TW202410485A - 影像感測器封裝及其製造方法 - Google Patents

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崔榮宰
徐成昊
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南韓商三星電子股份有限公司
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Abstract

提供一種可靠性得到改善的影像感測器封裝及其製造方法。所述影像感測器封裝包括：封裝基板；影像感測器晶片，設置於封裝基板上且包括畫素區域及環繞畫素區域的周邊區域；擋壩，位於周邊區域中，所述擋壩具有矩形環形狀且環繞畫素區域；透明蓋，設置於擋壩上且覆蓋影像感測器晶片的上部部分；以及密封材料，對影像感測器晶片進行密封且覆蓋透明蓋的側表面。所述擋壩包括應力鬆弛層（SRL）及位於SRL上的本體層，且SRL具有較本體層的黏度低的黏度。

Description

影像感測器封裝及其製造方法
[相關申請案的交叉參考]
本申請案是基於在2022年8月30日在韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2022-0109491號且主張優先於所述韓國專利申請案，所述韓國專利申請案的揭露內容全文併入本案供參考。
本揭露是有關於一種影像感測器，且更具體而言是有關於一種影像感測器封裝及其製造方法。
影像感測器封裝是相機裝置的核心組件且可用於包括通用相機（general camera）、可攜式終端（例如行動電話及平板電腦）以及車輛在內的各種領域。此種影像感測器封裝可具有各種封裝結構，例如板上晶片（chip on board，COB）封裝、撓性印刷電路板（printed circuit board，PCB）上晶片（chip on flexible PCB，COF）封裝、玻璃上晶片（chip on glass，COG）封裝、晶圓級晶片尺寸封裝（wafer level chip scale package，WLCSP）、影像感測器球柵陣列（image sensor ball grid array，IBGA）封裝、無引線式塑膠晶片載體（plastic leadless chip carrier，PLCC）封裝或類似封裝。可藉由在封裝基板上安裝影像感測器並將透明層結合至影像感測器的上部部分來形成廣泛應用於車輛的具有IBGA結構的影像感測器封裝。
實例性實施例提供一種可靠性得到改善的影像感測器封裝及其製造方法。
實例性實施例僅限於此，且熟習此項技術者可藉由以下內容清楚地理解其他目的。
根據實例性實施例的態樣，一種影像感測器封裝包括：封裝基板；影像感測器晶片，設置於所述封裝基板上且包括畫素區域及環繞所述畫素區域的周邊區域；擋壩，位於所述周邊區域中，所述擋壩具有矩形環形狀且環繞所述畫素區域；透明蓋，設置於所述擋壩上且覆蓋所述影像感測器晶片的上部部分；以及密封材料，對所述影像感測器晶片進行密封且覆蓋所述透明蓋的側表面。所述擋壩包括應力鬆弛層（SRL）及位於所述SRL上的本體層，且所述SRL具有較所述本體層的黏度低的黏度。
根據實例性實施例的另一態樣，一種影像感測器封裝包括：畫素區域且覆蓋所述影像感測器晶片的晶片接墊；透明蓋，位於所述擋壩上且與所述影像感測器晶片的上表面間隔開；結合配線，對所述晶片接墊與所述基板接墊進行電性連接；以及密封材料，位於所述封裝基板、所述影像感測器晶片、及所述透明蓋的側表面上。所述擋壩包括SRL及位於所述SRL上的本體層，且所述SRL具有較所述本體層的黏度低的黏度。
根據實例性實施例的另一態樣，一種製造影像感測器封裝的方法包括：提供封裝基板；在所述封裝基板上安裝影像感測器晶片，所述影像感測器晶片包括畫素區域及環繞所述畫素區域的周邊區域；使用結合配線對所述影像感測器晶片的晶片接墊與所述封裝基板的基板接墊進行連接；在所述周邊區域中形成擋壩，所述擋壩具有矩形環形狀且環繞所述畫素區域；將透明蓋貼合至所述擋壩，以使所述透明蓋與所述影像感測器晶片的上表面間隔開且覆蓋所述影像感測器晶片；在所述封裝基板上形成密封材料，所述密封材料對所述影像感測器晶片進行密封且覆蓋所述透明蓋的側表面；以及在所述封裝基板的下表面上形成外部連接端子。所述擋壩包括SRL及位於所述SRL上的本體層，且所述SRL具有較所述本體層的黏度低的黏度。
將參照附圖闡述實例性實施例。在說明書通篇中，相同的組件由相同的參考編號表示，且省略對所述組件的重複說明。當例如「...中的至少一者」等表達出現於一系列元件之後時，是修飾整個系列的元件而非修飾所述一系列中的各別元件。舉例而言，表達「a、b及c中的至少一者」應被理解為僅包括a、僅包括b、僅包括c、包括a及b兩者、包括a及c兩者、包括b及c兩者、或包括a、b及c的全部。應理解，當稱一元件或層位於另一元件或層「上」、「連接至」或「耦合至」另一元件或層時，所述元件或層可直接位於所述另一元件或層上、直接連接至或直接耦合至所述另一元件或層，或者可存在中間元件或層。相比之下，當稱一元件「直接位於」另一元件或層「上」、「直接連接至」或「直接耦合至」另一元件或層時，不存在中間元件或層。
圖1A及圖1B分別是根據實例性實施例的影像感測器封裝的剖視圖及平面圖，且在平面圖中省略透明蓋（transparent cover）及密封材料。
參照圖1A及圖1B，根據實例性實施例的影像感測器封裝100可包括封裝基板110、影像感測器晶片120、結合配線（bonding wire）130、透明蓋140、密封材料150及擋壩（dam）160。
封裝基板110在平面圖中可具有矩形形狀。在影像感測器封裝100中，封裝基板110可具有例如在第一方向（x方向）上的長度長於在第二方向（y方向）上的長度的矩形形狀。然而，根據實例性實施例，封裝基板110可具有正方形形狀。封裝基板110在長的方向（即，第一方向（x方向））上可具有第一長度L1。第一長度L1可為例如8.0毫米或小於8.0毫米。然而，第一長度L1並非僅限於此。另外，位於封裝基板110上的密封材料150的側表面可由封裝基板110的側表面限定。因此，一般可藉由封裝基板110的大小來確定影像感測器封裝100的平面大小。
封裝基板110可包括基板本體111、上部基板接墊113、下部基板接墊115以及保護層117u及117d。基板本體111可佔據封裝基板110的大部分且形成封裝基板110的外部形狀。封裝基板110可包含各種材料。舉例而言，基板本體111可根據封裝基板110的類型而包含矽、陶瓷、有機材料、玻璃、環氧樹脂或類似材料。在影像感測器封裝100中，封裝基板110可為基於環氧樹脂的印刷電路板（PCB）。然而，封裝基板110並非僅限於PCB。在基板本體111上可形成有單層式配線或多層式配線。配線可位於基板本體111的上表面及下表面上及/或基板本體111內部。上部基板接墊113與下部基板接墊115可經由配線而電性連接至彼此。
上部基板接墊113可位於封裝基板110的上表面（即，基板本體111的上表面）上且可連接至基板本體111的配線。上部基板接墊113可沿著安裝於封裝基板110上的影像感測器晶片120的兩個側表面佈置。另外，上部基板接墊113可經由結合配線130而電性連接至與影像感測器晶片120對應的晶片接墊126。
上部基板接墊113可佈置於封裝基板110在第一方向（x方向）上的兩個外部分上。另外，上部基板接墊113可佈置於第二方向（y方向）上。如圖1B中所示，上部基板接墊113可在第二方向（y方向）上佈置成一列。然而，根據實例性實施例，上部基板接墊113可在第二方向（y方向）上佈置成至少兩列。
