CN117637780A - 图像传感器封装件和制造该图像传感器封装件的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了具有改善的可靠性的图像传感器封装件和制造该图像传感器封装件的方法。所述图像传感器封装件包括：封装基底；图像传感器芯片，设置在封装基底上，并且包括像素区域和围绕像素区域的外围区域；坝状件，在外围区域中，坝状件具有矩形环形状并围绕像素区域；透明盖，设置在坝状件上，并且覆盖图像传感器芯片的上部；以及密封材料，密封图像传感器芯片，并且覆盖透明盖的侧表面。坝状件包括应力驰豫层(SRL)和在SRL上的主体层，并且SRL的粘度低于主体层的粘度。

Description

图像传感器封装件和制造该图像传感器封装件的方法
本申请基于并要求于2022年8月30日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0109491号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种图像传感器，并且更具体地，涉及一种图像传感器封装件和制造该图像传感器封装件的方法。
背景技术
图像传感器封装件是相机设备的核心组件，并且可以用于包括通用相机、便携式终端(诸如移动电话和平板电脑)和车辆的各种领域。这种图像传感器封装件可以具有各种封装结构，诸如板上芯片(COB)封装件、柔性印刷电路板(PCB)上芯片(COF)封装件、玻璃上芯片(COG)封装件、晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)、图像传感器球栅阵列(IBGA)封装件、塑料无引线芯片载体(PLCC)封装件等。可以通过将图像传感器安装在封装基底上并将透明层接合到图像传感器的上部来形成广泛应用于车辆的具有IBGA结构的图像传感器封装件。
发明内容
示例实施例提供了一种具有改善的可靠性的图像传感器封装件和制造该图像传感器封装件的方法。
示例实施例限于此，并且本领域技术人员可以通过下面的内容清楚地理解其他目的。
根据示例实施例的一方面，一种图像传感器封装件包括：封装基底；图像传感器芯片，设置在封装基底上，并且包括像素区域和围绕像素区域的外围区域；坝状件，在外围区域中，坝状件具有矩形环形状并围绕像素区域；透明盖，设置在坝状件上，并且覆盖图像传感器芯片的上部；以及密封材料，密封图像传感器芯片，并且覆盖透明盖的侧表面。坝状件包括应力驰豫层(SRL)和在SRL上的主体层，并且SRL的粘度低于主体层的粘度。
根据示例实施例的另一方面，一种图像传感器封装件包括：封装基底，包括基底垫和外部连接端子；图像传感器芯片，设置在封装基底上，并且包括像素区域和围绕像素区域的外围区域；坝状件，围绕像素区域，并且覆盖图像传感器芯片的芯片垫；透明盖，在坝状件上，并且与图像传感器芯片的上表面间隔开；接合布线，将芯片垫和基底垫电连接；以及密封材料，在封装基底上，并且密封图像传感器芯片的侧表面和透明盖的侧表面。坝状件包括SRL和在SRL上的主体层，并且SRL的粘度低于主体层的粘度。
根据示例实施例的另一方面，一种制造图像传感器封装件的方法包括：提供封装基底；将图像传感器芯片安装在封装基底上，图像传感器芯片包括像素区域和围绕像素区域的外围区域；用接合布线将图像传感器芯片的芯片垫和封装基底的基底垫连接；在外围区域中形成坝状件，坝状件具有矩形环形状并且围绕所述像素区域；将透明盖附着到坝状件以与图像传感器芯片的上表面间隔开并覆盖图像传感器芯片；在封装基底上形成密封材料，密封材料密封图像传感器芯片并覆盖透明盖的侧表面；以及在封装基底的下表面上形成外部连接端子。坝状件包括SRL和在SRL上的主体层，并且SRL的粘度低于主体层的粘度。
附图说明
通过以下结合附图对示例实施例的描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面和特征，在附图中：
图1A和图1B分别是根据示例实施例的图像传感器封装件的剖视图和平面图；
图2A和图2B分别是示出图1A的图像传感器封装件中的坝状件部分的放大的平面图和剖视图；
图3A和图3B分别是示出图1A的图像传感器封装件中的坝状件部分的放大的平面图和剖视图；
图4A和图4B分别是示出图1A的图像传感器封装件中的坝状件部分的放大的平面图和剖视图；
图5A和图5B是根据示例实施例的图像传感器封装件的平面图；
图6A、图6B和图6C是根据示例实施例的图像传感器封装件的剖视图；
图7是根据示例实施例的包括图像传感器封装件的相机设备的剖视图；
图8A、图8B、图8C、图8D、图8E和图8F是示意性地示出根据示例实施例的制造图1A的图像传感器封装件的工艺的剖视图；
图9A、图9B和图9C是更详细地示出根据示例实施例的形成图8D中所示的坝状件的工艺的剖视图；
图10A、图10B和图10C是更详细地示出根据示例实施例的形成图8D中所示的坝状件的工艺的剖视图；以及
图11A、图11B和图11C是更详细地示出根据示例实施例的形成图8D中所示的坝状件的工艺的剖视图。
具体实施方式
将参照附图描述示例实施例。在整个说明书中，同样的组件由同样的附图标记表示，并且省略其重复描述。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表达在一列元件之后时修饰整列元件，而不修饰该列中的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”应理解为包括仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、或a、b和c全部。将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。
图1A和图1B分别是根据示例实施例的图像传感器封装件的剖视图和平面图，并且在平面图中省略了透明盖和密封材料。
参照图1A和图1B，根据示例实施例的图像传感器封装件100可以包括封装基底110、图像传感器芯片120、接合布线130、透明盖140、密封材料150和坝状件160。
封装基底110在平面图中可以具有矩形形状。在图像传感器封装件100中，封装基底110可以具有例如在第一方向(x方向)上的长度比在第二方向(y方向)上的长度长的矩形形状。然而，根据示例实施例，封装基底110可以具有正方形形状。封装基底110可以沿长方向(即，第一方向(x方向))具有第一长度L1。第一长度L1可以是例如8.0mm或更小。然而，第一长度L1不限于此。另外，封装基底110上的密封材料150的侧表面可以被封装基底110的侧表面限制。因此，图像传感器封装件100的平面尺寸总体上可以由封装基底110的尺寸确定。
封装基底110可以包括基底主体111、上基底垫(pad，或称为“焊盘”)113、下基底垫115以及保护层117u和117d。基底主体111可以占据封装基底110的大部分并且形成封装基底110的外部形状。封装基底110可以包括各种材料。例如，根据封装基底110的类型，基底主体111可以包括硅、陶瓷、有机材料、玻璃、环氧树脂等。在图像传感器封装件100中，封装基底110可以是基于环氧树脂的印刷电路板(PCB)。然而，封装基底110不限于PCB。可以在基底主体111上形成单层或多层布线。布线可以在基底主体111的上表面和下表面上和/或基底主体111内部。上基底垫113和下基底垫115可以通过布线彼此电连接。
