TW202407474A - 光照射剝離用之剝離劑組成物 - Google Patents

光照射剝離用之剝離劑組成物 Download PDF

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日商日產化學股份有限公司
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Abstract

本發明係提供一種剝離劑組成物，其係於積層體中，用以形成可藉由用於該積層體之光照射進行剝離之剝離劑層，且該剝離劑組成物係含有水溶劑；前述積層體，係於半導體基板或電子裝置層之加工時，可強固地將支撐基板及該半導體基板或該電子裝置層接著，且於基板加工後，可藉由光照射輕易地將支撐基板及該半導體基板或該電子裝置層分離。 本發明之光照射剝離用之剝離劑組成物，其係用以形成積層體之剝離劑層；該積層體，係具有半導體基板或電子裝置層、透光性之支撐基板、以及設於前述半導體基板或前述電子裝置層與前述支撐基板之間之前述剝離劑層，並且係用於在前述剝離劑層吸收從前述支撐基板側所照射之光後使前述半導體基板或前述電子裝置層與前述支撐基板剝離；前述電子裝置層係由複數個半導體晶片基板與配置於前述半導體晶片基板間之密封樹脂所成；前述剝離劑組成物，係含有藉由吸收前述光而有助於使前述半導體基板或前述電子裝置層與前述支撐基板變得容易剝離之光吸收化合物、以及溶劑；該溶劑係含有水。

Description

光照射剝離用之剝離劑組成物
本發明係關於一種光照射剝離用之剝離劑組成物。
過去在二維平面方向上集積之半導體晶圓，以更進一步集積化為目的，不斷追求一種亦將平面進一步集積（積層）於三維方向上之半導體集積技術。該三維積層係藉由矽穿孔電極（TSV：through silicon via）進行接線並集積為多層之技術。集積為多層時，被集積之各晶圓藉由對與已形成之電路面為相反之側（即背面）進行研磨而薄化，再積層已薄化之半導體晶圓。
為了用研磨裝置進行研磨，將薄化前的半導體晶圓（於此亦簡稱為晶圓）接著於支撐體。此時的接著必須在研磨後能輕易地剝離，故被稱為暫時接著。該暫時接著必須能輕易地從支撐體上拆除，若為了拆除而施加很大的力，則已薄化之半導體晶圓可能會有被切斷或變形之情形，為了避免如此情形發生，要能輕易地被拆除。然而，在研磨半導體晶圓的背面時，發生因研磨應力而導致脫落或偏移之情形並不理想。因此，暫時接著所要求之性能係能承受研磨時的應力，並且在研磨後能輕易地被拆除。
例如，需要一種對研磨時的平面方向持有高的應力（強的接著力），並對拆除時的縱向具有低的應力（弱的接著力）之性能。 為了如此之接著及分離製程，已揭示一種藉由雷射照射之方法（例如參照專利文獻1、2），惟隨著現今半導體領域的進一步發展，仍不斷追求與藉由雷射等光照射進行剝離相關之新技術。
此外，在藉由暫時接著支撐體來加工基板之方法中，作為暫時接著之對象之基板，除了係如上述之以薄化為目的之半導體基板以外，亦可列舉由複數個半導體晶片基板與配置於該半導體晶片基板間之密封樹脂所成之電子裝置層。 包含半導體元件（亦稱為半導體晶片基板）之半導體封裝（電子零件），係根據相應尺寸存在各種型態，例如有WLP（晶圓級封裝，Wafer Level Package）、PLP（面板級封裝，Panel Level I Package）等。 為了實現半導體封裝之小型化，重要的係薄化組裝元件中之基板的厚度。然而，若薄化基板的厚度，其強度降低，在半導體封裝製造過程中容易發生基板的破損。對此，已知一種使用接著劑將基板暫時接著於支撐體，進行基板之加工後，再將基板及支撐體分離之技術（例如參照專利文獻3、4）。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2004-64040號公報 ［專利文獻2］日本特開2012-106486號公報 ［專利文獻3］日本特開2019-34541號公報 ［專利文獻4］日本特開2020-107649號公報
［發明所欲解決之技術問題］
上述專利文獻1及2中，已記載一種積層體，其係為了藉由雷射照射將相當於上述半導體晶圓之半導體基板及支撐體剝離，而在半導體基板與支撐體之間積層有接合層（接著劑層）及含光吸收劑之光轉換層（亦稱為分離層）兩個層。 此外，上述專利文獻3及4中，已記載一種積層體，其係為了藉由雷射照射將具有複數個配置於密封樹脂層中之半導體晶片基板之上述電子裝置層及支撐體剝離，在電子裝置層與支撐體之間積層有接著層（接著劑層）及分離層兩個層。 然而，上述專利文獻1至4中所記載之分離層，係由含有有機溶劑之組成物所形成，惟從作業環境及組成物處理之安全性及廢液處理等之問題而言，期望盡可能減少有機溶劑之使用量。該分離層，若可由含有水溶劑之組成物而非有機溶劑所形成，從安全性及減輕環境負荷之觀點而言係理想。 為了在現今之半導體領域之進一步發展，針對所使用之剝離劑組成物亦需要持續開發新種類。
因此，本發明係有鑑於上述情事所成之發明，目的在於提供一種剝離劑組成物，其係於積層體中，用以形成可藉由用於該積層體之光照射進行剝離之剝離劑層，且該剝離劑組成物係含有水溶劑；前述積層體，係於半導體基板或電子裝置層之加工時，可強固地將支撐基板及該半導體基板或該電子裝置層接著，且於基板加工後，可藉由光照射輕易地將支撐基板及該半導體基板或該電子裝置層分離。 ［技術手段］
本發明人為了解決前述課題而進行深入研究後，發現前述課題可獲解決，進而完成具有以下要旨之本發明。
即，本發明包含以下。 〔1〕一種光照射剝離用之剝離劑組成物，其係用以形成積層體之剝離劑層， 該積層體，係具有： 半導體基板或電子裝置層、 透光性之支撐基板、以及 設於前述半導體基板或前述電子裝置層與前述支撐基板之間之前述剝離劑層， 並且係用於在前述剝離劑層吸收從前述支撐基板側所照射之光後使前述半導體基板或前述電子裝置層與前述支撐基板剝離， 前述電子裝置層係由複數個半導體晶片基板與配置於前述半導體晶片基板間之密封樹脂所成； 前述剝離劑組成物，係含有藉由吸收前述光而有助於使前述半導體基板或前述電子裝置層與前述支撐基板變得容易剝離之光吸收化合物、以及溶劑； 該溶劑係含有水。 〔2〕如項〔1〕所述之剝離劑組成物，其中，相對於前述剝離劑組成物中之溶劑，前述水之含量為50質量%以上。 〔3〕如項〔2〕所述之剝離劑組成物，其中，相對於前述剝離劑組成物中之溶劑，前述水之含量為98質量%以上。 〔4〕如項〔1〕所述之剝離劑組成物，其中，前述光吸收化合物，係對光吸收性化合物測定在250nm～800nm範圍之吸收光譜時，前述吸收光譜在250nm～800nm範圍內吸光度係於250nm～350nm之間具有最大極大值。 〔5〕如項〔4〕所述之剝離劑組成物，其中，前述光吸收化合物係多酚系之化合物。 〔6〕如項〔5〕所述之剝離劑組成物，其中，前述多酚系之化合物，係選自具有黃烷醇骨架之化合物聚合而成之縮合型單寧、由沒食子酸或鞣花酸之芳香族化合物與醣進行酯鍵結而成之水解性單寧、以及源自具有黃烷酮骨架結構之化合物之類黃酮所成群之化合物。 〔7〕如項〔6〕所述之剝離劑組成物，其中，前述水解性單寧係由下述式（9）表示之單寧酸。 〔化1〕 〔8〕如項〔1〕～〔7〕中任一項所述之剝離劑組成物，其中，前述剝離劑組成物係進一步含有水溶性色素。 ［發明之效果］
根據本發明，可提供一種剝離劑組成物，其係於積層體中，用以形成可藉由用於該積層體之光照射進行剝離之剝離劑層，且該剝離劑組成物係含有水溶劑；前述積層體，係於半導體基板或電子裝置層之加工時，可強固地將支撐基板及該半導體基板或該電子裝置層接著，且於基板加工後，可藉由光照射輕易地將支撐基板及該半導體基板或該電子裝置層分離。
（光照射剝離用之剝離劑組成物） 本發明之剝離劑組成物，係可藉由光照射進行剝離之組成物。 本發明之剝離劑組成物，係用以輕易地將半導體基板或電子裝置層與支撐基板剝離之組成物。 本發明之剝離劑組成物，係含有藉由吸收光而有助於使半導體基板或電子裝置層與支撐基板變得容易剝離之光吸收化合物、以及含有水之溶劑。 本發明之剝離劑組成物，係除了上述光吸收化合物、上述含有水之溶劑以外，亦可進一步含有水溶性色素。 此外，本發明之剝離劑組成物，係除了上述光吸收化合物、上述含有水之溶劑、上述水溶性色素以外，亦可含有其他成分。
＜溶劑＞ 本發明之剝離劑組成物中所含之溶劑，係含有水。 以往係於剝離劑組成物中含有有機溶劑，惟本發明係於溶劑中使用水，藉此可確保對環境及人體之安全性，並可降低廢液處理成本，減輕對環境負荷。 本發明中，相對於剝離劑組成物中之溶劑，水之含量理想為50質量%以上，更理想為98質量%以上，特別理想為100質量%。
＜光吸收化合物＞ 本發明之光吸收化合物，理想係對該光吸收化合物測定在250nm～800nm範圍之吸收光譜時，吸收光譜在250nm～800nm範圍內吸光度係於250nm～350nm之間具有最大極大值。吸收光譜，例如可於260nm～315nm之間具有最大極大值。藉由具有如此光吸收特性，可實現半導體基板或電子裝置層與支撐基板之間良好的剝離性。
