TW202418976A - 微型流體泵浦 - Google Patents

Abstract

一種微型流體泵浦，包含：第一基板，設有流體通槽，以及至少一第一流體通道；第一接著層；第二基板，其中第一基板、第一接著層、第二基板依序由下而上疊設，並定義出第二流體通道，第二基板更包含至少一穿孔；第二接著層；第三基板，其中第二基板、第二接著層、第三基板依序由下而上疊設，並定義出共振腔室，第三基板更包含至少一第三流體通道、致動部、連接部與外周部，第三流體通道則貫通第三基板，使第三流體通道、共振腔室得透過穿孔依序連通第二流體通道、第一流體通道、流體通槽；以及壓電組件，疊設於致動部之上。

Description

微型流體泵浦

本案係關於一種微型流體泵浦，尤指一種透過半導體製程來製作之微型流體泵浦。

隨著科技的日新月異，流體輸送裝置的應用上亦愈來愈多元化，舉凡工業應用、生醫應用、醫療保健、電子散熱等等，甚至近來熱門的穿戴式裝置皆可見它的踨影，可見傳統的泵浦已漸漸有朝向裝置微小化、流量極大化的趨勢，而微機電泵浦能夠將流體輸送裝置的尺寸大幅度地縮小，故微機電泵浦明顯為當下微型化之流體輸送裝置的主要發展方向。

請參考第1圖所示，第1圖為先前技術微型流體泵浦90，包含第一基板901、第一接著層902、第二基板903及壓電組件904。第一基板901係為矽基材，具有複數個第一流體通道9011，該些第一流體通道9011呈錐形；第一接著層902係為氧化矽，定義出第二流體通道9021，並疊設於第一基板901上；第二基板903疊設第一接著層902上，包含由下而上依序堆疊之矽結構層9031、第二接著層9035及矽薄化層9037；矽結構層9031具有一個穿孔9032、振動部9033及固定部9034；第二接著層9035係為氧化矽，具有共振腔室9036；矽薄化層9037具有一個致動部9038、外周部9039、連接部903A以及第三流體通道903B，其中致動部9038的外環之外周部9039與連接部903A連接，並具有第三流體通道903B；壓電組件904疊設於矽薄化層9037的致動部9038上，包含依序堆疊於致動部9038上方之下電極層9041、壓電層9042、絕緣層9043及上電極層9044。

先前技術在第一流體通道9011製程上，由於晶圓的晶向造成錐狀的濕蝕刻角度太大，且改用乾蝕刻也有深寬比太高的問題，其製程難度高，且流阻又大；再者，第一接著層902所定義出的第二流體通道9021要夠厚，然而要生成較厚的氧化矽並不容易，且會有明顯的應力問題，造成與第二基板903接合時較易發生剝離(peeling)。

本案之主要目的在於提供一種微機電泵浦，係以半導體製程所製造的微米等級的微機電泵浦，俾改善先前技術中微機電泵浦結構上造成的流阻與剝離的問題。

為達上述目的，本案之較廣義實施態樣為提供一種微型流體泵浦，包含：一第一基板，設有一流體通槽，以及至少一第一流體通道，其中該流體通槽為深槽狀；一第一接著層；一第二基板，其中該第一基板、該第一接著層、該第二基板依序由下而上疊設，並定義出一第二流體通道，該第二流體通道頂端設有一穿孔；一第二接著層；一第三基板，其中該第二基板、該第二接著層、該第三基板依序由下而上疊設，並定義出一共振腔室，該第三基板更包含至少一第三流體通道、一致動部、一連接部與一外周部，其中該外周部環設於該致動部的外圍，該外周部並透過該連接部耦接該致動部，該第三流體通道則貫通該第三基板，使該第三流體通道、該共振腔室得透過該穿孔依序連通該第二流體通道、該第一流體通道、該流體通槽；以及一壓電組件，疊設於該致動部之上。

體現本案特徵與優點的實施例將在後段的說明中詳細敘述。應理解的是本案能夠在不同的態樣上具有各種的變化，其皆不脫離本案的範圍，且其中的說明及圖示在本質上當作說明之用，而非用以限制本案。

