TW202415146A - 用於euv輻射源之多波長暗影法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種用於分析一EUV輻射源中之一目標位置處之燃料的度量衡系統(100、300、400)。該度量衡系統包含至少一個輻射發射裝置(105、110、115、305、310、315、405、410、415)，該至少一個輻射發射裝置經組態以發射導向該目標位置(120、320、420)之輻射。該度量衡系統亦包含至少一個輻射敏感裝置(150、350、450)，該至少一個輻射敏感裝置經組態以感測來自該至少一個輻射發射裝置之已傳遞通過該目標位置處之燃料的輻射。該至少一個輻射發射裝置經組態以發射具有至少兩個不同波長之輻射。亦揭示一種用於一EUV微影設備之輻射源(SO)，及一種分析此類EUV輻射源中之一目標位置處之一燃料的方法。

Description

用於EUV輻射源之多波長暗影法

本發明係關於用於分析EUV輻射源中之目標位置處之燃料的度量衡系統，及分析目標位置處之燃料的相關聯方法。

微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如遮罩)處之圖案投影至經提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)之層上。

為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵的最小大小。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用於在基板上形成較小特徵。

EUV輻射源可產生EUV輻射，其中EUV輻射源可屬於可被稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。在此類LPP源中，雷射系統可經配置以經由一或多個雷射光束將能量沈積至電漿形成區處之燃料中。雷射能量至燃料中之沈積可產生發射EUV輻射之電漿。

在一些實例中，雷射系統可經組態以向燃料提供汽化脈衝，以在用於產生電漿之後續主脈衝之前使燃料變稀薄。此類汽化脈衝可提供在燃料與後續主脈衝相互作用之前最佳化燃料之質量密度及分佈的方式。

無論液態抑或氣態，稀薄燃料之確切相可顯著影響與主脈衝之後續相互作用。

然而，當前商用系統中之現有度量衡工具不能獲得關於稀薄燃料之相的足夠資訊。

因此，亦需要提供適合用於EUV輻射源中且能夠提供與稀薄燃料之相相關的資訊之度量衡解決方案。

因此，本發明之至少一個態樣之至少一個實施例的目標為消除或至少減輕先前技術之以上所識別之缺點中的至少一者。先前技術之其他實例如下。

US 5,604,588 A描述一種檢查非線性限幅器單元中之雷射誘發電漿或氣泡形成的方法，其包括將雷射脈衝分裂成起始脈衝、第一探測脈衝及第二探測脈衝。起始脈衝聚焦於單元中之一位點處，使得此處發生所關注形成。該等探測脈衝被轉換成彼此不同且不同於起始脈衝波長之波長。接著，經由具有不同經量測長度之單模光纖發送探測脈衝，使得探測脈衝相對於起始脈衝以不同的受控間隔延遲。探測脈衝以相干準直狀態離開光纖，且沿穿過該位點之共同路徑行進。在第一探測脈衝到達之前，起始脈衝將到達該位點且進行該形成，且第二探測脈衝在第一探測脈衝之後到達該位點。接著對由穿過該形成的探測脈衝產生之暗影進行成像。

US 2020/0057381 A1描述一種裝置，其包括主控制器、處理腔室、本端控制器、開關及資料儲存器。處理腔室經組態以根據EUV光產生程序產生資料。本端控制器耦接至主控制器，且經組態以控制處理腔室。該開關耦接於該主控制器與該本端控制器之間，其中該開關經組態以提供用於該本端控制器與該主控制器通信之路徑。該資料儲存器直接連接至該本端控制器，且經組態以儲存資料。本端控制器直接與資料儲存器通信。

US 9,778,022 B1描述一種用於在當前目標沿著一軌跡朝向目標空間行進時量測該當前目標之移動性質之方法。該方法包括：偵測歸因於在該當前目標進入該目標空間之前在該當前目標與複數個診斷探測中之每一者之間的一相互作用而產生的光之複數個二維表示；基於對光之經偵測之該複數個二維表示的一分析而判定該當前目標之一或多個移動性質，該判定係在該當前目標進入該目標空間之前完成；及若該當前目標之該經判定一或多個移動性質係在一可接受範圍之外，則調整導向至該目標空間之一輻射脈衝之一或多個特性。

WO 2022/008145 A1描述用於操縱使雷射光束與燃料目標對準之系統、設備及方法。實例方法可包括以第一速率產生指示燃料目標與雷射光束之間的第一重疊之第一感測資料。該實例方法可進一步包括以第二速率產生指示該燃料目標與該雷射光束之間的第二重疊之第二感測資料。該方法可進一步包括以第三速率且基於該第一感測資料及該第二感測資料產生一操縱控制信號，該操縱控制信號經組態以操縱該雷射光束或該燃料目標。在一些態樣中，該第二速率可不同於該第一速率，且該第三速率可約等於該第一速率。在其他態樣中，該第一速率及該第二速率可約等於該第三速率。

根據本發明之一第一態樣，提供一種用於分析一EUV輻射源中之一目標位置處之燃料的度量衡系統。該系統包含至少一個輻射發射裝置，該至少一個輻射發射裝置經組態以發射導向該目標位置之輻射。該系統包含至少一個輻射敏感裝置，該至少一個輻射敏感裝置經組態以感測來自該至少一個輻射發射裝置之已傳遞通過該目標位置處之燃料的輻射。該至少一個輻射發射裝置經組態以發射具有至少兩個不同波長之輻射。

有利地，藉由感測已傳遞通過目標位置處之燃料的輻射而非已由燃料反射之輻射，可實施暗影技術以判定燃料對輻射之吸收，且藉此判定燃料之特性。此外，相比於可使用僅單個波長之輻射來產生影像資料的先前技術度量衡工具，使用至少兩個不同波長使得能夠自所感測輻射導出其他資訊。舉例而言，使用兩個波長可使得能夠基於自在兩個不同波長下所感測的輻射之間的差異判定的米氏曲線(Mie curve)之梯度及/或級別而判定燃料之平均奈米小滴大小。在另一實例中，已霧化之燃料之質量之比例可基於藉由具有第一波長之輻射敏感裝置感測的輻射與具有第二波長之輻射之間的差異，如下文更詳細地描述。