吸收光譜，可使用分光光度計（例如紫外線可見光近紅外線（UV-Vis-NIR）分光光度計）來測定。 測定範圍，只要係包含250nm～800nm，亦可為其以上之範圍。 吸收光譜之測定中，理想係形成厚度達到可判斷極大值存在之膜作為測定樣品。例如，測定樣品之膜的厚度為200nm左右。
前述光吸收化合物，理想為多酚系之化合物。 多酚系之化合物，理想係選自具有黃烷醇骨架之化合物聚合而成之縮合型單寧、由沒食子酸或鞣花酸之芳香族化合物與醣進行酯鍵結而成之水解性單寧、以及源自具有黃烷酮骨架結構之化合物之類黃酮所成群之化合物。 本發明之多酚（polyphenol）系化合物，係表示分子內具有複數個酚性羥基（與苯環、萘環等芳香環鍵結之羥基）之植物成分。 本發明之多酚系化合物中，係包含單寧及類黃酮。 本發明之單寧係表示源自植物且與蛋白質、生物鹼、金屬離子發生反應並強烈鍵結形成難溶性之鹽之水溶性化合物。此種單寧在植物界中普遍存在，係具有多數酚性羥基之芳香族化合物。 本發明之單寧，係包含縮合型單寧及水解性單寧。 本發明之縮合型單寧，係具有由下述式（p）表示之黃烷醇骨架之化合物聚合而成之化合物。
〔化2〕
本發明之水解性單寧，係由下述式（q）表示之沒食子酸或鞣花酸之芳香族化合物、與由下述式（r）表示之葡萄糖等醣進行酯鍵結而成之化合物。
〔化3〕
〔化4〕
水解性單寧之理想實施態樣，可列舉由下述式（9）表示之單寧酸。
〔化5〕
本發明之類黃酮，係表示作為類黃酮之一種之黃烷酮經各種修飾而生物合成之化合物，例如係表示源自具有由下述式（s）表示之黃烷酮骨架結構之化合物的化合物。
〔化6〕
類黃酮之理想實施態樣，可列舉由下述式（10）或式（11）表示之類黃酮。
〔化7〕
＜水溶性色素＞ 本發明之剝離劑組成物，亦可進一步含有水溶性色素。 本發明中，為了於溶劑中使用水，可於剝離劑組成物中混合各種水溶性色素。例如，可於剝離劑組成物中含有在與上述光吸收化合物所表現之光吸收波長範圍不同的波長範圍內表現吸收之水溶性色素。據此，可以擴展剝離劑組成物之光吸收波長範圍，並可擴展雷射照射光之波長選擇性。 本發明之水溶性色素，只要係對水表現出溶解性之色素，則無特別限制，可視目的適宜使用，例如，理想使用由下述式（a）～（d）表示之水溶性色素。 由式（a）表示之水溶性色素可使用例如氯冉亭堅牢紅5B（Chlorantine Fast Red 5B）（東京化成工業製）；由式（b）表示之水溶性色素可使用例如色媒純藍BX（Chrome Pure Blue BX）（東京化成工業製）；由式（d）表示之水溶性色素可使用例如酸性紅18（Acid Red 18）（東京化成工業製）。
〔化8〕
＜其他成分＞ 本發明之剝離劑組成物，只要不會損及本發明之效果，可含有水以外之有機溶劑作為溶劑，本發明中，理想係盡可能不含有有機溶劑。 有機溶劑之具體例，可列舉脂肪族烴、芳香族烴、酮等，但不限於此等。 更具體而言，有機溶劑，可列舉：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、異十二烷、薄荷烷、檸檬烯、甲苯、二甲苯、對稱三甲苯、異丙苯、MIBK（甲基異丁基酮）、乙酸丁酯、二異丁基酮、2-辛酮、2-壬酮、5-壬酮等，但不限於此等。 此外，亦可列舉例如：乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙酸甲賽璐蘇、乙酸乙賽璐蘇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、丙二醇、丙二醇單甲醚（PGME）、丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）、丙二醇單乙醚、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯等。
＜＜剝離劑組成物之製作＞＞ 本發明之剝離劑組成物，可藉由將上述光吸收化合物、上述含有水之溶劑混合來製作。 上述光吸收化合物與上述含有水之溶劑之配合比率，只要會發揮本發明之效果則無特別限制，可視目的適宜選擇，例如以質量比計，光吸收化合物：溶劑理想為0.1：9.9～5：5之比例，更理想為0.5：9.5～3：7之比例。 本發明之剝離劑組成物，可藉由將上述光吸收化合物、上述含有水之溶劑、及上述水溶性色素混合來製作。 上述光吸收化合物、上述含有水之溶劑與上述水溶性色素之配合比率，只要會發揮本發明之效果則無特別限制，可視目的適宜選擇，例如以質量比計，光吸收化合物：溶劑：水溶性色素理想為0.1～5：0.1～5：9.8～5之比例，更理想為0.5～3：0.5～3：4～9之比例。
（積層體） 本發明之積層體，係具有半導體基板或電子裝置層、支撐基板、及光照射剝離用之剝離劑層。 本發明之積層體，理想係進一步具有接著劑層，並為具有半導體基板或電子裝置層、支撐基板、光照射剝離用之剝離劑層、以及接著劑層之構成。 又，本發明之剝離劑層，於形成為不僅具有藉由光照射將半導體基板或電子裝置層與支撐基板剝離之剝離功能，亦兼具將半導體基板或電子裝置層與支撐基板接著之接著功能之情形時（即，於使用含有發揮兩種功能之成分之剝離劑組成物來形成剝離劑層之情形時），積層體並非形成為剝離劑層與接著劑層之兩層構成，而是可形成為具有接著性能之剝離劑層之一層構成。
支撐基板係具有透光性。 光照射剝離用之剝離劑層，係設於半導體基板或電子裝置層與支撐基板之間。 積層體，係用於在剝離劑層吸收從支撐基板側所照射之光後使半導體基板或電子裝置層與支撐基板剝離。 光照射剝離用之剝離劑層，係由上述之本發明之光照射剝離用之剝離劑組成物所形成之層。
本發明之積層體，係用於為對半導體基板或電子裝置層進行加工時之暫時接著，並可適當用於半導體基板或電子裝置層之薄化等之加工。 對半導體基板施予薄化等之加工期間，半導體基板係經由接著劑層被支撐基板支撐。另一方面，在對半導體基板進行加工後，對剝離劑層照射光，其後，使支撐基板與半導體基板分離。藉由剝離劑組成物含有之特定的光吸收性化合物，由該剝離劑組成物所形成之剝離劑層中，特定的光吸收性化合物會吸收光（例如雷射光）使剝離劑層變質（例如分離或分解）。其結果，在對剝離劑層照射光之後，半導體基板與支撐基板變得容易剝離。 此外，對電子裝置層施予薄化等之加工期間，電子裝置層係經由接著劑層被支撐基板支撐。另一方面，在對電子裝置層進行加工後，對剝離劑層照射光，其後，使支撐基板與電子裝置層分離。 藉由本發明之剝離劑層，在照射光之後，半導體基板或電子裝置層與支撐基板變得容易剝離。並且，將半導體基板或電子裝置層與支撐基板剝離後殘留於半導體基板、電子裝置層或支撐基板上之剝離劑層或接著劑層的殘渣，可藉由例如用以洗淨半導體基板等之洗淨劑組成物來除去。
用於剝離之光的波長，例如，理想為250～600nm之波長，更理想為250～370nm之波長。更合適的波長為308nm、343nm、355nm、365nm、或532nm。剝離所需之光的照射量，係可引起特定的光吸收性化合物之適當的變質（例如分解）之照射量。 用於剝離之光，可為雷射光，亦可為從紫外線燈等光源發出之非雷射光。
以下分別針對積層體具有半導體基板之情形、與積層體具有電子裝置層之情形詳細說明。 在下述＜第一實施態樣＞中說明積層體具有半導體基板之情形，在下述＜第二實施態樣＞中說明積層體具有電子裝置層之情形。
＜第一實施態樣＞ 具有半導體基板之積層體，係用於半導體基板之加工。對半導體基板施予加工期間，半導體基板係經由接著劑層而與支撐基板接著。半導體基板之加工後，在對剝離劑層照射光之後，半導體基板會從支撐基板分離。
＜＜半導體基板＞＞ 構成半導體基板整體之主要材質，只要係用於此種用途則無特別限定，可列舉例如矽、碳化矽、化合物半導體等。 半導體基板的形狀無特別限定，例如為圓盤狀。又，圓盤狀的半導體基板在其面的形狀不需要為完整的圓形，例如，半導體基板的外周可具有被稱為定向平面（orientation flat）之直線部，亦可具有被稱為缺口（notch）之切口。 圓盤狀的半導體基板之厚度，可視半導體基板的使用目的等而適宜決定，並無特別限定，例如為500～1,000μm。 圓盤狀的半導體基板之直徑，可視半導體基板的使用目的等而適宜決定，並無特別限定，例如為100～1,000mm。
半導體基板可具有凸塊。所謂凸塊係指突起狀的端子。 積層體中，半導體基板具有凸塊之情形時，半導體基板係在支撐基板側具有凸塊。 半導體基板中，凸塊通常係形成於形成有電路之面上。電路可為單層，亦可為多層。電路的形狀並無特別限制。 半導體基板中，與具有凸塊之面為相反側之面（背面）係施予加工之面。 半導體基板所具有之凸塊的材質、尺寸、形狀、結構、密度無特別限定。 凸塊可列舉例如：球凸塊、印刷凸塊、柱形凸塊（stud bump）、鍍凸塊等。 凸塊的高度、半徑及間距通常係從凸塊高度1～200μm左右、凸塊半徑1～200μm、凸塊間距1～500μm之條件中適宜決定。 凸塊的材質，可列舉例如：低熔點焊料、高熔點焊料、錫、銦、金、銀、銅等。凸塊可僅由單一成分構成，亦可由複數成分構成。更具體而言，可列舉：SnAg凸塊、SnBi凸塊、Sn凸塊、AuSn凸塊等以Sn為主體之合金鍍等。 此外，凸塊亦可具有積層結構，該積層結構包含由至少任一種此等成分所成的金屬層。
