TW307015B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW307015B
TW307015B TW085103744A TW85103744A TW307015B TW 307015 B TW307015 B TW 307015B TW 085103744 A TW085103744 A TW 085103744A TW 85103744 A TW85103744 A TW 85103744A TW 307015 B TW307015 B TW 307015B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
oxide
gold
oxide film
resistance
Prior art date
Application number
TW085103744A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP07013295A external-priority patent/JP3259884B2/ja
Priority claimed from JP07151695A external-priority patent/JP3266752B2/ja
Application filed by Matsushita Electric Ind Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Ind Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW307015B publication Critical patent/TW307015B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/06Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

Α7 Β7 經濟部中央棣準局員工消费合作社印裝 五、發明説明(1 ) 〔技術領域〕 本發明係醑於一種,完成電阻值高到lQOkQK上,霣 姐值之溫度係數(tch)小,且具有声可靠性的金羼氧化物 皮腆霣阻器。 〔技術背景〕 金颺氧化物皮臢電阻器,一般而言如第8_所示,包 含有:棋來石、氧化鋁等之棒狀絕緣性基材1;形成在其 表面之氧化鎘或銻添加氣化錫(ΑΤΟ)之金钃氧化皮膜10; 壓入前述基材兩端的金羼製蓋端子5·6;焊接於前述端 子之引線7 | 8 ;及形成在霣阻器表面上之保護膜9。 且說,如考量可作為金麵氣化物皮膜材料利用之材科 時,由於氧化鍚為單相時電阻係數大,霣阻值之溫度係數 也可極大之負數•因此大大地受制於使用條件而不合實用 。從此理由著眼,一般乃使用電阻係数小* TCR為正或具 有近乎〇之值的ΑΤ0作為金饜氧化物材料。此等材料,由於 載《濃度高*溫度上升時,由檷極振動所引起之載體之敗 射效果大於由熱之灌發能所引起之載體濃度之增加*所Μ 具有正之TCR,並顯示金屬性霣導。如此,一般而言,霣 阻係數小者,載«壤度較高,而具有正或近乎〇之TCR;反 之,霣阻係數大者,載體濃度較低,TCR成極大之負值。 就上述金屬氧化物皮膜«阻器之製造方法而言* 一般 乃採取啧霧法或化學蒸鍍法(CVD)等之化學性製瞑法。至 於這些方法,即於600〜800Ό之加热爐中*將含有氯化錫 及三氢化銻之水溶液或有懺溶液之蒸氣*向棒狀撗來石· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 本纸張尺度適用中國國家樣準(CNS > Α4规格(210Χ297公釐) 經濟部中央橾準局員4消费合作杜印製 谷_5__五、發明説明(2 ) 氧化鋁質基材1唄霧,賴此在基材表面上形成ΑΤΟ膜(金屬 氧化物皮膜10)。再者,將金觸董嬙子5,6壓入基材1 之兩端* 一面使基材1旋轉一面使用金網石切削櫬或激光 修剪ΑΤΟ膜之一部分,將引線7,8焊接於蓋端子5,6 之後,形成樹脂製保護膜9,賴此獲得金靨氧化物皮膜霄 阻器。如此所取得之金麗氧化物皮膜霣阻器之完成霣阻值 ,如基材之大小一定的話依ΑΤΟ膜厚與修剪之_數而異· 一般而言,為10Q-100kQ之間。 如依這種習知之霄阻調整手法,則為了獾得完成霣阻 值為lOOkQ Μ上之金雇氧化物皮膜霣阻器,而可考慮把ΑΤΟ 膜之膜厚弄薄,或將ΑΤΟ膜之修剪間隔弄窄等方法。 然而,只要是習知金屬氧化物皮膜«阻器之構成,ΑΤΟ 臢之電阻係數即在約1Χ10—3〜1Χ10_*Ω · cm,因此為了 提高«阻值而必須把膜厚弄成相當薄|此時,由於膜本身 之應變,或膜表面之占膜全體之耗盡曆之比例增大而有TCR 易成為極大負值之問題。 又*由於ΑΤΟ膜之初期電阻值低,而完成霄阻值在100 ΙίΩ Μ上時,藉激光來修剪之轉數便變多,致修剪要花很 多時間之同時,修剪間隔變成通窄,在物理上存在著無法 修剪之問題。 而如上所述,如將膜厚弄成«薄,或將修剪間隔弄成 狹窄,則霄専徑路之斷面積會滅少之同時,與外界之接觸 面增加,且因«應力和湄度而受水分或.猪緣基材中之鐮雕 子之影響*導致膜本身之«阻值產生變化,不易獾得高可 I---Κ--}1(裝------—訂:------{ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(3 ) 靠性之金)氧化物皮膜霣姐器。 於是,本發明之目的係在於提供一種,不受水分之影 ^•τπ-^ι η I · ,v. 響或絕緣基材中之離子之影響,膜本身之霣阻值不舍變 - '...... .. .· 化,mm的氣凰崖北靡皮暴爲集器』 〔發明之揭露〕 本發明之第一金羼氧化物皮膜霣阻器,係包含:一具 有絕緣性之基材;及一形成在前述基材上之金廳氧化物霣 阻皮膜,係至少由電阻溫度係數顯示正值之金羼氣化物皮 膜及電阻溫度係數顯示負值之金鼸氧化物皮縝所構成。 就較佳之實腌形態而言》前述金羼氧化物霣阻皮膜有 Μ下之情況。 1) 由形成在絕緣性基材上的、具有負霣阻值之溫度係 數的金属氧化物皮膜,及形成在前述皮_上的、具有正霣 阻值之溫度係數的金羼氧化物皮膜所構成; 2) 由形成在前述基材上的、具有正霣阻值之溫度係數 的金羼氧化物皮膜,及形成在前述皮膜上的、具有負霣阻 值之溫度係數的金臑氧化物皮膜所構成; 3) 由形成在前述基材上的、具有負電阻值之溫度係數 的金颶氧化物皮膜•形成在前述皮膜上的、具有正霣阻值 之溫度係數的金羼氧化物皮膜•及形成在此皮_上的、具 有負霣阻之溫度係數的金靨氧化物皮臢所構成。 再者,較佳之實施形態更有如下之情況:即,霣阻值 之溫度係數顬示正值之金羼氧化物皮膜,係以氧化錫1氧 化銦、氧化鋅中之一為主要成分。 本紙張尺度逋用中國國家橾牟(CNS > Α4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 經濟部中央棣準局負工消費合作社印製 * 307015 A7 __B7 _ 五、發明説明(4 ) 本發明之第二金屬氧化物皮膜霣阻器•係包含: 一具有絕緣性之基材; 一金羼氧化物電阻皮膜,係由至少霣阻溫度係數顯示 正值之金羼氧化物皮膜及/或其霣阻溫度係數顯示負值之 金羼氧化物所構成;及 一金羼氧化物絕緣皮膜。 就較佳之買施形態而言·前述金鼷氧化物皮瞋霣阻器 有K下之情況。 1) 具有一形成在前述基材上之金屬氧化物絕緣皮膜及 ^形成在前述絕緣皮膜上的金羼氧化物霣阻皮膜; 2) 具有一形成在前述基材上之金羼氧化物絕緣皮膜及 一形成在前述電诅皮膜上的金羼氧化物絕缘皮膜; 3) 具有一形成在前述基材上之金羼氧化物絕緣皮膜、 一形成在前述絕緣皮膜上之金鼷氣化物電阻皮膜、及一形 成在前述電阻皮膜上之金屬氧化物絕緣皮膜。 