TW304242B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW304242B
TW304242B TW84110911A TW84110911A TW304242B TW 304242 B TW304242 B TW 304242B TW 84110911 A TW84110911 A TW 84110911A TW 84110911 A TW84110911 A TW 84110911A TW 304242 B TW304242 B TW 304242B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
memory
array
patent application
item
input
Prior art date
Application number
TW84110911A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Shablamm Comp Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shablamm Comp Inc filed Critical Shablamm Comp Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW304242B publication Critical patent/TW304242B/zh

Links

Description

經濟部中央橾準局貝工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明(i ) 本發明之領域·’ 本發明提出一種使用在單一及多個處理機電腦中的記 憶體,更確切而言,是指能在多個處理機、記憶體及區域 匯流排和記憶體中進行交錯式互連的記憶體。 本發明之背景: 個人電腦(P C ),工作站和伺服器在使用主記憶時 ,由於僅有一條存取此主記憶體的路徑,因此常造成瓶頸 ,而使速度慢下來,在許多髙性能系統中的非阻隔式二次 快捷記憶體架構裡,主記憶體成了限制系統性能的瓶頸, 特別是在多處理器的系統中,近來,由於多媒體系統及共 用記憶的視訊應用,需傳輸大量增加的資料,因此,希望 能存在一種新的記憶體架構來應付大量的資料傳輸。 在過去幾年,動態隨機存取記憶體(dram)架構 並未有所突破,除了傳統多工式定址的dram ’最重要 的架構進展是視訊應用中的視訊隨機存取記憶體( VRAM),爲了提升系統性能,最近已發展出幾種先進 的記憶體架構,它們是RAMB u s ,擴充資料輸出(
Extended Data Out, EDO) ’ 叢集 E D 0 ’ 同步 DRAM (SRAM),以上是由Mi cron或Samsung公司所開發, 以及由 Mitsubishi 所開發的 CD RAM ’ RAMTR ON 所開發的EDRAM,和Mosys所開發的多區塊( MDRAM),這些新進的架構由於具備先進的架構特點 以及較高的存取速度,故可提升整體的系統性能。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -4 - A7 B7 3G4242 五、發明説明(2 ) 吾人希望存在一種能應付大量資料傳輸的記憶體,例 如是使用在資料庫,檔案和列印伺服器,多媒體應用中的 #處理機工作站、伺服器及個人電腦。 本發明之總結: 在本發明中所提出的同步多埠動態隨機存取記憶體( SMPDRAM)是將主記憶體直接地至少一個中央處理 單元(CPU),一個視訊加速器,或至少一個輸出/輸 入(I / 0)處理機,或二者以上組合的裝置相連,此種 SMP D RAM具有一個使得上述裝置能進行直接存取的 輸出入埠,而針對美國專利於1 9 9 5年3月3 1日所提 出序號No . 08/414,1 18之多區塊交錯式協定 ’可提供更佳性能的實現方案,以降低存取衝突並提升效 能,此專利的方法在此係作爲參考。SMPDRAM所具 備的連結器(crossbar )可使用在主記憶體晶片中,此記 憶體晶片包含一個與C P U直接相連的介面,而無需加入 其它邏輯或晶片組,此記憶體晶片可依據由J TAG埠傳 送的配置資訊,更新記憶體晶片的配置。 有了多埠動態隨機存取記憶體,各個C P U或處理機 可同時存取記憶體,否則的話,各個處理機必須具備自已 擁有的記憶體,此時則需要同步,或是當一處理機正在取 存一記憶體時,另一個處理器必須等待。由於多埠 DRAM的存在,對於低快捷記憶資料相符率的狀況而言 ,諸如資料庫應用、多媒體系統、多工、及多處理機系統 本紙張尺度適用中國國家檩準(CNS > A4規格(210X297公釐〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. .Λ_ 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 -5 - A7 B7 五、發明説明(3 ) 的應用,可獲致更大的產出。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 附圖簡述: 圖1 a ,lb ’ 1 C和1 e顯示了各種記憶體的定址 架構,它們分別是傳統的非交錯式記憶體、頁交錯架構記 憶體,單快捷記憶線架構記憶體、雙快捷記憶線架構記憶 體,以及四快捷記憶線架構記憶體。 圖2顯示本發明所提出的記憶體晶片。 圖3針對圖2中的記憶體晶片,顯示其中的記憶體陣 列方塊圖; 圖4中的方塊圖針對圖2中的記憶體晶片,顯示其中 的記憶體次陣列。 圖5 a ,5b及5 c中的方塊圖顯示單一,雙,和四 排的記憶體模組系統》 圖6顯示一個個人電腦系統的方塊圖。 圖7顯示一個雙C P U電腦系統的方塊圖。 圖8顯示一個四C P U系統的方塊圖。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖9中的流程圖顯示藉由多陣列交錯方式,自記憶體 晶片中讀取資料的過程。 圖1 0中的流程圖顯示藉由交錯方式,將資料寫入記 憶體晶片中的過程。 圖1 1中的方塊圖顯示一個位於單排記憶體模組和一 主機板之間的介面。 圖1 2中的方塊圖針對一個雙處理機系統的記憶體, 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS > A4規格(210X297公釐) 6 A7 B7 五、發明説明(4 ) 顯示其中單排記憶模組的資料匯流排/插槽連接狀況。 圖1 3中的方塊圖針對三或四處理機系統的記憶體, 顯示其中單排記憶體模組的資料匯流排/插槽連接狀況。 最佳實施例的詳述: 參見圖la ,lb,lc,Id和le ,其中分別顯 示了傳統非交錯式記憶體、頁交錯架構記憶體、單一快捷 記憶線架構記憶體、雙快捷記憶線架構記憶體,以及四快 捷記憶線架構記憶體的定址架構。現參見圖1 a ,傳統非 交錯式記憶體具有1 0 0 — 0至1 0 0_7的記憶體陣列 ,在定址的架構上,是將定址空間分割成相等且連續的位 址區塊,並將此些區塊總稱爲記憶陣列1 0 0,例如,對 一個8 Μ的記憶體而言,記憶陣列1 0 0 - 0,記憶陣列 1 0 0 - 1至記憶陣列1 0 0 — 7是分別被定址爲0 — 1 Μ,1-2Μ 至 7 — 8Μ。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印策 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 現參見圖lb,記憶陣列102 — 0至102 — 7定 址的方式是將位址空間分割爲許多的記憶頁(page) ’且 將這些記憶頁連續性地指定給各個記憶陣列’例如’對 1 2 8字組的記憶頁而言,記憶陣列1 〇 2 — 0所指定的 位址爲 0-127,256-383,至 2096896 一 2097023 ;記億陣列102 - 1所指定的位址是 128-255,384- 511 ’640- 767’ 至 2097024 — 2097151 ;而記憶陣列 1〇2 一 7所指定的位址則是6291584-629171 1 ’ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7____ 五、發明説明(5 ) 6292608-6292735 ’6293632-6293759 至 8388480 — 8388607。 現參見圖lc ,記憶陣列102 — 0至102-7是 以單一快捷記憶線爲基礎所構成’記憶陣列1 〇 2 - 0至 1 0 2 - 7所定址的方式是將位址空間以快捷記憶線爲單 位作分割,且將連續的快捷記憶線指定給連續的記憶陣列 。例如,對每個具有4個字組的快捷記憶線而言’記憶陣 列102 — 0所指定的位址是0-3,32 — 35,64 一 67,至 8388 5 76 — 8388579 ;記憶陣列 102 — 1所指定的位址是4 — 7,36 — 39,68 — 71至8388580 — 8388583 ;而記憶陣列 102 — 7所指定的位址則是28 — 31 ,60-63, 92 — 95 至 8388604-8388607。 參見圖Id,記憶陣列102-0至102-7是以 雙快捷記億線爲基礎所構成,記憶陣列1 0 2 - 0至 1 0 2 — 7的定址是以快捷記憶線爲單位作位址空間的分 割,且將連續的快捷記憶線指定給連續的記憶陣列。例如 ,對每個具有8個字組的快捷記憶線而言,記憶陣列 102 — 0所指定的位址爲0-7,64 — 71 ,128 -135 至 8388544-8388551 ;記憶陣列 102 — 1所指定的位址爲8 — 15 ,72 — 79 , 136 — 143 至 8388552-8399559 ;而 記憶陣列1 0 2 — 7所指定的位址則是1 1 2 — 1 2 7, 176-191,304-319 至 8388592- 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公嫠) f ·裝 訂 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(6 ) 8 3 8 8 6 0 7 ° 參見圓le ,記憶陣列102 — 0至102 — 7是以 四快捷記憶線爲基礎所構成,記憶陣列1 〇 2 - 1至 1 0 2 — 8的定址是以四快捷記憶線爲單位作位址空間的 分割,且將連續的快捷記憶線指定給連續的記憶陣列。