TW302507B - - Google Patents

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^>02507 aB7五、發明説明（1 ) 本發明僳關於一種利用光學製販技術，來製造範圍在 200ηιπ以下的結構之方法。 在半導體的技術、以及在撤霄子的領域中，其結構的 尺寸總是越來越小。在記億體産品中，至今已經有宽度 小於400ηΠ的結構被製造出來；其中便結合了光學製版 技術和面罩的技術在内。由於有撓射效應的緣故，光學 製版技術預期將會有一個大約為150nm的極限。然而在 一些新式的應用領域中，例如單電子電晶醴、或是分子 電子元件，卻需要尺寸更小的結構β這適用於高頻率之 切換電路，也可用在一般的電子零件中。 以X-光來製販的方法，便為這一類小型的結構，提供 了一種可能性，此乃因它具有短波長，所以這種方法可 以製造10 On®以下的尺寸。然而，這裡它所需要的面罩 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製

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、1T .丄 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 其 14尤 第， 至物 9 、 3 合 L 化 屬 an3’ 金 5 9 素 lx 1X · a 鹵 t 9 Ϊ c: S 用 6 Γ _, H e 和 dashs n i Μϋ u 1 Sc 卩^法 • · p - s 方 left a i i 0 -7 Γ β yr e d talo a c M A 也 第 頁 其 0 化0 是 所 序 程 刻 蝕 板 基 有 具 己 就 候 時 的 層 薄 在 它 了 性 定 穩 刻 蝕 的 需 考 參 頁 & 4 好 第不 ，很 7 卻 98性 (1持 冊販 5 製 0 勺 ，料 ΒΗ材 y 機 g S ο Λ _ CBC ο 替 hn這 ec而 T然 β 至 尤 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（21UX 297公埯） 經濟部中夬標準局貝工消费合作社印製 S02507 A7 ____B7_五、發明説明（4 ) 其是它用來結構化所需的劑量很大；例如以一個2Qna厚 的CaF2抗蝕層為例，它的值約為1 C/cn2。因此，它 的寫入速度和産能也會受限。本發明的基本目的，是要 提出一種方法，它可以在正常的氣壓下，利用低能的電 子來産生一個長寬比很高的次- 200ηιη結構，而也能同時 將一層厚的抗蝕層（>100nm)加以結構化。 根據本發明，這項目的是利用這種方式來解決的：在 一面基板上，鍍上一層含氫之無定形碩元素以構成底層 抗蝕層，其光學能帶寬<1 eV,或鍍上一層嗥鍍的無定 形硪元素作為底層抗蝕層，的厚度S5QQni«。在底層抗 蝕層上，將加上一層對電子束敏感的、含矽的、或可矽 化的光阻層，厚度含50nm,來做為上層抗蝕層，上層抗 蝕將利用掃描式隧道顯微術、或掃描式作用力顯微術， 以能量舍SQeV的電子，來加以結構化，並再以異向性氣 氣電漿，利用蝕刻的方法，將結構複製到底部抗蝕層， 然後再利用電漿蝕刻法複製到基底上。 本發明的方法含有一条列的基本做法《因此，它便引 進.了一種包含了上層抗蝕層（頂層抗蝕層）釉底層抗蝕 l·--------{‘裝------訂------1 冰 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 抗50矽是提的 層 VII 含點會它 上度是優將 。 的厚，其度高 裡 ί 層 ，厚升 這層阻阻層會 在阻光光的也 。光的的它 ， 統的咀化 ，性 条感光矽後定 層敏相以之穩 蝕束負可理刻 抗子或種處蝕 層電相這缠的 雙對正。後中 的層是的.的漿 )一以化學電 層薄可矽化氣 蝕薄層以値氣 抗是一 可一在 層便這是過它 下，。