再者•較佳之實腌形態更有如下之情況:卽,形成在 前述基材上之金羼氧化物絕緣皮腰之膜厚,係小於前述基 材之表面粗度。 又|前述金羼氧化物電阻皮膜,係以氧化錫、氧化絪 及氧化鋅中之一為主要成分;而前述金颺氧化物絕緣皮膜 係Μ選自二氧化錫、氧化鋅、氣化銻、氧化鋁、二氧化呔 、二氧化皓及二氧化矽之群的至少一種為主要成分。 〔圈式之籣單說明〕 第1圈係顬示本發明一實施例中之金羼氧化物皮膜霣 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 裝· 1'I訂 經濟部中央標準局爲工消费合作社印裝 A7 _____B7五、發明説明(5 ) 阻器之概略構成的縱斷面鬭; 第2蹰係本發明之另一實施例的、金屬氧化物皮膜霣 姐器之概略構成的縱斷面鬮; 第3鬮係本發明之更另一實施例的、金屬氣化物皮膜 電阻器之概略構成的縱斷面圈; 第4圈係本發明之更另一實施例的、金羼氧化物皮膜 電阻器之概略構成的縦斷面匾; 第5圖係本發明之更另一資胨例的、金颺氧化物皮膜 霣阻器之概略構成的縱斷面圖; 第6圖係本發明之更另一實Sfe例的、金鼷氧化物皮唭 霣阻器之概略構成的縱斷面函·, 第7圖係本發明一實施例中的金饜氧化物皮膜裝置之 概略構成縱斷面圔;及 第8圖係習知金羼氧化物電阻器之概略構成縱斷面騙 Ο 〔用以實施發明之最佳形態〕 本說明書中,金雇氧化物絕緣皮瞋,係大別為金屬氧 化物電阻皮膜與金屬氧化物絕緣皮膜;其中,所諝金羼氧 化物電阻皮膜,係意味在金属上或半導«上顯示較佳霣導 之皮膜而言,而所謂金属氧化物絕緣皮_則意味«導适低 於該金羼氧化物霣阻皮膜之皮膜而言。例如,氧化鋅、氧 化錫、氧化鈦等》可_氣缺陷量或添加元素(摻雜物)來形 成顬示半導體性電導之金屬氧化物霣阻皮膜,或形成壓霣 «等之金屬氧化物絕緣皮膜。 ϋ. In - - : If -.-- If 裝-----Γ訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 3〇7〇ί5 Λ7 -___ 一 Β7 五、發明説明(6 ) 本發明之第一金屬氧化物皮_霣阻器,係包含: 一具有絕緣性之基材;及 一形成在前述基材上之金屬氧化物®阻皮膜•係由至 少電阻溫度係數顬示正值的金饜氧化物皮膜,及其霣阻溫 度係數顯示負值之金覼氧化物皮瞑所構成。 就較佳之第一實施形態而言,可使用具有正霄阻溫度 係數之金羼氧化物皮膜,係為絕緣性基材及電阻體之主要 材料,於前述基材與前述皮膜之間,形成具有負霄阻溫度 係數之金羼氧化物皮膜,輅此來抑制因高霣阻化之薄瞑化 而導致降低可靠性之要因,亦即Λ過濾之擴散。 就較佳之第二買施例而言,可於作為絕緣性基材及霣 诅體之主要材料的、形成在前述基材上之具有正《阻係數 的金画氧化物皮膜上•形成具有負霄阻溫度係數之金羼氧 化物皮膜* «此來抑制因高電阻化之薄膜化而専致降低可 靠性之另一要因,亦即由水分所引起之具有正«阻溫度係 數的前述皮膜之變質。 就較佳之第三實施形態而言,可使用具有正霣阻溫度 係數之金屬氧化物皮膜*作為絕緣性基材及霣阻體之主要 材料•於前述基材與前述皮膜之間,形成具有負霣阻溫度 係數的金羼氧化物皮膜,再者•於具有前述正《阻值之溫 度係數的金屬氧化物皮膜上,形成具有負霣阻值之溫度係 數的金羼氧化物皮膜•《此來抑制因高《阻化之薄膜化而 専致降低可靠性之要因,亦即離子之擴敗,而且可抑制 由水分所引起之具有正霣姐溫度係數的前述皮_之變質。 本紙張尺度逍用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7_五、發明説明(7 ) 將上述金属氧化物皮膜之膜摩作成小於基材表面粗度 (Ra),藉此可使金颺氧化物霣阻皮膜與蓋端子接觸,從而 可省略使兩者霄導之特別手段。 上述電阻值之溫度係數顯示正值之金屬氧化物皮膜, 係Μ氧化錫、氧化絪、氧化鋅中之一為主要成分,並於瑄 些金靨氧化物中,添加銻、錫、絪、鋁、紋、锆、矽等之 元素•藉此具有正TCR,可作成具有高電導性及高載«濃 度之金屬氧化物霣阻皮膜材料。 又•前述金屬氧化物絕緣皮膜•係Μ埋自由二氧化錫 、氧化鋅、氧化銻、氧化鋁、二氧化钛、二氧化锆及二氧 化矽所成之群的至少一種為主要成分,藉此使埴些金羼氧 化物可抑制因高霣阻化之薄膜化而導致降低可靠性之要因 亦即«(離子之擴散,而且不僅可抑制由水分所引起之前述 電阻皮膜之變質,且在Μ氣化錫、氧化絪、氧化鋅等為主 要成分之金屬氧化物與金鼷氧化物絕緣皮膜之接觸界面稍 微相互擴散,使前述«阻皮膜與前述絕緣皮縝進行緊密的 電性、化學性及物理性之结合,從而可抑制由高重駔化所 —準成之可靠样之暉低,3獲得專《阻、高可靠性之金羼氧 化物皮膜《阻器。 〔實施例〕 實施例1 第7圖係顯示將成自金羼氣化物之絕緣皮臢或霣阻皮 膜形成用組合物之蒸氣或重霧,供給被加热之絕緣性基材 之表面Μ形成金靨氧化物皮臢之装置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝' 、1Τ 本紙張尺度逍用中國國家揉牟(CNS ) Α4规格(210X297公釐) 10 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____B7_ 五、發明説明(8 ) 裝入用來形成金靥氧化物之基材的石英反應管11,係 藉塱圈13固定在石英爐芯管12内。插入霄爐14内之爐芯管 12,係薄驅動裝置來驅動,藉此可在霄爐14内M3®當之旋 轉速度旋轉。 容納金羼氧化物皮膜形成用組合物之原料供給器16· 係透過管18連结一用來供給載體氣《之氣髓供給器17之同 時*透過管19連结反應管11。又,反應管11之另一端則透 過管20達结排氣裝置21。 如欲使用此裝置將金屬氧化物皮膜形成於基材表面· 則首先將基材裝入反應管11内並定置於如圃所示之位置* 藉由霣爐14加熱基材,使前述金屬氧化物皮膜形成用組合 物保持可熱分解之溫度Μ上同時,使反應管11旋轉。在此 狀態下,將載«氣體從供給器17通进管18而送入原料供給 器16,並透過管19將金羼氣化物皮膜形成用組合物之蒸氣 或重霧供給反應管11,供給反應管11之前述蒸氣或重霧, 則遇上基材而進行分解,在基材面形成金鵰氧化物皮膜。 然後*來分解之金羼氧化物形成用姐合物被氣體排氣装置 21所吸收*冷卻後被收回。又*躭供給自氣體供給器17之 載«氣體而言,可使用空氣、氧、或氮、氤等之不活性氣 體。 可藉此載Μ氣《之流Μ來控制前述蒸氣或簠霧之供給 量。又*將原料供給器16加熱,或將超音波觸及原料供姶 器*藉此可控制前述蒸氣或重霧之供給量。 又,其所以使反應管11旋轉,是為將金颺氧化物皮膜 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4说格(210Χ297公釐) 11 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 經濟部中夬揉準局wc工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(9 ) 均勻地形成在基材上者。所以授給機械性振動以替代使反 應管11旋轉之動作也可。又,爐芯管12之旋轉並非不可或 缺者;在本實施例,乃為了使反應管11之旋轉潘定而固定 在爐芯管12。 第1圖係本發明之一實施例的金牖氧化物皮膜霣阻器 。其次,使用此圔來說明本實施例構成。 