如更詳細地描述，在一些實施例中，波長中之至少一者可對應於可誘發燃料中之原子共振的輻射之波長。

至少兩個不同波長可包含至少兩個不同峰值波長。亦即，該至少一個輻射發射裝置可經組態以發射具有至少兩個不同峰值波長之輻射。

該至少一個輻射發射裝置可經組態以發射具有三個不同波長之輻射。

有利地，藉由使用多達三個不同波長，可判定燃料之平均奈米小滴大小及已經霧化之燃料之質量的比例。

該至少三個不同波長可包含至少三個不同峰值波長。亦即，該至少一個輻射發射裝置可經組態以發射具有至少三個不同峰值波長之輻射。

在使用中，該至少一個輻射發射裝置可包含非理想雷射，該非理想雷射可經組態以在相對小範圍之波長下發射具有峰值強度之一或多個波長的輻射。亦即，已知即使窄帶雷射亦可發射具有多於一個波長及/或多於一個峰值強度之波長的輻射。因而，本文中對「不同波長」之提及可理解為對應於「不同峰值波長」。

該等波長中之至少一者可在紫外線範圍內。

在EUV輻射源中，燃料目標可包含錫(Sn)。已知錫展現藉由紫外線範圍中之入射輻射誘發之相當大量的可偵測原子共振。有利地，藉由將波長中之至少一者選擇為已知在燃料中誘發原子共振之波長，可自由至少一個輻射敏感裝置感測之輻射判定已藉由汽化脈衝霧化之燃料的質量，如下文更詳細地描述。

在一些實例中，波長中之至少一者可在可見光範圍中。在一些實例中，該等波長中之至少一者可在深紫外線(DUV)範圍內。

該至少一個輻射敏感裝置可包含至少一個光電二極體。

有利地，光電二極體可用以至少提供與所感測輻射之量值(例如，功率)相關之基本資訊。在實例中，可實施少至單個光電二極體，其中該單個光電二極體可經組態以連續或依序感測每一不同波長之輻射。

該至少一個輻射敏感裝置可包含至少一個影像感測器。

使用諸如攝影機之影像感測器可有利地提供空間解析度以供感測。

該至少一個影像感測器可包含複數個影像感測器。每一影像感測器可經組態以感測具有該等波長中之一者的輻射。

該至少一個輻射敏感裝置可包含一影像感測器，該影像感測器包含複數個區。每一區可經組態以感測具有該等波長中之一者的輻射。

該至少一個輻射發射裝置可包含一窄帶雷射，例如具有窄線寬光學發射頻譜之單波長雷射。舉例而言，至少一個輻射發射裝置可包含可調諧及/或經穩定化雷射及/或分散式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector；DBR)雷射。

有利地，一形式之波長回饋可用以確保輻射之波長中之至少一者對應於誘發燃料中之原子共振所需的精確波長。

該至少一個輻射發射裝置可包含參考，諸如原子參考或波長計，例如波長計量器。該參考可用於控制至少一個輻射發射裝置之發射頻譜的中心波長，例如峰值波長。亦即，該參考可用於提供回饋以控制/穩定至少一個輻射發射裝置在所要波長下之輸出。如下文更詳細地描述，此所要波長可對應於目標位置處之燃料的原子共振，或剛剛脫離原子共振之波長。

該至少一個輻射發射裝置可包含複數個雷射二極體。每一雷射二極體可經組態以發射具有該至少兩個不同波長，例如至少兩個不同峰值波長中之一波長的輻射。

該度量衡系統可包含一或多個光學組件，該一或多個光學組件經組態以朝向該目標位置共線地引導由該至少一個輻射發射裝置發射之該至少兩個不同波長之該輻射。

舉例而言，如下文參考圖2及圖5更詳細地描述，該度量衡系統可包含以下各者中之至少一者中的任一者或全部：鏡面、透鏡、光纖、雙向色鏡、光束分光器、孔徑或埠中之窗口。

可對該至少一個輻射敏感裝置對來自該至少一個輻射發射裝置之已傳遞通過該目標位置處之燃料的輻射之曝露進行時間閘控。

在一實例使用情況下，在於目標位置處之燃料處激發汽化脈衝之後，可隨後在稀薄燃料處激發主脈衝，此可引起發射相對大量的電漿輻射。在無時間閘控的情況下，此輻射可能漫灌該至少一個輻射敏感裝置或使其飽和，從而在效果上使該至少一個輻射敏感裝置飽和。時間閘控可以電子方式實施，諸如藉由在主脈衝之前停用該至少一個輻射敏感裝置。可以機械方式(諸如藉由實施遮光片或濾光輪)實施時間閘控。

該度量衡系統可包含至少一個其他輻射敏感裝置，其經組態以感測來自該至少一個輻射發射裝置之輻射。

有利地，該至少一個其他輻射敏感裝置可用以感測由該至少一個輻射發射裝置發射之輻射的功率，使得可建立基線，可對照該基線量測藉由該至少一個輻射敏感裝置感測之輻射。

根據本發明之一第二態樣，提供一種用於一EUV微影設備之輻射源。該輻射源包含根據第一態樣之度量衡系統。該輻射源亦包含用於在該目標位置處發射燃料小滴之一燃料發射器。該輻射源亦包含經組態以使該等燃料小滴變稀薄之至少一個其他輻射發射裝置。該度量衡系統之該至少一個輻射發射裝置經組態以朝向該稀薄燃料目標發射輻射。

有利地，該度量衡系統可用以判定已經霧化之燃料質量之比例及/或汽化脈衝之後燃料之平均奈米小滴大小。

該至少一個輻射發射裝置可經組態以對在該目標位置處之一第一燃料小滴發射具有一第一波長之輻射，且對在該目標位置處之一第二燃料小滴發射具有一第二不同波長之輻射。

該輻射源可包含一回饋系統，該回饋系統經組態以控制一或多個雷射以基於對由該至少一個輻射敏感裝置感測之輻射之一分析而調適一預脈衝、一稀薄化脈衝及/或一主脈衝之一或多個特性。

根據本發明之一第三態樣，提供一種分析一EUV輻射源中之一目標位置處之一燃料的方法。該方法包含組態至少一個輻射發射裝置以發射具有至少兩個不同波長之輻射，該輻射導向該目標位置。該方法包含組態至少一個輻射敏感裝置以感測來自該至少一個輻射發射裝置之已傳遞通過該目標位置處之燃料的輻射。該方法包含分析該所感測輻射以判定該燃料目標之一或多個特性。

分析所感測輻射之步驟可包含基於藉由該至少一個輻射敏感裝置感測之具有第一波長的輻射與具有第二波長之輻射之間的差異而判定已經霧化的燃料之質量的比例，其中該第二波長對應於燃料之原子共振。

分析所感測輻射之步驟可包含基於自藉由至少一個輻射敏感裝置感測之具有第一波長的輻射與具有第二波長之輻射之間的差異判定的米氏曲線之梯度來判定燃料之平均奈米小滴大小。

分析該所感測輻射之該步驟可包含判定該燃料之一溫度。亦即，分析所感測輻射之步驟可包含判定汽化燃料(例如，稀薄化後的燃料蒸氣)之溫度。分析所感測輻射之步驟可包含基於兩個不同波長下之原子共振之相對強度而判定燃料之溫度。兩個不同波長中之每一者可與燃料之各別原子共振對準，例如大體上對準。燃料之該等各別原子共振可對應於不同能階，例如基級階。