請參閱第2A圖，其係為本案之微型流體泵浦之第一實施例，微型流體泵浦10包含：第一基板101、第一接著層102、第二基板103、第二接著層105、第三基板106及壓電組件107。第一基板101設有流體通槽1011以及至少一第一流體通道1012，其中流體通槽1011為深槽狀；第一基板101、第一接著層102、第二基板103依序由下而上疊設，並定義出第二流體通道104，第二流體通道104頂端設有穿孔1031；第二基板103、第二接著層105、第三基板106依序由下而上疊設，並定義出共振腔室1061；第三基板106更包含至少一第三流體通道1062、致動部1063、連接部1064與外周部1065，其中外周部1065環設於致動部1063的外圍，外周部1065並透過連接部1064耦接致動部1063，第三流體通道1062則貫通第三基板106，使第三流體通道1062、共振腔室1061得透過穿孔1031依序連通第二流體通道104、第一流體通道1012、流體通槽1011；壓電組件107，疊設於致動部1063之上。

值得注意的是，第一基板101係為矽基材(Si)，厚度為270～430μm，但不以此為限。

如第2A圖所示的流體通槽1011為分段蝕刻，解決了先前技術的蝕刻問題，並且降低了流體流通第一流體通道1012的流阻。

如第2A圖所示的第一接著層102係為氧化矽，但厚度調整為0.5～2μm，可以避免與第二基板103接合所造成的應力剝離問題。第二流體通道104則改以蝕刻第一基板101來定義出。

如第2A圖所示的第二基板103係為矽結構層，可以由絕緣層上覆矽SOI(Silicon On Insulator)晶片轉移而來，厚度為2～5μm，但不以此為限，第二基板103的厚度可視設計需求加以調整。第二基板103區分為穿孔1031、振動部1032及固定部1033三個區域，穿孔1031位於中心位置，振動部1032位於穿孔1031的周邊區域，固定部1033位於第二基板103的周緣區域。

如第2A圖所示的第二接著層105係為氧化矽，厚度為0.5～2μm。第一接著層102的厚度可以等於該第二接著層105的厚度，其厚度可以是1.1μm，但不以此為限，第一接著層102的厚度與第二接著層105的厚度亦可以不相等，可視設計需求加以調整。第二接著層105堆疊於第二基板103上方。

如第2A圖所示的第三基板106係為矽結構層，可以由SOI晶片轉移而來，厚度為3～15μm，但不以此為限，第三基板106的厚度可視設計需求加以調整；第三基板106堆疊於第二接著層105上方，形成共振腔室1061；第三基板106具有致動部1063及外周部1065，致動部1063的外環具有第三流體通道1062及連接部1064，連接部1064係用以連接致動部1063與外周部1065。

值得注意的是，第二基板103、第三基板106可以是單晶矽、多晶矽或非晶矽。第二基板103、第三基板106也可以使用沉積或薄化製程而來。

壓電組件107更包含：下電極層1071、壓電層1072、絕緣層1073及上電極層1074。壓電層1072疊設於下電極層1071上；絕緣層1073鋪設於壓電層1072之部分表面上及下電極層1071之部分表面上，其中絕緣層1073為電性絕緣；上電極層1074疊設於絕緣層1073上以及壓電層1072未設有絕緣層1073之其餘表面上。值得注意的是，壓電層1072為圓形設置於該第三基板106之致動部1063上方，使致動部1063亦呈圓形。此外，值得注意的是，壓電層1072的直徑為140～500μm，但不以此為限，壓電層1072的直徑，可視微型流體泵浦10整體大小加以調整。另外，值得注意的是，壓電層1072與致動部1063的直徑比例範圍為1：1.3～1：3.6，換言之，壓電層1072的尺寸小於致動部1063的尺寸。

透過壓電組件107的作動，致動部1063亦跟著上下振動，第二基板103的振動部1032隨之呈不同相位振動，使共振腔室1061形成負壓，流體便由流體通槽1011通過第一流體通道1012，再經過第二流體通道104，並由第二基板103的穿孔1031繼續流經共振腔室1061，最後通過第三基板106的第三流體通道1062完成流體的輸送。值得注意的是致動部1063的作動頻率為0.1～1.5MHz高頻範圍，同時振動部1032的作動頻率亦為0.1～1.5MHz，藉此微流體可以積少成多產生更多的流量，但不以此為限，致動部1063的作動頻率可由整體微型流體泵浦10之設計加以調整。此外，值得注意的是，致動部1063呈圓形且直徑為400～550μm，但不以此為限，致動部1063的形狀尺寸亦可由整體微型流體泵浦10之設計加以調整。