如該園所示,本實施例之金饜氧化物皮膜«阻器包含 有:絕緣性基材1 ;形成在前述基材1上的、具有負TCR 之金羼氧化物皮膜2;形成在前述皮膜2上的、具有正 TCR之金屬氧化物皮膜3 ;懕入前述基材兩端的金屬製蓋 端子5,6 ;焊接於前述端子的引線7,8 ;及形成在電 姐器表面的保護臢9。 Μ下第1〜6圖及第8圖中之同一符號,係表示同一 元件。 在此處,基材1只要至少在表面上具有絕緣性即可, 而Κ模來石、氧化鋁、蓳青石(cordierite)、鎂撖欖石( forsterite)、塊滑石(steatite)等之磁鐵為理想。又, 前述皮膜2係用以抑制驗離子之對於前述皮膜3之擴敗者 ;其只要為具有低於前述皮祺3之霣導性,且TCR成為負 之金鼷氧化物皮膜材料即可,其中K氧化鍚、氧化絪、氧 化鋅為主要成分者為理想。再者,前述皮膜3只要為具有 正之TCR,且具有高電導性及高載體濃之材料即可,其中 以氧化錫、氧化絪、氧化鋅為主要成分者為理想。又,於 埴些金鼷氧化物中,添加銻、錫、絪、鋁、呔、維及矽等 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X29·?公釐) 12 ------'---:--{裝-----Γ 訂 -------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局負工消费合作社印裝 A7 _B7_五、發明説明(10 ) 之元素•拜此成為具有正TCR、且具有高電導性及高載體 灌度之金羼氧化物霣阻皮膜材料。其中•於氧化錫中,添 加銻、磷、砷等;於氧化銦中,添加錫、钛、輅、矽、鈽 等;而於氧化鋅中,則添加鋁、絪等。 用來形成具有負TCR之金羼氧化物皮膜2之組合物及 用來形成具有正TCR之金靥氧化物皮膜3之組合物,係按 照K下之步»合成。 於2 0 0nl之三角堍瓶中,稱量5g之氣化錫(SnCl4 · 5Ha〇)及KSMASn+M)表示之 lOmol%之四乙酵矽(SiCoCHaCH3)« *並添加·75η1之甲酵使之溶解,Μ合成前述皮膜(2)形成 用組合物。又,於200ml之三角鴆瓶中,稱躉5g之氱化錫 (SnCl* · 5H2〇)及以式M(Sn + M)表示之3mol%之三氯化銻( SbCl3),並添加68ml之甲酵及8nl之濃蘧酸使之溶解,Μ 合成前述皮膜(3)形成用組合物。 使用第7麵之前述皮膜製造裝置,將92%之氧化鋁圓 柱狀基材1 (外徑2ππβΦ X lOmmL、Ra 0.3un)装入反應管中 •並將前述皮膜(2)形成用組合物裝入原料供給器16中。 使用空氣作為載》氣體;其氣體流董為1 Ι/min·基材1 之加熱溫度為8QQt:。又,基材1之加熱灌度,只要為低 於基材1之變形溫度或前述皮膜2之熔融點即可,加热溫 度較高者,所得之前述皮膜2之膜質較佳,而M40 0〜900 C為理想。 以80 0¾之溫度將反應管11中之基材1保持30分鐘, 並將3g之前述皮膜(2)形成用組合物送入反應管11中2 0分 ------^--1--(裝-----.丨訂^------C (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS}A4规格(210X297公釐) -13 - 五、發明説明(η) A7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 鐘,形成前述皮膜2後,再M8QQt之溫度保持10分鐘。 如此所形成之前述皮膜2之膜厚通常為幾十〜幾千ηη·本 實施例則為約250nm。 同樣•使用前述皮膜製造装置,將形成有前述絕緣皮 膜2之基材1裝入反應管中•並將前述皮膜(3)形成用組 合物裝入原料供給器16中。使用空氣作為載«氣體;其氣 «流噩為1 Ι/min,基材1之加热溫度為80〇υ。又,基材 1之加熱溫度,只要為低於基材1之變形溫度或者前述皮 膜2及前述皮膜3之熔點以下即可,加熱溫度較高者,所 得之前述皮膜3之膜質較佳,而以40 0〜90()^0為理想。 以800¾之溫度將反應管11中之基材1保持30分鐘, 並將lg之前述皮膜(3)形成用組合物送入反應管11中5分 鐘,形成前述電阻皮膜3後,再M 800C之溫度保捋10分 鎗。如此所形成之前述霣阻皮膜3之膜厚,通常為幾十〜 幾千nm,本實腌例則為15Qnm。 於形成有前述皮瞑2及前述皮膜3之基材1兩端•壓 入鍍錫之不綉鯛蓋鳙子5 * 6,用金期石切削工具修剪8 轉份之後,將鍍錫之網製引線7·8焊接於前述蓋端子5 ,6。又*蓋纗子5,6只要為可輿前述電阻皮膜3歃姆 (ormic)地接合者即可,且,引媒7,8也只要為可與前 述蓋端子5·6歐姆地接合者即可。 最後,將热硬化性樹脂漿塗佈於前述皮膜3之表面上 ,並予以乾》*然後Κ15〇υ之溫度加热處理10分鐘,形 成絕緣性之保護_9,而獾得了本發明之金属氧化物皮縝 請 先 閱 讀 背 ιέ 之 注 裝 旅 本紙張尺度遑用中國國家揉隼(CNS ) A4規格(210X297公嫠〉 14 A7 B7 經濟部中央搮準局貞工消费合作社印製 五、發明説明(12 ) 霣阻器。又·保護膜9,只要具有絕緣性與耐濕性即可。 作為材質用者,可僅使用樹脂或者含有無懺填充料者;而 硬化則除了热Μ外也可使用可視光或紫外線等之光。 實施例2 第2圓係本發明之一實施例的金羼氧化物皮膜霣阻器 。其次,使用此鼷來說明本寘施例之構成。 如該酾所示*本實施例之金羼氧化物皮_霣阻器包含 有:絕緣性基材1 ;形成在前述基材1上的、具有正TCR 之金臑氧化物皮膜3;形成在前述皮膜3上的、具有負 TCR之金饜氧化物皮膜4 ;壓入前述基材兩端的金颺製Μ 端子5,6 ;焊接於前述端子的引線7,8 ;及形成在霣 阻器表面上之保護膜9。 在此處•前述皮膜4係用來抑制由水分所造成之前述 皮膜3之變質者;其具有低於前述皮膜3之霣導性,而只 要是TCR成為負之金鼷氣化物皮棋材料即可,其中Μ氣化 錫、氧化絪、氧化鋅為主要成分者為理想。 於200ml之三角燒瓶中,稱量5g之氯化錫(SnCU· 5Ha0)、Μ式〇(Sn + M)表示之9mol%之三氣化銻(SbCl3)及 以式M/(Sn + M)表示之lOmol%之氣化嫌(FeCl3) *並添加60 ml之甲酵及8ul之濃鹽酸使之溶解,Μ合成前述皮膜(4)形 成用組合物。 使用前述皮膜製造装置,將前述皮膜(3)形成用組成 物送入反應管11中10分鐘·形成了前述電阻皮膜3。在本 實施例,前述《阻皮» 3之膜厚為約30Qni»。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210 X 297公釐) -1 5 - 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(13 ) 同樣,使用前述皮膜製造裝置,將形成有前述«阻皮 膜3之基材1装入反應管中,並將前述皮膜(4)形成用組 成物裝入原料供給器16,使用空氣作為載II氣》;其氣» 流霣為1 Ι/min,基材1之加熱溫度為800¾。又,基材1 之加熱溫度,只要為低於基材1之變形溫度或者前述皮臟 3及前述皮膜4之熔點Μ下即可,加热溫度較高者,所取 得之前述皮瞑3之瞑質3較佳,而JiUQO〜900々為理想。 KSOOC之溫度將反應管11中之基材1保持30分鏞, 並將2.4g之前述皮膜(4)形成用驵合物送入反應管11中15 分鐘,形成前述皮膜4後,再以8QDO之溫度保持1Q分鐘 。如此所形成之前述皮膜4之臢厚,通常為嫌十〜幾千nn ,本實施例則與實腌例1同。 實腌例3 第3_係本發明之一霣施例的金羼氧化物皮膜霣阻器 。