TW202422631A - 聚焦環及用於製備其之方法 - Google Patents

Abstract

一聚焦環及用於製備其之方法。該聚焦環包括：一第一環，其由一第一材料製成；一第二環，其被該第一環覆蓋，其中該第二環由不同於該第一材料的一第二材料製成；以及一緊固構件，其組配來將該第一環耦接至該第二環。該緊固構件包括：一貫穿部分，其組配成穿過該第二環；以及一埋藏部分，其埋藏於該第一環之一下部分中。該貫穿部分可具有一第一直徑，且該埋藏部分可具有大於或等於該第一直徑的一第二直徑。

Description

聚焦環及用於製備其之方法

此美國非臨時專利申請案依據35 U.S.C. § 119之規定，主張2022年7月29日申請之韓國專利申請案號10-2022-00094874之優先權，其全部內容係以引用方式併入本文中。

本案揭露內容係關於一種聚焦環及一種用於製備其之方法，且更特定地係關於一種用於半導體電漿蝕刻之聚焦環及一種用於製備其之方法。

一般而言，一半導體元件係藉由重複地對一矽晶圓施行製備程序來完成。一半導體製備程序包括針對作為目標材料之一晶圓的氧化、遮罩、光阻塗覆、蝕刻、擴散及層壓程序。此外，諸如清洗、乾燥及檢驗之程序應在上述程序之前及之後施行。特別地，蝕刻程序是在晶圓上實質上形成一圖案的一重要程序。蝕刻程序可大致區分為濕蝕刻及乾蝕刻。

乾蝕刻程序是移除在光程序後所形成之光阻圖案的暴露部分的一程序。高頻電力係施加至一上電極及一下電極(其等經安裝於一密封的內空間中，彼此間隔開一預定距離)以產生一電場，且供應至該密封空間中的一反應氣體係被該電場促動而變成一電漿狀態，且接著安置在該下電極上的一晶圓被處於電漿狀態的離子蝕刻。

該電漿可集中在該晶圓之一整個頂表面的一區域上方。為此，一聚焦環係安置在一夾頭本體的一圓周周圍，該夾頭本體安置在該下電極上面。

該聚焦環係將電場形成區域集中，該電場形成區域係藉由將高頻電力施加至晶圓安置其上之區域而形成在該夾頭本體上方，且該晶圓被安置在電漿生成其上之區域的一中心處並且整體均勻地被蝕刻。

本揭露內容提供一種聚焦環，其中層壓了具有極佳耐用性的不同材料，以及一種用於製備該聚焦環之方法。

本發明概念之一實施例提供一種聚焦環，該聚焦環包括：一第一環，其由一第一材料製成；一第二環，其被該第一環覆蓋，其中該第二環由不同於該第一材料之材料的一材料製成；以及一緊固構件，其組配來將該第一環耦接至該第二環。該緊固構件可包括：一貫穿部分，其組配成穿過該第二環；以及一埋藏部分，其埋藏於該第一環之一下部分中，其中該貫穿部分可具有一第一直徑，且該埋藏部分可具有大於或等於該第一直徑的一第二直徑。

在本發明概念之一實施例中，一種用於製備一聚焦環之方法包括：在由一第一材料製成的一第一環中形成一凹部；在由不同於該第一材料之一第二材料製成的一第二環中形成一貫穿孔；層壓該第一環及該第二環，使得該凹部與該貫穿孔彼此對準，其中該凹部與該貫穿孔彼此連通以形成一耦接溝槽；在該耦接溝槽中設置一接合組成物；及固化該接合組成物以形成一緊固構件，其將該第一環與該第二環彼此耦接。該貫穿孔可具有一第一直徑，且該凹部可具有大於或等於該第一直徑的一第二直徑。

本發明之優點及特徵以及其實行方式將透過下面參照隨附圖式說明的實施例來闡明。然而，本發明能以不同的形式實現，且不應被解釋為受限於本文所闡述之實施例。而是，提供這些實施例使得此揭露內容將為透徹且完整的，且將本發明之範疇充分傳達給熟習此項技術者。此外，本發明僅由申請專利範圍之範疇界定。貫穿全文，類似參考數字係指類似元件。

在以下說明中，技術用語僅用以解釋一特定範例性實施例，而非限制本發明。在此說明書中，除非特別提及，否則單數形式之用語可包含複數形式。「包含」及/或「包括」之含義係指明一組件、一步驟、一操作及/或一元件不排除其他組件、步驟、操作及/或元件。下文中，將詳細地說明本發明概念之實施例。

作為本發明概念之一實施例，將說明一電漿裝置，其藉由以感應耦合式電漿(ICP)方法產生電漿來處理一基體。然而，本發明概念之實施例不限於此，且可應用於使用諸如電容耦合式電漿(CCP)方法或遠端電漿方法的電漿來處理基體的各種類型之裝置。

再者，在本發明概念之一實施例中，作為一支撐單元的一靜電夾頭將作為一範例來說明。然而，本發明概念之實施例不限於此，且該支撐單元可藉由機械夾持或真空來支撐一基體。

圖1為用以解釋本發明概念之實施例的一電漿裝置的一示意圖。

參看圖1，一電漿裝置10可使用電漿來處理一基體W。舉例而言，該電漿裝置10可使用在該基體W上的電漿來施行一蝕刻程序。該電漿裝置10可包括一腔室100、一支撐單元200、一氣體供應單元300、一電漿源400以及一排放單元500。

該腔室100可具有一處理空間，該基體W在該處理空間中被處理。該腔室100可包括一殼體110及一蓋體120。

該殼體110的一頂表面可被打開。亦即，該殼體110之內空間可被打開。該殼體110之該內空間可充當施行基體處理程序的一處理空間。該殼體110可包括一金屬材料。舉例而言，該殼體110可包括鋁。該殼體110可接地。

一排放孔102可設置在該殼體110之一底表面中。該排放孔102可連接至一排放管線151。在程序期間所產生的反應副產物以及殘留在該殼體110之內空間中的氣體可透過該排放管線151排出至外側。該殼體110之內部可藉由一排放程序來減少至一預定壓力。

該蓋體120可覆蓋該殼體110之一打開的頂表面。該蓋體120具有一板體形狀且可密封該殼體110之內空間。該蓋體120可包括一介電物質窗。

一襯裡130可設置在該殼體110之內側。該襯裡130可具有一內空間，該內空間具有打開的頂表面及底表面。亦即，該襯裡130可具有一圓柱形形狀。該襯裡130可具有對應於該殼體110之內表面的一半徑。該襯裡130可沿著該殼體110之內表面向下延伸。