或經而 {層 } ，在 ， 層蝕nm的，高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X297公埯） 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 A7 B7五、發明説明（5 ) 底層抗蝕層，是很厚的一層（S5Q0nm)無定形含氫之 元素（a-C:H),它具有一個光學的能帶寬<1 eV，或是 一層噴鍍上去的無定形磺元素（a-C)。這一類的抗蝕材 料具有下列的待性： 一它具有一個足夠大的導電性， -它可以塗層封閉而均勻的薄膜， 一它不含任何離子的不純物， 一它不會被上層抗蝕層所用的溶劑所侵蝕， -它能簡單而又不留殘留的在氣氣電漿中蝕刻， -以含有鹵素的電漿來蝕刻時，它具有高度的穩定性。 由具有前述特性的a-C: Η所構成的鍍層可以經由一個 磺氫電漿來鍍成，然後再以一値所諝的PECVD製程（ Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition)來處 理。此方法的參數，亦即氣體的種類、氣壓、以及需要 由反應器的幾何形狀和功率來決定的自偏壓電壓等的選 擇，必須要讓這些材料能有一個足夠小的光學能帶寬 (<1 eV),或是有一個足夠大的導電性（SIO— Q^cb·1) 。如此一來，便可以使低能量的電子經由位在，下方的抗 蝕層而導通。 適合的a-C層可以在一個一般的噴鍍装置中，從一値 石墨靶來噴鍍而成《其中，它的噴鍍參數則需要加以調 節，讓它的鍍層能夠光亮而又牢固。也可能徭要將被鍍 的基板，利用一個適合的清潔程序（氬氣或氣氣的電漿 )預先加以處理。 I----------^ 裝------訂------{ | (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中国國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X 297公疫） 五、發明説明（6 中是 VB 程或壓 製、電 的微ί 明顯子 發道電 本隧的 在的量 式能 至 1Α 在 是 好 最 量 射 照 A7 B7 描低其 掃以 。 個，化 一 鐘構 用橄結 利顯以 將力加 層用並 蝕作 -抗的射 層式照 上描來 的掃 它個

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'1T. λ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 ㈣石 技、 2 體 ο *1 導 S 半 ' 些矽 1 晶 在複 鍍、 被矽 以晶 可單 它是 ，像 此 -因上 。料 上材 料板 材基 的的 性見 題 ο 問20 生在 産制 會限 不都 而常 ，通 上度 胺 厚 亞層 醛鍍 聚其 和 ， 、上 鋁料 、材 ic鎵 St 、酢 4 N 在 3 是 •1 · S 但 一 複 在值 ’的 H)下 C:如 a-有 :具 板便 基它 /V 言中 而漿 性電 擇的 選來 刻起 蝕發 對激 而所 fiR ο 舞 下射 以由 nm個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X2W公趁） 五、發明説明（ 矽 晶 Λί 5 / W/鋁 胺 亞0 聚 於 由 Λ7 B7 2 I 種 這 在 以 所 上 之0 或 銅 在 鍍 被 接 直 能 不 並 來™ 囉 ssili有 鑛 肖2所 採y 到 成 sc f #又 便 — 鏟 媾 ，C 被 下a-以 況由可 情 它 < b ± Igifc料 間 材巾V« ^ * i 具 為它 做 的 見 常 與 可 値1 有 具 層 鍍 這 〇 上 之 鎢 和 力 應 的 小 較 可 也 所 銅 到 鍍 被 定 穩 刻0 的 比 相 困 很 得 變 便 記 檫 的 準 對 a-出 由找 而要 然它 o t 性此 層 鍍 的 成 構 過 穿 光 見 可 讓 法 無 卻 因 式 學 光 讓 且 而 料 材 的 用 〇選 能所 可它 不 ， 得層' 變蝕 候抗 時層 些上 某的 在感 ，敏 量束 測子 度電 厚對 層為 錢作 的 其 尤 o d 可le Bpifspl i m 劑 a 的 l 少ca 很01 値he l(c 要理 需原 只大 時放 射學 照化 行的 進諝 在所 是據 好根 最是 在 ο 用<1 被 ： 也量 這的 用需 利所 V ο β · 此k 如30 是在 更ί 層層 蝕蝕 抗抗 的的 作上 Η 術 來技 S)販 S 束 S1子 re電 層 拽 抗 層 的 化 矽 。