有利地，燃料(例如燃料蒸氣)之溫度可為EUV源中之稀薄化之穩定性的關鍵指示項，此係因為非預期及/或非所要效應(諸如電漿形成)可能驅高溫度。因而，燃料之溫度之判定可致能另一程度的基於回饋之控制：控制雷射系統基於對由該至少一個輻射敏感裝置感測之輻射之分析而調適一預脈衝、一稀薄化脈衝及/或一主脈衝之一或多個特性。

在一些實例中，對不同波長中之一或多者處的原子共振之強度的判定可另外包含對背景散射位準(例如米氏散射)之判定。亦即，歸因於自稀薄燃料中之奈米小滴的米氏散射，可能在背景信號上量測到原子共振，且因此，可藉由補償(例如減去)任何此類背景散射位準之效應來判定原子共振之真實強度。如上文所描述，在一些實例中，米氏曲線之梯度可自藉由至少一個輻射敏感裝置感測之具有第一波長的輻射與具有第二波長之輻射之間的差異判定，其中第一波長及第二波長中之每一者可經選擇以避免燃料之原子共振。

以上發明內容意欲僅為例示性及非限制性的。本發明包括單獨地或呈各種組合形式之一或多個對應態樣、實施例或特徵，無論是否以彼組合或單獨地特定陳述(包括所主張)。應理解，在任何其他態樣或實施例中，上文根據本發明之任何態樣或下文關於本發明之任何具體實施例所限定之特徵可單獨或與任何其他所限定特徵組合使用，或用於形成本發明之另一態樣或實施例。

圖1展示包含輻射源SO及微影設備LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B且將EUV輻射光束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。

照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11共同提供具有所需截面形狀及所需強度分佈之EUV輻射光束B。除琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11以外或代替該等裝置，照明系統IL可包括其他鏡面或裝置。

在如此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化裝置MA相互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投射至基板W上。為了彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投射至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將一縮減因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用縮減因數4或8。儘管投影系統PS在圖1中繪示為僅具有兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。

基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影設備LA使用經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。

可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供一相對真空，即，處於遠低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫氣)。

圖1中所展示之輻射源SO屬於例如可稱作一雷射產生電漿(LPP)源之一類型。可例如包括一CO2雷射之一雷射系統1經配置以經由一雷射光束2將能量沈積至由例如燃料發射器3提供的一燃料(諸如，錫(Sn))中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何適合燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如為一金屬或合金。燃料發射器3可包含經組態以沿著軌道朝向一電漿形成區4引導例如呈小滴形式之錫的一噴嘴。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量沈積至錫中在電漿形成區4處產生一錫電漿7。包括EUV輻射之輻射在電子之去激發及電子與電漿之離子之重組期間自電漿7發射。

來自電漿之EUV輻射係由一收集器5收集及聚焦。收集器5包含例如一近正入射輻射收集器5 (有時更一般化地被稱為一正入射輻射收集器)。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EVU輻射)之一多層鏡面結構。收集器5可具有橢球形組態，該橢球形組態具有兩個焦點。如下文所述，該等焦點中之第一者可處於電漿形成區4，且該等焦點中之第二者可處於一中間焦點6。

雷射系統1可在空間上與輻射源SO分隔。在此種情況下，雷射光束2可憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(圖中未繪示)而自雷射系統1傳遞至輻射源SO。雷射系統1、輻射源SO及光束遞送系統可共同地認為係一輻射系統。

由收集器5反射之輻射形成EUV輻射光束B。EUV輻射光束B聚焦於中間焦點6處，以在存在於電漿形成區4處的電漿之中間焦點6處形成影像。中間焦點6處之影像充當用於照射系統IL之虛擬輻射源。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或附近。

儘管圖1將輻射源SO描繪為雷射產生電漿(LPP)源，但諸如放電產生電漿(DPP)源或自由電子雷射(FEL)之任何適合之源可用以產生EUV輻射。

圖1中亦描繪用於分析自燃料發射器3提供之燃料(諸如錫(Sn))的度量衡系統15。亦即，度量衡系統15經組態以用於分析EUV輻射源SO中之目標位置處之燃料，如下文參考圖2之實例實施例所更詳細地描述。

儘管圖1之度量衡系統15被描繪為安置於輻射源SO之圍封結構9內，但應瞭解，度量衡系統15之至少一部分可安置於圍封結構9外部，如下文更詳細地描述。

此外，度量衡系統15經組態以感測來自至少一個輻射發射裝置之已傳遞通過目標位置處之燃料的輻射。為了圖1中之繪示簡單性的目的，圖1中描繪度量衡系統15之簡化方塊圖。然而，應瞭解，度量衡系統15可包含複數個特徵及組件。詳言之，度量衡系統15包含至少一個輻射發射裝置及經組態以感測來自該至少一個輻射發射裝置之輻射的至少一個輻射敏感裝置，其中該輻射發射裝置可經安置及/或經組態使得該至少一個輻射發射裝置發射導向目標位置之輻射，且該至少一個輻射敏感裝置經組態以感測來自該至少一個輻射發射裝置之已傳遞通過目標位置處之燃料的輻射。因而，在一些實例中，度量衡系統15可經組態以獲得目標位置處之燃料的暗影，如下文更詳細地描述。

圖2描繪根據本發明之一實施例之度量衡系統100的實例。實例度量衡系統100包含第一輻射發射裝置105、第二輻射發射裝置110及第三輻射發射裝置115。為了實例之目的，每一輻射發射裝置105、110、115為雷射二極體。然而，其他輻射發射裝置(諸如，各種其他類型之雷射)可屬於本發明之範疇。每一輻射發射裝置105、110、115經組態以發射具有不同波長之輻射。在實施例中，每一輻射發射裝置105、110、115可經組態以發射具有不同峰值波長之輻射。

儘管圖2之實例描繪各自經組態以發射具有不同波長之輻射的三個單獨輻射發射裝置105、110、115，但在其他實施例中，可實施少至單個輻射發射裝置，其中此單個輻射發射裝置可為可組態的以在多於一個波長下同時或依序發射輻射。在實例中，一或多個輻射發射裝置可經組態以發射具有少至兩個不同波長之輻射。

在一些實例中，可另外或替代地實施一或多個可調諧雷射，其中該一或多個可調諧雷射可為可組態的以發射具有不同波長之輻射。

度量衡系統100可包含經組態以將輻射自輻射發射裝置105、110、115朝向目標位置120處之燃料引導的光學組件，諸如透鏡及/或光纖。在實例度量衡系統100中，來自輻射發射裝置105、110、115中之每一者的輻射在光纖125處引導。光纖125可為多模光纖，其適合於具有不同波長中之每一者之輻射之高效傳輸。

