TW307015B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW307015B TW307015B TW085103744A TW85103744A TW307015B TW 307015 B TW307015 B TW 307015B TW 085103744 A TW085103744 A TW 085103744A TW 85103744 A TW85103744 A TW 85103744A TW 307015 B TW307015 B TW 307015B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- film
- oxide
- gold
- oxide film
- resistance
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
Α7 Β7 經濟部中央棣準局員工消费合作社印裝 五、發明説明(1 ) 〔技術領域〕 本發明係醑於一種,完成電阻值高到lQOkQK上,霣 姐值之溫度係數(tch)小,且具有声可靠性的金羼氧化物 皮腆霣阻器。 〔技術背景〕 金颺氧化物皮臢電阻器,一般而言如第8_所示,包 含有:棋來石、氧化鋁等之棒狀絕緣性基材1;形成在其 表面之氧化鎘或銻添加氣化錫(ΑΤΟ)之金钃氧化皮膜10; 壓入前述基材兩端的金羼製蓋端子5·6;焊接於前述端 子之引線7 | 8 ;及形成在霣阻器表面上之保護膜9。 且說,如考量可作為金麵氣化物皮膜材料利用之材科 時,由於氧化鍚為單相時電阻係數大,霣阻值之溫度係數 也可極大之負數•因此大大地受制於使用條件而不合實用 。從此理由著眼,一般乃使用電阻係数小* TCR為正或具 有近乎〇之值的ΑΤ0作為金饜氧化物材料。此等材料,由於 載《濃度高*溫度上升時,由檷極振動所引起之載體之敗 射效果大於由熱之灌發能所引起之載體濃度之增加*所Μ 具有正之TCR,並顯示金屬性霣導。如此,一般而言,霣 阻係數小者,載«壤度較高,而具有正或近乎〇之TCR;反 之,霣阻係數大者,載體濃度較低,TCR成極大之負值。 就上述金屬氧化物皮膜«阻器之製造方法而言* 一般 乃採取啧霧法或化學蒸鍍法(CVD)等之化學性製瞑法。至 於這些方法,即於600〜800Ό之加热爐中*將含有氯化錫 及三氢化銻之水溶液或有懺溶液之蒸氣*向棒狀撗來石· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 本纸張尺度適用中國國家樣準(CNS > Α4规格(210Χ297公釐) 經濟部中央橾準局員4消费合作杜印製 谷_5__五、發明説明(2 ) 氧化鋁質基材1唄霧,賴此在基材表面上形成ΑΤΟ膜(金屬 氧化物皮膜10)。再者,將金觸董嬙子5,6壓入基材1 之兩端* 一面使基材1旋轉一面使用金網石切削櫬或激光 修剪ΑΤΟ膜之一部分,將引線7,8焊接於蓋端子5,6 之後,形成樹脂製保護膜9,賴此獲得金靨氧化物皮膜霄 阻器。如此所取得之金麗氧化物皮膜霣阻器之完成霣阻值 ,如基材之大小一定的話依ΑΤΟ膜厚與修剪之_數而異· 一般而言,為10Q-100kQ之間。 如依這種習知之霄阻調整手法,則為了獾得完成霣阻 值為lOOkQ Μ上之金雇氧化物皮膜霣阻器,而可考慮把ΑΤΟ 膜之膜厚弄薄,或將ΑΤΟ膜之修剪間隔弄窄等方法。 然而,只要是習知金屬氧化物皮膜«阻器之構成,ΑΤΟ 臢之電阻係數即在約1Χ10—3〜1Χ10_*Ω · cm,因此為了 提高«阻值而必須把膜厚弄成相當薄|此時,由於膜本身 之應變,或膜表面之占膜全體之耗盡曆之比例增大而有TCR 易成為極大負值之問題。 又*由於ΑΤΟ膜之初期電阻值低,而完成霄阻值在100 ΙίΩ Μ上時,藉激光來修剪之轉數便變多,致修剪要花很 多時間之同時,修剪間隔變成通窄,在物理上存在著無法 修剪之問題。 而如上所述,如將膜厚弄成«薄,或將修剪間隔弄成 狹窄,則霄専徑路之斷面積會滅少之同時,與外界之接觸 面增加,且因«應力和湄度而受水分或.猪緣基材中之鐮雕 子之影響*導致膜本身之«阻值產生變化,不易獾得高可 I---Κ--}1(裝------—訂:------{ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(3 ) 靠性之金)氧化物皮膜霣姐器。 於是,本發明之目的係在於提供一種,不受水分之影 ^•τπ-^ι η I · ,v. 響或絕緣基材中之離子之影響,膜本身之霣阻值不舍變 - '...... .. .· 化,mm的氣凰崖北靡皮暴爲集器』 〔發明之揭露〕 本發明之第一金羼氧化物皮膜霣阻器,係包含:一具 有絕緣性之基材;及一形成在前述基材上之金廳氧化物霣 阻皮膜,係至少由電阻溫度係數顯示正值之金羼氣化物皮 膜及電阻溫度係數顯示負值之金鼸氧化物皮縝所構成。 就較佳之實腌形態而言》前述金羼氧化物霣阻皮膜有 Μ下之情況。 1) 由形成在絕緣性基材上的、具有負霣阻值之溫度係 數的金属氧化物皮膜,及形成在前述皮_上的、具有正霣 阻值之溫度係數的金羼氧化物皮膜所構成; 2) 由形成在前述基材上的、具有正霣阻值之溫度係數 的金羼氧化物皮膜,及形成在前述皮膜上的、具有負霣阻 值之溫度係數的金臑氧化物皮膜所構成; 3) 由形成在前述基材上的、具有負電阻值之溫度係數 的金颶氧化物皮膜•形成在前述皮膜上的、具有正霣阻值 之溫度係數的金羼氧化物皮膜•及形成在此皮_上的、具 有負霣阻之溫度係數的金靨氧化物皮臢所構成。 再者,較佳之實施形態更有如下之情況:即,霣阻值 之溫度係數顬示正值之金羼氧化物皮膜,係以氧化錫1氧 化銦、氧化鋅中之一為主要成分。 本紙張尺度逋用中國國家橾牟(CNS > Α4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 經濟部中央棣準局負工消費合作社印製 * 307015 A7 __B7 _ 五、發明説明(4 ) 本發明之第二金屬氧化物皮膜霣阻器•係包含: 一具有絕緣性之基材; 一金羼氧化物電阻皮膜,係由至少霣阻溫度係數顯示 正值之金羼氧化物皮膜及/或其霣阻溫度係數顯示負值之 金羼氧化物所構成;及 一金羼氧化物絕緣皮膜。 就較佳之買施形態而言·前述金鼷氧化物皮瞋霣阻器 有K下之情況。 1) 具有一形成在前述基材上之金屬氧化物絕緣皮膜及 ^形成在前述絕緣皮膜上的金羼氧化物霣阻皮膜; 2) 具有一形成在前述基材上之金羼氧化物絕緣皮膜及 一形成在前述電诅皮膜上的金羼氧化物絕缘皮膜; 3) 具有一形成在前述基材上之金羼氧化物絕緣皮膜、 一形成在前述絕緣皮膜上之金鼷氣化物電阻皮膜、及一形 成在前述電阻皮膜上之金屬氧化物絕緣皮膜。 再者•較佳之實腌形態更有如下之情況:卽,形成在 前述基材上之金羼氧化物絕緣皮腰之膜厚,係小於前述基 材之表面粗度。 又|前述金羼氧化物電阻皮膜,係以氧化錫、氧化絪 及氧化鋅中之一為主要成分;而前述金颺氧化物絕緣皮膜 係Μ選自二氧化錫、氧化鋅、氣化銻、氧化鋁、二氧化呔 、二氧化皓及二氧化矽之群的至少一種為主要成分。 〔圈式之籣單說明〕 第1圈係顬示本發明一實施例中之金羼氧化物皮膜霣 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 裝· 1'I訂 經濟部中央標準局爲工消费合作社印裝 A7 _____B7五、發明説明(5 ) 阻器之概略構成的縱斷面鬭; 第2蹰係本發明之另一實施例的、金屬氧化物皮膜霣 姐器之概略構成的縱斷面鬮; 第3鬮係本發明之更另一實施例的、金屬氣化物皮膜 電阻器之概略構成的縱斷面圈; 第4圈係本發明之更另一實施例的、金羼氧化物皮膜 電阻器之概略構成的縦斷面匾; 第5圖係本發明之更另一資胨例的、金颺氧化物皮膜 霣阻器之概略構成的縱斷面圖; 第6圖係本發明之更另一實Sfe例的、金鼷氧化物皮唭 霣阻器之概略構成的縱斷面函·, 第7圖係本發明一實施例中的金饜氧化物皮膜裝置之 概略構成縱斷面圔;及 第8圖係習知金羼氧化物電阻器之概略構成縱斷面騙 Ο 〔用以實施發明之最佳形態〕 本說明書中,金雇氧化物絕緣皮瞋,係大別為金屬氧 化物電阻皮膜與金屬氧化物絕緣皮膜;其中,所諝金羼氧 化物電阻皮膜,係意味在金属上或半導«上顯示較佳霣導 之皮膜而言,而所謂金属氧化物絕緣皮_則意味«導适低 於該金羼氧化物霣阻皮膜之皮膜而言。