上基底垫113可以在封装基底110的上表面(即，基底主体111的上表面)上，并且可以连接到基底主体111的布线。上基底垫113可以沿着安装在封装基底110上的图像传感器芯片120的两个侧表面布置。另外，上基底垫113可以通过接合布线130电连接到图像传感器芯片120中的对应的芯片垫126。
上基底垫113可以布置在封装基底110的沿第一方向(x方向)的两个外周部分上。此外，上基底垫113可以沿第二方向(y方向)布置。如图1B中所示，上基底垫113可以沿第二方向(y方向)布置成一行。然而，根据示例实施例，上基底垫113可以沿第二方向(y方向)布置成至少两行。
下基底垫115可以在封装基底110的下表面(即，基底主体111的下表面)上，并且可以连接到基底主体111的布线。下基底垫115可以布置在封装基底110的沿第一方向(x方向)的两个外周部分上。另外，下基底垫115可以沿第二方向(y方向)布置成三行。然而，下基底垫115的布置结构不限于此。例如，下基底垫115可以布置成两行或至少四行。另外，下基底垫115也可以遍及封装基底110的整个下表面布置成二维阵列结构。
保护层117u和117d可以通过覆盖基底主体111的上表面和下表面来保护基底主体111及其布线。保护层117u和117d可以包括在基底主体111的上表面上的上保护层117u和在基底主体111的下表面上的下保护层117d。保护层117u和117d可以包括例如阻焊剂(SR)。然而，保护层117u和117d的材料不限于SR。上基底垫113可以延伸穿过上保护层117u并从上保护层117u暴露，并且下基底垫115可以延伸穿过下保护层117d并从下保护层117d暴露。
外部连接端子180可以在下基底垫115上。外部连接端子180可以包括例如焊球。因此，图像传感器封装件100可以对应于IBGA封装件。图像传感器封装件100可以通过外部连接端子180安装在诸如相机设备的外部基底510(参照图7)上。
图像传感器芯片120可以以布线接合结构安装在封装基底110上。因此，图像传感器芯片120的有源表面可以面向上(即，远离封装基底110)，并且其无源表面可以面向下(即，朝向封装基底110)。图像传感器芯片120可以通过粘合层125粘附并固定到封装基底110的上表面。粘合层125可以将图像传感器芯片120粘附到封装基底110，并且还可以减轻当施加外部冲击时施加到图像传感器芯片120的冲击。
图像传感器芯片120可以包括芯片主体122、传感器124和芯片垫126。芯片主体122可以包括图像传感器芯片120的基底和布线层。芯片主体122的基底可以包括例如体晶圆、外延晶圆等。外延晶圆可以包括通过外延工艺在体基底上生长的晶体材料层(即外延层)。芯片主体122的基底不限于体晶圆或外延晶圆，并且可以通过使用各种晶圆(诸如抛光晶圆、退火晶圆、绝缘体上硅(SOI)晶圆等)来形成。芯片主体122的布线层可以形成在基底的任何一个表面上。例如，布线层可以布置在传感器124下方。
传感器124可以包括具有多个像素的像素区域Pla。像素区域Pla也可以被称为有源像素传感器(APS)区域。多个像素可以在像素区域Pla中以二维阵列结构布置。另外，像素区域Pla的多个像素中的每个可以包括形成在基底中的光电二极管(PD)。PD可以通过将杂质离子注入到像素区域Pla中的离子注入工艺形成。像素区域Pla的多个像素中的每个可以吸收入射光以生成并累积与入射光的量对应的电荷，并且可以通过像素晶体管将累积的电荷传输到外部。像素晶体管例如可以包括传输晶体管、源极跟随器晶体管、复位晶体管、选择晶体管等。如图1B中所示，传感器124可以布置在图像传感器芯片120的中心部分处。图像传感器芯片120可以包括布置在像素区域Pla的上部处的滤色器和微透镜。
芯片垫126可以布置在图像传感器芯片120的外围区域PEa中。外围区域PEa可以指图像传感器芯片120的围绕传感器124的外周部分。如图1B中所示，芯片垫126可以布置在图像传感器芯片120的沿第一方向(x方向)的两侧上的外围区域PEa的外周部分处。另外，芯片垫126可以沿第二方向(y方向)布置成一行。然而，芯片垫126的布置结构不限于此。例如，芯片垫126可以布置成至少两行。芯片垫126可以电连接到图像传感器芯片120的布线层。
芯片垫126可以通过接合布线130电连接到封装基底110中的对应的上基底垫113。例如，接合布线130的第一端可以连接到芯片垫126，并且接合布线130的第二端可以连接到上基底垫113。接合布线130可以包括例如金(Au)、铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)等。在图像传感器封装件100中，接合布线130可以包括例如Au。
透明盖140可以在图像传感器芯片120上。透明盖140可以在形成在图像传感器芯片120的上表面上的坝状件160上。也就是说，透明盖140可以被布置为与图像传感器芯片120的上表面间隔开坝状件160的高度。因此，作为空的空间的腔体C可以在透明盖140和图像传感器芯片120之间。透明盖140可以包括例如透明玻璃、透明树脂或透光陶瓷。
坝状件160可以在图像传感器芯片120的上表面的外周部分上。如图1B中所示，坝状件160可以具有例如围绕图像传感器芯片120的上表面的外周部分的矩形环形状。另外，坝状件160可以覆盖图像传感器芯片120的芯片垫126。因此，坝状件160可以覆盖接合布线130的连接到芯片垫126的第一端。
坝状件160可以在图像传感器芯片120上支撑透明盖140。另外，坝状件160可以密封腔体C并阻止水分或异物从外部渗透到腔体C中。也就是说，坝状件160可以防止图像传感器芯片120(特别是传感器124)被外部水分或异物污染。
如上所述，坝状件160可以以围绕传感器124的形状(例如，矩形环形)形成在图像传感器芯片120的上表面上，支撑透明盖140，并且防止传感器124的污染。随着图像传感器芯片120的尺寸由于近来的发展而减小，作为传感器124的边缘与图像传感器芯片120的边缘之间的间距的第一距离D1减小。例如，第一距离D1从约1000μm减小到约350μm。坝状件160可以具有围绕图像传感器芯片120的最外周部分的四边形环形状(更具体地，矩形环形状)，如图1B中所示。另外，坝状件160可以覆盖布置在图像传感器芯片120的最外周部分处的芯片垫126和连接到芯片垫126的接合布线130的第一端。
