TW202414638A - 半導體元件的製造系統及製造方法 - Google Patents

Abstract

為了提供一種使處理的良率提升的半導體元件的製造系統及半導體元件的製造方法，具備：半導體元件製造裝置，係處理晶圓，具備：晶圓平台，其上面供前述晶圓載置；及複數個加熱器，配置於該晶圓平台內部且在前述上面的複數個區域的下方；及控制器，調節對該些複數個加熱器供給的複數個加熱器電源的輸出；及晶圓溫度計算系統，判定為了實現前述晶圓的處理中的目標的溫度而事先算出的前述複數個加熱器電源的第1輸出值是否為容許範圍內，當為容許範圍外的情形下，算出讓所有的前述第1輸出值被修正成容許範圍內的值之第2輸出值。

Description

半導體元件的製造系統及製造方法

本發明有關半導體晶圓處理系統中的晶圓溫度的設定法。

伴隨半導體元件的構造的三維化，對於在晶圓面內均一地製作複雜的元件構造之製造技術的需求年年升高。半導體元件的製造中，是藉由反覆運用曝光裝置、熱處理裝置、乾式蝕刻裝置、濕式洗淨裝置、成膜裝置、CMP(Chemical Mechanical Polishing；化學機械研磨)裝置等的複數個半導體製造裝置之製程而在晶圓全面形成目標的圖案，而製作出晶片。

此外，為了確認製作出的晶片為滿足目標要求的良品晶片，會運用CD-SEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope；關鍵尺寸掃描電子顯微鏡)、OCD(Optical Critical Dimension；光學關鍵尺寸量測法)、STEM(Scanning Transmission Electron Microscope；掃描透射電子顯微鏡)、TEM(Transmission Electron Microscope；透射電子顯微鏡)，光學式膜厚計、橢圓偏光儀(Ellipsometer)等的半導體檢查裝置，進行形成於晶圓的表面的複數層的膜的圖案的尺寸或膜厚等特定的物理量。在運用該些半導體檢查裝置之測定中，是檢查能夠從晶圓面內取得的晶片的良品數，因此一般而言會測定複數處而非僅晶圓面內的1處。

此外，依此方式得到的尺寸或膜厚度等的測定的結果，會反饋或者前饋給各半導體製造裝置而反映至處理晶圓的條件(製程條件)。調節半導體製造裝置的動作來接近一種能夠得到所需的處理後的晶圓表面的形狀之處理條件，進一步增大能夠從1個晶圓面取得的晶片的良品數，使處理的良率提升。這樣的各半導體製造裝置中，備有一種裝置的控制方法，能夠基於計測出的資料而進行反饋或者前饋的控制，使特定的物理量的有關晶圓面內的分布成為所需。

作為將圖案尺寸或膜厚等特定的物理量的晶圓面內分布控制成所需之方法的一種，以往已知有在藉由半導體製造裝置處理晶圓時控制晶圓的有關面內方向的溫度分布。作為這樣的習知技術的例子，已知有日本特開2006-228816號公報(專利文獻1)揭示者。專利文獻1中，揭示藉由曝光裝置曝光阻劑圖案後，於促進阻劑膜內的化學反應之曝光後烘烤(post exposure baking)工程中，分成複數個區域而控制加熱各者的熱處理板的面內溫度，以控制被保持於熱處理板的上方的晶圓的面內方向的圖案尺寸之方法，或，為了均一地形成晶圓的有關面內方向的圖案尺寸，係從事先取得的熱處理板的溫度與圖案尺寸之關係式算出有關面內方向的溫度分布以作為在晶圓面內形成均一的圖案之目標，而設定熱處理板的各區域的溫度以成為該溫度的分布之方法。

此外，日本特開2009-302390號公報(專利文獻2)中，揭示在乾式蝕刻裝置的一種即電漿蝕刻裝置中，依照用來冷卻試料台的冷媒的溫度、與覆蓋試料台的上面而用來加熱試料台之介電體膜內中所配置的配置於中心、中間、邊緣的圓形及環狀這3個區域之加熱器的各電力、與配置於試料台而用來測定試料台的溫度之感測器的溫度，算出晶圓面內的溫度分布。又，日本特表2013-513967號公報(專利文獻3)中揭示在電漿蝕刻裝置中，從事先取得的晶圓溫度與圖案尺寸之關係式算出會在晶圓面內形成均一的圖案的面內溫度分布，而控制加熱器電力的輸出以成為目標的面內溫度分布之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2006-228816號公報 [專利文獻2] 日本特開2009-302390號公報 [專利文獻3] 日本特表2013-513967號公報

[發明所欲解決之問題]

上述的習知技術中，針對下述要點考量不足，因此肇生了問題。

亦即，上述習知技術中，是進行以下事項：從事先取得的晶圓的溫度與圖案的尺寸值例如CD(Critical Dimension；關鍵尺寸)值之關係式，算出會在晶圓面內形成所需的半導體元件的電路的圖案之目標的面內溫度分布，而調整加熱器電力的輸出以成為目標的面內溫度分布。但，實際上於晶圓的處理中訂為目標而算出的溫度或為了實現它而求出的給加熱器的電力的大小，可能會成為超出電漿處理裝置所能夠實現的範圍的值。發現在該情形下，無法實現該目標的溫度，會導致損及處理的良率，如導致形成的電路圖案變得無法達成期望的性能等。

像這樣，為了實現晶圓的目標的溫度所必要的晶圓的溫度或加熱器的輸出的值被算出為超出裝置的可實現範圍的值，原因之一在於，由於在晶圓內的熱傳遞的緣故，依靠對應該區域的加熱器的發熱量，物理上難以實現為了實現1個晶圓的區域的目標溫度所必要的熱量。亦即，藉由發明團隊的探討得知，從對應1個區域的加熱器所形成的熱的一部分會移動到相鄰或鄰近的其他區域，因而導致為了將晶圓的該1個區域的溫度設為目標值所必要的加熱器的發熱量超出能力的最大值，或者反過來導致即使發熱量為0仍會讓該區域的溫度超出目標值，變得無法調節供給至對應複數個區域的複數個加熱器的電力及依據其的發熱量以實現目標的晶圓的溫度分布。

像這樣，以往的技術中，未曾考量無法使處理中的晶圓的溫度的分布成為期望的分布而損及晶圓的處理的良率之問題。

本發明之目的，在於提供一種使處理的良率提升的半導體元件的製造系統及半導體元件的製造方法。 [解決問題之技術手段]