例如,氧化鋅、氧 化錫、氧化鈦等》可_氣缺陷量或添加元素(摻雜物)來形 成顬示半導體性電導之金屬氧化物霣阻皮膜,或形成壓霣 «等之金屬氧化物絕緣皮膜。 ϋ. In - - : If -.-- If 裝-----Γ訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 3〇7〇ί5 Λ7 -___ 一 Β7 五、發明説明(6 ) 本發明之第一金屬氧化物皮_霣阻器,係包含: 一具有絕緣性之基材;及 一形成在前述基材上之金屬氧化物®阻皮膜•係由至 少電阻溫度係數顬示正值的金饜氧化物皮膜,及其霣阻溫 度係數顯示負值之金覼氧化物皮瞑所構成。 就較佳之第一實施形態而言,可使用具有正霄阻溫度 係數之金羼氧化物皮膜,係為絕緣性基材及電阻體之主要 材料,於前述基材與前述皮膜之間,形成具有負霄阻溫度 係數之金羼氧化物皮膜,輅此來抑制因高霣阻化之薄瞑化 而導致降低可靠性之要因,亦即Λ過濾之擴散。 就較佳之第二買施例而言,可於作為絕緣性基材及霣 诅體之主要材料的、形成在前述基材上之具有正《阻係數 的金画氧化物皮膜上•形成具有負霄阻溫度係數之金羼氧 化物皮膜* «此來抑制因高電阻化之薄膜化而専致降低可 靠性之另一要因,亦即由水分所引起之具有正«阻溫度係 數的前述皮膜之變質。 就較佳之第三實施形態而言,可使用具有正霣阻溫度 係數之金屬氧化物皮膜*作為絕緣性基材及霣阻體之主要 材料•於前述基材與前述皮膜之間,形成具有負霣阻溫度 係數的金羼氧化物皮膜,再者•於具有前述正《阻值之溫 度係數的金屬氧化物皮膜上,形成具有負霣阻值之溫度係 數的金羼氧化物皮膜•《此來抑制因高《阻化之薄膜化而 専致降低可靠性之要因,亦即離子之擴敗,而且可抑制 由水分所引起之具有正霣姐溫度係數的前述皮_之變質。 本紙張尺度逍用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7_五、發明説明(7 ) 將上述金属氧化物皮膜之膜摩作成小於基材表面粗度 (Ra),藉此可使金颺氧化物霣阻皮膜與蓋端子接觸,從而 可省略使兩者霄導之特別手段。 上述電阻值之溫度係數顯示正值之金屬氧化物皮膜, 係Μ氧化錫、氧化絪、氧化鋅中之一為主要成分,並於瑄 些金靨氧化物中,添加銻、錫、絪、鋁、紋、锆、矽等之 元素•藉此具有正TCR,可作成具有高電導性及高載«濃 度之金屬氧化物霣阻皮膜材料。 又•前述金屬氧化物絕緣皮膜•係Μ埋自由二氧化錫 、氧化鋅、氧化銻、氧化鋁、二氧化钛、二氧化锆及二氧 化矽所成之群的至少一種為主要成分,藉此使埴些金羼氧 化物可抑制因高霣阻化之薄膜化而導致降低可靠性之要因 亦即«(離子之擴散,而且不僅可抑制由水分所引起之前述 電阻皮膜之變質,且在Μ氣化錫、氧化絪、氧化鋅等為主 要成分之金屬氧化物與金鼷氧化物絕緣皮膜之接觸界面稍 微相互擴散,使前述«阻皮膜與前述絕緣皮縝進行緊密的 電性、化學性及物理性之结合,從而可抑制由高重駔化所 —準成之可靠样之暉低,3獲得專《阻、高可靠性之金羼氧 化物皮膜《阻器。 〔實施例〕 實施例1 第7圖係顯示將成自金羼氣化物之絕緣皮臢或霣阻皮 膜形成用組合物之蒸氣或重霧,供給被加热之絕緣性基材 之表面Μ形成金靨氧化物皮臢之装置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝' 、1Τ 本紙張尺度逍用中國國家揉牟(CNS ) Α4规格(210X297公釐) 10 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____B7_ 五、發明説明(8 ) 裝入用來形成金靥氧化物之基材的石英反應管11,係 藉塱圈13固定在石英爐芯管12内。插入霄爐14内之爐芯管 12,係薄驅動裝置來驅動,藉此可在霄爐14内M3®當之旋 轉速度旋轉。 容納金羼氧化物皮膜形成用組合物之原料供給器16· 係透過管18連结一用來供給載體氣《之氣髓供給器17之同 時*透過管19連结反應管11。又,反應管11之另一端則透 過管20達结排氣裝置21。 如欲使用此裝置將金屬氧化物皮膜形成於基材表面· 則首先將基材裝入反應管11内並定置於如圃所示之位置* 藉由霣爐14加熱基材,使前述金屬氧化物皮膜形成用組合 物保持可熱分解之溫度Μ上同時,使反應管11旋轉。在此 狀態下,將載«氣體從供給器17通进管18而送入原料供給 器16,並透過管19將金羼氣化物皮膜形成用組合物之蒸氣 或重霧供給反應管11,供給反應管11之前述蒸氣或重霧, 則遇上基材而進行分解,在基材面形成金鵰氧化物皮膜。 然後*來分解之金羼氧化物形成用姐合物被氣體排氣装置 21所吸收*冷卻後被收回。又*躭供給自氣體供給器17之 載«氣體而言,可使用空氣、氧、或氮、氤等之不活性氣 體。 可藉此載Μ氣《之流Μ來控制前述蒸氣或簠霧之供給 量。又*將原料供給器16加熱,或將超音波觸及原料供姶 器*藉此可控制前述蒸氣或重霧之供給量。 又,其所以使反應管11旋轉,是為將金颺氧化物皮膜 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4说格(210Χ297公釐) 11 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 經濟部中夬揉準局wc工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(9 ) 均勻地形成在基材上者。所以授給機械性振動以替代使反 應管11旋轉之動作也可。又,爐芯管12之旋轉並非不可或 缺者;在本實施例,乃為了使反應管11之旋轉潘定而固定 在爐芯管12。 第1圖係本發明之一實施例的金牖氧化物皮膜霣阻器 。其次,使用此圔來說明本實施例構成。 如該園所示,本實施例之金饜氧化物皮膜«阻器包含 有:絕緣性基材1 ;形成在前述基材1上的、具有負TCR 之金羼氧化物皮膜2;形成在前述皮膜2上的、具有正 TCR之金屬氧化物皮膜3 ;懕入前述基材兩端的金屬製蓋 端子5,6 ;焊接於前述端子的引線7,8 ;及形成在電 姐器表面的保護臢9。 Μ下第1〜6圖及第8圖中之同一符號,係表示同一 元件。 在此處,基材1只要至少在表面上具有絕緣性即可, 而Κ模來石、氧化鋁、蓳青石(cordierite)、鎂撖欖石( forsterite)、塊滑石(steatite)等之磁鐵為理想。又, 前述皮膜2係用以抑制驗離子之對於前述皮膜3之擴敗者 ;其只要為具有低於前述皮祺3之霣導性,且TCR成為負 之金鼷氧化物皮膜材料即可,其中K氧化鍚、氧化絪、氧 化鋅為主要成分者為理想。再者,前述皮膜3只要為具有 正之TCR,且具有高電導性及高載體濃之材料即可,其中 以氧化錫、氧化絪、氧化鋅為主要成分者為理想。又,於 埴些金鼷氧化物中,添加銻、錫、絪、鋁、呔、維及矽等 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X29·?公釐) 12 ------'---:--{裝-----Γ 訂 -------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局負工消费合作社印裝 A7 _B7_五、發明説明(10 ) 之元素•拜此成為具有正TCR、且具有高電導性及高載體 灌度之金羼氧化物霣阻皮膜材料。