被 小以 最可 到層 縮一 間上 時加 入再 寫， 讓後 可之 丨化 2 構 cm结 C/在 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝·. -3 .丄 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 作的 該類 ,-群這 用 0 作下 些態 1 狀 有的 具應 層反 蝕生 抗産 的劑 類藥 1 矽 這含 0 和 的 能 點個 優一 其在 有群 是用 烷 氣 矽 基烷 甲氨 基矽 胺用 用利 利以 以可 可說 ，來 説例 來舉 例和 舉 ， ，族 指酐 是的 別換 待置 族以 學加 化來 後 的 層 蝕 抗 其 於 至 0 族 氣 氫 的 換 置 以 加 來 之 物 合 化 矽 性 能 功 ABC s 幾 這 的 過 到 提 所 用 利 是 則 1 理 處 缅 本紙張尺度適用中國國家標华（CNS ) Λ4规格（21〇χπ7公埯） 五 _I_1_經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7B7 、發明説明（8 ) 溶液來加以處理的，就像它們在對應的抗蝕層材料中已 為人知一般（請參閲："Polymer Engineering and Science”，第 32 冊（1992)，第 1558 頁至 1564 頁，以及 "Journal of Vacuum Science & Technology B",第 10 冊（1992),第2610頁到2614頁）e此外，視其抗蝕層的 製程而定，它可以産生渠道（正像）或線條（負像）β 在下面的範例中，我們將進一步的來説明本發明β 範例1 一片矽晶圄，它將被置於一値充谋了甲烷的PECVD裝 \ · 置中（平行之平板式反應器，3吋的陰極和13.56 MHz 的發射器，陽極為六倍大），來覆上一層無定形的含氫 磺元素，它具有G.85eV的光學能帶寬（層厚度：45Qnni) 。鍍層參數：-900V自偏壓電壓，O.lmbar之甲烷®力， 7分鐘的上鍍時間。在這一鍍層上面將利用自轉式塗層 法，來塗上一層45nm厚的對電子束敏感之抗蝕層，並於 120 °C下，置於一値熱板上60秒將它烘乾。這一種抗蝕 層具有一値由酐和三级丁酯族所構成的基質聚合物（參 閲.EP-0S 0 494 383)。其上層将利用一摘掃描式隧道 顯微鏡（STM儀器）加以「照射」，其中，加了 - 50V的 探針針尖將會以的速度掃過探測物，並因而「寫 」出一條線來（電流：1.0pA)。然後，這一片晶圓將於 1 2 0°C下，置於一値熱板上加熱1 2 Q秒，然後再以6 Q秒的 時間，置於一値由四甲基氛水（1.19%)和1-苯基胺（0.25 X)所構成的水性顯影液來加以顯影β其中，一道相當於 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297// A7 B7 ^02507 五、發明説明（9 ) 其掃描圖案的150nm寬渠道，就會産生出來（正像），其 顯影的暗折損（dark erosion)為5nnu然後，這片晶圓 將以6 0秒的時間，利用一種矽化的溶液來處理，這種溶 液是由百分之4的二胺基丙基-二甲基矽氣烷-寡聚物溶 液，混入異丙醇和乙醇（比例2:1)的混合物中所構成 的。如此一來，它的抗蝕層就會從45nm長大到85nm,而 它的渠道寬度則將從15Qnm降到8Qnin。