TW202409743A - 光源單元、照明單元、曝光裝置、及曝光方法 - Google Patents

Abstract

本發明之光源單元具備：複數個光源元件，其等二維排列於固定對象物之表面上；及突出部，其自上述固定對象物突出，設於上述複數個光源元件之各光源元件、與和上述各光源元件相鄰之其他光源元件之至少1個之間；上述突出部之端部位於較上述各光源元件之下表面高之位置。

Description

光源單元、照明單元、曝光裝置、及曝光方法

關於一種光源單元、照明單元、曝光裝置、及曝光方法。

近年來，經常使用液晶顯示面板作為個人電腦或電視等之顯示元件。液晶顯示面板係藉由以光微影方法於平板（玻璃基板）上形成薄膜電晶體之電路圖案而製造。使用將形成於光罩上之原畫圖案經由投影光學系統投影曝光於平板上之光阻劑層之曝光裝置作為該光微影工程用之裝置（例如專利文獻1）。

一般而言，要求實現可應用於包含上述曝光裝置之各種光學裝置的高亮度之面光源。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2000-21712號公報

根據第1發明態樣，光源單元具備：複數個光源元件，其等二維排列於固定對象物之表面上；及突出部，其自上述固定對象物突出，設於上述複數個光源元件之各光源元件、與和上述各光源元件相鄰之其他光源元件之至少1個之間；上述突出部之端部位於較上述各光源元件之下表面高之位置。

根據第2發明態樣，照明單元具備：上述光源單元；及照明光學系統，其將自上述光源單元出射之光引導至被照射體。

根據第3發明態樣，照明單元具備：複數個上述光源單元；及照明光學系統，其包含將自複數個上述光源單元出射之光進行合成之合成光學元件，將自上述合成光學元件出射之合成光引導至被照射體。

根據第4發明態樣，曝光裝置具備：上述照明單元；及投影光學系統，其將由上述照明單元照明之光罩之圖案像投影至感光性基板上。

根據第5發明態樣，曝光方法係使用上述曝光裝置之曝光方法，且包括：利用上述照明單元對光罩進行照明；及使用上述投影光學系統將上述光罩之圖案像投影至感光性基板。

再者，可適當改良下述實施形態之構成，又，亦可將至少一部分替換為其他構成物。進而，對於其配置無特別限定之構成要件並不限於實施形態中所揭示之配置，可配置於可達成其功能之位置。

基於圖1～圖5（H）對一實施形態之曝光裝置10進行說明。

（曝光裝置之構成） 首先，使用圖1對一實施形態之曝光裝置10之構成進行說明。圖1係概略性表示一實施形態之曝光裝置10之構成之圖。

曝光裝置10係藉由相對於投影光學系統PL沿相同方向以相同速度驅動光罩MSK及玻璃基板（以下稱為「基板」）P，而將形成於光罩MSK之圖案轉印至基板P上之掃描步進器（掃描器）。基板P例如為液晶顯示裝置（平板顯示器）中所使用之矩形玻璃基板，至少一邊之長度或對角長度為500 mm以上。

以下，將掃描曝光時驅動光罩MSK及基板P之方向（掃描方向）設為X軸方向，將與其正交之水平面內之方向設為Y軸方向，將與X軸及Y軸正交之方向設為Z軸方向，將繞X軸、Y軸及Z軸之旋轉（傾斜）方向分別設為θx、θy及θz方向。

曝光裝置10具備照明系統IOP、保持光罩MSK之光罩平台MST、投影光學系統PL、支持該等之主體70、保持基板P之基板平台PST、及該等之控制系統等。控制系統統括控制曝光裝置10之構成各部。

主體70具備底座（防振台）71、柱72A、72B、光學壓盤73、支持體74及滑件導座75。底座（防振台）71配置於地板F上，消除來自地板F之振動而支持柱72A、72B等。柱72A、72B分別具有框體形狀，於柱72B之內側配置有柱72A。光學壓盤73具有平板形狀，固定於柱72A之頂部。支持體74經由滑件導座75支持於柱72B之頂部。滑件導座75具備空氣球升降器及定位機構，將支持體74（即下述光罩平台MST）相對於光學壓盤73定位於X軸方向之適當位置。