例 如,對每個具有1 6字組的快捷記憶線而言,記憶陣列 102-0所指定的位址是0-15,128-143 , 192-207 至 8388480-8388495 ;記 憶陣列102 — 1所指定的位址是16 — 31 ,144 — 159,208 -223 至 8388496-838851 1 ;而記憶陣列102 — 7所指定的位址則 是 112-127,176 — 191,304-419 至 8388592-8388607。 對於多個中央處理單元(C P U )多線式的應用而言 ,記憶體1 0 0的架構可降低記憶體陣列存取的衝突,而 在此狀況中,由於記憶體所在的配置,在執行同一種應用 時’上述各個C P U經常會存取相同的記憶陣列。交錯式 架構可針對應用程式的定址,較平均地分佈在記憶陣列中 ,如此可降低二個C P U同時存取到相同記憶陣列的可能 性’而交錯的方式可依據操作系統的型式和系統執行之應 用程式的方式來調整,在1 9 9 5年3月3 1日提出申請 的美國專利序號No · 08/4 14,1 18中有提及記 憶體交錯的方法,在此作爲參考。 參考圖2 ’其依據本發明,顯示記憶體晶片2 〇 〇 ^ 本紙張尺度適用中關家揉準(CNS ) A4^ ( 210X297公釐) ' -9 - I--------f 裝------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 304242 五、發明説明(7 ) 參考圖3,其顯示記憶體晶片2 0 0中某一記憶陣列的方 塊圖,參考圖4,其顯示記憶晶片2 0 0中某一次記憶陣 列的方塊圖,記憶體晶片2 0 0的架構稱爲同步多埠動態 隨機存取記憶體(SMPDRAM),然而’此種架構亦 適用於其他型式的動態隨機存取記憶體(RAM),例如 靜態隨機存取記憶體(SRAM)或快閃記憶體,這種記 憶體晶片2 0 0可以是單一的半導體元件包裝。 爲說明起見,令此記憶體晶片爲一帶有8個8位元或 9位元埠的6 4百萬位元組DRAM,這些輸出入埠可區 分爲4個1 6位元埠,2個3 2位元埠或1個6 4位元埠 。此外,亦存在有8個8百萬位元組或9百萬元組的記憶 體;雖然記憶體晶片2 0 0可以具有其他數目的輸出入埠 和記憶體。 記憶體晶片2 0 0所使用的是圖1 b至1 e中所說明 的多埠交錯式協定,如此可降低二個處理機可能同時存取 相同記憶陣列所發生的時間等待耗損,藉由以快捷記憶線 爲基礎的交錯方式,各處理機可存取一記憶陣列一小段時 間,然後停止存取此記憶陣列,並釋放給已在等待的另一 個處理機。若有二個C P U將同時存取相同的記憶陣列時 ,其中一個C P U的存取動作將先延後,然而,藉由交錯 方式,使得先取得存取權的第1個C P U極有可能存取下 一個陣列,若欲存取的下一筆資料係緊接著第一筆資料放 置時,上述的延遲就可以減少,相反的,對於非交錯式的 架構而言,只要是第一個C P U欲存取的下一筆資料係與 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 10 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明(8 ) 第一筆資料連續放置時’欲存取與第一個c p u相同資料 的第2個c Ρ ϋ必須等待’因此使得延遲的時間加長。 記憶體晶片2 0 0具有若干個雙向的輸入/輸出(I /〇)捧20 1 — 〇至20 1 — 7 ’ 一個輸入/輸出匯流 排線2 0 7,一個連結器連線2 0 9 ’若干個快捷記憶選 擇器222 - 0至222 — 7 ’若干個內建快捷記憶體 204 - 0至204 — 7 ’若干個連結切換器206 — 〇 至206 — 7,若干個感應放大器214 — 0至214 — 7,若干個記憶陣列2 0 8- 0至2 0 8 — 7以及可規畫 控制器2 1 2爲說明起見’此記憶體晶片2 0 0具有8個 輸入/輸出埠2 0 1及8個記憶陣列2 0 8 ’各個記憶陣 列2 0 8 - 0至2 0 8 - 7分別連接至一個錯誤檢查及修 正(ECC)電路2 1 0 — 0至2 1 0 — 7,在工作站和 伺服器中,記憶體晶片2 0 0有支援C P U所使用的錯誤 檢查及修正功能,對於不需要E C C功能的個人電腦( PC)而言,記億體晶片200所具備的ECC可修正可 能發生的缺陷,如此可降低生產成本並提升良率,對於可 提供同位檢查的C P U而言’額外存在的位元作爲各輸出 入埠20 1的第9個位元,如下述之說明。記憶體晶片 200亦包含有列解碼器216-0至216 — 3 » 各個雙向輸入/輸出埠2 0 1 — 0至2 0 1 — 7分別 具有一個暫存器202 — 0至202_7,輸入/輸出匯 流排線2 0 7將各個暫存器2 0 2經由接結器連線2 0 9 連接至多個快捷記憶選擇器2 2 2中的各個裝置,因此, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 Λ 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210 X297公釐) 11 A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明(9 ) 對一個暫存器2 0 2的8/9位元輸入而言,各個快捷記 憶選擇器2 2 2-0至2 2 2-7/自各個暫存器2 0 2 一 0至7接收8/9位元的資料。輸入/輸出控制器 2 4 2將控制信號傳送至暫存器2 0 2,如此可根據來自 可規畫控制器2 1 2的控制信號,控制輸出入埠2 0 1和 記憶陣列2 0 8之間的資料傳送。 現參考圖3,各個陣列2 0 8包含有若干個次陣列 308 — 0至308 — 7,各個快捷記憶選擇器222 — 0至222 — 7包含有302 — 0至3 0 2 — 1 5的次快 捷記憶選擇器,如此可控制連結器連線1 0 9和各個快捷 記憶體2 0 4間的資料傳輸。快捷記憶選擇器2 2 2可以 是,例如,若干個通過電晶體(pass transistor)所構 成,此電晶體可將一個位元由連結器連線2 0 9接連至一 個次快捷記憶體3 0 4,各個快捷記憶體2 0 4包含若干 個次快捷記憶體3 0 4 — 0至3 0 4 — 8,這些次快捷記 憶體用以儲存在記憶體和輸出入埠2 0 1間傳送的資料, 各個連結切換器2 0 6包含有若干個連結切換器3 0 6 -0至3 0 5 — 1 5,如此可選擇性地將次快捷記憶體 302連接至各別的記憶體次陣列308,ECC電路 2 1 0包含若干個ECC電路3 1 0-0至3 1 〇 — 7, 各個ECC電路3 1 0 — 0至3 1 0 — 7針對所對應的一 對連結的切換器3 0 6 — 0至3 0 6 — 7,提供錯誤檢查 和修正。每一行次陣列具有一個相對應的感應放大器 3 1 4,資料將如下述之方式,針對每一次的定址動作中 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 Λ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) -12 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(10) ’在記憶次陣列3 0 8中的記憶細元中傳輸。 參考圖2,在電源開啓時,記憶體晶片2 0 0透過一 個介面埠2 2 4,接收到陣列和控制信號配置資訊,以便 規畫可再規畫控制器2 1 2,該介面埠2 2 4最好是一個 J TAG埠,此控制信號資訊的配置可以針對特定的處理 機’諸如某一族系的處理機,或針對選擇資料的信號配置 ’例如輸入/輸出信號的電壓準位,諸如低電壓電晶體-電晶體邏輯(LVTTL)或增強射撃式邏輯(GTL + )° 爲了提供位元組寫入能力,可再規畫控制器2 1 2具 有一分離的位元組致能(B E )信號2 2 3來與各輸出入 埠2 0 1相連,如此可進行寫入動作。可再規畫控制器 212具有一分離的備妥(BRDY)信號226,作爲 開機時配置資訊的一部份,而該備妥信號可經由規畫來與 任一個輸出入埠2 0 1搭配工作。可再規畫控制器2 1 2 接收位址(A0 — A24)信號2 2 8且依據開機時所出 現的陣列控制信號來定址記憶陣列2 0 8。以下將詳述此 種定址的方法。可再規畫控制器2 1 2將位址信號傳給列 解碼器2 1 6-0至2 1 6 — 3以選取記憶陣列2 0 8中 的列(rows),可再規畫控制器2 1 2將選擇信號傳送給 陣列/快捷記憶線選擇器2 1 8 — 0至2 1 8 — 3,如此 可選擇性地將連結切換器2 0 6連接至快捷記憶選擇器 2 2 2 ° 璋辨識(I D)信號2 3 0用以規畫可再規畫控制器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 -13 - 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 A7 _______ B7 五、發明説明(n) 2 1 2以定義輸出入埠2 0 1 — 〇至2 〇工_7的埠編號 (例如璋0至埠7),爲避免匯流排的衝突,各個記憶體 晶片2 0 0最好能以相同的方式動作,如此可使得同一記 憶區塊中的所有記憶晶片2 0 〇進行相同的仲裁選擇,因 此’記憶體晶片2 0 0將依據埠編號來賦予優先權,舉例 而言’埠〇具有最高的優先權,而埠7的優先權則最低, 如此使得各個處理器依照次序來作連結,而使用者亦可視 要來規畫優先權’時脈(C 1 k )信號2 3 3則提供讀寫 動作所需的時序控制。 —對選擇(S E L )信號2 4 0提供了定址記億體晶 片2 〇 〇所需的識別處理,以下將配合圖6來加以說明, 記憶體晶片2 0 0具有一個用以接收控制信號的介面。針 對與奔騰(Pentium)處理機相介面以進行記憶體讀寫動 作解碼之所需,這些控制信號可包括:AD S, CACHE,M/I 0,D/C 和 W/R。 針對陣列控制信號,可再規畫控制器2 1 2能將記憶 體陣列2 0 8和輸入/輸出埠2 0 1配置成任何數目的可 能配置型式,爲清楚說明起見,ηιΧ n2/n <2>< η3χ η4的格式係用以表示具有111埠,埠寬爲η2位元(或 n2>位元,若未使用同位),n3陣列以及陣列深度爲 n4位元的配置,舉例而言,如圖6中的說明’此配置可 以是2x32/36x8x256Kb。如圖7中之說明 ’該配置亦可以是4xl6/18x8x512Kb。如 圖8中之說明,此配置爲8x8/9x8xlMb ;或者 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. -a •Λ -14 - A7 B7 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 五、發明説明(12 ) 爲lx64/72x4x256Kb (未顯示),若記憶 體晶片200被配置爲2x32/36x8x256Kb ,舉例而言,則有4個輸出入埠存取被選取到的陣列。