由于坝状件160布置在图像传感器芯片120的最外周部分处，如图1A中所示，坝状件160的外侧表面可以几乎与图像传感器芯片120的侧表面相邻，或者可以与图像传感器芯片120的侧表面基本相同。例如，坝状件160的外侧表面可以沿着第一方向(x方向)与图像传感器芯片120的侧表面对齐。另外，透明盖140的尺寸可以大于图像传感器芯片120的尺寸。例如，透明盖140在第一方向(x方向)上的长度可以大于图像传感器芯片120在第一方向(x方向)上的长度。相应地，坝状件160的外侧表面可以被定位为相比于透明盖140的侧表面更向内。在这方面，坝状件160的外侧表面可以沿着第一方向(x方向)相对于透明盖140的侧表面偏移。然而，坝状件160的侧表面、图像传感器芯片120的侧表面和透明盖140的侧表面的结构不限于此。例如，根据示例实施例，透明盖140可以小于图像传感器芯片120。在这种结构的情况下，坝状件160的外侧表面可以几乎与透明盖140的侧表面相邻，或者可以与透明盖140的侧表面基本相同。例如，坝状件160的外侧表面可以沿着第一方向(x方向)与透明盖140的侧表面对齐。此外，坝状件160的外侧表面可以被定位为相比于图像传感器芯片120的侧表面更向内。
坝状件160可以包括应力驰豫层(SRL)161(参照图2B)和主体层163(参照图2B)。SRL 161可以在图像传感器芯片120的芯片主体122上，并且主体层163可以在SRL 161上。SRL 161可以包括能够减小主体层163与坝状件160的下面的层之间的热膨胀系数(CTE)的差异的材料。根据示例实施例，坝状件160还可以包括坝状件壁165(参照图2B)。
主体层163可以包括环氧树脂。然而，主体层163的材料不限于环氧树脂。因为环氧树脂被紫外(UV)光固化并用作粘合剂，所以可以将其称为UV胶、UV环氧胶等。SRL 161可以包括具有比主体层163的粘度低的粘度的材料。例如，SRL 161可以包括硅树脂类材料。然而，SRL 161的材料不限于硅树脂类材料。参照图2A至图4B更详细地描述坝状件160的具体结构和材料。
密封材料150可以在封装基底110上，并且可以密封图像传感器芯片120、接合布线130和透明盖140。特别地，密封材料150可以形成为从封装基底110的上表面覆盖图像传感器芯片120的侧表面和透明盖140的侧表面。另外，密封材料150可以覆盖接合布线130和坝状件160的侧表面。密封材料150和坝状件160可以防止传感器124被外部异物污染。另外，密封材料150可以保护图像传感器封装件100免受外部冲击。
密封材料150可以围绕透明盖140的整个侧表面，并且密封材料150的上表面可以相对于透明盖140的上表面具有略微的倾斜。然而，根据示例实施例，密封材料150的上表面可以与透明盖140的上表面基本共面。密封材料150可以包括例如环氧树脂模制化合物(EMC)。然而，密封材料150的材料不限于EMC。
图像传感器封装件100可以具有这样的结构，其中图像传感器芯片120通过布线接合结构安装在封装基底110上，具有矩形环形状的坝状件160布置在图像传感器芯片120的上表面的外周部分处，并且透明盖140在坝状件160上。此外，坝状件160可以包括在其下部处的SRL 161和在其上部处的主体层163，并且SRL 161可以包括具有比主体层163的粘度低的粘度的材料。根据示例实施例，由于坝状件160的结构和物理性质，图像传感器封装件100可以减轻坝状件160的下层的应力，因此，可以防止下层中的裂纹和下层之间的分层现象。结果，图像传感器封装件100可以具有大大改善的可靠性。
作为参考，当形成仅包括环氧树脂的坝状件时，可以执行三步固化工艺。例如，三步固化工艺可以包括在3J/cm2下进行UV固化的第一步、在80℃下热处理30分钟的第二步和在130℃下热处理30分钟的第三步。此外，通常，在第一步中可以发生发热和收缩，在第二步中可以发生发热，并且在第三步中可以发生膨胀。因此，在形成坝状件的三步固化工艺中，坝状件的下层受到严重的应力，因此可能发生下层中的裂纹和下层之间的分层现象。结果，可能会大大降低图像传感器封装件产品的可靠性。相反，在图像传感器封装件100中，在其下部处包括具有较低粘度的SRL 161的坝状件160可以布置在图像传感器芯片120上，因此可以解决上述所有问题。
图2A和图2B分别是图1A的图像传感器封装件中的坝状件部分的平面图和剖视图，其中，图2A是图1B的区域A的放大平面图，并且图2B是沿着图2A的线I-I'截取的剖视图。在平面图中，省略了坝状件脚部D-F部分，并且SRL 161被示出在主体层163外部。将一起参照图1A和图1B给出描述，并且将简单地给出或省略已经参照图1A和图1B给出的描述。
参照图2A和图2B，在图像传感器封装件100中，坝状件160可以包括SRL 161、主体层163和坝状件壁165。SRL 161可以在芯片主体122上，并且可以与坝状件160的形状对应地沿第一方向(x方向)或第二方向(y方向)延伸。在下文中，基于图2A，坝状件160被描述为具有沿第二方向(y方向)延伸的部分。
SRL 161可以在第三方向(z方向)上具有例如几μm至几十μm的厚度。然而，SRL 161的厚度不限于此。SRL 161可以在第一方向(x方向)上在其中心部分处具有比其两个外周部分的厚度稍大的厚度，如图2B中所示。然而，SRL 161的厚度结构不限于此。例如，SRL 161可以在第一方向(x方向)上具有均匀的厚度。
两个坝状件壁165可以分别布置在主体层163的在第一方向(x方向)上两侧上。坝状件壁165可以沿第二方向(y方向)延伸。类似于主体层163，坝状件壁165可以包括环氧树脂。SRL 161可以在两个坝状件壁165之间。如图2B中所示，两个坝状件壁165中的每个在第三方向(z方向)上可以具有例如几μm至几十μm的厚度，并且可以具有比SRL 161的厚度大的厚度。
主体层163可以在SRL 161上。此外，主体层163可以在两个坝状件壁165之间。主体层163可以在第一方向(x方向)上具有第一宽度W1。第一宽度W1可以是例如300μm或更小。然而，主体层163的第一宽度W1不限于此。坝状件脚部D-F可以形成在主体层163的下部处。在形成主体层163期间，主体层163的下部沿第一方向(x方向)略微向外展开同时可以形成坝状件脚部D-F。主体层163的第一宽度W1可以被定义为主体层163的除了坝状件脚部D-F部分之外的上部部分的宽度，并且上部部分可以具有均匀的宽度。
当坝状件160在第一方向(x方向)上具有第二宽度W2时，坝状件160的宽度可以由坝状件壁165而不是主体层163确定。例如，如图2B中所示，两个坝状件壁165的外表面之间的在第一方向(x方向)上的距离可以对应于第二宽度W2。当两个坝状件壁165中的每个在第一方向(x方向)上的宽度非常小时，例如，当两个坝状件壁165中的每个在第一方向(x方向)上的宽度为几微米或更小时，SRL 161可以在第一方向(x方向)上基本具有第二宽度W2。
如上所述，主体层163可以包括环氧树脂。像主体层163一样，坝状件壁165可以包括环氧树脂。SRL 161可以包括具有比主体层163的粘度低的黏度的硅树脂类材料。然而，SRL 161、主体层163和坝状件壁165的材料不限于此。
作为参考，关于环氧树脂和硅树脂类材料的粘度，主体层163的环氧树脂可以具有90000cps(@25℃)的粘度。SRL 161的硅树脂类材料可以具有在约40000cps至约80000cps(@25℃)范围内的粘度。此外，可以通过调节包括在硅树脂类材料中的填料的组分或组分比率来将硅树脂类材料的粘度调节至所需水平。另外，根据示例实施例，SRL 161还可以包括环氧树脂，并且可以调节填料的组分或组分比率，使得环氧树脂的粘度可以接近所需水平。
