大 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) "~~' ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 五、發明説明（3 ) 量的< 2 2 0 >方向分量。矽晶的晶粒大小愈小，晶粒邊 界的表面面積愈大。結果，吸氣位置的數目增加，該多晶 矽薄膜的吸氣能力也因而增加。同時，當矽晶的晶粒大小 變小時，晶粒之間所產生的應力增加，使得該多晶矽薄膜 施加於該矽晶圓之上的應力增加。 如日本專利申請案公開第4 — 3 3 3 2 3 8號中所揭 示，已存在一種技術，其試圖藉由增加該多晶矽薄膜中之 < 2 2 0 >方向分量的數量，以增進一多晶矽薄膜的吸氣 能力。如前所述，此種技術具有一種缺點；亦即，作用於 該矽晶圓之上的應力增加，因而增加該晶圓之翹曲。. 潑明摘要 透過本發明之發f人針對前述缺點所作的各種不同的 研究，發明人已發現以下現象： 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 (讀先閱讀_背面之ίΐ.意事項再填寫本頁) 當一多晶矽薄膜形成爲一多層結構（圖1說明一雙層 結構的一個範例），其中該多層結構由包含不同比例的< 2 2 0 >方向分量（如圖1中所示）之多個叠置的多晶矽 層所組成，代替形成爲如圖2中所示之一習知單層結構， 且與一矽晶圓接觸之第一多晶矽層中的< 2 2 0 >方向分 量之比例，大於叠置於該第一層之上的第二或隨後之多晶 矽層中的< 2 2 0 >方向分量之比例時，可在不降低該多 晶矽薄膜之吸氣能力的情況下，減少作用於該矽晶圓之上 的應力，或者可在不改變作用於該矽晶圓之上的應力之情 況下，增進該多晶矽薄膜的吸氣能力。 本紙張纽適用巾關家辟（CNS ) A4*i# ( 21G X297公釐) ： 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（4 ) 上述現象由以下現象造成’亦即： 1) 在整個多層多晶矽薄膜中的<220>方向分 量之比例，明顯地視第一多晶矽層中的< 2 2 0 >方向分 量之比例而定。如果參考例如一雙層多晶矽薄膜之情況說 明，在整個雙層多晶矽薄膜中的< 2 2 0 >方向分量之比 例，接近第一多晶矽層中的< 2 2 0 >方向分量之比例， 而非接近第一多晶矽層中的< 2 20 >方向分量之比例的 平均值與第二多晶矽層中的< 2 2 〇 >方向分量之比例。 因此，如果第一多晶矽薄膜中的< 2 2 0 >方向分量之比 例大於第二多晶矽層中的< 2 2 0 >方向分量之比例，該 現象由以下表示法加以表示·‘ 在整個雙層多晶矽薄膜中的< 2 2 0 >方向分量之比 例 >(第一多晶砂層中的< 2 2 0 >方向分量之比例+ 第二多晶矽層的< 2 2 〇 >方向分量之比例）/2。 結果，整個雙層多晶矽薄膜的吸氣能力，高於第一多 晶矽層的吸氣能力與第二多晶矽薄膜的吸氣能力之和。 2 ) 作用於該矽晶圓之上的應力，成爲個別多晶矽 層施加於該矽晶圓之上的應力之和。在雙層多晶矽薄膜的 情況下，此種現象由以下表示法加以表示： 整個雙層多晶矽薄膜施加於該矽晶圓之上的應力 = 第一多晶矽層施加於該矽晶圓之上的應力 +第二多晶矽 層施加於該矽晶圓之上的應力》 此種表示法以< 2 2 0 >方向分量之比例的方式表示 如下： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐）^ -------1--壽裝-- (請先閱讀_背面之ίί.意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明（5 ) 整個雙層多晶矽薄膜施加於該矽晶圓之上的應力=對 應於（第一多晶矽層中之〈2 2 0 >方向分量的比例+第 二多晶矽層中之< 2 2 0 >方向分量的比例）/2之應力 9 如果整個雙層多晶矽薄膜中之< 2 2 0 >方向分量的 比例，與一單層多晶矽薄膜（具有與該雙層多晶矽薄膜相 同的厚度）中之< 2 2 0 >方向分量的比例相同’第一多 晶矽層中之< 2 2 0 >方向分量的比例與第二多晶矽層中 之< 2 2 0·>方向分量的比例之平均值，小於該單層多晶 矽薄膜中之< 2 2 0 >方向分量的比例。