其中•於氧化錫中,添 加銻、磷、砷等;於氧化銦中,添加錫、钛、輅、矽、鈽 等;而於氧化鋅中,則添加鋁、絪等。 用來形成具有負TCR之金羼氧化物皮膜2之組合物及 用來形成具有正TCR之金靥氧化物皮膜3之組合物,係按 照K下之步»合成。 於2 0 0nl之三角堍瓶中,稱量5g之氣化錫(SnCl4 · 5Ha〇)及KSMASn+M)表示之 lOmol%之四乙酵矽(SiCoCHaCH3)« *並添加·75η1之甲酵使之溶解,Μ合成前述皮膜(2)形成 用組合物。又,於200ml之三角鴆瓶中,稱躉5g之氱化錫 (SnCl* · 5H2〇)及以式M(Sn + M)表示之3mol%之三氯化銻( SbCl3),並添加68ml之甲酵及8nl之濃蘧酸使之溶解,Μ 合成前述皮膜(3)形成用組合物。 使用第7麵之前述皮膜製造裝置,將92%之氧化鋁圓 柱狀基材1 (外徑2ππβΦ X lOmmL、Ra 0.3un)装入反應管中 •並將前述皮膜(2)形成用組合物裝入原料供給器16中。 使用空氣作為載》氣體;其氣體流董為1 Ι/min·基材1 之加熱溫度為8QQt:。又,基材1之加熱灌度,只要為低 於基材1之變形溫度或前述皮膜2之熔融點即可,加热溫 度較高者,所得之前述皮膜2之膜質較佳,而M40 0〜900 C為理想。 以80 0¾之溫度將反應管11中之基材1保持30分鐘, 並將3g之前述皮膜(2)形成用組合物送入反應管11中2 0分 ------^--1--(裝-----.丨訂^------C (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS}A4规格(210X297公釐) -13 - 五、發明説明(η) A7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 鐘,形成前述皮膜2後,再M8QQt之溫度保持10分鐘。 如此所形成之前述皮膜2之膜厚通常為幾十〜幾千ηη·本 實施例則為約250nm。 同樣•使用前述皮膜製造装置,將形成有前述絕緣皮 膜2之基材1裝入反應管中•並將前述皮膜(3)形成用組 合物裝入原料供給器16中。使用空氣作為載«氣體;其氣 «流噩為1 Ι/min,基材1之加热溫度為80〇υ。又,基材 1之加熱溫度,只要為低於基材1之變形溫度或者前述皮 膜2及前述皮膜3之熔點以下即可,加熱溫度較高者,所 得之前述皮膜3之膜質較佳,而以40 0〜90()^0為理想。 以800¾之溫度將反應管11中之基材1保持30分鐘, 並將lg之前述皮膜(3)形成用組合物送入反應管11中5分 鐘,形成前述電阻皮膜3後,再M 800C之溫度保捋10分 鎗。如此所形成之前述霣阻皮膜3之膜厚,通常為幾十〜 幾千nm,本實腌例則為15Qnm。 於形成有前述皮瞑2及前述皮膜3之基材1兩端•壓 入鍍錫之不綉鯛蓋鳙子5 * 6,用金期石切削工具修剪8 轉份之後,將鍍錫之網製引線7·8焊接於前述蓋端子5 ,6。又*蓋纗子5,6只要為可輿前述電阻皮膜3歃姆 (ormic)地接合者即可,且,引媒7,8也只要為可與前 述蓋端子5·6歐姆地接合者即可。 最後,將热硬化性樹脂漿塗佈於前述皮膜3之表面上 ,並予以乾》*然後Κ15〇υ之溫度加热處理10分鐘,形 成絕緣性之保護_9,而獾得了本發明之金属氧化物皮縝 請 先 閱 讀 背 ιέ 之 注 裝 旅 本紙張尺度遑用中國國家揉隼(CNS ) A4規格(210X297公嫠〉 14 A7 B7 經濟部中央搮準局貞工消费合作社印製 五、發明説明(12 ) 霣阻器。又·保護膜9,只要具有絕緣性與耐濕性即可。 作為材質用者,可僅使用樹脂或者含有無懺填充料者;而 硬化則除了热Μ外也可使用可視光或紫外線等之光。 實施例2 第2圓係本發明之一實施例的金羼氧化物皮膜霣阻器 。其次,使用此鼷來說明本寘施例之構成。 如該酾所示*本實施例之金羼氧化物皮_霣阻器包含 有:絕緣性基材1 ;形成在前述基材1上的、具有正TCR 之金臑氧化物皮膜3;形成在前述皮膜3上的、具有負 TCR之金饜氧化物皮膜4 ;壓入前述基材兩端的金颺製Μ 端子5,6 ;焊接於前述端子的引線7,8 ;及形成在霣 阻器表面上之保護膜9。 在此處•前述皮膜4係用來抑制由水分所造成之前述 皮膜3之變質者;其具有低於前述皮膜3之霣導性,而只 要是TCR成為負之金鼷氣化物皮棋材料即可,其中Μ氣化 錫、氧化絪、氧化鋅為主要成分者為理想。 於200ml之三角燒瓶中,稱量5g之氯化錫(SnCU· 5Ha0)、Μ式〇(Sn + M)表示之9mol%之三氣化銻(SbCl3)及 以式M/(Sn + M)表示之lOmol%之氣化嫌(FeCl3) *並添加60 ml之甲酵及8ul之濃鹽酸使之溶解,Μ合成前述皮膜(4)形 成用組合物。 使用前述皮膜製造装置,將前述皮膜(3)形成用組成 物送入反應管11中10分鐘·形成了前述電阻皮膜3。在本 實施例,前述《阻皮» 3之膜厚為約30Qni»。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210 X 297公釐) -1 5 - 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(13 ) 同樣,使用前述皮膜製造裝置,將形成有前述«阻皮 膜3之基材1装入反應管中,並將前述皮膜(4)形成用組 成物裝入原料供給器16,使用空氣作為載II氣》;其氣» 流霣為1 Ι/min,基材1之加熱溫度為800¾。又,基材1 之加熱溫度,只要為低於基材1之變形溫度或者前述皮臟 3及前述皮膜4之熔點Μ下即可,加热溫度較高者,所取 得之前述皮瞑3之瞑質3較佳,而JiUQO〜900々為理想。 KSOOC之溫度將反應管11中之基材1保持30分鏞, 並將2.4g之前述皮膜(4)形成用驵合物送入反應管11中15 分鐘,形成前述皮膜4後,再以8QDO之溫度保持1Q分鐘 。如此所形成之前述皮膜4之臢厚,通常為嫌十〜幾千nn ,本實施例則與實腌例1同。 實腌例3 第3_係本發明之一霣施例的金羼氧化物皮膜霣阻器 。其次,使用此圓,說明本發明之構成。 如該圈所示,本實施例之金颺氧化物皮膜電诅器包含 有:絕緣性基材1 ;形成在前述基材1上的、具有正TCR 之金羼氧化物2 ;形成在前述皮臢2上的、具有正TCR之 金羼氧化物皮膜3 ;形成在前述皮膜3上的、具有負TCR 之金颺氧化物皮臢4;壓入前述基材兩纗的金屬製蓋端子 5,6 ;焊接於前述蟠子的引嬢7,8 ;及形成在霣阻器 表面上之保護膜9。 於200ml之三角燒瓶中,稱H5g之氯化錫(SnCl4. 5Ha0)、Μ式MWSn + M)表示之9b〇1%之三氣化銻(SbCl3)、 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) a^m ^ϋϋ n^ii. V md I ^ In flma 、一eJ—r^l tf^i vn^i m^. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 3〇7〇i5 at B7五、發明説明(l〇 及以式MMSn+M)表示之IOboI%之三氣化络(CrCl3 · 6Η,0) ,並添加68·1之甲酵及8ml之濃鹽酸使之溶解· Μ合成前 述皮膜(4)形成用组合物。 使用前述皮膜製造装置,於反應管11中装入形成有前 述皮膜2及前述皮膜3之基材1,並將1.8g之前述皮膜 (4)形成用組合物送入反應管11中1Q分鏟,形成前述皮膜 (4)之後,再M8Q0C之溫度保持10分鐘。在本實施例,前 述皮瞑4之膜厚,係與賁施例1同樣,為約lOQnm。 比較例1 為了與其他實施例比較,於實施例2中•不形成二種 類的金羼氧化物皮膜中之金鼷氧化物皮膜4下,製作了僅 形成金羼氧化物皮膜3之霣阻器以作為比較例1。其他之 構成則與實施例2同。 比較例2 又,製作了用Μ同其他實施例比較之霣阻器作為比較 例2。 