TW202409703A - 包含基材的結構、其形成方法、其形成系統以及用於在基材上形成圖案之方法 - Google Patents

包含基材的結構、其形成方法、其形成系統以及用於在基材上形成圖案之方法 Download PDF

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Abstract

揭露用於圖案化及形成結構之方法以及相關結構及系統。方法包括在一圖案化光阻之側壁上形成一襯墊。圖案化光阻包括一第一金屬，且襯墊包括一第二金屬。

Description

用於形成間隔物之方法及相關結構
本揭露大致上係關於微影技術領域，且特定言之，關於極紫外光微影技術領域。
隨著半導體裝置之不斷縮放以及其組成結構之臨界尺寸（critical dimensions，CD）的隨之減小，習知的極紫外光（extreme ultraviolet，EUV）微影技術掃描儀達到其解析度極限：無法在小於20 nm之目標臨界尺寸處印刷某些類型之孤立結構圖案（特別是用於通孔之接點及孔）。因此，在EUV微影暴露之後的實際臨界尺寸為約20 nm，高於目標臨界尺寸。
隨著EUV特徵大小之按比例縮小，近來引入新穎的光阻類型。特定言之，金屬有機光阻（Metal Organic Resist，MOR）越來越受關注，因為其展現出較高的抗蝕刻性，允許較薄的光阻層且因此更容易進行圖案轉印且具有較低缺陷度（尤其是在最小CD及間距下）。然而，此等光阻仍存在與其化學增幅型光阻（Chemically Amplified Resist，CAR）對應物（C型光阻）相同的EUV解析度限制（例如對於孤立觸點/孔結構，最小印刷CD大小為約20 nm）。
本發明所揭露之方法及結構提供有關至少一些上述難題之解決方案。
本揭露之各個實施例係關於用於形成結構之方法。方法包括將基材提供至反應室中。基材包括圖案化光阻。圖案化光阻包括第一金屬。圖案化光阻另外包括複數個圖案化特徵及複數個凹部。凹部包括側壁及底部部分。方法另外包括在側壁上形成襯墊。襯墊包括第二金屬。
本文進一步所描述用於在基材上形成圖案之方法。方法包括在基材上形成光阻。光阻包括第一金屬。方法另外包括經由光罩使基材部分地暴露於輻射。因此，形成經暴露之光阻部分及未暴露之光阻部分。方法另外包括選擇性地移除經暴露之光阻部分及未暴露之光阻部分中的一者。因此，形成圖案化光阻。圖案化光阻包括第一金屬。圖案化光阻另外包括複數個圖案化特徵及複數個凹部。凹部包括側壁及底部部分。方法另外包括將基材提供至反應室中。方法另外包括在側壁上形成襯墊。襯墊包括第二金屬。
在一些實施例中，光阻包括EUV光阻且輻射包括EUV輻射。
在一些實施例中，第一金屬與第二金屬相同。
在一些實施例中，將襯墊進一步形成於圖案化特徵及凹部之底部部分上。
在一些實施例中，在形成襯墊之步驟之後為進一步蝕刻襯墊。因此，將襯墊自圖案化特徵及凹部之底部部分移除，並在側壁上形成間隔物。
在一些實施例中，第一金屬及第二金屬中之至少一者係選自Sn、In、Sb、Ti、Al、Zn、Hf及Zr。
在一些實施例中，襯墊與光阻具有實質上相同之組成。
在一些實施例中，襯墊與光阻具有實質上相同之蝕刻速率。
在一些實施例中，光阻及襯墊中之至少一者包括磷族元素、硫族元素及鹵素中之一或多者。
在一些實施例中，光阻與襯墊包括相同的金屬氧化物。
在一些實施例中，形成襯墊包括將前驅物及反應物提供至反應室中。
在一些實施例中，形成襯墊包括形成電漿。
在一些實施例中，前驅物及反應物係同時提供至反應室中。
在一些實施例中，形成襯墊包括執行循環程序。循環程序包括前驅物脈衝及反應物脈衝。前驅物脈衝包括使基材暴露於前驅物。反應物脈衝包括使基材暴露於反應物。
在一些實施例中，前驅物包括金屬烷基胺、金屬烷及金屬鹵化物中之至少一者。
在一些實施例中，反應物包括氧。
本文進一步描述一種系統，其包括一或多個前驅物源、一與一或多個前驅物源操作性地耦接之反應室及一控制器。控制器係被配置以促使系統執行如本文所描述之方法。
本文進一步描述一種結構，其包括一基材、一圖案化光阻及一襯墊。圖案化光阻包括第一金屬。圖案化光阻另外包括複數個圖案化特徵及複數個凹部。凹部包括側壁及底部部分。襯墊係安置於側壁上。襯墊包括第二金屬。
本文進一步描述藉助於如本文所描述之方法形成的結構。
所屬技術領域中具有通常知識者從下列參考附圖之某些實施例的詳細描述將明白此等及其他實施例；本發明不必然受限於所揭露任何（多個）特定實施例。
下文所提供之本發明的例示性實施例之描述僅係例示性且僅係意欲用於闡釋之目的；下列描述並非意欲限制本文中所揭露發明之範疇。此外，將具有所陳述特徵之多個實施例列舉不意欲排除具有額外特徵之其他實施例或納入所陳述特徵之不同組合的其他實施例。
如本文中所使用，用語基材（substrate）可指包括及/或在其上可沈積一或多個層的任何（多個）下伏材料。基材可包括塊材，諸如矽（例如單晶矽）、其他IV族材料（諸如鍺）、或化合物半導體材料（諸如GaAs），並可包括上覆或下伏於塊材的一或多層。例如，一基材可包含上覆於塊材的若干層之圖案化堆疊。圖案化堆疊可根據應用而變化，且可包含例如硬遮罩，諸如金屬硬遮罩、氧化物硬遮罩、氮化物硬遮罩、碳化物硬遮罩或非晶碳硬遮罩。進一步言，基材可額外或替代地包括形成於基材之一層之至少一部分之內或之上的各種特徵，諸如凹部、線及類似特徵。
在本揭露中，氣體可包含在常溫及常壓下的一氣體，一汽化固體及/或一汽化液體，且取決於環境，可以是由一單一氣體或一氣體混合物所構成。除程序氣體之外的氣體（亦即，未通過氣體分配組件，例如噴淋頭、其他氣體分配裝置或類似組件而引入的氣體）可用於例如密封反應空間，且可包含密封氣體，諸如稀有氣體。
在一些情況下，諸如在材料沈積之上下文中，術語前驅物可以指參與產生另一化合物之化學反應的一或多種化合物，且尤其是構成膜基質或膜之主要骨架的化合物，而術語反應物可以指與前驅物反應、活化前驅物、修飾前驅物或催化前驅物之反應的化合物，在一些情況下不為前驅物；反應物可將一元素提供至膜中且變為膜之一部分。在一些情況下，術語前驅物與反應物可互換地使用。