其次,使用此圓,說明本發明之構成。 如該圈所示,本實施例之金颺氧化物皮膜電诅器包含 有:絕緣性基材1 ;形成在前述基材1上的、具有正TCR 之金羼氧化物2 ;形成在前述皮臢2上的、具有正TCR之 金羼氧化物皮膜3 ;形成在前述皮膜3上的、具有負TCR 之金颺氧化物皮臢4;壓入前述基材兩纗的金屬製蓋端子 5,6 ;焊接於前述蟠子的引嬢7,8 ;及形成在霣阻器 表面上之保護膜9。 於200ml之三角燒瓶中,稱H5g之氯化錫(SnCl4. 5Ha0)、Μ式MWSn + M)表示之9b〇1%之三氣化銻(SbCl3)、 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) a^m ^ϋϋ n^ii. V md I ^ In flma 、一eJ—r^l tf^i vn^i m^. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 3〇7〇i5 at B7五、發明説明(l〇 及以式MMSn+M)表示之IOboI%之三氣化络(CrCl3 · 6Η,0) ,並添加68·1之甲酵及8ml之濃鹽酸使之溶解· Μ合成前 述皮膜(4)形成用组合物。 使用前述皮膜製造装置,於反應管11中装入形成有前 述皮膜2及前述皮膜3之基材1,並將1.8g之前述皮膜 (4)形成用組合物送入反應管11中1Q分鏟,形成前述皮膜 (4)之後,再M8Q0C之溫度保持10分鐘。在本實施例,前 述皮瞑4之膜厚,係與賁施例1同樣,為約lOQnm。 比較例1 為了與其他實施例比較,於實施例2中•不形成二種 類的金羼氧化物皮膜中之金鼷氧化物皮膜4下,製作了僅 形成金羼氧化物皮膜3之霣阻器以作為比較例1。其他之 構成則與實施例2同。 比較例2 又,製作了用Μ同其他實施例比較之霣阻器作為比較 例2。 具體而言,將〇.5g之金饜氧化物皮膜形成用組合物送 入反應管中3分鐘。结果,前述皮祺3之_厚為約80nm。 其他則與比較例1同。 於表1,舉出實雎例1〜3、比較例1 ,2之结果。 又,變化率為M6QC、95%RH進行1QQ小時射濕試驗時之 霄阻值變化率。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 17 钃 A7 B7 五、發明説明(is) 表1 初期霣阻值(Ω) 完成霣阻值(kQ) TCR(ppe/t!) 變化率(%) 實施例1 260 520 -120 -0.23 實施例2 320 640 -47 -0.31 實施例3 480 960 -180 -0.14 比較例1 34 68 140 -0.26 比較例2 650 1300 -900 -5.63 (請先閔讀背面之注意事項再填寫本貰) 如表1所示,比較例1,係於完成霣阻值為ΙΟΟΙίΩΜ 下等方面,顯示其作為習知電姐器之性能。又·比較例2 ,雖因將腰厚作成較比較例1薄1/4左右而的確提高了完 成電阻值,但從赛化率之结果可知*其係顧示易受绠年變 化而可靠性俱低。 反観實腌例1〜3,其完成霣阻值均為lOOkQM上, TCR小,而且可說為一高可靠性之金鼷氧化物霣阻器。尤 其是,簧胨例3成為最高霣阻,且高可靠性的金颸氧化物 皮膜霣阻器。 又,在上逑實施例,雖是躭爾合二層或三靥不同種類 之金屬氧化物皮膜之情況作了說明*惟並不受限於此,例 如形成在基材表面之金羼氣化物皮膜雖為一曆•但構成其 一曆之金臈氧化物皮_中,一部分之領域為其電阻溫度係 數顯示正值之金靨氧化物皮膜,其他領域則為其霣阻溫度 係數顧示負值之金羼氣化物皮膜等*或者由此曆與上述所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) ,-'° 經濟部中央橾準局員工消費合作社印装 18 經濟部中央橾準局負工消费合作社印裝 A7 B7五、發明説明(16 ) 形成之多曆組合起來也可。 實胨例4 第4圖係本發明之一實施例的金靥氧化物皮膜霄阻器 。其次*使用此圓說明本實腌例之構成。 如該_所示,本實施例之金颺氣化物皮膜電阻器包含 有:絕緣性基材1;形成在基材1上之金臞氧化物絕緣皮 膜22;形成在絕緣皮膜2 2上之金屬氣化物®阻皮臢23;壓 人前述基材兩端的金靥製蓋端子5 * 6 ;焊接於前述端子 之引線7,8 ;及形成在«阻器表面之保護膜9。 在此處•基材1只要至少在表面上具有絕緣性即可, 而由镆來石、氧化鋁、Μ青石、鎂橄攬石、塊滑石等之磁 嫌所構成者為理想。又,絕緣膜22,係用以抑制(Mt雕子之 對於電阻皮膜23之擴散者;其係以二氧化錫、氧化鋅、氧 化娣、氧化鋁、二氧化钛、二氧化誥、或二氧化矽為主要 成分者為理想。又,於埴些金羼氣化物中,添加銻、錫、 絪、鋁、钛、锆及矽等之元素,薄此成為具有正TCR,且 具有高電導性及离載體濃度之金羼氧化物霣阻皮膜材料。 其中,於氧化錫中,添加娣、磷、砷等;於氧化铟中,添 加錫、呔、結、矽、鈽等;两於氡化鋅中.則添加鋁、絪 .等0 又,蓋端子5,6只要為可與電阻皮臢3歐姆地接合 者即可,又,引線7,8也只要為可與Μ端子5,6歐姆 地接合者即可。 首先’按照Μ下之步驟合成用以形成金謳氣化物絕緣 n· ftn· nn —^n i^m mt^i til· ^ ϋϋ ^^^^1 i^flu n^i-*~^ n nn ft ^flu —m^ . \ ^ Ί ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210χ297公釐) 19 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 A7 B7五、發明説明(η) 皮膜22之驵合物及用Μ形成金麵氧化物霣阻皮_之組合物 0 於200ml之三角燒瓶中,稱量l〇ml之四乙酵矽( Si(OCHaCH3)*)*並添加40ml之甲酵使之溶解,Μ合成絕 緣皮膜形成用組合物。又,於200ml之三角燒瓶中,稱量 5g之氣化錫(SnCl«· 5HaO)及換算於金)βΜ之mol數,且以 MパSn + M)表示之值為0.0 9之三氣化銻(SbCl3)·並添加68 祖1之甲酵及8b1之濃匾酸使之溶解* Μ合成霣阻皮膜形成 用組合物。 其次*使第7匾之装置•於氧化鋁份92%之匾柱狀基 材1 (外徑2ea,長度10mm,表面粗度Ra 0.3μβ)之表面· 依次形成金羼氧化物、絕緣皮膜及金靥氣化物電阻皮膜。 即•首先將前述基材1装入反應管11中•並將絕緣皮 膜形成用組合物装入原料供給器16。使用空氣作為載體氣 體;其氣«流量為1 Ι/min,基材1之加熱溫度為8001。 又,基材之加热溫度·只要為低於基材之费形溫度或所形 成之絕緣皮膜之熔點即可,加熱溫度較高者,所得之絕緣 皮膜質較佳,而Μ 600〜90010為理想。 M 800¾之溫度將反應管11中之基材1保捋30分鏡, 接著,將絕緣皮膜形成用組合物7g花费30分鏟送入反應管 11中,於基材表面形成鳐緣皮膜22之後,再Μ 800Ό之溫 度保持10分鐘。如此所形成之絕緣皮膜2 2之膜厚通常為幾 十〜幾千nm,本實施例則為300ηιι。其次,依照前述,將 形成有絕緣皮臢2 2之基材1装入反應管11中•並將«阻皮 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. I 訂 本紙浪尺度適用中國國家橾率(CNS > A4规格(210X297公釐) 20 經濟部中央橾隼局男工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明(l8 ) 膜形成用組合物装入原料供給器16。