結果，如圖6中 所示，該雙層多晶矽薄膜施加於該矽晶圓之上的應力，低 於由該單層多晶矽薄膜所施加之應力。 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 ---------裝-- (請先閱t背面之：&意事項再填寫本頁) 相反地，如圖7中所示，如果由整個雙層多晶矽薄膜 施加於矽晶圓之上的應力，與由單層多晶矽薄膜（具有與 該雙層多晶矽薄膜相同的厚度）施加於矽晶圓之上的應力 相同，整個雙層多晶砍薄膜中之< 2 2 0 >方向分量的比 例，大於該單層多晶矽薄膜中之< 2 2 0 >方向分量的比 例。換言之，該雙層多晶矽薄膜的吸氣能力高於該單層多 晶矽薄膜的吸氣能力' 因此，本發明的一個目的在於提供一種矽晶圓，其具 有用於吸氣操作之一多晶矽薄膜，形成於該矽晶圓之一主 要表面（亦即，背部表面）上，並且具有高吸氣能力，同 時該矽晶圓亦受到低應力，使得其翹曲減少。 爲了達成上述目的，本發明提供一種增進之矽晶圓， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 〇 —〇 — A7 B7 五、發明説明（6 ) 其具有形成於其一主要表面（背部表面）上之一多晶矽薄 膜。該多晶矽薄膜具有由包含不同比例之< 2 2 0 >方向 分量的X層（X爲等於或大於二之整數）所組成之一多層 結構。與該矽晶圓接觸之第一多晶矽層中的< 2 2 0 >方 向分量之比例，大於疊置於該第一多晶矽層之上的第二至 第X多晶矽層中各個< 2 2 0 >方向分量之比例。 本發明也提供一種製造一矽晶圓之改進方法，該矽晶 圓具有形成於其一第一主要表面（背部表面）上之一多晶 矽薄膜，其中該多晶矽薄膜首先形成於至少該矽晶圓之第 一主要表面（背部表面）上，然後將半導體裝置將製造於 其上的矽晶圓之一第二主要表面（前表面）加以鏡面拋光 «該多晶矽層由下列步驟形成： - i ) 形成一第一_多晶矽層於至少該矽晶圓的第一主 要表面之上；以及. i i ) 將小於該第一多晶矽層而包含不同比例之< 經濟部中央標準局負工消費合作社印装_ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 2 0 >方向分量的第二至第X ( X爲等於或大於二之整 數）多晶矽層，分別疊置於第一至第（X — 1 )多晶矽層 之上》 較佳地，該第一多晶矽層中之<220>方向分量的 比例，被設定爲9 0%或更大，而第二至第X多晶矽層中 之比例，被設定爲小於9 0%。其原因在於這些多晶矽薄 膜具有充分的吸氣能力，而由其施加於該矽晶圓之上的應 力降低。即使在一種具有大直徑之矽晶圓的情況下，該矽 晶圓中所產生的翹曲落在一可容許的範圍內。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） _ 9 — 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（7 ) 更佳地，該第一多晶矽層中之< 2 2 0 >方向分量的 比例，被設定爲9 2%或更大，並且最好被設定爲9 5% 或更大。再者，該第二至第X多晶矽層中之< 2 2 0 >方 向分量的比例，被設定爲小於8 0%，並且最好被設定爲 小於7 0 % » 在本發明中，最好使該多晶矽薄膜形成—種雙層結構 。只要該多晶矽薄膜具有一種雙層結構’便可在不降低該 多晶矽薄膜之吸氣能力的情況下，減少作用於該矽晶圓之 上的應力。然而，如果該多晶矽薄膜形成一種具有三層或 更多層的薄膜，層形成過程的數目增加，使得生產力降低 〇 根據本發明，在不降低該多晶矽薄膜之吸氣能力的情 況下，作用於一矽晶圓之上的應力得以降低。因此’可提 供一種矽晶圓，即使其具有大的直徑，仍可產生小的翹曲 ，並且包含具有髙吸氣能力且形成於其背部表面上之一多 晶矽薄膜》 較佳實施例之說明 現在將說明本發明之實施例。 