照明系統IOP配置於主體70之上方。照明系統IOP將照明光IL照射至光罩MSK。關於照明系統IOP之詳細構成將於下文敘述。

光罩平台MST支持於支持體74。具有形成有電路圖案之圖案面（圖1中之下表面）之光罩MSK例如利用真空吸附（或靜電吸附）固定於光罩平台MST。光罩平台MST例如由包含線性馬達之驅動系統沿著掃描方向（X軸方向）以既定衝程驅動，並且沿著非掃描方向（Y軸方向及θz方向）微量驅動。

光罩平台MST之XY平面內之位置資訊（包含θz方向之旋轉資訊）由干涉儀系統測量。干涉儀系統藉由對設於光罩平台MST之端部之移動鏡（或經鏡面加工之反射面（未圖示））照射測長光束，接收來自移動鏡之反射光，而測量光罩平台MST之位置。其測量結果供給於控制裝置（未圖示），控制裝置根據干涉儀系統之測量結果，經由驅動系統驅動光罩平台MST。

投影光學系統PL於光罩平台MST之下方（-Z側）支持於光學壓盤73。投影光學系統PL例如以與美國專利第5,729,331號說明書所揭示之投影光學系統相同之方式構成，包含光罩MSK之圖案像之投影區域例如呈鋸齒狀配置之複數個（例如7個）投影光學單元100（多透鏡投影光學單元），形成將Y軸方向作為長度方向之矩形形狀之像場。此處，4個投影光學單元100沿著Y軸方向以既定間隔配置，其餘3個投影光學單元100於+X側自4個投影光學單元100隔開，沿著Y軸方向以既定間隔配置。作為複數個投影光學單元100之各者，例如使用於兩側遠心之等倍系統形成正立像者。再者，將呈鋸齒狀配置之投影光學單元100之複數個投影區域總稱為曝光區域。

若利用來自照明系統IOP之照明光IL對光罩MSK上之照明區域進行照明，則藉由穿過光罩MSK之照明光IL，經由投影光學系統PL，該照明區域內之光罩MSK之電路圖案之投影像（部分正立像）形成於配置於投影光學系統PL之像面側之基板P上之照射區域（曝光區域（與照明區域共軛））。此處，於基板P之表面塗佈有光阻劑（感應劑）。同步驅動光罩平台MST及基板平台PST，即相對於照明區域（照明光IL）沿著掃描方向（X軸方向）驅動光罩MSK，並且相對於曝光區域（照明光IL）沿著相同掃描方向驅動基板P，藉此基板P被曝光而光罩MSK之圖案轉印至基板P上。

基板平台PST配置於投影光學系統PL之下方（-Z側）之底座（防振台）71上。基板P經由基板架（未圖示）保持於基板平台PST上。

基板平台PST之XY平面內之位置資訊（旋轉資訊（包含平擺量（θz方向之旋轉量θz）、縱搖量（θx方向之旋轉量θx）、橫搖量（θy方向之旋轉量θy）））由干涉儀系統測量。干涉儀系統藉由自光學壓盤73對設於基板平台PST之端部之移動鏡（或經鏡面加工之反射面（未圖示））照射測長光束，接收來自移動鏡之反射光，而測量基板平台PST之位置。其測量結果供給於控制裝置（未圖示），控制裝置根據干涉儀系統之測量結果驅動基板平台PST。

於曝光裝置10，先於曝光進行對準測量（例如EGA等），使用其結果，按照以下順序對基板P進行曝光。首先，按照控制裝置之指示，沿著X軸方向同步驅動光罩平台MST及基板平台PST。藉此，對基板P上之第1個照射區域進行掃描曝光。當針對第1個照射區域之掃描曝光結束時，控制裝置將基板平台PST向與第2個照射區域對應之位置移動（步進）。而且，對第2個照射區域進行掃描曝光。同樣地，控制裝置重複進行基板P之照射區域間之步進及對照射區域之掃描曝光，將光罩MSK之圖案轉印至基板P上之全部照射區域。

