CN218496124U - 传感器封装器件 - Google Patents

Abstract

本公开涉及传感器封装器件的实施例，该传感器封装包括在透明部分、传感器裸片和从透明部分延伸到传感器裸片的支撑结构的相应表面和侧壁上的掺杂树脂。支撑结构将透明部分悬置在传感器裸片的传感器上方。掺杂树脂掺杂有添加剂材料，并且通过将掺杂树脂暴露于激光来激活添加剂材料。掺杂树脂被暴露于激光，从而形成沿着掺杂树脂延伸的导电层，以用于提供传感器封装内的电连接，并且暴露于传感器裸片封装的实施例外部的电子组件。导电层至少部分地被非导电层覆盖。

Description

传感器封装器件

技术领域

本公开涉及一种包括与传感器裸片的侧壁对齐的至少一个导电层的传感器封装。

背景技术

通常，诸如芯片规模封装或晶片级芯片规模封装(WLCSP)的传感器封装包括耦接到衬底表面的集成电路裸片。集成电路裸片可以是被配置为检测任意数目的数量或品质的传感器裸片，或者集成电路裸片可以是诸如微处理器或存储器，被利用以控制传感器封装内部或外部的其他各种电子组件的控制器。例如，集成电路裸片可以检测光、温度、压力、应力、应变、声音或任何其他类型的数量或品质。

传统的光学传感器封装可以包括耦接到衬底的第一表面的传统光学传感器裸片。传感器裸片可以通过多条导线而电耦接到衬底的第一表面上的第一导电焊盘。导电通孔耦接到第一导电焊盘并且穿过衬底延伸到在衬底的与第一表面相对的第二表面处的第二导电焊盘。第二导电焊盘被利用以将传感器封装安装或接合到传感器封装外部的电子组件，诸如印刷电路板(PCB)。例如，可以将焊球形成在第二导电焊盘上，然后利用其以将传感器封装耦接到PCB。

透明玻璃部分耦接到光学传感器裸片的表面，以使得透明玻璃部分覆盖并重叠光学传感器裸片的表面上的光学传感器。模制化合物覆盖透明玻璃部分和光学传感器裸片的侧壁并且包封多条导线。模制化合物通常具有第一厚度，该第一厚度基本上等于或大于光学传感器裸片的第二厚度和透明玻璃部分的第三厚度之和。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型旨在提供一种更小的厚度的传感器封装器件，其可以降低故障或缺陷的可能性。

根据本公开的一个或多个方面，提供了一种传感器封装器件，包括：裸片，裸片包括第一表面、第二表面以及第一侧壁，第二表面与第一表面相对，第一侧壁从第一表面延伸到第二表面；支撑结构，在裸片的第一表面上，支撑结构包括远离第一表面而延伸的第二侧壁；透明部分，在支撑结构上，并且与裸片间隔开，透明部分包括第三表面、第四表面以及第三侧壁，第三表面在支撑结构上，第四表面与第三表面相对，并且背离裸片，第三侧壁从第三表面延伸至第四表面；腔，由支撑结构、裸片和透明部分界定；以及树脂，沿着第三侧壁、第二侧壁、第一表面和第一侧壁延伸。

在一个或多个实施例中，树脂沿着裸片的第二表面和透明部分的第四表面延伸。

在一个或多个实施例中，传感器封装器件还包括：第一导电层，沿着树脂在第一表面、第一侧壁和第二表面上的相应部分延伸；以及第二导电层，与第一导电层分离并且不同于第一导电层，第二导电层沿着树脂在第二侧壁、第三侧壁和第四表面上的相应部分延伸。

在一个或多个实施例中，非导电层覆盖第一导电层和第二导电层。

在一个或多个实施例中，传感器封装器件还包括：第一导电层，第一导电层沿着树脂在第一侧壁和第一表面上的相应部分延伸。

在一个或多个实施例中，第一导电层被非导电层覆盖。

在一个或多个实施例中，传感器封装器件还包括：第二导电层，第二导电层与第一导电层分离并且不同于第一导电层，第二导电层沿着树脂在第二侧壁和第三侧壁上的相应部分延伸。

在一个或多个实施例中，非导电层覆盖第一导电层和第二导电层。

在一个或多个实施例中，传感器封装器件还包括：导电层，导电层沿着第一侧壁、第一表面、第二侧壁和第三侧壁延伸。

在一个或多个实施例中，树脂沿着第二表面和第四表面延伸；以及导电层沿着第二表面和第四表面延伸。

在一个或多个实施例中，裸片还包括：传感器，传感器在裸片的第一表面处，传感器位于腔内。

根据本公开的一个或多个方面，提供了传感器封装器件，包括：支撑层，支撑层包括第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对；裸片，裸片包括第三表面、第四表面以及第一侧壁，第三表面在第一表面上，第四表面与第三表面相对，并且背离支撑层，第一侧壁从第三表面延伸至第四表面；支撑结构，在裸片的第四表面上，支撑结构包括远离第四表面而延伸的第二侧壁；透明部分，在支撑结构上，并且与裸片间隔开，透明部分包括暴露表面和第三侧壁，暴露表面背离裸片，第三侧壁从暴露表面朝向裸片延伸；腔，由支撑结构、裸片和透明部分界定；以及树脂，沿着第一侧壁、第一表面、第二侧壁和第三侧壁延伸。

在一个或多个实施例中，传感器封装器件还包括：第一导电层，沿着树脂在第一侧壁和第四表面上的相应部分延伸；以及第二导电层，与第一导电层分离并且不同于第一导电层，第二导电层沿着树脂在第二侧壁和第三侧壁上的相应部分延伸。

在一个或多个实施例中，树脂沿着暴露表面延伸；以及第二导电层沿着树脂在暴露表面上的相应部分延伸。

在一个或多个实施例中，传感器封装器件还包括：非导电层，覆盖第一导电层和第二导电层。

在一个或多个实施例中，传感器封装器件还包括：导电层，导电层沿着树脂在第一侧壁、第四表面、第二侧壁和第三侧壁上的相应部分延伸。

在一个或多个实施例中，传感器封装器件还包括：非导电层，覆盖导电层。

在一个或多个实施例中，支撑层是钝化层。

在一个或多个实施例中，支撑层是衬底；以及树脂在衬底上。

在一个或多个实施例中，传感器封装器件还包括：第一导电层，沿着树脂在第一侧壁、第四表面和衬底上的相应部分延伸。

本公开说明了传感器裸片封装的实施例，该传感器裸片封装包括悬置在传感器裸片的传感器上方的透明部分。透明部分通过支撑结构耦接到传感器裸片以保护传感器。透明部分、支撑结构和传感器裸片的相应侧壁和表面被覆盖在掺杂有添加剂材料的掺杂树脂中，添加剂材料可以是无机非导电金属材料。导电层沿着掺杂树脂延伸。一些导电层可以在传感器封装内形成电连接，并且一些导电层可以是电磁(EM)屏蔽件或光屏蔽件。例如，当一些导电层是光屏蔽件时，这些导电层可以反射光，以使得光不容易进入透明部分的侧壁。

本公开的传感器封装的至少一些实施例可以是光学传感器封装。传感器可以是光传感器，其检测穿过悬置在传感器上方的透明部分而进入封装的光。例如，光学传感器封装可以是飞行时间传感器。

导电层可以通过激光直接成型(LDS)技术来形成，其中通过将掺杂树脂的选定区域或部分暴露于激光来激活掺杂树脂内的添加剂材料。在掺杂树脂的选定区域或部分暴露于激光形成导电层之后，可以执行镀覆技术(例如，化学镀技术)以将导电材料粘附到由LDS技术形成的导电层上。

通过使用根据本公开的实施例，可以至少解决前述问题的至少一部分，并实现相应的效果，例如降低器件故障或缺陷的可能性，该故障或缺陷包括裂纹传播或传感器裸片从耦接到传感器裸片的衬底上剥离。

附图说明

为了更好地理解实施例，现在将通过示例的方式对附图进行参考。在附图中，除非上下文另有说明，否则相同的附图标记表示相同或相似的元件或动作。附图中的元件的尺寸和相对比例不一定按比例绘制。例如，这些元件中的一些可以被放大和定位以提高附图的易读性。