下部基板接墊115可位於封裝基板110的下表面（即，基板本體111的下表面）上且可連接至基板本體111的配線。下部基板接墊115可佈置於封裝基板110在第一方向（x方向）上的兩個外部分上。另外，下部基板接墊115可在第二方向（y方向）上佈置成三列。然而，下部基板接墊115的佈置結構並非僅限於此。舉例而言，下部基板接墊115可佈置成兩列或至少四列。另外，下部基板接墊115亦可在封裝基板110的整個下表面之上佈置成二維陣列結構。
保護層117u及117d可藉由覆蓋基板本體111的上表面及下表面來保護基板本體111及基板本體111的配線。保護層117u及117d可包括位於基板本體111的上表面上的上部保護層117u及位於基板本體111的下表面上的下部保護層117d。保護層117u及117d可包含例如阻焊劑（solder resist，SR）。然而，保護層117u及117d的材料並非僅限於SR。上部基板接墊113可延伸穿過上部保護層117u且自上部保護層117u暴露出，且下部基板接墊115可延伸穿過下部保護層117d且自下部保護層117d暴露出。
在下部基板接墊115上可具有外部連接端子180。外部連接端子180可包括例如焊料球。因此，影像感測器封裝100可對應於IBGA封裝。影像感測器封裝100可經由外部連接端子180而安裝於外部基板510（參照圖7）（例如相機裝置）上。
影像感測器晶片120可以配線結合結構安裝於封裝基板110上。因此，影像感測器晶片120的有效表面可面朝上（即，背對封裝基板110），且影像感測器晶片120的非有效表面可面朝下（即，面對封裝基板110）。影像感測器晶片120可經由黏合層125而黏合至封裝基板110的上表面並固定至封裝基板110的上表面。黏合層125可將影像感測器晶片120黏合至封裝基板110，且在施加外部衝擊時亦可減輕被施加至影像感測器晶片120的衝擊。
影像感測器晶片120可包括晶片本體122、感測器124及晶片接墊126。晶片本體122可包括基板及影像感測器晶片120的配線層。晶片本體122的基板可包括例如塊狀晶圓、磊晶晶圓或類似晶圓。磊晶晶圓可包括藉由磊晶製程而生長於塊狀基板上的結晶材料層（即，磊晶層）。晶片本體122的基板並非僅限於塊狀晶圓或磊晶晶圓，且可使用各種晶圓（例如經拋光晶圓（polished wafer）、經退火晶圓（annealed wafer）、絕緣體上矽（silicon on insulator，SOI）晶圓或類似晶圓）來形成晶片本體122的基板。晶片本體122的配線層可形成於基板的任何一個表面上。舉例而言，配線層可佈置於感測器124下方。
感測器124可包括具有多個畫素的畫素區域Pla。畫素區域Pla亦可被稱為主動畫素感測器（active pixel sensor，APS）區域。所述多個畫素可在畫素區域Pla中佈置成二維陣列結構。另外，畫素區域Pla的所述多個畫素中的每一者可包括形成於基板中的光二極體（photodiode，PD）。可藉由其中將雜質離子植入至畫素區域Pla中的離子植入製程（ion implantation process）來形成所述PD。畫素區域Pla的所述多個畫素中的每一者可吸收入射光以產生與入射光的量對應的電荷並累積所述電荷，且可經由畫素電晶體將所累積的電荷傳送至外部。畫素電晶體可包括例如轉移電晶體（transfer transistor）、源極隨耦器電晶體（source follower transistor）、重設電晶體、選擇電晶體或類似電晶體。如圖1B中所示，感測器124可佈置於影像感測器晶片120的中心部分處。影像感測器晶片120可包括佈置於畫素區域Pla的上部部分處的彩色濾光片及微透鏡。
晶片接墊126可佈置於影像感測器晶片120的周邊區域PEa中。周邊區域PEa可指影像感測器晶片120的環繞感測器124的外部分。如圖1B中所示，晶片接墊126可在影像感測器晶片120在第一方向（x方向）上的兩個側上佈置於周邊區域PEa的外部分處。另外，晶片接墊126可在第二方向（y方向）上佈置成一列。然而，晶片接墊126的佈置結構並非僅限於此。舉例而言，晶片接墊126可佈置成至少兩列。晶片接墊126可電性連接至影像感測器晶片120的配線層。
晶片接墊126可經由結合配線130電性連接至與封裝基板110對應的上部基板接墊113。舉例而言，結合配線130的第一端部可連接至晶片接墊126，且結合配線130的第二端部可連接至上部基板接墊113。結合配線130可包含例如金（Au）、銅（Cu）、銀（Ag）、鋁（Al）或類似材料。在影像感測器封裝100中，結合配線130可包含例如Au。
透明蓋140可位於影像感測器晶片120上。透明蓋140可位於形成於影像感測器晶片120的上表面上的擋壩160上。亦即，透明蓋140可被佈置成與影像感測器晶片120的上表面間隔開擋壩160的高度。因此，在透明蓋140與影像感測器晶片120之間可具有作為空的空間的空腔C。透明蓋140可包含例如透明玻璃、透明樹脂或透射性陶瓷（transmissive ceramic）。
擋壩160可位於影像感測器晶片120的上表面的外部分上。如圖1B中所示，擋壩160可具有例如環繞影像感測器晶片120的上表面的外部分的矩形環形狀。另外，擋壩160可覆蓋影像感測器晶片120的晶片接墊126。因此，擋壩160可覆蓋結合配線130的連接至晶片接墊126的第一端部。
擋壩160可在影像感測器晶片120上對透明蓋140進行支撐。另外，擋壩160可對空腔C進行密封且阻止濕氣或外來物質（foreign material）自外部滲入至空腔C中。亦即，擋壩160可防止影像感測器晶片120（尤其是感測器124）被外部濕氣或外來物質污染。
如以上所闡述，擋壩160可以環繞感測器124的形狀（例如，矩形環形狀）形成於影像感測器晶片120的上表面上、對透明蓋140進行支撐且防止感測器124被污染。隨著影像感測器晶片120的大小由於最近的發展而減小，作為感測器124的邊緣與影像感測器晶片120的邊緣之間的間隔的第一距離D1亦減小。舉例而言，第一距離D1自約1000微米減小至約350微米。如圖1B中所示，擋壩160可具有環繞影像感測器晶片120的最外部部分的四邊形環形狀，更具體而言具有矩形環形狀。另外，擋壩160可覆蓋佈置於影像感測器晶片120的最外部部分處的晶片接墊126以及結合配線130的連接至晶片接墊126的第一端部。
如圖1A中所示，由於擋壩160佈置於影像感測器晶片120的最外部部分處，因此擋壩160的外側表面可幾乎相鄰於影像感測器晶片120的側表面或者可實質上相同於影像感測器晶片120的側表面。舉例而言，擋壩160的外側表面可沿著第一方向（x方向）與影像感測器晶片120的側表面對齊。另外，透明蓋140的大小可大於影像感測器晶片120的大小。舉例而言，透明蓋140在第一方向（x方向）上的長度可大於影像感測器晶片120在第一方向（x方向）上的長度。因此，擋壩160的外側表面可相較於透明蓋140的側表面而進一步向內定位。就此而言，擋壩160的外側表面可沿著第一方向（x方向）而相對於透明蓋140的側表面偏置開。然而，擋壩160的側表面、影像感測器晶片120的側表面及透明蓋140的側表面的結構並非僅限於此。舉例而言，根據實例性實施例，透明蓋140可小於影像感測器晶片120。在此種結構的情形中，擋壩160的外側表面可幾乎相鄰於透明蓋140的側表面或者可實質上相同於透明蓋140的側表面。舉例而言，擋壩160的外側表面可沿著第一方向（x方向）與透明蓋140的側表面對齊。另外，擋壩160的外側表面可相較於影像感測器晶片120的側表面而進一步向內定位。