術語循環沈積程序（cyclic deposition process）或循環性沈積程序（cyclical deposition process）可指將前驅物（及/或反應物）依序引入至一反應室中，以在一基材上沈積一層，且包含加工技術，諸如原子層沈積（atomic layer deposition，ALD）、循環化學氣相沈積（循環CVD）及包含ALD組件及循環CVD組件之混合式循環沈積程序。在其他情況下，加工技術可包括一電漿程序，例如：電漿輔助CVD（PECVD）或電漿輔助ALD（PEALD），這在某些實施中可以是較佳的，因為其允許在較低的溫度下工作。
術語原子層沈積（）可指氣相沈積程序，其中沈積循環（典型係複數個接續的沈積循環）係在加工室中實施。當使用（多個）前驅物/（多個）反應性氣體及（多個）沖洗（例如惰性載體）氣體的交替脈衝進行時，如本文中所使用之用語原子層沈積意指包括由相關用語指定的程序，諸如化學氣相原子層沈積、原子層磊晶（ALE）、分子束磊晶（MBE）、氣體源MBE、有機金屬MBE及化學束磊晶。
大致上，對ALD程序而言，在各循環期間，將前驅物引入至反應室且經化學吸附至沈積表面（例如，可包括來自先前ALD循環之先前經沈積材料或其他材料的基材表面），形成不易與額外前驅物起反應（亦即，自限式反應）的約一材料單層或次單層。其後，在一些情況下，可後續將反應物引入至加工室中，以用於在沈積表面上將經化學吸附之前驅物轉化為所欲材料。反應物可係能夠進一步與前驅物起反應。沖洗步驟可在一或多個循環期間利用，例如，在各循環之每一步驟期間利用，以移除加工室中任何過多的前驅物，及/或移除反應室中任何過多的反應物及/或反應副產物。
如本文所使用，術語沖洗（purge/purging）可指停止氣體流動之程序，或涉及連續提供載體氣體而使前驅物流動間歇停止之程序。例如，沖洗可在一前驅物脈衝與一反應物脈衝之間被提供，藉此避免或至少減低前驅物與反應物之間的氣相交互作用。應理解的是，沖洗可在時間上或空間上或兩者上發生。例如，在時間性沖洗的情況下，一沖洗步驟可例如用提供前驅物至反應器室、提供沖洗氣體至反應器室、及提供反應物至反應器室的時間序列來使用，其中沈積層於之上的基材不移動。在空間性沖洗之情況下，一沖洗步驟可採取以下形式：通過一沖洗氣體幕，將基材從供應前驅物的第一點位移動到供應反應物的第二點位。
在本揭露中，變量之任兩個數字可構成變量之可工作範圍，且所指示之任何範圍可包含或排除端點。另外地，所指示變量的任何值可指精確值或近似值並包含等效值，並在一些實施例中，可指平均值、中位數、代表值、多數值等。進一步言，在本揭露中，於一些實施例中，術語包含（including）、由…構成（constituted by）及具有（having）可獨立地指典型或廣泛地包含（typically or broadly comprising）、包含（comprising）、基本上由…所組成（consisting essentially of）或由…所組成（consisting of）。進一步言，屬於包括（comprising）可包含由…所組成（consisting of）或基本上由…所組成（consisting essentially of）。依據本揭露之態樣，用語之任何已定義的意義不必然排除用語的尋常及慣例意義。
本文中描述一種用於形成一結構之方法。方法包括將一基材提供至一反應室。基材包括圖案化光阻。圖案化光阻包括第一金屬。圖案化光阻另外包括複數個圖案化特徵及複數個凹部。凹部包括側壁及底部部分。方法另外包括在側壁上形成襯墊。襯墊包括第二金屬。
本文中進一步描述一種用於在一基材（諸如晶圓）上形成一圖案之方法。方法包括在基材上形成光阻。例示性光阻包含EUV光阻，亦即，對極紫外光敏感之光阻。光阻包括第一金屬。方法另外包括經由光罩使基材部分地暴露於輻射。當基材經部分暴露時，基材之某些部分經照射，而其他部分則未經照射。因此，形成經暴露之光阻部分及未暴露之光阻部分。方法另外包括選擇性移除經暴露之光阻部分及未暴露之光阻部分中之一者。應理解，可適宜地採用正光阻及負光阻兩者。因此，形成圖案化光阻。圖案化光阻包括第一金屬。圖案化光阻另外包括複數個圖案化特徵及複數個凹部。凹部包括側壁及底部部分。方法另外包括將基材提供至反應室中。接著，在側壁上形成襯墊。襯墊包括第二金屬。
因此，本文中描述用於形成間隔物之方法，及用於在基材上形成圖案之方法。本文進一步描述相關結構及系統。間隔物可有利地用於圖案化半導體基材的背景中，例如使用極紫外（EUV）光圖案化之情形。詳言之，間隔物有利地允許減小可經圖案化之特徵的臨界尺寸。因此，可高效地形成具有小於20 nm之臨界尺寸的圖案，由此避免當前的EUV解析度限制。
此外，由於間隔物形成可適當地在微影術之後直接執行，故隨後的蝕刻步驟可使用「筆直式（straight）」非等向性蝕刻，亦即，在使用有限的聚合氣體且不會逐漸變窄的情況下，垂直於基材平面進行非等向性蝕刻，由此可能改善特徵均勻性及佈置並限制缺陷。本發明所揭露之方法可另外產生具有低粗糙度、降低之成本及增加之通量的圖案。
另外，亦可採用多種材料，例如金屬中心及共反應物，以使得襯墊組成物可特別地
本文所描述之方法可採用任何適合的光阻。在一些實施例中，光阻係對極紫外光輻射敏感之光阻（EUV光阻）。適當地，輻射用於經由光罩使基材部分地暴露於輻射。EUV光阻層可包括任何適合的光阻，諸如分子、金屬氧化物或化學增幅型光阻。應理解，光阻可使用任何適合的沈積技術形成，沈積技術包含化學氣相沈積（CVD）、電漿增強型化學氣相沈積（PECVD）、原子層沈積（ALD）及電漿增強型原子層沈積（PEALD）。
在一些實施例中，光阻包括金屬有機光阻（MOR）。適合的金屬有機光阻包含碳氧化錫及碳氧化銦光阻。此類光阻可使用多種技術形成，技術包含旋塗、化學氣相沈積、電漿增強型化學氣相沈積、原子層沈積、分子層沈積及電漿增強型原子層沈積。
