TW202416057A - 曝光裝置以及曝光裝置之焦點檢測方法 - Google Patents

Abstract

[課題] 在曝光裝置中，維持焦點檢測精度的同時，迅速地進行焦點檢測。 [解決手段] 曝光裝置10在載台12的端部附近包括測光部40，測光部40包括遮光部41以及受光部42。遮光部41形成複數個光透過部50，具有遮光面41S，遮光面41S相對於與投影光學系統23的光軸C垂直的方向而僅傾斜角度θ。焦點檢測時，使載台12移動的同時將圖案光FP投影到測光部40的遮光面41S，基於從受光部42輸出的光量訊號而取得成像位置，以及進行焦點調整。

Description

曝光裝置以及曝光裝置之焦點檢測方法

本發明關於一種曝光裝置，特別是關於一種曝光裝置之焦點檢測。

已知在曝光裝置中，為了高解析度的圖案形成，並且為了曝光的基板表面與投影光學系統的成像面一致，進行焦點檢測以及焦點調整（校正）。作為焦點檢測以及焦點調整的手法，使基板位置往光軸方向階段式地位移的同時，將焦點檢測用圖案投影到基板，並且相對於包括光感測器、CCD等的焦點檢測裝置投影焦點檢測用圖案，而進行焦點檢測以及焦點調整的方法。

例如，在使用光調變元件陣列的無遮罩曝光裝置中，在使聚焦透鏡沿光軸方向移動的同時，將具有接近投影光學系統的解析度極限的周期的L/S（線寬及間距）圖案光投影到CCD等光學感測器。然後，藉由圖像處理計算對比度相關值，並將峰值檢測位置確定為聚焦位置（參考專利文獻1）。

另一方面，在遮罩曝光裝置中，已知有在晶圓載台上搭載狹縫形成板而掃描的同時進行焦點檢測的方法（參考專利文獻2）。在專利文獻2中，使狹縫形成板在掃描方向移動的同時投影焦點檢測用圖案的光，並且取得焦點檢測用圖案光的強度訊號（空間像輪廓）。然後，使狹縫板在光軸方向階段式地移動的同時，比較各位置的空間像輪廓，將透過狹縫的光強度最大的位置判斷為聚焦位置。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本專利特開2009-246165號公報 [專利文獻2] 國際公開第2005/124834號公報

[發明所欲解決之問題]

在上述的焦點檢測方法中，為了在光軸方向上移動工作台的位置或圖案光的成像位置的同時進行焦點檢測，正確的焦點位置檢測較困難，並且需要測量時間。

因此，期望可以在曝光裝置中，維持焦點檢測精度的同時迅速地進行焦點檢測。 [解決問題之手段]

本發明的曝光裝置可以構成為包括例如數位微鏡裝置（Digital Micro-mirror Device, DMD）等的光調變元件陣列的曝光裝置，並且包括具有投影光學系統的曝光部以及測定前述曝光部的成像位置的測定部。然後，前述測定部包括遮光部以及受光部，遮光部形成有沿著前述投影光學系統的光軸方向位置互異的複數個光透過部，受光部接受透過各光透過部的光，基於與從前述受光部輸出的光量對應的訊號，而取得前述曝光部的成像位置。例如，可以設置演算部而計算成像位置，並且可以說檢測到成像位置。曝光裝置基於得到的前述曝光部的成像位置，而可以進行前述曝光部的焦點調整。

相對於光透過部而投影的方式有多種，可以以使前述遮光部相對於前述曝光部而移動的方式構成。設置可以使遮光部相對於前述曝光部而連續地相對移動的移動部，基於在使遮光部相對移動之間從前述曝光部投影的圖案光，而可以取得前述曝光部的成像位置。例如，藉由將測定部裝配在基板搭載用載台或一體地構成測定部，可以相對於投影光學系統而沿著掃描方向相對移動。

