TW202410429A

TW202410429A - 畫素相位偵測影像感測器

Info

Publication number: TW202410429A
Application number: TW111131557A
Authority: TW
Inventors: 李學能; 鍾貞健
Original assignee: 香港商京鷹科技股份有限公司
Priority date: 2022-08-22
Filing date: 2022-08-22
Publication date: 2024-03-01

Abstract

一種畫素相位偵測影像感測器，包括多個畫素以及多個微透鏡。多個畫素沿第一方向以及第二方向排列成陣列。多個微透鏡設置在多個畫素上，且分別覆蓋多個畫素中不同的N個畫素，N為大於1的正整數。被同一個微透鏡所覆蓋的N個畫素包括不同顏色畫素。多個微透鏡在第一方向上彼此對齊且在第二方向上交錯設置。

Description

畫素相位偵測影像感測器

本發明是有關於一種畫素相位偵測影像感測器。

目前許多畫素相位偵測影像感測器廣泛應用相位偵測自動對焦(Phase Detection Auto Focus，PDAF)技術，以兼具影像感測以及對焦功能。然而，在現有的相位偵測自動對焦設計中，無法兼顧解析度以及色彩平衡。

本發明提供一種畫素相位偵測影像感測器，其可兼顧解析度以及色彩平衡。

在本發明的一實施例中，畫素相位偵測影像感測器包括多個畫素以及多個微透鏡。多個畫素沿第一方向以及第二方向排列成陣列。多個微透鏡設置在多個畫素上，且分別覆蓋多個畫素中不同的N個畫素，N為大於1的正整數。被同一個微透鏡所覆蓋的N個畫素包括不同顏色畫素。多個微透鏡在第一方向上彼此對齊且在第二方向上交錯設置。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本發明。

在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。

在下述實施例中，相同或相似的元件將採用相同或相似的標號，且將省略其贅述。此外，不同實施例中的特徵在沒有衝突的情況下可相互組合，且依本說明書或申請專利範圍所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本專利涵蓋的範圍內。

本說明書或申請專利範圍中提及的「第一」、「第二」等用語僅用以命名不同元件或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量上的上限或下限，也並非用以限定元件的製造順序或設置順序。此外，一元件/膜層設置在另一元件/膜層上（或上方）可涵蓋所述元件/膜層直接設置在所述另一元件/膜層上（或上方），且兩個元件/膜層直接接觸的情況；以及所述元件/膜層間接設置在所述另一元件/膜層上（或上方），且兩個元件/膜層之間存在一或多個元件/膜層的情況。

圖1以及圖2分別是根據本揭露的多個實施例的畫素相位偵測影像感測器的局部俯視示意圖。圖3以及圖4分別是根據本揭露的多個實施例的畫素相位偵測影像感測器的局部剖面示意圖，且圖3以及圖4例如對應圖1以及圖2中剖線I-I’的剖面。

本揭露的畫素相位偵測影像感測器可用於進行自動對焦以及影像拍攝的各種高解析度或高畫素的電子裝置(例如照相機、行動電話、電腦等)中，且例如可用相同的感光元件達到自動對焦以及全彩影像(full-color image)感測，但不以此為限。

請參照圖1，畫素相位偵測影像感測器1可包括多個畫素，如多個紅色畫素R、多個綠色畫素G以及多個藍色畫素B，但不以此為限。多個畫素沿第一方向D1以及第二方向D2排列成陣列AR。舉例來說，在陣列AR中，多個綠色畫素G以及多個紅色畫素R可在第一方向D1以及第二方向D2上交替排列，且多個綠色畫素G以及多個藍色畫素R可在第一方向D1以及第二方向D2上交替排列，但不以此為限。應理解，畫素相位偵測影像感測器1中的畫素的數量、畫素的顏色種類、各顏色畫素的數量或不同顏色畫素之間的相對設置/排列關係等設計參數可根據需求改變，而不以圖1所顯示的為限。

畫素相位偵測影像感測器1還可包括多個微透鏡ML。多個微透鏡ML設置在多個畫素(如多個紅色畫素R、多個綠色畫素G以及多個藍色畫素B)上，且分別覆蓋多個畫素中不同的N個畫素。N為大於1的正整數。舉例來說，N可等於4，即，一個微透鏡ML覆蓋四個畫素，且不同的微透鏡ML覆蓋不同的四個畫素，但不以此為限。應理解，N的實際數量可根據需求改變，而不以圖1所顯示的為限。