擋壩160可包括應力鬆弛層（stress relaxation layer，SRL）161（參照圖2B）及本體層163（參照圖2B）。SRL 161可位於影像感測器晶片120的晶片本體122上，且本體層163可位於SRL 161上。SRL 161可包含能夠使本體層163與擋壩160的下部層之間的熱膨脹係數（coefficient of thermal expansion，CTE）差異減小的材料。根據實例性實施例，擋壩160可更包括擋壩壁（dam-wall）165（參照圖2B）。
本體層163可包含環氧樹脂。然而，本體層163的材料並非僅限於環氧樹脂。由於環氧樹脂藉由紫外（ultraviolet，UV）光固化並充當黏合劑，因此環氧樹脂可被稱為UV膠、UV環氧膠或類似膠。SRL 161可包含具有較本體層163的黏度低的黏度的材料。舉例而言，SRL 161可包含矽酮系材料。然而，SRL 161的材料並非僅限於矽酮系材料。參照圖2A至圖4B更詳細地闡述擋壩160的具體結構及材料。
密封材料150可位於封裝基板110上且可對影像感測器晶片120、結合配線130及透明蓋140進行密封。具體而言，密封材料150可被形成為自封裝基板110的上表面覆蓋影像感測器晶片120的側表面及透明蓋140的側表面。另外，密封材料150可覆蓋結合配線130且覆蓋擋壩160的側表面。密封材料150及擋壩160可防止感測器124被外部的外來物質污染。另外，密封材料150可保護影像感測器封裝100免受外部衝擊。
密封材料150可環繞透明蓋140的整個側表面，且密封材料150的上表面可相對於透明蓋140的上表面而略微傾斜。然而，根據實例性實施例，密封材料150的上表面可與透明蓋140的上表面實質上共面。密封材料150可包含例如環氧模製化合物（epoxy molding compound，EMC）。然而，密封材料150的材料並非僅限於EMC。
影像感測器封裝100可具有如下結構：在所述結構中影像感測器晶片120經由配線結合結構安裝於封裝基板110上、具有矩形環形狀的擋壩160佈置於影像感測器晶片120的上表面的外部分處且透明蓋140位於擋壩160上。另外，擋壩160可包括位於擋壩160的下部部分處的SRL 161及位於擋壩160的上部部分處的本體層163，且SRL 161可包含具有較本體層163的黏度低的黏度的材料。根據實例性實施例，影像感測器封裝100可由於擋壩160的結構及實體性質而減輕擋壩160的下部層的應力，且因此可防止下部層中的裂紋及下部層之間的分層現象。因此可大大改善影像感測器封裝100的可靠性。
作為參照，在形成僅包含環氧樹脂的擋壩時，可執行三個操作的固化製程。舉例而言，三個操作的固化製程可包括在3焦耳/平方公分下進行UV固化的第一操作、在80攝氏度下進行熱處置達30分鐘的第二操作以及在130攝氏度下進行熱處置達30分鐘的第三操作。另外，一般而言，在第一操作中可產生熱量且出現收縮，在第二操作中可產生熱量，且在第三操作中可出現膨脹。因此，在形成擋壩的三個操作的固化製程中，擋壩的下部層受到嚴重的應力，且因此可能會在下部層中出現裂紋且在下部層之間出現分層現象。因此，影像感測器封裝產品的可靠性可大大降低。相反，在影像感測器封裝100中，可在影像感測器晶片120上佈置包括在下部部分處具有較低黏度的SRL 161的擋壩160，且因此可解決上述所有問題。
圖2A及圖2B分別是圖1A所示影像感測器封裝中的擋壩部分的平面圖及剖視圖，其中圖2A是圖1B所示放大區A的平面圖，且圖2B是沿著圖2A所示線I-I’截取的剖視圖。在平面圖中，省略擋壩支腳（dam-foot）D-F部分，且SRL 161被示出為位於本體層163外部。將一同參照圖1A與圖1B給出說明，且將簡單地給出或省略已參照圖1A及圖1B給出的說明。
參照圖2A及圖2B，在影像感測器封裝100中，擋壩160可包括SRL 161、本體層163及擋壩壁165。SRL 161可位於晶片本體122上且可在第一方向（x方向）或第二方向（y方向）上與擋壩160的形狀對應地延伸。在下文中，基於圖2A將擋壩160被闡述為具有在第二方向（y方向）上延伸的部分。
SRL 161在第三方向（z方向）上可具有例如幾微米至幾十微米的厚度。然而，SRL 161的厚度並非僅限於此。如圖2B中所示，SRL 161在中心部分處的厚度可略大於SRL 161在第一方向（x方向）上的兩個外部分的厚度。然而，SRL 161的厚度結構並非僅限於此。舉例而言，SRL 161在第一方向（x方向）上可具有均勻的厚度。
在本體層163在第一方向（x方向）上的兩個側上可分別佈置有兩個擋壩壁165。擋壩壁165可在第二方向（y方向）上延伸。如同本體層163一般，擋壩壁165可包含環氧樹脂。SRL 161可位於所述兩個擋壩壁165之間。如圖2B中所示，所述兩個擋壩壁165中的每一者在第三方向（z方向）上可具有例如幾微米至幾十微米的厚度且可具有較SRL 161的厚度大的厚度。
本體層163可位於SRL 161上。另外，本體層163可位於所述兩個擋壩壁165之間。本體層163在第一方向（x方向）上可具有第一寬度W1。寬度W1可為例如300微米或小於300微米。然而，本體層163的第一寬度W1並非僅限於此。擋壩支腳D-F可形成於本體層163的下部部分處。在形成本體層163期間，在本體層163的下部部分在第一方向（x方向）上略微向外擴展時，可形成擋壩支腳D-F。本體層163的第一寬度W1可被定義為本體層163的除了擋壩支腳D-F部分之外的上部部分的寬度，且所述上部部分可具有均勻的寬度。
當擋壩160在第一方向（x方向）上具有第二寬度W2時，可藉由擋壩壁165而非本體層163來確定擋壩160的寬度。舉例而言，如圖2B中所示，所述兩個擋壩壁165的外表面之間在第一方向（x方向）上的距離可對應於第二寬度W2。當所述兩個擋壩壁165中的每一者在第一方向（x方向）上的寬度非常小時（例如，當所述兩個擋壩壁165中的每一者在第一方向（x方向）上的寬度是幾微米或更小時），SRL 161可在第一方向（x方向）上實質上具有第二寬度W2。
如以上所闡述，本體層163可包含環氧樹脂。如同本體層163一般，擋壩壁165可包含環氧樹脂。SRL 161可包含具有較本體層163的黏度低的黏度的矽酮系材料。然而，SRL 161的材料、本體層163的材料及擋壩壁165的材料並非僅限於此。
作為參照，就環氧樹脂的黏度及矽酮系材料的黏度而言，本體層163的環氧樹脂可具有90000厘泊（cps）（在25攝氏度下）的黏度。SRL 161的矽酮系材料可具有介於自約40000厘泊至約80000厘泊（在25攝氏度下）的範圍內的黏度。另外，可藉由對矽酮系材料中所包含的填料的成分或成分比率進行調整來將矽酮系材料的黏度調整至所需水準。另外，根據實例性實施例，SRL 161亦可包含環氧樹脂，且可將填料的成分或成分比率調整成使得環氧樹脂的黏度可接近所需水準。
如圖2B中所示，擋壩160可位於影像感測器晶片120的晶片本體122上。晶片本體122可包括基板122-1、多材料層（multi-material layer）122-3及晶片保護層122-5。基板122-1可包含例如矽（Si）。多材料層122-3可包括金屬層（例如鎢（W））、金屬氧化物膜（例如氧化鋁（Al 2O 3））、光阻（photoresist，PR）層、平坦化層或類似層。晶片保護層122-5可藉由在畫素區域Pla中包括微透鏡而完全覆蓋晶片本體122並保護晶片本體122。可藉由半導體操作在非常低的溫度（例如，300攝氏度或低於300攝氏度）下形成晶片保護層122-5。晶片保護層122-5可包括例如氧化矽（SiO 2）膜。如以上所闡述，當藉由三個操作的固化製程形成僅包含環氧樹脂的擋壩時，可能會在晶片保護層122-5中出現裂紋、出現多材料層122-3的PR層或平坦化層的分層現象或出現類似現象。然而，在影像感測器封裝100中，可藉由在擋壩160的下部部分處包括具有低黏度的SRL 161來解決以上問題。