使用空氣作為載»氣 髑;其氣«流量為1 Ι/min,基材之加热溫度為800¾。又 ,此時之加热溫度,只要為低於基材1之變形溫度或跟絕 緣皮瞑22形成之霄阻皮膜2 3之熔點Μ下即可,加热溫度較 高者,所得之霣阻皮膜23之膜®較佳,而以400〜900¾為 理想。 以80Qt:之溫度將反應管11中之基材1保持3Q分鐘, 接著•將«阻皮瞑形成用組合物1.2g花費7分鐘送入反應 管11中,形成電阻皮膜23之後,再Κ80〇υ之溫度保持10 分鐘。如此所形成之電阻皮膜3之膜厚通常為嫌十〜幾千 nm。本實施例則為約2Q0nm。 接著將鍍繙之不綉綱製蓋孅子5,6壓入形成有絕緣 皮膜2 2及霣阻皮膜2 3之基材1兩嫌*用金刚石切削工具進 行8轉份之修剪後,將鍍錫之網製引線7 * 8焊接於蓋端 子 5,6。 最後,將热硬化性樹脂漿塗佈於電阻皮膜23之表面· 並予Μ乾埭,然後M 150¾之溫度加热處理1D分鐘,形成 絕緣性之保護膜9 *而獲得了本發明之金羼氧化物皮膜霣 阻器。又,保護膜9,只要具有絕緣性與耐濕性即可。作 為材質用者,可僅使用樹脂或者含有無櫬填充料者。又, 保護膜之硬化則可使用可視光或紫外線等之光。 實施例5 第5圈係本發明之一實施例的金牖氣化物皮顏«阻器 。其次,使用此圈說明本實施例之構成。 m ^^^1« m· ml ^ il^i —HI— ^nn i^n nn i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家橾隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) 21 經濟部中央標準局员工消费合作社印装 1 A7 B7 五、發明説明(ι〇 如該圖所示,本實施例之金屬氧化物皮膜霣阻器*係 於絕緣性基材1上形成金謳氧化物«阻皮_23·並在皮膜 2 3上形成金屬氧化物絕缘皮膜24方面•與*第4·者相異。 在此處,絕緣皮瞋24係用以抑制由水分所造成之電阻皮膜 23之變質者,其材料可使用與第4匾之絕緣皮膜同一之材 料。 於200ffll之三角燒瓶中,稱量2g之氯化鋁(A1C13) •並 添加75ml之甲酵使之溶解,以合成金颺氧化物絕緣皮膜形 成用組合物。 按照實施例4 *使用第7讕之装置,將基材装入反應 管11中M80DP之溫度保持30分鐘之後,將装入原料供給 器的電阻皮膜形成用組合物(與實豳例1同)2.5g·以載» 氣體(空氣)流量1 Ι/min*花费15分鐘送入反應管11中· «此在基材之表面形成«阻皮膜23;接著再^80 0¾之溫 度保持1Q分鐘。如此所取得之霣阻皮膜之膜厚為約4Q0mn 0 其次,將形成有霣阻皮膜2 3之基材1装入反應管11中 ,以800¾之溫度保持30分雄之後,將裝入原料供給器16 之上述闼緣皮膜形成用姐成物lg* Μ載艚氣體(空氣)之流 Ml Ι/min,花費15分鐮送入反應管11中,薄此在霣阻皮 膜23之表面形成絕緣皮臌24·接著再以80 Ot:之灌度保持 10分鐘。如此所形成之絕緣皮膜24之膜厚為約5Qn·。 實施例6 第6匯係本發明之一實施例的金羼氧化物皮膜霣阻器 本紙張尺度逍用中國國家揉筚(CNS ) A4规格(210X297公釐)
Bn- ^ ^^^^1 IBi^l nn In— n , \ 免 、\5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 22 m A7 B7 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 五、發明説明(2〇) 。其次,使用此鼸說明本*腌例之構成。 如該圖所示·本實施例之金羼氧化物皮膜霣阻器*偽 於絕緣性基材1上依次形成金屬氧化物絕緣皮臢22、金羼 氧化物霣阻皮膜23、及金靨氧化物絕緣皮膜24之方面•與 上述賁施例相異。 又•第4〜6·之尺寸未必為正確者。又•特別在第 5及6_中,蓋端子5 * 6看起來好像未與霣阻皮膜23接 觸,但由於基材1之表面為粗面且形成在此上之皮臢24等 者為薄膜,所以壓入皮膜24上之董斓子5 · 6部分地切削 皮膜24而與霣阻皮膜23¾接。 於20 0ffll之三角燒瓶中,稱量10B1之四異丙氧肽( Ti(OCH(CH3)CH3)4),並添加4 0ml之甲酵使之溶解,Μ合 成金雇氧化物絕緣皮膜形成用組合物。 使用第7圖之裝置,按照實施例4將依次形成有絕緣 皮膜22及霣阻皮膜23之基材1装入反廳管11中·以800它 之溫度保持3Q分鐘之後•將装入原料供給器16之上述絕缘 皮膜形成用組合物,Μ載«氣«(空氣)之流鼉1 1/Bin· 花费10分鐘送入反應管11中·箱此在«阻皮膜23之表面形 成絕緣皮膜24,接著再以80 01C之溫度保持10分鐮。如此 所形成之絕緣皮膜24之膜厚為約100η·。 比較例3 除了不形成金靥氧化物絕緣皮膜2 4M外,其餘按照實 施例5製作了電阻器。 比較例4 n^i- In m ϋ·— dr —^^1 ^ \ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) 23 A7 B7 五、發明説明(21) 將金羼氧化物皮膜形成用姐合物lg,花費5分鏟送入 反應器中*將霣阻皮膜23之膜厚作成約lDOn»M外,其餘 按照比較例3製作了霣阻器。 將Μ上之實施例4〜6及比較例3 > 4之電阻器特性 之比較列於表2。又,各完成電阻值為修剪前之«阻值之 約2QQQ倍。變化率係在溫度6Gt,相對濕度95¾下•置放 100小時後之電阻值對於置放前之霄阻值之變化率。又· 電阻之溫度係數(TCR),係25七〜125C時之值。 表2 電阻值ΟίΩ ) TCR(ppin/ V ) 變化率(% ) 實施例4 640 -400 -0· 12 實施例5 400 -500 -0.18 實施例6 820 -450 -0 . 09 比較例3 72 130 -0.06 比較例4 1360 -1000 ' -5.22 -I nn im tn^^— n^av ^ ^^^^1 u —ml nn - V 洚 i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局属工消費合作社印製 如表2所示,比較例3係在完成霣阻值為ΙΟΟΙίΩ Μ下 等方面,顯示作為習知«阻器之性能。又,比較例2由於 將膜厚作成較比較例1薄1/4左右而的確提高了完成霣阻 值•但從變化率之结果可知,其係顒示易受經年變化的低 可靠性者。 反観實腌例4〜6,完成電阻值均為lOQkQ以上之高 霣阻,TCR小,而且可說為一高可靠性之金羼氣化物皮膜 本紙法尺度逍用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 24 經濟部中央梂準局負工消費合作社印製 0 ; A7 ____B7_五、發明説明(22 ) «阻器。尤其是《實施例6成為最高«阻·且高可靠性之 金属氧化物皮膜霣阻器。 又*在上述簧施例,雖是就曆合二曆或三曆不同種類 之金羼氧化物霣阻皮膜及金羼氧化物絕緣皮膜作了說明, 惟並不受限於此•例如形成在基材表面之金羼氧化物絕缘 皮膜雖為一層,但構成其一曆之金钃氧化物絕緣皮膜中, 一部分之領域為金靨氧化物電阻皮膜,而其他領域則為金 國氧化物絕嫌皮祺等,或者*由此層與上述所形成之多層 組合起來也可。 又,上述實施例雖箱CVD法來形成金羼氧化物霣阻皮 膜及金羼氧化物絕緣皮膜•但將濺射法、真空蒸鍍等之物 理製膜法及啧》法、浸漬等之化學製膜法組合起來使用也 可。 〔產業上之可利用性〕 如上所述,依照本發明,可提供廣範園之霄阻值及 »1: · '. TCR小之金屬氧化物皮膜之電阻器,逋於民生用及產乘機 ....... 赛 器之霣路用電阻器之用途。 n^i- ^^^1 β—^f fiftv ^ ifl^i ml ml ,---¾ i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 25 m307015 A7 B7 五、發明説明(23) 元件禰號對照 1 ....絕緣性基材 2,3,4....金屬氧化物皮膜 5,6 ....蓋端子 7,8 ....引線 9 ....保護膜 11.. …反應管 12.. ..爐芯管 13____墊圈 14.. ..霣逋 15.. ..金靨氧化物形成用組合物 16.. ..原料供給器 Π....氣«供給器 18 > 19 * 20....管 22 · 24....金鼷氧化物絕緣皮瞋 23.. ..金願氧化物電阻皮臢 ^—1' —UK n-ϋ ffl .^HAr mu I ---¾ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 26