繼續以上實例，光纖125之輸出在第一透鏡130處引導。在所描述實例中，第一透鏡130係平凸透鏡，其經組態以將輻射自輻射發射裝置105、110、115中之每一者共線地朝向目標位置120引導。已傳遞通過目標位置120 (例如通過目標位置120處之燃料)之輻射導向第一鏡面135且接著導向第二鏡面140，且聚焦透鏡145將輻射聚焦且朝向輻射敏感裝置150引導。

應瞭解，度量衡系統100之所描述光學系統之變化在本發明之範疇內。舉例而言，可實施大於兩個或小於兩個透鏡及/或鏡面。相似地，雖然光纖被描繪為用於將輻射自輻射發射裝置105、110、115引導至透鏡130之構件，但在其他實例中，輻射發射裝置105、110、115可將輻射直接引導至透鏡125處，或甚至直接引導至目標位置120處，及/或使用鏡面、光束分光器、透鏡及其類似者之不同組態將輻射朝向目標位置120引導且隨後引導至輻射敏感裝置150。

儘管在圖2之實例中，將來自輻射發射裝置105、110、115之三個成角度的輻射光束描繪為入射於光纖125上，但在其他實例中，來自輻射發射裝置105、110、115之輻射可傳遞通過一或多個光學組件，諸如雙向色鏡、分光器或其類似者，使得來自輻射發射裝置105、110、115之輻射在進入光纖125之前經共線地引導。

類似地，可自輻射發射裝置105、110、115中之每一者在光程中提供一或多個光束分光器或晶體，以將來自每一輻射發射裝置105、110、115之輻射共線地導向至目標位置120。

在實例度量衡系統100中，輻射敏感裝置150為攝影機。攝影機可為電荷耦合裝置(CCD)攝影機、CMOS影像感測器，或其類似者。因而，輻射敏感裝置150可能能夠提供例如影像之二維空間解析資訊。

此輻射敏感裝置150可包含複數個感光裝置或像素。然而，在屬於本發明之範疇內的其他實施例中，輻射敏感裝置150可包含少至單個光電二極體或像素。

亦展示可通信地耦接至輻射敏感裝置150且經組態以分析由輻射敏感裝置150提供之資訊的電腦155。電腦可將資訊提供至回饋系統16或可為回饋系統之組件，該回饋系統經組態以控制雷射系統1基於對由輻射敏感裝置150感測之輻射之分析而調適預脈衝、稀薄化脈衝及/或主脈衝之一或多個特性，如下文更詳細地描述。

度量衡系統100之僅一部分可安置於EUV輻射源SO內。舉例而言，在實施例中，輻射發射裝置105、110、115及/或輻射敏感裝置150中之每一者可提供於輻射源SO外部。輻射發射裝置105、110、115可經組態以將輻射經由一或多個孔徑或埠而引導至輻射源SO中，或沿著延伸至輻射源SO中之一或多個光纖引導。

相似地，輻射敏感裝置150可經組態以感測經引導通過輻射源SO中之一或多個孔徑或埠及/或自輻射源SO延伸之一或多個光纖之輻射。

度量衡系統100之操作如下。

如上文所描述，在諸如輻射源SO之LPP源中，雷射系統1可經配置以經由一或多個雷射光束將能量沈積至例如目標位置120之電漿形成區處的燃料中。雷射能量至燃料中之沈積可產生發射EUV輻射之電漿。

在一些實例中，雷射系統1可經組態以向燃料提供汽化脈衝，以在用於產生電漿之後續主脈衝之前使燃料變稀薄。此類汽化脈衝可提供在燃料與後續主脈衝相互作用之前最佳化燃料之質量密度及分佈的方式。

無論液態抑或氣態，稀薄燃料之確切相可顯著影響與主脈衝之後續相互作用。所揭示之度量衡系統100可經組態以分析稀薄燃料之相以判定與稀薄燃料之確切相相關的資訊。

亦即，在已提供汽化脈衝之後，但在提供用於產生電漿之主脈衝之前，所揭示之度量衡系統100可經組態以分析稀薄燃料之相。此外，所揭示之度量衡系統100可包含回饋系統16，該回饋系統經組態以基於由電腦155執行的對由至少一個輻射敏感裝置150感測之輻射之分析來控制一或多個雷射以調適預脈衝、稀薄化脈衝及/或主脈衝之一或多個特性。亦即，所揭示度量衡系統100可經組態以控制預脈衝、稀薄化脈衝及/或主脈衝中之任一者/全部。

參考圖3進一步描述度量衡系統100之操作，其描繪暗影消光頻譜之實例。實例頻譜為錫(Sn)頻譜，錫為已知用於EUV輻射源中之燃料。實例頻譜係基於考慮密度及路徑長度之實驗基準模型。對於此實例頻譜，假定蒸氣為70% 30奈米單分散奈米小滴，其在3000K下與30%原子物質混合。實例頻譜係基於錫(Sn)作為燃料。

在實例實施例中，相異特徵可自此頻譜導出及/或在此頻譜中識別。可在頻譜中識別出之第一特徵為原子峰值之出現。此類原子峰值對應於燃料之共振頻率。舉例而言，可看出，具有大約301奈米之波長之入射輻射可誘發具有原子峰值205之共振。

可在頻譜中識別出之第二特徵為背景散射，其被稱為米氏散射。此類背景散射可由奈米小滴存在於稀薄燃料中誘發。此類背景散射或米氏散射可自頻譜之總體位準及/或梯度推斷，排除上述原子峰值。

可自頻譜識別出之第三特徵為燃料之溫度，例如稀薄燃料目標之溫度，如下文更詳細地描述。

有利地，在目標位置120處之燃料為錫之實施例中，第一波長及第二波長中之至少一者可在紫外線範圍內。此係因為已知錫在此波長範圍內展現相對大量的可偵測共振。在一些實施例中，第一波長及第二波長中之至少一者在深紫外線(DUV)範圍內，已知該範圍提供相對大量之可偵測原子峰值。

在實例使用情況下，第一輻射發射裝置105可經組態以發射具有第一波長之輻射。第二輻射發射裝置110可經組態以發射具有不同於第一波長之第二波長的輻射。第一波長及第二波長可對應於圖3之頻譜上的波長，為了實例之目的，該等波長在大致220奈米至400奈米之紫外線範圍內。

