TW381364B - Very narrow band laser with unstable resonance cavity - Google Patents

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Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明菊域 . 本案為在1997年6月4日申請的名為極窄波帶雷射之美 國專利序號第___號的部分繼續案；本發明條關 於窄波帶雷射且特別關於窄波帶KrF雷射。 發明背暑 镍調矩夕抟術 用於減小雷射輸出波帶寬度的技術為熟知，•使用在準 分子雷射上的幾個如此技術被John F. Reintjes在Elsevi e r科技出販商B. V .的北荷蘭物理期刊雷射手册的第五冊4 4 -50頁中被描逑；這些技術包括光柵之使用，包括用於波 長選取的階梯光柵；包含光柵的所有頻率選取元件依賴於 對於它們選取性的角度散射；因此，這些頻率選取条統之 頻譜迴轉藉由減小光束發散而被改善；發散可以小隙縫之 使用而被減小；一熟知技術偽藉由用如頻率選取元件之望 遠鏡上游的一光束擴大器來放大它以減小光束之發散；光 束擴大以光束擴大器之放大倍率來減小發散角；插在增益 ' 媒體和頻率選取元件間的稜鏡已被使用以一單一方向放大 光束；不穩定共振器為熟知，且已知不穩定共振器可被組 成以提供減小的光束發散。 蠻曲光柵 補償曲線波前的彎曲光柵為已知；讓渡予本發明之受 讓人的美國專利第5 , 0 95,492號描逑已被使用如在具有平 的輸出耦合器以校正由在光路徑上的光學組件所引起的扭 曲之雷射共振器中的一光柵；專利第5 , 095,492號在此被 _ -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）
In I ^^^^1 am —^ϋ ^ 1^^^· n ^^1 請先閲讀背面之注意事項^一^馬本頁)
、1T 線 A7 B7 五、發明説明（2 ) 合併參考。 . 進分罕雷射 --I I n - - ν' ./]· -- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
KrF準分子雷射目前正變成用於積體電路微影工業的 工作室光源；一典型習知技藝的KrF準分子雷射被描寫在 第一和第二圖中，·一脈波電力模組2將持續約l〇〇ns的電氣 脈波提供至位在一放電腔室8中的電極S ;該等電極約28英 时長且隔離約3/5英时；典型的微影雷射操作在約l，Q00Hz 之一高脈波率〖因此需要將一雷射氣體（一典型例子為.1 %的氟、1.3 %的氪及其餘作為一緩衝氣體的氖）循環通過 電極間的空間；這可藉由位在雷射放電腔室中的切線吹風 機1C而做到；該等雷射氣體用也位在該腔室中的一熱量交 換器來冷卻；商用準分子雷射条統典型包含有可不打擾条 統之其餘部分而被迅速更換的數痼模組；主要模組被顯示 在第一圖中且包括： 雷射腔室δ, 脈波電力模組2, 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ..^ 輸出耦合器16, 線調窄模組18， 計波表20, 電腦控制單元22，及 周邊支持子条統。 放電腔室被操作在約三大氣壓力的一壓力；這些習知 技藝雷射典型操作在約6ί)0Ηζ至約1, OGOHz的脈波模式上， 每脈波之能量約為10mJ且雷射脈波之期間約為15ns ;因此 _________- 5 ~_______ 本紙張尺度適用中國國家標準,（CNS ) A4規格（21GX297公釐）
