TW202425125A - 具有隔離結構之半導體裝置的形成方法 - Google Patents

具有隔離結構之半導體裝置的形成方法 Download PDF

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TW202425125A
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semiconductor devices
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forming semiconductor
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TW112132011A
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金昊珍
明梅 王
蔡洙杜
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日商東京威力科創股份有限公司
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揭露了一種半導體裝置的形成方法。方法包括形成第一層在基板上。方法包括形成第二層在第一層上。基板以及第二層具有第一半導體材料且第一層具有第二半導體材料，以及第一半導體材料以及第二半導體材料之間存在蝕刻選擇性。方法包括進行第一蝕刻處理，以去除第二層的一部分，直至曝露出第一層，其中第一層被配置為第一蝕刻處理的蝕刻停止層。
TW112132011A 2022-08-29 2023-08-25 具有隔離結構之半導體裝置的形成方法 TW202425125A (zh)

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