該襯裡130可包括在其一上部分上的一支撐環131。該支撐環131可具有一環形形狀，且可沿著該襯裡130之一圓周從該襯裡130向外突起。該支撐環131可設置在該殼體110之上部分上以支撐該襯裡130。

該襯裡130可包括與該殼體110相同的材料。舉例而言，該襯裡130可包括鋁。該襯裡130可保護該殼體110之內表面。舉例而言，當處理氣體被激發時，一電弧放電可在該腔室100之內側產生。該電弧放電可損壞周邊裝置。該襯裡130可保護該殼體110之內表面免於被電弧放電損壞。此外，可防止基體處理程序期間所產生的反應副產物沉積在該殼體110之一內壁上。該襯裡130可比該殼體110更便宜，且可容易地替換。因此，當該襯裡130由於電弧放電而損壞時，損壞的襯裡130可用新襯裡130替換。

支撐單元200可在腔室100之內側的處理空間內支撐基體W。舉例而言，該支撐單元200可安置在該殼體110之內側。該支撐單元200可在一靜電夾頭方法中提供，以供使用靜電力來吸附該基體W。作為另一範例，該支撐單元200能以諸如機械夾持之各種方式來支撐該基體W。下文中，將說明在靜電夾頭方法中所提供的該支撐單元200。

該支撐單元200可包括夾頭220、230及250以及一邊緣環240。該等夾頭220、230及250可在處理期間支撐該基體W。該等夾頭220、230及250可包括一支撐板220、一通道形成板230以及一絕緣板250。

該支撐板220可安置在該支撐單元200之一上部分處。該支撐板220可由一盤形介電物質製成。舉例而言，該支撐板220可包括石英。該基體W可安置在該支撐板220之一頂表面上。該支撐板220之頂表面可具有小於該基體W之半徑的一半徑。一第一供應通道221可設置在該支撐板220中，該第一供應通道係使用作為一熱轉移氣體通過其供應至該基體W之一底表面的一通道。一靜電電極223及一加熱器225可埋藏於該支撐板220中。

該靜電電極223可安置在該加熱器225上。該靜電電極223可電氣連接至一第一下電源供應器223a。靜電力可藉由施加至該靜電電極223之電流而在該靜電電極223與該基體W之間作用，且該基體W可藉由該靜電力吸附至該支撐板220。

該加熱器225可電氣連接至一第二下電源供應器225a。該加熱器225可藉由抵抗從該第二下電源供應器225a所施加的電流來產生熱。所產生之熱可透過該支撐板220傳送至該基體W。該基體W可藉由該加熱器225所產生之熱來維持在一設定溫度。該加熱器225可包括一螺旋線圈。

通道形成板230可設置在該支撐板220下面。該支撐板220之一底表面與該通道形成板230之一頂表面可藉由一黏著劑236來彼此接合。一第一循環通道231、一第二循環通道232及一第二供應通道233可設置在該通道形成板230中。該第一循環通道231可充當熱轉移氣體循環通過其的一通道。該第二循環通道232可充當一冷卻流體循環通過其的一通道。該第二供應通道233可將第一循環通道231連接至第一供應通道221。舉例而言，該通道形成板230可包括石英。

在一實施例中，該第一循環通道231能以一螺旋形狀設置在該通道形成板230之內側。在另一實施例中，該第一循環通道231可包括環狀通道，其等具有彼此不同的半徑。該等環狀通道可配置成具有相同的中心軸線。

該第一循環通道231可透過一熱轉移媒體供應管線231b來連接至一熱轉移媒體儲存單元231a。一熱轉移媒體可儲存在該熱轉移媒體儲存單元231a中。該熱轉移媒體可包括一惰性氣體。在一實施例中，該熱轉移媒體可包括一氦(He)氣。該氦氣可透過該供應管線231b供應至該第一循環通道231，且可相繼穿過該第二供應通道233及該第一供應通道221，以便於供應至該基體W之底表面。該氦氣可充當一媒體以幫助在該基體W與該支撐板220之間的熱交換。因此，整個基體W之一溫度可為均勻的。

該第二循環通道232可透過一冷卻流體供應管線232c來連接至該冷卻流體儲存單元232a。一冷卻流體可儲存在該冷卻流體儲存單元232a中。一冷卻器232b可設置在該冷卻流體儲存單元232a中。該冷卻器232b可將該冷卻流體冷卻至一預定溫度。替代地，該冷卻器232b可安裝在該冷卻流體供應管線232c上。透過該冷卻流體供應管線232c供應至該第二循環通道232的冷卻流體，係可沿著該第二循環通道232循環以冷卻該通道形成板230。當該通道形成板230被冷卻時，該支撐板220及該基體W可一起被冷卻，以將該基體W維持在一預定溫度。出於上述原因，邊緣環240之下部分可具有小於該邊緣環240之上部分之溫度的一溫度。

一絕緣板250可設置在該通道形成板230下方。該絕緣板250可包括一絕緣材料，且可使該通道形成板230與下蓋體270電氣絕緣。

該下蓋體270可設置在該支撐單元200下方。該下蓋體270可從殼體110之底部直向地間隔開。該下蓋體270可具有一內空間，其具有一打開的頂表面。該下蓋體270之頂表面可由該絕緣板250覆蓋。因此，該下蓋體270之一截面的一外半徑能以相同於該絕緣板250之一外半徑的長度設置。一升降銷可安置在該下蓋體270之內空間中以接收從一外部轉移構件轉移的基體W，使得該基體W就座於該支撐板220上。

該下蓋體270可包括一連接構件273。該連接構件273可將該下蓋體270之一外表面連接至殼體110之內壁。複數個連接構件273能以規則間隔設置在該下蓋體270之該外表面上。該連接構件273可支撐該支撐單元200。此外，該連接構件273可連接至該殼體110之該內壁，使得該下蓋體270接地。連接至第一下電源供應器223a之一第一電力管線223c、連接至第二下電源供應器225a之一第二電力管線225c、連接至熱轉移媒體儲存單元231a之一熱轉移媒體供應管線231b以及連接至冷卻流體儲存單元232a之一冷卻流體供應管線232c，係可通過該連接構件273之內空間延伸至該下蓋體270中。

該氣體供應單元300可將一處理氣體供應至該腔室100之內側的處理空間。該氣體供應單元300可包括一氣體供應噴嘴310、一氣體供應管線320及一氣體儲存單元330。該氣體供應噴嘴310可設置在該蓋體120之一中心部分處。一注入孔可形成在該氣體供應噴嘴310之一底表面中。處理氣體可透過該注入孔來供應至該腔室100中。