圖3A及圖3B分別是圖1A所示影像感測器封裝中的擋壩部分的平面圖及剖視圖，其中圖3A是圖1B所示放大區A的平面圖，且圖3B是沿著圖3A所示線II-II’截取的剖視圖。在平面圖中，省略擋壩支腳D-F部分，且SRL 161a被示出為位於本體層163a外部。將一同參照圖1A與圖1B作出說明，且將簡要闡述或省略已參照圖1A至圖2B給出的說明。
參照圖3A及圖3B，根據實例性實施例的影像感測器封裝100a在擋壩160a的結構上可不同於圖2B所示影像感測器封裝100。具體而言，在影像感測器封裝100a中，擋壩160a可包括SRL 161a及本體層163a。
SRL 161a可位於晶片本體122上且可在第一方向（x方向）或第二方向（y方向）上與擋壩160a的形狀對應地延伸。在下文中，基於圖3A將擋壩160a闡述為具有在第二方向（y方向）上延伸的部分。
SRL 161a可包括第一SRL 161-1及第二SRL 161-2。第一SRL 161-1及第二SRL 161-2二者皆可具有較本體層163a的黏度低的黏度。舉例而言，第一SRL 161-1及第二SRL 161-2二者皆可包含矽酮系材料。第一SRL 161-1可具有較第二SRL 161-2的黏度高的黏度。舉例而言，藉由對第一SRL 161-1或第二SRL 161-2中所包含的填料的成分或成分比率進行調整，第一SRL 161-1的黏度可大於第二SRL 161-2的黏度。
如圖3B中所示，在第一方向（x方向）上，第二SRL 161-2可具有較第一SRL 161-1的寬度大的寬度。第二SRL 161-2可完全覆蓋第一SRL 161-1。舉例而言，第二SRL 161-2在第一方向（x方向）上可具有第三寬度W3，且第三寬度W3可為例如350微米或小於350微米。另外，第一SRL 161-1在第一方向（x方向）上可具有第一寬度W1’，且第一寬度W1’可為例如250微米或小於250微米。然而，第一SRL 161-1的第一寬度W1’及第二SRL 161-2的第三寬度W3並非僅限於此。
本體層163a可位於SRL 161a（即，第二SRL 161-2）上。在第一方向（x方向）上，本體層163a可具有與第一SRL 161-1的寬度實質上相同的寬度。舉例而言，本體層163a在第一方向（x方向）上可具有第一寬度W1’。然而，本體層163a的第一寬度W1’並非僅限於此。本體層163a在第一方向（x方向）上的寬度亦可不同於第一SRL 161-1的寬度。
擋壩支腳D-F可形成於本體層163a的下部部分處。如圖3B中所示，擋壩支腳D-F可完全覆蓋SRL 161a的外部分，如圖3B中所示。然而，根據實例性實施例，擋壩支腳D-F可僅覆蓋SRL 161a的外部分的一部分，且SRL 161a的最外部部分亦可自擋壩支腳D-F暴露出。
圖4A及圖4B分別是圖1A所示影像感測器封裝中的擋壩部分的平面圖及剖視圖，其中圖4A是圖1B所示放大區A的平面圖，且圖4B是沿著圖4A所示線III-III’截取的剖視圖。在平面圖中，SRL 161b被本體層163b覆蓋，但僅是出於與本體層163b進行比較的目的而示出。將一同參照圖1A與圖1B作出說明，且將簡要闡述或省略已參照圖1A至圖3B給出的說明。
參照圖4A及圖4B，影像感測器封裝100b可在擋壩160b的結構上不同於圖2B所示影像感測器封裝100。具體而言，在影像感測器封裝100b中，擋壩160b可包括SRL 161b及本體層163b。
SRL 161b可位於晶片本體122上且可在第一方向（x方向）或第二方向（y方向）上與擋壩160b的形狀對應地延伸。在下文中，基於圖4A將擋壩160b闡述為具有在第二方向（y方向）上延伸的部分。
SRL 161b可包括第一SRL 161-1a及第二SRL 161-2a。第一SRL 161-1a及第二SRL 161-2a二者皆可具有較本體層163b的黏度低的黏度。舉例而言，第一SRL 161-1a及第二SRL 161-2a二者皆可包含矽酮系材料。第一SRL 161-1a可具有較第二SRL 161-2a的黏度高的黏度。舉例而言，藉由對第一SRL 161-1a或第二SRL 161-2a中所包含的填料的成分或成分比率進行調整，第一SRL 161-1a的黏度可大於第二SRL 161-2a的黏度。
如圖4B中所示，在第一方向（x方向）上，第二SRL 161-2a可具有較第一SRL 161-1a的寬度大的寬度。另外，第二SRL 161-2a可完全覆蓋第一SRL 161-1a。舉例而言，第二SRL 161-2a在第一方向（x方向）上可具有第五寬度W5，且第五寬度W5可為例如200微米或小於200微米。另外，第一SRL 161-1a在第一方向（x方向）上可具有第四寬度W4，且第四寬度W4可為例如150微米或小於150微米。然而，第一SRL 161-1a的第四寬度W4及第二SRL 161-2a的第五寬度W5並非僅限於此。
本體層163b可位於SRL 161b（即，第二SRL 161-2a）上。另外，在第一方向（x方向）上，本體層163b可具有較第二SRL 161-2a的寬度大的寬度且可完全覆蓋SRL 161b。舉例而言，本體層163b在第一方向（x方向）上可具有第一寬度W1”。第一寬度W1”可為例如350微米或小於350微米。然而，本體層163a的第一寬度W1”並非僅限於此。
已闡述了分別包括三種擋壩160、160a及160b的結構的影像感測器封裝100、100a及100b，但實例性實施例並非僅限於此。舉例而言，只要擋壩具有包括在下部部分處具有低黏度的SRL且在上部部分處具有本體層的結構，包括擋壩的影像感測器封裝便可對應於實例性實施例。
圖5A及圖5B是根據實例性實施例的影像感測器封裝的平面圖。以下簡要給出或省略已參照圖1A至圖4B給出的說明。
參照圖5A，實例性實施例的影像感測器封裝100c可在封裝基板110a的上部基板接墊113a的佈置結構及影像感測器封裝100c的配線結合結構方面不同於圖1B所示影像感測器封裝100。具體而言，在影像感測器封裝100c中，上部基板接墊113a可被佈置成具有較影像感測器晶片120的晶片接墊126的節距寬的節距。舉例而言，上部基板接墊113a在第二方向（y方向）上可具有第一節距P1，且晶片接墊126在第二方向（y方向）上可具有較第一節距P1小的第二節距P2。作為參照，在圖1B所示影像感測器封裝100中，上部基板接墊113在第二方向（y方向）上的節距與晶片接墊126在第二方向（y方向）上的節距可實質上彼此相同。由於上部基板接墊113a的第一節距P1大於晶片接墊126的第二節距P2，因此配線結合結構可具有其中結合配線130a的長度朝向封裝基板110a在第二方向（y方向）上的兩個外部分增大且以扇形形狀展開的形狀。
參照圖5B，實例性實施例的影像感測器封裝100d與圖1B所示影像感測器封裝100的不同之處可在於，影像感測器封裝100d的封裝基板110b具有正方形形狀。另外，在影像感測器封裝100d中，影像感測器封裝100d與圖1B所示影像感測器封裝100的不同之處可在於，封裝基板110b的上部基板接墊113b及影像感測器晶片120a的晶片接墊126a佈置於影像感測器封裝100d的四個側上，且在影像感測器封裝100d的所有四個側上亦形成有配線結合。
在影像感測器封裝100d中，封裝基板110b在平面圖中可具有正方形形狀。另外，上部基板接墊113b可佈置於封裝基板110b的上表面的外部分的所有四個側上。就此而言，上部基板接墊113b可在第二方向（y方向）上佈置於封裝基板110b在第一方向（x方向）上的兩個側上且亦可在第一方向（x方向）上佈置於封裝基板110b在第二方向（y方向）上的兩個側上。影像感測器晶片120a在平面圖中亦可具有正方形形狀，且晶片接墊126a可佈置於影像感測器晶片120a的上表面的外部分的所有四個側上。根據實例性實施例，封裝基板110b及影像感測器晶片120a中的至少一者亦可具有在一個方向（例如，第一方向（x方向））上較長的矩形形狀。