被同一個微透鏡ML所覆蓋的N個畫素例如包括不同顏色畫素。以圖1為例，在被同一個微透鏡ML所覆蓋的四個畫素中，在對角線DG1上排列的兩個畫素(例如為兩個綠色畫素G)具有相同顏色(如綠色)，且在對角線DG2上排列的兩個畫素(例如分別為紅色畫素R以及藍色畫素B)具有不同顏色(如紅色和藍色)。在N等於4的架構下，四個畫素具有兩條對角線，然而應理解，對角線的實際數量可根據需求改變，而不以圖1所顯示的為限。

多個微透鏡ML在第一方向D1上彼此對齊且在第二方向D2上交錯設置。以圖1為例，多個微透鏡ML可分成在第一方向D1上延伸且在第二方向D2上排列的多個群組(如群組G1、群組G2、群組G3以及群組G4)；各群組例如包括沿第一方向D1排列的複數個(如4個)微透鏡ML，且相鄰群組中的相鄰兩個微透鏡ML的中心偏移一距離。以圖1為例，微透鏡ML2例如從微透鏡ML1的中心沿第一方向D1偏移距離D，且距離D例如等於一個畫素(如綠色畫素G或藍色畫素B)在第一方向D1上的寬度W。

透過多個微透鏡ML在第二方向D2上交錯設置的設計，在第二方向D2上任兩個相鄰的紅色畫素R例如分別位於所對應的兩個微透鏡ML(如微透鏡ML1以及微透鏡ML2)的左半部和右半部，且在第二方向D2上任兩個相鄰的藍色畫素B例如分別位於所對應的兩個微透鏡ML(如微透鏡ML1以及微透鏡ML2)的左半部和右半部。以圖1為例，被奇數群組(如群組G1以及群組G3)所覆蓋的紅色畫素R例如位於所對應的微透鏡ML的右半部，而被偶數群組(如群組G2以及群組G4)所覆蓋的紅色畫素R例如位於所對應的微透鏡ML的左半部。

畫素相位偵測影像感測器1可設置在透鏡模組(未繪示)的光傳遞路徑上，以接收來自透鏡模組的光線。就微透鏡ML1來說，被微透鏡ML1的左半部覆蓋的綠色畫素G以及藍色畫素B接收右邊光線，被微透鏡ML1的右半部覆蓋的紅色畫素R以及綠色畫素G接收左邊光線。在進行自動對焦時，被微透鏡ML1所覆蓋的四個畫素的光強度值若一致，則物體處於對焦狀態；反之，被微透鏡ML1所覆蓋的四個畫素的光強度值若不一致，則物體處於失焦狀態。舉例來說，若待測物位於透鏡模組的焦點上，來自透鏡模組的光線將聚焦到同一個微透鏡ML的四個像素中，而處於對焦狀態。若待測物位於透鏡模組的前方或後方，來自透鏡模組的光線可能聚焦到多個微透鏡ML中的多個像素中，而形成視差(disparity)。通過視差分析，可判斷出如何移動透鏡模組的位置才能將焦距調整至較佳之狀態或對焦狀態。

影像感測可接續在自動對焦之後。在進行影像感測時，對應同一個微透鏡ML的兩個綠色畫素G中的一個接收左邊光線，另一個接收右邊光線。被奇數群組(如群組G1以及群組G3)所覆蓋的紅色畫素R接收左邊光線，而被偶數群組(如群組G2以及群組G4)所覆蓋的紅色畫素R接收右邊光線。被奇數群組(如群組G1以及群組G3)所覆蓋的藍色畫素B接收右邊光線，而被偶數群組(如群組G2以及群組G4)所覆蓋的藍色畫素B接收左邊光線。由於陣列AR中，部分的紅色畫素R接收左邊光線，另一部分的紅色畫素R接收右邊光線，部分的綠色畫素G接收左邊光線，另一部分的綠色畫素G接收右邊光線，部分的藍色畫素B接收左邊光線，且另一部分的藍色畫素B接收右邊光線，因此可兼顧色彩平衡。