半導體基板之一例為直徑300mm、厚度770μm左右的矽晶圓。
＜＜支撐基板＞＞ 支撐基板，只要係對照射至接著劑層的光具透光性、且在對半導體基板進行加工時能夠支撐半導體基板之部件，則無特別限定，可列舉例如玻璃製支撐基板等。
支撐基板的形狀，無特別限定，可列舉例如圓盤狀。 圓盤狀的支撐基板之厚度，可視半導體基板的尺寸等而適宜決定，並無特別限定，例如為500～1,000μm。 圓盤狀的支撐基板之直徑，可視半導體基板的尺寸等而適宜決定，並無特別限定，例如為100～1,000mm。
支撐基板之一例為直徑300mm、厚度700μm左右的玻璃晶圓。
＜＜剝離劑層＞＞ 剝離劑層，係由剝離劑組成物所形成之層。 剝離劑層，係設於半導體基板與支撐基板之間。 剝離劑層，可與支撐基板相接，亦可與半導體基板相接。
剝離劑層，係使用上述之本發明之光照射剝離用之剝離劑組成物所形成。 本發明之剝離劑組成物，可適合用於為形成具有半導體基板、支撐基板、以及設於半導體基板與支撐基板之間之剝離劑層之積層體之剝離劑層。積層體，係用於在剝離劑層吸收從支撐基板側所照射之光後使半導體基板與支撐基板剝離。 由本發明之剝離劑組成物所獲得之剝離劑層之特徵之一，係於光照射後可輕易地將半導體基板與支撐基板剝離。
由剝離劑組成物形成剝離劑層時，只要可獲得本發明之效果，特定的光吸收性化合物，其本身可交聯或與其他成分進行反應而形成交聯結構，或者可在不交聯或進行反應之情況下維持其結構。 換言之，剝離劑層中，特定的光吸收性化合物，其本身可交聯或與其他成分進行反應而形成交聯結構，亦可維持其結構而存在。
剝離劑層的厚度無特別限定，通常為0.01～10μm；從保持膜強度之觀點而言，理想為0.05μm以上，更理想為0.1μm以上，更加理想為0.2μm以上；從避免起因於厚膜而導致不均一性之觀點而言，理想為8μm以下，更理想為5μm以下，更加理想為2μm以下，更進一步理想為1μm以下。 針對由剝離劑組成物形成剝離劑層之方法，在以下所記載之＜＜第一實施態樣之積層體之一例之製造方法＞＞之說明部分詳細描述。
＜＜接著劑層＞＞ 接著劑層，係設於支撐基板與半導體基板之間。 接著劑層，例如與半導體基板相接。接著劑層，例如亦可與支撐基板相接。 接著劑層，無特別限定，理想係由接著劑組成物所形成之層。
＜＜接著劑組成物＞＞ 接著劑組成物，可列舉例如：聚矽氧烷系接著劑、丙烯酸樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚苯乙烯系接著劑、聚醯亞胺接著劑、酚樹脂系接著劑等，但不限於此等。 此等之中，接著劑組成物理想為聚矽氧烷系接著劑，因其在對半導體基板等進行加工時會表現適當的接著能力，在加工後可適當地剝離，並且耐熱性亦優異，同時可藉由洗淨劑組成物來適當地除去。
理想態樣中，接著劑組成物係含有聚有機矽氧烷。 此外，另一理想態樣中，接著劑組成物係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分。
例如，本發明中使用之接著劑組成物係含有成為接著劑成分之硬化之成分（A）。本發明中使用之接著劑組成物亦可含有成為接著劑成分之硬化之成分（A）、及不會發生硬化反應之成分（B）。於此，不會發生硬化反應之成分（B）可列舉例如聚有機矽氧烷。又，本發明中「不會發生硬化反應」並非意指不會發生任何硬化反應，而係意指不會發生在硬化之成分（A）上發生之硬化反應。 理想態樣中，成分（A）可為藉由矽氫化反應而硬化之成分，亦可為藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A）。 另一理想態樣中，成分（A）係含有例如作為成分（A’）之一例之具有與矽原子鍵結之碳數2～40的烯基之聚有機矽氧烷（a1）、具有Si-H基之聚有機矽氧烷（a2）、及鉑族金屬系觸媒（A2）。於此，碳數2～40的烯基係可經取代。取代基可列舉例如：鹵素原子、硝基、氰基、胺基、羥基、羧基、芳基、雜芳基等。
另一理想態樣中，藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A’）係含有聚矽氧烷（A1）以及鉑族金屬系觸媒（A2），且聚矽氧烷（A1）含有選自由SiO 2表示之矽氧烷單元（Q單元）、由R 1R 2R 3SiO 1/2表示之矽氧烷單元（M單元）、由R 4R 5SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D單元）及由R 6SiO 3/2表示之矽氧烷單元（T單元）所成群中一種或兩種以上的單元；聚矽氧烷（A1）係含有聚有機矽氧烷（a1’）以及聚有機矽氧烷（a2’），且聚有機矽氧烷（a1’）含有選自由SiO 2表示之矽氧烷單元（Q’單元）、由R 1’R 2’R 3’SiO 1/2表示之矽氧烷單元（M’單元）、由R 4’R 5’SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D’單元）及由R 6’SiO 3/2表示之矽氧烷單元（T’單元）所成群中一種或兩種以上的單元並含有選自M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種，聚有機矽氧烷（a2’）含有選自由SiO 2表示之矽氧烷單元（Q”單元）、由R 1”R 2”R 3”SiO 1/2表示之矽氧烷單元（M”單元）、由R 4”R 5”SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D”單元）及由R 6”SiO 3/2表示之矽氧烷單元（T”單元）所成群中一種或兩種以上的單元並含有選自M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種。 又，（a1’）為（a1）之一例，（a2’）為（a2）之一例。
R 1～R 6為與矽原子鍵結之基團或原子，各自獨立表示可經取代之烷基、可經取代之烯基或氫原子。取代基可列舉例如：鹵素原子、硝基、氰基、胺基、羥基、羧基、芳基、雜芳基等。
R 1’～R 6’為與矽原子鍵結之基團，各自獨立表示可經取代之烷基或可經取代之烯基，但R 1’～R 6’中至少一個為可經取代之烯基。取代基可列舉例如：鹵素原子、硝基、氰基、胺基、羥基、羧基、芳基、雜芳基等。
R 1”～R 6”為與矽原子鍵結之基團或原子，各自獨立表示可經取代之烷基或氫原子，但R 1”～R 6”中至少一個為氫原子。取代基可列舉例如：鹵素原子、硝基、氰基、胺基、羥基、羧基、芳基、雜芳基等。
烷基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀中任一種，理想為直鏈狀或支鏈狀烷基，其碳數無特別限定，通常為1～40，理想為30以下，更理想為20以下，更加理想為10以下。
可經取代之直鏈狀或支鏈狀烷基的具體例，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1,1-二甲基-正丙基、1,2-二甲基-正丙基、2,2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1,1-二甲基-正丁基、1,2-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、2,2-二甲基-正丁基、2,3-二甲基-正丁基、3,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三甲基-正丙基、1,2,2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基、1-乙基-2-甲基-正丙基等，但不限於此等，其碳數通常為1～14，理想為1～10，更理想為1～6。其中，特別理想為甲基。
可經取代之環狀烷基的具體例，可列舉：環丙基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-二甲基-環丙基、1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-正丙基-環丙基、2-正丙基-環丙基、1-異丙基-環丙基、2-異丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-3-甲基-環丙基等環烷基；雙環丁基、雙環戊基、雙環己基、雙環庚基、雙環辛基、雙環壬基、雙環癸基等雙環烷基等，但不限於此等，其碳數通常為3～14，理想為4～10，更理想為5～6。
烯基可為直鏈狀、支鏈狀中任一種，其碳數無特別限定，通常為2～40，理想為30以下，更理想為20以下，更加理想為10以下。
可經取代之直鏈狀或支鏈狀烯基的具體例，可列舉：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基等，但不限於此等；其碳數通常為2～14，理想為2～10，更理想為1～6。其中，特別理想為乙烯基、2-丙烯基。 可經取代之環狀烯基的具體例可列舉環戊烯基、環己烯基等，但不限於此等；其碳數通常為4～14，理想為5～10，更理想為5～6。