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) 雷射光束之平均功率約為6耷10瓦特且脈波之平均功率像 在約700KW之範圍内。 在低於30(3 nm的波長沒有可獲得的技術以提供有色彩 校正的折射条統；因此，步進鏡片將沒有色彩校正能力； 該KrF準分子雷射操作在約248ηιπ之一公稱波長並具有大約 300 ρπ之一自然波帶寬（全寬度半最大值，或FWHM);對 於不論是一步進器或一掃描器的一折射条統（有一數值隙 縫>0.5),光源之波長需被保持大致恆定以變化和散佈被 最小化至丕米範圍；目前習知技藝商用可獲得雷射条統可 提供在有約0.8?111(0.0()()8〇111)之一波帶寬的約24 811!3之一公 稱波長的KrF雷射光束；在最佳商用雷射上的波長穩定性 約為0.25pm;以這些參數步進器製造者可提供步進器設備 用以製造有約0 . 3微米解析度的積體電路。 為了改善解析度則需要一更窄的波帶寛；例如，一波 帶寬之一減小至低於〇 . 6 pm (ΗΗΜ)將、允許解析度之改廣至 -： —* 低於0 . 25徹米；如上指示的，波帶寬通常被特定為如在脈 ............... ' 波之一半最大功率的全寬度所量測的脈波寬度；脈波品質 之另一個重要量度被稱為”95 5；積分”；此為含有脈波能量 之95¾的脈波部分之頻譜寬度；期望的95¾波帶寬像少於約 1.5ρπ至2.Ορπ;然而，在雷射之壽命上習知技藝KrF雷射 只能提供3pm之”95¾積分”值。 τ業需悪 步進器設備之性能密切依賴於在該設備之整個操作壽 命中維持雷射之最小波帶寬；因此，對於一可靠的、能夠 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 、1Τ 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 長期工廠操作並具有改善的，波長穩定性和減小的波帶寬之 生産品質準分子雷射条統的一需要是存在的。 龙發明夕槪里 本發明提供一極窄波帶寬雷射；藉由使用一圓柱形部 分反射鏡子以提供與包含一光束擴大器和一稍微彎曲光柵 以校正由該圖柱鏡子引起之波前杻曲的一線調窄模組組合 的一輸出耦合器而産生一不穩定共振腔來達成該，極窄婢帶 寬度；在一較佳實施例中，稜鏡被使用以擴大光束。、 、 ' 圖式簡塱摇球 第一圖傷顯示用於積體電路微影的一習知技藝商用KrF 準分子雷射之主要元件的一方塊圖； 第二圖傜上逑習知技藝KrF雷射之一結構圖； 第三圖偽顯示使用本發明的一準分子雷射的一方塊圖； 第四圖傺一固態脈波電力電路之一簡化的電氣圖； 第五圖偽將一固態脈波電力電路之結果比較於一習知 技藝基於閘流管電路的圖； '第六圖係在一脈波時操作電壓之一圖； 第七圖傺有具有可調曲度的一光柵之一線調窄模組的 主要元件之草圖； 第八圖顯示雷射輸出光束之波長如何被量測； 第九圖至第十一圖偽展示在本發明之原型實施例上的 測試結果之測試資料之圖； 第十二圖像一習知技藝不穩定共振腔之一草圖； . 第十三圖偽顯示本發明之主要元件的一草圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） (請A1閱讀背面·¾意事項再填寫本頁) .裝·
'•IT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明（5 ) 第十四圖傜一較佳輸出，耦合器之一草圖。 龄住啻旆例：> 詳細説明 本發明之較佳實施例可參考於圖式被說明。 某太鹿理 一典型習知技藝不穩定共振腔被展示在第十二圖中； 在此例中，共振腔係被包含一凸面鏡62 (其可為全反射或 部分反射）的一輸出耦合器總成60和一大直徑、全反射之 凹&鏡64所形成；.來自增益媒體65的輸出光束（假定在輸 .1 出線合器之中心的一全反射鏡子）之橫截面被顯示在66。 本發明之一例被展示在第十三圖中；輸出耦合器包含 一 2G %之部分反射凸透圓柱鏡體68;增益媒體65之輸出在 包含擴大在垂直於圚柱鏡體S8之軸向的一單一方向上的光 束之一稜鏡光束擴大器70、一樞接的全反射鏡子72和具有 可調的並被調整以校正被圖柱鏡體68引起的波前杻曲的一 曲度之一光柵74的一線調窄模組中被.線調窄；在一較佳實 施例中，光柵74之曲度僳藉由一壓縮彈簧和施加壓縮力抵 ' 住從光柵74之兩端延伸的支腳78和80之内面的具螺紋的微 米推捍76而被産生；隙縫82和84限制光束之橫截面尺寸。 本發明之另一値實施例將使用一部分反射凹透圚柱鏡 體作為輸出耦合器和稍微彎曲以提供一凸出反射表面的一 光柵。 