微型流體泵浦10的工作電壓為2～12V，值得一提的是，微型流體泵浦10的工作電壓、第三基板106的致動部1063之作動頻率、第三基板的厚度以及第二基板103的振動部1032之共振皆會影響流體的輸送量與效率。

請參閱第2B圖，係為本案之微型流體泵浦之第二實施例，與第一實施例主要的差異處在於第三基板206具有蝕刻一深度。於本實施例中，微型流體泵浦20包含第一基板201、第一接著層202、第二接著層205、第三基板206及壓電組件207。第一基板201設有流體通槽2011以及至少一第一流體通道2012，其中流體通槽2011為深槽狀；第一基板201、第一接著層202、第二基板203依序由下而上疊設，並定義出第二流體通道204，第二流體通道204頂端設有穿孔2031；第二基板203、第二接著層205、第三基板206依序由下而上疊設，並定義出共振腔室2061；第三基板206更包含至少一第三流體通道2062、致動部2063、連接部2064與外周部2065，其中外周部2065環設於致動部2063的外圍，外周部2065並透過連接部2064耦接致動部2063，第三流體通道2062則貫通第三基板206，使第三流體通道2062、共振腔室2061得透過穿孔2031依序連通第二流體通道204、第一流體通道2012、流體通槽2011；壓電組件207疊設於致動部2063之上。

值得注意的是，第一基板201係為矽基材(Si)，厚度為270～430μm，但不以此為限。

如第2B圖所示的流體通槽2011為分段蝕刻，解決了先前技術的蝕刻問題，並且降低了流體流通第一流體通道2012的流阻。

如第2B圖所示的第一接著層202係為氧化矽，但厚度調整為0.5～2μm，可以避免與第二基板203接合所造成的應力剝離問題。第二流體通道204則改以蝕刻第一基板201來定義出。

如第2B圖所示的第二基板203係為矽結構層，可以由SOI晶片轉移而來，厚度為2～5μm，但不以此為限，第二基板203的厚度可視設計需求加以調整。第二基板203區分為穿孔2031、振動部2032及固定部2033三個區域，穿孔2031位於中心位置，振動部2032位於穿孔2031的周邊區域，固定部2033位於第二基板203的周緣區域。

如第2B圖所示的第二接著層205係為氧化矽，厚度為0.5～2μm。第一接著層202的厚度可以等於該第二接著層205的厚度，其厚度可以是1.1μm，但不以此為限，第一接著層202的厚度與第二接著層205的厚度亦可以不相等，可視設計需求加以調整。第二接著層205堆疊於第二基板203上方。

如第2B圖所示的第三基板206係為矽結構層，可以由SOI晶片轉移而來，厚度為3～15μm，但不以此為限，第三基板206的厚度可視設計需求加以調整；第三基板206堆疊於第二接著層205上方，形成共振腔室2061；第三基板206具有致動部2063及外周部2065，致動部2063的外環具有第三流體通道2062及連接部2064，連接部2064係用以連接致動部2063與外周部2065。值得注意的是，第三基板206在SOI晶片轉移前先就表面蝕刻一深度，藉此加深共振腔室2061。

值得注意的是，第二基板203、第三基板206可以是單晶矽、多晶矽或非晶矽。第二基板203、第三基板206也可以使用沉積或薄化製程而來。

壓電組件207更包含下電極層2071、壓電層2072、絕緣層2073及上電極層2074。壓電層2072疊設於下電極層2071上；絕緣層2073鋪設於壓電層2072之部分表面上及下電極層2071之部分表面上，其中絕緣層2073為電性絕緣；上電極層2074疊設於絕緣層2073上以及壓電層2072未設有絕緣層2073之其餘表面上。值得注意的是，壓電層2072為圓形設置於該第三基板206之致動部2063上方，使致動部2063亦呈圓形。此外，值得注意的是，壓電層2072的直徑為140～500μm，但不以此為限，壓電層2072的直徑，可視微型流體泵浦20整體大小加以調整。另外，值得注意的是，壓電層2072與致動部2063的直徑比例範圍為1：1.3～1：3.6，換言之，壓電層2072的尺寸小於致動部2063的尺寸。