在一些實施例中，光阻包括金屬氧化物光阻。適合金屬氧化物光阻包含氧化錫光阻及氧化銦光阻。此類光阻可使用多種技術形成，技術包含旋塗、化學氣相沈積、電漿增強型化學氣相沈積、原子層沈積、分子層沈積及電漿增強型原子層沈積。在一些實施例中，光阻可包括錫、銦及銻中之至少一者的氧化物。
光阻適當地包括當暴露於一或多個種類之電磁輻射，例如EUV輻射時經歷物理或化學變化，例如經歷溶解度變化的材料。
多種材料（金屬中心及共反應物）允許專門定製襯墊層組成以適應於特定光阻組成物及隨後的蝕刻化學物質。因此，在一些實施例中，第一金屬與第二金屬相同。因此，光阻及襯墊可包括相同金屬。在其他實施例中，第一金屬與第二金屬不同，亦即，光阻及襯墊包括不相似的金屬，但光阻與襯墊展現出類似或相同的蝕刻速率，例如在氣相蝕刻中。
在一些實施例中，第一金屬與第二金屬相同。當例如形成襯墊且襯墊具有與其上形成之圖案化光阻類似或相同的蝕刻速率時，此可為有利的。
在一些實施例中，將襯墊進一步形成於圖案化特徵及凹部之底部部分上。適當地，且在一些實施例中，本文所描述之方法接著包括以下步驟：對襯墊進行非等向性蝕刻，由此自圖案化特徵及底部部分移除襯墊，並在側壁上形成間隔物。
應理解，襯墊之密度及抗蝕刻性可藉由調適沈積參數（例如沈積溫度、壓力、電漿組成等）、前驅物選擇、反應物組成等進行定製。
在一些實施例中，第一金屬及第二金屬中之至少一者係選自Sb、In及Sn。
在一些實施例中，光阻及襯墊中之至少一者包括磷族元素、硫族元素及鹵素中之一或多者。在一些實施例中，光阻及襯墊中之至少一者包括金屬磷族元素、金屬硫族元素或金屬鹵化物。適合金屬磷族元素包含金屬氮化物。適合金屬硫族元素包含金屬氧化物、金屬硫化物、金屬硒化物及金屬碲化物。
適合前驅物包含金屬前驅物，諸如錫前驅物、銻前驅物及銦前驅物。在一些實施例中，前驅物包括選自由以下組成之清單的元素：Sn、In、Sb、Ti、Al、Zn、Hf及Zr。金屬前驅物可例如包括烷基胺、烷烴或鹵化物。在一些實施例中，前驅物包括錫烷基胺，諸如肆（二甲基胺基）錫。在一些實施例中，前驅物包括烷基銦，諸如三甲基銦。在一些實施例中，前驅物包括鹵化錫，諸如SnI 4。在一些實施例中，前驅物包括鹵化銻，諸如SbCl 5。
適合反應物包含可與前驅物反應或以其他方式相互作用的氣體化合物及元素氣體。反應物與前驅物之間的反應可為由熱引起的或其可經由一些活化手段，諸如電漿、熱線或紫外光活化。
在一些實施例中，反應物包括氧。因此，在一些實施例中，反應物包括氧反應物。合適的氧反應物包括O 2、O 3及H 2O。
在一些實施例中，反應物包含鹵化物，諸如F、Cl、Br及I中之一或多者。在一些實施例中，反應物包括鹵化氫，諸如HF、HCl、HBr或HI。在一些實施例中，反應物包括元素鹵素，諸如F 2、Cl 2、Br 2或I 2。
在一些實施例中，反應物包括氮反應物。合適的氮反應物包含N 2、NH 3、N 2H 2及組成氣體（forming gas）。
在一些實施例中，反應物包括碳反應物。合適的碳反應物包含烷烴，諸如CH 4。
在一些實施例中，反應物包括還原反應物。適合的還原反應物包含H 2。
在一些實施例中，反應物包括二醇，諸如脂族二醇或芳族二醇。適合二醇包含乙二醇及氫醌。
在一些實施例中，反應物包括離子及自由基中之至少一者。離子及自由基可在電漿中，例如在反應室中之電漿中或在距反應室某一距離之遠程電漿中產生。當在反應室中產生電漿時，電漿可為直接電漿或間接電漿。直接電漿與基材直接接觸。間接電漿藉助於包括開口之隔板，諸如篩板或多孔板與基材分開。在一些實施例中，電漿採用包括稀有氣體之電漿氣體、或包括稀有氣體及含氧氣體之電漿氣體、或包括Ar及O 2之電漿氣體、或包括O 2之電漿氣體、或包括He及O 2之電漿氣體、或包括Ar之電漿氣體。
在一些實施例中，形成襯墊包括執行原子層沈積程序。在此類實施例中，襯墊係藉由使基材依序暴露於前驅物及反應物而形成。基材及反應物暴露可藉由沖洗分開。前驅物可包括烷基胺，諸如肆（二甲基胺基）錫；烷烴，諸如三甲基銦；或鹵化物，諸如SnI 4或SbCl 5。反應物可包括含水及氧之反應物，諸如H 2O或H 2O 2。此類原子層沈積程序可用於例如在金屬有機光阻上形成襯墊，光阻係使用電漿增強型化學氣相沈積程序沈積的。
在一些實施例中，形成襯墊包括執行分子層沈積程序。在此類實施例中，襯墊係藉由使基材依序暴露於前驅物及反應物而形成。基材及反應物暴露可藉由沖洗分開。前驅物可包括烷基胺，諸如肆（二甲基胺基）錫；烷烴，諸如三甲基銦；或鹵化物，諸如碘化物、溴化物或氯化物。適合碘化物包含SnI 4。適合氯化物包含SbCl 5。反應物可包括二醇，例如脂族二醇，諸如乙二醇；或芳族二醇，諸如氫醌。此類分子層沈積程序可用於例如在金屬有機光阻上形成襯墊，光阻係使用旋塗形成的。
在一些實施例中，形成襯墊包括執行電漿增強型原子層沈積程序。在此類實施例中，襯墊係藉由使基材依序暴露於前驅物及反應物而形成。在此類實施例中，反應物包括使用電漿產生之活性種類，諸如離子及自由基。基材及反應物暴露可藉由沖洗分開。前驅物可包括烷基胺，諸如肆（二甲基胺基）錫；烷烴，諸如三甲基銦；或鹵化物，諸如碘化物、溴化物或氯化物。適合碘化物包含SnI 4。適合氯化物包含SbCl 5。如所提及的，離子及自由基可在電漿中，例如在反應室中之電漿中或在距反應室某一距離之遠程電漿中產生。當在反應室中產生電漿時，電漿可為直接電漿或間接電漿。在一些實施例中，電漿採用包括稀有氣體之電漿氣體、或包括稀有氣體及含氧氣體之電漿氣體、或包括Ar及O 2之電漿氣體、或包括O 2之電漿氣體、或包括He及O 2之電漿氣體、或包括Ar之電漿氣體。此類電漿增強型原子層沈積程序可用於例如在金屬有機光阻上形成襯墊，光阻係使用電漿增強型化學氣相沈積程序沈積的。
在一些實施例中，形成襯墊包括將前驅物及反應物提供至反應室中。