配線結合結構可具有其中封裝基板110b的上部基板接墊113b經由結合配線130連接至與上部基板接墊113b對應的影像感測器晶片120a的晶片接墊126a的結構。另外，配線結合結構可形成於分別與上部基板接墊113b的佈置結構及晶片接墊126a的佈置結構對應的封裝基板110b的所有四個側及影像感測器晶片120a的所有四個側之上。
在影像感測器封裝100d中，上部基板接墊113b的節距與晶片接墊126a的節距可實質上彼此相同。因此，如圖5B中所示，結合配線130可在第一方向（x方向）或第二方向（y方向）上彼此平行地延伸。然而，根據實例性實施例，上部基板接墊113b的節距可大於晶片接墊126a的節距，且在此種情形中，配線結合結構亦可被形成為其中結合配線130以扇形形狀展開的形式，如圖5A所示影像感測器封裝100c中一般。
圖6A至圖6C是根據實例性實施例的影像感測器封裝的剖視圖。以下簡要給出或省略已參照圖1A至圖5B給出的說明。
參照圖6A，根據實例性實施例的影像感測器封裝100e與圖1A所示影像感測器封裝100的不同之處可在於，在透明蓋140上更包括塗層（coating layer）142。具體而言，在影像感測器封裝100e中，塗層142可形成於透明蓋140的下表面及側表面上。塗層142可執行各種功能。舉例而言，塗層142可阻擋紅外（infrared，IR）線。當塗層142阻擋紅外線時，可省略相機裝置或類似裝置中阻擋紅外（IR）線的IR濾光片。另外，塗層142可改善透射率或防止反射。舉例而言，塗層142可為藍色濾光片塗層或抗反射塗層。然而，塗層142並非僅限於此。
參照圖6B，實例性實施例的影像感測器封裝100f可在密封材料150a的結構上不同於圖1A所示影像感測器封裝100。具體而言，在影像感測器封裝100f中，密封材料150a可僅覆蓋透明蓋140的側表面的一部分。舉例而言，密封材料150a可僅覆蓋透明蓋140的側表面的下部部分，且透明蓋140的側表面的上部部分可自密封材料150a暴露出。一般而言，在使用密封材料150a覆蓋透明蓋140的整個側表面的製程中，可能會出現其中密封材料150a覆蓋透明蓋140的上表面的溢出缺陷（overflow defect）。因此，可藉由容許密封材料150a自開始僅覆蓋透明蓋140的側表面的一部分而預先防止溢出缺陷。
參照圖6C，實例性實施例的影像感測器封裝100g可在封裝基板110c的結構以及根據封裝基板110c的結構的影像感測器晶片120的安裝結構及配線結合結構方面不同於圖1A所示影像感測器封裝100。具體而言，在影像感測器封裝100g中，在封裝基板110c的中心部分中可形成有凹槽（groove）G。另外，影像感測器晶片120可佈置於凹槽G中且可經由黏合層125黏合至凹槽G並安裝於凹槽G中。
上部基板接墊113c可在第二方向（y方向）上在封裝基板110c在第一方向（x方向）上的兩個外部分處佈置於封裝基板110c上。然而，由於影像感測器晶片120佈置於封裝基板110c的凹槽G中，因此影像感測器晶片120的上表面與封裝基板110c的上表面可具有相似的高度。另外，封裝基板110c的上部基板接墊113c可維持與影像感測器晶片120的晶片接墊126的高度實質上相同的高度。如以上所闡述，由於上部基板接墊113c與晶片接墊126維持實質上相同的高度，因此上部基板接墊113c可被佈置成更靠近影像感測器晶片120，且因此可減小結合配線130的長度且可減小結合配線130的應力。
在影像感測器封裝100g中，由於影像感測器晶片120佈置於封裝基板110c的凹槽G中，因此透明蓋140的上表面的高度可降低達凹槽G的深度，且密封材料150的厚度亦可減小。因此，可減小影像感測器封裝100g的整體厚度。因此，影像感測器封裝100g可有助於實施具有薄的厚度的影像感測器封裝。
圖7是根據實例性實施例的包括影像感測器封裝的相機裝置的剖視圖。將一同參照圖1A與圖6C給出說明，且將簡要給出或省略前面參照圖1A及圖6B給出的說明。
參照圖7，根據實例性實施例的相機裝置1000可包括影像感測器封裝100及相機外部部分500。在相機裝置1000中，影像感測器封裝100可為圖1A所示影像感測器封裝100。然而，實例性實施例並非僅限於此，且相機裝置1000亦使用圖3A、圖4A及圖5A至圖6C所示影像感測器封裝100a至100g中的任一者。
相機外部部分500可包括外部基板510、殼體（housing）520、濾光片530及透鏡540。影像感測器封裝100可經由外部連接端子180安裝於外部基板510上。外部連接端子180可為例如焊料球。影像感測器封裝100可經由焊料球電性連接至外部基板510。外部基板510可包括用於執行附加功能或連接至另一裝置的電路。當不需要單獨製作基板時，外部基板510可形成殼體520的一部分。
殼體520可環繞影像感測器封裝100且保護影像感測器封裝100免受來自外部的實體衝擊。另外，殼體520亦可藉由包含電磁干擾（electro-magnetic interference，EMI）屏蔽材料來屏蔽干擾向影像感測器封裝100中的滲入。
濾光片530可佈置於殼體520的其中佈置有透鏡540的入口側處，且濾光片530可被佈置成與影像感測器封裝100間隔開特定距離。濾光片530可為例如紅外截止濾光片（即，IR濾光片）。根據實例性實施例，濾光片530可作為與相機外部部分500分開的組件來提供。另外，如以上所闡述，當在透明蓋140上形成具有阻擋IR線的功能的塗層142時，可省略濾光片530。
透鏡540可定位於殼體520的入口部分（即，鏡筒部分（barrel portion））處且可使自外部引入的光折射，以使得所述光能夠入射於影像感測器封裝100上。就此而言，自外部引入的光可經由透鏡540而聚焦於影像感測器封裝100的影像感測器晶片120的感測器124上。如圖7中所示，在鏡筒部分中可佈置有多個透鏡540。
根據實例性實施例，可將相機裝置1000應用於各種領域。舉例而言，可將相機裝置1000應用於車輛的前相機及後相機。在用於車輛的影像感測器封裝的領域中，正在世界範圍內進行後相機的強制安置，且用於車輛的影像感測器封裝在自動駕駛中已變得更加重要，除了停車輔助的作用之外，影像感測器封裝亦與駕駛系統相聯繫。因此，用於車輛的影像感測器封裝的可靠性已成為更重要的問題。
如以上所闡述，在相機裝置1000的影像感測器封裝100中，擋壩160可具有位於擋壩160的下部部分處的SRL 161以及位於擋壩160的上部部分處的本體層163，且SRL 161亦可具有較本體層163的黏度低的黏度。因此，在本體層163的三個操作的固化製程中，被施加至擋壩160的下部層的應力得到減輕，且會防止例如下部層中的裂紋及下部層的分層現象等缺陷，且因此可改善影像感測器封裝100的可靠性。因此，相機裝置1000可具有高可靠性的影像感測器封裝100，且可有效地用於車輛的相機中。
圖8A至圖8F是示意性地示出根據實例性實施例的製造圖1A所示影像感測器封裝的製程的剖視圖。
參照圖8A，在根據實例性實施例的製造影像感測器封裝的方法中，製備封裝基板110。封裝基板110可包括基板本體111、上部基板接墊113、下部基板接墊115以及保護層117u及117d。基板本體111可包括單層式配線或多層式配線，且上部基板接墊113可經由基板本體111的配線電性連接至與上部基板接墊113對應的下部基板接墊115。圖8A中所示的封裝基板110可為一同包括多個封裝基板110的大面積基板的一部分。