图1图示了分别沿着图2和图3中所示的线A-A和B-B截取的本公开的传感器封装的实施例的横截面图；

图2图示了如图1中所示的传感器封装的实施例的俯视平面图；

图3图示了如图1中所示的传感器封装的替代实施例的俯视平面图；

图4图示了如图1中所示的传感器封装的实施例的仰视平面图；

图5图示了本公开的传感器封装的替代实施例的横截面图；

图6图示了本公开的传感器封装的替代实施例的横截面图；

图7图示了如图1中所示的传感器封装的实施例的横截面图，其中透镜组件位于实施例的传感器封装上；

图8A-图8E图示了制造如图4中所示的传感器封装的替代实施例的方法的实施例的横截面图；

图9图示了制造如图5中所示的传感器封装的替代实施例的方法的实施例的横截面图；以及

图10A-图10D图示了制造如图1中所示的传感器封装的实施例的方法的实施例的横截面图。

具体实施方式

在以下描述中，阐述了某些特定细节以便提供对本公开的各种实施例的透彻理解。然而，本领域技术人员将理解，可以在没有这些特定细节的情况下实践本公开。在其他实例中，没有详细描述与电子组件、封装和半导体制造技术相关联的众所周知的结构，以避免不必要地混淆本公开的实施例的描述。

除非上下文另有要求，否则在随后的整个说明书和权利要求书中，词语“包括”(comprise)及其变体(诸如“包含”(comprises)和“囊括”(comprising))应以开放、包容的意义进行解释，即，“包括但不限于。”

诸如第一、第二、第三等之类序数的使用并不一定意味着排序的含义，而是可能仅意味着在动作或类似结构或材料的多个实例之间进行区分。

在整个说明书中对“一个实施例”或“实施例”的引用意指结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此，在整个说明书的各个地方出现的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”不一定都指代相同的实施例。此外，特定特征、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式来组合。

术语“上”、“下”、“上部”、“下部”、“左”、和“右”仅被用于基于如下在本公开的附图的讨论中的组件的取向的讨论目的。这些术语不作为在本公开中明确公开、隐含公开或固有公开的可能位置而进行限制。

术语“基本上”被用来阐明在现实世界中制造封装时可能存在细微差异和变化，因为没有任何东西可以被制造为完全相等或完全相同。换句话说，“基本上”意指并表示在实际实践中可能存在一些细微的变化，因而在选定容差范围内制备或制造。

如在本说明书和所附权利要求中使用的，除非内容另有明确规定，否则单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数指示物。

尽管关于半导体裸片示出和描述了各种实施例，但是将容易理解的是，本公开的实施例不限于此。在各种实施例中，本文描述的结构、设备、方法等可以被实施为任何合适类型或形式的半导体裸片，或者被利用为任何合适类型或形式的半导体裸片，并且可以利用任何合适的半导体裸片和封装技术来制造。

在本公开的传感器封装的至少一个实施例中，掺杂树脂位于传感器裸片和透明部分(例如，玻璃或一些其他类型的透光或透明材料，以使得光可以容易地穿过透明部分)的相应表面和侧壁上。掺杂树脂具有第一厚度，该第一厚度小于传感器裸片的第二厚度并且小于透明部分的第三厚度。至少一个导电层形成于掺杂树脂上并且具有小于第一厚度和第二厚度的第四厚度。至少一个非导电层位于导电层上并至少部分地覆盖导电层。

在制造本公开的传感器封装的至少一个实施例的方法的至少一个实施例中，第一导电层通过将掺杂树脂暴露于激光之后通过镀覆技术(例如，电镀、无电镀等等)来形成。例如，激光可以选择性地沿着掺杂树脂移动，以激活掺杂树脂内的添加剂材料(例如，无机非导电金属化合物)。激活添加剂材料将添加剂材料从非导电状态转换为导电状态。添加剂材料的这种激活在掺杂树脂上形成至少第一层导电材料。一旦形成第一层导电材料，其厚度可以在几百纳米(nm)或几微米(μm)的范围内，执行镀覆技术以第一层导电材料上形成第二层导电材料。

通常，在传统传感器封装中，传统模制化合物的厚度基本上等于或大于包封在传统模制化合物内的传统传感器裸片和传统透明部分的相应厚度的总和。传统传感器裸片、传统透明部分和传统模制化合物具有彼此都不同的热膨胀系数(CTE)。CTE方面的这些差异可能导致包括传统透明部分开裂或传统传感器裸片从耦接到传统传感器裸片的传统衬底上剥离的故障或缺陷。例如，如果由于温度的快速升高或降低，传统模制化合物比传统透明部分膨胀或收缩得更多，则模制化合物可能比传统透明部分膨胀或收缩得更多。膨胀或收缩方面的这种差异可能导致裂纹在传统透明部分的边缘附近传播。类似地，如果由于温度的快速升高或降低，传统模制化合物比传感器裸片膨胀或收缩得更多，则模制化合物可能比传统传感器裸片膨胀或收缩得更多，从而导致传统传感器裸片从靠近传统传感器裸片的边缘开始从传统衬底剥离。这些缺陷可能导致传统传感器封装故障或者可能导致传统传感器封装以降低的容量运行。

然而，与上面讨论的传统传感器封装中的传统模制化合物不同，本公开的传感器封装的至少一个实施例的掺杂树脂具有第一厚度，该第一厚度小于传感器裸片的第二厚度并且小于透明部分的第三厚度。掺杂树脂的膨胀或收缩效应小于比掺杂树脂更厚的传统模制化合物的膨胀效应。例如，当掺杂树脂由于温度的快速升高或降低而膨胀或收缩时，由于掺杂树脂的这种膨胀或收缩引起的施加到透明部分和传感器裸片的应力和应变相对于传统模制化合物的膨胀或收缩更小。由掺杂树脂引起的应力和应变效应较小，因为如上面所讨论的，相对于传统传感器封装中的传统模制件而言掺杂树脂较少。

掺杂树脂可以具有不同于传感器裸片和透明部分的热膨胀系数(CTE)。传感器封装的掺杂树脂、透明部分和传感器裸片之间的这种CTE差异可以通过相对于传感器裸片和透明部分的相应厚度的掺杂树脂的薄度至少部分地减轻。换言之，掺杂树脂的薄度可以降低故障或缺陷的可能性，该故障或缺陷包括裂纹传播或传感器裸片从耦接到传感器裸片的衬底上剥离。

本公开的传感器封装的至少一些实施例可以具有在～250-μm到650-μm范围内的总厚度、在～3-毫米(mm)到15-mm范围内的宽度和在～3-mm到15-mm范围内的长度。而如上面所讨论的传统传感器封装通常具有比本公开的这些传感器封装的尺寸更大的尺寸。换言之，本公开的传感器封装的实施例比如上面所讨论的传统半导体传感器封装相对更薄且更小。本公开的传感器封装的这些至少一些实施例不包括用于形成电连接的多条导线。不利用多条导线使得本公开的传感器封装的这些实施例的总体轮廓或占地面积减小到小于传统传感器封装，以使得本公开的这些传感器封装在电子组件(例如，智能电话、平板计算机、计算机等)内占用更少的空间。因为不需要提供间隙来形成利用多条导线的电连接，不利用多条导线减小了传感器封装的实施例的整体轮廓或占地面积。替代地，在掺杂树脂上形成的至少一个导电层在传感器封装的这些实施例内形成电连接。

在本公开的传感器封装的至少一个实施例中，该传感器封装包括：传感器裸片，其在裸片的第一表面上具有导电焊盘；在第一表面上的支撑结构；以及在支撑结构上与第一表面间隔开的透明部分。透明部分覆盖并重叠传感器裸片的光学传感器。支撑结构邻近并围绕光学传感器，并且光学传感器在由传感器裸片的第一表面、支撑结构和透明部分界定的腔中。包括诸如无机非导电金属化合物之类的添加材料的掺杂树脂在透明部分、支撑结构和传感器裸片的相应侧壁上并将它们覆盖。掺杂树脂在传感器裸片的与传感器裸片的第一表面相对的第二表面上并将其覆盖，并且该掺杂树脂在传感器裸片的第一表面上。掺杂树脂可以在透明部分的第三表面上，该第三表面与传感器裸片的第一表面背离。