在陣列AR中，若多個微透鏡ML在第一方向D1以及第二方向D2上皆彼此對齊，則被奇數群組(如群組G1以及群組G3)和偶數群組(如群組G2以及群組G4)所覆蓋的所有紅色畫素R都只能接收左邊光線，且被奇數群組(如群組G1以及群組G3)和偶數群組(如群組G2以及群組G4)所覆蓋的所有藍色畫素B都只能接收右邊光線，造成影像感測時紅色畫素R和藍色畫素B的色彩失衡。另一方面，若被同一個微透鏡ML所覆蓋的N個畫素皆為同顏色畫素，雖能克服色彩失衡的問題，但卻導致解析度降低。相較之下，本實施例透過被同一個微透鏡ML所覆蓋的N個畫素包括不同顏色畫素，且多個微透鏡ML在第二方向D2上交錯設置的設計，可在不降低解析度的情況下，改善色彩失衡的問題，因此能兼顧解析度以及色彩平衡。

請參照圖2，畫素相位偵測影像感測器1’與圖1的畫素相位偵測影像感測器1的主要差異在於：圖1中的第一方向D1以及第二方向D2分別為圖面中的橫向與縱向，而圖2中的第一方向D1以及第二方向D2分別為圖面中的縱向與橫向。在此設計下，在第二方向D2上任兩個相鄰的紅色畫素R分別位於所對應的兩個微透鏡ML(如微透鏡ML1以及微透鏡ML2)的上半部和下半部，且在第二方向D2上任兩個相鄰的藍色畫素B分別位於所對應的兩個微透鏡ML(如微透鏡ML1以及微透鏡ML2)的上半部和下半部。

另一方面，若將圖面順時針轉90度來看，被奇數群組(如群組G1以及群組G3)所覆蓋的紅色畫素R接收左邊光線，而被偶數群組(如群組G2以及群組G4)所覆蓋的紅色畫素R接收右邊光線。被奇數群組(如群組G1以及群組G3)所覆蓋的藍色畫素B接收右邊光線，而被偶數群組(如群組G2以及群組G4)所覆蓋的藍色畫素B接收左邊光線。因此也能兼顧解析度以及色彩平衡。

請參照圖3，以背側照明式互補式金屬氧化物半導體影像感測器為例，畫素相位偵測影像感測器1(或畫素相位偵測影像感測器1’)還可包括內連線結構10、半導體基底12以及彩色濾光片14，其中半導體基底12設置在連線結構10上，彩色濾光片14設置在半導體基底12上且包括多個濾光圖案，如多個紅色濾光圖案(未繪示)、多個綠色濾光圖案14G以及多個藍色濾光圖案14B，其中多個紅色濾光圖案對應多個紅色畫素R(參照圖1或圖2)設置，多個綠色濾光圖案14G對應多個綠色畫素G設置，且多個藍色濾光圖案14B對應多個藍色畫素B設置。由於圖1或圖2中的剖線I-I’未剖到紅色畫素R，因此圖3以及圖4中未示出紅色濾光圖案。

半導體基底12可由下列製成：合適的元素半導體，例如晶體矽、金剛石或鍺；合適的化合物半導體，例如砷化鎵、碳化矽、砷化銦或磷化銦；或者合適的合金半導體，例如碳化矽鍺、磷化鎵砷或磷化鎵銦。半導體基底12可為P型基底或N型基底。舉例來說，當半導體基底12是P型基底時，半導體基底12可以摻雜有P型摻雜劑(例如硼)，當半導體基底12是N型基底時，半導體基底12可以摻雜有N型摻雜劑(例如磷或砷)。

半導體基底12可包括與多個濾光圖案對應設置多個感光元件S。舉例來說，多個感光元件S在半導體基底12的厚度方向(如第三方向D3)上分別重疊於多個濾光圖案(包括多個紅色濾光圖案、多個綠色濾光圖案14G以及多個藍色濾光圖案14B)。

儘管未繪示，每一個感光元件S可包括一個第一型半導體層以及一個第二型半導體層，且第一型半導體層以及第二型半導體層在第三方向D3上重疊設置。第一型半導體層以及第二型半導體層的其中一者可為P型半導體層，且第一型半導體層以及第二型半導體層的其中另一者可為N型半導體層。在其他實施例中，儘管未繪示，但每一個感光元件S也可進一步包括設置在第一型半導體層以及第二型半導體層之間的本徵層。