極窀波错KrF雷射 使用本發明之特徵的一極窄波帶KrF雷射被如下描逑： 一腔室 _____~ 8 ~_;__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） ---'---^! ί 裝------訂-----^ y 線 .tv (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 顯示在第三圖中的本發，明之一較佳實施例的放電腔室 8與習知技藝放電腔室相同；腔室8為一容器，被設計以保 持腐蝕性氣體之數個大氣壓力；一放電區被以1.2至2.Sen 之一間隙分隔的兩電極6所界定；因為被連接至高電壓故 陰極被一絶緣結構支撐，而陽極被附著至在地電位的金屬 腔室；藉由設在放電區之任一側上的光翬放電預離字化器 而完成預離子化；由於雷射氣體之腐蝕本性，腔室使用選 來抗氟之侵蝕的特殊金屬；然而，氟氣體仍與如室壁和電 極的腔室内部零件起反應，因此，消耗氟並産生金屬氟化 污染物；金屬氟化物塵以未示的一靜電沉澱器之方式捕陷 ;一小量之雷射氣體從腔室被抽出並通過帶負電的高電場 配線以捕陷該塵；無塵的氣體然後透過窗戶被釋放以保持 Λ 潔淨。 一脈波電力模組 此較佳實施例使用在第四圖中所示的一固態脈波電力 模組（SSPPM)電路；習知技藝閘流管条統之20 kV電源供應 被一 lkV供應所取代；閜流體切換器被不直接饋送Gp而將C0 之能量切換至由L、C2、G3、一進階變壓器、及三値可飽 和電感器所形成的一脈波壓縮電路的一 SCR切換器所取代 ;此電路之操作如下；儲存在L上的DC電荷被切換通過該 SCR和電感器U進入Ci ;可飽和電感器U留住在L上的電 壓大約2.5微秒並然後變為導通，允許電荷從C,傳送至C2 ;第二値可飽和電感器“留住在C2上之電壓大約5QG奈秒 並然後允許在“上的電荷流過1 : 2 0進階變壓器之初級繞 ___ -9-__ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -------:—'丨裝------訂-----.ii線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7 ) 組；來自進階變壓器之輸出.被儲存在c3上直到在大約100-150奈秒後可飽和電感器U變成導通為止；電荷然後最後 通過“被傳送至Cp中且雷射放電發生；顯示在第五圖之下 方的在Cp上之電壓波形密切地符合被一等效閘流體切換脈 波電力模組所産生者之形狀，除了該SCR波形展現微量或 全無後振鈴；該SSPPM所增加的複雜度可被昂貴且短命的 閛流體之除去而被補償；在脈波控制上的改善被顯示在第 五圔中；該SSPJ>M之一額外且重要的特徽為如在第六圖中 .所示的從雷射腔室反射之能量之恢復；設有SSPPM ,由於 阻抗不匹配而被雷射腔室反射的能量不再振鈴來回在SSPPM 和雷射腔室之間；該SSPPM電路被設計以將被反射能量全 程通過脈波成形網路傳輸返回C。；在恢復此能量至C。上時 ，該SCR切斷以確定此被捕獲能量留存在Cn上；因此，不 管操作電壓、氣體混成、或腔室情況，橫過雷射電極之電 壓波形展現一良好調諧条統之動作；此性能被維持越過所 有的雷射操作條件。 ' —頻譜調窄 一 KrF雷射之頻譜調窄被它.的短脈波期間（10至15 ns ,F«HM)和UV波長複雜化；短脈波導致極高的腔内功率（ 約lMW/cm2),且由於在248niB之高吸收傺數該短波長可熱 性地扭曲光學材料；同時，對於一典型雷射透過共振器（ 其包括線調窄光學元件）的來回之總數是小的，約3至4; 如果透過共振器的單一通過線寬被Δ λ t註明，則在η次通 過後的最後綿寬Δ λ f之一估計為： .__—___~ 1 0 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） ----l·——：！ 1裝------訂---------線 (請先閲讀背-®之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 ·*·、發明説明（8 ) Δ λ ! Δ λ f =- (1) ΓΗ 因此，該光學条統之單一通過線寛最多是二之因素較 高於最後線寬；因此，將寬波帶頻譜轉換為該光學条統之 線調窄頻譜（亦即從3<3 0pm至IpiD)之效率必定極高。 -共振腔 在此實施例中，我們使用如在第三圖中所示的一 20 % 部分反射凸透圓柱鏡體68;共振腔之相反側為如在第三圔 中所示的線調窄模組；模組18在第七圖中被詳細顯示；如 在第七圖中所示的三個稜鏡光束擴大器30、3 2和34被插入 線調窄模組中以約2Q之一因素擴大在水平方向上的光束並 因此減小在該方向上它的發散；在雷射之兩端之兩個隙縫 被使用以更減小發散；經擴大光束被反射偏離全反射鏡體 3 6至藉由彎曲機構4G被彎曲以産生如在第七圖中所示的一 圓柱下凹光柵表面的光柵38 ;光柵典型上偽以如被寇寧公 司上市的ULE玻璃的一低膨脹玻璃製成；兩支腳78和80被 泥固至光柵38 ;彎曲機構4 0被使用以將壓縮力施加至支腳 78和8 0之内側以將一圓柱下凹曲線提供至光柵38之光柵表 面；具螺紋推壓螺栓84被旋轉在支腳S0之對應螺紋中以推 抵彈簧88位移圚柱配件86，抵住墊圏90、軸承92、墊圏94 、推壓桿殼體98、及支腳78而壓縮彈簧88;圓柱配件86被 安裝在推壓桿100上；彈簧88、墊圏90和94、軸承92、及 推壓桿殼體98在推壓桿1QQ上溃動；因此，從旋轉推壓螺 帽84之頭端85引起在彈簧88中的壓縮力被施加至支腳78和 80之内側將它們稍微分開以迫使光柵38之光柵表面形成一 -II- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公f ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝-
、1T ~線 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 圓柱下凹形狀；曲率較佳是.非常小；例如，為了校正被具 有對應於一 5米之半徑的一表面凸出曲率之圓柱鏡體68所 引起的波前杻曲，光» 38之補償下凹曲率須為將産生位在 離光柵約1400米之一距離的一焦點的一曲率；我們的實驗 己証明用施加於支腳78和SO内側的數磅之壓縮力即可提供 適當的曲率；與輸出耦合器相比的，光柵之此大幅縮減的 曲率傺從此實施例之稜鏡光束擴大器配置之放大所導致的 ;被此機構提供的調整也可被使用以補償被輸出耦合器提 供如被稜鏡之受熱引起的不預期杻曲者以外的杻曲；（在 第七圖中光柵曲率被大幅誇張；）在可為關於時間的扭曲 之應用上，馬達控制可被加入以旋轉具螺紋推壓螺拴84且 即時回授控制可被提供以最小化此關於時間變數的扭曲。 -實驗結果 下面描逑之所有實驗偽用有在第三圔中所示的修正如 在第一和第二圔中所示的一西門模型ELS54 0 0雷射而完成 ;所用的輸出耦合器68僳一凸出圖柱鏡體（半徑曲率r = 5in ' );該鏡體之凸出表面被塗覆有R=20 %的反射且平的表面 傺AR塗覆的；如在第i：圖中所示的，繞射光柵38被彎曲形 成一圚柱下凹光柵表面以補償被圓柱鏡體68引起的雷射光 波前扭曲；藉由轉動具螺紋推壓桿頭端85以將壓縮力施加 在支腳78和80可做到以調整；零轉動是任意的且對於這些 實驗其對應於螺栓84之轉動開始影響輸出光束的初始指示 ，·感覺上，此条統類似一標準的望遠鏡腔體；主要差別在 於在我們的情況中，該繞射光柵被使用同時作為一曲線返 -12- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 、1Τ I線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2 ΙΌ X 2们公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7 __ 五、發明説明（l〇 ) 回鏡體和-*線調窄元件；同，時在我們之情況中，如相較於 球面望遠鏡腔體的我們有一個圓柱望遠鏡腔體，故我們只 有在一雒度，亦卽水平上的"望遠鏡”特性；使用為測試的 雷射包含有具有三億脈波之一操作記錄的熔合矽稜鏡的線 調窄模組；使用為測試的腔室已被先前使用了九億脈波； 第九圖顯示λ hhm之依賴度和λ。. 