在此實例中，第一波長可大致為301nm且對應於原子共振，例如原子峰值205。在此實例中，與原子峰值205相關聯的消光百分比大致為75%。

第二波長可對應於剛剛偏離原子共振之相對類似波長，例如稍微較長或較短的波長。在圖3之實例中，第二波長可在大致298奈米之波長下發生。在此實例中，與原子峰值205相關聯的消光百分比大致為45%。

因而，可看出，歸因於大致301奈米波長之入射輻射的原子共振之出現對應於在消光頻譜之量值的30%之區中的尖峰。

亦即，藉由使用兩個不同但相對接近的波長(一個波長對應於原子尖峰且一個波長非常接近於彼波長)，關於所選原子尖峰之量值的資訊可自在每一波長下由輻射敏感裝置150接收之輻射的量值(例如，功率)之間的差異導出。

量值可對應於已藉由汽化脈衝霧化之燃料之質量的比例。亦即，已經霧化之燃料之質量之比例可基於藉由輻射敏感裝置150感測之具有第一波長的輻射與具有第二波長之輻射之間的差異，其中第一波長及第二波長中之一者對應於燃料之原子共振。

在此實例中，為了使第一輻射發射裝置105之波長與燃料之原子峰值精確對應，可能需要對由第一輻射發射裝置105發射之輻射的波長的精確控制。

在一些實例中，第一輻射發射裝置105及/或第二輻射發射裝置110可包含窄帶雷射，例如具有窄線寬光學發射頻譜之單波長雷射。在一些實例中，第一輻射發射裝置105及/或第二輻射發射裝置110可包含穩定或經穩定化的雷射。舉例而言，為達成窄線寬，第一輻射發射裝置105及/或第二輻射發射裝置110可實施為外腔二極體雷射(ECDL)，其可用以提供可調諧及/或特別穩定之峰值波長。在其他實例中，可使用任何其他形式之波長回饋，諸如藉由將第一輻射發射裝置105及/或第二輻射發射裝置110實施為分散式布拉格反射器(DBR)雷射或布拉格光纖光柵(FBG)雷射。

在DBR雷射實例中，DBR雷射可用藉由一個末端處之反射性DBR鏡面及另一末端處之低反射率出射琢面界定之共振腔實施，其中注入電流可產生單個空間雷射模式。藉由此DBR雷射發射之輻射之峰值波長可藉由調整注入電流及/或DBR雷射之溫度而在相對小範圍內為可調諧的。

在FBG雷射實例中，布拉格反射器可實施於單模光纖之核心之一部分中，其中輻射發射裝置可經組態以發射具有對應於布拉格波長之波長的輻射。布拉格反射器可充當對此輻射發射裝置之回饋，且可藉此提供相對無雜訊的窄帶發射頻譜。

此外，第一輻射發射裝置105及/或第二輻射發射裝置110可包含參考，例如原子參考或波長計。該參考可用於控制第一輻射發射裝置105及/或第二輻射發射裝置110之發射頻譜的中心之波長，例如峰值波長。亦即，參考可用以提供回饋以控制/穩定第一輻射發射裝置105及/或第二輻射發射裝置110在所要波長下的輸出。如上文所描述，此所要波長可對應於目標位置處之燃料的原子共振，或剛剛脫離原子共振之波長。

在另一實例中，第三輻射發射裝置115可經組態以發射具有不同於第一波長及第二波長之第三波長的輻射。實際上，第三波長可相較於第一波長顯著較遠離第二波長，且亦可經選擇以避免燃料之原子共振。在圖3之實例中，第三波長為大致390奈米，其對應於大致15%之消光百分比。在其他實例中，第三波長可更遠離第二波長，且甚至可在可見頻譜中。根據對應於第二波長及第三波長之消光百分比，可判定背景頻譜(例如米氏曲線)之梯度及/或位準，其中該梯度及/或位準可指示稀薄燃料內之奈米小滴之大小。

亦即，燃料之平均奈米小滴大小可基於自藉由輻射敏感裝置150感測之具有第二波長之輻射與具有第三波長之輻射之間的差異判定的米氏曲線之梯度及/或位準。此外，使用至少三個波長可使得能夠判定燃料中奈米小滴之密度。舉例而言，米氏散射之總體位準及/或米氏散射頻譜中的斜坡之位置可指示燃料中奈米小滴之密度。

儘管在以上實例中，第三波長選擇為大致390奈米，但應理解，此僅為了實例之目的。在一些實施例中，可選擇長於390奈米之波長，例如，大於400奈米、大於500奈米或甚至更長。在實例中，第三輻射發射裝置可發射具有450奈米或520奈米之波長的輻射。

在另一實例中，分析所感測輻射可包含判定燃料之溫度，例如已藉由汽化脈衝霧化之燃料的溫度。分析所感測輻射可包含基於兩個不同波長下之原子共振之相對強度而判定燃料之溫度。在實例中，兩個不同波長中之每一者可與對應於不同能量能階(例如，「基級階」)之燃料之各別原子共振對準(例如，大體上對準)。

舉例而言，圖7描繪對應於圖3之消光頻譜中所描繪之實例原子共振的表。亦即，實例原子共振對應於錫(Sn)之消光頻譜，其中頻譜係基於上述實驗基準模型，例如在3000K下與30%原子物質混合之70% 30奈米單分散奈米小滴。應瞭解，圖7之表中所描述之特定原子共振僅為了實例之目的而提供，且不應被視為限制本發明之範疇。

圖7之表中之第一行對應於每一原子共振之波長，如圖3中所描繪。第二行描述與每一原子共振相關聯之基級階能量(以倒數公分為單位，cm ^{- 1})，且第三行描述多少基級階以比彼列中之能量低的能量存在，其中「0」指示絕對最低能態。作為實例，上述原子峰值205在圖7之表中描述為具有300.91奈米之波長、1691.81 cm-1之能階且對應於為1之能階。

再次轉至圖2之實例實施例，在一個實例中，藉由組態及/或選擇第一輻射發射裝置105、第二輻射發射裝置110及第三輻射發射裝置115中之任一者/全部以發射對應於圖7之表中所描繪的原子共振中之至少兩者的波長，其中兩個原子共振對應於不同基級階，可判定燃料之溫度，如下文參考圖8更詳細地解釋。

自圖8 (其描繪針對不同溫度下之不同基級階的若干原子共振之強度的實例)可見，原子共振之強度針對不同基級階可能不同地改變。

舉例而言，第一圖表505描繪用於為0之基級階(例如最低離散能階)之預測消光頻譜，亦如圖7之表中所描述。第二圖表510描繪用於為2之基級階之預測消光頻譜，亦如圖7之表中所描述。第三圖表515描繪用於為3之基級階之預測消光頻譜，亦如圖7之表中所描述。