如圖8 A中所示，矽晶圓製造方法通常包栝一切片過 程A，用來將由一單晶製造裝置製造之一單晶矽錠，切成 圓盤狀矽晶圓；一去角過程B，用來將在該切片過程A中 所切得之該等矽晶圓的每一個之外部邊緣去角，以避免該 矽晶圓產生破裂或缺口； 一研磨過程C，用來研磨去角之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 71 ： -1U ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) , .__f , J l^i n IT· BUI- an m m -Is-— 1^1 —^te^n nn - -I— i— I i I-1 I -1 —l· I } ^ I - - - - - n i ^^1 In 1^1 i imai an m i m A7 B7 五、發明説明（8 ) 矽晶圓，以便於其上形成一平坦之表面；一蝕刻過程D， 用來除去在經去角與研磨之矽晶圓的正面與背部表面二者 中剩餘之機械損壞；一鏡面拋光過程E，用來將經餓刻之 矽晶圓的表面拋光；以及一清潔過程F，用來清潔該矽晶 圓經過鏡面拋光之表面，以便移除拋光材料與附加之異物 . 1 〇 如圖8 B中所示，本發明一種具有形成於其背部表面 上之一多晶薄膜的矽晶圓，通常藉由在該矽晶圓於蝕刻過 程D中經過蝕刻之後，使用一低壓化學蒸汽沉積法，在該 矽晶圓之背部表面上形成一多晶層，並且藉由隨後使該矽 晶圓受到鏡面抛光過程E與清潔過程F而加以製造。可選 擇地，在該矽晶圓已於蝕刻過程D中經過蝕刻之後，藉由 將該矽晶圓之背部表p鏡面拋光，隨後使用低壓化學蒸汽 沉積法在該矽晶圓之背部表面上形成一多晶薄膜，然後使 該矽晶圓受到鏡面拋光過程E與清潔過程F，以製造該矽 晶圓。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明中，該多晶矽薄膜形成一種多層結構，該多 層結構由包含不同比例的< 2 2 0 >方向分量之多個疊置 的多晶矽層所組成，而非形成一種由一單一多晶矽層所組 成之單層結構。將使用一單層多晶矽薄膜作爲一範例，描 述該製造方法的一個範例。 爲了在該矽晶圓之背部表面上形成一多晶矽薄膜，一 氧化膜必須存在於該背部表面之上。因此，首先製備具有 形成於其背部表面上之天然或化學生長的氧化膜之一矽晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) — 經濟部中央榡準局貝Η消費合作衽印製 A7 B7_______ 五、發明説明（9 ) 圓，或者一薄的氧化膜藉由熱氧化或化學蒸汽沉積形成於 該矽晶圓之背部表面上。 其次，使用低壓化學蒸汽沉積法，在< 2 2 0 >方向 分量的比例增加之情況下，多晶矽沉積於已形成氧化膜之 矽晶圓的背部表面上；更佳地，該比例增加至90%或更 大，藉以形成該第一多晶矽層。在此種情況下，由於該第 一多晶矽層包含許多小晶粒之矽晶，由所形成之第一多晶 矽層施加於該矽晶圓之上的應力增加。 使用低壓化學蒸汽沉積法，在第二層中之< 2 2 0 > 方向分量的比例小於第一多晶矽層中之< 2 2 0 >方向分 量的比例之情況下，多晶矽進一步沉積於該第一多晶矽層 之上；更佳地，該比例小於9 0%，藉以將第二多晶矽層 加以疊置。在此種情坪下，第二多晶矽層中之小晶粒的矽 晶數量，比第一多晶矽層中少。結果，由所形成之第二多 晶矽層施加於該矽晶圓之上的應力，比由第一多晶矽層所 施加之應力小。 該第二多晶矽層中之< 2 2 0 >方向分量的比例，可 作成小於第一多晶矽層中之< 2 2 0 >方向分量的比例； 例如，相對於形成第一多晶矽層之溫度’增加叠置第二多 晶矽層而用於低壓化學蒸汽沉積之一室內的溫度。可選擇 地，藉由改變用於低壓化學蒸汽沉積之室內的壓力或反應 氣體的流率等參數，可使該第二多晶矽層中之< 22 0 > 方向分量的比例小於該第一多晶矽層中之< 2 2 0 >方向 分量的比例》 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） — ——————---裝--I-I-訂 一 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A7 B7 _ 五、發明説明（10 ) 如上所述，在該多層多晶矽薄膜已形成於該矽晶圓之 背部表面上之後，半導體裝置將製造於該處之矽晶圓的表 面，在鏡面拋光過程E中受到鏡面拋光操作。