（照明系統IOP之構成） 其次，對本實施形態中之照明系統IOP之構成進行說明。照明系統IOP具備與投影光學系統PL所具備之複數個投影光學單元100分別對應之複數個照明單元90。圖2係概略性表示照明單元90之構成之圖。

照明單元90具備第1光源單元OPU1、第2光源單元OPU2及照明光學系統80。

（光源單元之構成） 第1光源單元OPU1具備第1光源陣列20A、及第1放大光學系統30A，第2光源單元OPU2具備第2光源陣列20B、及第2放大光學系統30B。

圖3（A）係概略性表示第1光源陣列20A及第2光源陣列20B之構成之俯視圖。又，圖3（B）係概略性表示第1光源單元OPU1及第2光源單元OPU2之內部構成之圖。

如圖3（A）所示，第1光源陣列20A具備例如二維排列於基板21A上之複數個（圖3（A）中為5×5）LED（Light Emitting Diode）晶片23A。LED晶片23A之個數可視需要適當進行變更。LED晶片23A以間距P1排列，間距P1為相鄰之LED晶片23A之中心間之距離。

複數個LED晶片23A各自具有發光部231A，自該發光部231A出射之光之峰值波長位於380～390 nm之範圍內。即，發光部231A為紫外線LED（UV LED）。自發光部231A出射之光之峰值波長更佳為385 nm。發光部231A之發光面為正方形，其一邊之長度為a1。再者，於以下說明中，將排列有LED晶片23A之2個方向設為X1方向及Y1方向。X1方向與Y1方向正交。又，將與X1方向及Y1方向正交之方向設為Z1方向。Z1方向與發光部231A所出射之光的光軸OA大致平行。

第1放大光學系統30A係用於將各LED晶片23A之發光部231A之放大像分別形成於既定面PP之放大光學系統。如圖3（B）所示，第1放大光學系統30A具備以與LED晶片23A之排列對應之方式排列之複數個透鏡部31A。透鏡部31A各自為以（LED晶片23A之排列間距P1）/（發光部231A之發光面之一邊之長度a1）以上之倍率M1將發光部231A放大投影之兩側遠心光學系統。再者，於圖3（B）中，為了圖式之明確化，僅示出沿著Y1方向排成一列之4個LED晶片23A（23B）。

第2光源陣列20B具備例如二維排列於基板21B上之複數個（圖3（A）中為5×5）LED晶片23B。LED晶片23B之個數可視需要適當進行變更。LED晶片23B以間距P2排列，間距P2為相鄰之LED晶片23B之中心間之距離。LED晶片23A之排列間距P1、與LED晶片23B之排列間距P2可相同，亦可不同。

複數個LED晶片23B各自具有發光部231B，自該發光部231B出射之光之峰值波長位於360～370 nm之範圍內。即，發光部231B為UV LED。自發光部231B出射之光之峰值波長更佳為365 nm。發光部231B之發光面為正方形，其一邊之長度為a2。

第2放大光學系統30B係用於將各LED晶片23B之發光部231B之放大像分別形成於既定面PP之放大光學系統。如圖3（B）所示，第2放大光學系統30B具備以與LED晶片23B之排列對應之方式排列之複數個透鏡部31B。透鏡部31B各自為以（LED晶片23B之排列間距P2）/（發光部231B之發光面之一邊之長度a2）以上之倍率M2將發光部231B放大投影之兩側遠心光學系統。

於本實施形態中，透鏡部31A、31B分別具備4片平凸透鏡，但並不限定於此，透鏡部31A、31B例如可具備2片雙凸透鏡，亦可具備3片雙凸透鏡。又，透鏡部31A、31B例如亦可具備平凸透鏡及雙凸透鏡。

此處，於第1光源陣列20A及第2光源陣列20B之製造過程中，將各LED晶片23A、23B排列並固定於基板21A、21B上時（更具體而言，焊膏之回焊時），有時會導致LED晶片23A、23B之固定位置自設計位置偏移。LED晶片23A、23B之位置偏移會引起自第1光源單元OPU1及第2光源單元OPU2出射之光之照度降低。