如图2B中所示，坝状件160可以在图像传感器芯片120的芯片主体122上。芯片主体122可以包括基底122-1、多材料层122-3和芯片保护层122-5。基底122-1可以包括例如硅(Si)。多材料层122-3可以包括诸如钨(W)的金属层、诸如氧化铝(Al2O3)的金属氧化物膜、光致抗蚀剂(PR)层、平坦化层等。芯片保护层122-5可以通过在像素区域Pla中包括微透镜来完全覆盖和保护芯片主体122。芯片保护层122-5可以在非常低的温度(例如300℃或更低)下通过半导体操作来形成。芯片保护层122-5可以包括例如氧化硅(SiO2)膜。如上所述，当通过三步固化工艺形成仅包括环氧树脂的坝状件时，可能发生芯片保护层122-5中的裂纹、多材料层122-3的PR层或平坦化层的分层现象等。然而，在图像传感器封装件100中，可以通过在坝状件160的下部处包括具有低粘度的SRL 161来解决上述问题。
图3A和图3B分别是图1A的图像传感器封装件中的坝状件部分的平面图和剖视图，其中，图3A是图1B的区域A的放大平面图，并且图3B是沿着图3A的线II-II'截取的剖视图。在平面图中，省略了坝状件脚部D-F部分，并且SRL 161a被示出在主体层163a外部。将一起参照图1A和图1B进行描述，并且将简要描述或省略已经参照图1A至图2B给出的内容。
参照图3A和图3B，根据示例实施例的图像传感器封装件100a可以在坝状件160a的结构方面与图2B的图像传感器封装件100不同。特别地，在图像传感器封装件100a中，坝状件160a可以包括SRL 161a和主体层163a。
SRL 161a可以在芯片主体122上，并且可以与坝状件160a的形状对应地沿第一方向(x方向)或第二方向(y方向)延伸。在下文中，基于图3A，坝状件160a被描述为具有沿第二方向(y方向)延伸的部分。
SRL 161a可以包括第一SRL 161-1和第二SRL 161-2。第一SRL 161-1和第二SRL161-2均可以具有比主体层163a的粘度低的粘度。例如，第一SRL 161-1和第二SRL 161-2均可以包括硅树脂类材料。第一SRL 161-1可以具有比第二SRL 161-2的粘度高的粘度。例如，通过调节包括在第一SRL 161-1或第二SRL 161-2中的填料的组分或组分比率，第一SRL161-1的粘度可以大于第二SRL 161-2的粘度。
如图3B中所示，在第一方向(x方向)上，第二SRL 161-2可以具有比第一SRL 161-1的宽度大的宽度。第二SRL 161-2可以完全覆盖第一SRL 161-1。例如，第二SRL 161-2可以在第一方向(x方向)上具有第三宽度W3，并且第三宽度W3可以是例如350μm或更小。另外，第一SRL 161-1可以在第一方向(x方向)上具有第一宽度W1'，并且第一宽度W1'可以是例如250μm或更小。然而，第一SRL 161-1的第一宽度W1'和第二SRL 161-2的第三宽度W3不限于此。
主体层163a可以在SRL 161a(即，第二SRL 161-2)上。主体层163a在第一方向(x方向)上可以具有与第一SRL 161-1的宽度基本相同的宽度。例如，主体层163a可以在第一方向(x方向)上具有第一宽度W1'。然而，主体层163a的第一宽度W1'不限于此。在第一方向(x方向)上，主体层163a的宽度也可以不同于第一SRL 161-1的宽度。
坝状件脚部D-F可以形成在主体层163a的下部处。如图3B中所示，坝状件脚部D-F可以完全覆盖SRL 161a的外周部分，如图3B中所示。然而，根据示例实施例，坝状件脚部D-F可以仅覆盖SRL 161a的外周部分的一部分，并且SRL 161a的最外周部分也可以从坝状件脚部D-F暴露。
图4A和图4B分别是图1A的图像传感器封装件中的坝状件部分的平面图和剖视图，其中，图4A是图1B的区域A的放大平面图，并且图4B是沿着图4A的线III-III'截取的剖视图。在平面图中，SRL 161b被主体层163b覆盖，但是为了与主体层163b进行比较而示出。将一起参照图1A和图1B进行描述，并且将简要描述或省略已经参照图1A至图3B给出的内容。
参照图4A和图4B，图像传感器封装件100b可以在坝状件160b的结构方面与图2B的图像传感器封装件100不同。具体地，在图像传感器封装件100b中，坝状件160b可以包括SRL161b和主体层163b。
SRL 161b可以在芯片主体122上，并且可以与坝状件160b的形状对应地沿第一方向(x方向)或第二方向(y方向)延伸。在下文中，基于图4A，坝状件160b被描述为具有沿第二方向(y方向)延伸的部分。
SRL 161b可以包括第一SRL 161-1a和第二SRL 161-2a。第一SRL 161-1a和第二SRL 161-2a均可以具有比主体层163b的粘度低的粘度。例如，第一SRL 161-1a和第二SRL161-2a均可以包括硅树脂类材料。第一SRL 161-1a可以具有比第二SRL 161-2a的粘度高的粘度。例如，通过调节包括在第一SRL 161-1a或第二SRL 161-2a中的填料的组分或组分比率，第一SRL 161-1a的粘度可以大于第二SRL 161-2a的粘度。
如图4B中所示，在第一方向(x方向)上，第二SRL 161-2a可以具有比第一SRL 161-1a的宽度大的宽度。此外，第二SRL 161-2a可以完全覆盖第一SRL 161-1a。例如，第二SRL161-2a可以在第一方向(x方向)上具有第五宽度W5，并且第五宽度W5可以是例如200μm或更小。此外，第一SRL 161-1a可以在第一方向(x方向)上具有第四宽度W4，并且第四宽度W4可以是例如150μm或更小。然而，第一SRL 161-1a的第四宽度W4和第二SRL 161-2a的第五宽度W5不限于此。
主体层163b可以在SRL 161b(即，第二SRL 161-2a)上。此外，在第一方向(x方向)上，主体层163b可以具有比第二SRL 161-2a的宽度大的宽度，并且可以完全覆盖SRL 161b。例如，主体层163b可以在第一方向(x方向)上具有第一宽度W1”。第一宽度W1”可以是例如350μm或更小。然而，主体层163a的第一宽度W1”不限于此。
已经描述了分别包括三种坝状件160、160a和160b的结构的图像传感器封装件100、100a和100b，但是示例实施例不限于此。例如，只要坝状件具有包括在其下部处具有低粘度的SRL和在其上部处具有主体层的结构，包括坝状件的图像传感器封装件都可以对应于示例实施例。
图5A和图5B是根据示例实施例的图像传感器封装件的平面图。下面简要地给出或省略已经参照图1A至图4B给出的描述。
参照图5A，示例实施例的图像传感器封装件100c可以在封装基底110a的上基底垫113a的布置结构及其布线接合结构方面与图1B的图像传感器封装件100不同。具体地，在图像传感器封装件100c中，上基底垫113a可以被布置为具有比图像传感器芯片120的芯片垫126的节距宽的节距。例如，上基底垫113a可以在第二方向(y方向)上具有第一节距P1，并且芯片垫126可以在第二方向(y方向)上具有小于第一节距P1的第二节距P2。作为参考，在图1B的图像传感器封装件100中，上基底垫113和芯片垫126在第二方向(y方向)上的节距可以彼此基本相同。由于上基底垫113a的第一节距P1大于芯片垫126的第二节距P2，因此布线接合结构可以具有这样的形状，其中，接合布线130a的长度在第二方向(y方向)上朝向封装基底110a的两个外周部分增大并且以扇形形状展开。