調整；氣體混成為〇. 28kPa F2 (約3.9kPa Kr,以2 9 0kPa之一整値氣·壓力而 其餘氣體為緩衛氣體氖）；雷射被運作在突波間有0.2s的 50脈衝突波中的100QHZ重覆率；可看到，在螺栓頭端85之 1/2圈處λ fl»hro約為0.35pm，多至4圏則低於0.4 pm,並然 後開始成群；在另一方面上的95¾積分（λ。. 3S)在1/2圏 處為最高並多至6圏則逐漸減小；在第九圔中的點線顯示 在使用習知技藝之標準輸出耦合器的相同雷射上獲得的最 佳結果。 讀者請注意到，部分反射鏡體65對應於通過它的光束 之部分作為一透鏡；此效果應在各應用中被考慮；鏡體之 ' 背面較佳是下□的或平直的；在後者之情形中，對於輸出 光束該輸出耦合器作為一稍微聚焦透鏡；因此，在習知技 藝中熟知的適當光學可被提供以補償此聚焦效應。 來自輸出耦合器68之背面的反射應被考慮並使用如抗 反射塗覆的熟知習用技術與調整該宽面之角度或離軸地和 以一補償角（如在第十四圖中所示的）定置該部分反射鏡 體來處理，使得來自該背面確實發生的任何反射被指引離 出該主動雷射媒體。 ____-13-__ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公1 ) ~ -------1丨_d .丨裝------訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（11 ) 本發明之一重要特徵在於使用部分反射鏡體的不穩定 共振腔産生透過雷射壽命的較佳光束寬度控制；此乃因為 在增益媒體之邊緣産生的光子傾向於被推出該增益媒體， 而接近增益媒體之中心軸産生的光子仍留在共振腔中並接 受較大的放大。 上逑之較佳實施例在輸出耦合器上使用均勻地反射20 的一部分反射鏡體；一變化將是分级該反射使得在圓柱 鏡體之中心反射較大並朝向邊緣減小；例如，一可能設計 為在中心提供約30 %反射而在鏡體之兩邊緣逐漸減小反射 至少於1《〇 在頻譜上的改變可在第十圖中看到，其顯示對於頭端 85之1/2圏和4圏的頻譜；在1/2圏處，在增大人〇. 35值的 頻譜中我們有一短波長情形；在4圏處，主要因為該情形 之減小和據此λ <3 . 3 5之減小故頻譜更為對稱。 主要考慮之一為雷射的空間一貫性；微影雷射光束之 一貫性通常被期望為小以在暴露光阻時避免斑紋結構；第 十一圖顯示在用雙針孔技術量測的空間一貫性上的結果； 在此技術中，我們量測由將光束通過以己知距離分開的兩 針孔産生的干涉邊緣之調變深度；該調變深度給予我們 在光束之空間一貫性上的資訊；可以看出，邊緣調變在以 一半的大約3GQW掉落，其非常接近標準的ELS5GI3Q雷射性 能且對於步進器是可接受的。 一較佳波長控制技術 用於達成最小.線寬的較佳控制技術為使用如在第三圖 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 、τ 鼇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Μ ____Β7__— 五、發明説明（12 ) 中所示的電腦22以根據從計，波表20獲得的即時波長量測而 控制可調諧線調窄模組18 ;此較佳藉由微調改變雷射光束 照射光栅38之角度的鏡體3 S之位置而完成。 -波長和波帶寬量測 微影雷射輸出輻射之中心波長必須被穩定化以：a)維 持在晶圓平面的焦點，及b)最小化在放大中的任何改變； 用於一生産微影雷射的計波表較佳是簡潔的但參照於一條 原子線地符合良好相闊正確性、小的長期漂移、及一良好 絶對精確度之需求；再者，波長量測對於在周圍溫度或壓 力上的改變應是不甚敏感的；另外，計波表應能夠以±0.15 Pm的準確度量測頻譜波帶寛（FWHM);此計波表之操作範圍 可為相當地小，248.35：ί〇.30ηιπ。 波長偽使用一光柵和一校準器之組合被量測；此計波 表之一結構佈局被顯示在第八圖中；光柵和校準器被分別 使用為粗略和精撤量測；來自光柵頻譜表的輸出被映像在 一痼1024元件矽晶光二極體陣列之中央區内，而來自校準 ' 器之邊緣圔型被映像在兩側上；波長藉由量測校準器邊緣 圖型之直徑和粗略光柵輸出之位置而被決定。 