在對應於為0之基級階的第一圖表505中，可看出，在3000K的溫度下，與在大致286nm處的原子共振相關聯的消光百分比為大致45%，且在10000K的溫度下，與原子共振相關聯的消光百分比增大至大致75%。因此，原子共振之量值包含關於燃料之溫度的資訊。

在對應於為2之基級階之第二圖表510中，可看出，在3000K的溫度下，與在大致317nm處的原子共振相關聯的消光百分比為大致60%，且在10000K的溫度下，與原子共振相關聯的消光百分比減小至大致45%。

在對應於為2之基級階的第三圖表515中，可看出，在3000K的溫度下，與在大致317nm處的原子共振相關聯的消光百分比為大致20%，且在10000K的溫度下，與原子共振相關聯的消光百分比增大至大致30%。

因此，可看出，共振強度取決於基級階而隨著溫度發生改變，其中此等改變在量值及方向兩者上皆不同，例如增大或減小。

因而，可藉由量測各自與來自不同基級階之原子共振對準的(至少)兩個特定波長來獲得燃料之溫度。由於此等基級階將經由波茲曼分佈(Boltzmann distribution)而具有不同佔據位準，其僅取決於溫度，因此原子共振之相對強度可對應於蒸氣之溫度。有利地，燃料(例如燃料蒸氣)之溫度可為稀薄化之穩定性的關鍵指示項，此係因為非預期及/或非所要效應(諸如電漿形成)可能驅高溫度。

在一些實例中，對不同波長中之一或多者處的原子共振之強度的判定可另外包含對背景散射位準(例如米氏散射)之判定。亦即，歸因於自奈米小滴的米氏散射，可能在背景信號上量測到原子共振，且因此，可藉由補償(例如減去)任何此類背景散射位準之效應來判定原子共振之真實強度。

在一些實例中，可如上文所描述執行自奈米小滴之米氏散射的量測。

在一些實例中，可藉由組態一輻射源(例如輻射源105、110、120中之任一者或任何其他輔助或額外輻射源)發射波長不同於但大體上接近原子共振之波長的輻射來量測背景位準。在此情況下，關於所選原子尖峰之量值之資訊可自在每一波長下由輻射敏感裝置接收之輻射的量值(例如，功率)之間的差異導出。

在其他實例中，替代地或另外，背景位準可使用一模型及/或預校準來判定。在其他實例中，可單獨地及/或依序地判定一背景散射位準及峰值共振之一量值。舉例而言，在一些實施例中，一峰值可量測一或多次，且接著背景可量測一或多次。

儘管上述實例包含第一輻射發射裝置105、第二輻射發射裝置110及第三輻射發射裝置115，其中第一輻射發射裝置105及第二輻射發射裝置110用於判定已藉由汽化脈衝霧化之燃料之質量的比例，且第二輻射發射裝置110及第三輻射發射裝置115用於判定燃料之平均奈米小滴大小，但應瞭解，本發明之實施例可包含經組態以發射至少兩個不同波長的輻射之少至單個輻射發射裝置。亦即，在一些實例中，單個輻射發射裝置可經組態以發射具有兩個不同波長之輻射，以使得能夠判定已經霧化之燃料之質量的比例或燃料之平均奈米小滴大小。在其他實例中，此可藉由實施經組態以發射兩個不同波長之輻射的少至兩個輻射發射裝置來達成。

在上述實例中，輻射敏感裝置150可實施為光電二極體。因而，輻射敏感裝置150可能能夠提供在無任何空間解析度之情況下已傳遞通過目標位置處之燃料的入射輻射之功率之總體指示。

如上文所描述，在一些實施例中，輻射敏感裝置150包含攝影機。攝影機可為電荷耦合裝置(CCD)攝影機、CMOS影像感測器，或其類似者。因而，輻射敏感裝置150可能能夠提供例如影像之二維空間解析資訊。此指示於圖4a中，其描繪在第一波長下觀測之目標位置120處的燃料之第一強度分佈(例如暗影)之實例，且圖4b描繪在不同於第一波長之第二波長下觀測的目標位置120處的燃料之第二強度分佈(例如暗影)之實例。可看出，在同一目標位置120處自大體上相同燃料獲得之強度分佈歸因於不同吸收位準及/或由不同的第一波長及第二波長誘發之不同共振而不同。此等強度分佈指示由目標位置處之燃料進行之吸收。使用多個波長有效地致能吸收頻譜之產生，自該吸收頻譜，可推斷關於目標位置120處之燃料的相之資訊，如下文所描述。

繼續圖4a及圖4b之以上實例，電腦155可經組態以判定第一強度分佈與第二強度分佈之間的差異，以判定關於已經霧化之燃料之質量的比例或燃料之平均奈米小滴大小的空間解析資訊。

此外，儘管關於第一波長及第二波長描述圖4a及圖4b之實例，但應瞭解，在其他實施例中，可使用至少三個波長，因此使得能夠判定關於已經霧化之燃料之質量的比例、燃料之平均奈米小滴大小及/或奈米小滴之密度的空間解析資訊。

此外，儘管圖3中僅描繪單個輻射敏感裝置150，但應瞭解，在其他實施例中，可實施複數個輻射敏感裝置，其中每一輻射敏感裝置可經組態以感測具有該等波長中之一者的輻射。在提供空間解析資訊之度量衡系統中，可實施複數個影像感測器，其中每一影像感測器可經組態以感測具有該等波長中之一者的輻射。在其他實施例中，輻射敏感裝置150可實施為包含複數個區之影像感測器，每一區經組態以感測具有該等波長中之一者的輻射。電腦155可經組態以判定來自輻射敏感裝置150之不同區之資料之間的差異，以判定關於已經霧化之燃料的質量之比例及燃料之平均奈米小滴尺寸之空間解析資訊。

在實例使用中，輻射發射裝置105中之一者可經組態以對在目標位置120處之第一燃料小滴發射具有第一波長之輻射，且輻射發射裝置110中之另一者可經組態以對在目標位置處之第二燃料小滴發射具有第二不同波長之輻射。

亦即，輻射發射裝置105、110、115可經組態以依序發射輻射。輻射發射裝置105、110、115之操作的精確時序可確保目標位置處之燃料的依序小滴由輻射發射裝置105、110、115中之每一者中之一者輻照。在下文所描述之其他實施例中，輻射發射裝置105、110、115可經組態以同時輻照同一燃料小滴。

有利地，輻射發射裝置105、110、115之此依序操作使得單個輻射敏感裝置150 (諸如攝影機)能夠基於輻射之每一波長產生暗影影像。

在一實例使用情況中，每一輻射發射裝置105、110、115可發射在大致5奈秒持續時間之區中及/或具有在100至250奈米焦耳之區中之能量之脈衝。此組態可適合於產生具有足夠對比度且具有最小的歸因於燃料之運動的模糊之暗影。

