JP2656705B2 - 拡張可能メモリシステム及びメモリシステム拡張方法 - Google Patents

拡張可能メモリシステム及びメモリシステム拡張方法

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JP2656705B2
JP2656705B2 JP5002691A JP269193A JP2656705B2 JP 2656705 B2 JP2656705 B2 JP 2656705B2 JP 5002691 A JP5002691 A JP 5002691A JP 269193 A JP269193 A JP 269193A JP 2656705 B2 JP2656705 B2 JP 2656705B2
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    • G06F13/14Handling requests for interconnection or transfer
    • G06F13/16Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
    • G06F13/1668Details of memory controller
    • G06F13/1694Configuration of memory controller to different memory types

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はコンピュータメモリサブ
システムに関し、特に異なるサイズのシステム又は提供
物(オファリング)を可能にする拡張可能なメモリサブ
システムに関する。
【0002】
【従来の技術】先行技術のメモリサブシステムは、メモ
リアレイカードで形成される1個以上のボードで実施さ
れる。一般的に、メモリサブシステムは異なるメモリサ
イズ(メガバイト)の提供物を提供する。3つの主記憶
装置アップグレード方法が先行技術のシステムで用いら
れてきた。「メモリアップグレード」は顧客の機械のメ
モリのメガバイトの数を増加している。3つの主記憶装
置アップグレード方法とは、異なるカードサイズ方式、
フレキシブルバス構造方式及びマルチドロップ設計方式
である。
【0003】異なるカードサイズ手法において、一定数
のカードが各々のメモリバンクを含む。「メモリバン
ク」とは、メモリ取出しと格納の間に一致して作動する
個々にアドレス指定可能なメモリカードのセットであ
る。実装されないカードは、最も多く実装したメモリカ
ードの一部にのみメモリ・チップが実装されたより小さ
いメモリ提供物を作成するのに使用される。「実装され
ないカード」は、最大許容DRAM(ダイナミックラン
ダムアクセスメモリ)チップの1/2、1/4等のDR
AMチップを含むメモリカードである。実装されないカ
ードを使用するこの手法には、メモリカード部の数の増
加、カード復帰の取り扱い、及び実装されないメモリカ
ードの廃棄、又はカードのDRAMの数を増加するため
の実装されないカードの再作動といったいくつかの不利
な点がある。
【0004】フレキシブルバス構造において、可変数の
カードが各々のメモリバンクを含む。メモリとシステム
間のデータバス幅は、より多くのカードが差し込まれる
につれて増大する。不利な点には、より小さなメモリ提
供物に対するメモリサブシステムバンド幅の減少及び性
能の低下が含まれる。また構成可能なメモリデータバス
は、システム側で実施するのが困難である。
【0005】マルチドロップ設計手法において、可変数
のカードは各々のメモリバンクを含む。メモリデータバ
スへのシステムの各ビットは、各々のメモリカードへ配
線される。この手法は、パーソナルコンピュータ及び殆
どのワークステーションに使用される。高いシステムク
ロック速度を有する高性能のシステムにおいて、この方
法はメモリバンド幅を厳しく制限する。データバスネッ
トでのメモリデータバスローディングキャパシタンスの
増加と信号反射の増加は、データがシステムとメモリカ
ードとの間で転送される最大の速度を制限する。「マル
チドロップネット」は、2個以上のレシーバーへ配線さ
れるネットである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、メモ
リアップグレードを可能にする改良されたメモリシステ
ム及びメモリ制御装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段と作用】選択可能な数のメ
モリアレイカードを用いる拡張可能なメモリシステムで
あって、複数のメモリアレイカードのための複数のメモ
リカードソケットセットを有し、ソケットセットに差し
込まれるメモリアレイカード間の信号を結合するためソ
ケットセット間に配線を有する回路板を備え、メモリア
レイカードが、ソケットセットの内の1個のソケットセ
ットと結合するための第1カードコネクタと第2カード