如上述，聚矽氧烷（A1）係含有聚有機矽氧烷（a1’）及聚有機矽氧烷（a2’），但聚有機矽氧烷（a1’）中所含之烯基及聚有機矽氧烷（a2’）中所含之氫原子（Si-H基）係藉由鉑族金屬系觸媒（A2）所進行之矽氫化反應而形成交聯結構並硬化。其結果，會形成硬化膜。
聚有機矽氧烷（a1’）係含有選自Q’單元、M’單元、D’單元及T’單元所成群中一種或兩種以上的單元並含有選自M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種。聚有機矽氧烷（a1’）亦可組合使用兩種以上滿足如此條件之聚有機矽氧烷。
選自Q’單元、M’單元、D’單元及T’單元所成群中兩種以上的理想組合，可列舉：（Q’單元及M’單元）、（D’單元及M’單元）、（T’單元及M’單元）、（Q’單元、T’單元及M’單元），但不限於此等。
此外，當含有兩種以上的聚有機矽氧烷（a1’）中所包含之聚有機矽氧烷之情形時，理想為（Q’單元及M’單元）與（D’單元及M’單元）之組合、（T’單元及M’單元）與（D’單元及M’單元）之組合、（Q’單元、T’單元及M’單元）與（T’單元及M’單元）之組合，但不限於此等。
聚有機矽氧烷（a2’）係含有選自Q”單元、M”單元、D”單元及T”單元所成群中一種或兩種以上的單元並含有選自M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種。聚有機矽氧烷（a2’）亦可組合使用兩種以上滿足如此條件之聚有機矽氧烷。
選自Q”單元、M”單元、D”單元及T”單元所成群中兩種以上的理想組合，可列舉：（M”單元及D”單元）、（Q”單元及M”單元）、（Q”單元、T”單元及M”單元），但不限於此等。
聚有機矽氧烷（a1’）係由在其矽原子上鍵結有烷基及／或烯基之矽氧烷單元所構成，由R 1’～R 6’表示之所有取代基中烯基的比例，理想為0.1～50.0莫耳%，更理想為0.5～30.0莫耳%，其餘的R 1’～R 6’可為烷基。
聚有機矽氧烷（a2’）係由在其矽原子上鍵結有烷基及／或氫原子之矽氧烷單元所構成，由R 1”～R 6”表示之所有取代基及取代原子中氫原子的比例，理想為0.1～50.0莫耳%，更理想為10.0～40.0莫耳%，其餘的R 1”～R 6”可為烷基。
當成分（A）含有（a1）及（a2）之情形時，本發明之理想態樣中，聚有機矽氧烷（a1）中所含之烯基與聚有機矽氧烷（a2）中所含之構成Si-H鍵之氫原子的莫耳比係在1.0：0.5～1.0：0.66的範圍。
聚有機矽氧烷（a1）、聚有機矽氧烷（a2）等聚矽氧烷的重量平均分子量無特別限定，通常各為500～1,000,000，從再現性良好地實現本發明效果之觀點而言，理想係各為5,000～50,000。 又，本發明中，聚有機矽氧烷（上述有機矽氧烷聚合物除外）的重量平均分子量及數量平均分子量以及分散度，例如可如下進行測定：使用凝膠滲透層析（GPC）裝置（東曹股份有限公司製之EcoSEC，HLC-8320GPC）及GPC管柱（東曹股份有限公司之TSKgel SuperMultiporeHZ-N、TSKgel SuperMultiporeHZ-H），將管柱溫度設為40℃，使用四氫呋喃作為溶離液（溶出溶劑），流量（流速）設為0.35mL/min，使用聚苯乙烯（昭和電工股份有限公司製，Shodex）作為標準樣品。
聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的黏度，無特別限定，通常各為10～1000000（mPa･s），從再現性良好地實現本發明效果之觀點而言，理想係各為50～10000（mPa･s）。又，聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的黏度係在25℃下用E型旋轉黏度計所測定之值。
聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）係藉由矽氫化反應而相互反應後形成膜。因此，其硬化機制與例如經由矽醇基之機制不同，因而任一矽氧烷皆無需含有矽醇基、或如烷氧基之藉由水解來形成矽醇基之官能基。
本發明之理想態樣中，接著劑組成物係同時含有聚有機矽氧烷成分（A’）及鉑族金屬系觸媒（A2）。 如此鉑系金屬觸媒，係用以促進聚有機矽氧烷（a1）的烯基與聚有機矽氧烷（a2）的Si-H基之矽氫化反應的觸媒。
鉑系金屬觸媒的具體例，可列舉：鉑黑、四氯化鉑、氯鉑酸、氯鉑酸與一元醇的反應物、氯鉑酸與烯烴類的錯合物、雙乙醯乙酸鉑等鉑系觸媒，但不限於此等。 鉑與烯烴類的錯合物可列舉例如二乙烯基四甲基二矽氧烷與鉑的錯合物，但不限於此。 鉑族金屬系觸媒（A2）的量無特別限定，相對於聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的合計量，通常係在1.0～50.0ppm的範圍。
聚有機矽氧烷成分（A’）亦可基於抑制矽氫化反應進行之目的而含有聚合抑制劑（A3）。 聚合抑制劑只要能抑制矽氫化反應進行，則無特別限定，其具體例可列舉1-乙炔基-1-環己醇、1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇等炔基醇等。 聚合抑制劑的量無特別限定，相對於聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的合計量，從獲得其效果之觀點而言，通常為1000.0ppm以上；從防止過度抑制矽氫化反應之觀點而言，通常為10000.0ppm以下。
本發明中使用之接著劑組成物之一例，係可同時含有硬化之成分（A）以及成為剝離劑成分之不會發生硬化反應之成分（B）。藉由接著劑組成物中含有如此成分（B），使得所獲得之接著劑層可再現性良好且適當地剝離。 典型而言，如此成分（B）可列舉非硬化性的聚有機矽氧烷，其具體例可列舉：含環氧基之聚有機矽氧烷、含甲基之聚有機矽氧烷、含苯基之聚有機矽氧烷等，但不限於此等。 此外，成分（B）可列舉聚二甲基矽氧烷。該聚二甲基矽氧烷亦可經改性。可經改性之聚二甲基矽氧烷可列舉例如：含環氧基之聚二甲基矽氧烷、未改性之聚二甲基矽氧烷、含苯基之聚二甲基矽氧烷等，但不限於此等。
作為成分（B）之聚有機矽氧烷的理想例，可列舉：含環氧基之聚有機矽氧烷、含甲基之聚有機矽氧烷、含苯基之聚有機矽氧烷等，但不限於此等。
作為成分（B）之聚有機矽氧烷的重量平均分子量無特別限定，通常為100,000～2,000,000，從再現性良好地實現本發明之效果之觀點而言，理想為200,000～1,200,000，更理想為300,000～900,000。此外，其分散度無特別限定，通常為1.0～10.0，從再現性良好地實現適當的剝離之觀點等而言，理想為1.5～5.0，更理想為2.0～3.0。又，重量平均分子量及分散度可利用與聚有機矽氧烷相關之上述方法進行測定。 作為成分（B）之聚有機矽氧烷的黏度無特別限定，通常為1,000～2,000,000mm 2/s。又，作為成分（B）之聚有機矽氧烷之黏度的值，係以動黏度表示，為厘司（cSt）=mm 2/s。亦能將黏度（mPa･s）除以密度（g/cm 3）而求得。亦即，該值可由在25℃下測定之以E型旋轉黏度計所測定之黏度及密度求得，可由算式：動黏度（mm 2/s）=黏度（mPa･s）／密度（g/cm 3）算出。
含環氧基之聚有機矽氧烷，可列舉例如含有由R 11R 12SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 10單元）者。
R 11係與矽原子鍵結之基團，表示烷基；R 12係與矽原子鍵結之基團，表示環氧基或含有環氧基之有機基；烷基的具體例，可列舉上述例示。 含有環氧基之有機基中之環氧基，可不與其他環縮合而為獨立之環氧基，亦可如1,2-環氧環己基，為與其他環形成縮合環之環氧基。 含有環氧基之有機基之具體例，可列舉：3-環氧丙氧基丙基（3-glycidoxypropyl）、2-(3,4-環氧環己基)乙基，但不限於此等。 本發明中，含環氧基之聚有機矽氧烷之一理想例，可列舉含環氧基之聚二甲基矽氧烷，但不限於此。
含環氧基之聚有機矽氧烷，係含有上述之矽氧烷單元（D 10單元），惟除了D 10單元以外，亦可含有Q單元、M單元及／或T單元。 本發明之理想態樣中，含環氧基之聚有機矽氧烷的具體例，可列舉：僅由D 10單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 10單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷等。
含環氧基之聚有機矽氧烷，理想係環氧值為0.1～5之含環氧基之聚二甲基矽氧烷。此外，其重量平均分子量無特別限定，通常為1,500～500,000；從抑制組成物中之析出之觀點而言，理想為100,000以下。
