TW311185B - - Google Patents
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Description
185 185 經濟部中央標準局—工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明() 發明之技術範園 本發明係關射束曝光系統’例如電子束曝光系統’ 尤有關於其中蝕刻罩之改進。 發明之背畺 在一'習知技術之電子束曝光系統中,爲了提局生產量, 一電子束被投射在一具有圖樣之蝕刻罩單元上,穿過蝕刻 罩單元之電子束投射在一標的物上。 蝕刻罩單元之第一種型式係藉由一蝕刻罩、一用於支 持在一孔中之蝕刻罩之支持件及一用於固定該支持件之 固定板所形成。在後面將會對此詳述。 在第二種型式之蝕刻罩單元中,複數之蝕刻罩固定在 連接至一固定板之支持件的孔中。蝕刻罩之數目可大於第 一種型式之蝕刻罩單元(請見:JP-A-63-175423)。此亦會 在後文中詳述。 此外,在一蝕刻罩之孔中設置每一個皆小於一解析度 極限値之精細網孔以消除近接效應亦屬已知者(請見: JP-A-4-137520)。 然而,在前述之習知技術的電子束曝光系統中,由於 在一蝕刻罩單元中所設置之圖樣數目很少,故可以描示之 圖樣係有限的。當描示所有可能之圖樣時,蝕刻罩即支持 件需要以另一個支持件來取代,因此降低系統之運作效 率。此外,可在蝕刻罩之孔中設置每一個皆小於一解析度 極限値之精細金屬網孔以消除近接效應。然而,在此情況 下,由於蝕刻罩在機械性劣化,很難形成如此之網孔。因 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --:---^-----^ I I- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 311185 A7 ___B7____ 五、發明説明() 此,另一個具有此等網孔之蝕刻罩必需安裝在此系統上, 故會增加系統之製造成本。 發明之綜合說明 本發明之一目的在於提供一用於射束曝光系統(例 如,電子束曝光系統)之改良式蝕刻罩設備(單元),其可增 加運作效率並降低製造成本。 依照本發明,在一射束曝光系統中,一射束投射在一 蝕刻罩單元上,且穿過蝕刻罩單元之射束偏向並投射至一 標的物。蝕刻罩單元包含一多邊形中空之支持件及複數蝕 刻罩。支持件係由蝕刻罩固定板及框架所形成,每一蝕刻 罩固定板具有用於固定蝕刻罩之孔且每一框架具有一讓 射束穿過之孔。 此外,在每一框架之孔中設置用於消除近接效應之精 細金屬網孔。 圖式之簡單說明 藉由閱讀下面與習知技術相比較並配合圖式之說明 可更加了解本發明: 圖1係一例示習知技術之電子束曝光系統之示意圖; 圖2係圖1之蝕亥[)罩單元之透視圖; 圖3係圖1之蝕刻罩單元之另一種型式之俯視圖; 圖4係例示依照本發明之電子束曝光系統之一實施例; 圖5係圖4之蝕刻罩單元之透視圖; 圖6係圖5之蝕刻罩單元之一改良例之透視圖; 齩佳眚施例之詳細描述 ---^---^-----號-------訂------線 1' {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明() 在說明較佳實施例之前,先配合圖1、2及3說明習 知技術之電子束曝光系統。 圖1例示一第一電子束曝光系統,參考標記1表示用 於放射一電子束2之電子槍。電子束2穿過一蝕刻罩單元 3之長方形孔3a,且更穿過一透鏡4A、由靜電板所組成 之偏向單元5X與5Y及一透鏡4B,而到達一蝕刻罩單元 6 〇 如圖2所示,蝕刻罩單元6係由一蝕刻罩61、一用 於支持在一孔62a中之蝕刻罩61之支持件62及一用於固 定支持件62之固定板63所構成。 回到圖1,電子束2穿過蝕刻罩單元6、一縮小透鏡 7、由靜電板所組成之偏向單元8X與8Y及一稱爲投射 透鏡之縮小透鏡9而投射至一標的物10上。 偏向單元8X及8Y被控制以重複一瞄準(偏向運作)。 因此,可能之圖樣被描示至標的物10上。 在圖1及圖2之習知技術的電子束曝光系統中,由於 在蝕刻罩單元6中只設置一種圖樣,故可能之描示圖樣之 數目係有限的。當描示所有可能之圖樣時,蝕刻罩61即 支持件62必需更換另一支持件,因此降低系統之運作效 率。此外,可在一蝕刻罩61之孔中設置每一個皆小於一 解析度極限値之精細金屬網孔以消除近接效應。然而,在 此情況下,由於蝕刻罩61之機械性劣化,很難形成如此 之網孔。因此,另一個具有此等網孔之蝕刻罩必需安裝在 此系統上’故會增加系統之製造成本。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0 X 297公釐) ---^---^-----^ -I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、νβ 線 311185 A7 _____B7________ 五、發明説明() 在圖3中例示另一習知技術之蝕刻罩單元6’、複數之 蝕刻罩61’被安裝在連接至一固定板63’之支持件62’的孔 中。蝕刻罩之數目可大於圖1及圖2所示之系統中者。 即使在圖3之蝕刻罩6’中,由於在蝕刻罩單元6中所 設置之圖樣數目係有限的,故可能之描示圖樣之數目亦是 有限的。因此,當描示所有可能之圖樣後,蝕刻罩61’即 支持件62’必需更換另一支持件,因此降低系統之運作效 率。此外,由於蝕刻罩61’之機械性劣化,故很難形成如 此之網孔。因此,另一個具有此等網孔之鈾刻罩必需安裝 在此系統上,故會增加系統之製造成本。 在圖4中例示本發明之一實施例,取代圖1之蝕刻罩 單元6者,係設置一蝕刻罩單元11、一用於沿著水平方 向移動蝕刻罩單元11之驅動單元12及一用於旋轉蝕刻罩 單元11之驅動單元13。 在圖5中詳細地顯示圖4之鈾刻罩單元11。 蝕刻罩單元11包含一多邊形中空之支持件111,在 此例子中係一六邊形。支持件111係藉由複數之蝕刻罩固 定板112而形成,每一蝕刻罩固定板112具有用於支持蝕 刻罩113之複數孔112a。