传感器封装的实施例还包括第一导电层，该第一导电层沿着存在于传感器裸片的第一表面、传感器裸片的第二表面、以及从第一表面延伸到第二表面的第一侧壁处的掺杂树脂的各部分延伸并位于其上。第二导电层沿着存在于支撑结构的第二侧壁和透明部分的第三侧壁处的掺杂树脂的各部分延伸并位于其上。第二导电层可以沿着存在于透明部分的第三表面处的掺杂树脂的各部分延伸并位于其上。第一导电层和第二导电层彼此分离并且不同。在传感器封装的至少一个替代实施例中，第一和第二导电层可以由单个连续导电层替换，该连续导电层沿着存在于传感器裸片的第一和第二表面、以及传感器裸片、支撑结构和透明部分的第一、第二和第三侧壁处的掺杂树脂的各部分延伸并位于其上。

非导电层沿着掺杂树脂、第一导电层和第二导电层延伸并位于其上。非导电层覆盖第一导电层和第二导电层。非导电层包括开口，该开口暴露存在于传感器裸片的第二表面处的掺杂树脂上的第一导电层的相应部分。

图1图示了分别沿着图2和图3中所示的线A-A或线B-B截取的传感器封装100的横截面图。传感器封装100包括传感器裸片102，传感器裸片102具有第一表面104、与第一表面104相对的第二表面106、从第一表面104延伸至第二表面106的第一侧壁107、以及从第一表面104延伸至第二表面106的第二侧壁109。第二侧壁109与第一侧壁107相对。第一和第二侧壁107、109横向于第一和第二表面104、106。

传感器裸片102具有在横向于第一表面104和第二表面106的第一方向上从第一表面104延伸至第二表面106的第一厚度105。第一和第二侧壁107、109具有第一尺寸。第一厚度105可以具有从～100-μm到300-μm的范围。传感器裸片102包括在横向于第一侧壁107和第二侧壁109的第二方向上从第一侧壁107延伸至第二侧壁109的第一尺寸111。第二方向横向于第一方向，并且第二方向可以与第一方向正交。第一尺寸111可以具有从～3-mm到15-mm的范围。

传感器裸片102的第一导电焊盘108和第二导电焊盘110在传感器裸片102的第一表面104处。第一导电焊盘108在传感器封装100的左侧，并且第二导电焊盘110在传感器封装100的右侧。

传感器裸片102的传感器112位于第一表面104处。传感器112可以是光传感器，其被配置为检测光、确定光的强度、或者检测或确定入射到传感器上的光的一些其他数量或品质。例如，传感器112可以是像素阵列，其被配置为检测穿过传感器封装100的透明部分114进入封装的光。

透明部分114包括面向第一表面104并与传感器112重叠的第三表面116(例如，传感器封装100内的内表面)和第四表面118(例如，从传感器封装100暴露的外表面)。透明部分114是透光或透明材料，以使得光线容易穿过透明部分114进入传感器封装100以入射到传感器112上。例如，透明部分114可以由玻璃材料或一些其他合适类型的透光或透明材料制成。透明部分114还包括从第三表面116延伸至第四表面118的第三侧壁117，以及从第三表面116延伸至第四表面118的第四侧壁119。第四侧壁119与第三侧壁117相对，并且第三和第四侧壁117、119横向于第三和第四表面116、118。

透明部分114的第二厚度120在第一方向上从第三表面116延伸至第四表面。第二厚度120可以具有从～150-μm到400-μm的范围。透明部分114的第二尺寸121从第三侧壁117延伸至第四侧壁119。第二尺寸121在第二方向上延伸并且可以具有从～2-mm至12-mm的范围。至少在该实施例中，第二尺寸121小于第一尺寸111，以使得透明部分114的第三和第四侧壁117、119与传感器裸片102的第一和第二侧壁107、109向内间隔开。

支撑结构122从第一表面104延伸至第三表面116。支撑结构122将透明部分114耦接到传感器裸片102，以使得透明部分114悬置在传感器112上方。支撑结构122包括向内朝向传感器112的内侧壁124以及背离传感器112的外侧壁126。支撑结构122可以是环氧树脂珠或一些其他类型的支架、支撑件或间隔件，其支撑透明部分114并将其与传感器裸片102分离。

腔128在第一表面104和第三表面116之间并且被支撑结构122包围。第一表面104、第三表面116和内侧壁124界定腔128，并且腔128包含传感器，以使得传感器112被密封以与传感器封装100外部的外部环境隔离，从而保护传感器112免受碎屑或外力的影响。腔128的第三厚度130在第一方向上从第一表面104延伸至第三表面116。第三厚度130可以具有从～10-μm到50-μm的范围。第三厚度130小于第一厚度105并且小于第二厚度120。第三尺寸132从腔128左手侧的内侧壁124延伸到腔128右手侧的内侧壁124。第三尺寸132可以具有从～1-mm到10-mm的范围。第三尺寸132小于第一尺寸111并且小于第二尺寸121。

掺杂树脂层134在第一和第二表面104、106上、在第一和第二侧壁107、109上、在外侧壁126上、在第三和第四侧壁117、119上、并且在第四表面118上。掺杂树脂134完全覆盖传感器裸片102的第二表面106、完全覆盖第一和第二侧壁107、109、并且部分覆盖传感器裸片102的第一表面104，以使得掺杂树脂134覆盖第一表面104的外围区域145。掺杂树脂134完全覆盖支撑结构122的外侧壁126以及透明部分114的第三和第四侧壁117、119。掺杂树脂134部分覆盖透明部分114的第四表面118，以使得掺杂树脂134覆盖第四表面118的外围区域145并且保留第四表面118的中心区域144未被覆盖。掺杂树脂134掺杂有由激光激活的添加剂材料(例如，无机非导电金属化合物，其可以包括金属材料)。当添加剂材料通过暴露于激光而被激活时，添加剂材料从无机非导电金属化合物或材料转换为导电化合物或材料(例如，导电层，其可以是金属层)。与传感器裸片102和透明部分114相比，掺杂树脂134相对较薄。例如，掺杂树脂134可以具有从～15-μm到30-μm范围的厚度。掺杂树脂134的厚度保持基本上相同，从第二表面106、第一和第二侧壁107、109、第一表面104、外侧壁126、第三和第四侧壁117、119、以及第四表面118沿着掺杂树脂134延伸。

第一导电层136沿着存在于第二表面106、第一侧壁107和第一表面104上的掺杂树脂134的各部分延伸。第二导电层137沿着第一导电层136延伸。在一些实施例中，第一和第二层可以由相同的导电材料制成，或者在一些替代实施例中，第一和第二导电层136、137可以由不同的导电材料制成。第一导电层136通穿过掺杂树脂134延伸至第一导电焊盘108，以使得第一导电层136耦接到第一导电焊盘108。

第三导电层138沿着存在于第二表面106、第二侧壁109和第一表面104上的掺杂树脂134的各部分延伸。第四导电层139沿着第三导电层138延伸。在一些实施例中，第三和第四导电层138、139可以由相同的导电材料制成，或者在一些替代实施例中，第三和第四导电层138、139可以由不同的导电材料制成。第三导电层138穿过掺杂树脂134延伸至第二导电焊盘110，以使得第二导电层137耦接到第二导电焊盘110。

第一、第二、第三和第四导电层138、139可以终止于传感器裸片102的第二表面106上的掺杂树脂134的部分上。第一、第二、第三和第四导电层138、139分别可以分别终止于第一和第二导电焊盘108、110上或与其临近的位置处。

第五导电层140沿着掺杂树脂134在腔128的左手端处的支撑结构122的外侧壁126、第三侧壁117和第四表面118上的各部分延伸。第六导电层141沿着第五导电层140延伸。在一些实施例中，第五和第六导电层140、141可以由相同的导电材料制成，或者在一些替代实施例中，第五和第六导电层140、141可以由不同的导电材料制成。第五和第六导电层140、141终止于掺杂树脂134存在于传感器裸片102的第一表面104上的部分上，并且终止于掺杂树脂134存在于透明部分114的第四表面118的外围区域145上的部分上。第五和第六导电层140、141覆盖掺杂树脂134的第四表面118的外围区域145的至少一部分。