含環氧基之聚有機矽氧烷的具體例，可列舉由式（E1）～（E3）表示者，但不限於此等。
〔化9〕 （m1及n1係表示各重複單元之數量，為正整數。）
〔化10〕 （m 2及n 2係表示各重複單元之數量，為正整數；R係碳數1～10之伸烷基。）
〔化11〕 （m 3、n 3及o 3係表示各重複單元之數量，為正整數；R係碳數1～10之伸烷基。）
含甲基之聚有機矽氧烷，可列舉例如：含有由R 210R 220SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 200單元）者、理想為含有由R 21R 21SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 20單元）者。
R 210及R 220係與矽原子鍵結之基團，各自獨立表示烷基，惟至少一者係甲基；烷基的具體例，可列舉上述例示。 R 21係與矽原子鍵結之基團，表示烷基；烷基的具體例，可列舉上述例示。其中，R 21理想為甲基。 本發明中，含甲基之聚有機矽氧烷之一理想例，可列舉聚二甲基矽氧烷，但不限於此。
含甲基之聚有機矽氧烷，係含有上述之矽氧烷單元（D 200單元或D 20單元），惟除了D 200單元及D 20單元以外，亦可含有Q單元、M單元及／或T單元。
本發明之某一態樣中，含甲基之聚有機矽氧烷的具體例，可列舉：僅由D 200單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 200單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。
本發明之理想態樣中，含甲基之聚有機矽氧烷的具體例，可列舉：僅由D 20單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 20單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。
含甲基之聚有機矽氧烷的具體例，可列舉由式（M1）表示者，但不限於此。
〔化12〕 （n 4係表示重複單元之數量，為正整數。）
含苯基之聚有機矽氧烷，可列舉例如含有由R 31R 32SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 30單元）者。
R 31係與矽原子鍵結之基團，表示苯基或烷基；R 32係與矽原子鍵結之基團，表示苯基；烷基的具體例，可列舉上述例示，惟理想為甲基。
含苯基之聚有機矽氧烷，係含有上述之矽氧烷單元（D 30單元），惟除了D 30單元以外，亦可含有Q單元、M單元及／或T單元。
本發明之理想態樣中，含苯基之聚有機矽氧烷的具體例，可列舉：僅由D 30單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 30單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。
含苯基之聚有機矽氧烷的具體例，可列舉由式（P1）或（P2）表示者，但不限於此等。
〔化13〕 （m 5及n 5係表示各重複單元之數量，為正整數。）
〔化14〕 （m 6及n 6係表示各重複單元之數量，為正整數。）
作為剝離劑成分（B）之聚有機矽氧烷，可為市售品亦可為合成者。 聚有機矽氧烷的市售品，可列舉例如：瓦克化學公司製之產品之WACKERSILICONE FLUID AK系列（AK50、AK 350、AK 1000、AK 10000、AK 1000000）及GENIOPLAST GUM；信越化學工業股份有限公司製之二甲基矽油（KF-96L、KF-96A、KF-96、KF-96H、KF-69、KF-965、KF-968）、環狀二甲基矽油（KF-995）；Gelest公司製之含環氧基之聚有機矽氧烷（商品名CMS-227、ECMS-327）；信越化學工業股份有限公司製之含環氧基之聚有機矽氧烷（KF-101、KF-1001、KF-1005、X-22-343）；道康寧公司製之含環氧基之聚有機矽氧烷（BY16-839）；Gelest公司製之含苯基之聚有機矽氧烷（PMM-1043、PMM-1025、PDM-0421、PDM-0821）；信越化學工業股份有限公司製之含苯基之聚有機矽氧烷（KF50-3000CS）；邁圖（MOMENTIVE）公司製之含苯基之聚有機矽氧烷（TSF431、TSF433）等，但不限於此等。
某一態樣中，本發明中使用之接著劑組成物，係同時含有硬化之成分（A）以及不會發生硬化反應之成分（B）；另一態樣中，成分（B）係含有聚有機矽氧烷。
本發明中使用之接著劑組成物之一例，係能以任意比率含有成分（A）與成分（B），惟若考慮到接著性與剝離性的平衡，成分（A）與成分（B）的比率以質量比〔（A）：（B）〕計，理想為99.995：0.005～30：70，更理想為99.9：0.1～75：25。 亦即，當含有藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A’）之情形時，成分（A’）與成分（B）的比率以質量比〔（A’）：（B）〕計，理想為99.995：0.005～30：70，更理想為99.9：0.1～75：25。
本發明中使用之接著劑組成物的黏度無特別限定，在25℃下，通常為500～20,000mPa･s，理想為1,000～1,0000mPa･s。
本發明中使用之接著劑組成物之一例，係可藉由混合成分（A）、如有使用時再混合成分（B）以及溶劑來製造。 其混合順序無特別限定，作為可容易且再現性良好地製造接著劑組成物之方法之一例，可列舉例如：使成分（A）與成分（B）溶解於溶劑中之方法；使成分（A）與成分（B）的一部分溶解於溶劑中，使剩餘部分溶解於溶劑中，再將所獲得之溶液混合之方法，但不限於此等。又，在調製接著劑組成物時，亦可在成分不會分解或變質之範圍內適宜加熱。 本發明中，基於除去異物之目的，亦可在製造接著劑組成物之過程中或在混合所有成分後，使用過濾器等過濾所使用之溶劑及溶液等。
本發明之積層體所具備之接著層的厚度無特別限定，通常為5～500μm；從保持膜強度之觀點而言，理想為10μm以上，更理想為20μm以上，更加理想為30μm以上；從避免起因於厚膜而導致不均一性之觀點而言，理想為200μm以下，更理想為150μm以下，更加理想為120μm以下，更進一步理想為70μm以下。
針對由接著劑組成物形成接著劑層之方法，在以下所記載之＜＜第一實施態樣之積層體之一例之製造方法＞＞之說明部分詳細描述。
以下，利用圖式說明第一實施態樣之積層體之構成之一例。 圖1係表示第一實施態樣之積層體之一例的概略斷面圖。 圖1之積層體，係依序具有半導體基板1、接著劑層2、剝離劑層3及支撐基板4。 接著劑層2及剝離劑層3係設於半導體基板1與支撐基板4之間。接著劑層2係與半導體基板1相接。剝離劑層3係與接著劑層2及支撐基板4相接。 此外，第一實施態樣之積層體之構成之另一例示於圖2。 本發明之剝離劑層，於係具有兼具剝離功能及接著功能之接著性能之剝離劑層之情形時，積層體並非形成為剝離劑層與接著劑層之兩層構成，而是可形成為具有接著性能之剝離劑層之一層構成。 圖2係表示積層體之另一例的概略斷面圖。 圖2之積層體，係依序具有半導體基板1、具有接著性能之剝離劑層5、及支撐基板4。 剝離劑層5係設於半導體基板1與支撐基板4之間。剝離劑層5，可藉由將形成剝離劑之剝離劑組成物之構成成分與形成接著劑層之接著劑組成物之構成成分混合來製作。
＜＜第一實施態樣之積層體之一例之製造方法＞＞ 以第一實施態樣之積層體中由圖1所示之積層體為例，以下對積層體之製造方法進行說明。 本發明之積層體，例如可藉由包含以下步驟之方法來製造：第1步驟，將接著劑組成物塗布於半導體基板的表面上，如有需要再對其加熱而形成接著劑塗布層；第2步驟，將剝離劑組成物塗布於支撐基板的表面上，如有需要再對其加熱而形成剝離劑塗布層；以及第3步驟，對半導體基板之接著劑塗布層、及支撐基板之剝離劑塗布層實施加熱處理及減壓處理中至少一種處理，同時施加半導體基板及支撐基板的厚度方向的荷重而使其密著，其後，實施後加熱處理，藉此形成積層體。
又，圖1中，由於積層體係依序積層有半導體基板1、接著劑層2、剝離劑層3及支撐基板4，而已舉例上述製造方法，惟於製造依序積層有半導體基板1、剝離劑層3、接著劑層2及支撐基板4之積層體之情形時，可藉由包含以下步驟之方法來製造：第1步驟，將剝離劑組成物塗布於半導體基板的表面上，如有需要再對其加熱而形成剝離劑塗布層；第2步驟，將接著劑組成物塗布於支撐基板的表面上，如有需要再對其加熱而形成接著劑塗布層；以及第3步驟，對半導體基板之剝離劑塗布層、及支撐基板之接著劑塗布層實施加熱處理及減壓處理中至少一種處理，同時施加半導體基板及支撐基板的厚度方向的荷重而使其密著，其後，實施後加熱處理，藉此形成積層體。 又，只要不會損及本發明之效果，亦可對任一基板各別依序進行各組成物之塗布及加熱。
塗布方法無特別限定，通常為旋轉塗布法。又，可採用另以旋轉塗布法等形成塗布膜，再貼附片材狀的塗布膜作為接著劑塗布層之方法。