コネクタを有し、メモリ及びメモリにアクセスするため
の支援回路を有し、メモリアレイカードから回路板配線
を介して回路板に接続されるメモリアレイカードへ分配
されるシステムアドレスと同期の複数のコピーを作成す
るリパワーリング手段を更に有し、メモリにアクセス
し、回路板に接続される数のメモリアレイカードに適応
するためのタイミングシーケンスを変更する手段を含む
メモリ制御装置手段と、データを提供し、受信するため
のデータ手段と、回路板上の配線とソケットセットを介
して、他のカードに分配されるカードの少なくとも1枚
にアドレスと制御信号を提供するため、メモリアレイカ
ードの少なくとも1枚へ結合される結合手段と、データ
手段とメモリアレイカードの第2カードコネクタの間に
分配的に結合され、データ手段と第2カードコネクタの
間でデータを提供するためのデータケーブルと、を備え
る拡張可能なメモリシステム。
【0008】拡張可能なメモリシステムであって、複数
のメモリアレイカードのための複数のソケットセットを
有し、ソケットセットを相互接続するソケットセット間
に配線を有する回路板を備え、メモリアレイカードが、
メモリ支援手段とリパワー手段、DRAM、及び第1カ
ードコネクタと第2カードコネクタを含み、データの提
供及び受信の少なくとも一方を行うプログラマブルメモ
リ制御装置を備え、第1カードコネクタは、メモリアレ
イカードが回路板に差し込まれるとき回路板のソケット
セットに接続され、メモリアレイカードへ及びメモリア
レイカードからのデータを結合するため、メモリアレイ
カードの第2カードコネクタとプログラマブルメモリ制
御装置との間で分配的に結合されるケーブリングを備
え、プログラマブルメモリ制御装置が、通常モード、1
サイクルのCASモード又は多数のサイクルのページモ
ードで第1カードにアクセスするため、メモリアレイカ
ードの第1カードにシステムアドレスと制御情報を提供
し、プログラマブルメモリ制御装置が、接続されるメモ
リアレイカードの数に従って生成されるタイミングを変
更する手段を有し、リパワー手段が、アドレス及び制御
情報を複製し、回路板の配線に沿って他のメモリアレイ
カードに提供する、ことから成る拡張可能なメモリシス
テム。
【0009】メモリアレイカード、ソケットセットとソ
ケットセットと共にソケット間の回路板の配線を有する
回路板とを用いるメモリシステムを拡張するための方法
であって、メモリシステムがメモリアドレス及び制御信
号を提供するためプログラマブルメモリ制御装置を有
し、プログラマブルメモリ制御装置とメモリアレイカー
ドの間にデータケーブリングがあるメモリシステム拡張
方法は、オープンソケットセットに追加のカードを挿入
することによってメモリアレイカードを追加するステッ
プと、システムソースからメモリアレイカードへデータ
ケーブリングを分配するステップと、一方のメモリアレ
イカードにメモリアドレス及び制御信号を付与して、回
路板の配線を介して他方のメモリアレイカードにアドレ
ス及び制御情報を複製且つ転送するステップと、追加さ
れたメモリアレイカードを調整するため、プログラマブ
ルメモリ制御装置のプログラミングによってタイミング
を変更するステップと、を備えるメモリシステム拡張方
法。
【0010】本システムは、複数のカードソケットをも
った回路板を含む。本システムは、カードソケットのた
めの第1カードコネクタと、システムと1枚以上のメモ
リカードとの間のデータ転送のための第2カードコネク
タとを備えた1枚以上のメモリカード、並びにケーブル
を介するメモリ制御装置を含む。メモリの順序付けを調
整するのに必要な制御信号は、回路板内に埋め込まれた
配線を介してカード上の手段又は中央ソースにアクセス
することによって提供される。
【0011】
【実施例】好ましい実施例を詳細に考慮する前に、例を
用いて、最小のメモリ提供物と中間のメモリ提供物の動
作を示すのは有益である。
【0012】本発明の一般的な最小のメモリシステム又
は提供物において、16ワードのデータが16連続サイ
クルにおいて単一のメモリカードに転送される(図1参
照)。これらのワードはメモリ支持回路にある16個の
深さ(階層)の記憶ラインバッファに記憶される。記憶
バッファを充填すると直ちに、メモリ制御装置は4ペー
ジサイクルのDRAM書き込み動作を開始する。記憶バ
ッファからの4ワードのデータが、4ページサイクルの
各々毎にDRAMアレイに書き込まれる。取出し動作に
おいて、メモリ制御装置は4ページサイクルのDRAM
読取り動作を開始する。DRAMデータがオンカード取
出しラインバッファを充填するにつれて、メモリ制御装
置は16ワードの取出し転送を開始する。
【0013】メモリアップグレードの間、追加のメモリ
アレイカードがメモリボードに差し込まれる。初期のメ
モリカードに配線されるデータケーブルの半分は、新た
なカードの頂部カードコネクタに差し込まれ、メモリ制
御装置が2ページサイクルのDRAMタイミングを提供
するため再プログラムされる。