因此，於本實施形態之基板21A、21B設有抑制製造時之LED晶片23A、23B之位置偏移之由基板21A、21B之一部分構成的突出部211。圖4（A）及圖4（B）係用於對設於基板21A、21B之突出部211進行說明之圖，圖4（A）係基板21A、21B之俯視圖，圖4（B）係圖4（A）之A-A線剖面圖。再者，由於設於基板21A、21B之突出部211之構造相同，因此此處對基板21A進行說明。於圖4（A）及圖4（B）中，示出LED晶片23A之一部分以便說明。又，於圖4（B）中省略LED晶片23A之影線。

突出部211設於複數個LED晶片23A之間。於本實施形態中，如圖4（A）及圖4（B）所示，十字形之突出部211以與各LED晶片23A之角部相鄰之方式設置。如圖4（B）所示，突出部211之端部211a位於較LED晶片23A之下表面（-Z1側之面）高之位置。突出部211之高度只要為端部211a位於較LED晶片23A之下表面高之位置且不會遮擋自LED晶片23A出射之光之高度即可。又，突出部211之形狀只要為使自LED晶片23A出射之光不入射至突出部211之形狀即可。突出部211與LED晶片23A可接觸，於突出部211與LED晶片23A之間亦可存在間隙。

於第1光源陣列20A之製造時，於由相鄰之4個突出部211規定之區域（被4個突出部211包圍之區域）配置LED晶片23A。由於突出部211之端部211a位於較LED晶片23A之下表面高之位置，因此限制配置於該區域之LED晶片23A之移動。因此，將LED晶片23A固定於基板21A時抑制LED晶片23A之位置偏移。藉此，抑制起因於LED晶片23A之位置偏移之照度降低，第1光源單元OPU1可出射高亮度之光。

（照明光學系統80之構成） 返回圖2，照明光學系統80具備包含第1分色鏡DM1而構成之第1聚光光學系統（第1光學系統）81A、第2聚光光學系統（第2光學系統）81B、第2分色鏡DM2、成像光學系統83、複眼透鏡FEL及聚光光學系統84。

第1聚光光學系統81A形成由第1放大光學系統30A形成之發光部231A之放大像之光瞳。即，第1聚光光學系統81A之後側焦點位置為光瞳之位置。第1聚光光學系統81A於光路中途具有第1分色鏡DM1，將峰值波長385 nm之光之至少一部分進行反射。藉此，光束入射至第2分色鏡DM2。再者，第1聚光光學系統81A亦可為不具備第1分色鏡DM1之構成，於該情形時，可構成為適當調整第1光源單元OPU1之配置及第1聚光光學系統81A之各透鏡之配置而使光束入射至第2分色鏡DM2。又，第1聚光光學系統81A可由1片透鏡構成，亦可由包含複數個透鏡之透鏡組構成。

第2聚光光學系統81B形成由第2放大光學系統30B形成之發光部231B之放大像之光瞳。即，第2聚光光學系統81B之後側焦點位置為光瞳之位置。第2聚光光學系統81B可由1片透鏡構成，亦可由包含複數片透鏡之透鏡組構成。

第2分色鏡DM2使峰值波長385 nm之光之至少一部分穿透，並反射峰值波長365 nm之光之至少一部分。藉此，形成有將由第1聚光光學系統81A形成之光瞳像、與由第2聚光光學系統81B形成之光瞳像重疊之合成像。

於本實施形態中，第2分色鏡DM2將由第1聚光光學系統81A形成之光瞳像、與由第2聚光光學系統81B形成之光瞳像重疊而形成合成像。即，第2分色鏡DM2配置於作為第1聚光光學系統81A之後側焦點位置且作為第2聚光光學系統81B之後側焦點位置之位置。藉此，第2分色鏡DM2被自第1光源單元OPU1出射之光、及自第2光源單元OPU2出射之光柯勒照明。藉由柯勒照明，可減小由第1聚光光學系統81A形成之光瞳像之光束之照度變化及由第2聚光光學系統81B形成之光瞳像之光束之照度變化。再者，並不限定於本實施形態之構成，亦可構成為第1聚光光學系統81A及第2聚光光學系統81B分別對第2分色鏡DM2進行形成第1光源單元OPU1之像及第2光源單元OPU2之像之臨界照明。