已塗布之接著劑組成物的加熱溫度，係視接著劑組成物所含之接著劑成分的種類及量、含有溶劑與否、所使用之溶劑的沸點、所期望之接著層的厚度等而異，故無法一概規定，但通常為80～150℃；其加熱時間通常為30秒～5分鐘。 當接著劑組成物含有溶劑之情形時，通常係對已塗布之接著劑組成物進行加熱。
已塗布之剝離劑組成物的加熱溫度，係視剝離劑組成物所含之剝離劑成分的種類及量、所期望之剝離劑層的厚度等而異，故無法一概規定，惟從再現性良好地實現理想的剝離劑層之觀點而言，係在80℃以上300℃以下；其加熱時間係視加熱溫度而通常在10秒～10分鐘的範圍內適宜決定。加熱溫度理想係在100℃以上280℃以下，更理想係在150℃以上250℃以下。加熱時間理想為30秒以上8分鐘以下，更理想為1分鐘以上5分鐘以下。
加熱可使用加熱板、烘箱等進行。
塗布接著劑組成物且如有需要再對其加熱而獲得之接著劑塗布層的膜厚，通常為5～500μm左右，適宜決定以於最終成為上述接著劑層的厚度範圍。
塗布剝離劑組成物且如有需要再對其加熱而獲得之剝離劑塗布層的膜厚，通常為5nm～100μm左右，適宜決定以於最終成為上述剝離劑層的厚度範圍。
本發明中，將如此塗布層彼此相接貼合，再實施加熱處理或減壓處理又或者實施此兩種處理，同時施加半導體基板及支撐基板的厚度方向的荷重而使兩個層密著，其後，實施後加熱處理，藉此可獲得本發明之積層體。又，要採用加熱處理、減壓處理、兩處理並用中哪一種處理條件，係考慮接著劑組成物的種類、剝離劑組成物的具體組成、由兩組成物所獲得之膜的相容性、膜厚、所需之接著強度等各種情事後再適宜決定。
從將溶劑從組成物中除去之觀點、使接著劑塗布層軟化以實現其與剝離劑塗布層適當地貼合之觀點等而言，加熱處理通常從20～150℃的範圍內適宜決定。尤其，從抑制或避免接著劑成分（A）過度硬化或不必要的變質之觀點而言，理想為130℃以下，更理想為90℃以下；其加熱時間雖係視加熱溫度及接著劑的種類而適宜決定，惟從確實地表現適當的接著之觀點而言，通常為30秒以上，理想為1分鐘以上，而從抑制接著劑層及其他部件變質之觀點而言，通常為10分鐘以下，理想為5分鐘以下。
減壓處理，可使彼此相接之接著劑塗布層及剝離劑塗布層暴露在10～10,000Pa的氣壓下。減壓處理的時間通常為1～30分鐘。
從再現性良好地獲得基板可良好地分離之積層體之觀點而言，理想係藉由減壓處理來使彼此相接之兩個層貼合，更理想係藉由並用加熱處理及減壓處理來使彼此相接之兩個層貼合。
半導體基板及支撐基板的厚度方向的荷重，只要不會對半導體基板及支撐基板以及其等間的兩個層帶來負面影響、且為可使此等確實地密著之荷重，則無特別限定，通常在10～1000N的範圍內。
後加熱的溫度，從實現充分的硬化速度之觀點等而言，理想為120℃以上；從防止基板及各層發生變質之觀點等而言，理想為260℃以下。 後加熱的時間，從實現構成積層體之基板及層的適當接合之觀點而言，通常為1分鐘以上，理想為5分鐘以上；從抑制或避免因過度加熱而對各層帶來負面影響等觀點而言，通常為180分鐘以下，理想為120分鐘以下。 加熱可使用加熱板、烘箱等進行。使用加熱板進行後加熱之情形時，可使積層體之半導體基板及支撐基板中任一基板朝下進行加熱，惟從再現性良好地實現適當的剝離之觀點而言，理想係使半導體基板朝下進行後加熱。 又，後加熱處理之一目的在於實現作為更理想的自立膜之接著劑層及剝離劑層，尤其在於適當地實現藉由矽氫化反應所帶來之硬化。
＜第二實施態樣＞ 具有電子裝置層之積層體，係用於電子裝置層之加工。對電子裝置層施予加工期間，電子裝置層係經由接著劑層而與支撐基板接著。電子裝置層之加工後，在對剝離劑層照射光之後，電子裝置層會從支撐基板分離。
＜電子裝置層＞ 電子裝置層係指具有電子元件之層，本發明中係指將複數個半導體晶片基板埋入密封樹脂之層，亦即係指由複數個半導體晶片基板與配置於該半導體晶片基板間之密封樹脂所成之層。 於此，「電子元件」係意指構成電子零件之至少一部分之部件。電子元件無特別限制，可係於半導體基板的表面上形成有各種機械構造或電路者。電子元件，理想係金屬或半導體所構成之部件、及將該部件密封或絕緣之樹脂之複合體。電子元件可以係後述之再配線層、及／或半導體元件或其他元件藉由密封材料或絕緣材料進行密封或絕緣者，可具有單層或複數層之結構。
＜＜支撐基板＞＞ 支撐基板，可例示與在上述＜第一實施態樣＞之上述＜＜支撐基板＞＞一欄中所說明相同者。
＜＜剝離劑層＞＞ 剝離劑層，係使用上述之本發明之光照射剝離用之接著劑組成物所形成。 剝離劑層之詳細說明，係如上述＜第一實施態樣＞之上述＜＜剝離劑層＞＞一欄中之說明。
＜＜接著劑層＞＞ 接著劑層，係使用上述之接著劑組成物所形成。 接著劑層之詳細說明，係如上述＜第一實施態樣＞之上述＜＜接著劑層＞＞一欄中之說明。
以下，利用圖式說明第二實施態樣之積層體之構成之一例。 圖3係表示第二實施態樣之積層體之一例的概略斷面圖。 圖3之積層體，係依序具有支撐基板24、剝離劑層23、接著劑層22及電子裝置層26。 電子裝置層26係具有複數個半導體晶片基板21、作為配置於該半導體晶片基板21間之密封材料之密封樹脂25。 接著劑層22及剝離劑層23係設於電子裝置層26與支撐基板24之間。接著劑層22係與電子裝置層26相接。剝離劑層23係與接著劑層22及支撐基板24相接。 此外，第二實施態樣之積層體之構成之另一例示於圖4。 本發明之剝離劑層，於係具有兼具剝離功能及接著功能之接著性能之剝離劑層之情形時，積層體並非形成為剝離劑層與接著劑層之兩層構成，而是可形成為具有接著性能之剝離劑層之一層構成。 圖4係表示積層體之另一例的概略斷面圖。 圖4之積層體，係依序具有支撐基板24、具有接著性能之剝離劑層27、及電子裝置層26。 具有接著性能之剝離劑層27係設於支撐基板24與電子裝置層26之間。具有接著性能之剝離劑層27係可藉由將形成剝離劑之剝離劑組成物之構成成分與形成接著劑層之接著劑組成物之構成成分混合來製作。
＜＜第二實施態樣之積層體之一例之製造方法＞＞ 以第二實施態樣之積層體中由圖3所示之積層體為例，以下對積層體之製造方法進行說明。 本發明之積層體，例如可藉由包含以下步驟之方法來製造：第1步驟，將剝離劑組成物塗布於上述支撐基板的表面而形成剝離劑塗布層（視需要進一步進行加熱形成剝離劑層）；第2步驟，將接著劑組成物塗布於上述剝離劑塗布層或剝離劑層的表面而形成接著劑塗布層（視需要進一步進行加熱而形成接著劑層）；第3步驟，將半導體晶片基板載置於接著劑塗布層或接著劑層上，實施加熱處理及減壓處理中至少一種處理，同時將半導體晶片基板貼合於接著劑塗布層或接著劑層；第4步驟，藉由對接著劑塗布層進行後加熱處理使其硬化而形成接著劑層；以及第5步驟，使用密封樹脂對固定於接著劑層上之半導體晶片基板進行密封。 若要對第3步驟更詳細說明，可列舉例如下述（i）實施態樣之步驟。 （i）將半導體晶片基板載置於接著劑塗布層或接著劑層上，實施加熱處理及減壓處理中至少一種處理，同時施加半導體晶片基板及支撐基板的厚度方向的荷重而使其密著，使得半導體晶片基板貼合於接著劑塗布層或接著劑層。
又，第4步驟中規定之對接著劑塗布層進行後加熱處理使其硬化而形成接著劑層之步驟，可於第3步驟之將半導體晶片基板貼合於接著劑塗布層後進行，或者亦可與第3步驟並行。例如，將半導體晶片基板載置於接著劑塗布層上，並施加半導體晶片基板及支撐基板的厚度方向之荷重，同時對接著劑塗布層進行加熱使其硬化，藉此可一同進行半導體晶片基板與接著劑塗布層之密著以及從接著劑塗布層向接著劑層之硬化，使得接著劑層與半導體晶片基板貼合。 此外，第4步驟中規定之對接著劑塗布層進行後加熱處理使其硬化而形成接著劑層之步驟，可在第3步驟之前進行，亦可在將半導體晶片基板載置於接著劑層上，並施加半導體晶片基板及支撐基板的厚度方向之荷重，同時將接著劑層與半導體晶片基板貼合。
塗布方法、已塗布之剝離劑組成物或接著劑組成物之加熱溫度、加熱手段等，係如上述＜第一實施態樣＞之上述＜＜第一實施態樣之積層體之一例之製造方法＞＞所記載者。
以下，將利用圖式針對第二實施態樣之積層體之製造方法進一步詳細說明其過程。 如圖5所示，於支撐基板24上形成由剝離劑組成物所成之剝離劑塗布層23’。此時，亦可對剝離劑塗布層23’進行加熱而形成剝離劑層23。 接著，如圖6所示，於剝離劑塗布層23’或剝離劑層23上形成由接著劑組成物所成之接著劑塗布層22’。此時，亦可對接著劑塗布層22’進行加熱而形成接著劑層22。 接著，如圖7所示，將半導體晶片基板21載置於接著劑層22或接著劑塗布層22’上，實施加熱處理及減壓處理中至少一種處理，同時施加半導體晶片基板21及支撐基板24的厚度方向的荷重而使其密著，將半導體晶片基板21貼合於接著劑層22或接著劑塗布層22’。當半導體晶片基板21貼合於接著劑塗布層22’之情形時，藉由對接著劑塗布層22’進行後加熱處理使其硬化形成接著劑層22，並將半導體晶片基板21固定於接著劑層22。 又，對接著劑塗布層22’進行後加熱處理時，亦可同時對剝離劑塗布層23’進行後加熱處理，以形成剝離劑層23。 接著，如圖8所示，使用密封樹脂25將固定於接著劑層22上之半導體晶片基板21進行密封。圖8中，經由接著劑層22而被暫時接著於支撐基板24上之複數個半導體晶片基板21係藉由密封樹脂25密封。於接著劑層22上形成具有半導體晶片基板21及配置於半導體晶片基板21間之密封樹脂25之電子裝置層26，如此一來，電子裝置層26係形成為將複數個半導體晶片基板埋入密封樹脂之基材層。