第一型半導體層以及第二型半導體層的形成方法可包括離子植入法。具體而言，當半導體基底12是P型基底時，可以將N型摻雜劑(例如磷或砷)摻雜到主動區中以形成N型井，並且在半導體基底12中所形成的PN接面能夠執行影像感測功能。類似地，當半導體基底12是N型基底時，可將P型摻雜劑(例如硼)摻雜到主動區中以形成P型井。

在背側照明式互補式金屬氧化物半導體影像感測器的架構下，半導體基底12的第一面12a可稱為背面，而半導體基底12的第二面12b可稱為正面(或是主動面)。光線(或輻射)入射至半導體基底12的背面(第一面12a)，並經由背面進入感光元件S，以進行影像感測功能。當在PN接面施加逆向偏壓(reversed bias)時，PN接面對入射光線敏感。此時，感光元件S處於浮置高阻抗(floating high impedence)的狀態。在經過光照射一段時間之後，感光元件S可產生電流，而造成的壓差即為影像訊號。也就是說，感光元件S所接收或檢測到的光線可被轉換成光電流(photo-current)，進而可產生影像訊號輸出。

在一些實施例中，半導體基底12還可包括多個隔離結構120，以將多個感光元件S彼此隔離。詳細而言，多個隔離結構120在半導體基底12中定義多個主動區。隔離結構120由半導體基底120的第一面12a朝向半導體基底12的第二面12b延伸。多個感光元件S分別形成在半導體基底12中所定義的多個主動區中。舉例來說，隔離結構120可包括深溝渠隔離(deep trench isolation，DTI)結構，以將多個感光元件S彼此隔離，使相鄰感光元件S之間的光訊號干擾可顯著降低。然而，在其他實施例中，隔離結構120也可包括淺溝渠隔離(shallow trench isolation，STI)結構、植入隔離(implant isolation)結構或其他隔離結構。

在一些實施例中，儘管未繪示，但畫素相位偵測影像感測器1(或畫素相位偵測影像感測器1’)也可包括位於半導體基底12的主動面(第二面12b)上的一個或多個畫素電晶體。舉例來說，畫素電晶體可包括轉移電晶體(transfer transistor)，用以將感光元件S中產生的電荷轉移出感光元件S，以用以讀出。另外，畫素電晶體還可包括其他電晶體，例如源極跟隨器電晶體(source-follower transistor)、列選擇電晶體(row select transistor)或重置電晶體(reset transistor)等。

彩色濾光片14設置在半導體基底12的第一面12a上。此外，彩色濾光片14的多個濾光圖案可分別對應於多個感光元件S設置。

彩色濾光片14允許傳輸具有特定波長範圍的光，同時阻擋波長超出特定範圍的光。舉例來說，紅光濾光圖案允許紅色光線通過，使得紅色光線被位於紅光濾光圖案下方的感光元件S接收。綠光濾光圖案14G允許綠色光線通過，使得綠色光線被位於綠光濾光圖案14G下方的感光元件S接收。藍光濾光圖案14B允許藍色光線通過，使得藍色光線被位於藍光濾光圖案14B下方的感光元件S接收。在本實施例中，畫素相位偵測影像感測器1(或畫素相位偵測影像感測器1’)適於感測光波長落在可見光範圍的光線。然而，在其他實施例中，畫素相位偵測影像感測器1(或畫素相位偵測影像感測器1’)也可用於感測光波長落在非可見光範圍的光線，如紅外光，但不以此為限。對應地，彩色濾光片14也可替換成阻擋紅外光以外光線通過的濾光片。

多個微透鏡ML設置在彩色濾光片14上，且多個微透鏡ML分別對應於多個彩色濾光圖案設置。詳細來說，多個微透鏡ML分別設置在多個濾光圖案中不同的N個濾光圖案上，且被同一個微透鏡ML所覆蓋的N個濾光圖案包括不同顏色濾光圖案。舉例來說，N個濾光圖案可包括至少一個紅色濾光圖案、至少一個綠色濾光圖案14G以及至少一個藍色濾光圖案14B。在圖1或圖2的架構下，被同一個微透鏡ML所覆蓋的N個(如4個)濾光圖案例如包括一個紅色濾光圖案、兩個綠色濾光圖案14G以及一個藍色濾光圖案14B。

內連線結構10設置在半導體基底12的主動面(如第二面12b)上，且內連線結構10電性耦接至多個感光元件S，使得從多個感光元件S產生的訊號可以被傳送到其他元件以進行處理。