於照明單元90設有用於監測峰值波長385 nm之光之檢測器DT10、用於監測峰值波長365 nm之光之檢測器DT20、及用於監測峰值波長385 nm之光和峰值波長365 nm之光之檢測器DT30。

具體而言，檢測器DT10檢測被第1分色鏡DM1反射之峰值波長385 nm之光之照度。檢測器DT20檢測被第2分色鏡DM2反射之峰值波長365 nm之光之照度。檢測器DT30檢測被第2分色鏡DM2無意地反射之385 nm之光之照度、及第2分色鏡DM2無意地穿透之365 nm之光之照度。

檢測器DT10～DT30之檢測結果輸出至未圖示之控制裝置，控制裝置基於檢測器DT10～DT30之檢測結果，控制供給至第1光源單元OPU1及第2光源單元OPU2分別所具備之LED晶片23A及23B之電流之值等。

成像光學系統83為將第2分色鏡DM2所合成之合成像等倍投影至複眼透鏡FEL之入射端之兩側遠心光學系統。再者，成像光學系統83亦可將第2分色鏡DM2所合成之合成像縮小投影至複眼透鏡FEL之入射端。

複眼透鏡FEL藉由將例如具有正折射力之複數個透鏡元件以其光軸與基準光軸AX平行之方式縱橫且稠密地排列而構成。構成複眼透鏡FEL之各透鏡元件具有與於光罩MSK上應形成之照射野之形狀（進而於基板P上應形成之曝光區域之形狀）相似之矩形剖面。

因此，入射至複眼透鏡FEL之光束被複數個透鏡元件波面分割，於各透鏡元件之後側焦點面（出射面）或其附近分別形成有1個光源像。即，於複眼透鏡FEL之後側焦點面（出射面）或其附近，形成有由複數個光源像構成之實質性面光源即二次光源。來自形成於複眼透鏡FEL之後側焦點面（出射面）或其附近之二次光源之光束入射至其附近配置之孔徑光闌85。再者，於本實施形態中，複眼透鏡FEL之後側焦點面（出射面）、與第1光源陣列20A及第2光源陣列20B光學共軛。

孔徑光闌85配置於與投影光學系統PL之入射光瞳面大致光學共軛之位置，具有用於規定有助於二次光源之照明之範圍之可變開口部。而且，孔徑光闌85藉由使可變開口部之開口徑變化，而將決定照明條件之σ值（光瞳面上之二次光源像之口徑相對於投影光學系統之該光瞳面之開口徑的比）設定為所需之值。經由孔徑光闌85之來自二次光源之光受到聚光光學系統84之聚光作用後，疊加照明形成有既定圖案之光罩MSK。

再者，第1光源單元OPU1及第2光源單元OPU2出射之光之波長並不限於上述者，亦可適當組合出射於360～440 nm之範圍內具有峰值波長之光之LED晶片而構成第1光源單元OPU1及第2光源單元OPU2。例如，可構成為第1光源單元OPU1出射峰值波長405 nm之光，且第2光源單元OPU2出射峰值波長385 nm之光。又，亦可構成為第1光源單元OPU1出射峰值波長395 nm之光，且第2光源單元OPU2出射峰值波長385 nm之光。自第1光源單元OPU1出射之光之波長與第2光源單元OPU2所出射之光之波長的組合並不限於該等例示。再者，於將第1光源單元OPU1所出射之光之波長與第2光源單元OPU2所出射之光之波長的組合設為除本第1實施形態以外之組合之情形時，較佳為根據要使用之波長適當變更分色鏡之材料。

（光源陣列之製造方法） 其次，對第1光源陣列20A及第2光源陣列20B之製造方法進行說明。由於第1光源陣列20A及第2光源陣列20B之製造方法相同，因此此處對第1光源陣列20A進行說明。