以這種方式所産 生的結構，將利用一値電漿蝕刻設備（TYP MIE 720, Fa MRC),在射頻（RF)功率為900W(45 V自偏壓電壓），及 氣氣氣流為3Q seem (3# bar)的條件下，被複製到無定 形之含氫的磺元素層上。在這裡，它的蝕刻時間為84秒 (包括了 50%的過蝕刻），其中，其光阻層厚度將降到15 ηιπ,而其結構的渠道寬度將增大到lQQnnu在碩元素層 裡的結構之長寬比是4.5。然後，抗蝕層的結構將利用 CF4電漿複製到矽晶圓上，其中可以這種抗蝕層厚度、 和蝕刻選擇性來逹到最大可能的蝕刻深度《在目前的情 況中，此值是6x450nnu然而在實際上，此蝕刻深度將 會.比最大可能的值小5 0 U ; 所得到的此一約為1 G Q n ra左右的結構寬度可以利用將 寫入參數調到最佳化而再將它大大的減小〇由於在STM 或SFM的製版技術上，還沒有鄰質效應（proximity-Effect)顯現出來，所以我們甚至可以期待有比高能電 子（50 keV)所産生者更高的解析度。 範例2 -1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210 X 297公煃） I----------！ ·$------ΐτ·------< i (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準扃員工消费合作杜印策 五、發明説明（10 A 7 B7 ί 器 中射 置發 裝的 D Ζ V Η c Μ Ε ρ 6 的.5 烷13 甲和 了極 滿陰 充的 値吋 1 3 於， 置器 將應 圓反 晶式 矽板 片平 1 行 平 能壓 IV _ S 學 0 ，七 1 II)^ 0 的 大 V 自 : e V 倍 5 0 iy8 ο i . 9 為 o I 極有： 陽具數 ，-參 素 元 磺 之 氫 含 的 形 定 無 層 1 上 覆 η η ο ο 2 度 厚 層 /(\ 寬 帶 力 壓 烷 甲 之 靥分 鑛 3 釋 稀 大 以 加 來 6 1 Π 6 ο η 9 間45丙 時層酸 鍍一乙 上上基 的塗菜 鐘來甲 面清 上醛 層酚 鍍以 - ' 這的 在厚 法 曾 塗 式 轉 自 用 利 將 Ζ A /UK 基 為 漆 Ε 4 £ 常 上 場 市 在 般 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 見的對電子束敏感之抗蝕層，並於litre下，置於一値 熱板上9 0秒將它烘乾。其上層將利用一痼掃描式作用力 顯撖鏡（SFM儀器）加以「照射」，其中，加了 - 35V的 探針針尖將會以3；um/s的速度掃過探測物，並因而「寫 」出一條線來（電流；<100 PA)。然後，這一片晶圓 將於13Q°C下，置於一個熱板上加熱90秒，並以一個近 紫外線來照射它整値表面（<20 mJ/cm2) β然後再以 20秒的時間，置於市場上常見的水φ顯影液（AZ 4Q0K, 以水1 : 4加以稀釋）加以顯影。然後，這Η晶圖将以6 0秒 的畤間，利用一種矽化的溶液加以處理，這種溶液是由 百分之12的雙-(二甲基胺）-二甲基矽烷溶液，混入甲氣 基乙酸丙酯和η -癸烷（比例1:1)的混合物中所構成的 。如此一來，它的抗蝕層就會從15nm長大到6Qnnu以這 種方式所産生的結構，將利用一個電槳蝕刻設備（TYP MIC 720，Fa. MRC) MRC,在射頻（RF)功率為 90(]W(45 V自偏壓電壓），及氣氣氣流為3 0 s c c m ( 3 a b a r )的條 -1 2 - --------1 裝 訂 ^ W. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 < 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (11 ) 1 i 件 下 1 被 複 裂 到 無定形 之 含 氫 的 碌元 素層上去，在 這裡 1 1 9 它 的 η 刻 時 間 為3 8秒 ( 包 括 了 5 0 ί的過蝕刻），其中 1 1 其 光 阻 層 厚 度 將降到 2 0 η ια f 以 及形 成一條具有結 構寬 —V 請 1 先 1 度 為 10 On m的直線來（負 像 )» 在碩元素層裡的結構之長 閱 讀 1 寬 比 是 2。 