內連線結構10可包括層間介電(interlayer dielectric，ILD)層100以及形成於層間介電層100中交替堆疊的多個線路層102。層間介電層100的材料可包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、磷矽酸鹽玻璃、硼磷矽酸鹽玻璃、旋塗式玻璃、氟化矽玻璃、碳摻雜氧化矽、聚醯亞胺或其組合，但不以此為限。線路層102的材料可包括導電材料，例如金屬，但不以此為限。線路層102的層數例如是四層或五層，但不以此為限。在其他實施例中，內連線結構10可包括更多層或更少層的線路層102。

多個線路層102中最靠近半導體基底12的一者可為金屬一(metal one)層，而在第三方向D3的反方向上堆疊在金屬一層上的線路層102可依序為金屬二(metal two)層、金屬三(metal three)層，依此類推。以五層線路層102為例，多個線路層102中最靠近半導體基底12的一者可為金屬一層，多個線路層102中最遠離半導體基底12的一者可為金屬五層。應用本實施例者亦可將多個線路層102中最靠近半導體基底12的一者設置在金屬五層，將多個線路層102中最遠離半導體基底12的一者設置在金屬一層，並依此類推。在本實施例中，由於內連線結構10設置於入光面(即，第一面110a)的相對側(即，第二面110b)，也就是感光元件S的下方，因此內連線結構10不阻擋光線照射於感光元件S上。

在一些實施例中，最靠近半導體基底12的線路層(如線路層102-1)可包括反射圖案RP，反射圖案RP在與半導體基底12平行的方向上連續地延伸，且多個感光元件S在反射圖案RP上的正投影位在反射圖案RP的範圍內。換句話說，從俯視方向(由上往下)觀看下，多個感光元件S可與反射圖案RP重疊，使穿透感光元件S的光線可被反射圖案RP反射而再次照射至感光元件S。在此架構下，反射圖案RP可例如與多個線路層102中最靠近半導體基底12的一者(即金屬一層)中的線路在同一製程中形成。換句話說，反射圖案RP可例如與最靠近半導體基底12的線路層102中的線路位於同一層級，且反射圖案RP與線路層102可包括相同材料(例如金屬)。需說明的是，此處為了清楚繪示反射圖案RP，因此沒有繪示出與反射圖案RP相同層級的線路。

由於反射圖案RP可在製作線路層102的同時一起形成，也就是可利用既有製程來製作反射圖案RP，因此無須增加額外的製程步驟，可具有高製程相容性及不額外增加成本等優點。此外，由於反射圖案RP可為金屬層，光線在反射圖案RP的反射可為鏡面反射，且不易發生散射，因此垂直入射半導體基底12的光線可垂直地反射回感光元件S，以避免光線散射至鄰近的其他感光元件S，可減少雜訊的干擾。

在本實施例中，反射圖案RP電性斷接於感光元件S。在一實施例中，反射圖案RP可耦接至電源電壓(VDD)或接地電壓(GND)，使反射圖案RP可作為信號屏蔽，以減少感光元件S與線路層102之間的信號干擾及擾動。然而，在其他實施例中，反射圖案RP也可為電性浮置(floating)。在第一型半導體層為P型半導體層的架構下，第一型半導體層通常是耦接至接地電壓，如公共接地端電壓(VSS)；在一些實施例中，可藉由採用貫孔的設計，使第一型半導體層的底面接觸反射圖案RP，進而讓第一型半導體層耦接至接地電壓，如金屬的接地電壓(metal ground)。

請參照圖4，圖4與圖3的主要差異在於圖4中的線路層102-1包括分離的多個反射圖案RP’，且多個感光元件S的每一者在線路層102-1上的正投影分別位在多個反射圖案RP’的每一者的範圍內。換言之，從俯視方向(由上往下)觀看下，多個感光元件S的一者可與多個反射圖案RP’的一者重疊，使穿透感光元件S的光線可被反射圖案RP’反射而再次照射至感光元件S。在一些實施例中，儘管未繪示，線路層102-1還可包括多個連接線，連接於多個反射圖案RP’之間。

綜上所述，在本發明的實施例中，透過被同一個微透鏡所覆蓋的N個畫素包括不同顏色畫素，且多個微透鏡在第二方向上交錯設置的設計，可在不降低解析度的情況下，改善色彩失衡的問題，因此能兼顧解析度以及色彩平衡。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