上部基板接墊113可佈置於封裝基板110的上表面上，且可在第二方向（y方向）上佈置於封裝基板110在第一方向（x方向）上的兩個側上的外部分處。下部基板接墊115可形成於基板本體111的下表面上且可佈置成三列。然而，根據實例性實施例，下部基板接墊115可佈置成兩列或至少四列，或者可在基板本體111的整個下表面之上佈置成二維陣列結構。穿過保護層117u的上部基板接墊113及穿過保護層117d的下部基板接墊115可分別自保護層117u及117d暴露出。
參照圖8B，可藉由在封裝基板110的上表面上塗覆黏合劑來形成黏合層125。黏合層125可形成於封裝基板110的上表面的中心部分上，以對應於影像感測器晶片120的安裝位置。可藉由使用分配器或類似裝置塗覆流體黏合劑並使所述流體黏合劑固化至一定程度來形成黏合層125，或者可藉由將黏合膜貼合至封裝基板110的上表面的中心部分來形成黏合層125。
隨後，將影像感測器晶片120安裝於封裝基板110上。可經由黏合層125對影像感測器晶片120進行貼合且使影像感測器晶片120固定。影像感測器晶片120可包括晶片本體122、感測器124及晶片接墊126。晶片本體122可包括基板及影像感測器晶片120的配線層。感測器124可包括具有多個畫素的畫素區域Pla，且所述多個畫素可在畫素區域Pla中佈置成二維陣列結構。畫素區域Pla中的所述多個畫素中的每一者可包括形成於基板中的PD。感測器124可佈置於影像感測器晶片120的中心部分處。晶片接墊126可佈置於影像感測器晶片120的周邊區域PEa中。晶片接墊126可在第二方向（y方向）上在影像感測器晶片120在第一方向（x方向）上的兩個側上佈置於周邊區域PEa的外部分處。
參照圖8C，執行配線結合製程，所述配線結合製程經由結合配線130將影像感測器晶片120的晶片接墊126連接至封裝基板110的與晶片接墊126對應的上部基板接墊113。可使用例如毛細管（capillary）來執行配線結合製程。藉由配線結合製程，結合配線130的第一端部可連接至晶片接墊126且結合配線130的第二端部可連接至上部基板接墊113。在製造影像感測器封裝的方法中，結合配線130可包含例如Au。然而，結合配線130的材料並非僅限於Au。
參照圖8D，在影像感測器晶片120的上表面上形成擋壩160。可藉由使用分配器的分配方法來形成擋壩160。如圖1B中所示，擋壩160可被形成為環繞影像感測器晶片120的上表面的外部分且具有矩形環形狀。擋壩160可覆蓋影像感測器晶片120的晶片接墊126及結合配線130的連接至晶片接墊126的第一端部。擋壩160可被形成為包括位於擋壩160的下部部分處的SRL 161以及位於擋壩160的上部部分處的本體層163的結構。參照圖9A至圖11C更詳細地闡述形成擋壩160的更具體的方法。
參照圖8E，將透明蓋140堆疊於擋壩160上。舉例而言，可在施加熱量及壓力的同時執行透明蓋140在擋壩160上的堆疊。擋壩160可藉由黏度而貼合至透明蓋140且可對空腔C進行密封。如以上所闡述，透明蓋140及擋壩160對空腔C進行密封，使得可防止濕氣或外來物質自外部被引入至影像感測器晶片120的感測器124。
參照圖8F，可在封裝基板110上塗覆密封材料150，以對影像感測器晶片120、結合配線130及透明蓋140進行密封。密封材料150可覆蓋影像感測器晶片120的側表面及擋壩160的側表面。密封材料150可覆蓋透明蓋140的側表面以及下表面的一部分。密封材料150可防止影像感測器晶片120的感測器124被外部的外來物質污染，且亦可保護影像感測器封裝100免受外部衝擊。
隨後將外部連接端子180（參照圖7）貼合於位於封裝基板110的下表面上的下部基板接墊115上。外部連接端子180可為例如焊料球。可對一同包括所述多個封裝基板110的大面積基板執行參照圖8A至圖8F闡述的製程。因此，在形成外部連接端子180之後，可對所述大面積基板執行單體化製程。在執行單體化製程之後，便可完成圖1A所示影像感測器封裝100。
圖9A至圖9C是根據實例性實施例的更詳細地示出形成圖8D中所示的擋壩的製程的剖視圖。將參照圖2B給出說明，且簡要給出或省略前面參照圖2A及圖2B給出的說明。
參照圖9A，在製造影像感測器封裝100的方法中，形成圖8D所示擋壩160的製程包括在影像感測器晶片120的晶片本體122上形成擋壩壁165。可將兩個擋壩壁165形成為在第一方向（x方向）或第二方向（y方向）上與擋壩160的形狀對應地延伸且在與延伸方向垂直的方向（例如，第二方向（y方向）或第一方向（x方向））上彼此間隔開特定距離。在下文中將擋壩160闡述為具有在第二方向（y方向）上延伸的部分。所述兩個擋壩壁165之間在第一方向（x方向）上的間隔可具有第二寬度W2。第二寬度W2可為例如350微米或小於350微米。然而，所述兩個擋壩壁165之間的間隔並非僅限於此。
可藉由使用分配器的分配方法來形成擋壩壁165。另外，藉由使用UV照射執行快速固化，擋壩壁165可在與延伸方向垂直的方向上具有非常薄的寬度。擋壩壁165可包含上述環氧樹脂。然而，擋壩壁165的材料並非僅限於環氧樹脂。
參照圖9B，在形成所述兩個擋壩壁165之後，在晶片本體122上及所述兩個擋壩壁165之間形成SRL 161。SRL 161亦可在第二方向（y方向）上與擋壩160的形狀對應地延伸。當所述兩個擋壩壁165中的每一者的寬度非常薄時，SRL 161在第一方向（x方向）上的寬度可實質上等於第二寬度W2。如圖9B中所示，SRL 161在第三方向（z方向）上的厚度可小於擋壩壁165的厚度。另外，SRL 161可具有其中SRL 161在第一方向（x方向）上的中心為厚的且SRL 161的兩個側上的外部分為薄的形狀。然而，根據實例性實施例，SRL 161亦可在第一方向（x方向）上具有均勻的厚度。
可藉由使用分配器的分配方法來形成SRL 161。如以上所闡述，SRL 161可包含具有較本體層163的黏度低的黏度的材料。舉例而言，SRL 161可包含矽酮系材料。
參照圖9C，在形成SRL 161之後，在SRL 161上形成本體層163。本體層163可佔據擋壩160的大多數部分且可在第二方向（y方向）上與擋壩160的形狀對應地延伸。本體層163在第一方向（x方向）上的寬度可具有第一寬度W1。第一寬度W1可為例如300微米或小於300微米。然而，本體層163的第一寬度W1並非僅限於此。
可藉由使用分配器的分配方法來形成本體層163。本體層163可包含例如環氧樹脂。然而，本體層163的材料並非僅限於環氧樹脂。可藉由三個操作的固化製程來使本體層163固化。三個操作的固化製程與前面參照圖1A所闡述者相同。在形成本體層163時，可在本體層163的下部部分處形成擋壩支腳D-F。可藉由形成本體層163而完成圖1A所示影像感測器封裝100的擋壩160。
圖10A至圖10C是根據實例性實施例的更詳細地示出形成圖8D中所示的擋壩的製程的剖視圖。將參照圖3B給出說明，且簡要給出或省略前面參照圖3A、圖3B及圖9A至圖9C給出的說明。
參照圖10A，在製造影像感測器封裝100a的方法中，形成圖8D所示擋壩160a的製程包括在影像感測器晶片120的晶片本體122上形成第一SRL 161-1。第一SRL 161-1可在第一方向（x方向）或第二方向（y方向）上與擋壩160a的形狀對應地延伸。在下文中將擋壩160a闡述為具有在第二方向（y方向）上延伸的部分。
第一SRL 161-1的寬度可在第一方向（x方向）上具有第一寬度W1’。第一寬度W1’可為例如250微米或小於250微米。然而，第一SRL 161-1的第一寬度W1’並非僅限於此。