【0014】この中間メモリ提供物において、16ワー
ドのデータが、16連続サイクルで各々がハーフワード
を受信するメモリカードに転送される(図2参照)。こ
れらハーフワードは、各カードのメモリ支持回路にある
16個の深さの記憶ラインバッファの半分に記憶され
る。記憶バッファを半分充填すると直ちに、メモリ制御
装置は2ページサイクルのDRAM書き込み動作を開始
する。記憶バッファにおける8ワードのデータ(各カー
ドから4ワードずつ)は、2ページサイクルの各々毎に
DRAMアレイに書き込まれる。取出し動作において、
メモリ制御装置は2ページサイクルのDRAM読取り動
作を開始する。DRAMデータがオンカード取出しライ
ンバッファにロードされているので、メモリ制御装置は
16ワード取出し転送を開始する。
【0015】本発明をより詳細に見ると、図1より4本
のデータケーブル10が単一メモリアレイカード11の
頂部カードコネクタ11aに差し込まれる。メモリ11
はメモリ回路板19のソケット15aに差し込まれる。
DRAM動作を順序付けるのに必要なシステムアドレス
と他の制御は、コネクタソケット15aへ接続されるケ
ーブル12aを介して、このカード11へ接続されるメ
モリ制御装置12によって駆動される。カード11は、
アドレス及び制御を、DRAMアレイ14へ及びメモリ
回路板19に埋め込まれた配線19a乃至19nを介し
て、他のカードスロット又はソケット15b乃至15n
へ出力するリパワー(repower) 論理13を含む。リパワ
ー論理13はアドレス情報を単に複製して、1本以上の
配線19a乃至19n−1に沿って、他のカードソケッ
ト15b乃至15nへと供給する。DRAMアレイ14
に記憶されるべきデータは、まずメモリ制御装置12か
ら、4本のデータケーブルを通り、ステアリング論理1
6を介して、記憶バッファ17に転送される。次にメモ
リ制御装置12はケーブル12aを介してDRAMアレ
イ14にアドレスと他の制御情報を送信する。オンカー
ドリパワーリング及び制御回路13は、記憶バッファ1
7からDRAMアレイ14にデータをゲートし、データ
がDRAMアレイ14に記憶されるようにDRAMを順
序付ける。取出し動作において、メモリ制御装置12は
DRAMアレイ14からデータをアクセスし、取出しバ
ッファ18のこのデータをラッチするためアドレス及び
他の制御情報を送信する。次に、メモリ制御装置12
は、ケーブル10とステアリング論理16を介して、取
出しバッファ18からメモリ制御装置12自体へのデー
タの転送を開始する。ステアリング論理16は、バッフ
ァからの読み出し及びそれへの格納のための制御信号で
ある倍長語ID信号及び負荷(ロード)信号、空(エン
プティ)信号を受信する。有効なアドレス、読取り/書
き込み、CAS、RASが、リパワー論理13及び配線
13aを介してDRAMに提供される。メモリ制御装置
から同期されたメモリアレイカードによって、復元(リ
フレッシュ)が行われる。
【0016】図2は、2つのデータケーブル20aが第
1メモリアレイカード21aの頂部カードコネクタに差
し込まれ、もう一方の2つのデータケーブル20bが第
2メモリアレイカード21bの頂部カードコネクタに差
し込まれる好ましい中間の実施例を示す。DRAM動作
を順序付けるのに必要なシステムアドレス及び他の制御
が、導線12aを介して第1メモリカード21aへ接続
されるメモリ制御装置12によって駆動される。このカ
ード21aは、アドレス及び制御をケーブル29を介し
てDRAMアレイ24aに出力し、メモリ回路板19に
埋め込まれた配線19a乃至19n−1を介して第2メ
モリカード21b及び他のカードスロット15c乃至1
5nへ出力するリパワー論理23aを含む。第2メモリ
カードは、アドレス及び制御情報をDRAMアレイ24
bへ再出力するリパワーリング論理23bを含む。DR
AMアレイ24a及び24bに記憶されるべきデータ
は、まず、メモリ制御装置12から、4つのデータケー
ブル20a及び20b並びにステアリング論理26a及
び26bを通って、各バッファが全データの半分を有す
るように記憶バッファ27a及び27bの半分へ転送さ
れる。次にメモリ制御装置12は、DRAMアレイ24
a及び24b並びにステアリング論理26a及び26b
に、アドレス及び他の制御情報を送信する。オンカード
リパワーリング及び制御回路は、記憶バッファ27a及
び27bからDRAMアレイ24a及び24bに、デー
タをゲートし、データがDRAMアレイに記憶されるよ
うにDRAMを順序づける。取出し動作において、メモ
リ制御装置12は、DRAMアレイ24a及び24bか
らデータをアクセスし、取出しバッファ28a及び28
bの半分にこのデータをラッチするため、アドレス及び
他の制御情報を送信する。次に、メモリ制御装置12は
ケーブル20a及び20b並びにステアリング論理26
a及び26bを介して、メモリ制御装置12自体に、取
出しバッファからのデータの転送を開始する。
【0017】図3は、第1データケーブル30aが第1