該氣體供應管線320可將該氣體供應噴嘴310連接至該氣體儲存單元330。該氣體供應管線320可將儲存在該氣體儲存單元330中的處理氣體供應至該氣體供應噴嘴310。一閥321可設置在該氣體供應管線320中。該閥321可打開及關閉該氣體供應管線320，且可調整通過該氣體供應管線320所供應之處理氣體的一流率。

電漿源400可從供應至腔室100中之處理氣體產生電漿。該電漿源400可設置在該腔室100的處理空間之外側。在一實施例中，一感應耦合式電漿(ICP)源可使用作為該電漿源400。該電漿源400可包括一天線腔室410、一天線420及一電漿電源供應器430。

該天線腔室410可具有一圓柱形形狀，其具有一打開的下部分。該天線腔室410可具有對應於腔室100之直徑的一直徑。該天線腔室410之一下端可以可拆卸地設置在該蓋體120上。

該天線420可安置在該天線腔室410之內側。該天線420可具有一螺旋線圈形狀。該天線420可連接至該電漿電源供應器430。該天線420可接收來自該電漿電源供應器430的電力。該電漿電源供應器430可安置在該腔室100之外側。電力施加至其的該天線420可在該腔室100之處理空間中形成一電磁場。該處理氣體可藉由該電磁場激發成一電漿狀態。

排放單元500可設置在殼體110之內壁與支撐單元200之間。該排放單元500可包括一排放板510，其中界定了一貫穿孔511。該排放板510可具有一環狀環形狀。複數個貫穿孔511可設置在該排放板510中。設置在該殼體110中的處理氣體可穿過該排放板510的該等貫穿孔511，且接著排放至排放孔102。可根據該排放板510及該等貫穿孔511之形狀，來控制處理氣體之一流動。

圖2為圖1之一區域M的一放大截面圖，以便於解釋本發明概念之實施例的邊緣環。

參看圖1及2，該邊緣環240可安置在該支撐單元200之一邊緣區域上。該邊緣環240可具有一環形狀且可在該支撐板220之一邊緣周圍設置。舉例而言，該邊緣環240可沿著該支撐板220之一圓周安置。

該邊緣環240可控制在一護套及/或電漿之間的一介面。該邊緣環240可包括一聚焦環FCR及一蓋體環CVR。該蓋體環CVR可設置在該聚焦環FCR下面。該蓋體環CVR可包括從其一頂表面直向地突起的一突起部PRP。舉例而言，該蓋體環CVR可包括一絕緣體，諸如石英。

該聚焦環FCR可包括安置在其一上部分處的一第一環RIN1、安置在其一下部分處的一第二環RIN2、以及將該第一環RIN1耦接至該第二環RIN2的至少一緊固構件FTM。該緊固構件FTM可具有相似於一螺栓之形狀的一形狀，其稍後將被詳細說明。

該第一環RIN1之一頂表面可暴露。該第一環RIN1之頂表面可包括一支撐表面SUS以及一最上表面TTS。該支撐表面SUS可設置在與支撐板220之頂表面相同的高度處，且可與基體W之邊緣的一底表面接觸。在另一實施例中，該第一環RIN1之該支撐表面SUS可設置成比該支撐板220之該頂表面低一預定尺寸，且因此該基體W之邊緣的底表面與該支撐表面SUS可彼此間隔開一預定距離。

該第一環RIN1之頂表面TTS可高於該支撐表面SUS。由於該支撐表面SUS與該最上表面TTS之間的高度差，護套與電漿之介面以及電場可被調整。結果，該聚焦環FCR可導致電漿聚焦在該基體W上。

該第二環RIN2可構成該聚焦環FCR的一下結構。該第二環RIN2可包括不同於該第一環RIN1之材料的一材料。舉例而言，該第一環RIN1可包括碳化矽(SiC)，且該第二環RIN2可包括矽(Si)。矽(Si)比碳化矽(SiC)更便宜。當對比於整個聚焦環FCR係由碳化矽(SiC)製成之情況時，本發明概念之聚焦環FCR可為經濟的，因為僅外部暴露的第一環RIN1係由碳化矽(SiC)製成。

該緊固構件FTM可具有一螺栓形狀，其穿過該第二環RIN2。該緊固構件FTM可接合至該等第一及第二環RIN1及RIN2，以將該等第一與第二環RIN1與RIN2彼此耦接。該緊固構件FTM可包括一陶瓷或聚合物材料，其不同於該等第一及第二環RIN1及RIN2中之每一者的材料。

該蓋體環CVR可設置在該聚焦環FCR下面。該蓋體環CVR可具有一環形狀，其環繞支撐板220之一外圓周表面。該蓋體環CVR可防止該聚焦環FCR之底部暴露於電漿。該蓋體環CVR之突起部PRP可與該聚焦環FCR之一溝槽GRV銜接。

在本發明概念之另一實施例中，雖然未顯示，但一耦接器可進一步設置在該蓋體環CVR下方。該耦接器可將該蓋體環CVR固定在該通道形成板230上。該耦接器可包括具有高導熱性的一材料。作為一範例，該耦接器可包括諸如鋁的一金屬。該耦接器可藉由使用一導熱黏著劑來接合至該通道形成板230之頂表面。該蓋體環CVR可藉由該導熱黏著劑來接合至該耦接器之一頂表面。舉例而言，該導熱黏著劑可包括一矽襯墊。

在本發明概念之一實施例中，第一供應通道221可設置在聚焦環FCR下方。一氦氣可通過該第一供應通道221在該支撐板220與該聚焦環FCR之間供應。該氦氣可在電漿裝置10之一操作期間控制該聚焦環FCR之一溫度。電漿之均勻性可藉由使用氦氣控制該聚焦環FCR之溫度來控制。

通過該第一供應通道221所供應之氦氣可沿著在該第二環RIN2與該支撐板220之間的一間隙流動。在電漿裝置10之操作期間，該支撐板220及該第二環RIN2可彼此緊密接觸，以防止氦氣從該聚焦環FCR洩漏。