此外,支持件111係藉由複數 框架1Η形成,每一框架114具有一用於讓電子束穿過之 孔114a。並且,固定板112中之一者係與其中一個框架 114面對。 在圖5中,參考標記115表示蝕刻罩113之對正標記。 蝕刻罩單元11可藉由圖4之驅動單元12而沿著方向 5 ^ ^ 進 · 訂 --線 - 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 製 經濟部中央棣準局貝工消費合作衽印製 A7 B7 五、發明説明() D移動。此外,蝕刻罩單元11可藉由圖4之驅動單元13 而沿著方向R轉動。 圖4及圖5之運作如後所述。 首先,同樣型式或不同型式之蝕刻罩113被預先安裝 在蝕刻罩固定板112之孔112a中。 接著,蝕刻罩單元11被安置在圖4之系統中’且蝕 刻罩單元11之對正係藉由驅動單元12及13參考對正標 記115而實施。 最後,電子束從電子槍1放射,經由蝕亥!1罩單元3而 到達蝕刻罩單元11。接著,電子束又穿過其中一個餓刻 罩113其中一個孔114a以到達標的物10。 在圖ό中例示圖5之蝕刻罩單元11之一種改良,在 —框架114之孔114a中設置每一個皆小於一解析度極限 値之精細金屬網孔116以消除近接效應。 因此,在使用圖6之蝕刻罩單元11之圖4的電子束 曝光系統中,由於儲存於抗蝕劑內不同之能量分布,而可 以消除在圖樣間之近接效應。即,由於電子束之前散射及 後散射,通常電子束之能量係儲存於抗蝕劑內。亦即,網 孔116被調整以使分配在標的物1〇之抗蝕劑中之能量均 等化。 在圖4、5及6之電子束曝光系統中,雖然只設置一 個蝕刻罩單元11,但複數之此等蝕刻罩單元11可以一旋 轉體之形式設置。 此外,本發明可應用於其他電荷束曝光系統、一光束 6 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(2歐297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-β 線< 311185 A7 B7 五、發明説明() 曝光系統或一 X-光束曝光系統。 如前所述,依照本發明,由於一大數目之圖樣可被供 應至一蝕刻罩單元中,故蝕刻罩之更換運作之次數可被降 低,因此提高系統之運作效率。此外,由於在蝕刻罩單元 中設置用於消除近接效應之精細網孔,用於此精細網孔之 特別的蝕刻罩變得不需要,因此降低系統之製造成本。 在以上詳細說明中所提出之具體的實施態樣或實施 例僅爲了易於說明本發明之技術內容,本發明並非狹義地 限制於該實施例,在不超出本發明之精神及以下之申請專 利範圍之情況,可作種種變化實施。 1 ! 避 一-,卩 各減 -_ - 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 311185 六、申請專利範圍 1、 一種用於一電子束曝光系統之蝕刻罩設備,包含: 一多邊形中空之支持件(111),包含複數之蝕刻罩固定 板(112)及複數框架(114)、在每一該蝕刻罩固定板中形成之 複數第一孔(112a)、在每一該框架中形成之一孔(114a);及 複數之蝕刻罩(113),安裝在該第一孔中。 2、 如申請專利範圍第1項之蝕刻罩設備,其中該餓 刻罩固定板中之一個與該框架中之一個面對著。 3、 如申請專利範圍第1項之蝕刻罩設備,其中尙包 含精細金屬網孔(116),各金屬網孔(116)皆設於其中一個該 框架之該第二孔中,以消除近接效應。 4、 如申請專利範圍第1項之蝕刻罩設備,其中尙包 含: 第一驅動裝置(12),用於沿著該支持件之一軸移動該支 持件;及 第二驅動裝置(13),用於沿著該支持件之一軸轉動該支 持件。 5、 如申請專利範圍第1項之鈾刻罩設備,其中在該 支持件上標示有對正標記(115)。 6、 一種射束曝光系統,包含: 射束放射裝置(1),用於放射一射束(2); 蝕刻罩裝置(11); 第一偏向裝置(3, 5X,5Y),配置在該射束放射裝置及該 第一蝕刻罩裝置間,用於放射該射束至該第一飩刻罩裝置 上;及 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --:-II----<------tr------ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ___ D8 _ 六、申請專利範圍 第二偏向裝置(8X,8Y),用於使該穿過該蝕刻罩裝置之 射束偏向以使該射束投射至一標的物(10), 該蝕刻罩裝置包含: 一多邊中空之支持件(111),包含複數之蝕刻罩固定板 (112)及複數框架(114),在每一該蝕刻罩固定板中形成之複 數之第一?L(112a)、與在每一該框架中形成之孔(114a);及 複數之蝕刻罩(113a),安裝在該第一孔中。 7、 如申請專利範圍第6項之系統,其中該蝕刻罩固 定板中之一個與該框架中之一個面對著。 8、 如申請專利範圍第6項之系統,其中尙包含精細 金屬網孔(116),每一皆固定於其中一個該框架之該第二孔 中,以消除近接效應。 9、 如申請專利範圍第6項之系統,其中尙包含: 第一驅動裝置(12),用於沿著該支持件之一軸移動該支 持件;及 第二驅動裝置(13),用於沿著該支持件之一軸轉動該支 持件。 10、 如申請專利範圍第6項之系統,其中該支持件上 標示有對正標記(115)〇 11、 如申請專利範圍第6項之系統,其中該射束係一 電荷束、一光束及一 X-光束中之一者。 9 —:---:-----Μ------ΐτ------ί -a • - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8007817A JP2785788B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 一括マスク搭載ホルダ構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW311185B true TW311185B (zh) | 1997-07-21 |