在包括光調變元件陣列的曝光裝置的情況下，可以在曝光部使前述遮光部相對移動之間，將在前述光調變元件陣列中的相同調變區域反射的光作為前述圖案光而投影。

另一方面，可以使遮光部相對於曝光部不移動的構成。例如，在包括光調變元件陣列的曝光裝置的情況下，曝光部藉由將從前述光調變元件陣列中的滾動調變區域反射的光作為前述圖案光而投影的構成，而可以得到成像位置。

關於遮光部，藉由沿彼此的光軸方向的光透過部的位置的差異，在能夠輸出可以檢測成像位置的光量訊號的範圍，形成複數個光透過部較佳。複數個光透過部的光軸方向位置可以以沿著前述圖案光的相對移動方向而階段式地升高或降低的方式形成。例如，遮光部可以包括形成前述複數個透過部的遮光面，並且前述遮光面相對於沿著前述投影光學系統的光軸垂直的方向的面而傾斜的構成。

包括複數個光透過部的形狀的構成也有多種，例如，複數個光透過部可以由在垂直於前述圖案光的相對移動方向的方向上延伸的複數個狹縫構成，圖案光可以是與在前述遮光部上的前述複數個狹縫平行的線狀圖案。

作為本發明的另一樣態的曝光裝置的焦點檢測方法，使以複數個光透過部並列的方式形成的遮光面，相對於沿著投影光學系統的光軸垂直方向的面，僅傾斜預定角度而配置，並且將接受透過各光透過部的光的受光部配置在前述遮光面的下方，相對於前述複數個光透過部而將圖案光沿著前述複數個光透過部的排列方向，而相對於前述投影光學系統相對移動，基於與從前述受光部輸出的光量對應的訊號，取得圖案光的成像位置。 [發明的效果]

根據本發明，可以在曝光裝置中維持焦點檢測精度的同時迅速地進行焦點檢測。

以下參考附圖說明關於本發明的實施方式。

圖1是本實施方式的曝光裝置的方塊圖。

曝光裝置10是藉由往塗佈或附著有光阻等感光材料的基板W照射光而可形成圖案的無遮罩曝光裝置，在此，構成作為包括複數個曝光頭20的無遮罩曝光裝置（在圖1僅圖示一個曝光頭）。搭載基板W的載台12藉由載台驅動機構15而在主掃描方向、副掃描方向上可移動。

曝光頭20包括照明光學系統21、數位微鏡裝置（Digital Micro-mirror Device, DMD）22、成像光學系統（投影光學系統）23。從光源30出射的光被引導至照明光學系統21。光源30例如由雷射二極體等構成。

在使微小反射鏡二維排列的DMD 22（光學調變元件陣列）中，各微鏡藉由改變姿勢而選擇性地切換光的反射方向。藉由各反射鏡的姿勢由DMD驅動電路24控制，與圖案對應的光經由投影光學系統23而在基板W的表面成像。

載台驅動機構15遵循來自控制器60的控制訊號移動載台12。載台驅動機構15包括編碼器（未圖示），測定載台12的位置。控制器60基於載台12的位置而控制曝光裝置10的動作，往DMD驅動電路24輸出控制訊號。

在曝光動作期間，載台12沿著主掃描方向（相對移動方向）以恆定速度移動。由DMD 22整體的投影區域（以下，稱為曝光區域）隨著基板W的移動而在基板W上相對地移動。曝光動作是遵循預定的曝光間距而進行的，並且以配合曝光間距而投影對應於圖案的光的方式控制微鏡。以下，X是主掃描方向，Y是副掃描方向，然後Z是垂直於主掃描方向X以及副掃描方向Y的方向。

藉由遵循曝光區域的相對位置調整DMD 22的各微鏡的控制時序，將應繪製的圖案的光依次投影到曝光區域的位置。然後，藉由包括曝光頭20的複數個曝光頭，而在基板W整體形成圖案。