可藉由使用分配器的分配方法來形成第一SRL 161-1。第一SRL 161-1可具有較本體層163a的黏度低的黏度。然而，第一SRL 161-1可具有較隨後欲形成的第二SRL 161-2的黏度大的黏度。舉例而言，第一SRL 161-1可包含矽酮系材料。然而，第一SRL 161-1的材料並非僅限於矽酮系材料。舉例而言，第一SRL 161-1可包含環氧樹脂，且可對環氧樹脂中所包含的填料的成分或成分比率進行調整以降低第一SRL 161-1的黏度。
參照圖10B，在形成第一SRL 161-1之後，在第一SRL 161-1上形成第二SRL 161-2。在第一方向（x方向）上，第二SRL 161-2可具有較第一SRL 161-1的寬度大的寬度。舉例而言，第二SRL 161-2在第一方向（x方向）上可具有第三寬度W3，且第三寬度W3可為350微米或小於350微米。然而，第二SRL 161-2的第三寬度W3並非僅限於此。如圖10B中所示，第二SRL 161-2可完全覆蓋第一SRL 161-1。另外，第二SRL 161-2在第一方向（x方向）上的部分可覆蓋晶片本體122的上表面。
可藉由使用分配器的分配方法來形成第二SRL 161-2。第二SRL 161-2可具有較本體層163a的黏度低的黏度。另外，第二SRL 161-2可具有較第一SRL 161-1的黏度低的黏度。舉例而言，第二SRL 161-2可包含矽酮系材料，且可藉由對矽酮系材料中所包含的填料的成分或成分比率進行調整而具有較第一SRL 161-1的黏度低的黏度。第二SRL 161-2的材料並非僅限於矽酮系材料。舉例而言，第二SRL 161-2可包含環氧樹脂，且可藉由對環氧樹脂中所包含的填料的成分或成分比率進行調整而具有所需的黏度。可藉由形成第二SRL 161-2來完成SRL 161a。
參照圖10C，在形成SRL 161a之後，在SRL 161a上形成本體層163a。本體層163a可佔據擋壩160a的大多數部分，且可在第二方向（y方向）上與擋壩160a的形狀對應地延伸。本體層163a在第一方向（x方向）上的寬度可具有第一寬度W1’。第一寬度W1’可為例如250微米或小於250微米且可實質上相同於第一SRL 161-1的寬度。然而，本體層163a的第一寬度W1’並非僅限於此。另外，本體層163a在第一方向（x方向）上的寬度亦可不同於第一SRL 161-1的寬度。
可藉由使用分配器的分配方法來形成本體層163a。本體層163a可包含例如環氧樹脂。然而，本體層163a的材料並非僅限於環氧樹脂。可藉由三個操作的固化製程來使本體層163a固化。三個操作的固化製程與前面參照圖1A所闡述者相同。在形成本體層163a時，可在本體層163a的下部部分處形成擋壩支腳D-F。可藉由形成本體層163a而完成圖3B所示影像感測器封裝100a的擋壩160a。
圖11A至圖11C是根據實例性實施例的更詳細地示出形成圖8D中所示的擋壩的製程的剖視圖。將參照圖4B給出說明，且簡要給出或省略前面參照圖4A、圖4B及圖9A至圖10C給出的說明。
參照圖11A，在製造影像感測器封裝100b的方法中，形成圖8D所示擋壩160b的製程包括在影像感測器晶片120的晶片本體122上形成第一SRL 161-1a。第一SRL 161-1a可在第一方向（x方向）或第二方向（y方向）上與擋壩160b的形狀對應地延伸。在下文中將擋壩160b闡述為具有在第二方向（y方向）上延伸的部分。
第一SRL 161-1a的寬度可在第一方向（x方向）上具有第四寬度W4。第四寬度W4可為例如150微米或小於150微米。然而，第一SRL 161-1a的第四寬度W4並非僅限於此。
可藉由使用分配器的分配方法來形成第一SRL 161-1a。第一SRL 161-1a可具有較本體層163b的黏度低的黏度。然而，第一SRL 161-1a可具有較隨後欲形成的第二SRL 161-2a的黏度大的黏度。舉例而言，第一SRL 161-1a可包含矽酮系材料。然而，第一SRL 161-1a的材料並非僅限於矽酮系材料。舉例而言，第一SRL 161-1a可包含環氧樹脂，且可對環氧樹脂中所包含的填料的成分或成分比率進行調整以降低第一SRL 161-1a的黏度。
參照圖11B，在形成第一SRL 161-1a之後，在第一SRL 161-1a上形成第二SRL 161-2a。在第一方向（x方向）上，第二SRL 161-2a可具有較第一SRL 161-1a的寬度大的寬度。舉例而言，第二SRL 161-2a在第一方向（x方向）上可具有第五寬度W5，且第五寬度W5可為200微米或小於200微米。然而，第五寬度W5並非僅限於此。如圖11B中所示，第二SRL 161-2a可完全覆蓋第一SRL 161-1a。另外，第二SRL 161-2a在第一方向（x方向）上的部分可覆蓋晶片本體122的上表面。
可藉由使用分配器的分配方法來形成第二SRL 161-2a。第二SRL 161-2a可具有較本體層163b的黏度低的黏度。另外，第二SRL 161-2a可具有較第一SRL 161-1a的黏度低的黏度。舉例而言，第二SRL 161-2a可包含矽酮系材料，且可藉由對矽酮系材料中所包含的填料的成分或成分比率進行調整而具有較第一SRL 161-1a的黏度低的黏度。第二SRL 161-2a的材料並非僅限於矽酮系材料。舉例而言，第二SRL 161-2a亦可包含環氧樹脂，且可藉由對環氧樹脂中所包含的填料的成分或成分比率進行調整而具有所需的黏度。可藉由形成第二SRL 161-2a而完成SRL 161b。
參照圖11C，在形成SRL 161b之後，在SRL 161b上形成本體層163b。本體層163b可佔據擋壩160b的大多數部分，且可在第二方向（y方向）上與擋壩160b的形狀對應地延伸。本體層163b在第一方向（x方向）上的寬度可具有第一寬度W1”。第一寬度W1”可為例如350微米或小於350微米。然而，本體層163b的第一寬度W1”並非僅限於此。如圖11C中所示，本體層163b可完全覆蓋SRL 161b。另外，本體層163b在第一方向（x方向）上的部分可覆蓋晶片本體122的上表面。
可藉由使用分配器的分配方法來形成本體層163b。本體層163b可包含例如環氧樹脂。然而，本體層163b的材料並非僅限於環氧樹脂。可藉由三個操作的固化製程來使本體層163b固化。三個操作的固化製程與前面參照圖1A所闡述者相同。可藉由形成本體層163b而完成圖4B所示影像感測器封裝100b的擋壩160b。
儘管已具體示出並闡述了實例性實施例的各態樣，然而應理解，可在不背離以下申請專利範圍的精神及範圍的條件下對其進行形式及細節上的各種改變。
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g:影像感測器封裝 110、110a、110b、110c:封裝基板 111:基板本體 113、113a、113b、113c:上部基板接墊 115:下部基板接墊 117d:保護層/下部保護層 117u:保護層/上部保護層 120、120a:影像感測器晶片 122:晶片本體 122-1:基板 122-3:多材料層 122-5:晶片保護層 124:感測器 125:黏合層 126、126a:晶片接墊 130、130a:結合配線 140:透明蓋 142:塗層 150、150a:密封材料 160、160a、160b:擋壩 161、161a、161b:應力鬆弛層（SRL） 161-1、161-1a:第一SRL 161-2、161-2a:第二SRL 163、163a、163b:本體層 165:擋壩壁 180:外部連接端子 500:相機外部部分 510:外部基板 520:殼體 530:濾光片 540:透鏡 1000:相機裝置 A:放大區 C:空腔 D-F:擋壩支腳 D1:第一距離 G:凹槽 I-I’、II-II’、III-III’:線 L1:第一長度 P1:第一節距 P2:第二節距 PEa:周邊區域 Pla:畫素區域 W1:第一寬度/寬度 W1'、W1'':第一寬度 W2:第二寬度 W3:第三寬度 W4:第四寬度 W5:第五寬度 x、y、z:方向