圖3為例示本發明概念之實施例之聚焦環之一底表面的一平面圖。圖4為沿著圖3之線A-A'所截取的一截面圖。圖5為例示圖3之聚焦環之一部分的一立體圖。

參看圖3至5，聚焦環FCR可包括一第一環RIN1、一第二環RIN2以及複數個緊固構件FTM。該等複數個緊固構件FTM可將該第一環RIN1耦接至該第二環RIN2。

該第一環RIN1可具有具在一第三方向D3上之一中心軸線AX的一環形狀。該第二環RIN2可具有具相同於該第一環RIN1之中心軸線AX的一環形狀。舉例而言，該第一環RIN1可包括一第一材料，且該第二環RIN2可包括不同於該第一材料的一第二材料。

該第一材料及該第二材料可選自以下所組成之群組的不同材料：碳化矽(SiC)、矽(Si)及碳化硼。碳化硼可選自以下所組成之群組：B ₂C、B ₃C、B ₄C、B ₅C、B ₁₃C2、B ₁₃C ₃、B ₅₀C ₂或其一組合。舉例而言，該第一環RIN1可包括碳化矽(SiC)，且該第二環RIN2可包括矽(Si)。

該第一環RIN1可包括：一蓋體部分CVP，其設置在該第二環RIN2上以覆蓋該第二環RIN2；一負載部分LDP，其安置在該蓋體部分CVP之內側；以及一外部分ENP，其安置在該蓋體部分CVP之外側。此說明書中所使用之「安置在......之內側」的含義可意謂其安置成更靠近中心軸線AX (參見圖3)。此說明書中所使用之「安置在......之外側」的含義可意謂其安置成更遠離中心軸線AX。

該第一環RIN1之負載部分LDP可設置在比該蓋體部分CVP之高度更低的一高度處。該負載部分LDP之一頂表面可包括支撐表面SUS。該蓋體部分CVP之一頂表面可包括頂表面TTS。可提供一傾斜表面ICS，其將該負載部分LDP之該支撐表面SUS連接至該蓋體部分CVP之該頂表面TTS。該傾斜表面ICS可從該支撐表面SUS直向地或傾斜地延伸至該最上表面TTS。

如上文參照圖2所說明，該負載部分LDP之支撐表面SUS可供基體W就坐。該頂表面TTS可安置成高於該支撐表面SUS。該傾斜表面ICS可將該支撐表面SUS連接至該最上表面TTS，且在護套與電漿之間的介面以及電場可透過該傾斜表面ICS來控制。亦即，該傾斜表面ICS可導致電漿集中在基體W上。

當施行使用圖1之上述電漿裝置的程序時，該聚焦環FCR可具有在其上部分被電漿蝕刻時逐漸減少的一厚度。當該聚焦環FCR之上部分被蝕刻而薄化時，在護套與電漿之間的介面可在該基體W之外區上改變。此可影響該基體W之電漿處理。因此，當該聚焦環FCR變得比一特定厚度更薄時，必須替換該聚焦環FCR。

在本發明概念之實施例的聚焦環FCR中，第一環RIN1可設置在第二環RIN2上以覆蓋該第二環RIN2。因此，僅該第一環RIN1可暴露於電漿，且該第二環RIN2由於該第一環RIN1而可不暴露於電漿。

當對比於該第一環RIN1 (例如，碳化矽)時，該第二環RIN2 (例如，矽)之成本可為不昂貴的，但對電漿之蝕刻抗性可為低的。根據本發明概念之實施例，僅對電漿具有高蝕刻抗性的該第一環RIN1可暴露於電漿。因此，該聚焦環FCR之一替換循環可增加。此外，由於該第二環RIN2佔據該聚焦環FCR之總體積的約1/3，因此本發明概念之該聚焦環FCR可經濟地製備。

該第一環RIN1之外部分ENP可設置在該蓋體部分CVP之一外圓周表面上。該外部分ENP可從該蓋體部分CVP向下延伸。該外部分ENP可與該第二環RIN2之該外圓周表面水平地間隔開。一溝槽GRV可在該第一環RIN1之外部分ENP與該第二環RIN2之間界定。該溝槽GRV可具有具相同於該第一環RIN1之中心軸線AX的一環形狀。如上所述，該溝槽GRV可耦接至該蓋體環CVR之突起部PRP。

該緊固構件FTM可包括穿過該第二環RIN2的一貫穿部分PEP以及在該貫穿部分PEP上的一埋藏部分EXP。該埋藏部分EXP可埋藏在該第一環RIN1下方。具體而言，該第二環RIN2可包括穿過其的一貫穿孔PEH。該緊固構件FTM之該貫穿部分PEP可設置在該貫穿孔PEH中。該第一環RIN1可包括在其一下部分處的一圓形凹部RCS。該緊固構件FTM之該埋藏部分EXP可設置在該凹部RCS中。

作為本發明概念之一實施例，該貫穿部分PEP可具有一第一直徑DI1，且該埋藏部分EXP可具有一第二直徑DI2。該第二直徑DI2可大於該第一直徑DI1。亦即，該緊固構件FTM可具有一螺栓形狀，其中省略了一螺釘螺紋。該第二直徑DI2與該第一直徑DI1之一比率(DI2/DI1)可為約1.1至約2。當考慮稍後要說明的圖14之實施例時，該第二直徑DI2與該第一直徑DI1之比率(DI2/DI1)可為約1至約2。當比率(DI2/DI1)大於約2時，該埋藏部分EXP可沒有完全填滿該凹部RCS，且一氣隙可存在於該凹部RCS中。

該緊固構件FTM可包括一陶瓷材料，其不同於該等第一及第二環RIN1及RIN2中之每一者的材料。舉例而言，該緊固構件FTM可包括選自以下所組成之群組中之至少一者：氧化鋯、氧化鋯矽(zirconium silicon oxide)、氧化鋁、氧化釔、氧化鎂、碳化矽及氮化鋁。

作為本發明概念之一實施例，該緊固構件FTM可具有約1,300°C至約1,700°C之一溫度極限。舉例而言，該緊固構件FTM之溫度極限可相似於或高於矽(Si)之一熔點。

在本發明概念之另一實施例中，該緊固構件FTM之溫度極限可小於矽(Si)之熔點。換言之，該緊固構件FTM可藉由在低於矽(Si)之熔點的一溫度下加熱來移除。在此狀況下，可移除該緊固構件FTM而不損壞由矽製成的該第二環RIN2。因此，因暴露於電漿而磨損(或蝕刻)的該第一環RIN1可與該第二環RIN2分開，且可再次重複使用該第二環RIN2。

可界定穿過該第一環RIN1之一中心的一第一中心線CT_R。如圖3所例示，該第一中心線CT_R可具有具中心軸線AX的一圓形形狀。從該第一環RIN1之一內圓周表面至該第一中心線CT_R的一距離可為一第一距離SP1。該第一環RIN1可具有在第一方向D1上的一第一寬度WI1。在此狀況下，該第一距離SP1可為該第一寬度WI1的一半(亦即，WI1/2)。