為解決上述的問題，發明中提供一種手段，把變得難以實現之目標的晶圓的溫度的分布修正成可實現的分布。

亦即，上述目的，藉由一種半導體元件的製造系統，具備：半導體元件製造裝置，係處理晶圓，具備：晶圓平台，其上面供前述晶圓載置；及複數個加熱器，配置於該晶圓平台內部且在前述上面的複數個區域的下方；及控制器，調節對該些複數個加熱器供給的複數個加熱器電源的輸出；及晶圓溫度計算系統，判定為了實現前述晶圓的處理中的目標的溫度而事先算出的前述複數個加熱器電源的第1輸出值是否為容許範圍內，當為容許範圍外的情形下，算出讓所有的前述第1輸出值被修正成容許範圍內的值之第2輸出值；而達成。 [發明之效果]

按照本發明，運用事先取得的晶圓溫度與特定的物理量之關係，有關晶圓的面內方向算出能夠形成期望的形狀之目標的溫度分布後，算出能夠實現該目標的溫度分布之給複數個加熱器的電力的供給量。又，運用該電力的供給量的值於晶圓被處理前判斷可否實現，其結果，當判斷從加熱器用的電源輸出的值無法實現的情形下，算出在可實現的加熱器電源的輸出當中能夠使目標函數成為最小之第2目標溫度分布及能夠實現其之給複數個加熱器的電力的供給量。

如此，會抑制無法實現處理中的晶圓的目標的溫度分布，而減少晶圓處理停止。此外，會抑制晶圓的處理中的溫度偏離期望，讓處理的良率提升。

以下，參照圖面說明本發明之實施方式。

以下，參照圖面說明本發明之實施方式。另，本發明不限定於此實施方式。此外，圖面的記載中，對於同一部分標註同一符號示意。 當有複數個具有同一或者同樣的機能的構成要素的情形下，有時會對同一符號標註相異的上下標而說明。此外，當不必區別該些複數個構成要素的情形下，有時會省略上下標而說明。 圖面中示意的各構成要素的位置、大小、形狀、範圍等，為便於發明的理解，有時不表示實際的位置、大小、形狀、範圍等。因此，本發明未必限定於圖面中揭示的位置、大小、形狀、範圍等。

另，本揭示中，所謂「面」，不僅指板狀構件的面，有時亦指有關板狀構件中包含的層，和板狀構件的面略平行的層的界面。此外，所謂「上面」、「下面」，意指當圖示板狀構件或板狀構件中包含的層的情形下，圖面上的上方或下方所示的面。另，有關「上面」、「下面」，有時亦稱為「第1面」、「第2面」。

此外，所謂「上方」，意指將板狀構件或層予以水平載置的情形下的垂直上方的方向。此外，和上方相向的方向稱為「下方」。 此外，所謂「面內分布」，指面內方向當中的分布。亦稱為「面內方向的分布」。

[實施例1] 運用圖1至6說明本發明之實施例。

圖1為示意本發明的實施例之半導體元件的製造系統的構成的模型圖。本圖中，模型化地示意半導體元件的製造系統的全體的構成，示意一種裝置，係蝕刻處理裝置等的半導體晶圓的處理裝置，用來處理半導體晶圓而實現晶圓的面內方向當中的特定的物理量(例如形成於晶圓表面的電路用的圖案的形狀或者尺寸)的分布。

本例的半導體元件的製造系統，具備：複數個蝕刻處理裝置等的半導體元件製造裝置101(本圖中示意101a，101b…)，其具備試料台(晶圓平台)，該試料台在容器的內部，上面供晶圓配置而具有可變地調節該晶圓的面內方向當中的溫度的分布之機能；以及複數個晶圓計測裝置102(102a～102z)，能夠計測晶圓的有關面內的特定的物理量的分布；及晶圓溫度計算系統100，算出藉由半導體元件製造裝置101處理的晶圓的面內方向當中的溫度的分布。又，該些晶圓溫度計算系統100、複數個半導體元件製造裝置101及晶圓計測裝置102，藉由有線或者無線的通訊手段而可通訊地連接以便能夠相互收發送訊號。在收發送資料的前提下，理想是晶圓溫度計算系統100、各半導體元件製造裝置101及各晶圓計測裝置102構成為連接至Ethernet等的所謂的網路，而可透過該網路通訊，惟只要是能夠相互收發送資料的形態即可。例如，亦可構成為運用軟碟、USB記憶體或SD卡等的快閃記憶體或CD、DVD或Blu-Ray碟片(註冊商標)等的記錄媒體，而可相互授受資料。

此外，晶圓溫度計算系統100，包含微處理器等的演算器103、及可讀寫地存儲並記憶有關晶圓的資料或供演算器103驅動的軟體的記憶裝置104、及可通訊地連接至網路而收發送包含資料的訊號的介面105，它們構成為可通訊。晶圓溫度計算系統100，亦可構成為在PC或伺服器等所謂的電腦的內部內建演算器103及記憶裝置104及介面105，記憶裝置104亦可配置於可通訊地連接之遠距處。各半導體元件製造裝置101及各晶圓計測裝置102，不必配置於同一機房的內部，亦可各自配置於不同的機房或不同處而可通訊。

圖2為模型化地示意實施例之半導體元件製造裝置所具備的晶圓平台的構成的縱截面圖。本例之半導體元件製造裝置101的各者，在容器的內部的處理室內具有圖2所示晶圓平台200。晶圓平台200，具有圓板或者圓筒形的形狀，其中心軸和具有圓筒形的形狀的處理室的中心軸共通，具備：複數個加熱器201(201a～201j)，沿著其金屬製的基材的上面而配置於內部；及冷媒流路204，在加熱器201的下方的基材的內部配置成多重的同心狀或者螺旋狀，內部流通用來冷卻晶圓的冷媒。

藉由調節複數個加熱器201的發熱量及調節在冷媒流路204的內部流通的冷媒的溫度，在晶圓205被承載保持於覆蓋晶圓平台200的上面的介電體膜上的狀態下，調節晶圓205的面內方向當中的溫度的分布。本例之晶圓平台200中，各加熱器201對應把供晶圓205承載的晶圓平台200的上面針對半徑方向或者周方向劃分而成的複數個區塊而配置於各個區塊下方，各加熱器201構成複數個加熱器區塊。電性連接至各個加熱器201的加熱器電源202(202a～202j)，從和它們可通訊地連接的加熱器控制部203接收指令訊號，基於該指令訊號調節輸出的電力(電流或電壓)的值，藉此讓各加熱器區塊的發熱量及溫度、以及被承載的晶圓205的對應加熱器區塊的區域的溫度被調節成適合處理的範圍內的值。