此時’黏附 至半導體裝置將製造於該處之矽晶圓表面不必要的多晶矽 也被移除。 透過低壓化學蒸汽沉積室之使用，當該多晶矽薄膜形 成於該矽晶圓的背部表面上時，該多晶矽薄膜通常形成於 半導體裝置將製造於該處之表面上，以及該背部表面上。 同樣地，氧化膜不只形成於背部表面上，同時也形成於前 表面上。然而，爲了精簡起見，在整份說明書中以「背部 表面」作爲代表β 範例 . 首先，四個砂晶圓由藉著Czochralski方法所製造之 一單晶矽錠切得（每一切片具有15 Omm的直徑、一（ 100)主要表面、630 lm的厚度、以及10 W $ c m的電阻係數）。該等矽晶圓完全由一天然氧化膜 加以覆蓋。在製造進行至下一過程之前，測量每一矽晶圓 之翹曲。 其次，經由使用一低壓化學蒸汽沉積爐，在表1中所 提供的條件之下（本發明的範例），一多層多晶矽薄膜形 成於該四個矽晶圓之一上。同時，在表1中所提供的條件 之下（比較性的範例），一單層多晶矽薄膜形成於另一矽 晶圓之上。當該多層多晶矽薄膜形成時，在第一多晶矽層 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS )八4規格（2!0X297公釐）~~~ ' (餚先聞讀„背面之Vi-意事項再填寫本頁)

A7 B7 五、發明説明（11 ) 形成之後，第二多晶砍層以一種未中斷之方式疊置於第— 多晶矽層之上，而不須由該爐取出矽晶圓· 表1 爐內温度 (°C) 沉積厚度 〇wm) 爐内壓力 (Pa) 反應氣體 氣體流率 (CC/min.) 本發明 的範例 第1層 620 0.75 10 SiH4 150 第2層 680 0.75 10 SiH4 150 比較性的範例 650 1.50 . 10 SiH4 150 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 由於該多晶矽薄膜已進一步形成於前表面與背部表面 之上，形成於該前表面上之多晶矽薄膜由鏡面拋光加以移 除。然後，再度測量該矽晶圓之翹曲。作用於該矽晶圓之 上的應力大小，由多fa矽薄膜形成於矽晶圓上之前所測得 的翹曲，以及形成之後所測得的翹曲之間的差異算得。再 者，所形成之多晶薄膜的方向，透過X光繞射計之使用加 以分析，藉以計算一< 2 2 0 >訊號的峰值與< 2 2 0 > 、< 1 1 1 >及< 3 1 1 >方向訊號的峰值之和的比率； 亦即，在整個雙層多晶矽薄膜中之< 2 2 0 >方向分量的 比例與在單層多晶矽薄膜中之< 2 2 0 >方向分量的比例 。表2說明此計算之結果。 表2 本發明的範例（雙層） 比較性的"IfWT單層） 應力（Pa) 1.6 - 1.7 X 10x 1-6 - ι.ΤΙΓΤο^ (220)分量（％) 98 92 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐）_ 14 - A7 B7 五、發明説明（12 由表2可看出，即使由雙層多晶矽薄膜施加於該矽晶 圓之上的應力與由單層多晶矽薄膜施加者相同，在整個雙 層多晶妙薄膜中之< 2 2 0 >方向分量的比例，大於單層 多晶矽薄膜中之< 2 2 0 >方向分量的比例。因此，已知 該雙層多晶矽薄膜之吸氣能力，高於在矽晶圓上施加等量 應力的單層多晶矽薄膜之吸氣能力。 在包含相同比例的< 2 2 0 >方向分量之情況下，一 雙層多晶矽薄膜與一單層多晶矽薄膜形成於所剩的兩個矽 晶圓之上。由雙層多晶矽薄膜施加於矽晶圓之上的應力， 低於由單層多晶矽薄_施加於矽晶圓之上的應力。結果， 已知由雙層多晶矽薄膜施加於矽晶圓之上的應力，低於由 具有相同吸氣能力之單層多晶矽薄膜施加於矽晶圓之上的 應力。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閣讀背面之注**事項再填寫本頁) 本發明並未受限於上述實施例。