圖5（A）～圖5（H）係表示第1光源陣列20A之製造方法之圖。圖5（B）係圖5（A）之A-A線剖面圖，圖5（D）係圖5（C）之B-B線剖面圖，圖5（F）係圖5（E）之C-C線剖面圖，圖5（H）係圖5（G）之D-D線剖面圖。

首先，如圖5（A）及圖5（B）所示，準備基板21A。基板21A例如為銅（Cu）等金屬製之基板。

如圖5（C）及圖5（D）所示，藉由蝕刻基板21A，形成支柱212及突出部211。藉此，突出部211由基板21A之一部分形成，因此突出部211之強度提高。蝕刻例如係將利用光微影工程形成圖案之光阻劑作為光罩而進行。

其次，如圖5（E）及圖5（F）所示，於基板21A上依次形成絕緣層221、及配線層222。其次，如圖5（G）及圖5（H）所示，於支柱212之上表面及配線層222上塗佈焊膏223，將LED晶片23A配置於由突出部211規定之區域。其後，利用回焊將LED晶片23A固定於基板21A。此時，由於LED晶片23A之移動被突出部211限制，因此抑制LED晶片23A之位置偏移。藉由以上處理，可獲得LED晶片23A之位置偏移得以抑制之第1光源陣列20A。再者，如圖所示，於本實施形態中，各LED晶片23A於X1方向上串聯連接。

以上，如詳細說明所示，根據本實施形態，第1光源單元OPU1具備基板21A之表面上之二維排列之複數個LED晶片23A、及自基板21A突出而設於複數個LED晶片23A之間之突出部211。突出部211之端部211a位於較LED晶片23A之下表面高之位置。藉此，將LED晶片23A固定於基板21A時，突出部211限制LED晶片23A之移動而抑制LED晶片23A之位置偏移，因此抑制第1光源單元OPU1之照度降低。因此，第1光源單元OPU1可實現高亮度之面光源。

又，根據本實施形態，基板21A由金屬材料形成。藉此，可利用蝕刻等容易地形成突出部211。

又，根據本實施形態，突出部211由基板21A之一部分構成。藉此，突出部211具有較高之強度。

（變形例1） 於上述實施形態中，與LED晶片23A之角部相鄰設有突出部211，但並不限於此。突出部211只要設於各LED晶片23A、與和該LED晶片23A相鄰之其他LED晶片23A之至少1個之間即可。

圖6（A）係表示變形例1之突出部211A之一例之俯視圖，圖6（B）係圖6（A）之A-A線剖面圖。如圖6（A）及圖6（B）所示，變形例1之突出部211A為圓柱狀。於變形例1中，於將在X1方向及Y1方向上以2行×2行排列之LED晶片23A設為1組（由二點鏈線表示）之情形時，突出部211A於1組內，設於在X1方向上相鄰之LED晶片23A彼此之間、及在Y1方向上相鄰之LED晶片23A彼此之間。又，於在X1方向及Y1方向上相鄰之組之間未設置突出部211A，但亦可於相鄰之組之間設置突出部211A。突出部211A與LED晶片23A可接觸，於突出部211A與LED晶片23A之間亦可存在間隙。

於基板21A具有此種突出部211A之情形時，於製造第1光源陣列20A時，藉由用夾具等將LED晶片23A壓抵於突出部211A進行回焊，可抑制LED晶片23A之位置偏移。再者，亦可於基板21A設置將LED晶片23A壓抵於突出部211A之機構。

於使用如變形例1之圓柱狀之突出部211A之情形時，LED晶片23A與突出部211A點接觸，因此LED晶片23A之定位精度提高。

再者，例如於1組內，可於中央部配置十字形之突出部211，於在X1方向上相鄰之LED晶片23A彼此之間、及在Y1方向上相鄰之LED晶片23A彼此之間配置圓柱狀之突出部211A。

