TW202406017A - 電子裝置及製造電子裝置的方法 - Google Patents

電子裝置及製造電子裝置的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202406017A
TW202406017A TW112120728A TW112120728A TW202406017A TW 202406017 A TW202406017 A TW 202406017A TW 112120728 A TW112120728 A TW 112120728A TW 112120728 A TW112120728 A TW 112120728A TW 202406017 A TW202406017 A TW 202406017A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mesh
substrate
covering
interconnect
electronic device
Prior art date
Application number
TW112120728A
Other languages
English (en)
Inventor
朴明文
李泰勇
劉寶英
Original Assignee
新加坡商安靠科技新加坡控股私人有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 新加坡商安靠科技新加坡控股私人有限公司 filed Critical 新加坡商安靠科技新加坡控股私人有限公司
Publication of TW202406017A publication Critical patent/TW202406017A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/315—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the encapsulation having a cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5383—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H01L2924/1616—Cavity shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/182—Disposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

一種電子裝置包含基板，所述基板具有基板頂側和基板導電結構。所述基板導電結構包含接地路徑和供電路徑。電子組件耦合到所述基板。囊封物覆蓋所述電子組件和所述基板頂側。所述囊封物包含孔口，且所述供電路徑由所述孔口暴露。第一網狀結構包含在所述囊封物上方的第一網狀覆蓋物，以及通過所述孔口耦合到所述第一網狀覆蓋物和所述供電路徑的第一網狀互連件。第二網狀結構包含具有第二覆蓋物頂板和從所述第二覆蓋物頂板延伸的第二覆蓋物側壁的第二網狀覆蓋物，以及耦合到所述第二網狀覆蓋物和所述接地路徑的第二網狀接觸件。所述第二網狀覆蓋物在所述第一網狀覆蓋物上方，且所述第一網狀覆蓋物在所述電子組件上方。

Description

電子裝置及製造電子裝置的方法
本揭示內容大體上涉及電子裝置，且更特定地，涉及電子裝置和製造電子裝置的方法。
現有的電子封裝和形成電子封裝的方法是不適當的，例如導致成本過量、可靠性降低、性能相對低或封裝大小過大。通過比較此類方法與本揭示內容並參考圖式，所屬領域的技術人員將清楚常規和傳統方法的其它限制和缺點。
本說明書包含涉及電子裝置的結構和相關方法以及其它特徵，所述電子裝置包含例如經配置於配電網絡（PDN）封裝中的半導體裝置。在一些實例中，PDN的一部分至少部分地提供於封裝主體上方和封裝主體內，所述封裝主體在封裝基板上方。描述用於將PDN連接到基板和用於提供接地結構或接地路徑用於使PDN去耦的各種結構和方法。在一些實例中，屏蔽件提供於封裝主體和封裝基板的部分上方，並且可連接到接地結構。此外，所述結構和方法提供具有改進的性能的有成本效益的PDN實施方案。