上述實施例僅爲範例 ，而具有與附加之申請專利範圍中所描述者實質相同的結 構，並且提供相似的作用與效果者*亦包含在本發明之範 疇中。 圖式之簡要說明 圖1爲一局部橫剖面圖，顯示本發明具有一種雙層多 晶矽薄膜之一矽晶圓的一個範例； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 - A7 B7 五、發明説明（13 ) 圖2爲一局部橫剖面圖，顯示具有一種習知單層多晶 矽薄膜之一矽晶圓的一個範例； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3爲一圖表，說明< 2 2 0 >方向分量與該多晶矽 薄膜的吸氣能力之間的關係； 圖4爲一圖表，說明< 2 2 0 >方向分量與作用於一 矽晶圓之上的應力之間的關係； 圖5爲一圖表，說明吸氣能力與應力之間的關係； 圖6爲一圖表，說明在二矽薄膜包含相同比例的< 2 2 0 >方向分量之情況下，以作用於矽晶圓之上的應力 之觀點，一單層多晶矽薄膜與一雙層多晶矽薄膜之間的比 較結果； 圖7爲一圖表，說明在相同的應力作用於該矽晶圓之 上的情況下，該單層f晶矽薄膜中之< 2 2 0 >方向分量 的比例與該雙層多晶矽薄膜中之< 2 2 0 >方向分量的比 例之間的比較結果； 圖8 A爲一流程圖，說明未形成一多晶矽薄膜之矽晶 圓製造方法的過程（步驟）之範例；以及 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 圖8 B爲一流程圖，說明形成一多晶矽薄膜之矽晶圓 製造方法的過程（步驟）之範例。 本紙張尺度適用中國國家標準（匸泌）八4規格（210'乂297公釐）_16

Claims (1)

1. 六、申請專利範園 1 一種较晶圓’包括： 形成於一主要表面上之一多晶矽薄膜，該多晶矽薄 膜具有由包含不同比例之< 2 2 0 >方向分量的X層（X 爲等於或大於二之整數）所組成之一多層結構’ 其中與該矽晶圓接觸之第一多晶矽層中的<2 2 0 > 方向分量之比例，大於疊置於該第一多晶砂層之上的第二 至第X多晶矽層中各個<220>方向分量之比例。 2 .根據申請專利範圍第1項之矽晶圓’其中該第 一多晶矽層中之< 2 2 0 >方向分量的比例等於或大於 9 0 %，而第二至第X多晶矽層中之比例則小於9 0 %。. 3.根據申請專利範圍第1項之矽晶圓，其中X爲 2。 4 . 根據申請專利範圍第2項之矽晶圓，其中X爲 2。 5. —種製造一矽晶圓之方法，該矽晶圓具有形成 於一第一主要表面上之一多晶矽薄膜，該方法之步驟包括 « 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 i ) 形成一第一多晶矽層於至少該矽晶圓的第一主 要表面之上； i i ) 將小於該第一多晶矽層而包含不同比例之< 2 2 0 >方向分量的第二至第X ( X爲等於或大於二之整 數）多晶矽層，分別疊置於第一至第（X— 1 )多晶矽餍 之上’該第一至第X多晶砂層形成該多晶矽薄膜；以及 i i i ) 將半導體裝置製造於其上的矽晶圓之一第 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) M規格（21〇><297公釐）^ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 二主要表面鏡面拋光。 6 .根據申請專利範圍第5項的製造一矽晶圓之方 法，其中該第一多晶矽層中之< 2 2 0 >方向分量的比例 等於或大於9 0 %，而第二至第x多晶矽層中之比例則小 於 9 0 %。 7 .根據申請專利範圍第5項的製造一矽晶圓之方 法，其中X爲2。 8 .根據申請專利範圍第6項的製造一矽晶圓之方 法，其中X爲2。 --------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ,線_ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐疒18 -