透過壓電組件207的作動，致動部2063亦跟著上下振動，第二基板203的振動部2032隨之呈不同相位振動，使共振腔室2061形成負壓，流體便由流體通槽2011通過第一流體通道2012，再經過第二流體通道204，並由第二基板203的穿孔2031繼續流經共振腔室2061，最後通過第三基板206的第三流體通道2062完成流體的輸送。值得注意的是致動部2063的作動頻率為0.1～1.5MHz高頻範圍，同時振動部2032的作動頻率亦為0.1～1.5MHz，藉此微流體可以積少成多產生更多的流量，但不以此為限，致動部2063的作動頻率可由整體微型流體泵浦20之設計加以調整。此外，值得注意的是，致動部2063呈圓形且直徑為400～550μm，但不以此為限，致動部2063的形狀尺寸亦可由整體微型流體泵浦20之設計加以調整。

微型流體泵浦20的工作電壓為2～12V，值得一提的是，微型流體泵浦20的工作電壓、第三基板206的致動部2063之作動頻率、第三基板的厚度以及第二基板203的振動部2032之共振皆會影響流體的輸送量與效率。

另外，值得注意的是，第二實施例與第一實施例最主要的差異在於第三基板206具有蝕刻一深度，其改良的特色在於，因為共振腔室2061的空間提高了，可以適當降低擠壓膜阻尼(squeeze film damping)，且當壓電組件207作動帶動第三基板206的致動部2063振動時，也較不易與第二基板203的振動部2032產生沾黏(stiction)。

請參閱第2C圖，係為本案之微型流體泵浦之第三實施例，與第一實施例主要的差異處在於第二接著層305係為氧化矽-多晶矽-氧化矽的複合結構。於本實施例中，微型流體泵浦30包含第一基板301、第一接著層302、第二基板303、第二接著層305、第三基板306及壓電組件307。第一基板301設有流體通槽3011以及至少一第一流體通道3012，其中流體通槽3011為深槽狀；第一基板301、第一接著層302、第二基板303依序由下而上疊設，並定義出第二流體通道304，第二流體通道304頂端設有穿孔3031；第二基板303、第二接著層305、第三基板306依序由下而上疊設，並定義出共振腔室3061；第三基板306更包含至少一第三流體通道3062、致動部3063、連接部3064與外周部3065，其中外周部3065環設於致動部3063的外圍，外周部3065並透過連接部3064耦接致動部3063，第三流體通道3062則貫通第三基板306，使第三流體通道3062、共振腔室3061得透過穿孔3031依序連通第二流體通道304、第一流體通道3012、流體通槽3011；壓電組件307疊設於致動部3063之上。

值得注意的是，第一基板301係為矽基材(Si)，厚度為270～430μm，但不以此為限。

如第2C圖所示的流體通槽3011為分段蝕刻，解決了先前技術的蝕刻問題，並且降低了流體流通第一流體通道3012的流阻。

如第2C圖所示的第一接著層302係為氧化矽，但厚度調整為0.5～2μm，可以避免與第二基板303接合所造成的應力問題。第二流體通道304則改以蝕刻第一基板301來定義出。

如第2C圖所示的第二基板303係為矽結構層，可以由SOI晶片轉移而來，厚度為2～5μm，但不以此為限，第二基板303的厚度可視設計需求加以調整。第二基板303區分為穿孔3031、振動部3032及固定部3033三個區域，穿孔3031位於中心位置，振動部3032位於穿孔3031的周邊區域，固定部3033位於第二基板303的周緣區域。

如第2C圖所示的第二接著層305係為氧化矽-多晶矽-氧化矽的複合結構，藉此使總厚度範圍可為0.5～10μm，然而第二接著層305亦可為多於三層的複合結構，可視設計需求加以調整。第二接著層305堆疊於第二基板303上方。

如第2C圖所示的第三基板306係為矽結構層，可以由SOI晶片轉移而來，厚度為3～15μm，但不以此為限，第三基板306的厚度可視設計需求加以調整；第三基板306堆疊於第二接著層305上方，形成共振腔室3061 ，；第三基板306具有致動部3063及外周部3065，致動部3063的外環具有第三流體通道3062及連接部3064，連接部3064係用以連接致動部3063與外周部3065。