在邊緣直徑上的一小的改變像比例於在波長上的改變 ;對於小於校準器之自由頻譜區（FSR)的波長改變，該校 準器能夠追蹤雷射之波長；粗略光柵量測是必要的以除掉 在大於校準器之FSR之雷射波長漂移上的任何可能的錯誤 或差異；較佳的校準器具有10pm或更小的FSB, 或者另一 個替換可為使用兩値校準器，其一有一 2<3 pm之FSR,且另 ________ -15-____ 本紙張尺度適用中國國家標準（€呢）/\4規格'(210'乂 297公釐） ---------h---1!「ί 裝！ (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I訂 #線—· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明03 ) —有一 5ΡΠ之FSR;如所熟知，的，對於被多重它的FSR隔開 的波長，校準器邊緣圖型是相同的。 .計波表在工廠參照於具有在248.32 7 1的一趿收峰值的 一中空陰極Ne-Fe燈而被校準；經驗証明這些計波表可被 製作穩定於di〇.5pm内；再者，為了除掉關於周遭壓力的改 變，光柵和校準器兩者被裝入個別的壓力室內；藉由使用 極低溫度膨脹傺數校準器隔離器和校準器室體之良好熱量 管理可達到溫度穩定性。 最後，從該計波表獲得的波長資訊被使用以藉由改變 在線調窄棋組中的光柵上的照射之角度而控制雷射波長； 此可藉由在第七圔中所示的極微樞接鏡體36而完成。 -其它實施例 如上建議的，輸出耦合器68可為一部分反射的下凹鏡 體；在此情形中，光柵較佳被彎曲以提供一補償的凸出圓 柱反射表面；此較佳藉由修正在第七圖中所示的調整機構 以提供用於向内拉曳支腳78和80的一可調整張力而完成； '當一下凹鏡體被使用為輸出耦合器時，雷射輸出將發散使 得可能需要一額外的適合光學組件以減少發散。 光柵38之表面曲率可以如在專利第5 , 095,492號中描 述的光柵之兩後緣被擋住而中心部分被向後拉以提供一圓 柱下凹表面之一方式的其它明顯方法而被調整。 雖然此極窄波帶雷射已參考於一特殊實施例被描述了 ，最好能做各種調適和修正；例如，被描述用在操作在一 ________- 1 6 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---h---；--Η'—, Ί 裝------訂-----.W線—< (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7__五、發明説明（14 ) 公稱波長的一 KrF雷射上的技術也可施用於ArF雷射，然而 ，光學必須設計為193 nm;另外，壓縮桿35之手調整可為 具回授控制的馬達驅動使得光柵曲率可根據波長和其它光 束參數之卽時量測而被修正；因此，本發明只被所附的申 請專利範圍限定。 元件編號對暗弃 2脈波電力模組 8雷射腔室 „ . 6電極 10鼓風機 16輸出賴合器 18線調窄模組 20計波表 68凸出圚柱鏡體（輸出耦合器） 7 0、3 0、3 2、3 4稜鏡光束擴大器 ?2、36全反射鏡體 74、38光栅 76、100推壓桿 78、δ0支腳 82、04)隙縫 40彎曲機構 84推壓螺栓 22電腦控制單元 60輸出耦合器總成 62凸透鏡 S4下凹鏡體 65增益媒體 6 S輸出光束 86配件 88彈簧 90、94墊圈 92軸承 98推壓桿殼體 S5旋轉頭 d ^_裝 訂 ^ W線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐）