第七导电层142沿着掺杂树脂134在腔128的右手端处的支撑结构122的外侧壁126、第四侧壁119和第四表面118上的各部分延伸。第八导电层143沿着第七导电层142延伸。在一些实施例中，第七和第八导电层142、143可以由相同的导电材料制成，或者在一些替代实施例中，第七和第八导电层142、143可以由不同的导电材料制成。第七和第八导电层终止于掺杂树脂134在传感器裸片102的第一表面104上的部分上，并且终止于掺杂树脂134存在于透明部分114的第四表面118的外围区域145上的的部分上。第四导电层139覆盖掺杂树脂134的第四表面118的外围区域145的至少一部分。

第三和第四导电层138、139可以是多层导电层的一部分，其围绕透明部分114的所有侧壁并且完全覆盖邻近透明部分114的边缘的透明部分114的外围区域145。多层导电层可以是电磁屏蔽件(例如，屏障)，可以是光屏蔽件(例如，屏障)，或两者。当第三和第四导电层138、139是光屏蔽件的一部分时，第三和第四导电层138、139是不透明的，并且吸收入射到第三和第四导电层138、139上的光。第三和第四导电层层138、139阻止进入透明部分114的任何光穿过透明部分114的第三和第四侧壁117、119以及透明部分114的第四表面118的外围区域145。换言之，当第三和第四导电层138、139是光屏蔽件的部分时，光屏蔽件阻止任何光穿过透明部分114的侧壁或穿过透明部分114的第四表面118的外围区域145进入传感器封装100。

在传感器封装100的替代实施例中，第三和第四导电层138、139可以彼此分离并且彼此不同，以使得两者可以是分离并且不同的电磁屏蔽件(例如，屏障)，可以是分离并且不同的光屏蔽件(例如，屏障)，或者可以是分离并且不同的独立的电磁屏蔽件和光屏蔽件。

在如图1中所示的传感器封装100的该实施例中，第一和第二导电层136、137与第三和第四导电层138、139是分离并且不同的。在一些替代实施例中，第一导电层136可以耦接到第三导电层138，以使得第一和第三导电层136、138是多层导电层。在一些替代实施例中，第二导电层137可以耦接到第四导电层139，以使得第二和第四导电层137、139是多层导电层。在一些替代实施例中，第一、第二、第三和第四导电层136、137、138、139可以全部耦接在一起，以使得第一、第二、第三和第四导电层136、137、138、139全部是多层导电层的一部分。

非导电层147在第一、第二、第三和第四导电层136、137、138、139上并且在掺杂树脂134上。非导电层147邻接并覆盖第二和第四导电层137、139。非导电层147可以是钝化层、再钝化层、绝缘层、阻焊层、掩膜层或者是一些其他合适类型的非导电层147，其可以将第一和第二导电层136、137与第五和第六导电层140、141电隔离，并且将第三和第四导电层138、139与第七和第八导电层142、143电隔离。这些相应的导电层可以彼此电隔离以避免相应导电层之间的电串扰，从而减少传感器封装100内发生短路的可能性。

第一开口146存在于透明部分114的第四表面118处。第一开口146延伸越过暴露透明部分114的第四表面118的中心区域144的掺杂树脂134、第一导电层136、第二导电层137、以及透明部分非导电层147。第四表面118的中心区域144被透明部分114的外围区域145包围。

第一开口146由侧壁151、153界定。在传感器封装100的该实施例中，第一开口146左手侧的侧壁包括掺杂树脂134、第五和第六导电层140、141和非导电层147的各表面，并且这些表面共面并且彼此齐平。在传感器封装100的该实施例中，第一开口146右手侧的侧壁包括掺杂树脂134、第七和第八导电层142、143和非导电层147的各表面，并且这些表面共面并且彼此齐平。在传感器封装100的一些替代实施例中，掺杂树脂134、第五和第六导电层140、141以及第七和第八导电层142、143的各表面可以被非导电层147覆盖，以使得侧壁仅是非导电层147的表面。

第二开口148存在于传感器裸片102的第二表面106处的第二导电层137的部分处。第二开口148延伸穿过非导电层147并且暴露第二导电层137的表面150。第三开口152存在于传感器裸片102的第二表面106处的第四导电层139的部分处。第三开口152延伸穿过非导电层147并且暴露第四导电层139的表面154。第二和第三开口148、152可以是多个开口中的开口，其暴露类似于第一、第二、第三和第四导电层136、137、138、139的多个导电层中的导电层。换句话说，存在于传感器裸片102的第二表面106处的多个开口可以暴露多个导电层中对应的导电层。

第二和第四导电层137、139的相应表面150、154可以是接合表面、接触表面或者是一些其他类型的表面，其可以被利用以将传感器封装100安装或耦接到外部组件，诸如印刷电路板(PCB)。例如，焊球可以耦接到第二和第四导电层137、139的相应表面150、154，然后它们也耦接到PCB的接触焊盘或接合焊盘。

非导电层147的第一外侧壁156在图1的左手侧处，并且非导电层147的第二外侧壁158在图1的右手侧处。第一外侧壁156与第二外侧壁158相对。第四尺寸160在第二方向上从第一外侧壁156延伸至第二外侧壁158。第四尺寸160大于第一尺寸、第二尺寸121和第三尺寸132。第四尺寸160可以具有从～3-mm到15-mm的范围。

非导电层147的第三外侧壁162与第一外侧壁156向右向内间隔开，并且非导电层147的第四外侧壁164与第二外侧壁158向左向内间隔开。第三外侧壁162与第四外侧壁164相对。第五尺寸166在第二方向上从第三外侧壁162延伸至第四外侧壁164。第五尺寸166小于第一尺寸并且小于第四尺寸160。第五尺寸166可以具有从～2-mm到12-mm的范围。

由于传感器裸片102和透明部分114的堆叠配置，传感器封装100具有阶梯状结构。与传感器裸片102的第一表面104和透明部分114的第四表面118对齐并位于其上的非导电层147的各部分的相应表面168、170、172、174可以被称为胎面表面。与第一、第二、第三和第四侧壁107、109、117、119对齐并位于其上的非导电层147的各部分的相应侧壁156、158、162、164可以被称为上升表面。

图2图示了传感器封装100的实施例的俯视图。在该实施例中，当在俯视图中观察时，透明部分114具有矩形尺寸和形状。第一开口146位于由透明部分114的边缘所限定的边界内，以使得第一开口146与边界向内间隔开。当在俯视图中观察时，第一开口146具有矩形尺寸和形状。

非导电层147的与传感器裸片102的第一表面104对齐并位于其上的部分的相应表面168、170可以是围绕透明部分114并从透明部分114横向向外间隔开的多个表面中的表面。相应表面172、174可以是围绕第一开口146并从第一开口146横向向外间隔开的多个表面中的表面。

图3图示了传感器封装100的实施例的俯视图。在该实施例中，当在俯视图中观察时，第一开口146具有椭圆形尺寸和形状。鉴于如图2和图3中所示的第一开口146的实施例，第一开口146可以具有菱形尺寸和形状、梯形尺寸和形状或者一些其他类型的尺寸和形状。

图4图示了传感器封装100的一个实施例的底部平面图。第一和第二导电层136、137的相应表面150、154是多个导电焊盘中的导电焊盘，这些导电焊盘被暴露在与第一开口146存在处的传感器封装的第二侧相对的传感器封装100的第一侧处。在该实施例中，多个导电焊盘具有三行两列的导电焊盘。在一些其他实施例中，多个导电焊盘可以具有四行三列、两行两列或一些其他数目的行和列。在该实施例中，多个导电焊盘包括六个导电焊盘。在一些其他实施例中，多个导电焊盘可以包括一个导电焊盘、两个导电焊盘、三个导电焊盘或任何其他数目的导电焊盘。

图5是传感器封装200的替代实施例的横截面图。与如图1中所示的传感器封装100的特征相同或相似的图5中所示的传感器封装200中的特征将具有相同的附图标记。为了本公开的简洁和简单起见，这些相似或相同特征的细节将至少不会在此被完全再现。

与如图1中所示的传感器封装100不同，如图5中所示的传感器封装200包括第一非导电层202、第二非导电层204、第三非导电层206以及第九导电层208和第十导电层210。