該緊固構件FTM可安置在該第一中心線CT_R之外側。可界定穿過該緊固構件FTM之一中心的一第二中心線CT_F。該第二中心線CT_F可偏離該第一中心線CT_R。舉例而言，該第二中心線CT_F可在第一方向D1上偏離該第一中心線CT_R。從該第一環RIN1之內圓周表面至該第二中心線CT_F的一距離可為一第二距離SP2。該第二距離SP2可大於該第一距離SP1。

返回參看圖2，因為該緊固構件FTM安置在該第一中心線CT_R之外側，所以該緊固構件FTM可安置在蓋體環CVR上而非在支撐板220上。若該緊固構件FTM安置在該支撐板220 (靜電夾頭)上，則在該支撐板220與該聚焦環FCR之間的靜電力可減小。因此，該聚焦環FCR不穩固地固定在該支撐板220上的一限制係可在電漿裝置10之操作期間發生。

由於本發明概念之緊固構件FTM係安置在該支撐板220之外側的蓋體環CVR上，因此在該支撐板220與該聚焦環FCR之間的靜電力可維持原樣。因此，該聚焦環FCR可在電漿裝置10之操作期間穩固地固定在該支撐板220上。

因此，該緊固構件FTM必須安置在該支撐板220於一水平方向上的一端與該聚焦環之該第二環於該水平方向上的一端之間。

再次參看圖3至5，該第一環RIN1之一最大厚度可為一第一厚度TK1。換言之，外部分ENP之一厚度可為該第一厚度TK1。該第一環RIN1之蓋體部分CVP的一厚度可為一第二厚度TK2。該第二環RIN2之一厚度可為一第三厚度TK3。該第二厚度TK2與該第三厚度TK3之總和可為該第一厚度TK1。舉例而言，該第一厚度TK1可為約2 mm至約20 mm，但不限於此。

該緊固構件FTM之貫穿部分PEP在第三方向D3上的一長度(或厚度)可實質上等於該第三厚度TK3。該緊固構件FTM之埋藏部分EXP的一厚度可為一第四厚度TK4。該第四厚度TK4可小於該第二厚度TK2。該第四厚度TK4與該第二厚度TK2之一比率(TK4/TK2)可為約0.1至約0.7。

當比率(TK4/TK2)小於約0.1時，在該等第一與第二環RIN1與RIN2之間的耦接力可減小，且因此，該等第一及第二環RIN1及RIN2可彼此拆離。當比率(TK4/TK2)大於約0.7時，聚焦環FCR之上部分可被電漿蝕刻，且因此緊固構件FTM可立即暴露。因此，存在有該聚焦環FCR之替換循環縮短的一限制。

返回參看圖3，複數個緊固構件FTM之數目可為至少四。根據本發明概念之實施例，緊固構件FTM之數目可為約4至約24。為了在該等第一與第二環RIN1與RIN2之間的均勻耦接力，該等複數個緊固構件FTM可均勻地分布在該聚焦環FCR上。

圖6為沿著圖3之線A-A'所截取的一截面圖，以便於解釋用於製備本發明概念之實施例之一聚焦環的一方法。

參看圖6，可製備由一第一材料製成的一第一環RIN1以及由一第二材料製成的一第二環RIN2。一圓形凹部RCS可藉由加工該第一環RIN1來形成。該凹部RCS可在一第一中心線CT_R之外側形成，該第一中心線穿過該第一環RIN1之一中心。該凹部RCS之一第二中心線CT_F可從該第一中心線CT_R水平地偏離。

該凹部RCS可經形成以具有對應於一第四厚度TK4的一深度。該第四厚度TK4與該第一環RIN1之一蓋體部分CVP之一第二厚度TK2的一比率(TK4/TK2)可為約0.1至約0.7。

穿過該第二環RIN2之一貫穿孔PEH可藉由加工該第二環RIN2來形成。該貫穿孔PEH可經形成以與該第一環RIN1之該凹部RCS對準。該貫穿孔PEH可具有一第一直徑DI1，且該凹部RCS可具有大於該第一直徑DI1的一第二直徑DI2。舉例而言，該第二直徑DI2與該第一直徑DI1之比率(DI2/DI1)可為約1.1至約2。

參看圖7，一倒置的第二環RIN2可堆疊在一倒置的第一環RIN1上。該第二環RIN2之貫穿孔PEH可與該第一環RIN1之凹部RCS對準。一溝槽GRV可界定在該第一環RIN1之外部分ENP與該第二環RIN2之間。該貫穿孔PEH及該凹部RCS可彼此連通以形成一耦接溝槽FTH。該耦接溝槽FTH可為一螺栓形的空閒空間。

參看圖8，一接合組成物CRB可設置在該耦接溝槽FTH中。該接合組成物CRB可填充至該耦接溝槽FTH中。換言之，該接合組成物CRB可填充至該貫穿孔PEH及該凹部RCS中。

在本發明概念之一實施例中，該接合組成物CRB可為基於至少一陶瓷的一黏著組成物，該陶瓷選自以下所組成之群組：氧化鋯、氧化鋯矽、氧化鋁、氧化釔、氧化鎂、碳化矽及氮化鋁。

可商購之陶質接合劑的黏度可取決於該接合物之物理性質而具有各種黏度。本發明概念之接合組成物CRB可具有足以完全填充至該耦接溝槽FTH中的一黏度。因此，當陶瓷接合劑本身之黏度過高時，可藉由添加添加劑(或稀釋陶質接合劑)來改變接合組成物CRB之黏度，以將經調整至一合適黏度的接合組成物CRB注入至該耦接溝槽FTH中。

作為本發明概念之另一實施例，有機聚合物系接合組成物CRB可設置於該耦接溝槽FTH中。舉例而言，包括一聚醯亞胺系聚合物的接合組成物CRB可設置於該耦接溝槽FTH中。

參看圖9，可在填充於耦接溝槽FTH中之接合組成物CRB上施行一固化程序CUP。該固化程序CUP可包括對接合組成物CRB施行熱固化的一程序。舉例而言，該固化程序CUP可在約80°C至約200°C之一溫度下施行約1小時至約10小時。返回參看圖3至5，填充於耦接溝槽FTH中之接合組成物CRB可經固化，以形成一陶瓷或有機聚合物系緊固構件FTM。根據本發明概念之聚焦環FCR可藉由使用緊固構件FTM將第一與第二環RIN1與RIN2彼此耦接來製備。由於經固化之接合組成物CRB可具有高強度、高溫度極限及低熱膨脹係數，因此聚焦環FCR可在一電漿環境下穩定地維持。