值得注意的是，第二基板303、第三基板306可以是單晶矽、多晶矽或非晶矽。第二基板303、第三基板306也可以使用沉積或薄化製程而來。

壓電組件307更包含下電極層3071、壓電層3072、絕緣層3073及上電極層3074。壓電層3072疊設於下電極層3071上；絕緣層3073鋪設於壓電層3072之部分表面上及下電極層3071之部分表面上，其中絕緣層3073為電性絕緣；上電極層3074疊設於絕緣層3073上以及壓電層3072未設有絕緣層3073之其餘表面上。值得注意的是，壓電層3072為圓形設置於該第三基板306之致動部3063上方，使致動部3063亦呈圓形。此外，值得注意的是，壓電層3072的直徑為140～500μm，但不以此為限，壓電層3072的直徑，可視微型流體泵浦30整體大小加以調整。另外，值得注意的是，壓電層3072與致動部3063的直徑比例範圍為1：1.3～1：3.6，換言之，壓電層3072的尺寸小於致動部3063的尺寸。

透過壓電組件307的作動，致動部3063亦跟著上下振動，第二基板303的振動部3032隨之呈不同相位振動，使共振腔室3061形成負壓，流體便由流體通槽3011通過第一流體通道3012，再經過第二流體通道304，並由第二基板303的穿孔3031繼續流經共振腔室3061，最後通過第三基板306的第三流體通道3062完成流體的輸送。值得注意的是致動部3063的作動頻率為0.1～1.5MHz高頻範圍，同時振動部3032的作動頻率亦為0.1～1.5MHz，藉此微流體可以積少成多產生更多的流量，但不以此為限，致動部3063的作動頻率可由整體微型流體泵浦30之設計加以調整。此外，值得注意的是，致動部3063呈圓形且直徑為400～550μm，但不以此為限，致動部3063的形狀尺寸亦可由整體微型流體泵浦30之設計加以調整。

微型流體泵浦30的工作電壓為2～12V，值得一提的是，微型流體泵浦30的工作電壓、第三基板306的致動部3063之作動頻率、第三基板的厚度以及第二基板303的振動部3032之共振皆會影響流體的輸送量與效率。

另外，值得注意的是，第三實施例與第一實施例最主要的差異在於第二接著層305係為氧化矽-多晶矽-氧化矽的複合結構，其改良的特色在於，因為共振腔室3061的空間提高了，可以適當降低擠壓膜阻尼(squeeze film damping)，且當壓電組件307作動帶動第三基板306的致動部3063振動時，也較不易與第二基板303的振動部3032產生沾黏(stiction)。

綜上所述，本案提供一種微型流體泵浦，係利用半導體製程來完成微型流體泵浦的結構，以利縮小泵浦的體積，此外改善了先前技術在錐狀的第一流體通道蝕刻的問題，降低流阻，更改善了流體進入微型流體泵浦的效率，另外，於第二實施例及第三實施例更增加了第三基板的致動部與第二基板的振動部之間的距離，降低共振腔室的阻尼，也較不易使第三基板的致動部與第二基板的振動部產生沾黏，提高了微型流體泵浦的使用壽命，極具產業之利用價值，爰依法提出申請。

本案得由熟習此技術之人士任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。

10、20、30:微型流體泵浦 101、201、301:第一基板 1011、2011、3011:流體通槽 1012、2012、3012:第一流體通道 102、202、302:第一接著層 103、203、303:第二基板 1031、2031、3031:穿孔 1032、2032、3032:振動部 1033、2033、3033:固定部 104、204、304:第二流體通道 105、205、305:第二接著層 106、206、306:第三基板 1061、2061、3061:共振腔室 1062、2062、3062:第三流體通道 1063、2063、3063:致動部 1064、2064、3064:連接部 1065、2065、3065:外周部 107、207、307:壓電組件 1071、2071、3071:下電極層 1072、2072、3072:壓電層 1073、2073、3073:絕緣層 1074、2074、3074:上電極層 90:微型流體泵浦 901:第一基板 9011:第一流體通道 902:第一接著層 9021:第二流體通道 903:第二基板 9031:矽結構層 9032:穿孔 9033:振動部 9034:固定部 9035:第二接著層 9036:共振腔室 9037:矽薄化層 9038:致動部 9039:外周部 903A:連接部 903B:第三流體通道 904:壓電組件 9041:下電極層 9042:壓電層 9043:絕緣層 9044:上電極層