在一實例中，一種電子裝置包含基板，所述基板具有基板頂側、與基板頂側相對的基板底側以及基板導電結構。基板導電結構包含接地路徑和供電路徑。第一電子組件耦合到基板頂側。第一囊封物覆蓋第一電子組件和基板頂側。第一囊封物包含第一孔口，且供電路徑由第一孔口暴露。第一網狀結構包含第一囊封物上方的第一網狀覆蓋物，以及通過第一孔口耦合到第一網狀覆蓋物和供電路徑的第一網狀互連件。第二網狀結構包含具有第二覆蓋物頂板和從第二覆蓋物頂板延伸的第二覆蓋物側壁的第二網狀覆蓋物，以及耦合到第二網狀覆蓋物和接地路徑的第二網狀接觸件。第二網狀覆蓋物在第一網狀覆蓋物上方，且第一網狀覆蓋物在第一電子組件上方。
在一實例中，一種電子裝置包含基板，所述基板具有基板頂側、與基板頂側相對的基板底側以及基板導電結構，所述基板導電結構包含在基板頂側處的第一電力端子和在基板頂側處的接地端子。第一電子組件耦合到基板頂側，且第一囊封物覆蓋第一電子組件和基板頂側。第一囊封物包含第一孔口和第二孔口，其中第一電力端子由第一孔口暴露，且接地端子由第二孔口暴露。網狀導電層包含在第一囊封物的頂側上方的第一網狀覆蓋物、在第一孔口中且耦合到第一電力端子和第一網狀覆蓋物的第一互連接觸件，以及在第二孔口中且耦合到接地端子的第二互連接觸件。第二網狀覆蓋物包含在第一網狀覆蓋物上方的第二覆蓋物頂板，以及從第二覆蓋物頂板延伸的第二覆蓋物側壁。第二網狀覆蓋物耦合到接地端子。
在一實例中，一種製造電子裝置的方法包含提供基板，所述基板具有基板頂側、與基板頂側相對的基板底側以及基板導電結構，所述基板導電結構包括接地路徑和供電路徑。所述方法包含將第一電子組件耦合到基板頂側。所述方法包含提供第一囊封物，所述第一囊封物覆蓋第一電子組件和基板頂側且具有暴露供電路徑的第一孔口。所述方法包含提供第一網狀結構，所述第一網狀結構具有在第一囊封物上方的第一網狀覆蓋物以及通過第一孔口耦合到第一網狀覆蓋物和供電路徑的第一網狀互連件。所述方法包含提供第二網狀結構，所述第二網狀結構具有第二網狀覆蓋物，所述第二網狀覆蓋物具有第二覆蓋物頂板和從第二覆蓋物頂板延伸的第二覆蓋物側壁。所述方法包含提供耦合到第二網狀覆蓋物和接地路徑的第二網狀接觸件，其中第二網狀覆蓋物在第一網狀覆蓋物上方，且第一網狀覆蓋物在第一電子組件上方。
以下論述提供電子裝置和製造電子裝置的方法的各種實例。此類實例是非限制性的，且所附申請專利範圍的範疇不應限於公開的特定實例。在以下論述中，術語“實例”和“例如”是非限制性的。
各圖說明一般構造方式，且可能省略熟知特徵和技術的描述和細節以避免不必要地混淆本揭示內容。另外，繪製圖中的元件未必按比例繪製。舉例來說，各圖中的一些元件的尺寸可能相對於其它元件放大，以幫助改進對本揭示內容中論述的實例的理解。不同圖中的相同參考標號表示相同元件。
術語“或”表示由“或”連接的列表中的項目中的任何一或多個項目。作為實例，“x或y”表示三元素集合{(x), (y), (x, y)}中的任一元素。作為另一實例，“x、y或z”表示七元素集合{(x), (y), (z), (x,     y), (x, z), (y, z), (x, y, z)}中的任一元素。
術語“包括（comprises/comprising）”或“包含（includes/including）”是“開放”術語，且指定所陳述特徵的存在，但不排除一個或多個其它特徵的存在或添加。
術語“第一”、“第二”等可以在本文中用於描述各種元件，並且這些元件不應受這些術語限制。這些術語僅用於將一個元件與另一個元件相區分。因此，例如，在不脫離本揭示內容的教示的情況下，可將本揭示內容中論述的元件稱為元件。
除非另外指定，否則術語“耦合”可用於描述彼此直接接觸的兩個元件或描述通過一個或多個其它元件間接耦合的兩個元件。舉例來說，如果元件A耦合到元件B，則元件A可直接接觸元件B或通過介入元件C間接耦合到元件B。類似地，術語“在……之上”或“在……上”可用於描述彼此直接接觸的兩個元件或描述通過一個或多個其它元件間接耦合的兩個元件。
本揭示內容還包含其它實例。此類實例可見於各圖中、請求項中或本揭示內容的描述中。
圖1A和1B示出實例電子裝置100的橫截面圖。圖1A示出沿著圖1B的線A-A'所取的橫截面圖，且圖1B示出沿著圖1A的線B-B'所取的橫截面圖。在圖1A和1B所示的實例中，電子裝置100可包括基板110、電子組件120和160、囊封物130和170、網狀結構NS1和NS2以及外部端子180。
基板110可包括介電質結構111和導電結構112，所述導電結構包括內部端子1121、1122、1123和外部端子1124。電子組件120和160可包括組件端子121和161。
在一些實例中，網狀結構NS1可包括網狀覆蓋物141和互連件151。在一些實例中，網狀結構NS2可包括網狀覆蓋物190、互連件152和網狀接觸件142。