為了完整性，圖5及圖6中描繪度量衡系統之實施例之另外實例。

圖5中描繪根據本發明之一實施例的實例度量衡系統300。度量衡系統300之特徵大體上對應於度量衡系統100之特徵，且因此為了簡潔起見未詳細地描述，且元件符號僅遞增200。亦即，類似於上述度量衡系統100，實例度量衡系統300包含第一輻射發射裝置305、第二輻射發射裝置310及第三輻射發射裝置315，該等裝置各自經組態以朝向目標位置320處之燃料發射具有不同波長之輻射。度量衡系統300亦包含光學系統，其具有光纖325、第一透鏡330、第一鏡面335、第二鏡面340、聚焦透鏡345、輻射敏感裝置350及電腦355。

實例度量衡系統300亦包含光束分光器360及另一輻射敏感裝置365。光束分光器360經組態以將由第一輻射發射裝置305、第二輻射發射裝置310及第三輻射發射裝置315中之每一者發射的輻射之一部分引導至另一輻射敏感裝置365。另一輻射敏感裝置365可為光電二極體。類似地，在此實例實施例中，輻射敏感裝置350可為光電二極體、影像感測器或甚至為藉由光電二極體補充之影像感測器。因而，另一輻射敏感裝置365可用以感測由第一輻射發射裝置305、第二輻射發射裝置310及第三輻射發射裝置315發射之輻射之功率，使得可建立基線，可對照該基線量測由輻射敏感裝置350感測之輻射。

圖6中描繪根據本發明之一實施例的另一實例度量衡系統400。度量衡系統400之特徵大體上對應於度量衡系統100之特徵，且因此為了簡潔起見未詳細地描述，且元件符號僅遞增300。亦即，類似於上述度量衡系統400，實例度量衡系統400包含第一輻射發射裝置405、第二輻射發射裝置410及第三輻射發射裝置415，該等裝置各自經組態以朝向目標位置420處之燃料發射具有不同波長之輻射。度量衡系統400亦包含光學系統，其具有光纖425、第一透鏡430、第一鏡面435、第二鏡面440、聚焦透鏡445、輻射敏感裝置450及電腦455。

實例度量衡系統400包含時間閘控元件460。時間閘控元件可為遮光片、可控孔徑、濾光輪，或其類似者。

輻射敏感裝置450對來自第一輻射發射裝置405、第二輻射發射裝置410及第三輻射發射裝置415之傳遞通過目標位置420處之燃料的輻射的曝露可藉由時間閘控元件460進行時間閘控。

在使用中，在於目標位置420處之燃料處激發汽化脈衝之後，可隨後在稀薄燃料處激發主脈衝，此可引起發射相對大量的電漿輻射。在無例如藉由時間閘控元件460的時間閘控之情況下，此類輻射可能漫灌輻射敏感裝置450或使其飽和。

應理解，時間閘控元件460可類似地應用於圖2及圖4之實施例。

在其他實例實施例中，可諸如藉由在主脈衝之前停用輻射敏感裝置150、350、450來以電子方式實施時間閘控。

此外，在一些實施例中，輻射敏感裝置150、350、450可實施有相對較低抖動及較短曝露時間，以確保該(等)輻射敏感裝置150、350、450僅感測由輻射發射裝置發射之輻射，而不感測來自預脈衝或主脈衝之任何電漿輻射。此等實施例可能不需要單獨的時間閘控元件465。

實例度量衡系統400中亦描繪色散元件470。色散元件可為晶體或稜鏡。再次，色散元件470可另外或替代地實施於圖2及圖4之實例實施例中。

在一些實例中，輻射敏感裝置450包含包含複數個區之影像感測器，每一區經組態以感測具有該等波長中之一者的輻射。亦即，色散元件可經組態以將輻射自輻射發射裝置405、410、415中之每一者引導至輻射敏感裝置450之各別不同區。

在圖5之實施例之變化中，可實施複數個輻射敏感裝置450，其中每一輻射敏感裝置450可為影像感測器。在此類實施例中，色散元件可經組態以將輻射自輻射發射裝置405、410、415中之每一者引導至複數個輻射敏感裝置450中之輻射敏感裝置。

在此類實施例中，輻射發射裝置405、410、415可經組態以同時發射輻射，且複數個影像感測器或多區影像感測器可同時感測所發射輻射。亦即，在此類實施例中，可同時使用所有至少兩個不同波長來分析同一燃料小滴。

在其他實例中，輻射發射裝置150、350、450中之一或多者可另外或替代地經時間閘控。亦即，輻射發射裝置150、350、450中之一或多者之操作可諸如藉由控制至該等輻射發射裝置150、350、450之電力供應來進行時間閘控。來自輻射發射裝置150、350、450中之一或多者的輻射之發射可藉由遮光片、可控孔徑、濾光輪或其類似者進行時間閘控。因而，在一些實例中，藉由輻射發射裝置150、350、450中之每一者輻照目標位置處的燃料小滴之時間可藉由對來自輻射發射裝置150、350、450中之一或多者的輻射之發射進行時間閘控來精確地控制，藉此確保一個輻射發射裝置105可經組態以對在目標位置120處的第一燃料小滴發射第一波長之輻射，且另一輻射發射裝置110可經組態以對在目標位置處的第二燃料小滴發射第二不同波長之輻射。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。

儘管可在本文中特定地參考在微影設備之上下文中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部件。此等設備可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。

儘管上文可能已經特定地參考在光學微影之上下文中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，在上下文允許之情況下，本發明不限於光學微影，且可用於其他應用(例如壓印微影)中。

在上下文允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)及其他。另外，韌體、軟件、例程、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅為方便起見，且此等動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他裝置引起。且如此進行可引起致動器或其他裝置與實體世界交互。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。上方描述意欲為繪示性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

1:雷射系統 2:雷射光束 3:燃料發射器 4:電漿形成區 5:收集器 6:中間焦點 7:錫電漿 8:開口 9:圍封結構 10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 13:鏡面 14:鏡面 15:度量衡系統 16:回饋系統 100:度量衡系統 105:第一輻射發射裝置 110:第二輻射發射裝置 115:第三輻射發射裝置 120:目標位置 125:光纖 130:第一透鏡 135:第一鏡面 140:第二鏡面 145:聚焦透鏡 150:輻射敏感裝置 155:電腦 205:原子峰值 300:度量衡系統 305:第一輻射發射裝置 310:第二輻射發射裝置 315:第三輻射發射裝置 320:目標位置 325:光纖 330:第一透鏡 335:第一鏡面 340:第二鏡面 345:聚焦透鏡 350:輻射敏感裝置 355:電腦 360:光束分光器 365:另一輻射敏感裝置 400:度量衡系統 405:輻射發射裝置 410:輻射發射裝置 415:輻射發射裝置 420:目標位置 425:光纖 430:第一透鏡 435:第一鏡面 440:第二鏡面 445:聚焦透鏡 450:輻射敏感裝置 455:電腦 460:時間閘控元件 470:色散元件 505:第一圖表 510:第二圖表 515:第三圖表 B:EUV輻射光束 B':經圖案化EUV輻射光束 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台