此外，作為曝光方式，不僅可以使用以恆定速度移動的連續移動方式，也可以使用間歇地移動的步進重複方式。又，也可以進行微鏡的圖像部分地重疊而曝光的多重曝光（重疊曝光）。

在載台12的端部附近，設置有焦點檢測用的測定部40，測定部40包括遮光部41以及光二極體等的受光部42。遮光部41具有設置有使光透過的複數個光透過部的遮光面41S，而受光部42配置在遮光面41S的下方。演算裝置27基於與從受光部42送來的光量對應的訊號，檢測與投影到基板B的成像檢測用圖案對應的光的成像位置。

例如，在進行基板的種類變更的情況下，在曝光前使用未圖示的焦點調整機構進行焦點調整。焦點調整機構可以使用習知技術而進行。在進行焦點調整後，相對於各基板的曝光動作的開始前、或是每當曝光作業時間經過預定時間時，檢測/監視是否維持聚焦狀態。然後，在非聚焦狀態的情況下，藉由控制器60進行焦點調整。

圖2是載台12以及遮光部41的概略立體圖。圖3是測定部40的概略側視圖。

如圖2所示，測定部40的遮光部41一體地設置在載台12的端部附近。在進行焦點檢測以及聚焦狀態的監視時，遮光部41與載台12一起在沿著主掃描方向X的方向（-X方向）移動。在此期間，圖案光FP從曝光頭20投影。然而，在圖2僅示出來自一個曝光頭的圖案光。

在此，遮光部41由玻璃遮罩構成，在作為其表面的遮光面41S形成有後述的複數個光透過部50（在圖2未圖示）。遮光面41S相對於載台12的基板搭載面（即基板B的表面）僅傾斜預定角度θ。遮光部41S由未圖示的支持構件定位。

檢測光強度/光量的受光部42由安裝到載台12的支持機構（未圖示）保持。又，受光部42以其受光面沿著基板B的搭載面的方式定位。隨著載台12的移動，圖案光FP相對於遮光面41S而往主掃描方向X移動。在此，圖案光FP連續地以恆定速度移動。圖1所示的演算裝置（演算部）27基於在此期間從受光部42輸出的一系列的光量訊號以及載台12的位置訊息而計算圖案光FP的成像位置。

圖4是示出形成在遮光部41的複數個光透過部50以及在DMD 22中用於表示圖案光的調變區域的俯視圖。如圖4（A）所示，複數個光透過部50由條狀的狹縫50S構成，沿著圖案光FP的相對移動方向（即主掃描方向X）以預定間隔並列。在此，狹縫50S以等間隔並列。

如圖4（B）所示，圖案光FP是藉由使被規定在DMD 22的調變區域22A為開啟狀態，經由調變來自光源30的光而形成的。在此，圖案光FP在基板W的表面附近成像為與狹縫50S的開口形狀對應的條狀（線狀）圖案。調變區域22A以圖案光FP的圖像在基板W的表面附近與狹縫50S大致平行的方式規定。

調變區域22A的寬度DW基於投影光學系統23的倍率，而以得到圖案光FP的在基板W的表面附近的投影圖像的寬度（圖像寬度）W的方式規定。例如，可以以小於狹縫50S的寬度SW的方式規定。又，圖案光FP的在基板W的表面附近的投影圖像的寬度W被規定為大於投影光學系統23的解析度極限的值，例如10μm。狹縫50S的寬度SW以光量可以檢測到焦點的方式被規定為可以充分取得光量的大小。

圖5是從側面示出在遮光部41的遮光面41S中複數個透過部50的形成的部分的示意圖。然而，在圖5中，從與圖3相反側觀察遮光部41的圖作為示意圖而示出。

在遮光面41S的狹縫形成區域SL形成有複數個透過部50。在沿著主掃描方向X的狹縫形成區域SL中，在其中央部M附近通過投影光學系統23的光軸C，朝向遮光面41S的兩個邊緣部分41E1、41E2，而大致被一分為二並且是對稱的。