另，圖2中雖未圖示，惟亦可對應各加熱器區塊而在區塊下方的基材內部配置有偵測晶圓平台200的基材的溫度的溫度感測器。又，亦能夠構成為來自溫度感測器的輸出被發送至加熱器控制部203，以便檢測出的溫度的資訊被反饋或者前饋而調節加熱器電源202的輸出。

此外，冷媒是在冷媒流路204與透過未圖示的管路連接的冷媒溫度控制器之間循環流通，於冷媒溫度控制器被調節成事先訂定好的範圍的溫度。若有必要，亦可對複數個冷媒流路204的各者供給被設定成相異溫度的冷媒。此外，晶圓平台200，若在晶圓面內的溫度控制性足夠，則亦能夠構成為省去冷媒流路204。

圖2中，流通冷媒的冷媒流路204是配置於加熱器201的下方，惟亦能夠將冷媒流路204設置於加熱器的上側。此外，雖圖2中未圖示，惟在晶圓平台200具備機械夾具、真空夾具、或者靜電夾具等的保持機構，以便能夠保持被承載於上面的晶圓205而抑制位置偏離。

圖3示意從晶圓平台200上方觀看的俯瞰面的加熱器區塊的例子。圖3為模型化地示意晶圓平台上面的加熱器區塊的配置的例子的平面圖。圖3(a)中示意將加熱器區塊分割成格子狀的圖案的例子，圖3(b)示意同心圓上的圖案的例子。

本例中，只要藉由適當地選擇加熱器201的形狀或位置或者加熱器電源202的輸出而得以實現晶圓205的面內方向當中的所需的溫度的分布，那麼加熱器區塊的大小或配置、其數量不限於圖3示例者。

各半導體元件製造裝置101中，各者所具備的複數個加熱器201的輸出(發熱量)或者來自加熱器電源202的輸出及冷媒的溫度的值，係與被載置於晶圓平台200上的晶圓205的各區塊的溫度之間成立特定的相關關係。本例中，將這樣的相關關係訂為第1相關關係，而能夠運用事先算出或取得的示意第1相關關係的資料、與加熱器電源202的輸出及冷媒的溫度的設定值，來預測晶圓205的面內方向當中的溫度的分布。此外，當為了偵測各加熱器區塊的溫度而配置了溫度感測器的情形下，藉由把從溫度感測器的輸出所得到的溫度的資料亦納入第1相關關係，或者和第1相關關係一起使用於晶圓205的溫度的預測，能夠提高其精度。

第1相關關係，在將複數個加熱器區塊與晶圓205的複數個區域各者內之處的溫度建立關聯的前提下，能夠運用矩陣表現。此外，第1相關關係，亦能夠運用聯立微分方程式表現。

本例之各半導體元件製造裝置101所具備的複數個加熱器電源202的輸出的上限值及下限值、及運用第1相關關係得到的晶圓205的溫度的上限值及下限值，係由半導體元件製造裝置101的各者構成而決定，因此為半導體元件製造裝置101所固有。又，於任意的晶圓205的處理中，當加熱器電源202的輸出或該晶圓205的溫度脫離由上述固有的值決定的容許的範圍的情形下，為了避免晶圓平台200的機能不全或損傷，會停止晶圓205的處理。因此，處理晶圓205時，加熱器電源202的輸出及晶圓205的溫度必須設定成不超過上述的上下限值的容許範圍內的值。

藉由各半導體元件製造裝置101而被處理的晶圓205，係被搬送至複數個晶圓計測裝置102(102a～102z)的其中一者，於晶圓205的面內方向，特定的物理量的分布(即檢測或評估的對象)會受到檢測。此外，若有必要，亦能夠進一步以晶圓計測裝置102的其中一者檢測藉由各半導體元件製造裝置101處理前的特定的物理量的上述分布。惟，未必要在藉由各半導體元件製造裝置101的各者處理後立刻檢測處理完畢的晶圓205的特定的物理量，亦能夠將藉由各半導體元件製造裝置101處理後的晶圓205搬送至另一裝置而將施加了至少1個處理後的晶圓205搬送至晶圓計測裝置102，而檢測晶圓205的面內方向當中的特定的物理量的分布。

此外，針對藉由一個半導體元件製造裝置101處理的晶圓205，亦能夠運用複數個晶圓計測裝置102計測其表面。亦即，亦能夠將藉由半導體元件製造裝置101a處理的晶圓205搬送至晶圓計測裝置102a、再到晶圓計測裝置102b，而在各者檢測1個以上的特定的物理量的晶圓205表面的分布。

接著，說明運用晶圓溫度計算系統100，在半導體元件製造裝置101當中的任一者，算出晶圓205的面內方向當中的訂為目標的溫度的分布的動作、及當判定無法實現訂為目標的溫度的分布的情形下修正成可實現的目標的溫度的分布的動作。另，以下的說明中作為一例雖記載將半導體元件製造裝置101a訂為算出目標的溫度的分布的對象，而運用晶圓計測裝置102a作為檢測特定的物理量的裝置之情形，惟本發明的實施例中針對運用其他的半導體元件製造裝置或晶圓計測裝置的情形下亦可進行同樣的動作。

晶圓溫度計算系統100具有以下機能：在各半導體元件製造裝置101a至101z內的各晶圓平台200，將來自各加熱器電源202的輸出與晶圓205的溫度的面內分布之間的第1相關關係、以及加熱器電源202的可輸出的範圍及晶圓205的溫度的容許範圍的資料，予以可讀寫地存儲於各半導體元件製造裝置101，視必要更新各資料。該些資料會定期地在晶圓溫度計算系統100與半導體元件製造裝置101a之間被收發送而在兩者中保持相同的內容，當晶圓平台200的加熱器201或包含加熱器電源202在內的晶圓平台200的構造或冷媒的溫度變更的情形下，於上述定期的資料的收發送時有關該變更之資訊會在晶圓溫度計算系統100被存儲記憶而反映至其動作。藉此，能夠針對任意的晶圓205運用共享的資料而實現目標的溫度的分布而進行高精度的晶圓205的處理。

接著，晶圓溫度計算系統100具有以下機能：將藉由半導體元件製造裝置101a處理晶圓205的處理配方(recipe)、與針對處理後的晶圓205在晶圓計測裝置102a計測面內方向當中的特定的物理量的分布而得的資料予以建立關聯。這裡，處理配方當中亦含有在晶圓平台200設定的晶圓205的目標的溫度的面內分布或運用溫度感測器於實際的處理中檢測出的溫度的分布或者各加熱器電源202的輸出值的資料。如此，便能夠將半導體元件製造裝置101中的晶圓205的溫度的分布、與藉由晶圓計測裝置102計測出的晶圓205的面內方向當中的特定的物理量的分布予以建立關聯。