現將僅作為實例參考隨附示意圖來描述本發明之實施例，其中： -  圖1描繪根據本發明之一實施例的包含微影設備及輻射源且實施度量衡系統之微影系統； -  圖2描繪根據本發明之一實施例之度量衡系統的實例； - 圖3描繪暗影消光頻譜之實例； - 圖4a及圖4b分別描繪在第一波長及第二不同波長下觀測到的燃料目標之強度分佈的實例； - 圖5描繪根據本發明之一實施例之度量衡系統的另一實例； -  圖6描繪根據本發明之一實施例之度量衡系統的另一實例； - 圖7描繪對應於圖3之消光頻譜中所描繪之實例原子共振的表；且 -  圖8描繪針對不同基級階之若干原子共振的強度之實例。

100:度量衡系統

105:第一輻射發射裝置

110:第二輻射發射裝置

115:第三輻射發射裝置

120:目標位置

125:光纖

130:第一透鏡

135:第一鏡面

140:第二鏡面

145:聚焦透鏡

150:輻射敏感裝置

155:電腦

Claims (15)

1. 一種用於分析一EUV輻射源中之一目標位置處之燃料的度量衡系統(100、300、400)，該系統包含： 至少一個輻射發射裝置(105、110、115、305、310、315、405、410、415)，其經組態以發射導向該目標位置(120、320、420)之輻射；及 至少一個輻射敏感裝置(150、350、450)，其經組態以感測來自該至少一個輻射發射裝置之已傳遞通過該目標位置處之燃料的輻射， 其中該至少一個輻射發射裝置經組態以發射具有至少兩個不同波長之輻射。
2. 如請求項1之度量衡系統(100、300、400)，其中該至少一個輻射發射裝置(105、110、115、305、310、315、405、410、415)經組態以發射具有三個不同波長之輻射，且其中該等波長中之至少一者在紫外線範圍內。
3. 如請求項1或2之度量衡系統(100、300、400)，其中該至少一個輻射敏感裝置(150、350、450)包含至少一個光電二極體。
4. 如請求項1或2之度量衡系統(100、300、400)，其中該至少一個輻射敏感裝置(150、350、450)包含至少一個影像感測器，其中： 該至少一個影像感測器包含複數個影像感測器，每一影像感測器經組態以感測具有該等波長中之一者的輻射；及/或 該至少一個輻射敏感裝置包含包含複數個區之一影像感測器，每一區經組態以感測具有該等波長中之一者的輻射。
5. 如請求項1或2之度量衡系統(100、300、400)，其中該至少一個輻射發射裝置(105、110、115、305、310、315、405、410、415)包含以下各者中之至少一者： 一可調諧及/或經穩定化雷射； 一原子參考或一波長計； 一分散式布拉格反射器(DBR)；及/或 複數個雷射二極體，每一雷射二極體經組態以發射具有該至少兩個不同波長中之一波長的輻射。
6. 如請求項1或2之度量衡系統(100、300、400)，其包含一或多個光學組件，該一或多個光學組件經組態以將由該至少一個輻射發射裝置(105、110、115、305、310、315、405、410、415)發射之具有該至少兩個不同波長之該輻射朝向該目標位置共線地引導。
7. 如請求項1或2之度量衡系統(100、300、400)，其中該至少一個輻射敏感裝置(150、350、450)對來自該至少一個輻射發射裝置(105、110、115、305、310、315、405、410、415)之已傳遞通過該目標位置(120、320、420)處之燃料的輻射之曝露係經時間閘控。
8. 如請求項1或2之度量衡系統(100、300、400)，其包含經組態以感測來自該至少一個輻射發射裝置(305、310、315)之輻射之至少一個其他輻射敏感裝置(365)。
9. 一種用於一EUV微影設備之輻射源(SO)，該輻射源包含： 如前述請求項中任一項之該度量衡系統(100、300、400)； 一燃料發射器(3)，其用於在該目標位置(120、320、450)處發射燃料之小滴；及 至少一個其他輻射發射裝置，其經組態以使燃料之該等小滴變稀薄； 其中該度量衡系統之該至少一個輻射發射裝置(105、110、115、305、310、315、405、410、415)經組態以朝向稀薄燃料目標發射輻射。
10. 如請求項9之輻射源(SO)，其中該至少一個輻射發射裝置(105、110、115、305、310、315、405、410、415)經組態以對在該目標位置(120、320、420)處之一第一燃料小滴發射具有一第一波長之輻射，且對在該目標位置處之一第二燃料小滴發射具有一第二不同波長之輻射。
11. 如請求項9或10之輻射源(SO)，其包含一回饋系統(16)，該回饋系統經組態以控制一或多個雷射(1)以基於對由該至少一個輻射敏感裝置(150、350、450)感測之輻射之一分析而調適一預脈衝、一稀薄化脈衝及/或一主脈衝之一或多個特性。
12. 一種分析一EUV輻射源(SO)中之一目標位置(120、320、420)處之一燃料的方法，該方法包含： 組態至少一個輻射發射裝置(105、110、115、305、310、315、405、410、415)以發射具有至少兩個不同波長之輻射，該輻射導向該目標位置； 組態至少一個輻射敏感裝置(150、350、450以感測來自該至少一個輻射發射裝置之已傳遞通過該目標位置處之燃料的輻射；及 分析該所感測輻射以判定燃料目標之一或多個特性。
13. 如請求項12之方法，其中分析該所感測輻射之該步驟包含基於藉由該至少一個輻射敏感裝置感測之具有一第一波長的輻射與具有一第二波長之輻射之間的一差異而判定已經霧化的該燃料之一質量的一比例，其中該第二波長對應於該燃料之一原子共振。
14. 如請求項12之方法，其中分析該所感測輻射之該步驟包含基於自藉由該至少一個輻射敏感裝置感測之具有一第一波長的輻射與具有一第二波長之輻射之間的一差異判定的一米氏曲線之一梯度來判定該燃料之一平均奈米小滴大小。
15. 如請求項12之方法，其中分析該所感測輻射之該步驟包含基於兩個不同波長下的原子共振之一相對強度而判定該燃料之一溫度，其中該兩個不同波長中之每一者與對應於不同能階的該燃料之一各別原子共振大體上對準。