例示性沈積方法可為或包含循環沈積法，諸如ALD及脈衝CVD法，且在一些有用的實施例中，可包含間接電漿、直接電漿及遠程電漿方法，其可包含超循環程序，其中可選擇性重複子循環以增強調諧（例如在吸收體或底層或類似物中達成所需元素之所需量或濃度）。本文所描述之襯墊可使用熱化學氣相沈積（CVD）、脈衝式CVD、熱原子層沈積（ALD）、電漿增強型CVD（PECVD）或電漿增強型ALD（PEALD）形成。所有此等方法皆可適當地提供具有低不均勻性之薄（≤5 nm）襯墊之沈積。
在一些實施例中，襯墊係藉助於循環程序，諸如採用金屬前驅物及碳反應物之交替脈衝的分子層沈積程序沈積。適當地，金屬前驅物可包含金屬烷基胺，諸如肆（二甲基胺基）錫，且碳反應物可包括脂族二醇，諸如乙二醇；或芳族二醇，諸如氫醌。此類襯墊可適當地用於例如碳氧化錫光阻上。
在一些實施例中，襯墊係藉助於循環程序，諸如包括金屬前驅物及碳反應物之交替脈衝的分子層沈積程序或原子層沈積程序沈積。適當地，金屬前驅物可包含金屬烷，諸如三甲基銦，且碳反應物可包括脂族二醇，諸如乙二醇；或芳族二醇，諸如氫醌。此類襯墊可例如適當地用於碳氧化銦光阻上。
在一些實施例中，形成襯墊包括形成電漿。可使用各種電漿，諸如直接電漿、間接電漿及遠程電漿。電漿可連續地或間歇地產生。
在一些實施例中，前驅物及反應物係同時提供至反應室中。在一些實施例中，在形成襯墊時未產生電漿。在一些實施例中，基材可連續地暴露於前驅物及反應物。在其他實施例中，可使基材交替地暴露於前驅物及反應物。
在一些實施例中，形成襯墊包括循環程序。循環程序包括前驅物脈衝及反應物脈衝。前驅物脈衝包括使基材暴露於前驅物。反應物脈衝包括使基材暴露於反應物。
在一些實施例中，形成襯墊包括熱循環程序，諸如熱原子層沈積程序。循環程序包括前驅物脈衝及反應物脈衝。前驅物脈衝包括使基材暴露於前驅物。反應物脈衝包括使基材暴露於反應物。在熱循環程序期間，基材不暴露於電漿產生之活性種類，諸如電漿產生之離子或自由基。
在熱循環程序中，適合前驅物包含金屬烷基胺，諸如肆（二甲基胺基）錫；金屬烷，諸如三甲基銦；及金屬鹵化物，諸如四碘化錫及五氯化銻。
在熱循環程序中，適合反應物包括含氧及氫之氣體或蒸氣，諸如H 2O及H 2O 2。其他適合之反應物包括含氧氣體，諸如O 2及O 3。
適當地，採用金屬前驅物及包括氫之反應物的熱循環程序產生具有抗蝕刻性之襯墊，其抗蝕刻性與含金屬氧化物之光阻的抗蝕刻性類似。舉例而言，此類襯墊可適當地形成於圖案化金屬氧化物光阻上，其係使用電漿增強型化學氣相沈積進行沈積。
在一些實施例中，形成襯墊包括分子層沈積程序。分子層沈積程序係特定循環沈積程序。分子層沈積程序包括前驅物脈衝及反應物脈衝。前驅物脈衝包括使基材暴露於前驅物。反應物脈衝包括使基材暴露於反應物。在分子層沈積程序期間，基材不暴露於電漿產生之活性種類，諸如電漿產生之離子或自由基。
在分子層沈積程序中，適合前驅物包含金屬烷基胺，諸如肆（二甲基胺基）錫；金屬烷，諸如三甲基銦；及金屬鹵化物，諸如四碘化錫及五氯化銻。
在分子層沈積程序中，適合反應物包含二醇，包含烷基二醇，諸如乙二醇、2-丁烯-1,4-二醇及順丁烯二酸；醯基鹵化物，諸如琥珀醯氯、反丁烯二醯氯；及芳族二醇或三醇，諸如氫醌及苯-1,3,5-三醇。
適當地，本文所描述之分子層沈積程序可產生具有抗蝕刻性之襯墊，其抗蝕刻性在金屬氧化物光阻與有機光阻之抗蝕刻性之間。舉例而言，此類襯墊可適當地形成於包括金屬、氧及可選的選用之碳的圖案化光阻上，諸如使用旋塗技術沈積之光阻或包括金屬離子及配位之有機配位體的金屬有機框架光阻。
在一些實施例中，形成襯墊包括基於電漿之循環程序，諸如電漿增強型原子層沈積程序。電漿增強型原子層沈積程序包括前驅物脈衝及反應物脈衝。前驅物脈衝包括使基材暴露於前驅物。電漿脈衝包括產生電漿並使基材暴露於電漿產生之活性種類，諸如離子或自由基。
在基於電漿之循環程序，諸如電漿增強型原子層沈積程序中，適合前驅物包含金屬烷基胺，諸如肆（二甲基胺基）錫；金屬烷，諸如三甲基銦；及金屬鹵化物，諸如四碘化錫及五氯化銻。
在電漿脈衝期間，可使用直接電漿或間接電漿。適合電漿包含稀有氣體電漿，諸如He及Ar電漿。其他適合之電漿包含O 2電漿以及電漿氣體包括O 2及諸如He或Ar之類稀有氣體之混合物的電漿。
適當地，本文所描述之電漿增強型循環沈積程序可產生具有抗蝕刻性之襯墊，其抗蝕刻性在金屬氧化物光阻與有機光阻之抗蝕刻性之間。舉例而言，此類襯墊可適當地形成於包括金屬、氧及可選的選用之碳的圖案化光阻上，且圖案化光阻係使用電漿增強型沈積技術，諸如電漿增強型化學氣相沈積進行沈積。
在一些實施例中，在形成襯墊之步驟之後進一步為蝕刻襯墊之步驟。可選地，形成襯墊之步驟包括部分蝕刻光阻。適當地，形成襯墊之步驟採用非等向性蝕刻，亦即，相較於平行於基材表面之方向，在垂直於基材表面之方向上具有較高蝕刻速率之蝕刻。因此，將襯墊自圖案化特徵及凹部之底部部分移除，並在側壁上形成間隔物。
在一些實施例中，襯墊與光阻具有實質上相同之組成。襯墊與光阻可另外具有類似的微觀結構。舉例而言，光阻及襯墊可皆為非晶形的，或其可皆具有微晶結構，或其可皆具有多晶結構。有利的是，當微觀結構及組成類似或實質上相同時，光阻及襯墊接著可具有類似的蝕刻速率，不管所用蝕刻劑如何。
在一些實施例中，例如當經歷蝕刻劑，諸如NF 3、BCl 3、CF 4、CHF 3、SF 6、HBr、Cl 2及其混合物時，襯墊與光阻具有實質上相同之蝕刻速率。可採用此類蝕刻劑，在電容耦合電漿（CCP）、電感耦合電漿（ICP）或遠程電漿室內使用反應性離子蝕刻（Reactive Ion Etch，RIE）。相同的蝕刻速率亦可在濕式蝕刻時，例如使用稀HF或氫氧化四甲基銨（TMAH）時發生。
在一些實施例中，襯墊與光阻具有不同的組成，但相同的蝕刻速率。
在一些實施例中，前驅物包括金屬烷基胺、金屬烷及金屬鹵化物中之至少一者。