圖7為例示本發明概念之另一實施例之一聚焦環之一底表面的一平面圖。圖11為沿著圖10之線A-A'所截取的一截面圖。在此實施例中，與參照圖3及5所說明之技術特徵重複的技術特徵之詳細說明將被省略，且將詳細說明差異。

參看圖10及11，設置於一聚焦環FCR中之緊固構件FTM的數目可為約六。該等複數個緊固構件FTM能以具有各種規則性且耦接力在一順時針方向上增加的一圖案配置。本發明概念之一實施例的緊固構件FTM能以規則間隔配置，以在第一環RIN1與第二環RIN2之間提供均勻的耦接力。

舉例而言，該等複數個緊固構件FTM可包括第一、第二及第三緊固構件FTM1、FTM2及FTM3，其等循序地在順時針方向上配置。在該第一緊固構件FTM1與該第二緊固構件FTM2之間的一距離可為一第三距離SP3，且在該第二緊固構件FTM2與該第三緊固構件FTM3之間的一距離可為一第四距離SP4。此處，該第三距離SP3及該第四距離SP4可實質上彼此相等。

返回參看圖11，該緊固構件FTM可具有一凹陷底表面RSB_T。該緊固構件FTM之凹陷底表面RSB_T可在朝向一埋藏部分EXP的一方向上凹陷。該凹陷底表面RSB_T可包括在其一邊緣處的一最低表面RBS_L以及在其一中心處的一最高表面RBS_T。該最高表面RBS_T可高於該最低表面RBS_L。該最低表面RBS_L可安置在相同於或高於第二環RIN2之底表面BS之高度的高度處。在一實施例中，該最低表面RBS_L可高於該第二環RIN2之該底表面BS。

圖12及13為根據本發明概念之一實施例，解釋用以替換一第一環的一方法的截面圖。參看圖12，未使用之聚焦環FCR的一最大厚度可為第一厚度TK1。亦即，未使用之第一環RIN1之最大厚度可為該第一厚度TK1。

如上所述，當聚焦環FCR安裝於圖1之電漿裝置中且連續暴露於電漿時，第一環RIN1可被電漿蝕刻，且因此，蓋體部分CVP之頂表面TTS可逐漸降低。較靠近負載部分LDP之該蓋體部分CVP可被蝕刻較少，且較靠近外部分ENP之該蓋體部分CVP可被蝕刻較多。

由於磨損的第一環RIN1，經使用之聚焦環FCR之外部分ENP的厚度可具有一第五厚度TK5。該第五厚度TK5可小於該第一厚度TK1。當該第五厚度TK5小於一預定厚度時，該第一環RIN1不再可用且必須替換。

參看圖13，此實施例之緊固構件FTM可包括一陶瓷或有機聚合物，其一溫度極限低於矽(Si)之熔點。一焚化程序BOP可在該緊固構件FTM上施行以選擇性地移除該緊固構件FTM。該焚化程序BOP可在高於該緊固構件FTM之溫度極限的一溫度下施行。該焚化程序BOP可在低於矽(Si)之熔點的一溫度下施行。

由於該緊固構件FTM係藉由在低於矽(Si)之熔點的一溫度下加熱來被移除，因此僅該緊固構件FTM可選擇性地被移除，而沒有損壞由矽製成的第二環RIN2。因此，該第二環RIN2可與由於暴露於電漿而磨損(或蝕刻)的第一環RIN1分開，且該第二環RIN2可再次重複使用。分開的該第二環RIN2可重新使用，如上述圖6之第二環RIN2。

根據此實施例，該第二環RIN2可藉由僅用一新的第一環RIN1替換磨損的第一環RIN1來回收，而沒有捨棄該第二環RIN2。因此，可改良本發明概念之聚焦環FCR的經濟效率。

圖14、16及17為沿著圖3之線A-A'所截取的截面圖，以便於解釋本發明概念之另一實施例的一聚焦環。在這些實施例中，與參照圖3及5所說明之技術特徵重複的技術特徵之詳細說明將被省略，且將詳細說明差異。

參看圖14，該緊固構件FTM可包括穿過該第二環RIN2的一貫穿部分PEP以及在該貫穿部分PEP上的一埋藏部分EXP。該貫穿部分PEP可具有一第一直徑DI1，且該埋藏部分EXP可具有一第二直徑DI2。根據此實施例，該第二直徑DI2可實質上相同於該第一直徑DI1。亦即，該緊固構件FTM可具有一圓柱形形狀或一桿狀形狀。

如上文參照圖8及9所說明，由於該緊固構件FTM係藉由固化該接合組成物而形成，因此即使該緊固構件FTM沒有具有如圖4所例示之一螺栓形狀，該等第一與第二環RIN1與RIN2仍可透過該緊固構件FTM彼此耦接。

第二環RIN2可包括：一內區INR，其位於圖2之支撐板220 (靜電夾頭)上；以及一外區OTR，其位於蓋體環CVR上。該外區OTR之一外圓周表面OSW可為溝槽GRV之一內表面。如上所述，為了維持在該支撐板220與該聚焦環FCR之間的靜電力，緊固構件FTM可安置在該外區OTR內。設置有該緊固構件FTM的一位置可在該外區OTR內變化。

圖15A及15B例示圖14之緊固構件FTM的位置在外區OTR內改變的一狀況。舉例而言，參看圖15A，該緊固構件FTM可安置在該外區OTR之一第一側上。該緊固構件FTM之一第一側壁SW1可安置在該內區INR與該外區OTR之間的一邊界處。舉例而言，參看圖15B，該緊固構件FTM可安置在該外區OTR之一第二側上。該緊固構件FTM之一第二側壁SW2可安置在該外區OTR之一外圓周表面OSW上。

參看圖16，緊固構件FTM之貫穿部分PEP可包括一下部分LP，其暴露於第二環RIN2之底表面BS。該貫穿部分PEP之下部分LP可具有一傾斜側壁TSW。該貫穿部分PEP之下部分LP可具有一推拔形狀，其一直徑朝向該第二環RIN2之底表面BS增加。

該貫穿部分PEP之下部分LP之一最大直徑可為一第三直徑DI3。該第三直徑DI3可大於該貫穿部分PEP之第一直徑DI1。該第三直徑DI3可等於、小於或大於埋藏部分EXP之第二直徑DI2。緊固構件FTM可進一步包括一推拔下部分LP，以更強地將該等第一與第二環RIN1與RIN2彼此耦接。