第一非导电层202在传感器裸片102的第二表面106上，并且邻接传感器裸片102的第二表面106。第一非导电层202可以是钝化层、再钝化层、绝缘层或阻焊层，或一些其他合适类型的非导电层。与如图1中所示的传感器封装100不同，如图5中所示的掺杂树脂134不沿着传感器裸片102的第二表面106延伸或位于其上。相反，掺杂树脂134终止于第一非导电层202上。

第九导电层208在第一非导电层202上并且延伸到非导电层中而到达第一和第二导电层136、137，以使得第九导电层208耦接到第一和第二导电层136、137。第九导电层208包括接触部分208a和通孔部分208b。通孔部分从接触部分延伸至第一和第二导电层136、137，以使得接触部分通过通孔部分而与第一和第二导电层136、137电连通。

第十导电层210在第一非导电层202上并且延伸到非导电层中到达第三和第四导电层138、139，以使得第十导电层210耦接到第三和第四导电层138、139。第十导电层210包括接触部分210a和通孔部分210b。通孔部分从接触部分延伸至第一和第二导电层136、137，以使得接触部分通过通孔部分而与第一和第二导电层136、137电连通。

在一些实施例中，第九和第十导电层208、210可以由相同的导电材料制成，或者在一些替代实施例中，第九和第十导电层208、210可以由相对于彼此而不同的导电材料制成。在一些实施例中，第九和第十导电层208、210可以各自由彼此耦接的多层导电材料制成，以使得电信号可以被传入和传出传感器封装200内的传感器裸片102。

第二非导电层204在第一非导电层202上，并且在第九和第十导电层208、210上。第二非导电层204可以覆盖第九和第十导电层208、210的外围区域，同时在由第二非导电层204中的对应开口216、218暴露的中心区域处留下接触表面212、214。接触表面212、214被利用以将传感器封装200安装或接合到传感器封装200外部的电子组件，诸如印刷电路板(PCB)。例如，可以将焊球形成在接触表面212、214上，然后利用其以将传感器封装200耦接到PCB。接触表面212、214可以被称为接触焊盘、接合焊盘或用于将传感器封装200耦接到电子组件的一些其他类型的合适导电结构。

第三非导电层206在第二、第四、第六和第八导电层137、139、141、143上、在掺杂树脂134上、并且在第一非导电层202上。第三非导电层206可以是模制化合物、树脂、环氧树脂或一些其他合适类型的非导电层。第三非导电层206的外表面220、222与第六和第八导电层141、143的外表面224、226基本上共面。在一些实施例中，当第六和第八导电层141、143是单个、单一导电层时，外表面224、226是单个、单一外表面。在一些实施例中，当透明部分114的左手侧和右手侧的第三非导电层206的各部分是单个、单一非导电层时，第三非导电层206的外表面220、222是单个、单一导电层。

第一侧壁228在传感器封装200的左手侧，并且第二侧壁230在传感器封装200的右手侧并且与第一侧壁228相对。第一和第二侧壁228、230包括第一、第二和第三非导电层202、204、206的相应表面，它们共面并且彼此齐平。

在传感器封装200的该实施例中，界定第一开口146的侧壁151不包括第三非导电层206的表面，而是包括掺杂树脂134以及第五、第六、第七和第八导电层140、141、142、143的各表面。在一些替代实施例中，侧壁151可以包括第三非导电层206的表面，以使得第三非导电层206在第六和第八导电层141、143的外表面224、226上并将它们覆盖。在一些替代实施例中，第三非导电层206可以覆盖第六和第八导电层141、143的表面224、226以及对第一开口146进行界定的临近第一开口146的侧壁，以使得第一开口146反而由第三非导电层206的表面来界定。

第六尺寸232从第一侧壁228延伸至第二侧壁230。第六尺寸大于透明部分114的第二尺寸并且大于传感器裸片102的第五尺寸166。在该实施例中，第一、第二和第三非导电层202、204、206包括第六尺寸。

第一、第二和第三非导电层202、204、206可以被选择为具有相对较低的CTE，以使得第一、第二和第三非导电层202、204、206内的任何膨胀或收缩对传感器裸片102或透明部分114几乎没有影响或者无影响。换句话说，由于第一、第二和第三非导电层202、204、206中的温度的快速变化而引起的膨胀或收缩的效应最小，以使得该膨胀和收缩不会导致透明部分114开裂或传感器裸片102从第一非导电层202剥离。

图6是传感器封装300的替代实施例的横截面图。与如图1和图5中所示的传感器封装100、200的特征相同或相似的如图6中所示的传感器封装300中的特征将具有相同的附图标记。为了本公开的简洁和简单起见，这些相似或相同特征的细节将至少不会在此被完全再现。

与如图5中所示的传感器封装200不同，如图6中所示的传感器封装300包括衬底302并且不包括如图5中所示的传感器封装200的第一和第二非导电层202、204。相反，衬底302代替如图5中所示的第一和第二非导电层202、204。衬底302可以是硅衬底。衬底302可以是包括多个层的多层衬底，诸如钝化层、再钝化层、核心层或者可以是衬底302的层的一些其他合适类型的层。

衬底302的导电焊盘304通过粘合剂306而被耦接到传感器裸片102，粘合剂306可以是裸片附着膜、胶水、导电膏(例如焊料、银等)或者是用于将传感器裸片102耦接到导电焊盘304的一些其他合适类型的粘合剂，其可以是在传感器裸片102被供电时有助于在传感器裸片102中散热的裸片焊盘。替代地，导电焊盘304可以与从衬底302的外表面308暴露的接触焊盘电连通。

与如图5中所示的传感器封装200不同，第三非导电层206的表面220、222凹陷至第六和第八导电层141、143的表面224、226以下。换言之，第三非导电层206从衬底302的内表面310延伸并在延伸至第六和第八导电层141、143的表面之前终止。衬底302的内表面310与衬底302的外表面308相对。

与如图5中所示的传感器封装200不同，在传感器封装300左手侧的第一侧壁312包括第三非导电层206和衬底302的各表面，它们基本上共面并且彼此齐平。在传感器封装300右手侧的第二侧壁314包括第三非导电层206和衬底302的各表面，它们基本上共面并且彼此齐平。

与如图1中所示的传感器封装100不同，掺杂树脂134不沿着传感器裸片102的第二表面106延伸或位于其上。相反，掺杂树脂134终止于衬底302的内表面310处且终止于其上。掺杂树脂134沿着衬底302的内表面310延伸并在到达传感器封装300的第一和第二侧壁312、314之前终止。

多个第一接触焊盘316在衬底302的外表面308处，并且多个第二接触焊盘318在衬底302的内表面310处。多个第一接触焊盘316中的第一接触焊盘耦接到第二接触焊盘318中的对应第二接触焊盘。多个第一接触焊盘316通过多个导电通孔320耦接到多个第二接触焊盘318。例如，多个导电通孔320中的导电通孔从多个第一接触焊盘316中的第一接触焊盘延伸到多个第二接触焊盘318中的对应第二接触焊盘。多个第一接触焊盘316、多个第二接触焊盘318和多个导电通孔320形成电连接或通路，电信号可以沿着该电连接或通路传入和传出传感器裸片102以及传入和传出传感器封装300到达与传感器封装300电通信的外部电子组件。

图7是传感器封装400的横截面图，其中透镜接收部分402耦接到如图1中所示的传感器封装100。透镜接收部分402包括支撑部分404和螺纹部分406，支撑部分404耦接到如图1中所示的相应表面170、172，螺纹部分406耦接到支撑部分404并悬置在传感器封装100上方。螺纹部分406接收透镜组件408，该透镜组件408包括接收第一透镜412和第二透镜414的螺纹结构410。第一和第二透镜412、414耦接到螺纹结构410并且在螺纹结构410中的开口416内。第一透镜412和第二透镜414可以是当光子穿过第一透镜412和第二透镜414时将光束聚焦在传感器112上的凸透镜。在一些替代实施例中，螺纹结构410的开口416中可能只有一个透镜。在一些在替代实施例中，螺纹结构410的开口416内可以有两个以上的透镜(例如，三个、四个等)。第一透镜412和第二透镜414被悬置在第一开口146上方，并且与第一开口146对齐，其暴露透明部分114的第四表面118，以使得穿过第一透镜412和第二透镜414的光被引导穿过第一开口146进入到透明部分114的第四表面118中以到达传感器112。第二透镜414比第一透镜412更靠近透明部分114。