此外，晶圓溫度計算系統100具有以下機能：於在半導體元件製造裝置101a處理晶圓205之前，當已檢測出該晶圓205的面內方向當中的特定的物理量的分布的情形下，針對該資料亦與半導體元件製造裝置101a的處理配方建立關聯。藉由設計成該構成，便能夠將半導體元件製造裝置101a中的晶圓205的面內方向當中的處理前後的特定的物理量的分布建立關聯，而從處理前後的晶圓面內分布的差分，將半導體元件製造裝置101a中設定的晶圓溫度的面內分布、與特定的物理量的處理前後的變化量的晶圓面內分布予以建立關聯。

又，晶圓溫度計算系統100具有以下機能：算出半導體元件製造裝置101a中的晶圓205的面內方向當中的溫度的分布的設定值、與該晶圓205的面內方向當中的特定的物理量的分布之間的第2相關關係，而將其存儲記憶作為有關半導體元件製造裝置101a的資料。該第2相關關係，例如能夠於用來製造半導體元件的晶圓205的處理之前，在半導體元件製造裝置101a中運用相異的溫度的分布的設定而處理2片以上的晶圓205之後，運用將各晶圓205搬送至晶圓計測裝置102a而檢測特定的物理量而得的資料來算出。

也就是說，第2相關關係，係運用將針對2個以上的晶圓205設定好的相異的溫度的分布的條件與晶圓205各者的有關面內方向當中的特定的物理量的分布的檢測結果的資料予以建立對應的結果而被算出。作為算出第2相關關係之方法，能夠運用利用線性或者多項式近似之最小平方法，惟亦能夠運用其他的方法。

接著，晶圓溫度計算系統100具有以下機能：運用已記憶的第2相關關係，算出半導體元件製造裝置101a的晶圓平台200中的目標的溫度的分布，該目標的溫度的分布是讓運用特定的物理量的目標函數成為最小。作為本實施例之目標函數，例如可舉出設定在晶圓205的面內方向當中的複數個座標上的特定的物理量的目標值，算出將在晶圓205的面上的某一指定座標的目標值與基於第2相關關係而算出的該指定座標中的預測值之差予以平方而得的值，而把該平方值在複數個指定座標合計而成者。

算出這樣的目標函數時所使用的特定的物理量的目標值，未必要在晶圓205的面內方向設定成同一值。亦可針對晶圓205的面內方向做處理的結果，例如以能夠得到處理後的形狀之方式對每一座標設定相異的目標值，或亦可即使是晶圓205上的相同座標仍根據前後的處理的種類、內容或條件而讓該處理的工程中的目標值相異。像這樣，本實施例中，設定合適的目標函數，算出讓設定好的目標函數成為最小之晶圓205的面內方向當中的溫度的分布。以處理後會達成所需的物理量的分布之方式，算出晶圓205的處理中的訂為目標之溫度的分布。

又，晶圓溫度計算系統100具有以下機能：運用半導體元件製造裝置101a中的第1相關關係，算出連接至各加熱器區塊的加熱器電源202的輸出的預測值，以用來實現已算出的上述的目標的溫度的分布。實際的晶圓205的處理時，加熱器電源202的輸出會設定成0以上的值，惟這裡算出的輸出的預測值，藉由將第1相關關係做外插，亦可為物理上不可能實現的負值。亦即，由於複數個加熱器區塊間透過晶圓205而存在熱傳遞，即使是實際上無法實現的晶圓205的目標的溫度的分布，計算上仍會算出能夠實現其之複數個加熱器電源202的處理中的輸出的值。

接著，晶圓溫度計算系統100具有以下機能：基於半導體元件製造裝置101a中的晶圓205的處理中的溫度的容許範圍的上下限值及加熱器電源202的可輸出的範圍的上下限值，判定算出的晶圓平台200的上述目標的溫度的分布可否實現。亦即，晶圓溫度計算系統100中，算出的目標的溫度的值及加熱器電源202的輸出的預測值這兩者的上述上下限值會被比較。這裡，當已算出的晶圓205的處理中的目標的溫度及加熱器電源202的輸出的預測值在所有的加熱器區塊未超過各者的上下限值的情形下，算出的目標的溫度的分布會作為可實現的目標的溫度分布而被記錄於晶圓溫度計算系統100內。

另一方面，當判定目標的溫度或加熱器電源202的輸出的預測值的至少一方在1個以上的加熱器區塊超過兩者的上述上下限值的情形下，會被記錄作為不可能實現的目標的溫度分布。此時，藉由對應的符號或編號等來辨明並記錄無法實現目標的溫度或加熱器電源202的輸出的預測值之加熱器區塊，以便必要時能夠確認該資訊。

記錄無法實現目標的溫度分布之加熱器區塊時，能夠設計成對各加熱器區塊標註名稱、符號或者編號，讓無法實現的加熱器區塊被顯示於和晶圓溫度計算系統100可通訊地連接的顯示器等的顯示器上。圖4示意顯示的例子。

圖4為示意連接至半導體元件製造裝置的顯示器中示意的實施例之晶圓溫度計算系統中判斷為不可實現的加熱器區塊的模型圖。如圖4(a)或圖4(b)的401所示，晶圓溫度計算系統100中判定無法實現的加熱器區塊位於晶圓平台200的上面的複數個加熱器區塊全體當中的何處，係運用GUI(Graphical User Interface；圖形使用者介面)，作為圖上的網底的加熱器區塊401而容易地示意其判定。

接著，晶圓溫度計算系統100，當判定無法實現目標的溫度的分布的情形下，算出可實現的第2目標的溫度的分布。作為第2目標的溫度的分布，也可以是僅將成為容許範圍外的目標的溫度或加熱器電源202的輸出的預測值之加熱器區塊的加熱器電源202的輸出的預測值予以變更而成者。

另一方面，由於晶圓205中的熱傳遞，僅依靠將對應成為上述容許範圍外之加熱器區塊的加熱器201的加熱器電源202的輸出的預測值變更，可能有導致晶圓205的非料想的指定座標中的溫度也被變更而讓目標函數變大，反而導致目標的溫度的分布大幅偏離可得到期望的處理的結果之情形。鑑此，運用從複數個加熱器電源202的輸出值預測晶圓205的溫度的面內的分布之第1相關關係、及晶圓205的溫度的面內分布的設定值與該晶圓205的面內方向當中的特定的物理量的分布之間的第2相關關係，算出可實現的溫度的分布當中最能夠讓目標函數成為最小的晶圓205的溫度的分布，而能夠將其算出作為第2目標溫度分布。