メモリアレイカード31aの頂部カードコネクタに差し
込まれ、第2データケーブル30bが第2メモリアレイ
カード31bの頂部カードコネクタに差し込まれ、第3
データケーブル30cが第3メモリアレイカードの頂部
カードコネクタに差し込まれ(図示せず)、最後のデー
タケーブル30nが最後のメモリアレイカード31nの
頂部カードコネクタに差し込まれる好ましい実施例を示
す。図示される実施例において、4本のケーブル及び4
枚のカードがある。1枚のカードは図示されていない。
DRAM動作を順序づけるのに必要なシステムアドレス
及び他の制御は、12aを介して第1メモリカード31
aに接続されるメモリ制御装置12によって駆動され
る。このカード31aは、アドレス及び制御を、DRA
Mアレイ34aと、メモリ回路板19に埋め込まれた配
線19a乃至19n−1を介して他の全てのメモリカー
ド31b乃至31nへと動かすリパワー論理33aを含
んでいる。第2メモリカード31bは、アドレス及び制
御情報を配線303を介してDRAMアレイ34bに再
出力するリパワーリング回路33bを含む。n番目のメ
モリカードは、アドレス及び制御情報をDRAMアレイ
34nに再出力するリパワーリング論理33nを含む。
DRAMアレイ34a乃至34nに記憶されるべきデー
タは、まず、メモリ制御装置12から、N本のデータケ
ーブル30a乃至30nを通り、ステアリング論理36
a乃至36nを介して、記憶バッファ37a乃至37n
の1/Nへと転送される。次に、メモリ制御装置32
は、配線12、19a、19b乃至19nを介して、D
RAMアレイ34a乃至34nに、アドレス及び他の制
御情報を送信する。オンカードリパワーリング及び制御
回路33a乃至33nは、記憶バッファ37a乃至37
nからDRAMアレイ34a乃至34nにデータをゲー
トし、データがDRAMアレイ34a乃至34nに記憶
されるようにDRAMを順序づける。取出し動作におい
て、メモリ制御装置12は、DRAMアレイ34a乃至
34nからデータをアクセスし、取出しバッファ38a
乃至38nの各々の1/n番目にこのデータをラッチす
るため、アドレス及び他の制御情報を送信する。次に、
メモリ制御装置12はケーブル及びステアリング論理3
6a乃至36nを介して、メモリ制御装置12自体に、
取出しバッファ38a乃至38nからのデータの転送を
開始する。
【0018】図4は、メモリ制御装置12の好ましい実
施例を示す。アレイタイマー40は、増分装置41を介
してアレイアクセスの各サイクルごとに増分される。こ
のタイマー値は、プログラマブルアレイ43の行を選択
するためデコーダ42を介してデコードされる。このア
レイは、少なくともCAS(カラムアドレスストロー
ブ)列とRAS(行アドレスストローブ)列を含む。更
に、アドレス有効列を含んでもよい。アレイの選択され
た行は、メモリ制御ラッチ44にラッチされる。次にこ
のラッチは、直接メモリサブシステムを駆動する。アレ
イタイマー40は、また、行アドレス、列アドレス、列
アドレス+1、...又は列アドレス+nを選択してメ
モリサブシステムへ駆動するセレクタ45を駆動する。
メモリ制御システムのプログラマブルアレイ43は、図
5のタイミングシーケンスを生成するためカードの数に
従ってプログラムされる。
【0019】図5は、メモリ制御装置の好ましい実施例
によって生成されたタイミングシーケンスを示す。パル
ス50a、50b、50c及び50dは、1枚のカード
の最小のメモリ提供物へと駆動されるRASパルス、C
ASパルス、アドレスパルス及びアドレス有効パルスの
一般的なシーケンスである(図1)。パルス51a、5
1b、51c及び51dは、2枚のカードの中間のメモ
リ提供物へと駆動されるRASパルス、CASパルス、
アドレスパルス及びアドレス有効パルスの一般的なシー
ケンスである(図2)。パルス52a、52b、52c
及び52dは、最大のメモリ提供物へと駆動されるRA
Sパルス、CASパルス、アドレスパルス及びアドレス
有効パルスの一般的なシーケンスである(図3)。
【0020】図6は、プログラマブルメモリ制御装置論
理69a、69b、...が、システム62になくメモ
リアレイカード61a、61b等の各々にある他の実施
例を示す。システム62は、リパワー回路63aにアド
レス及びメモリシーケンス同期(sync)パルスを送信す
る。syncパルスは、同じカードのプログラマブルメモリ
制御装置論理69aを駆動し、更に、リパワー回路63
a、63b、...を介して、他の全てのプログラマブ
ルメモリ制御装置論理エンティティ69b、69
c、...へと再出力される。システム62は、ケーブ
ル60a,60b等を介して、カード61a、61b等
の頂部のデータコネクタに結合される。
【0021】図7は、プログラマブルメモリ制御装置論
理79が、いかなるデータバッファ又はDRAMも含ま
ない分離したメモリ制御カード80にある他の実施例を
示す。システム72は、(好ましい実施例に説明される
ように)アドレスをリパワー論理73a、73b...