＜＜＜密封步驟＞＞＞ 使用密封材料將半導體晶片基板21密封。 用以密封半導體晶片基板21之密封材料，係使用能夠將由金屬或半導體所構成之部件絕緣或密封之部件。 本發明中，密封材料例如係使用樹脂組成物。密封樹脂的種類，只要係能夠將金屬或半導體密封及／或絕緣之樹脂，則無特別限定，理想係例如使用環氧系樹脂或矽酮系樹脂等。 密封材料，除樹脂成分以外，亦可含有填料等其他成分。填料，可列舉例如球狀二氧化矽粒子等。 密封步驟中，例如將加熱至130～170℃之密封樹脂維持高黏度狀態並以覆蓋半導體晶片基板21之方式供給至接著劑層22上，進行壓縮成型，藉此於接著劑層22上形成由密封樹脂25所成之層。此時，溫度條件，例如係130～170℃。此外，施加於半導體晶片基板21之壓力，例如係50～500N/cm 2。
（加工後之半導體基板或電子裝置層之製造方法） 若使用本發明之積層體，可提供加工後之半導體基板之製造方法，或者加工後之電子裝置層之製造方法。 「加工後之半導體基板之製造方法」，係使用於上述（積層體）之上述＜第一實施態樣＞一欄中所記載之積層體。此外「加工後之電子裝置層之製造方法」，係使用於上述（積層體）之上述＜第二實施態樣＞一欄中所記載之積層體。 在下述＜第三實施態樣＞中說明「加工後之半導體基板之製造方法」，在下述＜第四實施態樣＞中說明「加工後之電子裝置層之製造方法」。
＜第三實施態樣＞ 本發明之加工後之半導體基板之製造方法，係包含下述第5A步驟、及下述第6A步驟。 於此，第5A步驟，係對上述＜第一實施態樣＞一欄中所記載之積層體之半導體基板進行加工之步驟。 此外，第6A步驟，係將經第5A步驟加工後之半導體基板與支撐基板分離之步驟。
第5A步驟中施於半導體基板之加工，係指例如對晶圓中電路面之相反側進行之加工，可列舉藉由研磨晶圓背面之晶圓薄化。其後，例如進行矽穿孔電極（TSV）等之形成，然後從支撐基板將薄化晶圓剝離而形成晶圓之積層體，進而實行三維安裝。此外，例如於其前後亦進行晶圓背面電極等之形成。於晶圓薄化及TSV製程中，係在接著於支撐基板之狀態下負荷250～350℃左右之熱。本發明之積層體，通常連接著劑層都具備對該負荷之耐熱性。 又，加工不限於上述，例如亦包含：在為了支撐用以安裝半導體零件之基材而與支撐基板暫時接著之情形下實施半導體零件之安裝製程等。
第6A步驟中，將半導體基板與支撐基板分離（剝離）之方法，可列舉：對剝離劑層照射光後，以具有銳部之機材進行之機械剝離、於支撐體與半導體晶圓之間進行撕揭之剝離等，但不限於此等。 藉由從支撐基板側對剝離劑層照射光，如上所述，使剝離劑層產生變質（例如：剝離劑層之分離或分解），其後，例如拉起任一基板，即可輕易地將半導體基板與支撐基板分離。
對剝離劑層照射光，不一定要對剝離劑層的所有區域進行。即使光有照射到之區域與未照射到之區域混合存在，只要剝離劑層整體的剝離能力有充分提升，便可例如藉由將支撐基板拉起等微小外力來將半導體基板與支撐基板分離。照射光之區域與不照射光之區域之比率及位置關係，係因所使用之接著劑種類及其具體組成、接著劑層的厚度、剝離劑層的厚度、所照射之光強度等而異，惟所屬技術領域中具有通常知識者無需過度試驗即可設定適宜條件。基於如此情事，根據本發明之加工後之半導體基板之製造方法，例如，在所使用之積層體之支撐基板具透光性之情形時，藉由從支撐基板側照射光來進行剝離時能夠縮短光照射時間，其結果，不僅可期待產量提高，亦可避免剝離所致之物理應力等，僅藉由照射光即可輕易且有效率地將半導體基板與支撐基板分離。 用以剝離之光的照射量，通常為50～3,000mJ/cm 2。照射時間，係視波長及照射量而適宜決定。
用於剝離之光的波長，如上所述，例如理想為250～600nm之波長，更理想為250～370nm之波長。更合適的波長為308nm、343nm、355nm、365nm、或532nm。剝離所需之光的照射量，係可引起特定的光吸收性化合物之適當的變質（例如分解）之照射量。 用於剝離之光，可為雷射光，亦可為從紫外線燈等光源發出之非雷射光。
可對已分離之半導體基板及支撐基板中至少任一者的表面噴塗洗淨劑組成物，或是將已分離之半導體基板或支撐基板浸漬於洗淨劑組成物中來洗淨基板。 此外，亦可使用除去膠帶來洗淨加工後之半導體基板等之表面。
本發明之加工後之半導體基板之製造方法中與上述步驟相關之構成要素及方法要素，只要在不脫離本發明要旨之範圍內亦可進行各種變更。 本發明之加工後之半導體基板之製造方法，亦可包含上述步驟以外之步驟。
於本發明之積層體之半導體基板或支撐基板具有透光性之情形時，本發明之剝離方法，係藉由從半導體基板側或支撐基板側對剝離劑層照射光，將積層體之半導體基板與支撐基板分離。 本發明之積層體中，藉由接著劑層及剝離劑層來使半導體基板與支撐基板以能夠適當地剝離之方式暫時接著，因此，例如在支撐基板具有透光性之情形時，可藉由從積層體之支撐基板側對剝離劑層照射光而輕易地將半導體基板與支撐基板分離。通常，剝離係在對積層體之半導體基板進行加工後實施。
＜第四實施態樣＞ 本發明之加工後之電子裝置層之製造方法，係包含下述第5B步驟、及下述第6B步驟。 於此，第5B步驟，係對上述＜第二實施態樣＞一欄中所記載之積層體之電子裝置層進行加工之步驟。 此外，第6B步驟，係將經第5B步驟加工後之電子裝置層與支撐基板分離之步驟。
第5B步驟中施於電子裝置層之加工，係可列舉例如研削步驟或配線層形成步驟等。
＜＜研削步驟＞＞ 研削步驟，係於上述密封步驟之後，對電子裝置層26中密封樹脂25之層的樹脂部分進行研削以使半導體晶片基板21的一部分露出之步驟。 對密封樹脂部分的研削，如圖9中所示，例如係藉由將密封樹脂25之層削薄至與半導體晶片基板21約略相同厚度來進行。
＜＜配線層形成步驟＞＞ 配線層形成步驟，係於上述研削步驟之後，於已露出之半導體晶片基板21上形成配線層之步驟。 圖10中，於由半導體晶片基板21及密封樹脂25之層所成之電子裝置層26上形成有配線層28。 配線層28，亦可稱為RDL（Redistribution Layer：再配線層），係構成連接至基板之配線之薄膜的配線體，並可具有單層或複數層之結構。配線層，可以係於介電質（氧化矽（SiO X）、感光性環氧樹脂等之感光性樹脂等）之間藉由導電體（如鋁、銅、鈦、鎳、金及銀等金屬以及銀-錫合金等合金）形成配線者，但不限於此。 形成配線層28之方法，可列舉例如以下之方法。 首先，於密封樹脂25之層上形成氧化矽（SiO X）、感光性樹脂等之介電質層。由氧化矽所成之介電質層，可藉由例如濺鍍法、真空蒸鍍法等來形成。由感光性樹脂所成之介電質層，可藉由例如旋轉塗布、浸漬、輥式刮刀、噴灑塗布、狹縫塗布等方法，於密封樹脂25之層上塗布感光性樹脂來形成。 接著，藉由金屬等之導電體於介電質層形成配線。形成配線之方法，可例如使用光刻（光阻劑微影）等之微影處理、蝕刻處理等習知的半導體製程手法。如此微影處理，可列舉例如使用正型光阻材料之微影處理、使用負型光阻材料之微影處理。 第四實施型態之積層體之製造方法中，可進一步於配線層28上進行凸塊之形成、或元件之安裝。對配線層28上安裝元件，可使用例如晶片貼片機等來進行。 第四實施型態之積層體，亦可為在基於將設於半導體晶片基板之端子安裝在延伸至晶片區域外之配線層上之扇出型技術之製程中所製作之積層體。
第6B步驟中，將電子裝置層與支撐基板分離（剝離）之方法，可列舉：對剝離劑層照射光後，以具有銳部之機材進行之機械剝離、於支撐體與電子裝置層之間進行撕揭之剝離等，但不限於此等。 藉由從支撐基板側對剝離劑層照射光，如上所述，使剝離劑層產生變質（例如：剝離劑層之分離或分解），其後，例如拉起任一基板，即可輕易地將電子裝置層與支撐基板分離。
圖11～圖12係用以說明積層體之分離方法的概略斷面圖。圖13係用以說明積層體分離後之洗淨方法的概略斷面圖。根據圖11～圖13可說明半導體封裝（電子零件）之製造方法之一實施態樣。 將積層體分離之步驟，如圖11中所示，係經由支撐基板24對剝離劑層23照射光（箭頭）使剝離劑層23變質，藉此將電子裝置層26與支撐基板24分離之步驟。 對剝離劑層23照射光（箭頭）使剝離劑層23變質後，如圖12中所示，從電子裝置層26將支撐基板24分離。 關於對接著劑層之光照射之照射條件及照射方法等，係如上述＜第三實施態樣＞一欄中所說明。
可對已分離之電子裝置層及支撐基板中至少任一者的表面噴塗洗淨劑組成物，或是將已分離之電子裝置層或支撐基板浸漬於洗淨劑組成物中來洗淨基板。 此外，亦可使用除去膠帶來洗淨加工後之電子裝置層等之表面。 例如，圖12中，分離步驟之後，接著劑層22或剝離劑層23附著於電子裝置層26上，可使用酸或鹼等洗淨劑組成物將接著劑層22或剝離劑層23分解，藉此除去接著劑層22或剝離劑層23。藉由除去剝離劑層及接著劑層，可適當地獲得如圖13所示之加工後之電子裝置層（電子零件）。