第一焊球418耦接到第二导电层137的表面，并且第二焊球420耦接到第四导电层139的表面。第一焊球418和第二焊球420可以是多个焊球中的焊球，其耦接到在如图7中所示的横截面图中不易看到的其他导电层。

图8A-图8E涉及制造如图5中所示的传感器封装200的方法的实施例。图8A-图8E图示了在制造如图5中所示的传感器封装200的方法的实施例期间的横截面图。为了本公开的简单和简洁，以下关于制造方法的讨论将集中在如图8A-图8E中所示的左手侧的传感器裸片102上。然而，应当容易了解，以下讨论也将适用于关于图8A-图8E右手侧的传感器裸片102的制造方法。

如图8A-图8E中所示的两个传感器裸片102可以是传感器裸片102阵列中的传感器裸片，它们通过粘合剂502(其可以是临时粘合剂)临时耦接到第一支撑件500，以用于形成如图5中所示的多个传感器封装200。

图8A图示了制造传感器封装200的方法的步骤，其中传感器裸片102通过粘合剂502而被耦接到第一支撑件500。例如，传感器裸片102可以通过利用拾取和放置机器将传感器裸片102放置在粘合剂502上而耦接到粘合剂502。粘合剂502可以是临时粘合剂，以使得传感器裸片102可以稍后从第一支撑件500移除。

在传感器裸片102已经通过临时的粘合剂502而被耦接到第一支撑件500之后，将支撑结构122形成在传感器裸片102的第一表面104上。支撑结构122可以通过挤压成型技术、注入形成技术、压缩形成技术或一些其他类似的形成技术或沉积技术来形成。例如，环氧树脂或树脂材料可以以选择性的方式被挤出到传感器裸片102的第一表面104上，以避免用环氧树脂或树脂材料覆盖传感器112，以使得环氧树脂或树脂材料围绕或包围传感器112。在被选择性地施加之后，环氧树脂或树脂材料被允许固化和硬化以形成支撑结构122。在替代实施例中，支撑结构122可以利用模制工具并将环氧树脂或树脂材料注入到模制工具中而形成支撑结构122的方式形成。支撑结构122中的每一个围绕传感器裸片102中的对应一个的传感器112中的对应一个。

在形成多个支撑结构122之后，透明部分114耦接到至少一个支撑结构122。例如，当对应的支撑结构122是环氧树脂或树脂材料时，其被挤出到第一表面104上，通过在支撑结构122被允许固化和硬化之前将透明部分114放置在支撑结构122上而使透明部分114可以耦接到支撑结构122。在替代实施例中，支撑结构122可以被形成在透明部分114的第三表面116上，并且在环氧树脂或树脂材料完全固化和硬化之前，支撑结构122和透明部分114被放置在传感器裸片102的第一表面104上。在此时，支撑结构122与透明部分114一起通过拾取和放置机器而被放置在传感器裸片102的第一表面104上。然后允许支撑结构122完成固化和硬化，以使得支撑结构122耦接到传感器裸片102的第一表面104，并且支撑结构122将透明部分114耦接到传感器裸片102的第一表面104。

在形成支撑结构122并且将透明部分114耦接到支撑结构122之后，在传感器裸片102的相应表面上形成掺杂树脂层504。也可以将掺杂树脂层504形成在粘合剂502的没有被多个传感器裸片102覆盖的部分上。掺杂树脂层504可以通过溅射技术、喷涂技术或用于形成掺杂树脂层504的一些其他类型的沉积技术来形成。掺杂树脂层504可以具有基本上等于或大于～15-μm的厚度。

将掺杂树脂层504形成为包括暴露透明部分114的表面的第一开口146。第一开口146可以是暴露的多个第一开口146中的一个，第一开口146中的每一个开口暴露透明部分114的对应表面。在制造方法的替代实施例中，临时保护层可以存在于多个透明部分114的表面上并且填充第一开口146。临时保护层可以被配置为在制造方法的替代实施例的进一步步骤期间保护透明部分114的表面，并且在随后的步骤中移除临时保护层以形成第一开口146并暴露透明部分114的表面。第一开口146可以对应于如图6中所示的第一开口146。

如图5中所示，掺杂树脂层504被利用以在传感器封装200中形成掺杂树脂。掺杂树脂层504掺杂有不导电的添加剂材料(例如，无机非导电金属化合物，其可以包括金属材料)。

在形成掺杂树脂层504之后，形成第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八导电层136、137、138、139、140、141、142、143，如图8B中所示。第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142通过激光直接成型(LDS)技术来形成，并且第二、第四、第六和第八层通过镀覆技术来形成，其在执行LDS技术之后被执行。

形成第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142包括将激光选择性地暴露于掺杂树脂层504的选定部分，该选定部分对应于第一、第三、第四和第五层存在于传感器封装200中的位置，如图5中所示。例如，激光沿着掺杂树脂层504的表面进行引导并且可能在沿着暴露于激光的掺杂树脂层504的表面的区域处使掺杂树脂层504部分地劣化。将掺杂树脂层504内的添加剂材料激光激活，并将无机非导电金属化合物从非导电状态转换为导电状态。换言之，无机非导电金属化合物可以被转换为导电层，在这种情况下，其是第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142。激光可以进一步形成第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142存在于其上的掺杂树脂层504的微观粗糙表面(例如，微粗糙表面)。虽然被示出为沿着掺杂树脂层504连续延伸，但是第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142可以由位于掺杂树脂层504的微粗糙表面上的多个不连续部分制成。

在通过用激光激活掺杂树脂层504内的无机非导电金属化合物而在掺杂树脂层504的对应部分上形成第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142之后，通过镀覆技术形成第二、第四、第六和第八导电层137、139、141、143。镀覆技术可以是无电镀覆技术、化学镀覆技术、自催化镀覆技术或用于在第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142中的对应一层上形成第二、第四、第六和第八导电层137、139、141、143的一些其他镀覆技术。相对于第二、第四、第六和第八导电层137、139、141、143，第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142的厚度较小。第一和第二导电层136、137的第一总厚度可以是～5-μm至25-μm。第三和第四导电层138、139的第二总厚度可以是5-μm至25-μm。第五和第六导电层140、141的第三总厚度可以是5-μm至25-μm。第七和第八导电层142、143的第四总厚度可以是5-μm至25-μm。

在利用LDS技术和镀覆技术形成第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八导电层136、137、138、139、140、141、142、143之后，将模制化合物506(例如，环氧树脂、树脂或一些其他合适的非导电材料)形成在相应的导电层136、137、138、139、140、141、142、143上以及掺杂树脂层504上，如图8C中所示。模制化合物506填充凹槽508，这在图8A和图8B中可以很容易地看出。如图8C中所示，至少一个凹槽在透明部分114中的一个透明部分和传感器裸片102中的一个传感器裸片之间延伸。模制化合物506可以通过模制工具技术来形成。例如，可以将模制工具(例如，模板)定位在第一支撑件500上的组件(例如，透明部分114、掺杂树脂层504、导电层和传感器裸片102)上方，此时模制化合物506被注入到组件之间的模制工具中，以使得模制化合物506填充由模制工具界定的开放空间。在注入模制化合物506之后，允许模制化合物506固化和硬化，此时可以将模制工具从第一支撑件500上的组件中移除。形成模制化合物506可以形成封装晶片510，该封装晶片510包括至少两个透明部分114、至少两个传感器裸片102、至少两个支撑结构122、以及相应导电层136、137、138、139、140、141、142、143中的每个导电层中的至少两个导电层，这在图8C中可以很容易看出。模制化合物506包括凹陷至相应表面222、224以下的表面507。

在形成模制化合物506之后，如图8D中所示地利用倒装芯片技术，将封装晶片510从粘合剂502和第一支撑件500移除并翻转，然后通过临时的粘合剂514而被耦接到第二支撑件512。例如，拾取和放置机器可以拾取封装晶片510、翻转封装晶片510、然后将封装晶片510以相对于如图8C中所示的封装晶片510的取向而翻转的方向放置在粘合剂514上。