在 lx64/72x4x256Kb的配置中,是平行地存 取二個記憶陣列。 控制信號可搭配特定的處理機,顯示在圖2中的記憶 體晶片2 0 0配置是一個預設的配置,且可與加州, Santa Clara的Intel公司所製造的X 8 6系列處理機相容 ,此配置具有8位元寬的輸出入埠,有2 X 3 2 X 8 X 2 5 6 K的記憶配置,有錯誤檢査和修正功能,且具有單 一快捷記憶線交錯協定。 記憶體大小可藉著將其他的記憶體晶片2 0 0平行地 加入原有的記憶體晶片2 0 0而得到擴充。如圖6中的實 施例所示,可實現不同密度和配置的記憶體架構。在單一 CPU的系統,例如個人電腦中,記憶體晶片200可作 爲傳統6 4位元寬的記憶體,如此可增加8百萬位元組, 或者(如圖6所示)2 X 3 2位元寬的記憶體,其中使用 了連結器2 0 6來分隔輸入/輸出和C P U的存取。此種 2 X 3 2/3 6位元寬的架構所承受的負荷較少,但增加 了 1 6百萬位元組的記憶體,同理,若記憶體晶片2 0 0 係作爲一個4 X 1 6 / 1 8的記憶體,則所增加的記億體 爲3 2百萬位元組,此外,若其作爲一個8 X 8的記憶體 ,所增加的記憶體爲6 4百萬位元組。 各個記憶陣列2 0 8具有若干個通常是連接成行列的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) I---------f ·裝-- ·- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)
、1T
J Λ 15 - 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 A7 ___ B7 五、發明説明(13) 記憶細元(未顯示),舉例而言,這些記憶細元可以是傳 統的動態隨機存取記憶體細元,例如,對一個8陣列的記 憶體而言’這些細元可連接爲8K列及1 . 1 5 2行,成 行的細元均爲交錯的配置,如此錯誤檢査和修正電路 2 1 0可檢查出記憶陣列2 0 8中的單一缺陷,並予以修 正,甚至是影響相鄰記憶體細元的多個缺陷,而這些記憶 體細元係位於不同且交錯的記憶群。行感知放大器2 1 4 可經由選擇來與連結切換器2 0 6相連,以便將行資料指 派給快捷記憶體2 0 4。 記憶體陣列2 0 8包含三部位:資料部位,錯誤檢査 及修正(E C C )部位和一個混合部位;若有E C C的功 能,則混合部位作爲E C C之用,若無E C C之功能,貝 作爲各輸出入埠的附加位元,例如,記憶陣列可將8 K X 1K的空間用於資料,將8KX128用於ECC,若配 置有E C C之功能,或者作爲各輸出入埠的第9個位元。 各個E C C電路2 1 0-0至2 1 0 — 7具有一個用 於寫入動作的傳統式E C C產生器以及用於讀取動作的傳 統式檢查器,E C C電路2 1 0修正單一位元錯誤,並檢 知雙位元錯誤,因此,在記憶體陣列的讀取期間,E C C 電路210將檢査ECC,而在寫入期間,則產生ECC ,並透過介面璋2 2 4將E C C錯誤記錄下來。 現參見圖4,一個次陣列3 0 8包含若干個記憶行群 401 — 0至401 — 7,爲說明起見,各個次陣列可分 爲1 4 4行,在圖4中顯示出:具有行0至1 4 3的次陣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 λ -16 - 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(14 ) 列308 — 0,連結切換器306 — 0和306 - 1 ,快 捷記憶體3 0 4 — 0和3 0 4 — 1 ,以及快捷記憶選擇器 302-0和302 — 1 ,其他的次陣列308,連結切 換器3 0 6,快捷記憶體3 0 4和快捷記憶選擇器3 0 2 具有相同的架構。 各個輸入/輸出埠2 0 1 - 0係透過連結線2 0 9中 各別的互連群4 0 3 — 0至4 0 2 — 7而與各個快捷記憶 選擇器302 — 0和302 — 1相接。 各個快捷記憶體3 0 4包含有次快捷記憶體4 0 4 -0至404 — 9,各個快捷記憶體304爲4字組深X 3 6位元寬,至少可存放一次X8 6系列處理機中的4個 快捷記憶線,其中X8 6系列處理機是由加州Santa Clara的Intel公司所製造。各個快捷記憶體3 0 4可以先 暫存欲寫入的資料,直到記憶體陣列2 0 8有時間處理該 資料,而對資料的讀取而言,可預先取出下一個連續的快 捷記憶線。各個次陣列4 0 4具有一個可再規畫控制器 2 12所使用的配合用標示(tag),如此可確定是否有 快捷記憶相符(hit)發生,各個快捷記憶選擇器3 0 2 選擇性地將互連群,以及輸入/輸出埠2 0 1 - 0至 2 0 1 — 7連接至次快捷記憶體4 0 4。一對連結切換器 306 — 0至306 — 1包含有連結切換器406 — 0至 406 — 17,以便將快捷記憶體304 — 0和304 — 1中的次快捷記憶體404 — 0至404 — 8透過ECC 電路3 1 0_0連接至感知放大器3 1 4。 I紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -17 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印褽 A7 ___ _B7__五、發明説明(15 ) 參考圖2至圖4,對於快捷記億體大小的選用,應在 小快捷記憶的經濟性和大快捷記憶的儲存大容量之間作一 妥協。快捷記憶線的數目愈大,則陣列存取的機會將會減 少,而記憶頁不符(miss)發生的機會將會增加,若儲存 的快捷記憶線愈少,則陣列釋放給等待存取之其他輸出入 埠的速度愈快。藉著改變各陣列中的行數,可調整快捷記 憶體的大小。一個較大的快捷記憶體需具有較多的行以及 較少的列。 欲存取一個陣列2 0 8中的資料,首先選擇其中的列 (或記憶頁page),接著資料被感知且栓鎖在相對應的行 感知放大器2 1 4。當錯誤檢査和修正電路2 1 0將針對 記憶陣列2 0 8,如前述之方法檢查其中各列的資料,在 被定址到的記憶行中,資料將經由連結切換器2 〇 6與適 當的快捷記憶體2 0 4相接,此資料經由輸出入埠的快捷 記憶選擇2 2 2,以及經由連線2 0 9,傳送至輸入/輸 出匯流排線2 0 7,且經由輸入/輸出埠2 0 1傳送至輸 入/輸出端。如此可避免必須存取陣列2 0 8,且若另一 個處理機已存取陣列2 0 8至另一記憶頁,亦可避免潛在 的sB憶頁不符(miss)發生。 連結切換器2 0 6亦具備有SNARF功能,其中, 一個C P U可讀取另一個C P U正寫入陣列中的資料,在 此狀況下’一個記憶陣列2 0 8被連接至埠2 ο 1 - 〇中 的一個和埠2 0 1 — 〇至20 1 — 7中的至少一個填,其 中埠2 0 1 — 〇至2 0 1 — 7係用於資料的寫入,而埠 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝_ 、?τ. λ 18 - S04242 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 ( 16 ) 2 0 1 — 0 和 2 0 1 一 7 則 用 於 資 料 的 讀 取 同 理 資 料 可 由 一 輸 出 入 埠 傳 送 至 另 一 埠 例 如 當 C P U 直 接 存 取 輸 入 / 輸 出 裝 置 時 〇 記 憶 陣 列 2 0 8 的 行 是 成 群 存 在 的 舉 例 而 以 8 行 爲 '~- 群 各 個 行 群 被 連 結 至 連 結 切 換 器 其 中 的 連 結 切 換 器 將 依 據 陣 列 和 控 制 配 置 資 訊 將 各 行 連 接 至 快 捷 記 憶 體 2 0 4 此 處 的 連 結 切 換 器 是 — 個 8 X 8 的 切 換 器 〇 當 埠 2 0 1 連 接 至 — 陣 列 2 0 8 時 根 據 快 捷 記 憶 選 擇 位 元 , 如 表 I 至 IV 中 的 說 明 A 0 和 A 1 位 址 信 號 2 2 8 而 且 若 有 業 集 存 取 動 作 發 生 時 快 捷 記 憶 線 交 錯 式 協 定 ( 線 性 或 灰 階 式 ) 埠 2 0 1 所 用 之 1 6 個 次 快 捷 記 憶 體 3 0 0 中 的 — 個 將 針 對 各 個 週 期 透 過 其 快 捷 記 憶 選 擇 2 2 2 連 接 到 埠 2 0 2 的 輸 入 / 輸 出 匯 流 排 線 2 0 7 直 到 兩 者 間 的 資 訊 傳 遞 結 束 0 各 個 次 快 捷 記 憶 體 均 具 有 一 個 各 個 輸 入 / 輸 出 位 元 所 使 用 的 位 元 因 此 須 具 備 4 個 次 快 捷 記 憶 體 以 供 應 —· 個 快 捷 記 憶 線 而 每 一 次 有 4 個 快 捷 記 憶 線 暫 存在 各 個 輸 出 入 埠 或 各 組 輸 出 入 埠 中 的 各 個 陣 列 中 〇 根 據 埠 配 置 可 如 表 I 中 所 示 地 定 址 快 捷 記 憶 線 和 陣 列 而 交 錯 式 的 協 定 可 分 別 提 供 諸 如 單 一 二 個 或 4 個 能 暫 存 4 8 或 1 6 字 組 的 交 錯 方 式 0 在 表 —. 中 括 弧 ( ) 中 的 數 巨 等 於 存 放 於 快 捷 記 憶 體 Γϋζ. 中 字 組 的 數 量 A 0 — A 1 位 址 信 號 2 2 8 係 使 用 在 非 叢 集 動 作 中 如 此 可 白 ^· 個 快 捷 記 憶 線 中 選 取 — 個 別 的 字 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS > A4規格(210X297公釐) -19 - A7 B7五、發明説明(17)組。 ---------^威------1T------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -20 - A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明(18 ) 表I —陣列/讎記讎選擇 交錯協定 記憶體 單⑷ 雙⑻ 四(1 6) 頁 埠 架構 陣列/快捷記讎選擇 選擇 ID (s) 8X8/9X8xlMb A2-4/A5-9 A3-5/A2, 6-9 A4-6/A2, 3, 7-A9 A10-22 3 4X16/18X8X512 Kb A2-4/A5-8 A3-5/A2, 6-8 A4-6/A2, 3, 7, 8 A9-21 2 2X32/36X8X256 Kb A2-4/A5-7 A3-5/A2, 6-7 A4-6/A2,3,7 A8-20 1 1X64/72X4X256 Kb A2,3/A4-6 A3,4/A2, 5, 6 A4, 5/A2, 3, 6 A7-19 0 -;---------f -裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