在一些實例中，網狀結構NS1可包括網狀覆蓋物141、互連接觸件1411或互連件151。在一些實例中，網狀結構NS1可包括或稱為網格結構或節點結構。在一些實例中，網狀結構NS1可包括或稱為被配置成運載電子裝置100的電力電壓的電力網絡結構，並且可耦合到基板110的內部端子1121。
在一些實例中，網狀結構NS2可包括網狀接觸件1127、網狀接觸件142、互連接觸件1412、互連件152或網狀覆蓋物190。在一些實例中，網狀結構NS2可包括或稱為網格結構或節點結構。在一些實例中，網狀結構NS2可包括或稱為被配置成運載電子裝置100的接地電壓的接地網狀結構，並且可耦合到基板110的內部端子1122。
在一些實例中，網狀結構NS1或NS2的極性可反轉，使得網狀結構NS1可實際上包括或被稱作接地網狀結構，或網狀結構NS2可實際上包括或被稱作電力網絡結構。在一些實例中，網狀結構NS1或NS2可被稱為第一網狀結構，且網狀結構NS2或NS1可被稱為第二網狀結構。
基板110、囊封物130和170、網狀結構NS1和NS2以及外部端子180可包括或稱為電子封裝100'或封裝100'。電子封裝100'可為電子組件120和160提供保護以免於外部元件或環境暴露的影響。電子封裝100'可提供另一電子封裝與電子組件120和160之間的電耦合。
圖2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H、2I和2J和示出用於製造電子裝置100的實例方法的橫截面圖。圖3A和3B示出用於製造電子裝置100的實例方法的部分的俯視圖。
圖2A示出在製造早期階段的電子裝置100的橫截面圖。基板110可包括介電質結構111和導電結構112。在一些實例中，導電結構112可包括內部端子112a、外部端子1124和導電路徑1125。
在一些實例中，介電質結構111可包括介電質1111、提供於介電質1111的頂側1111x上的保護層1112，和提供於介電質1111的底側1111y上的保護層1113。在一些實例中，介電質1111可包括或稱為一個或多個介電質層，或核心層。導電結構112的一個或多個層或元件可交錯或嵌入於介電質1111的所述一個或多個層之間。在一些實例中，介電質1111可包括多個堆疊介電質層。
在一些實例中，保護層1112和保護層1113可被稱為或包括介電質、介電質層、焊料遮罩或阻焊劑。在一些實例中，鈍化層1112可覆蓋介電質1111的頂側1111x或可覆蓋導電結構112的內部端子112a的部分。在一些實例中，保護層1113可覆蓋介電質1111的底側1111y，或可覆蓋導電結構112的外部端子1124的部分。
在一些實例中，介電質1111、保護層1112或保護層1113可包括絕緣材料，例如聚合物、聚醯亞胺（polyimide，PI）、苯並環丁烯（benzocyclobutene，BCB）、聚苯並噁唑（polybenzoxazole，PBO）、雙馬來醯亞胺三嗪（bismaleimide triazine，BT）、模製材料、酚系樹脂、環氧樹脂、矽樹脂或丙烯酸酯聚合物。介電質結構111的總體厚度可為近似0.1 mm（毫米）到0.5 mm。在一些實例中，保護層1112可在製造工藝期間保護導電結構112的內部端子112a，且保護層1113可在製造工藝期間保護導電結構112的外部端子1124。
在一些實例中，導電結構112可包括跡線、襯墊、通孔或佈線圖案以界定導電路徑。導電結構112可包括提供於介電質1111的頂側1111x上的內部端子112a、提供於介電質1111的底側1111y上的外部端子1124，以及通過介電質結構1111在內部形成的導電路徑1125。內部端子112a可通過導電路徑1125與外部端子1124耦合。
內部端子112a和外部端子1124可分別以具有行或列的矩陣形式分別提供於介電質1111的頂側1111x和底側1111y上。在一些實例中，內部端子112a和外部端子1124可被稱為或包括導體、導電材料、基板連接盤（substrate land）、導電連接盤、基板襯墊、佈線襯墊、連接襯墊、微型襯墊，或凸塊下金屬（under-bump-metallurgie，UBM）。內部端子112a和外部端子1124的厚度的範圍可以是從近似1 μm到50 μm。
導電路徑1125可延伸穿過介電質1111以耦合內部端子112a與外部端子1124。導電路徑1125可由一個或多個導電層的部分界定。在一些實例中，導電路徑1125可被稱為或包括導體、導電材料、導電通孔、電路圖案、跡線或佈線圖案。在一些實例中，內部端子112a、外部端子1124或導電路徑1125可包括銅、鐵、鎳、金、銀、鈀或錫。
在一些實例中，基板110可包括或稱為印刷電路板、多層基板、層壓基板或模製引線框基板。在一些實例中，基板110可包括或稱為重新分佈層（redistribution layer，RDL）基板、堆積基板或無核心基板。