在形成襯墊時，反應室可維持在例如至少20℃到至多200℃、或至少50℃到至多300℃之溫度。在形成襯墊時，反應室可維持在例如至少140 Pa到至多1300 Pa之壓力。前驅物及反應物中之至少一者可例如以至少200 sccm到至多2000 sccm之流動速率提供。在一些實施例中，前驅物脈衝持續至少0.1 s到至多15 s。
適當地，在整個本文所描述之方法中，反應室之溫度及壓力中之至少一者可維持在恆定值，例如在至多10%之誤差邊際的範圍內。
本文進一步描述一種系統，其包括一或多個前驅物源、與一或多個前驅物源操作性地耦接之反應室及控制器。控制器係被配置以促使系統執行如本文所描述之方法。
本文進一步描述一種結構。結構包括一基材、一圖案化光阻及一襯墊。圖案化光阻包括第一金屬。圖案化光阻另外包括複數個圖案化特徵及複數個凹部。凹部包括側壁及底部部分。襯墊係定位於側壁上。襯墊包括第二金屬。有利地但非必須地，第一金屬與第二金屬相同。在一些實施例中，第一金屬及第二金屬係Sn。在一些實施例中，第一金屬及第二金屬係Sb。在一些實施例中，第一金屬及第二金屬係In。在一些實施例中，結構係藉助於如本文所描述之方法形成。
本發明所提供之方法可在任何合適的設備中執行，包括在如圖1所示之反應器。同樣地，本發明所提供之結構可在任何適合的設備中製造，包括在如圖1所示之反應器。圖1係本發明的一些實施例中使用之電漿輔助原子層沈積（PEALD）設備的示意圖，其優勢在結合程式化的控制以執行底下所描述之序列。在此圖中，藉由在一反應室（3）之內部（反應區，11）中設置一對並行且相互面對的導電平板電極（2，4），將來自一電源（25）之RF功率（例如：頻率13.56 MHz及/或27 MHz）施加至一側，且將另一側（12）電氣接地，則電漿會在電極之間受激發。另可設置一溫度調節器於一下平台中，也就是下電極（2）中。基材（1）係被置放於其上，且其溫度係保持恆定在一給定溫度。上電極（4）亦可充當噴淋板，且反應物氣體及/或稀釋氣體（若有的話）以及前驅物氣體可分別經由第一氣體管線（21）及第二氣體管線（22）且經由噴淋板（4）引入反應室（3）中。額外地，反應室（3）中設置一具有排氣管線（17）的圓形管道（13），反應室（3）之內部（11）中之氣體通過其被排出。額外地，轉移室（5）設置於反應室（3）下方，且設有氣體密封管線（24），以將密封氣體經由轉移室（5）之內部（16）引入至反應室（3）之內部（11），其中提供用於分開反應區與轉移區的分隔板（14）。當注意的是，此圖式中省略一閘閥，而晶圓可通過閘閥被轉移進或出轉移室（5）。轉移室亦設置有一排氣管線（6）。
圖2繪示根據本揭露之額外例示性實施例的系統（200）。系統（200）可用於執行如本文所描述之方法及/或形成如本文所描述之結構。
在所繪示之實例中，系統（200）包含一或多個反應室（202）、前驅物氣體源（204）、反應物氣體源（205）及可選的選用之其他氣體源（206，208）。當然，系統（200）可可選的包括甚至更多氣體源（未示出）。系統另外包括排氣裝置（210）及控制器（212）。
反應室（202）可包含任何適合的反應室，諸如ALD或CVD反應室。
氣體源（204-208）中之任一者可包含容器以及一或多種前驅物、反應物或如本文所描述之其他氣體。氣體源（204-208）可可選的包括混合單元，用於將前驅物與一或多種載體（例如稀有）氣體混合。沖洗氣體源（未示出）可例如包含一或多種如本文所描述之稀有氣體。雖然繪示有四個氣體源（204-208），系統（200）可包含任何合適數目之氣體源。氣體源（204-208）可經由管線（214-218）耦接至一或多個反應室（202），管線可包含流量控制器、閥、加熱器及類似物。
排氣裝置（210）可包含一或多個真空泵。
控制器（212）包括電子電路系統及軟體，以選擇性操作閥、歧管、加熱器、泵、及其他包括在系統（200）中的組件。此類電路系統及組件操作以從各別源（204-208）引入前驅物、反應物、及沖洗氣體。控制器（212）可控制氣體脈衝序列的時序、基材及/或反應室的溫度、反應室內的壓力、及各種其他操作，以提供系統（200）的合宜操作。
控制器（212）可包括控制軟體，以電氣控制或氣動控制閥，而控制前驅物、反應物、及沖洗氣體進出反應室（202）的流動。控制器（212）可包括進行某些任務之模組，諸如軟體或硬體組件，例如FPGA或ASIC。將模組配置成常駐在控制系統之可定址儲存媒體上，並配置成執行一或多個製程是有利的。
系統（200）之其他組態係可能的，包含不同數目及種類之前驅物及反應物源，以及包含一或多個沖洗氣體源。另外，將可瞭解，閥、導管、前驅物源及沖洗氣體源有許多可用以實現將氣體選擇性饋入至反應室（202）中之目標的配置。此外，作為系統的示意性表示，許多組件為了繪示簡明已省略，且此類組件可包括例如各種閥、歧管、純化器、加熱器、貯器、通氣孔及/或旁路。在反應器系統（200）之操作期間，將基材，諸如半導體晶圓（未繪示）自例如基材處理系統轉移至反應室（202）。在將（多個）基材轉移至反應室（202）後，將來自氣體源（204-208）之一或多種氣體，諸如前驅物、反應物、載體氣體及/或沖洗氣體引入反應室（202）中。
在一些情況下，應理解，一些氣體，諸如O 2、N 2、H 2、He及Ar係極常見的且在整個製造中使用。因此，其可不必儲存於工具內之容器中，而是可經由氣體管線自中央儲存單元（未示出，其可為加壓容器）提供至如本文所描述之系統中。