J Λ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 A7 B7五、發明説明(19) 快捷記憶線的分佈構成了表π,最高次位址(ah ) 是A22位址信號228。 __表 II - for 8x8/9xSxlMb (ah = A22)_ ~ Anay4 ATay3 Aray2 />nay1 ; MayO Line#; _Anay7_Anay6 j〇nay5 2,097,149 : 2CH7,151 : a〇Sf7,150 ; 2,097,149 : ^007,148 : 2,097,147 2,097,146 : 2,097,145'乏597^^';飞5^:12+'「_^^石1'—云0^'1:33了''^^^运 ................................................................................................ 之097,144 aCB7^36 ncciy: ^XX\ '259<rli 159^2 63! 62! 61: 60Ϊ 5Θ: 5S: 57i 56! s : — 一可' 51厂 ~49Ϊ""""" ~7: 4T: 4© 45; 44! 4Ϊ 42 41! 4tt 6 3Θ: 38: 37: 36; 35: 34; 33; 32丨 5 31: 30; 29| 28: 27 26 25: 执 4| 23: 22: 21: 20丨 19 18: 17: 16: a 15: 14; 13 12: 11: ία 9: 8: a ; J, — 6:…·"… 5i 4| 3: 2 1ΐ 0: 1! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 記憶陣列2 0 8可分割爲兩個共同工作的組群;各組 群具有其自身所擁有的交錯式結構,各個記憶陣列2 0 8 組群具有交錯式位址’此位址不同於其他記憶陣列組群的 交錯式位址,例如,記憶陣列2 0 8可分割爲兩個組群’ 第一個組群係作爲共有視訊記憶體的二個陣列2 0 8 一0 至2 0 8 - 1 ’而第2組群係作爲主記憶體的六個陣列 2^0 8 — 2至2 0 8 — 7 ’其中’六個陣列2 0 8彼此交 錯,而其他二個陣列亦彼此交錯’可能的組群爲:2 1 6 ,3 1 5 ,4 1 4 ’然而’若存在有超過一整列的晶片時 ,則只使用到4/4或8/0的組群’這種組群將影響到 陣列和快捷記憶線的選擇’各個組群擁有其本身特有的解 碼功能’如此可保證不會有一個連續的快捷記憶線存在於 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(2丨〇〆297公釐) -22 - 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 304242 at B7 五、發明説明(2〇 ) 相同的陣列中,並可簡化解碼,快捷記憶線和陣列可以表 m所示之4陣列交錯方式來定址。 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) .I---------f 裝------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -23 - A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 _B7 五、發明説明(21 ) 表m—4陣列交錯 交錯協定 記憶體 單(4 ) 雙(8 ) 架構 陣列/快捷記憶線選擇 選擇 8 X 8/9 X 8 X 1Mb A2,3,22/ A4-8 A3, 4, 22/ A2,5-8 A4,5,22/ A2,3,6-8 A9-21 4X16/18X8X512 Kb A2,3,21/ A4-7 A3,4,21/ A2,5-7 A4,5,21/ A2, 3, 6, 7 A8-20 2 x 32/36 x 8 x 256 Kb A2,3,20/ A4-6 A3,4,20/ A2,5, 6 A4, 5, 20/ A2, 3, 6 A7-19 1 x 64/72 X 4 X 256 Kb A2, 19/ A3-5 A3,19/ A2,4,5 A4, 19/ A2, 3,5 Al A2 A3 A4 J---------f 袭-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
J Λ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -24 - A7 B7 五、發明説明(22 )4/4的快捷記憶線分佈構成表IV。 _表 IV - for 8x8/9x8xlMb (Ah = A22)
Array7 Aray6 i Arrays ; Aray4 2/397,151 : 2,097,150 ; 2,097,149 5 2^397,148 一一 .》«ί>·.ι_ι III.· I "和——- - --m-rr· -Γι l l _ _ 周 l_ . . l. 2,007,147; 2,097,146 I 2,007,145 * ^007,144 一一·“··“· ------,, ---,—— ^097,139 ΐ ^097,138: 2,097,137; Ζ097,136 1,048,607! 1t04ae〇6i 1,048,605: 1¾¾¾ 丁 1,048,(1¾
Anay3 i Anay2 i Anayl AnayO Line#: W8575 ToiasyT Tcwb'^ Τ0485Ώ 1,048574; 1,048,573; 1^)48,572: _ I· _>· _I· I_¥·,_一· 1,018570 : 1,048^69 : 1,048568 : 25EKr1 1,04^566; 1,048565; 1,01^564 256K2 1,018^62; 1,048,561 i 1,048560: 256K3:
1,048,591 ; 1.C 1,048596 Tf048^2* 7,0¾¾ TC48584 ;1,048,582 ; ΐ:·ό^έέΤ…Τ:6^^ό· 75¾¾ 丁 發 31 3〇i 29i 28! s 27 26丨 25! 24! 7 23 22! 21 I 20! e "Ϊ9 18 i 17: 16 i 5; 15 14 i 13: 12! 4 ~ 10; 9: 8; 3 7 6; 5; 4; 2 3 2; 1 : 0 1: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 對於2/6和3/5交錯方式而言,類似表IV中的樣 式是可以使用的,然而’表V顯示了 一種可簡化位址解碼 的另一種樣式。 訂 經濟部中央榡準局員工消費合作衽印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 25 - 7 Β 經濟部中失標準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明(23 ) 表V—2/6或3/5陣列交錯
交錯協定 記憶體 單(4) 雙(8) 四(1 6) 頁 架構 快捷記憶線/陣列選擇 A H 選擇 8X8/9X8xlMb AS〇- i/CLS〇, 1, A4-6 ASo, ι/CLSo, l, A2,5, 6 AS〇, ι/CLSo· 1, A2, 3, 6 22 A7-19 4X16/18X8X512 Kb AS〇, ι/CLSo, l, A4,5 AS〇, ι/CLSo, i, A2,5 AS〇,ι/CLSo, 1, A2,3 21 A6-18 2X32/36X8X256 Kb AS〇, ι/CLSo, l, A4 AS〇, ι/CLSo, 1, A2 N/A 20 A5-17 1X64/72X4X256 Kb N/A N/A N/A (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 λ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -26 - A7 304242 B7__ 五、發明説明(24) 其中Ah爲最高次位址’而Al爲最低次位址。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 對於6 L / 2 U ( 6個陣列爲低次陣列’而2個陣列 爲高次陣列)交錯方式而言’位址的選擇信號可定義爲: AS2 = Ml+i/Al + AhAh-1+ Ah/Al; ASi = /AhAl + AhAh-1; AS〇 = AH-2; CLSi = Ah/Ah-1 + Al+1Al + AhAl; CLS〇 = /AhAh-1 + AhAl+i 6 L/2 U的快捷記憶線分佈構成了表VI ° 表 VI - 6L / 2U for 8x8/9x8xlMb (Ah = A22) :ATay7 Anay6 Aray5 Anay4 Aray3 Array2 Arayl finayO ; Line# ;2,007,151 ; 2,C07,15O 1,572,861 1^2,800 1,048575: 1,048574 1,572,863! 1^72,862 : 256K [1^,007^ 1,835,006 1310,717: 1310716 524287: 5242B6 1,310,719: 1^10,718^ 2S6K-1 786^429 ! 78^428 78W31 : 1,048#; ί 1,83B,0Q5: 1,835,0¾ 26ai41 : 26ai40; 262*143 丨 262J42 524285: 524284; 256Κθ; : · : · i · ; · ·'·"·:· » 丨» i»」 i : :: ·:·'·!· 參 丨雖丨 »: ; · : · ; 9 ί 參 : : : : : ·:··:» 參 :#丨· : · ! ♦ ♦丨 參; :1,835t015; 1,835,014 1310,725: 1^10,724 786,439 ! 