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8
    004· ip.· 修正本有無變更實贺内容是^'1予修正。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 々、申請專利範圍 第8510 37 44號申請案申諝專利範_修正本 修正日期:86年4月 1. 一種金属氧化物皮膜霣阻器•係包含: 一具有絕緣性之基材;及 一形成在前述基材上之金羼氧化物霄阻皮膜•係 至少由霣阻溫度係數顬示正值之金靥氣化物皮膜及電 阻溫度係數顬示負值之金屬氧化物皮臢所構成。 2. 依據申請專利範園第1項之金麗氧化物皮膜a阻器* 其中前述金屬氧化物電阻皮膜係包含:一形成在前述 基材上的、具有負霣阻值之溫度係數的金颺氧化物皮 臢;及一形成在此皮臢上的、具有正«阻值之溫度係 數的金臞氧化物皮膜。 3. 依據申請専利範園第1項之金靥氧化物皮膜«阻器, 其中前述金靥氧化物電阻皮膜係包含:一形成在前述 基材上的、具有正電阻值之溫度係數的金屬氧化物皮 膜;及一形成在此皮鼸上的、具有負電阻值之溫度係 數的金靥氧化物皮臢。 4. 依據申請專利範圃第1項之金屬氧化物皮膜霣阻器, 其中前述金羼氧化物電阻皮膜係包含:一形成在前述 基材上的、具有負霣阻值之溫度係數的第一金臑氧化 物皮膜;一形成在前述第一金屬氧化物皮膜上的、具 有正電阻值之溫度係數的第二金屬氧化物皮縝;及一 形成在前述第二金羼氧化物皮膜上的、具有負霣值的 溫度係數之第三金颺氧化物皮膜。 111 vm mi nn ^^^^1 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 i .線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 27 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5. 依據申請專利範第1項之金颸氧化物皮膜霣阻器* 其中前述霣阻溫度係數顯示正值之金靨氧化物皮膜, 係以氧化錫、氧化絪及氧化鋅中之至少一儷為主要成 分0 6. 依據申謫專利範園第1項之金鼷氧化物皮_霣阻器, 其中前述金羼氧化物電阻皮膜之上層及/或下層形成 有金颶氧化物絕緣皮膜。 7. 依據申諝専利範麵第6項之金羼氧化物皮膜電阻器· 其中前述基材上之金羼氧化物絕緣皮膜之膜厚,係小 於前述基材之表面粗'度。 8. 依據申請專利範麵第6項之金驅氧化物皮膜霣阻器, 其中前述金靥氧化物絕緣皮膜,係選自由二氧化錫、 氧化鋅、氧化銻、氧化鋁、二氧化钛、二氧化結及二 氧化矽所成之群的至少一種作為主要成分。 9. 依據申請専利範園第1項之金臑氧化物皮膜《阻器, 其中各主要成分之元素,相互擴散於前述金靨氣化物 霣阻皮膜、前述金屬氧化物絕緣皮膜及前述涵緣基材 之接觸界面。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐)
TW085103744A 1995-03-28 1996-03-28 TW307015B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07013295A JP3259884B2 (ja) 1995-03-28 1995-03-28 金属酸化物皮膜抵抗器
JP07151695A JP3266752B2 (ja) 1995-03-29 1995-03-29 金属酸化物皮膜抵抗器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW307015B true TW307015B (zh) 1997-06-01

Family

ID=26411287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085103744A TW307015B (zh) 1995-03-28 1996-03-28

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5889459A (zh)
KR (1) KR100246977B1 (zh)
CN (1) CN1056459C (zh)
TW (1) TW307015B (zh)
WO (1) WO1996030915A1 (zh)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6124026A (en) * 1997-07-07 2000-09-26 Libbey-Owens-Ford Co. Anti-reflective, reduced visible light transmitting coated glass article
CA2267492C (en) * 1998-04-29 2003-09-23 Morton International, Inc. Formation of thin film resistors
US7288420B1 (en) * 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
TW527735B (en) * 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
JP2002038270A (ja) * 2000-07-27 2002-02-06 Murata Mfg Co Ltd 複合酸化物薄膜の製造方法及び製造装置
US6647779B2 (en) * 2001-06-04 2003-11-18 Ngk Insulators, Ltd. Temperature sensing resistance element and thermal flow sensor using same
US7294517B2 (en) * 2001-06-18 2007-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
KR100398019B1 (ko) * 2001-08-30 2003-09-19 정영찬 저함량 알루미나계 절연기재가 대체 사용된 고용량, 고특성 산화금속 피막 저항기의 피막 제조방법