具體而言,將〇.5g之金饜氧化物皮膜形成用組合物送 入反應管中3分鐘。结果,前述皮祺3之_厚為約80nm。 其他則與比較例1同。 於表1,舉出實雎例1〜3、比較例1 ,2之结果。 又,變化率為M6QC、95%RH進行1QQ小時射濕試驗時之 霄阻值變化率。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 17 钃 A7 B7 五、發明説明(is) 表1 初期霣阻值(Ω) 完成霣阻值(kQ) TCR(ppe/t!) 變化率(%) 實施例1 260 520 -120 -0.23 實施例2 320 640 -47 -0.31 實施例3 480 960 -180 -0.14 比較例1 34 68 140 -0.26 比較例2 650 1300 -900 -5.63 (請先閔讀背面之注意事項再填寫本貰) 如表1所示,比較例1,係於完成霣阻值為ΙΟΟΙίΩΜ 下等方面,顯示其作為習知電姐器之性能。又·比較例2 ,雖因將腰厚作成較比較例1薄1/4左右而的確提高了完 成電阻值,但從赛化率之结果可知*其係顧示易受绠年變 化而可靠性俱低。 反観實腌例1〜3,其完成霣阻值均為lOOkQM上, TCR小,而且可說為一高可靠性之金鼷氧化物霣阻器。尤 其是,簧胨例3成為最高霣阻,且高可靠性的金颸氧化物 皮膜霣阻器。 又,在上逑實施例,雖是躭爾合二層或三靥不同種類 之金屬氧化物皮膜之情況作了說明*惟並不受限於此,例 如形成在基材表面之金羼氣化物皮膜雖為一曆•但構成其 一曆之金臈氧化物皮_中,一部分之領域為其電阻溫度係 數顯示正值之金靨氧化物皮膜,其他領域則為其霣阻溫度 係數顧示負值之金羼氣化物皮膜等*或者由此曆與上述所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) ,-'° 經濟部中央橾準局員工消費合作社印装 18 經濟部中央橾準局負工消费合作社印裝 A7 B7五、發明説明(16 ) 形成之多曆組合起來也可。 實胨例4 第4圖係本發明之一實施例的金靥氧化物皮膜霄阻器 。其次*使用此圓說明本實腌例之構成。 如該_所示,本實施例之金颺氣化物皮膜電阻器包含 有:絕緣性基材1;形成在基材1上之金臞氧化物絕緣皮 膜22;形成在絕緣皮膜2 2上之金屬氣化物®阻皮臢23;壓 人前述基材兩端的金靥製蓋端子5 * 6 ;焊接於前述端子 之引線7,8 ;及形成在«阻器表面之保護膜9。 在此處•基材1只要至少在表面上具有絕緣性即可, 而由镆來石、氧化鋁、Μ青石、鎂橄攬石、塊滑石等之磁 嫌所構成者為理想。又,絕緣膜22,係用以抑制(Mt雕子之 對於電阻皮膜23之擴散者;其係以二氧化錫、氧化鋅、氧 化娣、氧化鋁、二氧化钛、二氧化誥、或二氧化矽為主要 成分者為理想。又,於埴些金羼氣化物中,添加銻、錫、 絪、鋁、钛、锆及矽等之元素,薄此成為具有正TCR,且 具有高電導性及离載體濃度之金羼氧化物霣阻皮膜材料。 其中,於氧化錫中,添加娣、磷、砷等;於氧化铟中,添 加錫、呔、結、矽、鈽等;两於氡化鋅中.則添加鋁、絪 .等0 又,蓋端子5,6只要為可與電阻皮臢3歐姆地接合 者即可,又,引線7,8也只要為可與Μ端子5,6歐姆 地接合者即可。 首先’按照Μ下之步驟合成用以形成金謳氣化物絕緣 n· ftn· nn —^n i^m mt^i til· ^ ϋϋ ^^^^1 i^flu n^i-*~^ n nn ft ^flu —m^ . \ ^ Ί ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210χ297公釐) 19 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 A7 B7五、發明説明(η) 皮膜22之驵合物及用Μ形成金麵氧化物霣阻皮_之組合物 0 於200ml之三角燒瓶中,稱量l〇ml之四乙酵矽( Si(OCHaCH3)*)*並添加40ml之甲酵使之溶解,Μ合成絕 緣皮膜形成用組合物。又,於200ml之三角燒瓶中,稱量 5g之氣化錫(SnCl«· 5HaO)及換算於金)βΜ之mol數,且以 MパSn + M)表示之值為0.0 9之三氣化銻(SbCl3)·並添加68 祖1之甲酵及8b1之濃匾酸使之溶解* Μ合成霣阻皮膜形成 用組合物。 其次*使第7匾之装置•於氧化鋁份92%之匾柱狀基 材1 (外徑2ea,長度10mm,表面粗度Ra 0.3μβ)之表面· 依次形成金羼氧化物、絕緣皮膜及金靥氣化物電阻皮膜。 即•首先將前述基材1装入反應管11中•並將絕緣皮 膜形成用組合物装入原料供給器16。使用空氣作為載體氣 體;其氣«流量為1 Ι/min,基材1之加熱溫度為8001。 又,基材之加热溫度·只要為低於基材之费形溫度或所形 成之絕緣皮膜之熔點即可,加熱溫度較高者,所得之絕緣 皮膜質較佳,而Μ 600〜90010為理想。 M 800¾之溫度將反應管11中之基材1保捋30分鏡, 接著,將絕緣皮膜形成用組合物7g花费30分鏟送入反應管 11中,於基材表面形成鳐緣皮膜22之後,再Μ 800Ό之溫 度保持10分鐘。如此所形成之絕緣皮膜2 2之膜厚通常為幾 十〜幾千nm,本實施例則為300ηιι。其次,依照前述,將 形成有絕緣皮臢2 2之基材1装入反應管11中•並將«阻皮 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. I 訂 本紙浪尺度適用中國國家橾率(CNS > A4规格(210X297公釐) 20 經濟部中央橾隼局男工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明(l8 ) 膜形成用組合物装入原料供給器16。使用空氣作為載»氣 髑;其氣«流量為1 Ι/min,基材之加热溫度為800¾。又 ,此時之加热溫度,只要為低於基材1之變形溫度或跟絕 緣皮瞑22形成之霄阻皮膜2 3之熔點Μ下即可,加热溫度較 高者,所得之霣阻皮膜23之膜®較佳,而以400〜900¾為 理想。 以80Qt:之溫度將反應管11中之基材1保持3Q分鐘, 接著•將«阻皮瞑形成用組合物1.2g花費7分鐘送入反應 管11中,形成電阻皮膜23之後,再Κ80〇υ之溫度保持10 分鐘。如此所形成之電阻皮膜3之膜厚通常為嫌十〜幾千 nm。本實施例則為約2Q0nm。 接著將鍍繙之不綉綱製蓋孅子5,6壓入形成有絕緣 皮膜2 2及霣阻皮膜2 3之基材1兩嫌*用金刚石切削工具進 行8轉份之修剪後,將鍍錫之網製引線7 * 8焊接於蓋端 子 5,6。 最後,將热硬化性樹脂漿塗佈於電阻皮膜23之表面· 並予Μ乾埭,然後M 150¾之溫度加热處理1D分鐘,形成 絕緣性之保護膜9 *而獲得了本發明之金羼氧化物皮膜霣 阻器。又,保護膜9,只要具有絕緣性與耐濕性即可。作 為材質用者,可僅使用樹脂或者含有無櫬填充料者。又, 保護膜之硬化則可使用可視光或紫外線等之光。 實施例5 第5圈係本發明之一實施例的金牖氣化物皮顏«阻器 。其次,使用此圈說明本實施例之構成。 m ^^^1« m· ml ^ il^i —HI— ^nn i^n nn i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家橾隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) 21 經濟部中央標準局员工消费合作社印装 1 A7 B7 五、發明説明(ι〇 如該圖所示,本實施例之金屬氧化物皮膜霣阻器*係 於絕緣性基材1上形成金謳氧化物«阻皮_23·並在皮膜 2 3上形成金屬氧化物絕缘皮膜24方面•與*第4·者相異。 在此處,絕緣皮瞋24係用以抑制由水分所造成之電阻皮膜 23之變質者,其材料可使用與第4匾之絕緣皮膜同一之材 料。 於200ffll之三角燒瓶中,稱量2g之氯化鋁(A1C13) •並 添加75ml之甲酵使之溶解,以合成金颺氧化物絕緣皮膜形 成用組合物。 按照實施例4 *使用第7讕之装置,將基材装入反應 管11中M80DP之溫度保持30分鐘之後,將装入原料供給 器的電阻皮膜形成用組合物(與實豳例1同)2.5g·以載» 氣體(空氣)流量1 Ι/min*花费15分鐘送入反應管11中· «此在基材之表面形成«阻皮膜23;接著再^80 0¾之溫 度保持1Q分鐘。如此所取得之霣阻皮膜之膜厚為約4Q0mn 0 其次,將形成有霣阻皮膜2 3之基材1装入反應管11中 ,以800¾之溫度保持30分雄之後,將裝入原料供給器16 之上述闼緣皮膜形成用姐成物lg* Μ載艚氣體(空氣)之流 Ml Ι/min,花費15分鐮送入反應管11中,薄此在霣阻皮 膜23之表面形成絕緣皮臌24·接著再以80 Ot:之灌度保持 10分鐘。如此所形成之絕緣皮膜24之膜厚為約5Qn·。 實施例6 第6匯係本發明之一實施例的金羼氧化物皮膜霣阻器 本紙張尺度逍用中國國家揉筚(CNS ) A4规格(210X297公釐)