圖3顯示兩個圖，即圖a及圖b。圖3圖a及圖b顯示可藉助於如本文所揭露之方法的實施例形成之結構。圖a之結構包括基材（300），在上面形成硬遮罩（310）。適合基材包含矽晶圓，其上已形成一或多個圖案化或未圖案化之層及結構。硬遮罩（310）可包括例如金屬、金屬合金、半導體、若干半導體之合金、非晶碳、含氮及含碳之材料、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氧化物或另一適合材料。適當地，且在一些實施例中，硬遮罩可具有至少1.0 nm到至多10.0 nm之厚度。底層（320）係安置於硬遮罩（310）上。底層（320）可包括例如金屬，諸如Sn、Sb或In，以及氧及碳。因此，底層（320）可包括金屬碳氧化物。另外或替代地，底層（320）可包括矽碳氧化物。底層可以具有小於10 nm或者小於或約5 nm（諸如2 nm至3 nm或更高）之厚度。底層（320）上覆圖案化光阻（330）。適當地，圖案化光阻可包括如本文所描述之EUV光阻。圖案化光阻（330）包括複數個圖案化特徵（331）及複數個凹部（332），凹部包括側壁（333）及底部部分（334）。
圖3圖b之結構與圖3圖a之結構類似，因為其亦包括如先前所描述的基材（300）、硬遮罩（310）、底層（320）及圖案化光阻（330）。不同之處在於以下事實：在圖3圖b之結構形成期間，已非等向性蝕刻襯墊以形成複數個間隔物（345）。蝕刻係如本文別處所描述之非等向性蝕刻，其較佳地在垂直於基材之方向上蝕刻材料。由於襯墊在圖案化光阻之側壁處較厚，故當在垂直於晶圓之方向上觀察時，非等向性蝕刻引起前述間隔物結構之形成以及前述凹部之寬度的伴隨減小。因此，圖案化結構之臨界尺寸可有利地減小。
圖4顯示根據本揭露之某些實施例的例示性圖案化方法之流程圖。詳言之，方法包括提供基材之步驟（410）。接著，方法包括形成硬遮罩之步驟（420）。接著，方法包括形成底層之步驟（430）。接著，方法包括形成圖案化光阻之步驟（440）。接著，方法包括形成襯墊之步驟（450）。接著，方法包括形成間隔物之步驟（460）。
圖5顯示根據本揭露之某些實施例的用於形成襯墊之方法之實施例的流程圖。此實施例示出形成襯墊之熱循環程序，諸如原子層沈積程序。方法以在反應室中引入基材開始（511）。接著，方法包括前驅物脈衝（512），其包括將前驅物引入反應室中。可選地，接著，使用沖洗氣體，諸如稀有氣體或實質上不與前驅物或反應物反應之另一氣體沖洗（513）反應室。接著，方法包括反應物脈衝（514），其包括將反應物提供至反應室中。可選地，接著，使用沖洗氣體沖洗（515）反應室。前驅物脈衝（512）、反應物脈衝（514）及可選的選用之沖洗步驟（513，515）可可選的再重複（516）一次，由此執行一或多個沈積循環。在執行過預定次數之沈積循環之後，方法結束（517）。
在如本文所描述的形成襯墊之原子層沈積程序的一個例示性實施例中，金屬前驅物包括肆（二甲基胺基）錫，反應物包括H 2O，基材維持在125℃之溫度，且反應室維持在5托之壓力。
在如本文所描述的形成襯墊之原子層沈積程序的另一個例示性實施例中，金屬前驅物包括三甲基銦，反應物包括H 2O，基材維持在125℃之溫度，且反應室維持在5托之壓力。
圖6顯示根據本揭露之某些實施例的用於形成襯墊之方法之實施例的另一流程圖。此實施例示出形成襯墊之熱化學氣相沈積程序。方法以在反應室中引入基材開始（611）。接著，方法包括步驟（612）：在反應室中引入前驅物且可選的引入反應物。因此，在基材上形成襯墊。在基材暴露於前驅物且可選的暴露於反應物預定時間量之後，方法結束（613）。
圖7顯示根據本揭露之某些實施例的用於形成襯墊之方法之另一實施例的流程圖。此實施例示出形成襯墊之循環程序。在此實施例中，循環程序包括產生電漿，諸如遠程電漿、間接電漿或直接電漿。適合的電漿增強型程序包含電漿增強型及自由基增強型原子層沈積程序。方法以在反應室中引入基材開始（711）。接著，方法包括前驅物脈衝（712），其包括將前驅物引入反應室中。可選地，接著，使用沖洗氣體，諸如稀有氣體或實質上不與前驅物反應之另一氣體沖洗（713）反應室。接著，方法包括電漿脈衝（714），其包括產生電漿。電漿可在反應室本身中產生，且在電漿與基材之間不存在任何隔板，此稱為直接電漿組態。或者，電漿可在反應室本身中產生，且在電漿與基材之間存在隔板，反應室稱為間接電漿室。作為又一替代選擇，電漿可在獨立電漿室中產生，電漿室位於距反應室某一距離處，例如至少0.2 m處；此稱為遠程電漿組態。不管具體組態如何，電漿脈衝（714）包括使基材暴露於電漿產生之種類，諸如離子或自由基。可選地，接著，使用沖洗氣體沖洗（715）反應室。前驅物脈衝（712）、電漿脈衝（714）及可選的選用之沖洗步驟（713，715）可可選的再重複（716）一次，由此執行一或多個沈積循環。在執行過預定次數之沈積循環之後，方法結束（717）。
圖8顯示根據本揭露之某些實施例的用於形成襯墊之方法之實施例的又一流程圖。此實施例示出形成襯墊之電漿增強型化學氣相沈積程序。方法以在反應室中引入基材開始（811）。接著，方法包括步驟（812）：將前驅物引入反應室中，同時產生電漿。各種電漿組態均為可能的，諸如本文所描述的直接電漿、間接電漿及遠程電漿組態。因此，在基材上形成襯墊。在前驅物暴露及電漿產生發生預定時間量之後，方法結束（813）。
圖9顯示在本文所描述之方法的一或多個實施例中可用於形成襯墊之例示性脈衝方案。在此等實施例中之各者中，電漿可可選的產生，且可例如以直接組態、間接組態或遠程組態使用。電漿可以連續方式或以脈衝方式操作。圖9特定地含有三個圖：圖a、圖b及圖c。圖9圖a顯示將前驅物及反應物連續地提供至反應室的流程圖，亦即，不存在前驅物或反應物流之脈衝。熱增強型及電漿增強型化學氣相沈積方法可採用此類連續前驅物或反應物提供方式。圖9圖b顯示前驅物流為脈衝的且反應物流連續之流程圖。圖9圖c顯示前驅物流為連續的且反應物流脈衝之脈衝方案。圖9圖b及圖c之流程圖可用於形成襯墊之脈衝式熱增強型或電漿增強型化學氣相沈積方法中。
圖10顯示在本文所描述之方法的一或多個實施例中可用於形成襯墊之其他例示性脈衝方案。在圖10圖a及圖b之兩個實施例中，使基材分別暴露於以不重疊之前驅物脈衝及反應物脈衝提供之前驅物及反應物。可選地，前驅物脈衝與反應物脈衝係藉由沖洗分開。在一些實施例（未示出）中，前驅物脈衝與反應物脈衝部分重疊。在圖10圖a之實施例中，產生電漿，且電漿可例如以直接組態、間接組態或遠程組態使用。在電漿脈衝期間，使基材暴露於電漿產生之活性種類，諸如離子或自由基。在一些實施例中，電漿脈衝與前驅物脈衝及反應物脈衝中之至少一者至少部分重疊。在所示實施例中，電漿脈衝與反應物脈衝重疊，亦即，在提供反應物之同時，產生電漿。圖10圖b之實施例顯示不使用電漿形成襯墊之熱程序。