US8749054B2 (en) 2010-06-24 2014-06-10 L. Pierre de Rochemont Semiconductor carrier with vertical power FET module
CN100486110C (zh) * 2004-05-18 2009-05-06 阎跃军 温度补偿衰减器
CN101390253B (zh) 2004-10-01 2013-02-27 L.皮尔·德罗什蒙 陶瓷天线模块及其制造方法
US7253074B2 (en) * 2004-11-05 2007-08-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Temperature-compensated resistor and fabrication method therefor
US20060165143A1 (en) * 2005-01-24 2006-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nitride semiconductor laser device and manufacturing method thereof
US8350657B2 (en) 2005-06-30 2013-01-08 Derochemont L Pierre Power management module and method of manufacture
WO2007005642A2 (en) 2005-06-30 2007-01-11 Derochemont L Pierre Electrical components and method of manufacture
US8354294B2 (en) 2006-01-24 2013-01-15 De Rochemont L Pierre Liquid chemical deposition apparatus and process and products therefrom
JP5263727B2 (ja) * 2007-11-22 2013-08-14 コーア株式会社 抵抗器
CA2624098C (en) * 2008-02-28 2009-08-11 Danny Kroetch Adjustable saddle
US7959598B2 (en) 2008-08-20 2011-06-14 Asante Solutions, Inc. Infusion pump systems and methods
US8922347B1 (en) 2009-06-17 2014-12-30 L. Pierre de Rochemont R.F. energy collection circuit for wireless devices
US8952858B2 (en) 2009-06-17 2015-02-10 L. Pierre de Rochemont Frequency-selective dipole antennas
US8552708B2 (en) 2010-06-02 2013-10-08 L. Pierre de Rochemont Monolithic DC/DC power management module with surface FET
US9023493B2 (en) 2010-07-13 2015-05-05 L. Pierre de Rochemont Chemically complex ablative max-phase material and method of manufacture
CN109148425B (zh) 2010-08-23 2022-10-04 L·皮尔·德罗什蒙 具有谐振晶体管栅极的功率场效应晶体管
EP2636069B1 (en) 2010-11-03 2021-07-07 L. Pierre De Rochemont Semiconductor chip carriers with monolithically integrated quantum dot devices and method of manufacture thereof
TWM450811U (zh) * 2012-12-13 2013-04-11 Viking Tech Corp 電阻元件
WO2017123525A1 (en) 2016-01-13 2017-07-20 Bigfoot Biomedical, Inc. User interface for diabetes management system
CN113101448B (zh) 2016-01-14 2024-01-23 比格福特生物医药公司 调整胰岛素输送速率的系统
JP6751621B2 (ja) * 2016-08-10 2020-09-09 Koa株式会社 巻線抵抗器、その製造方法および加工装置
WO2018132765A1 (en) 2017-01-13 2018-07-19 Mazlish Bryan Insulin delivery methods, systems and devices
USD874471S1 (en) 2017-06-08 2020-02-04 Insulet Corporation Display screen with a graphical user interface
USD928199S1 (en) 2018-04-02 2021-08-17 Bigfoot Biomedical, Inc. Medication delivery device with icons
KR101969487B1 (ko) * 2018-09-18 2019-04-16 코윈시스템 주식회사 탄소나노튜브가 구비된 저항체
USD920343S1 (en) 2019-01-09 2021-05-25 Bigfoot Biomedical, Inc. Display screen or portion thereof with graphical user interface associated with insulin delivery
CN109988997B (zh) * 2019-03-21 2020-12-08 淮阴工学院 热敏薄膜及其制备方法和应用
CN110233015B (zh) * 2019-04-28 2023-08-15 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种水平状态下使用的连通式串联水电阻
CN111181498B (zh) * 2019-12-31 2021-08-10 华南理工大学 金属氧化物薄膜晶体管ask解调电路和芯片
USD977502S1 (en) 2020-06-09 2023-02-07 Insulet Corporation Display screen with graphical user interface

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1066654B (zh) * 1955-09-30 1959-10-08
US2934736A (en) * 1957-10-08 1960-04-26 Corning Glass Works Electrical resistor
US3217281A (en) * 1962-05-28 1965-11-09 Corning Glass Works Electrical resistor