Family
ID=11676155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW086100658A TW311185B (zh) | 1996-01-19 | 1997-01-22 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5731591A (zh) |
JP (1) | JP2785788B2 (zh) |
KR (1) | KR100235069B1 (zh) |
TW (1) | TW311185B (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6225637B1 (en) * | 1996-10-25 | 2001-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus |
GB2338084B (en) * | 1998-05-05 | 2001-12-19 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Lithographic imaging of a structure pattern onto one or more fields on a substrate |
JP2001283756A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP4947841B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
JP2001284230A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP4947842B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
JP4585661B2 (ja) | 2000-03-31 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2005045124A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Sony Corp | ステンシルマスク、荷電粒子照射装置及び方法 |
US7525645B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exposure apparatus and method, and mask stage therefor |
CN104035284B (zh) * | 2013-03-05 | 2016-08-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 圆筒形掩模板系统、曝光装置和曝光方法 |
JP7455720B2 (ja) | 2020-09-29 | 2024-03-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム照射装置およびマルチ荷電粒子ビーム照射方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3677005D1 (de) * | 1986-05-06 | 1991-02-21 | Ibm Deutschland | Maske fuer die ionen-, elektronen- oder roentgenstrahllithographie und verfahren zur ihrer herstellung. |
JP2588183B2 (ja) * | 1987-01-16 | 1997-03-05 | 株式会社東芝 | 電子ビ−ム露光装置 |
JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
EP0508151B1 (en) * | 1991-03-13 | 1998-08-12 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and charged particle beam exposure method |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP8007817A patent/JP2785788B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-16 KR KR1019970001116A patent/KR100235069B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-01-17 US US08/784,513 patent/US5731591A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-01-22 TW TW086100658A patent/TW311185B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100235069B1 (ko) | 1999-12-15 |
US5731591A (en) | 1998-03-24 |
JPH09199393A (ja) | 1997-07-31 |
JP2785788B2 (ja) | 1998-08-13 |
KR970060357A (ko) | 1997-08-12 |
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