を介してアレイカードに送信し、メモリシーケンス同期
(sync)パルスをプログラマブルメモリ制御装置論理79
に送信する。プログラマブルメモリ制御装置論理79
は、RAS、CAS及びアドレス有効信号を直接各カー
ドのDRAM74a、74b...に送信する。次に、
リパワー回路がDRAMを駆動する。システム72は、
ケーブル70a、70b等を介して、カードの頂部のデ
ータコネクタに結合される。
【0022】
【発明の効果】本発明は上記より構成されているので、
フィールドにおける簡素化されたメモリアップグレード
を可能にする改良されたメモリシステム及びメモリ制御
装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】システムからの及びシステムへのデータの全ワ
ードを受信/供給するような1つのカードの最小メモリ
提供物を概略的に示す。
【図2】各々がシステムからの及びシステムへのデータ
のハーフワードを受信/供給するような2つのカードの
中間メモリ提供物を示す。
【図3】各々がシステムからの及びシステムへのデータ
の作業の1/Nを受信/供給するようなN枚のカードの
最大メモリ提供物を示す。
【図4】メモリ制御装置のプログラマブル論理を示す。
【図5】最小メモリ提供物、中間メモリ提供物及び最大
メモリ提供物用のメモリ制御装置によって生成される一
般的なタイミングシーケンスを示す。
【図6】プログラマブルメモリ制御装置がカード上にあ
る他の実施例である。
【図7】プログラマブルメモリ制御装置が分離したメモ
リカード上にある他の実施例である。
【符号の説明】
10 データケーブル 11 メモリアレイカード 11a、15a カードコネクタ 12 メモリ制御装置 13 リパワー論理 14 DRAMアレイ 16 ステアリング論理 17 記憶バッファ 18 取出しバッファ 19 メモリ回路板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョゼフ レスター テンプル ザ サ ード アメリカ合衆国12443、ニューヨーク州 ハーリー、ピー.オー.ボックス 507、 フック ストリート 312 (56)参考文献 特開 昭52−47331(JP,A)

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】選択可能な数のメモリアレイカードを用い
    る拡張可能なメモリシステムであって、 前記複数のメモリアレイカードのための複数のメモリカ
    ードソケットセットと、前記ソケットセットに差し込ま
    れるメモリアレイカード間の信号を結合するため前記ソ
    ケットセット間に配線を有する回路板を有し、 前記メモリアレイカードが、前記ソケットセットの内の
    1個のソケットセットと結合するための第1カードコネ
    クタと、第2カードコネクタと、メモリと、前記メモリ
    にアクセスするための支援回路と、メモリアレイカード
    から前記回路板配線を介して前記回路板に接続されるメ
    モリアレイカードへ転送されるシステムアドレスと同期
    信号の複数のコピーを作成するリパワーリング手段とを
    有し、 前記メモリシステムが、更に、 前記メモリにアクセスし、前記回路板に接続される前記
    メモリアレイカードの数に適応するために、該メモリア
    レイカードで使用されるRAS信号、CAS信号、アド
    レス信号及びアドレス有効信号の出力タイミングを変更
    する手段を含むメモリ制御装置手段と、 データを送受信するためのデータ手段と、 前記回路板上の前記配線と前記ソケットセットを介し
    て、他のカードにアドレスと制御信号を転送するため、
    前記メモリアレイカードの少なくとも1枚へ結合される
    結合手段と、 前記データ手段と前記メモリアレイカードの前記第2カ
    ードコネクタの間にデータの各ビットは1つの第2カー
    ドコネクタにのみ接続されるように結合され、前記デー
    タ手段と前記第2カードコネクタの間でデータを転送す
    るための複数のデータケーブルと、 を備える拡張可能メモリシステム。
  2. 【請求項2】 前記メモリ制御装置手段が前記メモリア