（變形例2） 圖7（A）係表示變形例2之突出部211B之一例之俯視圖，圖7（B）係圖7（A）之A-A線剖面圖。如圖7（A）及圖7（B）所示，於變形例2中，於由二點鏈線表示之1組內，將壁狀之突出部211B設於在X1方向上相鄰之LED晶片23A彼此之間、及在Y1方向上相鄰之LED晶片23A彼此之間。於該情形時，與變形例1同樣地，藉由將LED晶片23A壓抵於突出部211B進行回焊，亦可抑制LED晶片23A之位置偏移。突出部211B與LED晶片23A可接觸，於突出部211B與LED晶片23A之間亦可存在間隙。又，於本變形例2中，於在X1方向及Y1方向上相鄰之組之間未設置突出部211B，但亦可於相鄰之組之間設置突出部211B。

再者，可將壁狀之突出部211B以與LED晶片23A之各邊相鄰之方式設置。於該情形時，藉由在被壁狀之突出部211B包圍之區域配置LED晶片23A，可抑制LED晶片23A之位置偏移。

（變形例3） 於上述實施形態及變形例1及2中，突出部211、211A、211B例如與LED晶片23A之邊之一部分相鄰，突出部211亦可以包圍整個LED晶片23A之方式形成。圖8（A）係表示變形例3之突出部211C之一例之俯視圖，圖8（B）係圖8（A）之A-A線剖面圖。於變形例3中，藉由在基板21A形成收容LED晶片23A之凹部213，可實現突出部211C。藉此，突出部211C包圍整個LED晶片23A。藉由將LED晶片23A收容於凹部213，可抑制LED晶片23A之位置偏移。

再者，於上述實施形態及變形例1～3中，對突出部211、211A、211B、211C包含基板21A之一部分之情形進行了說明，但並不限於此。例如，於實施形態及變形例1及2中，突出部211、211A、211B亦可為與基板21A接觸之不同於基板21A之構件（與基板21A不同體之構件）。即，可藉由將不同於基板21A之構件固定（焊接、接著）於基板21A，而形成突出部211、211A、211B。於該情形時，突出部211、211A、211B可由與基板21A相同之材料形成，亦可由不同之材料形成。

又，於上述實施形態及變形例1～3中，於基板21A排列LED晶片23A，但並不限於此。亦可將LED晶片23A排列於散熱片上。LED晶片23B亦相同。作為散熱片，例如可例舉具有使冷媒通過內部之流路之微通道散熱片、或鰭片型散熱片。LED當LED晶片23A之溫度上升時光量降低，藉由將LED晶片23A排列於散熱片，可抑制LED晶片23A之溫度上升。

又，於上述實施形態及變形例1～3中，照明單元90具備第1光源單元OPU1、第2光源單元OPU2、及包含第2分色鏡DM2之照明光學系統80，但並不限於此。例如，照明單元90亦可僅具有第1光源單元OPU1及第2光源單元OPU2之任一者。於該情形時，照明光學系統80只要可將自第1光源單元OPU1或第2光源單元OPU2出射之光引導至光罩MSK，則可具有任意構成。

上述實施形態為本発明之較佳實施例。但是並不限定於此，可於不脫離本發明主旨之範圍內實施各種變形。

10:曝光裝置 20A:第1光源陣列 20B:第2光源陣列 21A、21B:基板 23A、23B:LED晶片 30A:第1放大光學系統 30B:第2放大光學系統 31A、31B:透鏡部 70:主體 71:底座（防振台） 72A、72B:柱 73:光學壓盤 74:支持體 75:滑件導座 80:照明光學系統 81A:第1聚光光學系統 81B:第2聚光光學系統 83:成像光學系統 84:聚光光學系統 85:孔徑光闌 90:照明單元 100:投影光學單元 211、211A、211B、211C:突出部 211a:端部 212:支柱 213:凹部 221:絕緣層 222:配線層 223:焊膏 231A、231B:發光部 AX:基準光軸 a1、a2:長度 DM1:第1分色鏡 DM2:第2分色鏡 DT10、DT20、DT30:檢測器 F:地板 FEL:複眼透鏡 IL:照明光 IOP:照明系統 MSK:光罩 MST:光罩平台 OA:光軸 OPU1:第1光源單元 OPU2:第2光源單元 P:基板 P1、P2:間距 PL:投影光學系統 PP:既定面 PST:基板平台