参照图5B，示例实施例的图像传感器封装件100d与图1B的图像传感器封装件100的不同之处可以在于，图像传感器封装件100d的封装基底110b具有正方形形状。此外，在图像传感器封装件100d中，图像传感器封装件100d与图1B的图像传感器封装件100的不同之处可以在于，封装基底110b的上基底垫113b和图像传感器芯片120a的芯片垫126a布置在图像传感器封装件100d的四侧，并且布线接合结构也形成在图像传感器封装件100d的四侧。
在图像传感器封装件100d中，封装基底110b在平面图中可以具有正方形形状。另外，上基底垫113b可以布置在封装基底110b的上表面的外周部分的所有四侧。在这方面，上基底垫113b可以沿第二方向(y方向)布置在封装基底110b的在第一方向(x方向)上的两侧，并且还可以沿第一方向(x方向)布置在封装基底110b的在第二方向(y方向)上的两侧。图像传感器芯片120a在平面图中也可以具有正方形形状，并且芯片垫126a可以布置在图像传感器芯片120a的上表面的外周部分的所有四侧。根据示例实施例，封装基底110b和图像传感器芯片120a中的至少一个也可以具有在一个方向(例如，第一方向(x方向))上长的矩形形状。
布线接合结构可以具有其中封装基底110b的上基底垫113b通过接合布线130连接到图像传感器芯片120a的(对应于上基底垫113b的)芯片垫126a的结构。此外，布线接合结构可以分别与上基底垫113b和芯片垫126a的布置结构对应地遍及封装基底110b和图像传感器芯片120a的所有四侧形成。
在图像传感器封装件100d中，上基底垫113b和芯片垫126a的节距可以彼此基本相同。因此，如图5B中所示，接合布线130可以沿第一方向(x方向)或第二方向(y方向)彼此平行地延伸。然而，根据示例实施例，上基底垫113b的节距可以大于芯片垫126a的节距，并且在这种情况下，布线接合结构也可以形成为其中接合布线130以扇形形状展开的形式，如图5A的图像传感器封装件100c中那样。
图6A至图6C是根据示例实施例的图像传感器封装件的剖视图。下面简要地给出或省略已经参照图1A至图5B给出的描述。
参照图6A，根据示例实施例的图像传感器封装件100e与图1A的图像传感器封装件100的不同之处可以在于，在透明盖140上还包括涂覆层142。具体地，在图像传感器封装件100e中，涂覆层142可以形成在透明盖140的下表面和侧表面上。涂覆层142可以执行各种功能。例如，涂覆层142可以阻挡红外线。当涂覆层142阻挡红外线时，也可以省略相机设备等中的阻挡红外线(IR)的IR滤光器。此外，涂覆层142可以改善透射率或防止反射。例如，涂覆层142可以是蓝色滤光器涂覆层或抗反射涂覆层。然而，涂覆层142不限于此。
参照图6B，示例实施例的图像传感器封装件100f可以在密封材料150a的结构方面与图1A的图像传感器封装件100不同。特别地，在图像传感器封装件100f中，密封材料150a可以仅覆盖透明盖140的侧表面的一部分。例如，密封材料150a可以仅覆盖透明盖140的侧表面的下部，并且透明盖140的侧表面的上部可以从密封材料150a暴露。通常，在用密封材料150a覆盖透明盖140的整个侧表面的工艺中，可能发生其中密封材料150a覆盖透明盖140的上表面的溢出缺陷。因此，可以通过使密封材料150a从开始仅覆盖透明盖140的侧表面的一部分来预先防止溢出缺陷。
参照图6C，示例实施例的图像传感器封装件100g可以在封装基底110c的结构以及根据封装基底110c的结构的图像传感器芯片120的安装结构和布线接合结构方面与图1A的图像传感器封装件100不同。具体地，在图像传感器封装件100g中，可以在封装基底110c的基底主体111a的中心部分中形成凹槽G。此外，图像传感器芯片120可以布置在凹槽G中，并且可以通过粘合层125粘附并安装在凹槽G中。
上基底垫113c可以在封装基底110c上沿第二方向(y方向)布置在其在第一方向(x方向)上的两个外周部分处。然而，当图像传感器芯片120布置在封装基底110c的凹槽G中时，图像传感器芯片120的上表面和封装基底110c的上表面可以具有类似的高度。此外，封装基底110c的上基底垫113c可以保持与图像传感器芯片120的芯片垫126的高度基本相同的高度。如上所述，由于上基底垫113c和芯片垫126保持基本相同的高度，因此上基底垫113c可以更靠近图像传感器芯片120布置，因此，可以减小接合布线130的长度，并且可以减小接合布线130的应力。
在图像传感器封装件100g中，由于图像传感器芯片120布置在封装基底110c的凹槽G中，因此透明盖140的上表面的高度可以降低凹槽G的深度，并且密封材料150的厚度也可以减小。因此，可以减小图像传感器封装件100g的整个厚度。结果，图像传感器封装件100g可以有助于实现具有薄厚度的图像传感器封装件。
图7是根据示例实施例的包括图像传感器封装件的相机设备的剖视图。将一起参照图1A给出描述，并且将简要地给出或省略先前参照图1A至图6C给出的描述。
参照图7，根据示例实施例的相机设备1000可以包括图像传感器封装件100和相机外部部分500。在相机设备1000中，图像传感器封装件100可以是图1A的图像传感器封装件100。然而，示例实施例不限于此，并且相机设备1000可以使用图3A、图4A和图5A至图6C的图像传感器封装件100a至100g中的任何一个。
相机外部部分500可以包括外部基底510、壳体520、滤光器530和透镜540。图像传感器封装件100可以通过外部连接端子180安装在外部基底510上。外部连接端子180可以是例如焊球。图像传感器封装件100可以通过焊球电连接到外部基底510。外部基底510可以包括用于执行附加功能或连接到另一设备的电路。当不需要单独制造基底时，外部基底510可以形成壳体520的一部分。
壳体520可以围绕图像传感器封装件100，并且保护图像传感器封装件100免受来自外部的物理冲击。另外，壳体520还可以通过包括电磁干扰(EMI)屏蔽材料来屏蔽干扰穿透到图像传感器封装件100中。
滤光器530可以布置在壳体520的其中布置有透镜540的入口侧处，并且可以布置成与图像传感器封装件100间隔开一定距离。滤光器530可以是例如截止红外线的滤光器(即，IR滤光器)。根据示例实施例，滤光器530可以被设置为与相机外部部分500分离的组件。此外，如上所述，当具有阻挡IR线的功能的涂覆层142形成在透明盖140上时，可以省略滤光器530。
透镜540可以位于壳体520的入口部分(即，镜筒部分)处，并且可以折射从外部引入的光以允许光入射在图像传感器封装件100上。在这方面，从外部引入的光可以通过透镜540聚焦在图像传感器封装件100的图像传感器芯片120的传感器124上。如图7中所示，多个透镜540可以布置在镜筒部分中。