第1圖為先前技術中微型流體泵浦的示意圖。 第2A圖為本案之微型流體泵浦之第一實施例示意圖。 第2B圖為本案之微型流體泵浦之第二實施例示意圖。 第2C圖為本案之微型流體泵浦之第三實施例示意圖。

10:微型流體泵浦

101:第一基板

1011:流體通槽

1012:第一流體通道

102:第一接著層

103:第二基板

1031:穿孔

1032:振動部

1033:固定部

104:第二流體通道

105:第二接著層

106:第三基板

1061:共振腔室

1062:第三流體通道

1063:致動部

1064:連接部

1065:外周部

107:壓電組件

1071:下電極層

1072:壓電層

1073:絕緣層

1074:上電極層

Claims (19)

1. 一種微型流體泵浦，包含： 一第一基板，設有一流體通槽，以及至少一第一流體通道，其中該流體通槽為深槽狀； 一第一接著層； 一第二基板，其中該第一基板、該第一接著層、該第二基板依序由下而上疊設，並定義出一第二流體通道，該第二流體通道頂端設有一穿孔； 一第二接著層； 一第三基板，其中該第二基板、該第二接著層、該第三基板依序由下而上疊設，並定義出一共振腔室，該第三基板更包含至少一第三流體通道、一致動部、一連接部與一外周部，其中該外周部環設於該致動部的外圍，該外周部並透過該連接部耦接該致動部，該第三流體通道則貫通該第三基板，使該第三流體通道、該共振腔室得透過該穿孔依序連通該第二流體通道、該第一流體通道、該流體通槽；以及 一壓電組件，疊設於該致動部之上。
2. 如請求項1所述的微型流體泵浦，其中該第一基板為矽基材。
3. 如請求項1所述的微型流體泵浦，其中該第二接著層覆蓋於作為矽晶片的該第二基板上，使該第二接著層、該第二基板成為絕緣層上覆矽之晶片結構(SOI wafer)。
4. 如請求項1所述的微型流體泵浦，其中該第二基板更包含： 一振動部，位於該穿孔的周邊區域；以及 一固定部，位於該第二基板的周緣區域。
5. 如請求項1所述的微型流體泵浦，其中該壓電組件更包含： 一下電極層； 一壓電層，疊設於該下電極層上； 一絕緣層，鋪設於該壓電層之部分表面上及該下電極層之部分表面上，其中該絕緣層為電性絕緣；以及 一上電極層，疊設於該絕緣層上以及該壓電層未設有該絕緣層之其餘表面上。
6. 如請求項1所述的微型流體泵浦，其中該第一接著層係為氧化矽，且厚度等於該第二接著層的厚度。
7. 如請求項6所述的微型流體泵浦，其中該第一接著層係為氧化矽，且厚度範圍為0.5～2μm。
8. 如請求項1所述的微型流體泵浦，其中該第二接著層係為氧化矽-多晶矽-氧化矽的複合結構，其厚度範圍為0.5～10μm。
9. 如請求項6所述的微型流體泵浦，其中該第二接著層係為氧化矽，且厚度範圍為0.5～2μm。
10. 如請求項1所述的微型流體泵浦，其中該第三基板的厚度為3～15μm。
11. 如請求項1所述的微型流體泵浦，其中該第一基板的厚度為270～430μm。
12. 如請求項1所述的微型流體泵浦，其中該第二基板的厚度為2～5μm。
13. 如請求項5所述的微型流體泵浦，其中該壓電層為圓形且設置於該第三基板之該致動部上方，該致動部亦呈圓形。
14. 如請求項13所述的微型流體泵浦，其中該致動部的直徑為400～550μm。
15. 如請求項13所述的微型流體泵浦，其中該壓電層的直徑為140～500μm。
16. 如請求項13所述的微型流體泵浦，其中該壓電層與該致動部的直徑比例範圍為1：1.3～1：3.6。
17. 如請求項1所述的微型流體泵浦，其中該微型流體泵浦的工作電壓為2～12V。
18. 如請求項17所述的微型流體泵浦，其中該致動部的作動頻率為0.1～1.5MHz。
19. 如請求項4所述的微型流體泵浦，其中該振動部的作動頻率為0.1～1.5MHz。