參看圖17，緊固構件FTM之貫穿部分PEP可包括一下部分LP，其暴露於第二環RIN2之底表面BS。該貫穿部分PEP之下部分LP可具有大於第一直徑DI1的一第三直徑DI3。該貫穿部分PEP之下部分LP可從該第一直徑DI1快速地改變至該第三直徑DI3。因此，該貫穿部分PEP之下部分LP可具有螺栓之頭部的形狀。該第三直徑DI3可等於、小於或大於埋藏部分EXP之第二直徑DI2。緊固構件FTM可進一步包括呈一螺栓頭形式的一下部分LP，以更強地將該等第一與第二環RIN1與RIN2彼此耦接。

圖18及19為例示本發明概念之另一實施例之一聚焦環之一底表面的平面圖。在此實施例中，與參照圖10所說明之技術特徵重複的技術特徵之詳細說明將被省略，且將詳細說明差異。

參看圖18，該等複數個緊固構件FTM可包括第一、第二及第三緊固構件FTM1、FTM2及FTM3，其等循序地在順時針方向上配置。從該第一環RIN1之一內圓周表面至該第一緊固構件FTM1之一中心的一距離可為一第五距離SP5。從該第一環RIN1之內圓周表面至該第二緊固構件FTM2之一中心的一距離可為一第六距離SP6。從該第一環RIN1之內圓周表面至該第三緊固構件FTM3之一中心的一距離可為一第七距離SP7。該第五距離SP5、該第六距離SP6及該第七距離SP7可彼此不同。亦即，根據本發明概念，該等複數個緊固構件FTM可不安置成與中心軸線AX距相同距離，而是可安置成距彼此不同的距離。換言之，該等複數個緊固構件FTM之配置可為不規則的。

參看圖19，該等複數個緊固構件FTM可包括第一至第四緊固構件FTM1至FTM4，其等循序地在順時針方向上配置。在該第一緊固構件FTM1與該第二緊固構件FTM2之間的一間隔可為一第八距離SP8，在該第二緊固構件FTM2與該第三緊固構件FTM3之間的一間隔可為一第九距離SP9，且在該第三緊固構件FTM3與該第四緊固構件FTM4之間的一間隔可為一第十距離SP10。在此狀況下，該第八距離SP8、該第九距離SP9以及該第十距離SP10可彼此不同。

根據此實施例，該等複數個緊固構件FTM能以不規則的間隔配置。舉例而言，在第一與第二環RIN1與RIN2之間需要強耦接力的一區域中，該等緊固構件FTM能以窄間隔配置。

在本發明概念之實施例的聚焦環中，由於具有高蝕刻抗性之第一環而非第二環係暴露於電漿，因此可改良該聚焦環之耐用性。由於第二環係由比第一環更便宜的材料製成，因此該聚焦環可在經濟效率上有所改良。

該第一環及該第二環可藉由螺栓類型緊固構件來物理上及化學上牢固地耦接。由於該緊固構件係透過化學固化方法而非物理耦接方法形成，因此該聚焦環可容易地製備，且該第一環及該第二環可穩固地耦接。

由於該緊固構件係藉由焚化程序選擇性地移除，因此由於暴露於電漿而磨損的該第一環可用新的第一環替換。因此，該聚焦環可在經濟效率上更有所改良。

雖然本發明之實施例係參照隨附圖式來說明，但在本發明之技術領域中具有通常知識者將理解，本發明能以其他特定形式進行而沒有改變技術想法或必要特徵。因此，上文所揭露之實施例將被視為例示性而非限制性。

10:電漿裝置 100:腔室 102:排放孔 110:殼體 120:蓋體 130:襯裡 131:支撐環 151:排放管線 200:支撐單元 220:支撐板,夾頭 221:第一供應通道 223:靜電電極 223a:第一下電源供應器 223c:第一電力管線 225:加熱器 225a:第二下電源供應器 225c:第二電力管線 230:通道形成板,夾頭 231:第一循環通道 231a:熱轉移媒體儲存單元 231b:熱轉移媒體供應管線,供應管線 232:第二循環通道 232a:冷卻流體儲存單元 232b:冷卻器 232c:冷卻流體供應管線 233:第二供應通道 236:黏著劑 240:邊緣環 250:絕緣板,夾頭 270:下蓋體 273:連接構件 300:氣體供應單元 310:氣體供應噴嘴 320:氣體供應管線 321:閥 330:氣體儲存單元 400:電漿源 410:天線腔室 420:天線 430:電漿電源供應器 500:排放單元 510:排放板 511:貫穿孔 A-A':線 AX:中心軸線 BOP:焚化程序 BS:底表面 CRB:接合組成物 CT_F:第二中心線 CT_R:第一中心線 CUP:固化程序 CVP:蓋體部分 CVR:蓋體環 D1:第一方向 D3:第三方向 DI1:第一直徑 DI2:第二直徑 DI3:第三直徑 ENP:外部分 EXP:埋藏部分 FCR:聚焦環 FTH:耦接溝槽 FTM:緊固構件 FTM1:第一緊固構件 FTM2:第二緊固構件 FTM3:第三緊固構件 FTM4:第四緊固構件 GRV:溝槽 ICS:傾斜表面 INR:內區 LDP:負載部分 LP:下部分 LP:推拔下部分 M:區域 OSW:外圓周表面 OTR:外區 PEH:貫穿孔 PEP:貫穿部分 PRP:突起部 RBS_L:最低表面 RBS_T:最高表面 RCS:圓形凹部,凹部 RIN1:第一環 RIN2:第二環 RSB_T:凹陷底表面 SP1:第一距離 SP2:第二距離 SP3:第三距離 SP4:第四距離 SP5:第五距離 SP6:第六距離 SP7:第七距離 SP8:第八距離 SP9:第九距離 SP10:第十距離 SUS:支撐表面 SW1:第一側壁 SW2:第二側壁 TK1:第一厚度 TK2:第二厚度 TK3:第三厚度 TK4:第四厚度 TK5:第五厚度 TSW:傾斜側壁 TTS:最上表面,頂表面 W:基體 WI1:第一寬度

隨附圖式被包括以提供對本發明概念之進一步理解，且被併入此說明書中且構成其一部分。圖式例示本發明概念之實施例，且連同說明一起用以解釋本發明概念之原理。在圖式中:

圖1為用以解釋本發明概念之實施例的一電漿裝置的一示意圖；

圖2為圖1之一區域M的一放大截面圖，以便於解釋本發明概念之實施例的一邊緣環；

圖3為例示本發明概念之實施例之一聚焦環之一底表面的一平面圖；

圖4為沿著圖3之線A-A'所截取的一截面圖；

圖5為例示圖3之聚焦環之一部分的一立體圖；

圖6為沿著圖3之線A-A'所截取的一截面圖，以便於解釋用於製備本發明概念之實施例之一聚焦環的一方法；

圖7為例示本發明概念之另一實施例之一聚焦環之一底表面的一平面圖；

圖8為例示一聚焦環之一底表面的一平面圖，其例示接合組成物；

圖9為例示一聚焦環之一底表面的一平面圖，其例示固化；

圖10為例示一聚焦環之一底表面的一平面圖；

圖11為沿著圖10之線A-A'所截取的一截面圖；

圖12及13為根據本發明概念之一實施例，解釋用以替換一第一環的一方法的截面圖；

圖14、15A、15B、16及17為沿著圖3之線A-A'所截取的截面圖，以便於解釋本發明概念之另一實施例的一聚焦環；以及

圖18及19為例示本發明概念之另一實施例之一聚焦環之一底表面的平面圖。

CT_F:第二中心線

CT_R:第一中心線

CVP:蓋體部分

D1:第一方向

D3:第三方向

DI1:第一直徑

DI2:第二直徑

ENP:外部分

EXP:埋藏部分

FCR:聚焦環

FTM:緊固構件

GRV:溝槽

ICS:傾斜表面

LDP:負載部分

PEH:貫穿孔

PEP:貫穿部分

RCS:圓形凹部，凹部

RIN1:第一環

RIN2:第二環

SP1:第一距離

SP2:第二距離

SUS:支撐表面

TK1:第一厚度

TK2:第二厚度

TK3:第三厚度

TK4:第四厚度

TTS:最上表面，頂表面

WI1:第一寬度

Claims (20)

1. 一種聚焦環，其包含： 一第一環，其由一第一材料製成； 一第二環，其被該第一環覆蓋，該第二環由不同於該第一材料的一第二材料製成；以及 一緊固構件，其組配來將該第一環耦接至該第二環， 其中該緊固構件包含： 一貫穿部分，其組配成穿過該第二環；以及 一埋藏部分，其埋藏於該第一環之一下部分中， 其中該貫穿部分具有一第一直徑，且 該埋藏部分具有大於或等於該第一直徑的一第二直徑。
2. 如請求項1之聚焦環，其中該第二直徑大於該第一直徑，且 該第二直徑與該第一直徑之一比率為約1.1至約2。
3. 如請求項1之聚焦環，其中該緊固構件包括複數個緊固構件，且 該等複數個緊固構件係沿著該第二環以規則間隔配置。
4. 如請求項3之聚焦環，其中該等複數個緊固構件之數目為4至24。
5. 如請求項1之聚焦環，其中該緊固構件包含一第一緊固構件及一第二緊固構件， 其中在該第一環之一內圓周表面與該第一緊固構件之一中心之間的一距離為一第一距離，且 在該第一環之該內圓周表面與該第二緊固構件之一中心之間的一距離為一第二距離， 其中該第一距離及該第二距離係彼此不同。
6. 如請求項1之聚焦環，其中該緊固構件包含一第一緊固構件、一第二緊固構件及一第三緊固構件，其等循序地在一順時針方向上配置， 其中在該第一緊固構件與該第二緊固構件之間的一間隔為一第一距離，且 在該第二緊固構件與該第三緊固構件之間的一間隔為一第二距離， 其中該第一距離及該第二距離係彼此不同。
7. 如請求項1之聚焦環，其中界定了通過該第一環之一中心的一第一中心線，且 該緊固構件安置在該第一中心線之外側。
8. 如請求項1之聚焦環，其中該第二環包含位於一靜電夾頭上的一內區，以及位於一蓋體環上的一外區，且 該緊固構件安置在該外區內。
9. 如請求項1之聚焦環，其中該第一環包含一蓋體部分，該蓋體部分組配來覆蓋該第二環， 其中該蓋體部分具有一第二厚度， 該埋藏部分具有一第四厚度，且 該第四厚度與該第二厚度之一比率為約0.1至約0.7。
10. 如請求項1之聚焦環，其中該第一材料及該第二材料係選自以下所組成之群組的不同材料：碳化矽(SiC)、矽(Si)及碳化硼。
11. 如請求項1之聚焦環，其中該緊固構件包含： 選自於由氧化鋯、氧化鋯矽(zirconium silicon oxide)、氧化鋁、氧化釔、氧化鎂、碳化矽及氮化鋁所組成之群組的至少一陶瓷材料；或者 一有機聚合物。
12. 如請求項1之聚焦環，其中該緊固構件具有一凹陷底表面。
13. 如請求項12之聚焦環，其中該凹陷底表面包含在其一邊緣處的一最低表面，以及在其一中心處的一最高表面，且 該最低表面係安置在相同於或高於該第二環之該底表面之高度的高度處。
14. 如請求項1之聚焦環，其中該貫穿部分之一下部分具有大於該第一直徑的一第三直徑。
15. 如請求項14之聚焦環，其中該貫穿部分之該下部分具有其一直徑逐漸增加的一推拔形狀。
16. 一種用於製備一聚焦環之方法，該方法包含： 在由一第一材料製成的一第一環中形成一凹部； 在由不同於該第一材料之一第二材料製成的一第二環中形成一貫穿孔； 層壓該第一環及該第二環，使得該凹部與該貫穿孔彼此對準，該凹部與該貫穿孔彼此連通以形成一耦接溝槽； 在該耦接溝槽中設置一接合組成物；及 固化該接合組成物以形成一緊固構件，其將該第一環與該第二環彼此耦接， 其中該貫穿孔具有一第一直徑，且 該凹部具有大於或等於該第一直徑的一第二直徑。
17. 如請求項16之方法，其中該第二直徑大於該第一直徑，且 該第二直徑與該第一直徑之一比率為約1.1至約2。
18. 如請求項16之方法，其中該凹部之一深度與該第一環之一蓋體部分之一厚度的一比率為約0.1至約0.7。
19. 如請求項16之方法，其中用於該接合組成物之該固化程序係在約80°C至約200°C之一溫度下施行約1小時至約10小時。
20. 如請求項16之方法，其中該凹部係形成於穿過該第一環之一中心的一第一中心線之外側。