Bn- ^ ^^^^1 IBi^l nn In— n , \ 免 、\5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 22 m A7 B7 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 五、發明説明(2〇) 。其次,使用此鼸說明本*腌例之構成。 如該圖所示·本實施例之金羼氧化物皮膜霣阻器*偽 於絕緣性基材1上依次形成金屬氧化物絕緣皮臢22、金羼 氧化物霣阻皮膜23、及金靨氧化物絕緣皮膜24之方面•與 上述賁施例相異。 又•第4〜6·之尺寸未必為正確者。又•特別在第 5及6_中,蓋端子5 * 6看起來好像未與霣阻皮膜23接 觸,但由於基材1之表面為粗面且形成在此上之皮臢24等 者為薄膜,所以壓入皮膜24上之董斓子5 · 6部分地切削 皮膜24而與霣阻皮膜23¾接。 於20 0ffll之三角燒瓶中,稱量10B1之四異丙氧肽( Ti(OCH(CH3)CH3)4),並添加4 0ml之甲酵使之溶解,Μ合 成金雇氧化物絕緣皮膜形成用組合物。 使用第7圖之裝置,按照實施例4將依次形成有絕緣 皮膜22及霣阻皮膜23之基材1装入反廳管11中·以800它 之溫度保持3Q分鐘之後•將装入原料供給器16之上述絕缘 皮膜形成用組合物,Μ載«氣«(空氣)之流鼉1 1/Bin· 花费10分鐘送入反應管11中·箱此在«阻皮膜23之表面形 成絕緣皮膜24,接著再以80 01C之溫度保持10分鐮。如此 所形成之絕緣皮膜24之膜厚為約100η·。 比較例3 除了不形成金靥氧化物絕緣皮膜2 4M外,其餘按照實 施例5製作了電阻器。 比較例4 n^i- In m ϋ·— dr —^^1 ^ \ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) 23 A7 B7 五、發明説明(21) 將金羼氧化物皮膜形成用姐合物lg,花費5分鏟送入 反應器中*將霣阻皮膜23之膜厚作成約lDOn»M外,其餘 按照比較例3製作了霣阻器。 將Μ上之實施例4〜6及比較例3 > 4之電阻器特性 之比較列於表2。又,各完成電阻值為修剪前之«阻值之 約2QQQ倍。變化率係在溫度6Gt,相對濕度95¾下•置放 100小時後之電阻值對於置放前之霄阻值之變化率。又· 電阻之溫度係數(TCR),係25七〜125C時之值。 表2 電阻值ΟίΩ ) TCR(ppin/ V ) 變化率(% ) 實施例4 640 -400 -0· 12 實施例5 400 -500 -0.18 實施例6 820 -450 -0 . 09 比較例3 72 130 -0.06 比較例4 1360 -1000 ' -5.22 -I nn im tn^^— n^av ^ ^^^^1 u —ml nn - V 洚 i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局属工消費合作社印製 如表2所示,比較例3係在完成霣阻值為ΙΟΟΙίΩ Μ下 等方面,顯示作為習知«阻器之性能。又,比較例2由於 將膜厚作成較比較例1薄1/4左右而的確提高了完成霣阻 值•但從變化率之结果可知,其係顒示易受經年變化的低 可靠性者。 反観實腌例4〜6,完成電阻值均為lOQkQ以上之高 霣阻,TCR小,而且可說為一高可靠性之金羼氣化物皮膜 本紙法尺度逍用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 24 經濟部中央梂準局負工消費合作社印製 0 ; A7 ____B7_五、發明説明(22 ) «阻器。尤其是《實施例6成為最高«阻·且高可靠性之 金属氧化物皮膜霣阻器。 又*在上述簧施例,雖是就曆合二曆或三曆不同種類 之金羼氧化物霣阻皮膜及金羼氧化物絕緣皮膜作了說明, 惟並不受限於此•例如形成在基材表面之金羼氧化物絕缘 皮膜雖為一層,但構成其一曆之金钃氧化物絕緣皮膜中, 一部分之領域為金靨氧化物電阻皮膜,而其他領域則為金 國氧化物絕嫌皮祺等,或者*由此層與上述所形成之多層 組合起來也可。 又,上述實施例雖箱CVD法來形成金羼氧化物霣阻皮 膜及金羼氧化物絕緣皮膜•但將濺射法、真空蒸鍍等之物 理製膜法及啧》法、浸漬等之化學製膜法組合起來使用也 可。 〔產業上之可利用性〕 如上所述,依照本發明,可提供廣範園之霄阻值及 »1: · '. TCR小之金屬氧化物皮膜之電阻器,逋於民生用及產乘機 ....... 赛 器之霣路用電阻器之用途。 n^i- ^^^1 β—^f fiftv ^ ifl^i ml ml ,---¾ i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 25 m307015 A7 B7 五、發明説明(23) 元件禰號對照 1 ....絕緣性基材 2,3,4....金屬氧化物皮膜 5,6 ....蓋端子 7,8 ....引線 9 ....保護膜 11.. …反應管 12.. ..爐芯管 13____墊圈 14.. ..霣逋 15.. ..金靨氧化物形成用組合物 16.. ..原料供給器 Π....氣«供給器 18 > 19 * 20....管 22 · 24....金鼷氧化物絕緣皮瞋 23.. ..金願氧化物電阻皮臢 ^—1' —UK n-ϋ ffl .^HAr mu I ---¾ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 26
Claims (1)
- A8 B8 C8 D8004· ip.· 修正本有無變更實贺内容是^'1予修正。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 々、申請專利範圍 第8510 37 44號申請案申諝專利範_修正本 修正日期:86年4月 1. 一種金属氧化物皮膜霣阻器•係包含: 一具有絕緣性之基材;及 一形成在前述基材上之金羼氧化物霄阻皮膜•係 至少由霣阻溫度係數顬示正值之金靥氣化物皮膜及電 阻溫度係數顬示負值之金屬氧化物皮臢所構成。 2. 依據申請專利範園第1項之金麗氧化物皮膜a阻器* 其中前述金屬氧化物電阻皮膜係包含:一形成在前述 基材上的、具有負霣阻值之溫度係數的金颺氧化物皮 臢;及一形成在此皮臢上的、具有正«阻值之溫度係 數的金臞氧化物皮膜。 3. 依據申請専利範園第1項之金靥氧化物皮膜«阻器, 其中前述金靥氧化物電阻皮膜係包含:一形成在前述 基材上的、具有正電阻值之溫度係數的金屬氧化物皮 膜;及一形成在此皮鼸上的、具有負電阻值之溫度係 數的金靥氧化物皮臢。 4. 