[圖1]係表示實施形態之曝光裝置之構成之概略圖。 [圖2]係表示照明單元之構成之概略圖。 [圖3（A）]係概略性表示第1及第2光源陣列之構成之俯視圖，[圖3（B）]係概略性表示第1及第2光源單元之內部構成之圖。 [圖4（A）]係表示實施形態之基板之俯視圖，[圖4（B）]係圖4（A）之A-A線剖面圖。 [圖5（A）]～[圖5（H）]係表示第1光源陣列之製造方法之圖。 [圖6（A）]係表示變形例1之突出部之一例之俯視圖，[圖6（B）]係圖6（A）之A-A線剖面圖。 [圖7（A）]係表示變形例2之突出部之一例之俯視圖，[圖7（B）]係圖7（A）之A-A線剖面圖。 [圖8（A）]係表示變形例3之突出部之一例之俯視圖，[圖8（B）]係圖8（A）之A-A線剖面圖。

20A:第1光源陣列

20B:第2光源陣列

21A、21B:基板

23A、23B:LED晶片

30A:第1放大光學系統

30B:第2放大光學系統

31A、31B:透鏡部

211:突出部

211a:端部

231A、231B:發光部

a1、a2:長度

OA:光軸

OPU1:第1光源單元

OPU2:第2光源單元

P1、P2:間距

PP:既定面

Claims (17)

1. 一種光源單元，其具備： 複數個光源元件，其等二維排列於固定對象物之表面上；及 突出部，其自上述固定對象物突出，設於上述複數個光源元件之各光源元件、與和上述各光源元件相鄰之其他光源元件之至少1個之間； 上述突出部之端部位於較上述各光源元件之下表面高之位置。
2. 如請求項1之光源單元，其中 上述固定對象物為基板或散熱片。
3. 如請求項2之光源單元，其中 上述散熱片具有內部通過冷媒之流路。
4. 如請求項1至3中任一項之光源單元，其中 上述固定對象物由金屬材料形成。
5. 如請求項1至4中任一項之光源單元，其中 上述突出部由上述固定對象物之一部分構成。
6. 如請求項1至4中任一項之光源單元，其中 上述突出部由與上述固定對象物接觸之不同於上述固定對象物之構件構成。
7. 如請求項1至6中任一項之光源單元，其中 自上述複數個光源元件出射之光不入射至上述突出部。
8. 如請求項1至7中任一項之光源單元，其中 於將上述複數個光源元件中於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向上以2行×2行排列之光源元件設為1組之情形時，上述突出部於上述1組內，設於在上述第1方向上相鄰之光源元件彼此之間、及在上述第2方向上相鄰之光源元件彼此之間。
9. 如請求項8之光源單元，其中 於上述第1方向及上述第2方向之至少一者，於相鄰之上述光源元件組之間未設置上述突出部。
10. 如請求項1至9中任一項之光源單元，其中 上述複數個光源元件各自具備出射光之發光部， 上述光源單元進而具備：透鏡陣列，其於二維平面上排列複數個形成上述複數個光源元件各者之上述發光部之放大像之透鏡部。
11. 如請求項1至10中任一項之光源單元，其中 上述光源元件為發光二極體元件。
12. 如請求項1至11中任一項之光源單元，其中 上述光源元件出射波長400 nm以下之光。
13. 一種照明單元，其具備： 如請求項1至12中任一項之光源單元；及 照明光學系統，其將自上述光源單元出射之光引導至被照射體。
14. 一種照明單元，其具備： 複數個如請求項1至12中任一項之光源單元；及 照明光學系統，其包含將自複數個上述光源單元出射之光進行合成之合成光學元件，將自上述合成光學元件出射之合成光引導至被照射體。
15. 一種曝光裝置，其具備： 如請求項13或14之照明單元；及 投影光學系統，其將由上述照明單元照明之光罩之圖案像投影至感光性基板上。
16. 如請求項15之曝光裝置，其中 上述感光性基板之至少一邊之長度或對角長度為500 mm以上。
17. 一種曝光方法，其係使用如請求項15或16之曝光裝置之曝光方法，且包括： 利用上述照明單元對光罩進行照明；及 使用上述投影光學系統將上述光罩之圖案像投影至感光性基板。