IT1017155B (it) * 1973-07-18 1977-07-20 Conradty Fa C Massa di resistenza dipendente dalla tensione
JPS5467698A (en) * 1977-11-08 1979-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of reducing resistance of conductive material
US4400683A (en) * 1981-09-18 1983-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage-dependent resistor
DE3337171C2 (de) * 1982-10-14 1985-08-01 Jujo Paper Co. Ltd., Tokio/Tokyo Träger für elektrostatische Aufzeichnungen sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
US4766411A (en) * 1986-05-29 1988-08-23 U.S. Philips Corporation Use of compositionally modulated multilayer thin films as resistive material
JPH02256201A (ja) * 1988-03-14 1990-10-17 Taiyo Yuden Co Ltd 酸化金属皮膜抵抗器
JPH02238602A (ja) * 1989-03-13 1990-09-20 Taiyo Yuden Co Ltd 3層構成酸化金属皮膜抵抗器
US5089248A (en) * 1990-05-14 1992-02-18 Masud Akhtar Production of metallic oxides
US5323138A (en) * 1992-09-04 1994-06-21 Trw Inc. Reliable thin film resistors for integrated circuit applications
US5543775A (en) * 1994-03-03 1996-08-06 Mannesmann Aktiengesellschaft Thin-film measurement resistor and process for producing same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100246977B1 (ko) 2000-03-15
US5889459A (en) 1999-03-30
KR970703603A (ko) 1997-07-03
CN1056459C (zh) 2000-09-13
CN1148902A (zh) 1997-04-30
WO1996030915A1 (fr) 1996-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW307015B (zh)
Lee et al. All‐solution‐processed silver nanowire window electrode‐based flexible perovskite solar cells enabled with amorphous metal oxide protection
Suh et al. Synergetically selective toluene sensing in hematite‐decorated nickel oxide nanocorals
TW201131582A (en) Conductive film, method for producing the same, and touch panel
Wang et al. Environmentally friendly AgBiS2 nanocrystal inks for efficient solar cells employing green solvent processing
CN108091666A (zh) 一种非挥发性阻变存储器及其制备方法
Hu et al. Electrohydrodynamic Printing of High‐Resolution Self‐Reduced Soldered Silver Nanowire Pattern for Wearable Flexible Strain Sensors
US5342701A (en) Transition metal oxide films and gas sensors thereof
Nandi et al. NiO as Hole Transporting Layer for Inverted Perovskite Solar Cells: A Study of X‐Ray Photoelectron Spectroscopy
CN115246949B (zh) 一种还原氧化石墨烯柔性导电薄膜及其三步适度还原的制备工艺
US20230109237A1 (en) Strain gauge
JP2849388B2 (ja) 積層導電膜
US6059937A (en) Sensor having tin oxide thin film for detecting methane gas and propane gas, and process for manufacturing thereof
JPS638548A (ja) ガスセンサ及びその製造方法
JPH04370901A (ja) 電気抵抗材料
Choi et al. Transfer of functional memory devices to any substrate
KR20170083885A (ko) 투명 전극 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 전극
Li et al. High‐Temperature Conductive Stability of ITO/Pt Bilayer‐Film Electrode for Applications in High‐Temperature SAW Devices
TW202014045A (zh) 加熱器及附加熱器之物品
JP3259884B2 (ja) 金属酸化物皮膜抵抗器
JP3266752B2 (ja) 金属酸化物皮膜抵抗器
Ko et al. Preparation of ZnO nanorods on cellulose fiber paper and their charge‐generating application for waste paper recycling
JPH0620803A (ja) 薄膜抵抗器及び薄膜抵抗器の製造方法
CN104485190A (zh) 基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法
Varkey Preparation of tin disulphide thin films by solution growth