依據申請專利範圃第1項之金屬氧化物皮膜霣阻器, 其中前述金羼氧化物電阻皮膜係包含:一形成在前述 基材上的、具有負霣阻值之溫度係數的第一金臑氧化 物皮膜;一形成在前述第一金屬氧化物皮膜上的、具 有正電阻值之溫度係數的第二金屬氧化物皮縝;及一 形成在前述第二金羼氧化物皮膜上的、具有負霣值的 溫度係數之第三金颺氧化物皮膜。 111 vm mi nn ^^^^1 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 i .線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 27 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5. 依據申請專利範第1項之金颸氧化物皮膜霣阻器* 其中前述霣阻溫度係數顯示正值之金靨氧化物皮膜, 係以氧化錫、氧化絪及氧化鋅中之至少一儷為主要成 分0 6. 依據申謫專利範園第1項之金鼷氧化物皮_霣阻器, 其中前述金羼氧化物電阻皮膜之上層及/或下層形成 有金颶氧化物絕緣皮膜。 7. 依據申諝専利範麵第6項之金羼氧化物皮膜電阻器· 其中前述基材上之金羼氧化物絕緣皮膜之膜厚,係小 於前述基材之表面粗'度。 8. 依據申請專利範麵第6項之金驅氧化物皮膜霣阻器, 其中前述金靥氧化物絕緣皮膜,係選自由二氧化錫、 氧化鋅、氧化銻、氧化鋁、二氧化钛、二氧化結及二 氧化矽所成之群的至少一種作為主要成分。 9. 依據申請専利範園第1項之金臑氧化物皮膜《阻器, 其中各主要成分之元素,相互擴散於前述金靨氣化物 霣阻皮膜、前述金屬氧化物絕緣皮膜及前述涵緣基材 之接觸界面。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07013295A JP3259884B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 金属酸化物皮膜抵抗器 |
JP07151695A JP3266752B2 (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 金属酸化物皮膜抵抗器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW307015B true TW307015B (zh) | 1997-06-01 |
Family
ID=26411287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW085103744A TW307015B (zh) | 1995-03-28 | 1996-03-28 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5889459A (zh) |
KR (1) | KR100246977B1 (zh) |
CN (1) | CN1056459C (zh) |
TW (1) | TW307015B (zh) |
WO (1) | WO1996030915A1 (zh) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6124026A (en) * | 1997-07-07 | 2000-09-26 | Libbey-Owens-Ford Co. | Anti-reflective, reduced visible light transmitting coated glass article |
CA2267492C (en) * | 1998-04-29 | 2003-09-23 | Morton International, Inc. | Formation of thin film resistors |
US7288420B1 (en) * | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
TW527735B (en) * | 1999-06-04 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
US8853696B1 (en) | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
TW480722B (en) * | 1999-10-12 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method of electro-optical device |
JP2002038270A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Murata Mfg Co Ltd | 複合酸化物薄膜の製造方法及び製造装置 |
US6647779B2 (en) * | 2001-06-04 | 2003-11-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Temperature sensing resistance element and thermal flow sensor using same |
US7294517B2 (en) * | 2001-06-18 | 2007-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
KR100398019B1 (ko) * | 2001-08-30 | 2003-09-19 | 정영찬 | 저함량 알루미나계 절연기재가 대체 사용된 고용량, 고특성 산화금속 피막 저항기의 피막 제조방법 |
US8749054B2 (en) | 2010-06-24 | 2014-06-10 | L. Pierre de Rochemont | Semiconductor carrier with vertical power FET module |
CN100486110C (zh) * | 2004-05-18 | 2009-05-06 | 阎跃军 | 温度补偿衰减器 |
CN101390253B (zh) | 2004-10-01 | 2013-02-27 | L.皮尔·德罗什蒙 | 陶瓷天线模块及其制造方法 |
US7253074B2 (en) * | 2004-11-05 | 2007-08-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Temperature-compensated resistor and fabrication method therefor |
US20060165143A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Nitride semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
US8350657B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-01-08 | Derochemont L Pierre | Power management module and method of manufacture |
WO2007005642A2 (en) | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Derochemont L Pierre | Electrical components and method of manufacture |
US8354294B2 (en) | 2006-01-24 | 2013-01-15 | De Rochemont L Pierre | Liquid chemical deposition apparatus and process and products therefrom |