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 . 一種窄波帶雷射，包含,有： A . —增益媒體； B. —不穩定共振腔，包含： 1) 含有一部分反射鹰柱鏡體的一輸出耦合器， 2) —線調窄模組，含有： a) —光束擴大器， b) 具有一圓柱曲面的一光柵。 2. 依據申請專利範圍第1項之雷射，其中該圓柱鏡體像 凸出的而該光柵表面僳呈凹面。 3. 依據申請專利範圍第1項之雷射，其中該圓柱鏡體偽 内凹的而該光柵表面偽呈凸面。 4. 依據申請專利範圍第1項之雷射，其中該圓柱鏡體包 含被設計以反射在一期望波長的光之大約20 %的一反 射性塗覆層。 5. 依據申請專利範圍第2項之雷射，其中該圓柱鏡體包 含被設計以反射在一期望波.長的光之大約20 %的一反 ^ 射性塗覆層。 6. 依據申請專利範圍第1項之雷射，其中該圓柱鏡體具 有在In和10m間的一曲率半徑，較佳為5m。 7. 依據申請專利範圍第1項之雷射，其中該圓柱鏡體界 定一中心線，且該雷射界定該鏡體之一主動區，而該 主動區之邊緣包含提供沿著該中心線比該主動區之其 它區域大致有較大的反射度的一反射性塗覆層。 •8.依據申請專利範圍第7項之雷射，其中該等邊緣之兩 _____-18-__ 本紙張尺度適用中國國家標準（.CNS ) A4規格（210X297公釐） -------,I裝------訂-----/_線丨..— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 値像平行於該中心線，.且該反射度從該中心線至各個 該等主動邊緣呈單調地減小。 9. 依據申請專利範圍第1項之雷射，其中該光柵之曲面 界定一曲率，且該線調窄棋組更包含用於調整該曲率 的曲率諝整機構。 10. 依據申請專利範圍第9項之雷射，其’中該調整機構包 含有一彈簧和一具螺紋的諝整螺栓。 11. 依據申請專利範圍第1項之雷射，其定義一光束軸， 其中該鏡體被離軸地安裝並相對於該光束地傾斜。 12. 依據申請專利範圍第1項之雷射，其中該部分反射鏡 體界定一中心線和兩邊緣，並包含提供在該中心線較 大而接近該等兩邊緣被減小的分级反射之一反射性塗 覆層。 13. —種極窄波帶準分子雷射，包含有： A. —雷射腔室，含有： 1) 兩長形電極， 2) 至少一具預離子化器，及 3) —雷射氣體； B. 包含一圓柱形鏡體的一輸出耦合器； C. 包含一光柵之一線調窄單元，該光柵具有一圓 .柱形内凹成線表面； 該光柵和該輸出縐合器界定一不穩定共振腔。 14. 依據申請專利範圍第13項之準分子雷射，其中該線調 窄單元更包含有： ____ -19- 本紙張度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ---------- ! — 裝^-I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 A) 至少一値光束擴.大稜鏡；及 B) 用於調諧該光柵的一光柵調諧装置。 15. 依據申請專利範圍第13項之準分子雷射，其中該雷射 氣體包含有氟和氪或氬，且該雷射腔室傍(以與氟相容 的材料構成。 16. 依據申請專利範圍第14項之準分子雷射，其更包含有 一計波表和用於控制該光柵調諧裝置的一波長控制器。 17. 依據申請專利範圍第13項之準分子雷射，其中該線調 窄單元更包含有至少一稜鏡和一全反射鏡體。 18. —種極窄波帶準分子雷射，包含有： A. 由與氟相容材料構成之一雷射腔室，其並含有： 1) 兩長形電極， 2) 至少一具預離子化器，及 3) 含有氟、一鹵素和一緩衝氣體的雷射氣體； B. —可調諧線調窄單元，包含有： 1) 至少一光束擴大.稜鏡， 2) —可調諧光棚； C. 包含一圓柱形鏡體的一輸出耦合器，該可諝諧 光柵和該圓柱形鏡體界定一不穩定共振腔。 19. 依據申請專利範圍第18項之準分子雷射，其更包含用 於量測該輸出雷射光束之波長的一計波表。 20. 依據申請專利範圍第18項之準分子雷射，其更包含用 於諝諧該線調窄模組的一控制器。 ____- 2 0 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、τ
TW087110603A 1997-07-01 1998-06-30 Very narrow band laser with unstable resonance cavity TW381364B (en)

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