786^438: 130,727^13107¾ 丨 8; ί 1572,871 : 1572,870 Γ'ί^έ^Τ'Τ^0Ϊ2 1,0«^81 : 1,048590 26^151 丨 262,150: 1,018,583: 1,048582 j 7 —品涵……………^4^';.一7^^Tm7Q5^e}——飞 I 1,572^69! 1572^68 ΓΤ^;οτΓΠ^οϊο' 5! 4; 7| 匕函㊉运河__5_ j 1,572,867; 1,572,806 Γι,835ΑβΤι33^ι5' 1,wa577; 1,048,576: 262,147; 262,146: 1,048,579: 1,048^78; 3 ;1,572,866: 1572,864 1 : 0 3i 2 262,146; 262,144; 1 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 對於2L/6U交錯方式而言,AS信號是反相的。 對於5 L/3 U交錯方式而言’位址選擇信號可定義 本紙張尺度逋用中國國家梂準(CNS〉A4规格(210X297公嫠) -27 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(25 ) AS2=AL+1Al/Ah + AhAh-1 + AhAh-2; ASi=/Ah/Al+1 + Ah/Ah-I/AlAh-2 + AHAlAH-1 + AhAh-1/Ah-2; AS〇=/Al+i/Al/Ah + /Ah/AlAh-1 + Ah/Al + Ah/Ah-iAh-2; CLSI = Ah-iAh-2 + Ah-i/Ah-2/aL + / AH-l/ aH-2Al;
CLS〇 = /AhAh-2 + Ah-1/Al+iAl + Al+iALAH 5 L/3 U的快捷記憶線分佈構成了表W。 表 VII - 5L / 3U for 8x8/9x8xlMb (Ah = A22)
Aray6 Aray5 Anay4 Aray3 Aray2 Arayl Ara/0 Lire# :1,835,a»: a〇97,151 : aG07,148 1,Οί8575: 1,048572 聊 573: 1,048574: 131Q719 256K 1,835,006: ZC07,149: 戰150 2Gai43: 786,428 262,141 : 786,430; 13ia717 259<·1 ;1,5Ώ,8Θ3: 1,835,007: 成863 E2A2S7. 524284 524285': 1310716; 524^6 259^-2 :1^2,862; 1,835,005: 1572.861 7Β&431 i 262,140^ 78&429ί 1310718; 2^142 259« 參 • • • • • • 參 參 • • • • • • • ;1,52,868 1,835,015 i 1,835,012 786Ι43Θ; 786^436 786^437; 786^438 i 1,048,583; 8 ;1^870 1,8$t013! 1,835,014 7! 524292 5; 5^29^! 1,018^81 : 7 i 1310^24 131^727 262,151: 松148 262,149; 1,048580: 2B2,150; 6 ;1310-7¾ 1,572369: 131QT25 524295: 4 524293; 1,048582: 6: 5 ! 1,572,8^ 1,835,011 : 1,835,006 78^435: 78^432 786^433: 786^; 1,018579: 4 ί 1,572.806 1,825,0C6i 1,835,010 3: 524238 1 : 5^290 Ϊ 1,018,577* 3 j 1^CV72D 1,572,857: 13ΐα^23 23^147; 22,144 262,145! 1,048,576! 运 146; 2 ! 1310,722 1,572,865! 131Q721 524,291 : 0 524239; 1,0^578 2; 1 對於3 L/5 U交錯方式而言,A S信號是反相的。 亦可使用其他的樣式’這些樣式簡化了解碼’也保證 不會有二個連續的快捷記憶線存在於相同的陣列中,各個 樣式是具有4個快捷記億線的增量’且在各個記憶頁中重 覆出現,各記憶頁中的增量與輸出埠的組群相關。 參考圖5a ,5b和5c ’它們分別顯示出一個,二 個和四個單排記憶模組系統5 0 0,5 0 1和5 0 2的方 塊圖。特別值的注意的是在圖5 a中,系統5 0 0包含一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ 訂 -28 - A7 B7 五、發明説明(26 ) 對處理器5 〇 4 — 0和5 0 4 - 1 ’以及一個單排記憶模 組5 〇 6 — 〇,它包含了同步同埠動態隨機存取記憶體( SMPDRAM) 508 — 0 至 508-3,此模組 5 0 6可以是以下圖1 1所說明的單排記憶體模組( (S IMM) 1 102,而系統500的連結可以是圖 1 2所說明的方式,處理器5 0 4-0的資料匯流排 5 1 〇可區分爲組群5 1 0 — 0至5 1 0 — 3,各個組群 具有預設的位元數目,同理,處理機5 0 4 — 1的資料匯 流排512可區分爲組群512-0至512 — 3,各個 組群具有預設的位元數目。組群5 1 0 — 〇至5 1 0- 3 和5 1 2 - 0至5 1 2_ 3最好各包含各資料匯流排 510和512的相同位元,510-0至510 — 3中 的各個組群係連接至各別的SMPDRAM 508-0 至508-3 ;同理,512-0至512 — 3中的各個 組群將連接至一各別的SMPDRAM 5 0 8 - 〇至 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. -訂. 經濟部中央標準局員工消費合作社印簟 I ο 1 是匯個資 4 1M1 以料各的 06A 圖可資 ,1 5 o R 下結的 7 一 機 5D 以連 ο 1 4 理組 P 是的 一 4 ο 處模 Μ 以 1415 對體 S 可 005 器 一 憶了 6 5 5 至理 含記含 ο 統機 ο 處 包的包 5 系理 -, 1 排 6 組,處 4 理 ο 單 ο 模 2 。 1 同 5 對 5 , ο 式 5 , 統一組 3 1 方群目 系及模 I 1 的組數 , 以個 8 Μ 明爲元 b ,各 ο Μ 說分位 51 > 51 所區的 。 圖 I 1 至 S 中可設 3 見 4 _ ο 的 24 預 | 參 ο 6 I 明 1 1 有 8 現 508 說圖 5 具 ο 和 5 0 所下排群 5 ο 和 5 中以流組 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29 - A7 B7五、發明説明(27 ) 料匯流排5 1 6可區分爲組群5 1 6 — 0至5 1 6 — 7 , 各個組群具有一預設的位元數目。5 1 4 - 〇至5 1 4 — 匯 料 資’ 個 ο 各 | 含 4 包 1 好 5 最群 群組 組。 的元 7 位 I 同 6 相 I 的 5 6 至 1 ο 5 - 和 6 4 II 5 5 和排 7 流 4 1 5 2 - 4 IX 5 ο 6 IX 5 群 組 和 6 I 4 5 2 的 I 1 6 I 1 6 5 ο , 5 8 組 1 模 5 至和 接 ο 連 I 各 8 6 1 I 5 6 1 Μ 5 A , R 4 D I p 6 M IX Qw 5 別 ’ 各 5 I 6 1 I 5 4 , 1 3 5 1 , 6 3 1 i 5 4 , X 1—I 5 1 , 6 IX 1± - 5 4 群 1 組 5 和 群 7 組一 , 4 00 1J_ I 5 5 ^--------^ ^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 別 各。 的 3 ο I I 8 6 1 ο 5 5 和 組 ο 模 I 至 8 接 1 連 5 自 各 Μ 7 A - R 6 D 1 p 5 M , s 4 至 o o 5 I 機 6 理 o 處 5 對組 一 模 含憶 包記 2 排 ο 單 5 個 統 4 系及 ’ 以 C , 5 1 圖 I 見 4 參 ο 5 和 8 3 5 排 流 Μ 匯 Α 料 R資 D的 ρ ο Μ - 5 4 含 ο 包 5 6 機 ο 理 5 處 組。 模 3 各-, 8 3 3 I 5 6 至 ο ο 5 | 5 5 至機 ο 理 1 處 4 > 2 理 5 同 群’ 組目 爲數 分元 可位 4 的 2 設 5 預 2 ο 有排 具流 二二丨 vum 群匯 組料 各資 ’ 的 7 1 I 1 4 4 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 具 群 組和 個 7 各-, 4 7 2 1 5 6 至 2 ο 5 | 至 4 ο 2 - 5 6 群 2 組 5 , 群目 組數 爲元 分位 可的 6 設 2 預 5 有 5 5 4 排 2 流 5 匯, 料 ο 資 I 別 4 各 2 含 5 包群 各組 好’ 最元 7 位 1 同 6 相 2 的 5 6 至 2 ο 5 - 和 6 4 2 2 6 一 2 6 5 3 和 , 5 2 ο 組 I | 模 8 6 至 2 2 接 5 5 連 群自 Μ 組各 A 和 6R 6 I D 1 6 P 4 2 Μ 2 5 S 5 , 的 , 4 中 4 I 3 - 6 - 4 2 6 2 5 3 5 , 5 ,2 至 2 _ ο 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS > A4規格(210X297公釐) -30 - 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明说明(28) 528 — 3 ’ 組群 524 — 1,524 — 3,524-5 ,524 — 7 和組群 526 — 1 ,526 — 3,526 -5,526-7各自連接至模組536 — 0至536 — 3 的 SMPDRAM 528-0 和 528— 1。 