1、1’:畫素相位偵測影像感測器 10:內連線結構 12:半導體基底 12a:第一面 12b:第二面 14:彩色濾光片 14B:藍色濾光圖案 14G:綠色濾光圖案 120:隔離結構 100:層間介電層 102:線路層 AR:陣列 B:藍色畫素 D:距離 D1:第一方向 D2:第二方向 D3:第三方向 DG1、DG2:對角線 G:綠色畫素 G1、G2、G3、G4:群組 ML、ML1、ML2:微透鏡 R:紅色畫素 RP、RP’:反射圖案 S:感光元件 W:寬度 I-I’:剖線

圖1以及圖2分別是根據本揭露的多個實施例的畫素相位偵測影像感測器的局部俯視示意圖。圖3以及圖4分別是根據本揭露的多個實施例的畫素相位偵測影像感測器的局部剖面示意圖。

1:畫素相位偵測影像感測器

AR:陣列

B:藍色畫素

D:距離

D1:第一方向

D2:第二方向

D3:第三方向

DG1、DG2:對角線

G:綠色畫素

G1、G2、G3、G4:群組

ML、ML1、ML2:微透鏡

R:紅色畫素

W:寬度

I-I’:剖線

Claims

一種畫素相位偵測影像感測器，包括：多個畫素，沿第一方向以及第二方向排列成陣列；以及多個微透鏡，設置在所述多個畫素上，且分別覆蓋所述多個畫素中不同的N個畫素，N為大於1的正整數，其中被同一個微透鏡所覆蓋的所述N個畫素包括不同顏色畫素，且所述多個微透鏡在所述第一方向上彼此對齊且在所述第二方向上交錯設置。
如請求項1所述的畫素相位偵測影像感測器，其中N等於4。
如請求項2所述的畫素相位偵測影像感測器，其中，在被同一個微透鏡所覆蓋的所述四個畫素中，在一對角線上排列的兩個畫素具有相同顏色，且在另一對角線上排列的兩個畫素具有不同顏色。
如請求項3所述的畫素相位偵測影像感測器，其中在所述對角線上排列的所述兩個畫素為兩個綠色畫素，且所述另一對角線上排列的所述兩個畫素分別為紅色畫素以及藍色畫素。
如請求項4所述的畫素相位偵測影像感測器，其中從所述畫素相位偵測影像感測器的俯視圖觀之，在所述第二方向上任兩個相鄰的紅色畫素分別位於所對應的兩個微透鏡的左半部和右半部，且在所述第二方向上任兩個相鄰的藍色畫素分別位於所對應的兩個微透鏡的左半部和右半部。
如請求項4所述的畫素相位偵測影像感測器，其中從所述畫素相位偵測影像感測器的俯視圖觀之，在所述第二方向上任兩個相鄰的紅色畫素分別位於所對應的兩個微透鏡的上半部和下半部，且在所述第二方向上任兩個相鄰的藍色畫素分別位於所對應的兩個微透鏡的上半部和下半部。
如請求項1所述的畫素相位偵測影像感測器，其中所述多個畫素包括多個紅色畫素、多個綠色畫素以及多個藍色畫素，所述多個綠色畫素以及所述多個紅色畫素在所述第一方向以及所述第二方向上交替排列，且所述多個綠色畫素以及所述多個藍色畫素在所述第一方向以及所述第二方向上交替排列。
如請求項1所述的畫素相位偵測影像感測器，還包括：內連線結構；半導體基底，設置在所述內連線結構上；以及彩色濾光片，設置在所述半導體基底上且包括多個濾光圖案，其中所述多個微透鏡分別設置在所述多個濾光圖案中不同的N個濾光圖案上，且被同一個微透鏡所覆蓋的所述N個濾光圖案包括不同顏色濾光圖案。
如請求項8所述的畫素相位偵測影像感測器，其中所述多個濾光圖案包括多個紅色濾光圖案、多個綠色濾光圖案以及多個藍色濾光圖案，且所述N個濾光圖案包括至少一個紅色濾光圖案、至少一個綠色濾光圖案以及至少一個藍色濾光圖案。
如請求項8所述的畫素相位偵測影像感測器，其中所述半導體基底包括多個感光元件以及多個隔離結構，其中所述多個感光元件與所述多個濾光圖案對應設置，且所述多個隔離結構將所述多個感光元件彼此隔離。