根据示例实施例，相机设备1000可以应用于各种领域。例如，相机设备1000可以应用于车辆的前置摄像头和后置摄像头。在用于车辆的图像传感器封装件的领域中，在全世界范围内正在进行强制安装后置摄像头，并且除了停车辅助的作用之外，用于车辆的图像传感器封装件在自动驾驶中被链接到驾驶系统变得更加重要。因此，用于车辆的图像传感器封装件的可靠性已经成为更重要的问题。
如上所述，在相机设备1000的图像传感器封装件100中，坝状件160可以在其下部处具有SRL 161并且在其上部处具有主体层163，并且SRL 161也可以具有比主体层163的粘度低的粘度。因此，在主体层163的三步固化工艺中，减轻了施加到坝状件160的下层的应力，并且防止了诸如下层中的裂纹和下层的分层现象的缺陷，因此，可以改善图像传感器封装件100的可靠性。结果，相机设备1000可以具有高可靠性的图像传感器封装件100，并且可以有用地用于车辆的相机中。
图8A至图8F是示意性地示出根据示例实施例的制造图1A的图像传感器封装件的工艺的剖视图。
参照图8A，在根据示例实施例的制造图像传感器封装件的方法中，准备封装基底110。封装基底110可以包括基底主体111、上基底垫113、下基底垫115以及保护层117u和117d。基底主体111可以包括单层或多层布线，并且上基底垫113可以通过基底主体111的布线电连接到与其对应的下基底垫115。图8A中所示的封装基底110可以是一同包括多个封装基底110的大面积基底的一部分。
上基底垫113可以布置在封装基底110的上表面上，并且可以沿第二方向(y方向)布置在封装基底110的在第一方向(x方向)上的两侧上的外周部分处。下基底垫115可以形成在基底主体111的下表面上，并且可以布置成三行。然而，根据示例实施例，下基底垫115可以布置成两行或至少四行，或者可以遍及基底主体111的整个下表面布置成二维阵列结构。穿过保护层117u和117d的上基底垫113和下基底垫115可以分别从保护层117u和117d暴露。
参照图8B，可以通过在封装基底110的上表面上涂覆粘合剂来形成粘合层125。粘合层125可以与图像传感器芯片120的安装位置对应地形成在封装基底110的上表面的中心部分上。粘合层125可以通过经由分配器等涂覆流体粘合剂并在一定程度上固化流体粘合剂来形成，或者可以通过将粘合膜附着到封装基底110的上表面的中心部分来形成。
随后，将图像传感器芯片120安装在封装基底110上。图像传感器芯片120可以通过粘合层125进行附着和固定。图像传感器芯片120可以包括芯片主体122、传感器124和芯片垫126。芯片主体122可以包括图像传感器芯片120的基底和布线层。传感器124可以包括具有多个像素的像素区域Pla，并且多个像素可以在像素区域Pla中布置成二维阵列结构。像素区域Pla中的多个像素中的每个可以包括形成在基底中的PD。传感器124可以布置在图像传感器芯片120的中心部分处。芯片垫126可以布置在图像传感器芯片120的外围区域PEa中。芯片垫126可以沿第二方向(y方向)布置在图像传感器芯片120的在第一方向(x方向)上的两侧上的外围区域PEa的外周部分处。
参照图8C，执行通过接合布线130将图像传感器芯片120的芯片垫126连接到封装基底110的与该芯片垫126对应的上基底垫113的布线接合工艺。可以例如通过使用毛细管来执行布线接合工艺。通过布线接合工艺，接合布线130的第一端可以连接到芯片垫126，并且接合布线130的第二端可以连接到上基底垫113。在制造图像传感器封装件的方法中，接合布线130可以包括例如Au。然而，接合布线130的材料不限于Au。
参照图8D，在图像传感器芯片120的上表面上形成坝状件160。坝状件160可以通过使用分配器的分配方法形成。如图1B中所示，坝状件160可以形成为围绕图像传感器芯片120的上表面的外周部分，并且具有矩形环形状。坝状件160可以覆盖图像传感器芯片120的芯片垫126和连接到芯片垫126的接合布线130的第一端。坝状件160可以形成为在其下部处包括SRL 161并且在其上部处包括主体层163的结构。参照图9A至图11C更详细地描述形成坝状件160的更具体的方法。
参照图8E，在坝状件160上堆叠透明盖140。例如，可以在施加热和压力的同时执行透明盖140在坝状件160上的堆叠。坝状件160可以通过粘性附着到透明盖140并且可以密封腔体C。如上所述，透明盖140和坝状件160密封腔体C，使得可以防止水分或异物从外部引入到图像传感器芯片120的传感器124。
参照图8F，可以在封装基底110上涂覆密封材料150以密封图像传感器芯片120、接合布线130和透明盖140。密封材料150可以覆盖图像传感器芯片120的侧表面和坝状件160的侧表面。密封材料150可以覆盖透明盖140的侧表面和下表面的一部分。密封材料150可以防止图像传感器芯片120的传感器124被外部异物污染，并且还可以保护图像传感器封装件100免受外部冲击。
随后，将外部连接端子180(参照图7)附着在封装基底110的下表面上的下基底垫115上。外部连接端子180可以是例如焊球。可以对一同包括多个封装基底110的大面积基底执行参照图8A至图8F描述的工艺。因此，在形成外部连接端子180之后，可以在大面积基底上执行切单工艺。在执行切单工艺之后，可以完成图1A的图像传感器封装件100。
图9A至图9C是更详细地示出根据示例实施例的形成图8D中所示的坝状件的工艺的剖视图。将参照图2B给出描述，并且简要地给出或省略先前参照图2A和图2B给出的描述。
参照图9A，在制造图像传感器封装件100的方法中，形成图8D的坝状件160的工艺包括在图像传感器芯片120的芯片主体122上形成坝状件壁165。两个坝状件壁165可以与坝状件160的形状对应地形成为沿第一方向(x方向)或第二方向(y方向)延伸，并且在垂直于延伸方向的方向(例如，第二方向(y方向)或第一方向(x方向))上彼此间隔开一定距离。在下文中，坝状件160被描述为具有在第二方向(y方向)上延伸的部分。两个坝状件壁165之间在第一方向(x方向)上的间距可以具有第二宽度W2。第二宽度W2可以是例如350μm或更小。然而，两个坝状件壁165之间的间距不限于此。
坝状件壁165可以通过使用分配器的分配方法形成。此外，通过经由UV辐射执行快速固化，坝状件壁165可以在垂直于延伸方向的方向上具有非常薄的宽度。坝状件壁165可以包括如上所述的环氧树脂。然而，坝状件壁165的材料不限于环氧树脂。
参照图9B，在形成两个坝状件壁165之后，在芯片主体122上并且在两个坝状件壁165之间形成SRL 161。SRL 161也可以与坝状件160的形状对应地沿第二方向(y方向)延伸。当两个坝状件壁165中的每个的宽度非常薄时，SRL 161在第一方向(x方向)上的宽度可以基本等于第二宽度W2。如图9B中所示，SRL 161在第三方向(z方向)上的厚度可以小于坝状件壁165的厚度。此外，SRL 161可以具有其在第一方向(x方向)上的中心厚并且其两侧上的外周部分薄的形状。然而，根据示例实施例，SRL 161也可以在第一方向(x方向)上具有均匀的厚度。