參考圖6 ,其中的方塊圓顯示出—個個人電腦(Pc )系統6 0 0,此系統中具有2 X 3 2/3 6架構的記憶 體602、一個中央處理單元(CPU) 604和一個輸 入/輸出處理器6 0 6,記憶體6 0 2包含有若干個記憶 區塊6 0 8 — 0至6 0 8 — 3,各區塊6 0 8包含有記憶 晶片2 0 0 ’對於例如是奔騰(Pentium)晶片的6 4位 元處理機而言,各個記憶區塊是6 4位元的寬度,有二個 匹配記憶體晶片200中二個選擇(SEL)接腳240 的附加位址線(A2 3 — A24)可針對晶片20 0中的 各個區塊6 0 8,提供單一的位址,有了這些附加的位址 線’有多達4個晶片的記憶體區塊可在不需要外加解碼的 狀況下使用。 參考圖7,其顯示出一個雙CPU電腦系統7 0 0的 方塊圖,這樣的系統可使用在個人電腦或工作站上。有一 個输入/輸出匯流排702與CPU 704—1和 7 0 4 - 2,和一個視訊處理機7 0 8相接,如此可使得 CPU 704透過一個輸入/輸出處理機706直接對 輸入/輸出裝置(未顯示)作讀寫,輸入/輸出匯流排 7 0 2可以是一種高速輸入/輸出匯流排,例如一個 RAMB u s ,或是一個迷你輸入/輸出匯流排,該匯流 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS } A4规格(210X297公嫠) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -31 A7 ^04242 _ B7 五、發明説明(29 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 排是使用在Intel公司所製造的Triton晶片組中。輸入/ 輸出記憶體傳輸是透過輸入/輸出處理機7 0 6以及與輸 入/輸出處理機7 0 6搭配使用的記憶體匯流排所掌控。 記憶體匯流排7 1 4 — 1和7 1 4 — 2分別將CPU 704 - 1和704 — 2連接至若干個SMPDRAM記 憶體71 1_0至71 1_3以進行資料的傳輸,記憶體 7 1 1可以是記憶體晶片2 0 0,爲簡單說明起見,本文 提及的記憶體7 1 1具有4個資料埠和4個記億陣列,4 個資料陣列中的各個陣列包含了前述8個8位元埠中的二 個8位元埠,此外,在各個晶片中有8個陣列,而非簡化 說明的4個。記憶體71 1 — 0至71 1 — 3分別了包含 陣列 712-0 至 712-3 ,712 — 4 至 712 — 7 ,712 — 8 至 712 — 11 ,以及 712-12 至 7 1 2 — 1 5。在圖7中,記憶體7 1 1內的連線係圖示 爲連結器連線。 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 記憶體匯流排7 1 6將視訊處理機7 0 8連接至記憶 體71 1 - 0至71 1 — 3以進行資料傳输,而記億體匯 流排7 1 8則將輸入/輸出處理機7 0 6連接至記憶體 7 1 1 — 0至7 1 1 — 3以進行資料傳輸。對於各資料匯 流排714 ’ 716和718而言,資料匯流排中的相同 位元可連接至相同的記憶體7 1 1 ,例如,資料匯流排中 的位元0到1 5爲各個CPU704所用,資料匯流排 7 1 6中的位元0至1 5爲視訊處理器7 0 8所用,而資 料匯流排7 1 8中的位元〇至1 5則爲輸入/輸出處理器 本紙張尺度逋用中關家縣(CNS )八4祕(21GX297公釐) "" -32 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(30) 7 0 6所用,以上各個匯流排均與記憶體7 1 1 ~〇相接 〇 各個記憶體陣列7 1 2 — 0至7 1 2— 1 5提供一個 BRDY信號給一個別的處理機。CPU704 — 1和 704 — 2,輸入/輸出輸出機706和視訊處理機 7 0 8將位址信號透過一個位址匯流排7 1 4傳送給記憶 陣列712_0至712 — 15 ,而控制信號(未顯示) 可使得處理機能夠仲裁位址匯流排(如Intel P6處理機之 作法),然後直接控制記憶體。 由於各個陣列2 0 8有其自己的記憶頁相符或不符, 因此各個記憶陣列7 1 1能將一個別的備妥信號( 8尺〇丫)2 2 6提供給各個〇卩11704,視訊處理機 7 0 8和輸入/輸出處理機7 0 6。各記憶陣列7 1 1 — 0至7 1 1 _ 3自不同的輸出入埠送出BRDY信號 2 2 6 ,在開機時’該輸出入埠可予以規畫,這個規畫的 動作是可再規畫控制器2 1 2中程式的一部份,這種作法 是有效率的,因爲所有的記憶體晶片所具有的區塊記憶體 晶片對於各個讀寫動作有相同的操作方式。此系統7 0 0 具有至少與處理機數目相同的記憶體晶片^ 參見圖8 ’其顯示一個具有4個CPU的系統8 00 方塊圖’這種四CPU系統8 0 〇具有4個C PU8 0 2 -0至8 0 2_ 3以及4個輸入/輸出處理機8 0 4_0 至804 — 3 ’記憶體區塊807 — 〇和807 — 1各包 含有記憶體晶片8 0 8 — 0至8 0 8 — 7,這些晶片可使 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公廣) I. m n—^ I I 1^1 a^—^π · -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____ _B7_ 五、發明説明(31) 用記憶體晶片2 〇 〇,在記憶體區塊8 0 7 — 〇中,各個 記憶體晶片8 0 8~〇至8 0 8 — 7的一個輸出入埠 8 1 0係連接至記憶體區塊807 — 1中各個記憶體晶片 808 — 0至808 — 7的相同輸出入璋810。各個 〇卩!;802 — 〇至8〇2 — 3的資料匯流排805 — 0 至8 0 5 - 3將各個c PU 8 0 2連接至各個記憶體晶片 2 0 0的個別输出入埠。各別輸入/輸出處理機8 〇 4 — 0至804 — 3的資料匯流排806 — 0至806 - 3將 各個輸入/輸出處理機8 0 4連接至各個記憶體晶片 2 0 0的個別輸出入埠8 1 0,因此,對於有8個輸入埠 的記憶體晶片2 0 〇而言,四個c P U和四個輸入/輸出 的配置使用到記憶體晶片2 0 0的每個輸出入埠。對於大 型陣列而言’一種3 2位元寬度的記億體晶片2 0 0可配 置成8輸出埠X 4位元,以便減少匯流排的負荷。爲了可 搭配更多的CPU802和輸入/輸出處理機804,可 將記憶體晶片2 0 〇配置成具有更多的輸出入埠:例如, 1 6個4位元的輸出入埠。對於各個資料匯流排8 0 5和 8 0 6,資料匯流排中的相同位元係連接至相同的記憶體 晶片808,例如,資料匯流排805 — 0至805 — 3 的位元0至1 5以及匯流排806 — 0至806 — 3的位 元0至1 5係連接至記憶體區塊8 0 7中的記億晶片 808 — 0,其中,上述的資料匯流排805-0至 805 — 3係用於各個CPU802,而資料匯流排係用 於各個輸入/输出處理機8 0 4。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) : —— — 裝— n 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 _______B7__ 五、發明説明(32) 參見圖9 ’其中的流程圖說明了自記憶體晶片2 〇〇 讀取資料的操作,而此記憶體晶片2 0 0具有多陣列交錯 式的架構。在一個讀取週期9 0 0中,首先,輸出入埠將 透過對應的輸入/輸出端子,連接到連線9 〇 2 »在步驟 9 0 4中’若欲讀取的資料出現在快捷記憶體2 〇 4中, 亦即發生快捷記憶相符(hit),則將進行步驟9 0 6, 亦即將資料移至輸出入埠,並且傳送至輸入/輸出端,記 憶體晶片2 0 0送出BRDY信號2 2 8以通知對應的 C P U ’資料已出現在輸入/輸出端上,在步驟9 0 7中 ,叢集計數器將會遞增,而來自快捷記憶體2 0 4的資料 則持續地傳送至輸入/輸出端,直到叢集的存取動作結束 爲止(步驟9 0 8 )。 經濟部中央標準局貞工消费合作社印製 ^ϋ. - ^^1 m 1^1 m ^^1 I 1^1 ^^1 an n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在步驟9 0 4中,若欲讀取的資料未出現在快捷記憶 體2 0 4中,快捷記憶體2 0 4將透過連結切換器2 0 6 連接(步驟9 1 2 )至陣列,只要步驟9 1 0中的陣列當 時並未執行他項動作。若在步驟9 1 4中,當時陣列 2 0 8所存取的資料存在於記憶頁中,則欲存取的快捷記 憶線將被傳送至快捷記憶體2 0 4,並且在步驟9 0 6中 如上述方式移至輸入/輸出端,在步驟9 1 4中,若記憶 頁先前未並被存取,則將起始記憶頁的存取(步驟9 1 6 )。一旦該記憶頁可被存取時,資料將如上述方式被移至 連結器2 0 6/快捷記憶體2 0 4/輸入/輸出端’而此 時亦進行E C C的檢査。 在此同時,在步驟9 2 0中,若次一快捷記億線並不 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -35 - A7 B7 五、發明説明( 存在於陣列 作時,陣列 9 2 4 )° ,則在步驟 線被存取, 步驟9 3 0 埠的快捷記 一次的存取 考圖 交錯式架構 入埠是致能 至快捷記憶 行存入(步 將一個B R 資料已存入 1 0 0 8 ) 記憶體,直 取結束後, 2 0 8將連 取正確的記 1 0 1 4 中 則欲寫入的 捷記憶體2 (步驟1 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 流程圓說 2 0 0, 入埠將被 欲寫入的 快捷記憶 至對應的 叢集計數 行暫存( 0 6 )叢 0中的陣 1 2 )至 進行一次 是寫入相 一般地存 是在步驟 E C C , ,則當步驟9 2 2中的次一陣列並未動 將連接至快捷記憶體2 0 4 (步驟 驟9 2 6中,並未取存到正確的記憶時 中,適當的記憶頁將連同次一快捷記憶 行錯誤檢査及修正(E C C )功能。在 一快捷記憶線將被置入其具相同輸出入 在此處係預測該輸出入埠將針對它作下 33 / 2 2 8 2 0 8 若在步 9 2 8 同時執 中,次 憶體。 動作。 10, 的記憶 的,則 體2 0 驟1 0 D Y信 快捷記 ,而資 到(步 當步驟 接(步 憶頁, * 卜.——* 資料將 0 4» 16)