在封装晶片510被翻转并临时耦接到第二支撑件上的粘合剂514之后，执行研磨技术以移除掺杂树脂层504、第一、第二、第三和第四导电层136、137、138、139和模制化合物506的部分，如图8D中所示。研磨技术可以通过研磨工具(诸如砂轮、抛光砂轮或一些其他类型的研磨工具)来执行。该研磨技术形成第一和第二导电层136、137的第一端表面516和第三和第四导电层138、139的第二端表面518。第一端表面是第一和第二导电层136、137的端表面，并且第二端表面是第三和第四导电层138、139的表面。这种研磨技术形成掺杂树脂层504的第三端表面520和第四端表面521，并形成模制化合物506的表面522。研磨技术也使传感器裸片102变薄。第一端表面、第二端表面、第三端表面和第四端表面516、518、520、521、模制化合物506的表面以及传感器裸片102的第二表面106基本上齐平并且彼此共面。

在完成倒装芯片技术和研磨技术之后，通过图案化技术和沉积技术的组合(诸如溅射技术、喷涂技术、抗蚀剂层形成技术或者用于形成相应层的堆叠结构的一些其他合适的沉积技术或者沉积技术的组合)，在模制化合物506的封装晶片510上形成第一非导电层524、第二非导电层526以及第九和第十导电层208、210中的导电层，如图8E中所示。第九导电层208与第一和第二导电层136、137电连通或电耦接，并且第十导电层210与第三和第四导电层138、139电连通或电耦接。在最左边的传感器裸片102的右手侧上，第九导电层208可以形成在第一和第二导电层136、137的第一端表面上，如图8E中所示。在最左边的传感器裸片102的左手侧上，第十导电层210可以形成在第三和第四导电层138、139的第二端表面上。

在形成第一和第二非导电层524、526以及第九和第十导电层208、210之后，在从第一和第二非导电层524、526暴露的第九和第十导电层208、210的表面上形成多个焊球528。在焊球形成之后，分割工具529将封装晶片510分割成传感器封装200中的独立的传感器封装，如图5中所示。在执行该分割过程之后，将耦接到第二支撑件上的粘合剂514的传感器封装200中的独立的传感器封装从第二支撑件中移除。例如，传感器封装200中的独立的传感器封装可以通过拾取和放置机器从第二支撑件上的粘合剂514中移除。

图9图示了制造如图6中所示的传感器封装300的方法的实施例。与如图5中所示的制造传感器封装200的方法的实施例不同，传感器封装300的传感器裸片102通过粘合剂306耦接到衬底晶片600。例如，粘合剂306可以形成在衬底晶片600的表面602上和衬底晶片600的表面602处的导电焊盘304中的一个导电焊盘上。传感器裸片102可以通过拾取和放置机器而被放置在粘合剂306上。在利用粘合剂306将裸片耦接到衬底晶片600的表面之后，可以执行与如图8A-图8C中所示相同或相似的步骤以形成如图6中所示的传感器封装300。然而，衬底取代是临时的第一和第二支撑件，如早先如图8A-图8C中所示的关于形成传感器封装200所讨论的。在执行图8A-图8C中的步骤之后，封装晶片604被分割工具606分割，形成传感器封装300中的一个独立的传感器封装，如图6中所示。

图10A-图10D涉及制造如图1中所示的传感器封装100的方法的实施例，该方法被用于如图7中所示的传感器封装400中。以相同的方式执行早先关于图8A讨论的步骤以在对应的传感器裸片102上形成支撑结构122并通过支撑结构122将透明部分114耦接到对应的传感器裸片102上。然而，与图8A不同的是，在图10A中的传感器裸片102、支撑结构122和透明部分114上没有形成掺杂树脂层504。相反，一旦在对应的传感器裸片102上形成支撑结构122，并且透明部分114耦接到对应的支撑结构122，如图10A中所示的堆叠配置中的透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102从第一支撑件500上的粘合剂502中被移除。透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102可以通过拾取和放置机器从粘合剂502被移除。

在将图10A左手侧上的透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102从第一支撑件500上的粘合剂502移除之后，作为掺杂树脂层134的掺杂树脂134分别形成在透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102的相应表面和侧壁上。通过将掺杂树脂134喷涂到这些表面和侧壁上，可以在这些表面和侧壁上形成掺杂树脂134。例如，拾取和放置机器可以将透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102保持在第一取向，然后在处于第一取向时将掺杂树脂134喷涂到透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102上。在掺杂树脂134的第一次喷涂涂抹之后，拾取和放置机器可以放下透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102，然后以不同于第一取向的第二取向再次拾取透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102。当处于第二取向时，可以将掺杂树脂134的第二喷涂涂抹喷涂到传感器裸片102上以覆盖透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102的相应表面和侧壁。换句话说，可以执行多个喷涂步骤和重新定向步骤以在透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102的相应表面和侧壁上形成掺杂树脂134。掺杂树脂134可以具有基本上均匀的厚度。

掺杂树脂134可以以选择性的方式被喷射到相应表面和侧壁上，以使得透明部分114的第四表面118。在替代实施例中，临时保护层可以存在于与第一开口146将存在的位置相对应的第四表面118上。可以通过劣化临时保护层来形成第一开口146。例如，临时保护层可以是当暴露于空气、水或化学品时劣化的材料。

在已在透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102的相应表面和侧壁上形成掺杂树脂134之后，第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142可以由LDS技术来形成。例如，类似于掺杂树脂134的形成方式，拾取和放置机器以第一取向拾取透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102，然后将激光暴露于掺杂树脂134的第一相应部分。在激光暴露于掺杂树脂134的第一相应部分之后，拾取和放置机器可以将透明部分114、支撑结构122和传感器裸片102重新定向到不同于第一取向的第二取向。在被重新定向到第二取向之后，可以将激光暴露于与掺杂树脂134的第一相应部分不同的掺杂树脂134的第二相应部分。例如，将激光暴露于掺杂树脂134的第一相应部分可以完整地形成第五和第七导电层140、142并且部分地形成第一和第三导电层136、138。在将激光暴露于第一相应部分之后，将激光暴露于第二相应部分可以完成第一和第三导电层136、138的形成。换言之，可以执行多个激光曝光步骤和重新定向步骤，以通过激活掺杂树脂134中的添加剂材料来形成第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142。

在第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142之后，执行镀覆技术以在第一、第三、第五和第七导电层136、138、140、142上形成第二、第四、第六和第八导电层137、139、141、143。镀覆技术与先前关于图8B讨论的镀覆技术相同或相似。为了本公开的简单和简洁起见，镀覆技术的讨论在本公开内在此不再再现。

在掺杂树脂134上形成第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八导电层136、137、138、139、140、141、142、143之后，在掺杂树脂134和第二、第四、第六和第八导电层137、139、141、143上形成非导电层。非导电层可以利用如早先关于形成掺杂树脂134所讨论的喷涂步骤和重新定向步骤。非导电层中的第二和第三开口148、152可以通过在掺杂树脂134和第二、第四、第六和第八导电层137、139、141、143上选择性地形成非导电层来形成。可替代地，临时保护层可以存在于与第二和第三开口148、152将存在的位置相对应的第四表面118、第二导电层137和第四导电层139上。第二和第三开口148、152可以通过劣化临时保护层来形成。例如，临时保护层可以是当暴露于空气、水或化学品时劣化的材料。

一种器件可以被概括为包括裸片，该裸片包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及从第一表面延伸至第二表面的第一侧壁。在裸片的第一表面上的支撑结构，该支撑结构包括远离第一表面而延伸的第二侧壁。在支撑结构上，并且与裸片间隔开的透明部分，该透明部分包括在支撑结构上的第三表面、与第三表面相对，并且背离裸片的第四表面、以及从第三表面延伸至第四表面的第三侧壁。由支撑结构、裸片和透明部分界定的腔。沿着第三侧壁、第二侧壁、第一表面和第一侧壁延伸的树脂。

树脂可以沿着裸片的第二表面和透明部分的第四表面延伸。

该器件还可以包括沿着树脂在第一表面、第一侧壁和第二表面上的相应部分延伸的第一导电层，以及与第一导电层分离并且不同于第一导电层的第二导电层，该第二导电层沿着树脂在第二侧壁、第三侧壁和第四表面上的相应部分延伸。