SRL 161可通过使用分配器的分配方法形成。如上所述，SRL 161可以包括具有比主体层163的粘度低的粘度的材料。例如，SRL 161可以包括硅树脂类材料。
参照图9C，在形成SRL 161之后，在SRL 161上形成主体层163。主体层163可以占据坝状件160的大部分，并且可以与坝状件160的形状对应地沿第二方向(y方向)延伸。主体层163在第一方向(x方向)上的宽度可以具有第一宽度W1。第一宽度W1可以是例如300μm或更小。然而，主体层163的第一宽度W1不限于此。
主体层163可以通过使用分配器的分配方法形成。主体层163可以包括例如环氧树脂。然而，主体层163的材料不限于环氧树脂。主体层163可以通过三步固化工艺进行固化。三步固化工艺与先前参照图1A描述的相同。当形成主体层163时，可以在主体层163的下部处形成坝状件脚部D-F。通过形成主体层163，可以完成图1A的图像传感器封装件100的坝状件160。
图10A至图10C是更详细地示出根据示例实施例的形成图8D中所示的坝状件的工艺的剖视图。将参照图3B给出描述，并且简要地给出或省略先前参照图3A、图3B和图9A至图9C给出的描述。
参照图10A，在制造图像传感器封装件100a的方法中，形成图8D的坝状件160a的工艺包括在图像传感器芯片120的芯片主体122上形成第一SRL 161-1。第一SRL 161-1可以与坝状件160a的形状对应地沿第一方向(x方向)或第二方向(y方向)延伸。在下文中，坝状件160a被描述为具有沿第二方向(y方向)延伸的部分。
第一SRL 161-1的宽度可以在第一方向(x方向)上具有第一宽度W1'。第一宽度W1'可以是例如250μm或更小。然而，第一SRL 161-1的第一宽度W1'不限于此。
第一SRL 161-1可以通过使用分配器的分配方法形成。第一SRL 161-1可以具有比主体层163a的粘度低的粘度。然而，第一SRL 161-1可以具有比随后形成的第二SRL 161-2的粘度大的粘度。例如，第一SRL 161-1可以包括硅树脂类材料。然而，第一SRL 161-1的材料不限于硅树脂类材料。例如，第一SRL 161-1可以包括环氧树脂，并且可以调节包括在环氧树脂中的填料的组分或组分比率以降低第一SRL 161-1的粘度。
参照图10B，在形成第一SRL 161-1之后，在第一SRL 161-1上形成第二SRL 161-2。在第一方向(x方向)上，第二SRL 161-2可以具有比第一SRL 161-1的宽度大的宽度。例如，第二SRL 161-2可以在第一方向(x方向)上具有第三宽度W3，并且第三宽度W3可以是350μm或更小。然而，第二SRL 161-2的第三宽度W3不限于此。如图10B中所示，第二SRL 161-2可以完全覆盖第一SRL 161-1。此外，第二SRL 161-2在第一方向(x方向)上的一部分可以覆盖芯片主体122的上表面。
第二SRL 161-2可以通过使用分配器的分配方法形成。第二SRL 161-2可以具有比主体层163a的粘度低的粘度。此外，第二SRL 161-2可以具有比第一SRL 161-1的粘度低的粘度。例如，第二SRL 161-2可以包括硅树脂类材料，并且可以通过调节包括在硅树脂类材料中的填料的组分或组分比率而具有比第一SRL 161-1的粘度低的粘度。第二SRL 161-2的材料不限于硅树脂类材料。例如，第二SRL 161-2可以包括环氧树脂，并且可以通过调节包括在环氧树脂中的填料的组分或组分比率而具有所需的粘度。SRL 161a可以通过形成第二SRL 161-2来完成。
参照图10C，在形成SRL 161a之后，在SRL 161a上形成主体层163a。主体层163a可以占据坝状件160a的大部分，并且可以与坝状件160a的形状对应地沿第二方向(y方向)延伸。主体层163a在第一方向(x方向)上的宽度可以具有第一宽度W1'。第一宽度W1'可以是例如250μm或更小，并且可以与第一SRL 161-1的宽度基本相同。然而，主体层163a的第一宽度W1'不限于此。此外，主体层163a在第一方向(x方向)上的宽度也可以不同于第一SRL 161-1的宽度。
主体层163a可以通过使用分配器的分配方法形成。主体层163a可以包括例如环氧树脂。然而，主体层163a的材料不限于环氧树脂。主体层163a可以通过三步固化工艺进行固化。三步固化工艺与先前参照图1A描述的相同。当形成主体层163a时，可以在主体层163a的下部处形成坝状件脚部D-F。通过形成主体层163a，可以完成图3B的图像传感器封装件100a的坝状件160a。
图11A至图11C是更详细地示出根据示例实施例的形成图8D中所示的坝状件的工艺的剖视图。将参照图4B给出描述，并且简要地给出或省略先前参照图4A、图4B和图9A至图10C给出的描述。
参照图11A，在制造图像传感器封装件100b的方法中，形成图8D的坝状件160b的工艺包括在图像传感器芯片120的芯片主体122上形成第一SRL 161-1a。第一SRL 161-1a可以与坝状件160b的形状对应地沿第一方向(x方向)或第二方向(y方向)延伸。在下文中，坝状件160b被描述为具有沿第二方向(y方向)延伸的部分。
第一SRL 161-1a的宽度可以在第一方向(x方向)上具有第四宽度W4。第四宽度W4可以是例如150μm或更小。然而，第一SRL 161-1a的第四宽度W4不限于此。
第一SRL 161-1a可以通过使用分配器的分配方法形成。第一SRL 161-1a可以具有比主体层163b的粘度低的粘度。然而，第一SRL 161-1a可以具有比随后形成的第二SRL161-2a的粘度更大的粘度。例如，第一SRL 161-1a可以包括硅树脂类材料。然而，第一SRL161-1a的材料不限于硅树脂类材料。例如，第一SRL 161-1a可以包括环氧树脂，并且可以调节包括在环氧树脂中的填料的组分或组分比率以降低第一SRL 161-1a的粘度。
参照图11B，在形成第一SRL 161-1a之后，在第一SRL 161-1a上形成第二SRL 161-2a。在第一方向(x方向)上，第二SRL 161-2a可以具有比第一SRL 161-1a的宽度大的宽度。例如，第二SRL 161-2a可以在第一方向(x方向)上具有第五宽度W5，并且第五宽度W5可以是200μm或更小。然而，第五宽度W5不限于此。如图11B中所示，第二SRL 161-2a可以完全覆盖第一SRL 161-1a。此外，第二SRL 161-2a在第一方向(x方向)上的一部分可以覆盖芯片主体122的上表面。
第二SRL 161-2a可以通过使用分配器的分配方法形成。第二SRL 161-2a可以具有比主体层163b的粘度低的粘度。此外，第二SRL 161-2a可以具有比第一SRL 161-1a的粘度低的粘度。例如，第二SRL 161-2a可以包括硅树脂类材料，并且可以通过调节包括在硅树脂类材料中的填料的组分或组分比率而具有比第一SRL 161-1a的粘度低的粘度。第二SRL161-2a的材料不限于硅树脂类材料。例如，第二SRL 161-2a还可以包括环氧树脂，并且可以通过调节包括在环氧树脂中的填料的组分或组分比率来具有所需的粘度。通过形成第二SRL 161-2a，可以完成SRL 161b。