又，晶圓溫度計算系統100，令判定為可實現的目標的溫度的分布、或者第2目標的溫度的分布的其中一方反映至半導體元件製造裝置101a中的處理的條件(處理配方)，將該處理配方發送至半導體元件製造裝置101a。半導體元件製造裝置101a，在藉由晶圓溫度計算系統100計算後，能夠運用發送來的包含可實現的目標的溫度的分布的資訊之處理配方來處理對象的晶圓205。

如以上般，藉由運用本實施例之包含晶圓溫度計算系統100的半導體元件的製造系統，即使算出作為能夠得到期望的處理的結果之當初的目標的溫度的分布不可能實現，仍會算出在可實現的溫度的分布當中最能夠讓目標函數成為最小的第2目標溫度分布，基於此來進行半導體元件的製造，而抑制製造良率的降低。

接著，運用圖5A至圖6說明圖1的實施例之晶圓溫度計算系統100的目標的溫度分布的算出動作。圖5A至圖6為示意實施例之晶圓溫度計算系統的動作的流程的流程圖。另，本例中雖記載運用了半導體元件製造裝置101a、晶圓計測裝置102a的例子，惟運用其他的半導體元件製造裝置或晶圓計測裝置亦能夠進行同樣的動作而得到作用。

圖5A及圖5B中，示意藉由晶圓溫度計算系統100算出目標的溫度的分布的設定值的動作的一連串流程。圖6中，更詳細地示意圖5B所示步驟512的加熱器電源202的輸出的值的設定動作的流程。本實施例之晶圓溫度計算系統100具有以下機能：如步驟501所示，針對透過網路等的通訊手段連接至半導體元件的製造系統之各半導體元件製造裝置101的晶圓平台200，依每一半導體元件製造裝置101a～101z，將示意各者的複數個加熱器電源202的輸出值與從在冷媒流路204流通的冷媒的溫度得到的晶圓205的面內方向當中的溫度的分布之關係即第1相關關係、以及加熱器電源202的輸出值與晶圓205的溫度的容許範圍的值(容許量)予以建立對應而管理。該些資料會定期地在晶圓溫度計算系統100與各半導體元件製造裝置例如半導體元件製造裝置101a之間同步而在雙方記憶並共享相同資料，當晶圓平台200的構造或冷媒的設定溫度等的構成變更的情形下，定期地反映變更的資料、資訊亦會被傳遞至晶圓溫度計算系統100而被記憶。

接著，步驟502中，半導體元件製造裝置101a中，將處理晶圓205的處理配方、與運用處理配方處理晶圓而在晶圓計測裝置102a檢測出的處理後的晶圓205的面內方向當中的特定的物理量的分布的資料予以建立關聯。這裡，處理配方當中亦含有示意在晶圓平台200設定的晶圓205的處理中的溫度的面內方向的分布、或者各加熱器電源202的輸出的值之資料。如此，半導體元件製造裝置101中設定的晶圓205的溫度的面內方向的分布、與藉由晶圓計測裝置102檢測出的特定的物理量的晶圓205的面內方向的分布便被建立關聯。

此外，晶圓溫度計算系統100具有以下機能：於在半導體元件製造裝置101a處理之前，當已在晶圓計測裝置102a檢測出晶圓205的面內方向當中的特定的物理量的分布的情形下，該資料亦與半導體元件製造裝置101a的處理配方建立關聯。藉由設計成該構成，能夠將在半導體元件製造裝置101a處理前後的晶圓205的面內方向當中的特定的物理量的分布予以建立關聯，而從面內方向當中的處理前後的特定的物理量的差的分布，讓半導體元件製造裝置101a中設定的晶圓205的面內方向當中的溫度的分布、與面內方向當中的特定的物理量的處理前後的變化量的分布被建立關聯。

這裡，設計成對於各加熱器電源202指派數字以從N=1至達到加熱器電源的數量，能夠基於本數字而判斷是連接至哪一加熱器區塊的加熱器電源。另，加熱器電源的名稱，只要能夠區別各加熱器電源則可為不特定的任意的名稱，惟本實施例中訂為指派N=1以上的正的整數。

接著，晶圓溫度計算系統100具有以下機能：於步驟503中，從半導體元件製造裝置101a中的晶圓205的面內方向當中的溫度的分布的設定值，算出預測晶圓205的面內方向當中的特定的物理量的分布之第2相關關係，作為有關半導體元件製造裝置101a的資料予以建立對應而記錄並存儲於內部的記憶裝置104。第2相關關係，是事先運用半導體元件製造裝置101a，以面內方向當中的相異的溫度的分布的條件處理了2片以上的晶圓205後，運用將針對各個晶圓205以晶圓計測裝置102a檢測特定的物理量時的值的面內方向當中的分布的資料予以建立對應而得之結果來算出。

也就是說，運用2種類以上的晶圓205的面內方向當中的溫度的分布的條件、與面內方向當中的特定的物理量的分布的檢測的結果，算出第2相關關係。第2相關關係，可藉由運用線性或者多項式近似之最小平方法來算出，亦可運用其他的方法。

接著，晶圓溫度計算系統100具有以下機能：於步驟504中，運用已記錄的上述第2相關關係，算出讓從特定的物理量所計算出的目標函數成為最小之半導體元件製造裝置101a中的目標的溫度的分布。作為目標函數，例如可將以下所述者設定成目標函數：在晶圓205的面內的複數個座標設定特定的物理量的目標值，算出將在該面內的某一指定座標的目標值與基於第2相關關係而算出的該指定座標中的預測值之差予以平方而得的值，而把該平方值在複數個指定座標合計。

算出此目標函數時使用的特定的物理量的目標值，未必要在晶圓面內設定同一目標值，只要最終會在晶圓面內得到所需的處理結果之特定的物理量的值與實現該分布即可，亦可根據其前後的處理而依每一座標變更目標值的值。像這樣，藉由設定合適的目標函數，算出使該目標函數成為最小之晶圓205的溫度的分布，便會算出最終能夠達成晶圓205的面內方向當中的所需的物理量的值與其分布之目標的溫度的分布。

接著，晶圓溫度計算系統100，於步驟505中，運用半導體元件製造裝置101a中的第1相關關係，算出用來算出目標溫度分布之連接至各加熱器區塊的複數個加熱器電源202的輸出的預測值。實際的晶圓205的處理中，各加熱器電源202的輸出會設定成0以上的值，惟這裡算出的輸出的預測值，藉由將第1相關關係做外插，亦可為不可能實現的負值。如此，即使是實際上包含由於晶圓205的熱傳遞而無法實現的值之目標的溫度的分布，在計算上仍會得到對應其之加熱器電源202的輸出值的集合。