藉由結合附圖閱讀以下對實例性實施例的說明，將更清楚地理解本揭露的以上及其他態樣及特徵，在附圖中： 圖1A及圖1B分別是根據實例性實施例的影像感測器封裝的剖視圖及平面圖。 圖2A及圖2B分別是示出圖1A所示影像感測器封裝中的放大擋壩部分的平面圖及剖視圖。 圖3A及圖3B分別是示出圖1A所示影像感測器封裝中的放大擋壩部分的平面圖及剖視圖。 圖4A及圖4B分別是示出圖1A所示影像感測器封裝中的放大擋壩部分的平面圖及剖視圖。 圖5A及圖5B是根據實例性實施例的影像感測器封裝的平面圖。 圖6A、圖6B及圖6C是根據實例性實施例的影像感測器封裝的剖視圖。 圖7是根據實例性實施例的包括影像感測器封裝的相機裝置的剖視圖。 圖8A、圖8B、圖8C、圖8D、圖8E及圖8F是根據實例性實施例的示意性地示出製造圖1A所示影像感測器封裝的製程的剖視圖。 圖9A、圖9B及圖9C是根據實例性實施例的更詳細地示出形成圖8D中所示的擋壩的製程的剖視圖。 圖10A、圖10B及圖10C是根據實例性實施例的更詳細地示出形成圖8D中所示的擋壩的製程的剖視圖。 圖11A、圖11B及圖11C是根據實例性實施例的更詳細地示出形成圖8D中所示的擋壩的製程的剖視圖。
100:影像感測器封裝
110:封裝基板
111:基板本體
113:上部基板接墊
115:下部基板接墊
117d:保護層/下部保護層
117u:保護層/上部保護層
120:影像感測器晶片
122:晶片本體
124:感測器
125:黏合層
126:晶片接墊
130:結合配線
140:透明蓋
150:密封材料
160:擋壩
180:外部連接端子
C:空腔
D1:第一距離
L1:第一長度
x、y、z:方向

Claims (20)

  1. 一種影像感測器封裝，包括： 封裝基板； 影像感測器晶片，設置於所述封裝基板上且包括畫素區域及環繞所述畫素區域的周邊區域； 擋壩，位於所述周邊區域中，所述擋壩環繞所述畫素區域；以及 透明蓋，設置於所述擋壩上且覆蓋所述影像感測器晶片的上部部分， 其中所述擋壩包括應力鬆弛層（SRL）及位於所述應力鬆弛層上的本體層，且所述應力鬆弛層具有較所述本體層的黏度低的黏度。
  2. 如請求項1所述的影像感測器封裝，更包括位於所述上部部分所述影像感測器上的晶片接墊， 其中所述擋壩覆蓋所述影像感測器晶片。
  3. 如請求項1所述的影像感測器封裝，其中所述應力鬆弛層沿著與所述擋壩的延伸方向垂直的第一方向位於所述擋壩的兩個擋壩壁之間。
  4. 如請求項3所述的影像感測器封裝，其中所述本體層具有較所述兩個擋壩壁之間在所述第一方向上的間隔小的寬度，且 其中所述擋壩更包括位於所述本體層的下部部分處的擋壩支腳。
  5. 如請求項1所述的影像感測器封裝，其中所述應力鬆弛層包括第一應力鬆弛層及第二應力鬆弛層，且 其中所述第一應力鬆弛層具有較所述第二應力鬆弛層的黏度大的黏度。
  6. 如請求項5所述的影像感測器封裝，其中在與所述擋壩的延伸方向垂直的第一方向上，所述第二應力鬆弛層的寬度大於所述本體層的寬度。
  7. 如請求項5所述的影像感測器封裝，其中在與所述擋壩的延伸方向垂直的第一方向上，所述第二應力鬆弛層的寬度小於所述本體層的寬度。
  8. 如請求項7所述的影像感測器封裝，其中在所述第一方向上，所述第二應力鬆弛層的所述寬度大於所述第一應力鬆弛層的寬度， 其中所述第二應力鬆弛層完全覆蓋所述第一應力鬆弛層，且 其中所述本體層完全覆蓋所述第二應力鬆弛層。
  9. 如請求項1所述的影像感測器封裝，其中所述影像感測器晶片包括形成於所述影像感測器晶片的上表面上的SiO 2膜， 其中所述擋壩形成於所述SiO 2膜上，且 其中所述應力鬆弛層包含使所述擋壩的所述本體層與所述SiO 2膜之間的熱膨脹係數（CTE）差異減小的材料。
  10. 一種影像感測器封裝，包括： 封裝基板，包括基板接墊及外部連接端子； 影像感測器晶片，設置於所述封裝基板上且包括畫素區域及環繞所述畫素區域的周邊區域； 擋壩，環繞所述畫素區域且覆蓋所述影像感測器晶片的晶片接墊； 透明蓋，位於所述擋壩上且與所述影像感測器晶片的上表面間隔開；以及 結合配線，對所述晶片接墊與所述基板接墊進行電性連接， 其中所述擋壩包括應力鬆弛層（SRL）及位於所述應力鬆弛層上的本體層，且所述應力鬆弛層具有較所述本體層的黏度低的黏度。
  11. 如請求項10所述的影像感測器封裝，其中所述外部連接端子具有球柵陣列（BGA）結構，且 其中所述擋壩覆蓋所述結合配線的連接至所述晶片接墊的端部。
  12. 如請求項10所述的影像感測器封裝，其中所述應力鬆弛層沿著與所述擋壩的延伸方向垂直的第一方向位於所述擋壩的兩個擋壩壁之間。
  13. 如請求項10所述的影像感測器封裝，其中所述應力鬆弛層包括第一應力鬆弛層及第二應力鬆弛層，且 其中所述第一應力鬆弛層具有較所述第二應力鬆弛層的黏度大的黏度。
  14. 一種製造影像感測器封裝的方法，所述方法包括： 提供封裝基板； 在所述封裝基板上安裝影像感測器晶片，所述影像感測器晶片包括畫素區域及環繞所述畫素區域的周邊區域； 使用結合配線對所述影像感測器晶片的晶片接墊與所述封裝基板的基板接墊進行連接； 在所述周邊區域中形成擋壩，所述擋壩具有矩形環形狀且環繞所述畫素區域； 將透明蓋貼合至所述擋壩，以使所述透明蓋與所述影像感測器晶片的上表面間隔開且覆蓋所述影像感測器晶片； 在所述封裝基板上形成密封材料，所述密封材料對所述影像感測器晶片進行密封且覆蓋所述透明蓋的側表面；以及 在所述封裝基板的下表面上形成外部連接端子， 其中所述擋壩包括應力鬆弛層（SRL）及位於所述應力鬆弛層上的本體層，且所述應力鬆弛層具有較所述本體層的黏度低的黏度。
  15. 如請求項14所述的方法，其中所述形成所述擋壩包括將所述擋壩形成為覆蓋所述晶片接墊及所述結合配線的連接至所述晶片接墊的端部，且 其中所述外部連接端子具有球柵陣列（BGA）結構。
  16. 如請求項14所述的方法，其中所述形成所述擋壩包括： 在所述周邊區域中形成所述應力鬆弛層；以及 在所述應力鬆弛層上形成所述本體層。
  17. 如請求項16所述的方法，其中所述形成所述擋壩更包括在形成所述應力鬆弛層之前在所述擋壩的在與所述擋壩的延伸方向垂直的第一方向上的兩個側上形成兩個擋壩壁，且 其中所述應力鬆弛層形成於所述兩個擋壩壁之間。
  18. 如請求項14所述的方法，其中所述應力鬆弛層包括第一應力鬆弛層及第二應力鬆弛層，所述第二應力鬆弛層具有較所述第一應力鬆弛層的黏度低的黏度，且 其中所述形成所述擋壩包括： 在所述周邊區域中形成所述第一應力鬆弛層； 在所述第一應力鬆弛層上形成所述第二應力鬆弛層；以及 在所述第二應力鬆弛層上形成所述本體層。
  19. 如請求項18所述的方法，其中所述形成所述第二應力鬆弛層包括：將所述第二應力鬆弛層形成為具有較所述第一應力鬆弛層的寬度大的寬度且在與所述擋壩的延伸方向垂直的第一方向上完全覆蓋所述第一應力鬆弛層，且 其中所述形成所述本體層包括將所述本體層形成為在所述第一方向上具有與所述第一應力鬆弛層的所述寬度實質上相等的寬度且位於所述應力鬆弛層上。
  20. 如請求項18所述的方法，其中所述形成所述第二應力鬆弛層包括將所述第二應力鬆弛層形成為具有較所述第一應力鬆弛層的寬度大的寬度且在與所述擋壩的延伸方向垂直的第一方向上完全覆蓋所述第一應力鬆弛層，且 其中所述形成所述本體層包括在所述周邊區域中在所述第二應力鬆弛層上將所述本體層形成為具有較所述第二應力鬆弛層的寬度大的寬度且在所述第一方向上完全覆蓋所述第二應力鬆弛層。
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