在此，在將作為圖案光FP的基準的成像位置規定作為基準曝光面EM的情況下，基準曝光面EM在狹縫形成區域SL的大致中央部附近相交。因此，在將基板B搭載於載台12的情況下，遮光面41S的邊緣部分41E1位於比基準曝光面EM更下方，邊緣部分41E2位於比基準曝光面EM更上方。

相對於形成在具有這種傾斜角度θ的遮光面41S的複數個透過部50的測定部40，投影圖案光FP，並且使測定部40與載台12一起移動，相對於複數個透過部50而使圖案光FP進行掃描。在圖5中，圖案光FP的成像位置相對於基準曝光面EM而位於下方僅距離Z ₀。

圖6是示出使圖案光FP進行掃描時輸出的光量訊號的波形的圖。此外，在此，示出了比起圖3至圖5所示的複數個光透過部50，狹縫數更多時的波形。

當圖案光FP開始通過複數個狹縫形成區域SL時，光量增加。然而，由於狹縫50S的沿著光軸方向的位置遠離圖案光FP的成像位置，所以持續一段時間大致恆定的光量值。

當狹縫50S的沿著光軸方向的位置接近圖案光FP的成像位置時，透過狹縫50S的成像檢測用圖案光FP的光強度的變化量變大，並且出現具有振幅的光量波形。然後，當通過最接近圖案光FP的成像位置的狹縫50S時，在光量波形中振幅為最大。此後，振幅隨著圖案光FP的移動而衰減，並且光量值再次為大致恆定。

藉由來自受光部42的輸出訊號，得到以這樣的最大光量值（峰值）為中心而對稱，並且寬度EW與狹縫形成區域SL對應的光量波形P。在本實施例中，基於作為基準的光量波形與檢測到的光量波形P的沿著相對移動方向的偏移，而檢測圖案光FP的散焦量。

圖7是示出焦點檢測以及焦點調整的流程的圖。藉由DMD 22投影圖案光FP，並且使載台12移動（步驟S101、步驟S102）。演算裝置27從來自受光部42的光量訊號以及載台12的位置訊息取得光量波形，並且檢測圖案光FP的成像位置（步驟S103、步驟S104）。

圖8是示出檢測到的光量波形的圖。記憶體32（參考圖1）預先儲存圖案光FP的成像位置的基準位置（以下，稱為主數據）。

在圖7的步驟S105，從檢測到的光量波形求得散焦量。在此，從光量波形，生成急遽地表示峰值附近的光量分佈的包絡線。具體而言，在對光量波形進行微分演算後，平方而進行濾波處理，生成與進行採樣處理而得到的圖擬合的包絡線。然後，包絡線的中心位置被規定為峰值位置。

假定上述主數據的峰值位置與檢測到的峰值位置的差為ΔL（以下，稱為相對移動方向偏離量），散焦量Δf藉由下式而求得。 Δf=ΔL×tanθ　　　　　　　　　　　　　．．．．（1）

相對移動方向偏離量ΔL為正值或負值是對應於相對於圖案光FP的成像位置的基準曝光面EM而偏離的方向。圖8是示出圖案光FP的成像位置在比被曝光面EM更上方側偏離的情況。在散焦量Δf超過可視為在聚焦範圍內的閾值的情況下，進行焦點調整。另一方面，在散焦量Δf為閾值以下的情況下，判斷為在聚焦範圍內。

如以上所說明，本實施方式的曝光裝置10在載台12的端部附近包括測定部40，測定部40包括遮光部41以及受光部42。遮光部41形成複數個光透過部50並具有遮光面41S，遮光面41S相對於垂直於投影光學系統23的光軸C的方向僅傾斜傾斜角度θ。在焦點檢測時，使載台12移動的同時將圖案光FP投影到測定部40的遮光面41S，並且基於從受光部42輸出的光量訊號而進行焦點檢測以及焦點調整。