本發明之加工後之電子裝置層之製造方法中與上述步驟相關之構成要素及方法要素，只要在不脫離本發明要旨之範圍內亦可進行各種變更。 本發明之加工後之電子裝置層之製造方法，亦可包含上述步驟以外之步驟。
本發明之積層體中，藉由接著劑層來使電子裝置層與支撐基板以能夠適當地剝離之方式暫時接著，因此，例如在支撐基板具有透光性之情形時，可藉由從積層體之支撐基板側對剝離劑層照射光而輕易地將電子裝置層與支撐基板分離。通常，剝離係在對積層體之電子裝置層進行加工後實施。 ［實施例］
以下，列舉實施例更具體地說明本發明，惟本發明並不限於下述實施例。又，所使用之裝置如下。
［裝置］ （1）攪拌機：新基股份有限公司製之自轉公轉攪拌機ARE-500 （2）黏度計：東機產業股份有限公司製之旋轉黏度計TVE-22H （3）透射率測定裝置：島津製作所股份有限公司製之UV3600Plus （4）真空貼合裝置：休斯微技術股份有限公司製之手動接合機 （5）雷射照射裝置：OPTEC股份有限公司製之NC-LD300-EXC
［調製例1］ 於100mL玻璃瓶中放入單寧酸（關東化學製）2.5g、純水47.5g並攪拌，製作組成物（1）。
［調製例2］ 於100mL玻璃瓶中放入單寧酸（關東化學製）2.5g、酸性紅18（東京化成工業製）0.25g、純水47.25g並攪拌，製作組成物（2）。
［調製例3］ 於100mL玻璃瓶中放入單寧酸（關東化學製）2.5g、氯冉亭堅牢紅5B（東京化成工業製）0.25g、純水47.25g並攪拌，製作組成物（3）。
［調製例4］ 於100mL玻璃瓶中放入單寧酸（關東化學製）2.5g、色媒純藍BX（東京化成工業製）0.25g、純水47.25g並攪拌，製作組成物（4）。
［調製例5］ 如下製作下述實施例2之貼合試驗用中所使用之接著劑組成物（A）。 於攪拌機專用600mL攪拌容器中加入：作為聚有機矽氧烷（a1）之含有聚矽氧烷及乙烯基之MQ樹脂（瓦克化學公司製）80g、作為聚有機矽氧烷（a2）之黏度100mPa･s之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）2.52g、作為聚有機矽氧烷（a2）之黏度70mPa･s之含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）5.89g、作為聚合抑制劑（A3）之1-乙炔基環己醇（瓦克化學公司製）0.22g，以攪拌機攪拌5分鐘。 於所獲得之混合物中加入以下混合物中的3.96g：作為鉑族金屬系觸媒（A2）之鉑觸媒（瓦克化學公司製）0.147g及作為聚有機矽氧烷（a1）之黏度1000mPa･s之含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）5.81g以攪拌機攪拌五分鐘而獲得，再以攪拌機攪拌五分鐘。 最後，用尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物，從而獲得接著劑組成物（A）。以黏度計測定之接著劑的黏度為10,000mPa･s。
為了確認對使用本發明之光照射剝離用之剝離劑組成物所形成之剝離劑層進行雷射照射時之光可吸收的波長範圍，如下述實施例1中所記載進行對任意波長之透射率之測定。
［實施例1］透射率之測定 使用旋轉塗布機將調製例1～4中所獲得之組成物（1）～（4）塗布於石英基板上，在加熱板上以250℃加熱5分鐘，形成厚度200nm的薄膜。 將已塗布所獲得之剝離劑組成物之石英基板、及作為參考之未塗布任何物質之石英基板固定於裝置內的台上，對190～800nm的波長範圍，每隔0.5nm測定塗布於石英基板上之層的透射率。308、355、532nm處之透射率之結果示於下述表1。
為了確認使用本發明之光照射剝離用之剝離劑組成物所形成之剝離劑層是否能夠藉由雷射照射而輕易地剝離，製作下述實施例2中所記載之積層體，並進行下述實施例3中所記載之雷射照射試驗。
［實施例2］積層體之製作 使用旋轉塗布機將接著劑組成物（A）塗布於作為裝置側之晶圓之100mm矽晶圓（厚度500μm）上，形成30μm之接著劑組成物層（A）。準備作為載體側之晶圓（支撐體）之100mm玻璃晶圓（EAGLE-XG，康寧公司製，厚度500μm），使用旋轉塗布機將上述組成物（1）～（4）塗布於其上，並在加熱板上以250℃加熱5分鐘，形成200nm之組成物層（1）～（4）。以夾住接著劑組成物層（A）與組成物層（1）～（4）之方式於真空貼合裝置內貼合後，製作積層體。然後，將裝置側晶圓朝下在加熱板上以200℃進行10分鐘加熱處理，使各組成物層硬化後，獲得積層體（1）～（4）。 使用組成物層（1）～（4）之積層體，各自對應積層體（1）～（4）。
［實施例3］雷射照射試驗 對所獲得之積層體（1）～（4），使用雷射照射裝置從玻璃晶圓側以輸出250mJ/cm 2照射雷射，並確認玻璃晶圓是否能夠剝離。照射雷射後，用鑷子提起玻璃晶圓，將能夠輕易地剝離之情形標記為「○」，將不能剝離之情形標記為「×」。 實施例3的試驗結果示於下述表1。
〔表1〕
由上述實施例可確認到：使用本發明中規定之光照射剝離用之剝離劑組成物所形成之組成物層（1）～（4）係具有良好的雷射剝離性。 進一步地可確認到：在組成物層（2）～（4）中，觀察到高波長側之透射率有整體降低之傾向，但可藉由混合水溶性色素，擴展剝離劑組成物的光吸收波長範圍。 本發明中規定之光照射剝離用之剝離劑組成物，不需使用有機溶劑，並且可有效地形成用於積層體之剝離劑層，該積層體係在對半導體基板或電子裝置層之加工時，可強固地將支撐基板及該半導體基板或該電子裝置層接著，且在基板加工後，可藉由光照射輕易地將支撐基板及該半導體基板或該電子裝置層分離。
1:半導體基板 2:接著劑層 3:剝離劑層 4:支撐基板 5:具有接著性能之剝離劑層 21:半導體晶片基板 22:接著劑層 23:剝離劑層 24:支撐基板 25:密封樹脂 26:電子裝置層 27:具有接著性能之剝離劑層 28:配線層
〔圖1〕係第一實施態樣之積層體之一例的概略斷面圖。 〔圖2〕係第一實施態樣之積層體之另一例的概略斷面圖。 〔圖3〕係第二實施態樣之積層體之一例的概略斷面圖。 〔圖4〕係第二實施態樣之積層體之另一例的概略斷面圖。 〔圖5〕係用以說明表示第二實施態樣之一例之積層體之製造方法的概略斷面圖。 〔圖6〕係用以說明表示第二實施態樣之一例之積層體之製造方法的概略斷面圖。 〔圖7〕係用以說明表示第二實施態樣之一例之積層體之製造方法的概略斷面圖。 〔圖8〕係用以說明表示第二實施態樣之一例之積層體之製造方法的概略斷面圖。 〔圖9〕係用以說明表示第二實施態樣之一例之積層體之加工方法的概略斷面圖。 〔圖10〕係用以說明表示第二實施態樣之一例之積層體之加工方法的概略斷面圖。 〔圖11〕係用以說明表示第二實施態樣之一例之積層體之分離方法的概略斷面圖。 〔圖12〕係用以說明表示第二實施態樣之一例之積層體之分離方法的概略斷面圖。 〔圖13〕係用以說明表示第二實施態樣之一例之積層體分離後之洗淨方法的概略斷面圖。

Claims (8)

  1. 一種光照射剝離用之剝離劑組成物，其係用以形成積層體之剝離劑層， 該積層體，係具有： 半導體基板或電子裝置層、 透光性之支撐基板、以及 設於該半導體基板或該電子裝置層與該支撐基板之間之該剝離劑層， 並且係用於在該剝離劑層吸收從該支撐基板側所照射之光後使該半導體基板或該電子裝置層與該支撐基板剝離， 該電子裝置層係由複數個半導體晶片基板與配置於該半導體晶片基板間之密封樹脂所成； 該剝離劑組成物，係含有藉由吸收該光而有助於使該半導體基板或該電子裝置層與該支撐基板變得容易剝離之光吸收化合物、以及溶劑； 該溶劑係含有水。
  2. 如請求項1所述之剝離劑組成物，其中，相對於該剝離劑組成物中之溶劑，該水之含量為50質量%以上。
  3. 如請求項2所述之剝離劑組成物，其中，相對於該剝離劑組成物中之溶劑，該水之含量為98質量%以上。
  4. 如請求項1所述之剝離劑組成物，其中，該光吸收化合物，係對光吸收性化合物測定在250nm～800nm範圍之吸收光譜時，該吸收光譜在250nm～800nm範圍內吸光度係於250nm～350nm之間具有最大極大值。
  5. 如請求項4所述之剝離劑組成物，其中，該光吸收化合物係多酚系之化合物。
  6. 如請求項5所述之剝離劑組成物，其中，該多酚系之化合物，係選自具有黃烷醇骨架之化合物聚合而成之縮合型單寧、由沒食子酸或鞣花酸之芳香族化合物與醣進行酯鍵結而成之水解性單寧、以及源自具有黃烷酮骨架結構之化合物之類黃酮所成群之化合物。
  7. 如請求項6所述之剝離劑組成物，其中，該水解性單寧係由下述式（9）表示之單寧酸， 〔化1〕 。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之剝離劑組成物，其中，該剝離劑組成物係進一步含有水溶性色素。
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