圖11顯示直接電漿系統（1100）之實施例的示意性表示，系統係可操作或可控制的以執行如本文所描述之製造程序或方法。系統（1100）包含反應室（1110），在反應室中，電漿（1120）產生。特定言之，電漿（1120）係在噴淋頭注入器（1130）與支撐基材或晶圓（1141）之基材支座（1140）之間產生。
在所示組態中，系統（1100）包含兩個交流（AC）電源：高頻電源（1121）及低頻電源（1122）。在所示組態中，高頻電源（1121）將射頻（RF）功率供應至噴淋頭注入器，且低頻電源（1122）將交流訊號供應至基材支座（1140）。射頻功率可例如在13.56 MHz或更高的一頻率下提供。低頻交流訊號可（例如）在2 MHz或更低的一頻率下提供。
包括前驅物、反應物或兩者之程序氣體經由氣體管線（1160）提供至錐形氣體分配器（1150） 接著，程序氣體經由噴淋頭注入器（1130）中之貫穿孔（1131）通至反應室（1110）。儘管高頻電源（1121）係顯示為電連接至噴淋頭注入器且低頻電源（1122）顯示為電連接至基材支座（1140），但其他組態亦為可能的。例如，在一些實施例（未示出）中，高頻電源及低頻電源兩者可電連接至噴淋頭注入器；高頻電源與低頻電源兩者可電連接至基材支座；或者，高頻電源可電連接至基材支座，而低頻電源可電連接至噴淋頭注入器。
圖12顯示間接電漿系統（1200）之實施例的示意性表示，系統係可操作或可控制的以執行如本文所描述之方法。系統（1200）包含反應室（1210），其與產生電漿（1220）之電漿產生空間（1225）分開。特定言之，反應室（1210）藉由噴淋頭注入器（1230）與電漿產生空間（1225）分開，且電漿（1220）係在噴淋頭注入器（1230）與電漿產生空間頂板（1226）之間產生。
在所示組態中，系統（1200）包含三個交流（AC）電源：一個高頻電源（1221）及兩個低頻電源（1222）、（1223）（亦即，第一低頻電源（1222）及第二低頻電源（1223））。在所示組態中，高頻電源（1221）將射頻（RF）功率供應至電漿產生空間頂板，第一低頻電源（1222）將交流訊號供應至噴淋頭注入器（1230），且第二低頻電源（1223）將交流訊號供應至基材支座（1240）。一基材（1241）被設置於基材支座（1240）上。射頻功率可例如在13.56 MHz或更高的一頻率下提供。第一低頻電源（1222）及第二低頻電源（1223）之低頻交流訊號可例如以2 MHz或更低之頻率提供。
包括前驅物、反應物或兩者之程序氣體係經由氣體管線（1260）提供，氣體管線穿過電漿產生空間頂板（1226）到達電漿產生空間（1225）。自程序氣體藉由電漿（1220）產生的諸如離子及自由基之類活性種類穿過噴淋頭注入器（1230）中之貫穿孔（1231）到達反應室（1210）。
圖13顯示遠程電漿系統（1300）之實施例的示意性表示，系統係可操作或可控制的以執行如本文所描述之製造方法或程序。系統（1300）包含反應室（1310），其操作性地連接至產生電漿（1320）之遠程電漿源（1325）。任何種類之電漿源均可用作遠程電漿源（1325），例如電感耦合電漿、電容耦合電漿或微波電漿。特定言之，活性種類係自電漿源（1325）提供至反應室（1310），即，經由活性種類管道（1360）提供至錐形分配器（1350），經由噴淋板注入器（1330）中的貫穿孔（1331）到達反應室（1310）。因此，以均勻方式將活性種類提供至反應室。
在所示組態中，系統（1300）包含三個交流（AC）電源：一個高頻電源（1321）及兩個低頻電源（1322，1323）（亦即，第一低頻電源（1322）及第二低頻電源（1323））。在所示組態中，高頻電源（1321）將射頻（RF）功率供應至電漿產生空間頂板，第一低頻電源（1322）將交流訊號供應至噴淋頭注入器（1330），且第二低頻電源（1323）將交流訊號供應至基材支座（1340）。一基材（1341）被設置於基材支座（1340）上。射頻功率可例如以10 MHz或更高之頻率提供。第一低頻電源（1322）及第二低頻電源（1323）之低頻交流訊號可例如以2 MHz或更低之頻率提供。
在一些實施例中（未圖示），一額外的高頻電源可被電連接至基材支座。因此，可於反應室中生成一直接電漿。包括前驅物、反應物或兩者之程序氣體藉助於氣體管線（1360）提供至電漿源（1325）。自程序氣體藉由電漿（1320）產生的諸如離子及自由基之類活性種類被引導至反應室（1310）。
上文描述之本揭露的實例實施例並未限制本發明的範疇，因為這些實施例僅係本發明之實施例的實例。任何等效實施例係意欲落入本發明之範疇內。實際上，除本文中所示及所描述之實施例外，本技術領域中具有通常知識者更可從本說明書明白本發明的各種修改，例如所描述元件的替代有用組合。這類修改及實施例亦意欲屬於隨附之申請專利範圍的範疇。