接著，晶圓溫度計算系統，於驟506中，判斷加熱器電源的輸出預測值是否滿足限制條件。亦即，基於比較半導體元件製造裝置101a中的晶圓205的溫度及加熱器電源的輸出的容許範圍的上下限值而得之結果，判斷步驟504中算出的目標的溫度的分布可否實現。這裡，當目標的溫度及加熱器電源202的輸出的預測值在所有的加熱器區塊皆為容許範圍內的情形下，進入END步驟，算出的溫度的分布會作為可實現的目標的溫度的分布而被反映至半導體元件製造裝置101a中的處理配方，並且作為資料被包含於其中，該配方透過網路106被發送至半導體元件製造裝置101a。此外，半導體元件製造裝置101a能夠運用從晶圓溫度計算系統100發送來的處理配方而處理晶圓205。

另一方面，當判定目標的溫度或加熱器電源202的輸出的預測值的其中ー方在至少1個加熱器區塊為容許範圍外的情形下，步驟504中算出的目標的溫度的分布會作為不可能實現者而被記錄至記憶裝置104，進入步驟507。此時，將判定無法實現目標的溫度或加熱器電源202的輸出的預測值之加熱器區塊記錄至記憶裝置104，以便必要時可確認該加熱器區塊的資訊。

接著，步驟507中，僅對於和輸出的預測值脫離容許範圍的加熱器區塊相對應之加熱器電源202，變更其輸出值使其落入容許範圍內。亦即，把加熱器電源的輸出預測值脫離可實現範圍之加熱器電源的輸出值，變更成可實現範圍內的值。此外，將所有的加熱器電源202的分布記錄作為初始分布。藉由步驟507，能夠得到一種所有的加熱器電源的輸出為可實現之初始分布。

接著，步驟508中，將所有的加熱器電源202的現狀的輸出值記錄作為C分布。此C分布是設計成遵照圖示流程而被適宜更新，惟會將步驟507中算出的加熱器電源202的輸出記錄作為初始分布。

接著步驟509中，將第N個的加熱器電源的輸出值在最小控制範圍內增減。亦即，把步驟502中被指派為正的整數之各加熱器電源202的輸出值，以事先訂定好的大小的值使其依序增減。此令其變化的值的大小，能夠在半導體元件製造系統或半導體元件製造裝置101a中任意選擇，惟必須設定成比加熱器電源202中可使輸出變化的最小幅度還大的值。此外，依加熱器電源202的構成而定，即使是使用於同一晶圓平台200的加熱器電源202仍能夠依每一加熱器電源而變更。例如，當步驟508中記錄的C分布中的任意的加熱器電源202的輸出值為50W，其加熱器電源202的最小的控制範圍為0.1W時，令其以最小的可變化幅度增減而成之加熱器電源202的輸出值成為50.1W與49.9W。

接著，步驟510中，判定加熱器電源的輸出值是否滿足限制條件。亦即，藉由步驟509令其增加或減少而成之加熱器電源202的輸出值來判定加熱器電源202的輸出或晶圓的溫度是否成為容許範圍內。當判定滿足容許範圍的條件的情形下，把包含步驟509中令其增加、減少而成之加熱器電源202的輸出值之輸出值的集合訂為可實現的輸出值的分布而進入步驟511。另一方面，當判定脫離上述容許範圍的情形下，訂為不可能實現的加熱器電源202的輸出的分布(輸出值的集合)，使指派給各加熱器電源202的正的整數N增加成N+1後，回到步驟509，改為探究相異的加熱器電源202。

接著，步驟511中，運用各加熱器電源202的輸出值與晶圓205的溫度的面內方向的分布之間的第1相關關係、以及晶圓205的溫度的面內方向的分布的設定值與特定的物理量的晶圓205的面內方向的分布之間的第2相關關係，運用步驟510中輸出的所有的加熱器電源202的輸出的預測值而計算目標函數的值。

下個步驟512中，基於步驟511中算出的目標函數的值而更新並設定加熱器電源202的輸出的值。運用步驟508中得到的C分布算出目標函數，再和步驟509至511中從增加或者減少之加熱器電源202的輸出值所算出的目標函數的值比較，根據其結果來選擇加熱器電源202的輸出的值的分布(組合)。該工程的詳細的動作的流程，運用圖6後述之。

接著步驟513中，確認被指派給各加熱器電源202的正的整數N的值，若N的值和正在使用的加熱器電源202的數量相同而為最大的值，則判定已變更了所有的加熱器電源(至少調整了1次)，進入下個步驟514。此外，當判定N的值比正在使用的加熱器電源202的數量還小的情形下，令N的值增加1而回到步驟509。

接著，步驟514中，為了判定上述目標函數與加熱器電源202的輸出的分布之計算是否已收斂，判斷步驟512中設定的各加熱器電源202的輸出值(亦即現狀的各加熱器電源的輸出值)的分布是否和C分布相同。當和C分布相異的情形下，計算尚未收斂，將N的值設回1，回到508的流程。另一方面，當判定和C分布為相同值的情形下，判斷計算收斂而已算出了第2目標的溫度的分布，進入步驟515。

步驟515中，將步驟506或者步驟514中算出的目標的溫度的分布訂為可實現，而將算出的目標的溫度的分布反映至半導體元件製造裝置101a中的處理配方並且令該溫度的分布的資料被包含於處理配方，將該配方發送至半導體元件製造裝置101a。此外，半導體元件製造裝置101a能夠運用藉由晶圓溫度計算系統100算出而發送來的處理配方而處理晶圓205。

如以上般，藉由圖5A及B所示晶圓溫度計算系統100的動作，判定是否能夠實現讓規定的目標函數成為最小之目標的溫度的分布，即使判定目標的溫度的分布無法實現的情形下，仍會算出可實現的溫度分布當中最能夠讓目標函數成為最小之第2目標的溫度分布，基於反映了該第2目標的溫度分布之處理配方而實施晶圓205的處理。如此，處理中會實現可得到期望的處理結果之面內方向當中的特定的物理量的分布，晶圓205的處理的良率會提升。

圖6中，進一步詳細說明圖5B所示步驟512的動作的流程。首先，步驟601中，比較步驟511中算出的目標函數的值和運用步驟508的C分布的值而算出的目標函數的值。此比較的結果，當步驟602中判定僅其中一方的目標函數的值減少的情形下，進入步驟604，將目標函數的值減少的一方的加熱器電源202的輸出值的分布，判定為應設定的加熱器電源202的輸出值的分布(集合)。換言之，將加熱器電源的輸出值設定成目標函數減少者。當步驟511中算出的目標函數的值減少的情形下，對應該目標函數的加熱器電源202的輸出值的分布被更新作為新的分布。