参照图11C，在形成SRL 161b之后，在SRL 161b上形成主体层163b。主体层163b可以占据坝状件160b的大部分，并且可以与坝状件160b的形状对应地沿第二方向(y方向)延伸。主体层163b在第一方向(x方向)上的宽度可以具有第一宽度W1”。第一宽度W1”可以是例如350μm或更小。然而，主体层163b的第一宽度W1”不限于此。如图11C中所示，主体层163b可以完全覆盖SRL 161b。此外，主体层163b在第一方向(x方向)上的一部分可以覆盖芯片主体122的上表面。
主体层163b可以通过使用分配器的分配方法形成。主体层163b可以包括例如环氧树脂。然而，主体层163b的材料不限于环氧树脂。主体层163b可以通过三步固化工艺进行固化。三步固化工艺与先前参照图1A描述的相同。通过形成主体层163b，可以完成图4B的图像传感器封装件100b的坝状件160b。
虽然已经具体示出和描述了示例实施例的方面，但是将理解的是，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种图像传感器封装件，所述图像传感器封装件包括：
封装基底；
图像传感器芯片，设置在封装基底上，并且包括像素区域和围绕像素区域的外围区域；
坝状件，在外围区域中，坝状件围绕像素区域；以及
透明盖，设置在坝状件上，并且覆盖图像传感器芯片的上部，
其中，坝状件包括应力驰豫层和在应力驰豫层上的主体层，并且应力驰豫层的粘度低于主体层的粘度。
2.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，所述图像传感器封装件还包括位于图像传感器芯片的所述上部上的芯片垫，
其中，坝状件覆盖芯片垫。
3.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中，应力驰豫层沿着与坝状件的延伸方向垂直的第一方向位于坝状件的两个坝状件壁之间。
4.根据权利要求3所述的图像传感器封装件，其中，在第一方向上，主体层的宽度小于所述两个坝状件壁之间的间距，并且
其中，坝状件还包括位于主体层的下部处的坝状件脚部。
5.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中，应力驰豫层包括第一应力驰豫层和第二应力驰豫层，并且
其中，第一应力驰豫层的粘度大于第二应力驰豫层的粘度。
6.根据权利要求5所述的图像传感器封装件，其中，在与坝状件的延伸方向垂直的第一方向上，第二应力驰豫层的宽度大于主体层的宽度。
7.根据权利要求5所述的图像传感器封装件，其中，在与坝状件的延伸方向垂直的第一方向上，第二应力驰豫层的宽度小于主体层的宽度。
8.根据权利要求7所述的图像传感器封装件，其中，在第一方向上，第二应力驰豫层的宽度大于第一应力驰豫层的宽度，
其中，第二应力驰豫层完全覆盖第一应力驰豫层，并且
其中，主体层完全覆盖第二应力驰豫层。
9.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中，图像传感器芯片包括形成在其上表面上的SiO2膜，
其中，坝状件形成在SiO2膜上，并且
其中，应力驰豫层包括减小坝状件的主体层与SiO2膜之间的热膨胀系数的差异的材料。
10.一种图像传感器封装件，所述图像传感器封装件包括：
封装基底，包括基底垫和外部连接端子；
图像传感器芯片，设置在封装基底上，并且包括像素区域和围绕像素区域的外围区域；
坝状件，围绕像素区域，并且覆盖图像传感器芯片的芯片垫；
透明盖，在坝状件上，并且与图像传感器芯片的上表面间隔开；以及
接合布线，将芯片垫和基底垫电连接，
其中，坝状件包括应力驰豫层和在应力驰豫层上的主体层，并且应力驰豫层的粘度低于主体层的粘度。
11.根据权利要求10所述的图像传感器封装件，其中，外部连接端子具有球栅阵列结构，并且
其中，坝状件覆盖接合布线的连接到芯片垫的端部。
12.根据权利要求10所述的图像传感器封装件，其中，应力驰豫层沿着与坝状件的延伸方向垂直的第一方向位于坝状件的两个坝状件壁之间。
13.根据权利要求10所述的图像传感器封装件，其中，应力驰豫层包括第一应力驰豫层和第二应力驰豫层，并且
其中，第一应力驰豫层的粘度大于第二应力驰豫层的粘度。
14.一种制造图像传感器封装件的方法，所述方法包括：
设置封装基底；
将图像传感器芯片安装在封装基底上，图像传感器芯片包括像素区域和围绕像素区域的外围区域；
用接合布线将图像传感器芯片的芯片垫和封装基底的基底垫连接；
在外围区域中形成坝状件，坝状件具有矩形环形状并且围绕像素区域；
将透明盖附着到坝状件以与图像传感器芯片的上表面间隔开并覆盖图像传感器芯片；
在封装基底上形成密封材料，密封材料密封图像传感器芯片并覆盖透明盖的侧表面；以及
在封装基底的下表面上形成外部连接端子，
其中，坝状件包括应力驰豫层和在应力驰豫层上的主体层，并且应力驰豫层的粘度低于主体层的粘度。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，坝状件的形成包括将坝状件形成为覆盖芯片垫和接合布线的连接到芯片垫的端部，并且
其中，外部连接端子具有球栅阵列结构。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，坝状件的形成包括：
在外围区域中形成应力驰豫层；以及
在应力驰豫层上形成主体层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，坝状件的形成还包括在形成应力驰豫层之前，在与坝状件的延伸方向垂直的第一方向上在坝状件的两侧上形成两个坝状件壁，并且
其中，应力驰豫层形成在所述两个坝状件壁之间。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，应力驰豫层包括第一应力驰豫层和第二应力驰豫层，第二应力驰豫层的粘度低于第一应力驰豫层的粘度，并且
其中，坝状件的形成包括：
在外围区域中形成第一应力驰豫层；
在第一应力驰豫层上形成第二应力驰豫层；以及
在第二应力驰豫层上形成主体层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，第二应力驰豫层的形成包括将第二应力驰豫层形成为在与坝状件的延伸方向垂直的第一方向上具有大于第一应力驰豫层的宽度的宽度并且完全覆盖第一应力驰豫层，并且
其中，主体层的形成包括将主体层形成为在第一方向上具有基本等于第一应力驰豫层的宽度的宽度并且在应力驰豫层上。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，第二应力驰豫层的形成包括将第二应力驰豫层形成为在与坝状件的延伸方向垂直的第一方向上具有大于第一应力驰豫层的宽度的宽度并且完全覆盖第一应力驰豫层，并且
其中，主体层的形成包括在外围区域中的第二应力驰豫层上形成主体层以在第一方向上具有大于第二应力驰豫层的宽度的宽度并且完全覆盖第二应力驰豫层。
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