根據本實施方式的焦點檢測手法，僅使配置在載台12的端部附近的測定部40與載台12一起移動即完成，不需要伴隨將測定部40往光軸方向移動的動作。因此，可以迅速地進行焦點檢測以及焦點調整。

又，由於使測定部40的遮光部41為僅傾斜預定角度θ的構成，所以可以以簡易的構成進行高精度的焦點檢測。另外，遮光面41S被定位成使得狹縫形成區域SL橫跨基準曝光面EM。由此，即使圖案光FP的成像位置的偏離的方向在上下方向的任一方向皆可檢測到。

此外，為了避免如實施方式那樣測定部40從載台12的載置面突出的構成，測定部40被設置成測定部40的邊緣部分41E2為載台12的載置面以下，散焦量Δf可以對此量加上偏移值而求得。

由於使圖案光FP的相對移動方向與載台12的移動方向（即主掃描方向X）一致，所以僅藉由載台移動機構15的載台12的移動控制即可進行焦點檢測。此外，可以使用獨立於載台12而移動測定部40的機構。又，遮光部41以及受光部42可以一體地移動，或是也可以僅使遮光部41移動。在這種情況下，也可以使遮光部41與圖案光FP的方向從上述例子的方向變更為沿著副掃描方向Y移動，也可以沿著與主掃描方向X、副掃描方向Y以外的方向移動。

複數個光透過部50可以有各種構成，並且遮光面14S的傾斜角度、在DMD 22中規定的調變區域22A的寬度DW（參考圖4）、狹縫圖案間距SP以及狹縫圖案寬度SW（圖4）等可以基於投影光學系統23的解析度、受光部42的靈敏度特性、載台12的位置檢測能力等而決定。

例如，由於輸入到演算裝置27的編碼器訊號的脈衝間隔與焦點檢測解析度有關，所以遮光面41S的傾斜角度θ決定為比較小的角度較佳。又，圖案光FP的成像位置附近的圖像寬度W被決定為大於投影光學系統23的解析度極限的值。

又，狹縫圖案間距SP被決定為圖案光FP的成像位置附近的圖像寬度W的約數以外。狹縫圖案寬度SW被決定為可以獲得足夠光量，並且DMD 22的調變區域22A的寬度DW被決定為滿足圖案光FP的圖像寬度W以及狹縫圖案寬度SW的條件。此外，圖案光FP不限定於條狀圖案，並且可以是正方形或橢圓形等的圖案。

在本實施方式中，雖然是以遮光面41S通過圖案光FP的方式使測定部40移動的構成，但是在使測定部40靜止的狀態下，使圖案光FP相對於測定部40移動的構成也可以。即，不改變測定部40的位置，而使DMD 22的調變區域22A移動（滾動），而掃描圖案光FP的構成也可以。在這種情況下，預先準備配合DMD 22的各微小鏡的反射率的差異的校正表，而校正光量波形較佳。

遮光面41S也可以以複數個光透過部50沿著相對移動方向階段式地上升的方式傾斜。又，代替形成平坦的遮光面41S，可以階段狀地形成玻璃遮罩，並且可以配合此設置複數個光透過部。在這種情況下，可以不使遮光面41S傾斜地配置測定部40。

複數個光透過部50是不限定於以沿著其光軸方向的位置階段式地上升或下降的方式的構成，也可以形成在互相不同的位置。在這種情況下，以得到接近解析度極限的空間圖像輪廓的方式形成圖案光FP以及光透過部以檢測峰值位置較佳。

上述與焦點檢測相關的構成不僅可以適用於包括DMD 22等的光調變元件的無遮罩曝光裝置，而且可以適用於遮罩曝光裝置。在這種情況下，在投影圖案光FP的同時，使測定部40搭載在載台搭載面並相對移動較佳。