    レイカードの各々の制御装置によって提供される、請求
    項1に記載の拡張可能メモリシステム。
  3. 【請求項3】前記メモリ制御装置手段が、前記ソケット
    セットの内の1つと前記回路板の配線を介して前記メモ
    リアレイカードの全てに結合される別個のカード上の単
    一のメモリ制御装置である、請求項1に記載の拡張可能
    メモリシステム。
  4. 【請求項4】前記ケーブルが記憶データ及び取出しデー
    タを転送し、前記カードが記憶バッファ及び取出しバッ
    ファを有する、請求項1に記載の拡張可能メモリシステ
    ム。
  5. 【請求項5】前記メモリ制御装置手段がプログラマブル
    であり、全ての前記メモリアレイカードにデータを転送
    するために前記回路板へ列アドレスを増分しながら駆動
    する、請求項1に記載の拡張可能メモリシステム。
  6. 【請求項6】拡張可能なメモリシステムであって、 複数のメモリアレイカードのための複数のソケットセッ
    トと、前記ソケットセットを相互接続する前記ソケット
    セット間に配線を有する回路板と、 を備え、 前記メモリアレイカードが、メモリ支援手段、リパワー
    手段、DRAM、第1カードコネクタ、及び第2カード
    コネクタを含み、 更に、 データの送信及び受信の少なくとも一方を行うプログラ
    マブルメモリ制御装置と、 を備え、 前記第1カードコネクタは、前記メモリアレイカードが
    前記回路板に差し込まれるとき前記回路板の前記ソケッ
    トセットに接続され、 前記メモリアレイカードと前記プログラマブルメモリ制
    御装置との間で転送されるデータの各ビットが、各々
    つの第2カードコネクタにのみ接続されるように結合す
    るため、前記メモリアレイカードの前記第2カードコネ
    クタと前記プログラマブルメモリ制御装置との間に結合
    されるケーブル手段と、 を備え、 前記プログラマブルメモリ制御装置が、通常モード、1
    サイクルのCASモード又は多数のサイクルのページモ
    ードで第1カードにアクセスするため、前記メモリアレ
    イカードの前記第1カードにシステムアドレスと制御情
    報を転送し、 前記プログラマブルメモリ制御装置が、接続されるメモ
    リアレイカードの数に従って、該メモリアレイカードで
    使用されるRAS信号、CAS信号、アドレス信号及び
    アドレス有効信号の出力タイミングを変更する手段を有
    し、前記第1カード上の 前記リパワー手段が、前記アドレス
    及び制御情報を複製し、前記回路板の前記配線に沿って
    前記他のメモリアレイカードに転送する、 ことから成る拡張可能メモリシステム。
  7. 【請求項7】メモリアレイカード、ソケットセット、ソ
    ケットセットと共にソケット間の回路板の配線を有する
    回路板、を用いるメモリシステムを拡張するための方法
    であって、 前記メモリシステムが、メモリアドレス及び制御信号を
    転送するためプログラマブルメモリ制御装置を有し、前
    記プログラマブルメモリ制御装置と前記メモリアレイカ
    ードの間にデータケーブルを有し、 前記メモリシステム拡張方法は、 空のソケットセットに追加のカードを挿入することによ
    ってメモリアレイカードを追加するステップと、前記プログラマブルメモリ制御装置と前記メモリアレイ
    カード間に前記データケーブル を結合するステップと、 一方の前記メモリアレイカードに前記メモリアドレス及
    び制御信号を付与して、前記回路板の前記配線を介して
    他方の前記メモリアレイカードにアドレス及び制御情報
    を複製し、転送するステップと、 追加されたメモリアレイカードに適合するため、前記プ
    ログラマブルメモリ制御装置内のプログラムを変更する
    ことによってRAS信号、CAS信号、アドレス信号及
    びアドレス有効信号の出力タイミングを変更するステッ
    プと、 を備えるメモリシステム拡張方法。
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