然後， 抗蝕層的結構將利用CF4電漿複製到 背 1 | 之 1 矽 晶 圓 上 » 其 中 可以造 種 抗 蝕 層 厚度 、和蝕刻選擇 性來 注 意 1 達 到 最 大 可 能 的 蝕刻深 度 0 在 巨 前的 情況中，此值 是6 事 項 1 I 再 X 2 0 On 然而在實際上， 此蝕刻深度將會比最大可能 填 本 裝 的 值 小 50 %〇 頁 '—^ | 範 例 3 ( 比 較 試 驗） 1 1 — Η 矽 晶 囫 將 置於一 値 充 谋 甲 烷的 PECVD裝置中 (平 1 | 行 平 板 式 反 應 器 .3吋 的 陰 掻 和 13.5 6 Μ Η z的發射器， 1 訂 陽 極 為 倍 上 ) ,來覆 上 —-» 層 無 定形 的含氫之硪元 素， 1 它 具 有 1 . 1 eV的 光學能 帶 寬 ( 層 厚度 :250nm) β 鑛層 1 1 參 數 ： -6 5 0 V 自 偏壓電 m » 0 . 1 E )m b a r之甲烷壓力， 4 . 5 1 I 分 鐘 的 上 鍍 時 間 。在這 一 鍍 層 上 面野 利用自轉式塗 層法 1 J 9 來 塗 上 — 層 4 5 nm厚、 與 範 例 1 相同 的對霄子束敏 感之 1 抗 .蝕 層 % 並 於 12 0。。下， 置於- -個熱板上60秒將它烘乾 1 1 Ο 在 這 個 試 驗 中 ,其上 層 將 利 用 -個 與範例1相同 的掃 1 1 描 式 隧 道 顯 撤 鏡 (STM儀器） 來加以 「照射」，然後便 '1 可 以 觀 察 到 充 電 效應。 此 效 應 限 制了 最大電流量β 因此 1 » 這 —^ 種 結 構 不 能在a- -C :Η層上^ 完全顯現出來。 1 1 範 例 4 1 1 在 一 台 具 有 可 旋轉之 噴 鍍 由硪 元素所構成） 的霣 1 1 13 1 1 1 1 本紙浪尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4規格（210X297公毖） Α7 Β7 302507 五、發明説明（ρ) 子噴鍍機中（Typ Ζ 550, Fa. Leybold),我們將送一 Η已經鍍有一層鋁的矽晶圓到基板盤上，然後再用一値 輪機泵，將它軸成壓力為9. lO^inbar的真空^在氬氣 的通過量為5 0 s c c m、或是氣氣的通過量為5 s c c π的條 件下，要清潔其基板時（已有鍍層的晶圖），其壓力將 調到5· 10 mbar·,然後再利用這兩種製程之氣體，以 300 W的高頻功率噴鍍3分鐘。然後，氧氣將會停止通 過，並以純氬氣再噴鍍3分鐘。對於鍍層的程序而言， 將有直流電壓的電漿在碩元素耙上點燃（氬氣的通過量 :75 seem),而'且先以50Q W進行無功噴鍍（blind sputter) 3分鐘（壓力：7.1· ltT3mbar)以清潔其靶 。然後此噴鍍靶移到基板上方，並再噴鍍90秒。這樣可 以得到一値厚度約為250nm、很硬的、附著良好的無定 形磺元素層，其具有良好的導電性。在這一鍍層上面利 用自轉式塗層法塗上一層45nm厚、與範例1相同的對電 子束敏感之抗蝕層，並於12ITC下，置於一値熱板上60 .· 秒將它烘乾。然後，其上層將利用一個掃描式隧道顯微 鏡-(STM儀器）來加以「照射」。其中，加了 MO V的探 針針尖將會以1 /u m / s的速度掃過探測物，並因而「寫」 出一條線來（電流：ΙΟΡΑ)。然後，這一片晶圓將於 1 2 0 °C下，置於一値熱板上加熱1 2 Q秒，再以6 0秒的時間 ，置於由四甲基氨水（1.19X)和1-苯基胺（0.25X)所構成 的水性顯影液加以顯影。