JP5263727B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2013-08-14 | コーア株式会社 | 抵抗器 |
CA2624098C (en) * | 2008-02-28 | 2009-08-11 | Danny Kroetch | Adjustable saddle |
US7959598B2 (en) | 2008-08-20 | 2011-06-14 | Asante Solutions, Inc. | Infusion pump systems and methods |
US8922347B1 (en) | 2009-06-17 | 2014-12-30 | L. Pierre de Rochemont | R.F. energy collection circuit for wireless devices |
US8952858B2 (en) | 2009-06-17 | 2015-02-10 | L. Pierre de Rochemont | Frequency-selective dipole antennas |
US8552708B2 (en) | 2010-06-02 | 2013-10-08 | L. Pierre de Rochemont | Monolithic DC/DC power management module with surface FET |
US9023493B2 (en) | 2010-07-13 | 2015-05-05 | L. Pierre de Rochemont | Chemically complex ablative max-phase material and method of manufacture |
CN109148425B (zh) | 2010-08-23 | 2022-10-04 | L·皮尔·德罗什蒙 | 具有谐振晶体管栅极的功率场效应晶体管 |
EP2636069B1 (en) | 2010-11-03 | 2021-07-07 | L. Pierre De Rochemont | Semiconductor chip carriers with monolithically integrated quantum dot devices and method of manufacture thereof |
TWM450811U (zh) * | 2012-12-13 | 2013-04-11 | Viking Tech Corp | 電阻元件 |
WO2017123525A1 (en) | 2016-01-13 | 2017-07-20 | Bigfoot Biomedical, Inc. | User interface for diabetes management system |
CN113101448B (zh) | 2016-01-14 | 2024-01-23 | 比格福特生物医药公司 | 调整胰岛素输送速率的系统 |
JP6751621B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2020-09-09 | Koa株式会社 | 巻線抵抗器、その製造方法および加工装置 |
WO2018132765A1 (en) | 2017-01-13 | 2018-07-19 | Mazlish Bryan | Insulin delivery methods, systems and devices |
USD874471S1 (en) | 2017-06-08 | 2020-02-04 | Insulet Corporation | Display screen with a graphical user interface |
USD928199S1 (en) | 2018-04-02 | 2021-08-17 | Bigfoot Biomedical, Inc. | Medication delivery device with icons |
KR101969487B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2019-04-16 | 코윈시스템 주식회사 | 탄소나노튜브가 구비된 저항체 |
USD920343S1 (en) | 2019-01-09 | 2021-05-25 | Bigfoot Biomedical, Inc. | Display screen or portion thereof with graphical user interface associated with insulin delivery |
CN109988997B (zh) * | 2019-03-21 | 2020-12-08 | 淮阴工学院 | 热敏薄膜及其制备方法和应用 |
CN110233015B (zh) * | 2019-04-28 | 2023-08-15 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种水平状态下使用的连通式串联水电阻 |
CN111181498B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-08-10 | 华南理工大学 | 金属氧化物薄膜晶体管ask解调电路和芯片 |
USD977502S1 (en) | 2020-06-09 | 2023-02-07 | Insulet Corporation | Display screen with graphical user interface |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1066654B (zh) * | 1955-09-30 | 1959-10-08 | ||
US2934736A (en) * | 1957-10-08 | 1960-04-26 | Corning Glass Works | Electrical resistor |
US3217281A (en) * | 1962-05-28 | 1965-11-09 | Corning Glass Works | Electrical resistor |
IT1017155B (it) * | 1973-07-18 | 1977-07-20 | Conradty Fa C | Massa di resistenza dipendente dalla tensione |
JPS5467698A (en) * | 1977-11-08 | 1979-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of reducing resistance of conductive material |
US4400683A (en) * | 1981-09-18 | 1983-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage-dependent resistor |
DE3337171C2 (de) * | 1982-10-14 | 1985-08-01 | Jujo Paper Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Träger für elektrostatische Aufzeichnungen sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung |
US4766411A (en) * | 1986-05-29 | 1988-08-23 | U.S. Philips Corporation | Use of compositionally modulated multilayer thin films as resistive material |
JPH02256201A (ja) * | 1988-03-14 | 1990-10-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 酸化金属皮膜抵抗器 |
JPH02238602A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | 3層構成酸化金属皮膜抵抗器 |
US5089248A (en) * | 1990-05-14 | 1992-02-18 | Masud Akhtar | Production of metallic oxides |
US5323138A (en) * | 1992-09-04 | 1994-06-21 | Trw Inc. | Reliable thin film resistors for integrated circuit applications |
US5543775A (en) * | 1994-03-03 | 1996-08-06 | Mannesmann Aktiengesellschaft | Thin-film measurement resistor and process for producing same |
-
1996
- 1996-03-28 KR KR1019960706724A patent/KR100246977B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-03-28 CN CN96190234A patent/CN1056459C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-28 TW TW085103744A patent/TW307015B/zh active
- 1996-03-28 WO PCT/JP1996/000809 patent/WO1996030915A1/ja active Application Filing
- 1996-03-28 US US08/750,205 patent/US5889459A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100246977B1 (ko) | 2000-03-15 |
US5889459A (en) | 1999-03-30 |
KR970703603A (ko) | 1997-07-03 |
CN1056459C (zh) | 2000-09-13 |
CN1148902A (zh) | 1997-04-30 |
WO1996030915A1 (fr) | 1996-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW307015B (zh) | ||
Lee et al. | All‐solution‐processed silver nanowire window electrode‐based flexible perovskite solar cells enabled with amorphous metal oxide protection | |
Suh et al. | Synergetically selective toluene sensing in hematite‐decorated nickel oxide nanocorals | |
TW201131582A (en) | Conductive film, method for producing the same, and touch panel | |
Wang et al. | Environmentally friendly AgBiS2 nanocrystal inks for efficient solar cells employing green solvent processing | |
CN108091666A (zh) | 一种非挥发性阻变存储器及其制备方法 | |
Hu et al. | Electrohydrodynamic Printing of High‐Resolution Self‐Reduced Soldered Silver Nanowire Pattern for Wearable Flexible Strain Sensors | |
US5342701A (en) | Transition metal oxide films and gas sensors thereof | |
Nandi et al. | NiO as Hole Transporting Layer for Inverted Perovskite Solar Cells: A Study of X‐Ray Photoelectron Spectroscopy | |
CN115246949B (zh) | 一种还原氧化石墨烯柔性导电薄膜及其三步适度还原的制备工艺 | |
US20230109237A1 (en) | Strain gauge | |
JP2849388B2 (ja) | 積層導電膜 | |
US6059937A (en) | Sensor having tin oxide thin film for detecting methane gas and propane gas, and process for manufacturing thereof | |
JPS638548A (ja) | ガスセンサ及びその製造方法 | |
JPH04370901A (ja) | 電気抵抗材料 | |
Choi et al. | Transfer of functional memory devices to any substrate | |
KR20170083885A (ko) | 투명 전극 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 전극 | |
Li et al. | High‐Temperature Conductive Stability of ITO/Pt Bilayer‐Film Electrode for Applications in High‐Temperature SAW Devices | |
TW202014045A (zh) | 加熱器及附加熱器之物品 | |
JP3259884B2 (ja) | 金属酸化物皮膜抵抗器 | |
JP3266752B2 (ja) | 金属酸化物皮膜抵抗器 | |
Ko et al. | Preparation of ZnO nanorods on cellulose fiber paper and their charge‐generating application for waste paper recycling | |
JPH0620803A (ja) | 薄膜抵抗器及び薄膜抵抗器の製造方法 | |
CN104485190A (zh) | 基于电催化性能提高Cr-Si高阻膜电阻器耐湿热性能的方法 | |
Varkey | Preparation of tin disulphide thin films by solution growth |