1:基材 2:導電平板電極/下平台 3:反應室 4:導電平板電極/上電極/噴淋板 5:轉移室 6:排氣管線 11:反應室之內部 12:導電平板電極之另一側 13:圓形管道 14:分隔板 16:轉移室之內部 17:排氣管線 21:第一氣體管線 22:第二氣體管線 24:氣體密封管線 25:電源 200:系統 202:反應室 204:前驅物氣體源 205:反應物氣體源 206:可選的選用之其他氣體源 208:可選的選用之其他氣體源 210:排氣裝置 212:控制器 214:管線 215:管線 216:管線 218:管線 300:基材 310:硬遮罩 320:底層 330:圖案化光阻 331:複數個圖案化特徵 332:複數個凹部 333:側壁 334:底部部分 345:複數個間隔物 410:步驟 420:步驟 430:步驟 440:步驟 450:步驟 460:步驟 511:開始 512:前驅物脈衝 513:沖洗步驟 514:反應物脈衝 515:沖洗步驟 516:重複 517:結束 611:開始 612:步驟 613:結束 711:開始 712:前驅物脈衝 713:沖洗步驟 714:電漿脈衝 715:沖洗步驟 716:重複 717:結束 811:開始 812:步驟 813:結束 1100:直接電漿系統 1110:反應室 1120:電漿 1121:高頻電源 1122:低頻電源 1130:噴淋頭注入器 1131:貫穿孔 1140:基材支座 1141:晶圓 1150:錐形氣體分配器 1160:氣體管線 1200:間接電漿系統 1210:反應室 1220:電漿 1221:高頻電源 1222:第一低頻電源 1223:第二低頻電源 1225:電漿產生空間 1226:電漿產生空間頂板 1230:噴淋頭注入器 1231:貫穿孔 1240:基材支座 1241:基材 1260:氣體管線 1300:遠程電漿系統 1310:反應室 1320:電漿 1321:高頻電源 1322:第一低頻電源 1323:第二低頻電源 1325:遠程電漿源 1330:噴淋板注入器 1331:貫穿孔 1340:基材支座 1341:基材 1350:錐形分配器 1360:活性種類管道/氣體管線
當結合下列闡釋性圖式考慮時，可藉由參考實施方式及申請專利範圍而對本揭露之例示性實施例有更完整理解。 圖1顯示反應器，在反應器中可至少執行根據本揭露之方法的實施例。 圖2繪示根據本揭露之額外例示性實施例的系統（200）。 圖3顯示包括襯墊及間隔物之基材。 圖4顯示根據本揭露之某些實施例的例示性圖案化程序之流程圖。 圖5至圖8顯示根據本揭露之某些實施例的用於形成襯墊之程序的流程圖。 圖9及圖10顯示用於根據本揭露之某些實施例之方法中的例示性脈衝方案。 圖11至圖13顯示用於根據本揭露之某些實施例之方法中的例示性系統。 將瞭解，圖式中的元件係出於簡單及清楚起見而例示，且未必按比例繪製。舉例而言，可相對於其他元件將圖式中之一些元件之尺寸擴大以有助於改良對本揭露內容之所例示實施例的理解。
410:步驟
420:步驟
430:步驟
440:步驟
450:步驟
460:步驟

Claims (20)

  1. 一種用於形成一結構之方法，該方法包括以下步驟： 將一基材提供至一反應室中，該基材包括一圖案化光阻，該圖案化光阻包括一第一金屬，該圖案化光阻另外包括複數個圖案化特徵及複數個凹部，該等凹部包括複數個側壁及複數個底部部分；且 在該等側壁上形成一襯墊，其中該襯墊包括一第二金屬。
  2. 一種用於在一基材上形成一圖案之方法，該方法包括以下步驟： 在該基材上形成一光阻，該光阻包括一第一金屬； 經由一光罩使該基材部分地暴露於輻射，由此形成複數個經暴露之光阻部分及複數個未暴露之光阻部分； 選擇性移除該等經暴露之光阻部分及該等未暴露之光阻部分中的一者，由此形成一圖案化光阻，該圖案化光阻包括該第一金屬，該圖案化光阻另外包括複數個圖案化特徵及複數個凹部，該等凹部包括複數個側壁及複數個底部部分； 將該基材提供至一反應室中；且 在該等側壁上形成一襯墊，其中該襯墊包括一第二金屬。
  3. 如請求項1或請求項2之方法，其中該光阻包括一EUV光阻且該輻射包括EUV輻射。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該第一金屬與該第二金屬相同。
  5. 如請求項1至4中任一項之方法，其中將該襯墊進一步形成於該等圖案化特徵及該等凹部之該等底部部分上。
  6. 如請求項5之方法，其中在形成該襯墊之步驟之後，進一步蝕刻該襯墊，由此自該等圖案化特徵及該等凹部之該等底部部分移除該襯墊，並在該等側壁上形成複數個間隔物。
  7. 如請求項6之方法，其中該第一金屬及該第二金屬中之至少一者係選自Sn、In、Sb、Ti、Al、Zn、Hf及Zr。
  8. 如請求項1至7中任一項之方法，其中該襯墊與該光阻具有實質上相同之組成。
  9. 如請求項1至8中任一項之方法，其中該襯墊與該光阻具有實質上相同之蝕刻速率。
  10. 如請求項1至9中任一項之方法，其中該光阻及該襯墊中之至少一者包括磷族元素、硫族元素及鹵素中之一或多者。
  11. 如請求項10之方法，其中該光阻及該襯墊包括相同的金屬氧化物。
  12. 如請求項1至11中任一項之方法，其中形成該襯墊包括將一前驅物及一反應物提供至該反應室中。
  13. 如請求項12之方法，其中形成該襯墊包括形成一電漿。
  14. 如請求項12或請求項13之方法，其中該前驅物及該反應物係同時提供至該反應室中。
  15. 如請求項12至14中任一項之方法，其中形成該襯墊包括一循環程序，其中該循環程序包括一前驅物脈衝及一反應物脈衝，其中該前驅物脈衝包括使該基材暴露於該前驅物，且其中該反應物脈衝包括使該基材暴露於該反應物。
  16. 如請求項12至15中任一項之方法，其中該前驅物包括一金屬烷基胺、一金屬烷及一金屬鹵化物中之至少一者。
  17. 如請求項12至16中任一項之方法，其中該反應物包括氧。
  18. 一種系統，其包括一或多個前驅物源、與該一或多個前驅物源操作性地耦接之一反應室及一控制器，該控制器經配置以使該系統進行如請求項1至17中任一項之方法。
  19. 一種結構，其包括一基材、一圖案化光阻及一襯墊； 該圖案化光阻包括一第一金屬，該圖案化光阻另外包括複數個圖案化特徵及複數個凹部，該等凹部包括複數個側壁及複數個底部部分； 該襯墊安置於該等側壁上，其中該襯墊包括一第二金屬。
  20. 如請求項19之結構，其係根據請求項1至17中任一項之方法形成。
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