其中，一道相當於其掃描圖案 的150η π寬渠道，就會産生出來（正像），其顯影的暗折 -1 4 - 本紙張·尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4说格（210Χ297公釐） I-----：——i -裝.------1T------ί $ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局貝工消費合作杜印製 Λ 7 Β7 經濟部中央標窣局員工消费合作杜印製 五、發明説明 (13 ) 1 i 損 為 5 η Mo 然後， 這片 晶圓將以6 0秒的 時間， 利用一種 1 1 矽 化 的 溶 液 加以 處 理 > 這 種 溶 液 是由百分之 4的二胺基 1 丙 基 -二甲基矽氣烷- 寡 聚 物 溶 液 ，混入異丙 醇中所構成 請 1 先 1 的 0 如 此 —* 來， 其 抗 独 層 就 會 從 4 0 η ία長大到 8 0 nm，其渠 閱 1 道 寬 度 則 將 從15 On m降到9 On ffl 〇 以這種 方式所産生的結 背 面 1 ! 之 1 構 將 利 用 電 漿蝕 刻 設 備 (T YP Μ I Ε 7 2 0 F a . MR C ),在射 注 意 1 孝 頻 (RF) 功 率 為90 0 W (4 5 V自偏壓電壓 ),及氣氣氣流 項 再 為 3 0 S C C η (3 μ b ar)的條件下， 被複 製到已噴鍍的無 填 % 本 裝 定 形 m 元 素 層上 * 其 蝕 刻 時 間 為 3 6秒 (包括 了 50X的過 頁 1 I 蝕 刻 ) 9 其 中， 萁 光 阻 層 厚 度 將 降到 ϊ 0 n m , 而结構的渠 1 1 道 寬 度 將 增 大到 10 0 η m , 因此， 碩元素 層裡的结構之長 1 1 寬 比 是 2 . 5〇 然後， 抗蝕層的結構將利 用C F 4 電漿褀製 1 訂 到 鋁 層 上 * 其中 可 以 這 種 抗 蝕 層 厚度 、和蝕 刻選擇性， 1 來 達 到 最 大 可能 的 蝕 刻 深 度 ； 在 目前 清況中 ，此值是4 1 1 X 2 5 0 η m , 然而在實際上， 蝕刻深度比 最大可能的值小 1 I 50 %〇 1 範 例 5 > ·. · I ·—— Η 矽 晶 圓將 置 於 一 個 充 滿 甲 烷的 PECVD装置中（平 1 行 平 板 式 反 應器 * 3 时 的 陰 極 和 13.5 6 MHz的發射器， 1 1 陽 極 為 _L^ 倍 大） > 來 覆 上 一 層 無 定形 的含氫 之硝元素， 1 它 具 有 0 · 8Ε eV的光學能帶寬 【層 厚度 :3 5 0 n m ) 〇鍍層 1 參 數 ： -90C 1 V自 編 壓 電 壓 0 • 1 η b a r 之甲烷 壓力，7分 1 1 鐘 的 上 鍍 時 間。 在 這 一 鍍 層 上 面 將利 用自轉 式塗層法， 1 I 來 塗 上 一 層 4 5 n in 厚 、 與 範 例 1 相 同的 對電子 束敏政之抗 1 1 15 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2ΙΟΧ21)·/公馇） 502507_b7__五、發明説明（14) 蝕層，並以120°C下，置於一個熱板上60秒將它烘乾β 其上層將利用一個掃描式隧道顯微鏡（STM儀器）來加 以「照射」。其中，加了 - 55 V的探針針尖將會以l#ffl/s 的速度掃過探_物，並因而「寫」出一條線來（電流： 20 ρΑ) β然後，這一片晶圓將於120 °C下，置於一艏熱 板上加熱1 2 0秒，再以6 0秒的時間，利用一種矽化的溶 液加以處理，這種溶液是由百分之1的二胺基丙基-二 甲基矽氣烷-寡聚物溶液，混入異丙醇和（比例15.5:1) 的混合物中所構成的β如此一來，抗蝕層厚度就會從40 ηπ長大到8Qnnie以這種方式所産生的結構將利用電漿蝕 刻設備（TYP MIE 720, Fa. MRC),在一個射頻（PF)功 率為900 W(45V自偏壓電壓），及氣氣氣流為30 see® (3# bar)的條件下，被複製到無定形含氫之硪元素層上 β在這裡，其蝕刻時間為7 4秒（包括了 5 0 51的過蝕刻） 。