10:曝光裝置 12:載台 15:載台驅動機構 20:曝光頭/曝光部 21:照明光學系統 22:DMD/光調變元件陣列 22A:調變區域 23:投影光學系統/成像光學系統 24:DMD驅動電路 27:演算裝置/演算部 30:光源 40:測定部 41:遮光部 41E1,41E2:邊緣部分 41S:遮光面 42:受光部 50:光透過部 50S:狹縫 60:控制器 B:基板 C:光軸 DW,EW:寬度 EM:基準曝光面/被曝光面 FP:圖案光 M:中央部 P:光量波形 S101,S102,S103,S104,S105:步驟 SL:狹縫形成區域 SP:狹縫圖案間距 SW:狹縫圖案寬度/寬度 W:寬度/圖案寬度 Z ₀:距離 θ:角度

圖1是本實施方式的曝光裝置的方塊圖。 圖2是載台以及遮光部的概略立體圖。 圖3是測定部的概略側視圖。 圖4是示出形成在遮光部的複數個光透過部以及形成DMD的圖案的調變區域的俯視圖。 圖5是從側面示出在遮光部的遮光面中複數個透過部的形成的部分的示意圖。 圖6是示出當使成像檢測用的圖案光進行掃描時輸出的光量訊號的波形的圖。 圖7是示出焦點檢測以及焦點調整的流程的圖。 圖8是示出檢測到的光量波形的示例的圖。

41E1,41E2:邊緣部分

41S:遮光面

50:光透過部

50S:狹縫

C:光軸

EM:基準曝光面/被曝光面

FP:圖案光

M:中央部

SL:狹縫形成區域

SP:狹縫圖案間距

W:寬度/圖案寬度

Z₀:距離

θ:角度

Claims (10)

1. 一種曝光裝置，包括： 曝光部，具有投影光學系統；以及 測定部，測定前述曝光部的成像位置， 其中前述測定部包括形成沿著前述投影光學系統的光軸方向位置互相不同的複數個光透過部的遮光部、以及接受透過各光透過部的光的受光部， 基於與從前述受光部輸出的光量對應的訊號，取得前述曝光部的成像位置。
2. 如請求項1所述的曝光裝置，更包括移動部，可以使前述遮光部相對於前述曝光部連續地相對移動， 其中在使前述遮光部相對移動間基於從前述曝光部投影的圖案光而取得前述曝光部的成像位置。
3. 如請求項1所述的曝光裝置，其中前述複數個光透過部的光軸方向位置沿著前述圖案光的相對移動方向階段式地升高或降低。
4. 如請求項1所述的曝光裝置，其中前述遮光部包括形成前述複數個透過部的遮光面， 其中前述遮光面相對於沿著前述投影光學系統的光軸垂直方向的面傾斜。
5. 如請求項1所述的曝光裝置，其中前述曝光部包括光調變元件陣列， 其中前述曝光部在使前述遮光部相對移動間，將在前述光調變元件陣列中的同一調變區域反射的光作為前述圖案光而投影。
6. 如請求項1所述的曝光裝置，其中前述曝光部包括光調變元件陣列， 其中前述曝光部將從前述光調變元件陣列中的滾動的調變區域反射的光作為前述圖案光而投影。
7. 如請求項1所述的曝光裝置，其中前述複數個透過部由延伸在與前述圖案光的相對移動方向垂直的方向的複數個狹縫構成。
8. 如請求項7所述的曝光裝置，其中前述圖案光為與在前述遮光部上的前述複數個狹縫平行的線狀圖案。
9. 如請求項1至8中任一項所述的曝光裝置，其中基於得到的前述曝光部的成像位置，進行前述曝光部的焦點調整。
10. 一種曝光裝置之焦點檢測方法，包括： 使以複數個光透過部並列的方式形成的遮光面相對於沿著投影光學系統的光軸垂直方向的面僅傾斜預定角度而配置， 將接受透過各光透過部的光的受光部配置在前述遮光面下方， 相對於前述複數個光透過部使圖案光沿著前述複數個光透過部的排列方向而相對於前述投影光學系統相對移動， 基於與從前述受光部輸出的光量對應的訊號，而取得圖案光的成像位置。

Images