此外，當步驟602中非判定僅其中ー方的目標函數的值減少的情形下，進入步驟603，比較從C分布所算出的目標函數的值和步驟511中算出的目標函數的值，判定兩者的目標函數中值是否減少。當判定兩者的目標函數的值減少的情形下，進入步驟605，將對應於目標函數的值的減少量較大一方的加熱器電源202的輸出值的分布判定為應設定的加熱器電源202的輸出值的分布(集合)。換言之，將加熱器電源的輸出值設定成目標函數的減少量大者。當步驟511中算出的目標函數的值更大幅減少的情形下，對應該目標函數的加熱器電源202的輸出值的分布被更新作為新的分布。

另一方面，當步驟603中非判定兩者的目標函數的值減少的情形下，設想兩者的目標函數的值為增加或者未變化之情形。在此情形下，進入步驟606，加熱器電源202的輸出值的分布不會自C分布被變更。基於以上的判定而更新加熱器電源202的輸出的值的分布，藉此將加熱器電源202的輸出自C分布增減，其結果會自C分布被變更為最能夠將目標函數的值減小之加熱器電源的輸出值的分布。

上述實施例中，當步驟506中判定加熱器電源202的輸出值為容許範圍外的情形下，為了縮短計算時間，運用圖7說明將被指派給各加熱器電源202的正的整數N重新指派之工程。圖7為示意圖5所示本實施例中追加的動作的流程的流程圖。圖7中，記載在圖5中的步驟507與步驟508之間實施的工程。

步驟507中，對複數個加熱器電源202的僅輸出的預測值成為容許範圍外之加熱器電源202，予以變更輸出的值使其落入容許範圍內。此外，所有的加熱器電源202的分布被記錄作為初始分布。此步驟507中，假定為現狀的所有的加熱器電源202的輸出為可實現的初始分布。

接著，步驟1001中，晶圓溫度計算系統100，算出並記憶連接至加熱器電源202的輸出的預測值成為容許範圍外之加熱器電源202的加熱器的區塊的中心的座標。換言之，算出並記錄連接至加熱器電源的預測輸出值超過限制值之加熱器電源的加熱器區塊的中心座標。接著進入步驟1002，晶圓溫度計算系統100，算出並記憶連接至加熱器電源202的輸出的預測值成為容許範圍外之加熱器電源202的加熱器區塊中的目標的溫度與從步驟507中變更的加熱器電源202的輸出值所算出的晶圓205的溫度之差。換言之，記錄連接至加熱器電源的預測輸出值超過限制值之加熱器電源的加熱器區塊中，目標溫度與從507中變更的加熱器電源的輸出值所算出的晶圓溫度之差分。該溫度之差，例如藉由下記的(式1)計算，惟只要是表現目標的溫度與從加熱器電源的輸出值所算出的晶圓205的溫度之差分的大小的指標，則不限於(式1)。

這裡，e為指派給連接至加熱器電源的預測輸出超過限制值之加熱器電源的加熱器區塊的正的整數，E _e為加熱器區塊e中的晶圓溫度之差分，Tt _e為加熱器區塊e中的目標溫度，Tp _e為從加熱器區塊e中的藉由507變更的加熱器電源的輸出值所算出的晶圓溫度。

接著，步驟1003中，計算連接至加熱器電源202的輸出的預測值成為容許範圍外之加熱器電源202的區塊的中心的座標與其他的加熱器區塊的中心的座標之間的距離D _ie。換言之，計算連接至加熱器電源的預測輸出值超過限制值之加熱器電源的加熱器區塊的中心座標與各加熱器區塊的中心座標的距離。這裡，i為指派給各加熱器區塊的正的整數，e為指派給連接至加熱器電源的輸出的預測值成為容許範圍外之加熱器電源202的加熱器區塊的正的整數。

接著步驟1004中，晶圓溫度計算系統100，計算各加熱器區塊中的權重。各加熱器區塊的權重，例如藉由以下式子算出。

上述的數式中，N _e為連接至上述加熱器電源的預測輸出超過限制值之加熱器電源的加熱器區塊的數量，能夠藉由(式3)計算各加熱器區塊i中的權重。

下個1005的流程中，藉由(式3)計算出的權重愈大者，則指派給連接至各加熱器區塊的加熱器電源的正的整數N會再度被指派愈小的值。

下個步驟508中，晶圓溫度計算系統100，運用藉由1005再次指派給連接至各加熱器區塊的加熱器電源202的正的整數N，將各加熱器電源202的輸出值記錄作為C分布。

藉由以上的動作，目標的溫度與預測的溫度之間的差愈大的加熱器電源202，被指派愈小的正的整數N的值，而從整數N較小的加熱器電源202優先地計算輸出的預測值，因此會縮短目標函數值或輸出的值的分布的計算時間。另，本例中雖記載運用中心座標的例子，惟只要是加熱器區塊內的座標則其座標不被限定。例如，亦可將加熱器電源202的供輸入端子連接之處的正上方的座標用於計算。

按照以上的實施例，在運用晶圓平台200內部的複數個加熱器201而調節被載置於晶圓平台200上的晶圓205的溫度及其分布之半導體元件製造裝置中，於晶圓205的處理之前，事先算出讓處理後的特定的物理量的分布之目標函數的值成為最小的第1目標的溫度分布。又，算出連接至用來實現該目標的溫度分布的複數個加熱器201之加熱器電源202的輸出值，判定算出的所有的加熱器電源202的輸出值是否為容許範圍內，當判定複數個加熱器電源202的至少1個加熱器電源202的輸出值為容許範圍外而無法實現的情形下，算出運用複數個加熱器電源202可實現且能夠讓目標函數值成為最小之第2目標的溫度分布，晶圓平台200的溫度及其分布的設定值被更新而替換第1目標的溫度分布，而實現可得到期望的處理結果之處理中的晶圓205的溫度分布，提升處理的良率。

另，本發明不限定於上述的實施例，還包含各式各樣的變形例。例如，上述的實施例是為了淺顯地說明本發明而詳細說明，未必限定於要具備所說明的所有的構成。此外，亦可將某一實施例的構成的一部分置換成其他實施例的構成，此外亦可在某一實施例的構成加入其他實施例的構成。此外，針對各實施例的構成的一部分，可追加、刪除、置換其他的構成。

100:晶圓溫度計算系統 101:半導體元件製造裝置 102:晶圓計測裝置 200:晶圓平台 201:加熱器 202:加熱器電源 203:加熱器控制部 204:冷媒流路 401:加熱器區塊