其中的 體晶片 此輸出 4,而 0 4) 號傳送 憶體, 料則先 驟1 0 10 1 驟1 0 並準備 個週期 如上述 否則若 並產生 明如何 在寫入 連接( 資料將 體,記 CPU 器將有 步驟1 集存取 列可進 快捷記 寫入動 同記憶 入(步 10 1 在此同 將資料 週期中 步驟1 透過叢 憶體晶 ,以通 所遞增 0 0 4 結束, 行存取 憶體2 作。若 頁的寫 驟1 0 4中, 時,將 寫入具有 ,若輸出 0 0 2 ) 集方式先 片2 0 0 知C P U (步驟 )入快捷 在叢集存 時,陣列 0 4以存 在步驟 入週期, 0 4 )快 將會檢查 會出現針 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 36 -36 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印袋 A7 ΒΊ____ 五、發明説明(μ ) 34 / 對交錯群集所寫入的所有資料,當不存在寫入記憶頁的新 資料時,則結束陣列2 0 8的寫入動作。 參見圖1 1 ,其中的方塊圖顯示出單排記憶體模組( S IMM) 1 1 〇 2和主機母板1 1 04間的介面,此主 機母板1 1 0 4,例如,是傳統個人電腦的主機母板, S IMM1 1 〇2和主機母板1 1 04可使用在系統 501 ,502和503 (圖5a — 5c)中。單排記憶 體模組(S I MM) 1 1 〇 2包括若干個記憶體晶片 1106 — 0至1106 — 3,記憶體晶片1106可以 是記憶體晶片200,S IMM1 102具有8個1 6位 元輸入埠,其中每個資料線具有一個負載;以及4個1 6 位元的輸出入埠,其中每個資料線具有二個負載。更確切 而言’記憶體晶片11〇6_0和1106-1各具有分 別與資料匯流排A,C,E和G相連接的輸出入埠A,C ’ E和G。同理,記憶體晶片1 1 〇6 — 2和1 106 — 3各具有分別與資料匯流排b,D,F和Η相連接的输出 入埠Β,D ’ F和Η ’記憶體晶片1 1 〇6_0至 1106 — 3各具有分別與資料匯流排A - ,b< ,C 一 和相連接的輸出入埠,C—和D,。
參見圖1 2 ,其中的方塊圖針對一個雙處理機系統 1 2 0 0 ’顯示S I MM的資料匯流排/插座連接狀況, 資料匯流排1 203 — 0至1 203 — 3將插座1 202 —1至1 2 0 2 — 4的各別輸出入埠a和A - ,B —和B ,E和A - ’ F和B /連接至處理機1 2〇 1 - 〇。資料 本紙張歧適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210父297公釐·)- -37 - (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 裝. -訂 S0^42 Λ7 _ B7 五、發明説明(35) 匯流排1 203 — 4至1 203 — 7將插座1 20 2 — 1 至1 202 — 4的各別輸出入埠C和C > ,D和D β ,G 和C- ,Η和Ε)/連接至處理機120 1 — 1 ,表Μ顯示 出插座1 2 0 2的定址。
Soclcpf 2 0 2 -1 2 〇 2 - 2 2 0 2 -3 2 0 2 -4 J.--------{'^.— * (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 表 YE Addresses AO-A21/A0-A22 - A 23 AO-A22/A0-A22,A23 AO-A22/A0-A22,A23 A0-A22,A23 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 個插槽1201- S I Μ Μ 1 1 〇 2 。一個具有一區塊 一區塊的資料匯流 —1相連。一個具 0 0具有該二區塊 插座1 2 0 2 — 2 S I Μ Μ 1 1 〇 2 排Α - G,這三個 —3相連。一個具 0 0具有4區塊的 插槽1 2 0 2 — 1 在此雙處理機系統1 2 0 0中,各 1至1 2 0 2 — 4可接收一區塊的一個 ’此系統1 2 0 0可具有一至四個區塊 S IMM1 1 02的系統1 200具有 排A — G,而該區塊係與插座1 2 0 2 有二區塊S IMM1 1 0 2的系統1 2 的資料匯流排A-G,此二個區塊係與 和1 202 — 3相連。一個具有三區塊 的系統1 2 0 0具有三區塊的資料匯流 區塊係與插槽1 202 - 1至1 202 有四區塊S I MM1 1 0 2的系統1 2 資料匯流排A /—D/ ,此4區塊係與 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -38 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___ _B7___ 五、發明説明(36 ) 至1 20 2 — 4相連。 參見圖13 ,其中的方塊圖針對一個三或四處理機系 統1300,顯示記憶體1300中,SIMM的資料匯 流排/插座連結狀況,在此種三或四處理機系統1 3 0 0 中,各插座1 302 — 1至1 302 — 4可接收一區塊的 二個S IMM1 1 02。對於每個區塊有二個S IMM 1 1 02的架構而言,第2個S IMM1 1 0 2中的資料 匯流排標識著I至P,且與圖1 1中的A至Η匯流排相符 合,資料匯流排1 303 — 0至1 203 — 3將插座 1 202— 1至1 202 — 4的各個輸出入埠Α和Α —, B和,I和I / ,:[和J >連接至處理機1301 — 1 ,資料匯流排1 303 — 4至1 203 — 7將插座 1 202 — 1至1 202 — 4的各個輸出入埠C和, D和D > ,K和K — ,L和L >連接至一個處理機 1301 — 1,資料匯流排1303 — 8至1203 — 1 1將插座1 202 — 1至1 202 — 4的各個輸出入埠 Μ和I > ,N和J > ,E和A,,F和B >連接至處理機 1301 — 2,資料匯流排 1303 — 12 至 1203 — 1 5將插座1 202-1至1 20 2-4的各個輸出入埠 0和,Ρ和L, ,G和,Η和連接至處理機 1301 — 3。在此種三或四個處理機的系統1300中 ,各個插座1 3 0 2- 1至1 3 0 2 — 4可插接一區塊具 有二個S IMM1 1 02的記憶體,這個系統1 200可 具有一至4個區塊,一個具有一區塊S I MM1 1 〇 2的 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 一 39 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(37) 系統1 3 0 0亦具有與插座1 3 0 2 - 1相連之一區塊中 的資料匯流排A — P。具有2區塊S IMM1 1 〇 2的系 統1 300亦具有與插座1 302-2和1 30 2 — 3相 連之兩個區塊的資料匯流排A - P。一個具有三區塊 S IMM1 1 02的系統1 300亦具有與插座1 302 ~ 1至1 3 0 2 — 3相連之三個區塊的資料匯流排A_ P 。一個具有4區塊S IMM1 1 02的系統1 300具有 連接至區塊1 3 0 2_ 1至1 3 0 2_4之4個區塊的資 料匯流排A,— D,和I / — L,。 現參見圖12和13,插座1202 — 1和1302 -1的黑點代表著一系統的電氣連線,此系統具有一個區 塊 SIMM1201 和 1301。插座 1202 — 2 和 1 202 — 3 和 1 302-2 和 1 302-3 的 〇 代表著 一系統的電氣連線,此系統具有二個s I MM區塊 1201 和 1301。插座 1202 — 1 至 1202 — 4 和1 302-1至1 302 — 4的X代表著一系統的電氣 連線,此系統具有4個區塊的S I MM1 2 0 1和 1 3 0 1。一個有三個區塊記憶體的系統具有由黑點和Ο 所代表的電氣連線,在此系統中的負載將會加倍。所有的 匯流排A — Η將在一個匯流排系統中致能,在一個雙區塊 記憶體的系統中僅有標識出來的匯流排是致能的,在插座 1 202 — 2 和 1302 — 2 中’匯流排 E ,F,G 和 Η 是致能的。在插座1 202-3和1 302 — 3中,匯流 排A,Β,C和D是致能的。在一個有4個區塊記憶體的 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS > Α4規格(210 X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 A7 B7 _ 五、發明説明(38) 系統中,使用了 A /至D /匯流排來連接S I MM ’這些 匯流排是在sIMM中與A至D匯流排相反的一邊。 總結而言,由於使用了記憶體陣列的交錯定址方式’ 本發明中的記憶體晶片可提供記憶體陣列和記憶體輸出入 埠之間的可配置性連結,如此可同時對多個記憶體陣列作 多次的存取。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 一 41 ~