其中，光阻層厚度將降到45ηπ,以及形成具有直線寬 度為80n a的結構來（負像）^因此，硪元素層裡的結構 之長寬比是4.3。然後，抗蝕層的結構將利用CP4電漿 -------_-I^ ------.玎------j (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 選此的 刻，能 蝕中可 和況大 '1、情最 度前比 厚目度 層在深 蝕 C刻 抗度蝕 種深 ， 這刻上 以蝕際 可的實 中能在 其可而 ,大然 上最 〇 圓到 η 晶達50 3 0 矽來 χ X ο 到 - 6 5 製性是小 複擇值值 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（2l〇X2t)7公淹：）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 (ft，/ 、申請專利範圍 第84113693號「以光學製版技術來製作結構之方法」 專利案 (85年11月修正） ，申諳專利範圍： 1. 一種以光學製販技術來製作結構之方法，此結構傜在 次200nm之範圍内，其持擻為：在一面基板上，錢上 一層由含氫之無定形碩元素（a-C:H)以構成底層抗蝕 該 vn , 度 層厚 層層 1 底 上成 鍍構 是以 或 C - , a V ( e素 <1元 寬碩 帶形 能定 學無 光的 之鍍 素噴 元之' 、上 感為 敏作 束以 子 ， 電 對 層光 1 之 上nm D 0 力 5 ,<__ 上度 層厚 蝕的 抗化 層矽 底可 在或> 、 層的 蝕矽 抗含 描 8 掃 VII 用量 利能 將以 層 -蝕鏡 抗徹 層顯 上力 此用 , 作 層式 蝕描 抗掃 層或 利電 , 用 漿利 gBi SJ 質 P. 氣後 氧然 的 - 性層 向蝕 異抗 以層 且底 -到 化製 構複 結構 層隧 V 蝕独. 阻式 e 用漿 、 以 鏡加 徹子 顯電 道的 結複 將其 法將 方法 刻刻 的 化 構 結 行 進 中 其 法 方 之 項 1A 第 圍 範 〇 利 上專 板請 基申 到據 裂根 2 --------- '裝------訂； I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 結 IB2該 /C中 C其。 30，内 至法板 10方基 在之到 是項裂 別 2 複 待第而 ’或刻 m2項蝕 C 1 / 1 由 α第經 50圍漿 至範電 1 利素 為專鹵 量請用 劑申利 射據偽 照根構 3 用 技 採 體 中 導 其 半 , 用 法 採 方。中 之板其 項基 ， 2 為法 第作方 或料之 項材項 1 的 3 第見第 圍常圍 範所範 利上利 專術專 請技謓 申髏申 據導據 根半根 • · 4 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐〉 SuL5〇7 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 層 上 中 其 法 方 之 項 2 〇 第 板或 基項 為 1 作第 料圍 材範 的利 見專 常請 所申 上據 術根 6 在 層 0 独 理抗 處層 劑上 藥中 〇 的其理 矽，處 含法劑 種方藥 1 之的 以項矽 偽 3 含 後第種 之圍一 化範以 構利僳 結專後 在請之 層申化 蝕據構 抗根結 在 層 蝕 抗 層 上 中 0 h Ϊ·· 其理 , 處 法劑 方藥 之的 項矽 4 含 第種 圍一 範以 利係 專後 請之 申化 據構 根結 8 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈. —訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）