非导电层可以覆盖第一导电层和第二导电层。

该器件还可以包括沿着树脂在第一侧壁和第一表面上的相应部分延伸的第一导电层。

第一导电层可以被非导电层覆盖。

该器件还可以包括与第一导电层分离并且不同于第一导电层的第二导电层，该第二导电层沿着树脂在第二侧壁和第三侧壁上的相应部分延伸。

非导电层可以覆盖第一导电层和第二导电层。

该器件还可以包括沿着第一侧壁、第一表面、第二侧壁和第三侧壁延伸的导电层。

树脂可以沿着第二表面和第四表面延伸，导电层可以沿着第二表面和第四表面延伸。

裸片可以还包括在裸片的第一表面处的传感器，该传感器位于腔内。

一种器件可以被概括为包括支撑层，该支撑层包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。裸片包括位于第一表面上的第三表面、与第三表面相对，并且背离支撑层的第四表面、以及从第三表面延伸至第四表面的第一侧壁。在裸片的第四表面上的支撑结构，该支撑结构包括远离第四表面而延伸的第二侧壁。在支撑结构上并与裸片间隔开的透明部分，该透明部分包括背离裸片的暴露表面和从暴露表面朝向裸片延伸的第三侧壁。由支撑结构、裸片和透明部分界定的腔。沿着第一侧壁、第一表面、第二侧壁和第三侧壁延伸的树脂。

该器件还可以包括沿着树脂在第一侧壁和第四表面上的相应部分延伸的第一导电层，以及与第一导电层分离并且不同的第二导电层，第二导电层沿着树脂在第二侧壁和第三侧壁上的相应部分延伸。

树脂可以沿着暴露表面延伸。第二导电层可以沿着树脂在暴露表面上的相应部分延伸。

该器件还可以包括覆盖第一导电层和第二导电层的非导电层。

该器件还可以包括沿着树脂在第一侧壁、第四表面、第二侧壁和第三侧壁上的相应部分延伸的导电层。

该器件还可以包括覆盖导电层的非导电层。

支撑层可以是钝化层。

支撑层可以是衬底，树脂可以在衬底上。

该器件还可以包括沿着树脂在第一侧壁、第四表面和衬底上的相应部分延伸的第一导电层。

一种方法可以被概括为包括将透明部分耦接到第一裸片的第一表面上的支撑结构。在横向于第一表面的裸片的第一侧壁上、在裸片的第一表面上、在横向于第一表面的支撑结构的第二侧壁上、在横向于第一表面的透明部分的第三侧壁上形成掺杂树脂。形成第一导电层，该第一导电层沿着掺杂树脂在第一侧壁和第一表面上的相应部分延伸。形成覆盖第一导电层和掺杂树脂的非导电层。

该方法还可以包括通过在第二侧壁和第三侧壁上的掺杂树脂的相应部分上形成第二导电层，来形成与第一导电层分离并且不同的第二导电层。

形成掺杂树脂还可以包括：在裸片的与第一表面相对的第二表面上以及在透明部分的背离裸片的第四表面上形成掺杂树脂。形成第一导电层还包括：形成沿着树脂在裸片的第二表面上的相应部分延伸的第一导电层。形成第二导电层还包括：形成沿着树脂在透明部分的第四表面上的相应部分延伸的第二导电层。

形成第一导电层和形成第二导电层可以包括在激光直接成型过程期间将树脂暴露于激光。

形成第一导电层可以包括在激光直接成型过程期间将树脂暴露于激光。

该方法将支撑层耦接到裸片。

支撑层可以是衬底。

支撑层可以是钝化层。

可以组合上述各种实施例以提供进一步的实施例。如果需要，可以修改实施例的各方面以采用各种专利、申请和出版物的概念来提供更进一步的实施例。

可以根据以上详细描述对实施例进行这些和其他改变。一般而言，在以下权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制为在说明书和权利要求中公开的特定实施例，而应被解释为包括所有可能的实施例以及权利要求所享有的等价物的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (20)

1.一种传感器封装器件，其特征在于，包括：

裸片，所述裸片包括第一表面、第二表面以及第一侧壁，所述第二表面与所述第一表面相对，所述第一侧壁从所述第一表面延伸到所述第二表面；

支撑结构，在所述裸片的所述第一表面上，所述支撑结构包括远离所述第一表面而延伸的第二侧壁；

透明部分，在所述支撑结构上，并且与所述裸片间隔开，所述透明部分包括第三表面、第四表面以及第三侧壁，所述第三表面在所述支撑结构上，所述第四表面与所述第三表面相对，并且背离所述裸片，所述第三侧壁从所述第三表面延伸至所述第四表面；

腔，由所述支撑结构、所述裸片和所述透明部分界定；以及

树脂，沿着所述第三侧壁、所述第二侧壁、所述第一表面和所述第一侧壁延伸。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述树脂沿着所述裸片的所述第二表面和所述透明部分的所述第四表面延伸。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括：

第一导电层，沿着所述树脂在所述第一表面、所述第一侧壁和所述第二表面上的相应部分延伸；以及

第二导电层，与所述第一导电层分离并且不同于所述第一导电层，所述第二导电层沿着所述树脂在所述第二侧壁、所述第三侧壁和所述第四表面上的相应部分延伸。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，非导电层覆盖所述第一导电层和所述第二导电层。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：第一导电层，所述第一导电层沿着所述树脂在所述第一侧壁和所述第一表面上的相应部分延伸。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述第一导电层被非导电层覆盖。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，还包括：第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层分离并且不同于所述第一导电层，所述第二导电层沿着所述树脂在所述第二侧壁和所述第三侧壁上的相应部分延伸。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，非导电层覆盖所述第一导电层和所述第二导电层。

9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：导电层，所述导电层沿着所述第一侧壁、所述第一表面、所述第二侧壁和所述第三侧壁延伸。

10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于：

所述树脂沿着所述第二表面和所述第四表面延伸；以及

所述导电层沿着所述第二表面和所述第四表面延伸。

11.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述裸片还包括：传感器，所述传感器在所述裸片的所述第一表面处，所述传感器位于所述腔内。

12.一种传感器封装器件，其特征在于，包括：

支撑层，所述支撑层包括第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；

裸片，所述裸片包括第三表面、第四表面以及第一侧壁，所述第三表面在所述第一表面上，所述第四表面与所述第三表面相对，并且背离所述支撑层，所述第一侧壁从所述第三表面延伸至所述第四表面；

支撑结构，在所述裸片的所述第四表面上，所述支撑结构包括远离所述第四表面而延伸的第二侧壁；

透明部分，在所述支撑结构上，并且与所述裸片间隔开，所述透明部分包括暴露表面和第三侧壁，所述暴露表面背离所述裸片，所述第三侧壁从所述暴露表面朝向所述裸片延伸；

腔，由所述支撑结构、所述裸片和所述透明部分界定；以及

树脂，沿着所述第一侧壁、所述第一表面、所述第二侧壁和所述第三侧壁延伸。

13.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，还包括：

第一导电层，沿着所述树脂在所述第一侧壁和所述第四表面上的相应部分延伸；以及

第二导电层，与所述第一导电层分离并且不同于所述第一导电层，所述第二导电层沿着所述树脂在所述第二侧壁和所述第三侧壁上的相应部分延伸。

14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于：

所述树脂沿着所述暴露表面延伸；以及

所述第二导电层沿着所述树脂在所述暴露表面上的相应部分延伸。

15.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，还包括：非导电层，覆盖所述第一导电层和所述第二导电层。

16.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，还包括：导电层，所述导电层沿着所述树脂在所述第一侧壁、所述第四表面、所述第二侧壁和所述第三侧壁上的相应部分延伸。

17.根据权利要求16所述的器件，其特征在于，还包括：非导电层，覆盖所述导电层。

18.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述支撑层是钝化层。

19.根据权利要求12所述的器件，其特征在于：

所述支撑层是衬底；以及

所述树脂在所述衬底上。

20.根据权利要求19所述的器件，其特征在于，还包括：第一导电层，沿着所述树脂在所述第一侧壁、所述第四表面和所述衬底上的相应部分延伸。

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