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 1 . 一種記憶體包括: 若干個動態隨機存取記憶體陣列,各個記憶陣列包含 有多個記憶細元,這些細元排列成預定數目的列以及預定 數目的行; 若干個記憶體輸出入埠;以及 一個連結切換器,它可以選擇性地將若干個記憶陣列 連接至若干個記憶體輸出入埠。 2 .申請專利範圍第1項中的記憶體可實現在半導體 元件中。 3 .申請專利範圍第1項中的記憶體亦包含: 一個可程式化的控制器,此控制器連接至若干個記憶 細元,如此可依據位址信號,送出致能信號來啓動交錯組 群中的細元,此交錯組群可依據陣列控制資訊來選擇;以 及 一種用以接收陣列控制資料的介面,此控制資訊用以 規畫可程式控制器。 4 .申請專利範圍第1項中的記憶體可實現在一種具 有可重新配置的單排記憶體模組,如此使得多數個記憶體 輸出入埠和若干個外界處理機中的一個處理機可進行點對 點的連接,各個處理機具有屬於自己的介面。 5.申請專利範圍第1項中的記憶體包含: 若干個快捷記憶體,各個快捷記憶體連接至多個陣列 中的各個陣列,如此構成各組輸出入埠一陣列間的連線。 6 .申請專利範圍第5項中的記憶體可實現在半導體 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) T-------袭-- * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本寅) 訂 -42 - ^04242 A8 B8 C8 D8__ &、申請專利範圍 元件中。 7 .申請專利範圍第5項中的記億體亦包含: (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) —個連接至多個記憶細元的可程式控制器’藉此控制 器’可送出致能信號,且依據位址信號來啓動交錯組群中 的細元,此外,可將控制信號送至記憶陣列,送至記憶體 輸出入埠,以及送至快捷記憶體,以此方式,啓動記憶陣 列、記憶體輸出入埠、和快捷記憶體,而交錯的組群可依 據陣列控制信號來加以選擇;以及 一個用以接收陣列控制資訊的介面,此控制資訊用以 規畫可程式控制器。 8 .申請專利範圍第5項中的記憶體可實現在一種具 有可重新配置功能的單排記憶模組中,此使得若干個記憶 體输出入埠以及若干個外界處理機中的一個處理機能進行 點對點的連接,各個處理機具有不同的界面。 9 .申請專利範圍第5項中的記憶體包含一個與記憶 陣列相連的錯誤檢査和修正電路。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1 〇 .申請專利範圍第9項中的記億體可實現在一個半 導體元件中。 1 1 .申請專利範圍第9項中的記憶體亦包含: 一種與多個記憶細元相連的可程式控制器,藉此控制 器可送出致能信號,且依據位址信號來啓動交錯群中的細 元,同時,可將控制信號傳給記憶陣列,傳給記憶體輸出 入埠,以及傳給快捷記憶體,如此可啓動記憶體陣列,記 憶體輸出入埠’和快捷記憶體間的傳輸,而交錯組群則是 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) -43 - A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 依據陣列控制資訊來作選擇;以及 一種用以接收陣列控制資訊的介面,該控制資訊用以 規畫可程式控制器。 1 2 .申請專利範圍第9項中的記憶體可實現在一種 具有可重新配置功能的單排記憶體模組中,如此使得多個 記憶體輸出入埠和多個外界處理機中的一個處理機能進行 點對點的連結,各個處理機具有不同的界面》 1 3 .根據申請專利範圍第5項中的記憶體,其中, 對於記憶體陣列的交錯方式而言,有二個與快捷記憶線相 關的位址,其中一個快捷記憶線的位址係指定給若干個記 憶陣列中的一個陣列,而緊接著的快捷記憶線位址則是指 定給該若干個陣列中的另一個陣列,上述一個快捷記憶線 位址將啓動該個記憶陣列的資料傳輸,而上述次一快捷記 億線的位址則啓動另一個記憶陣列,如此可針對下一次的 資料傳輸,事先存取次一快捷記憶線或一組快捷記憶線。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 4 .申請專利範圍第1項中的記憶體亦包含一個與 多個記憶陣列相連的錯誤檢查和修正電路,各個記憶陣列 的行(column)是交錯配置的。 1 5 ·根據申請專利範圍第1項中的記憶體,其中的 連結切換器選擇性地將若干個輸出入埠中的至少二個連接 至若干個陣列中的一個相同陣列,如此可藉由多個輸出埠 中的至少二個輸出入埠來進行存取。 1 6 .根據申請專利範圍第1項中的記憶體,其中的 多個記億陣列包含第1和第2群的記憶陣列,各群的記憶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -44 - A8 B8 C8 D8 ^04242 六、申請專利範圍 陣列具有交錯式的位址,而這些位址則與另一群記憶陣列 中的交錯式位址不同。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 7 . —種可重新配置的記憶體包含: 多數個記億細元,它們排列成預定數目的列和預定數 目的行; 多數個記憶體輸出入埠,可選擇性地依據控制信號連 接至多數個記億細元,且具有一個可依據控制信號送出資 料信號的輸出端,此資料信號具有多個可選擇資料信號格 式中的一種格式,這多個可選擇資料信號格式中的一種格 式相對應一個外界處理機的協定; 一種與多個記憶細元相連的可程式控制器,此控制器 可送出致能信號,如此可依據位址信號來啓動交錯組群中 的細元,亦可產生選擇信號以及產生控制信號,這些控制 信號可經由配置以符合多個外界處理機中某個處理機的控 制信號協定;以及 一個用以接收資訊的介面,此資訊用以規畫可程式控 制器。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 1 8 .根據申請專利範圍第1 7項中的可配置式記憶 體,其中的資料信號格式係對應一個電壓準位,此準位對 應於資料信號的狀態。 1 9 . 一種計算機系統包含: 若干個處理機; 若干個資料匯流排,其中各個匯流排係直接地連接至 若干個處理機中的一個處理機;以及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A8 B8 C8 D8 ^、申請專利範圍 若干個記憶體,其中的各個記憶體係直接地連接至分 離資料匯流排中的一部份,該部份之匯流排對於若干個處 理機中的各個處理機而言是相同的。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦) 裝· -、va 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -46 -
TW84110911A 1995-09-12 1995-10-17 TW304242B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8962195P 1995-09-12 1995-09-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW304242B true TW304242B (zh) 1997-05-01

Family

ID=51565896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW84110911A TW304242B (zh) 1995-09-12 1995-10-17

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TW304242B (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW303433B (zh)
KR102068101B1 (ko) 하이브리드 메모리 큐브 시스템 상호 접속 디렉토리-기반 캐시 일관성 방법론
JP4128234B2 (ja) メモリ素子、処理システム、メモリ素子を制御する方法およびダイナミックランダムアクセスメモリを操作する方法
US5371866A (en) Simulcast standard multichip memory addressing system
US7171534B2 (en) System and method for multi-modal memory controller system operation
US6988152B2 (en) Data storage system
KR100201057B1 (ko) 고성능 버스 인터페이스를 사용하는 집적회로 입출력
EP2519948B1 (en) Systems, methods, and apparatuses for hybrid memory
US6769050B1 (en) Techniques for increasing bandwidth in port-per-module memory systems having mismatched memory modules
US10755757B2 (en) Multi-rank memory module that emulates a memory module having a different number of ranks
US6530007B2 (en) Method and apparatus for supporting heterogeneous memory in computer systems
CN102576565B (zh) 利用存储模块上的分布式字节缓冲器的系统和方法
TW539948B (en) Buffer to multiple memory interface
US11862236B1 (en) Memory component for deployment in a dynamic stripe width memory system
US5815456A (en) Multibank -- multiport memories and systems and methods using the same
WO1985000920A1 (en) Multiplexed-address interface for addressing memories of various sizes
JP2648548B2 (ja) コンピュータ・メモリ
US8006032B2 (en) Optimal solution to control data channels
US11327831B2 (en) Energy-efficient error-correction-detection storage
TW304242B (zh)
US6826657B1 (en) Techniques for increasing bandwidth in port-per-module memory systems having mismatched memory modules
US6785782B1 (en) Techniques for increasing bandwidth in port-per-module memory systems having mismatched memory modules
JP2656705B2 (ja) 拡張可能メモリシステム及びメモリシステム拡張方法
TWI224261B (en) Mother board utilizing a single-channel memory controller to control multiple dynamic-random-access memories
EP3751423A2 (en) Technologies for adding computational ability to memory devices without changing media layers