[圖1]圖1為示意本發明的實施例之半導體元件的製造系統的構成的模型圖。 [圖2]圖2為模型化地示意實施例之半導體元件製造裝置所具備的晶圓平台的構成的縱截面圖。 [圖3]圖3為模型化地示意晶圓平台上面的加熱器區塊的配置的例子的平面圖。 [圖4]圖4為示意連接至半導體元件製造裝置的顯示器中示意的實施例之晶圓溫度計算系統中判斷為不可實現的加熱器區塊的模型圖。 [圖5A]圖5A為示意實施例之晶圓溫度計算系統的動作的流程的流程圖。 [圖5B]圖5B為示意實施例之晶圓溫度計算系統的動作的流程的流程圖。 [圖6]圖6為示意實施例之晶圓溫度計算系統的動作的流程的流程圖。 [圖7]圖7為示意圖5所示本實施例中追加的動作的流程的流程圖。

100:晶圓溫度計算系統

101(101a,101b...):半導體元件製造裝置

102(102a,102b~102z):晶圓計測裝置

103:演算器

104:記憶裝置

105:介面

106:網路

Claims (14)

1. 一種半導體元件的製造系統，具備： 半導體元件製造裝置，係處理晶圓，具備：晶圓平台，其上面供前述晶圓載置；及複數個加熱器，配置於該晶圓平台內部且在前述上面的複數個區域的下方；及控制器，調節對該些複數個加熱器供給的複數個加熱器電源的輸出；及 晶圓溫度計算系統，判定為了實現前述晶圓的處理中的目標的溫度而事先算出的前述複數個加熱器電源的第1輸出值是否為容許範圍內，當為容許範圍外的情形下，算出讓所有的前述第1輸出值被修正成容許範圍內的值之第2輸出值。
2. 如請求項1記載之半導體元件的製造系統，其中， 運用處理配方，在前述半導體元件製造裝置中處理前述晶圓，其中該處理配方係將對應前述前述第1輸出值的前述晶圓的第1溫度分布或從前述第2輸出值所算出的第2溫度分布設定作為前述處理中的目標的溫度分布而被算出。
3. 如請求項1或2記載之半導體元件的製造系統，其中， 當判定前述複數個加熱器電源的至少1個以上的加熱器電源的輸出值為容許範圍外的情形下，將從使該至少1個以上的加熱器電源的輸出值成為前述容許範圍內之前述第2輸出值所算出的第2目標的溫度的分布訂為目標的溫度的分布，而前述控制器調節前述複數個加熱器電源的輸出。
4. 如請求項3記載之半導體元件的製造系統，其中， 前述晶圓溫度計算系統，當判定前述複數個加熱器電源的至少1個以上的加熱器電源的輸出值為容許範圍外的情形下，算出使該至少1個以上的加熱器電源的輸出值成為前述容許範圍內，且最能夠將規定的目標函數的值減小之前述第2目標的溫度的分布。
5. 如請求項4記載之半導體元件的製造系統，其中， 前述晶圓溫度計算系統，針對前述複數個加熱器電源的各者依序增大或減低輸出而算出前述第2目標的溫度的分布，直到前述目標函數的值成為最小。
6. 如請求項1或2記載之半導體元件的製造系統，其中， 前述晶圓溫度計算系統及半導體元件製造裝置可通訊地連接， 前述複數個加熱器電源的輸出值與前述晶圓的溫度的分布之間的第1相關關係、前述加熱器電源的輸出的容許範圍的上限值及下限值、以及從前述第1相關關係所算出的前述晶圓的溫度的容許範圍的上限值及下限值，係和前述半導體元件製造裝置建立對應而被記憶於前述晶圓溫度計算系統內。
7. 如請求項1記載之半導體元件的製造系統，其中， 晶圓溫度計算系統，具備：顯示器，當判定前述複數個加熱器電源的至少1個以上的加熱器電源的輸出值為容許範圍外的情形下，記憶對應該至少1個以上的加熱器電源的前述加熱器的區域，而顯示該加熱器的區域。
8. 一種半導體元件的製造方法，係運用半導體元件製造裝置而處理晶圓之半導體元件的製造方法，該半導體元件製造裝置，具備：晶圓平台，其上面供前述晶圓載置；及複數個加熱器，配置於該晶圓平台內部且在前述上面的複數個區域的下方；及控制器，調節對該些複數個加熱器供給的複數個加熱器電源的輸出； 判定為了實現前述晶圓的處理中的目標的溫度而事先算出的前述複數個加熱器電源的第1輸出值是否為容許範圍內，當為容許範圍外的情形下，前述控制器調節前述加熱器電源，使得所有的前述第1輸出值成為被修正成容許範圍內的值而算出之第2輸出值。
9. 如請求項8記載之半導體元件的製造方法，其中， 運用處理配方，在前述半導體元件製造裝置中處理前述晶圓，其中該處理配方係將對應該前述第1輸出值的前述晶圓的第1溫度分布或從前述第2輸出值所算出的第2溫度分布設定作為前述處理中的目標的溫度分布而被算出。
10. 如請求項8或9記載之半導體元件的製造方法，其中， 當判定前述複數個加熱器電源的至少1個以上的加熱器電源的輸出值為容許範圍外的情形下，將從使該至少1個以上的加熱器電源的輸出值成為前述容許範圍內之前述第2輸出值所算出的第2目標的溫度的分布訂為目標的溫度的分布，而前述控制器調節前述複數個加熱器電源的輸出。
11. 如請求項10記載之半導體元件的製造方法，其中， 前述晶圓溫度計算系統，當判定前述複數個加熱器電源的至少1個以上的加熱器電源的輸出值為容許範圍外的情形下，算出使該至少1個以上的加熱器電源的輸出值成為前述容許範圍內，且最能夠將規定的目標函數的值減小之前述第2目標的溫度的分布。
12. 如請求項10記載之半導體元件的製造方法，其中， 針對前述複數個加熱器電源的各者依序增大或減低輸出而算出前述第2目標的溫度的分布，直到前述目標函數的值成為最小。
13. 如請求項8或9記載之半導體元件的製造方法，其中， 運用和前述半導體元件製造裝置建立對應而被記憶的前述複數個加熱器電源的輸出值與前述晶圓的溫度的分布之間的第1相關關係及前述加熱器電源的輸出的容許範圍的上限值及下限值、或從前述第1相關關係所算出的前述晶圓的溫度的容許範圍的上限值及下限值，而算出前述第2目標的溫度的分布。
14. 如請求項8或9記載之半導體元件的製造方法，其中， 當判定前述複數個加熱器電源的至少1個以上的加熱器電源的輸出值為容許範圍外的情形下，記憶對應該至少1個以上的加熱器電源的前述加熱器的區域，而顯示該加熱器的區域。

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