在一些實例中，基板110可為RDL基板。RDL基板可包括一個或多個導電重新分佈層和一個或多個介電質層，並且（a）可逐層形成在RDL基板將耦合到的電子裝置之上，或（b）可逐層形成在載體之上且可在電子裝置和RDL基板耦合在一起之後完全地移除或至少部分地移除。RDL基板可在圓形晶片上以晶片級工藝逐層製造為晶片級基板，或在矩形或正方形面板載體上以面板級工藝逐層製造為面板級基板。RDL基板可以加成堆積工藝形成，所述加成堆積工藝可以包含一個或多個介電質層與限定相應導電重新分佈圖案或跡線的一個或多個導電層交替堆疊，所述導電重新分佈圖案或跡線被配置成共同（a）將電跡線扇出電子裝置的覆蓋區外部，或（b）將電跡線扇入電子裝置的覆蓋區內。可使用電鍍工藝或無電極鍍覆工藝等鍍覆工藝來形成導電圖案。導電圖案可包括導電材料，例如銅或其它可鍍覆金屬。可使用光圖案化工藝，例如光微影工藝及用於形成光微影遮罩的光阻劑材料來製作導電圖案的位置。RDL基板的介電質層可用光圖案化工藝來圖案化，並且可包含光微影遮罩，光通過所述光微影遮罩暴露於光圖案所要特徵，例如介電質層中的通孔。介電質層可以由例如聚醯亞胺（PI）、苯並環丁烯（BCB）或聚苯並惡唑（PBO）的光可限定（photo-definable）的有機介電質材料製成。此類介電質材料可以液體形式旋塗或以其它方式塗布，而非以預成型的膜的形式附接。為了准許恰當地形成所要光限定特徵，此類光可限定的介電質材料可省略結構增強劑，或可為無填充物的，沒有股線、織物或其它粒子，並且可干擾來自光圖案化工藝的光。在一些實例中，無填料介電質材料的此類無填料特性可使得所得介電質層的厚度減小。儘管上文描述的光可限定的介電質材料可以是有機材料，但在一些實例中，RDL基板的介電質材料可以包括一個或多個無機介電質層。無機介電質層的一些實例可包括氮化矽（Si 3N 4）、氧化矽（SiO 2）或SiON。一個或多個無機介電質層可以不是通過使用光限定的有機介電質材料而是通過使用氧化或氮化工藝生長無機介電質層而形成。此類無機介電質層可以是無填料的，而無股線、織造物或其它不同的無機顆粒。在一些實例中，RDL基板可以省略永久性核心結構或載體，例如包括雙馬來醯亞胺三嗪（BT）或FR4的介電質材料，並且這些類型的RDL基板可以包括稱為無核心基板。本揭示內容中的其它基板還可以包括RDL基板。
在一些實例中，基板110可以是預成型基板。預成型基板可以在附接到電子裝置之前製造並且可以包括在相應導電層之間的介電質層。導電層可以包括銅，並且可以使用電鍍工藝形成。介電質層可以是相對較厚的非光可限定層且可以以預成型膜形式而不是以液體形式附接，並且可以包含具有用於剛性或結構支撐的股線、織造物或其它無機顆粒等填料的樹脂。由於介電質層是不可光限定的，因此可通過使用鑽孔或雷射來形成通孔或開口等特徵。在一些實例中，介電質層可包括預浸材料或味之素堆積膜（Ajinomoto Buildup Film，ABF）。預成型基板可包含永久性核心結構或載體，例如包括雙馬來醯亞胺三嗪（BT）或FR4的介電質材料，且介電質層和導電層可形成於永久性核心結構上。在其它實例中，預成型基板可以是無核心基板並且省略永久性核心結構，並且可以在犧牲載體上形成介電質層和導電層，所述犧牲載體在形成介電質層和導電層之後且在附接到電子裝置之前移除。預成型基板可被稱作印刷電路板（PCB）或層壓基板。可以通過半加成或改性半加成工藝形成此種預成型基板。本說明書中的其它基板還可包括預成型基板。
圖2B示出在製造的較晚階段的電子裝置100的橫截面圖。在圖2B所示的實例中，電子組件120可接近於基板110的內部端子112a。電子組件120可耦合到基板110的內部端子112a的內部端子1123。
在一些實例中，拾放設備可拾取電子組件120且將其放置在基板110上。隨後，電子組件120可通過線接合、大規模回焊、熱壓縮或雷射輔助接合工藝耦合或緊固到基板110的內部端子1123。
在一些實例中，電子組件120可包括或稱為半導體晶粒、半導體晶片或半導體封裝、積體電路組件、傳感器組件或離散組件。在一些實例中，電子組件120可包括或稱為主動或被動組件。電子組件120可在電子組件120的頂側或底側上具備組件端子121以便在行或列方向上彼此間隔開。在一些實例中，組件端子121可包括或稱為襯墊、凸塊、支柱、導電柱、焊料球或線接合。舉例來說，組件端子121可包括金屬材料、鋁（Al）、銅（Cu）、鋁合金、銅合金或金（Au）。組件端子121可包括用於電子組件120的輸入/輸出端子或電力/接地端子。
在一些實例中，組件端子121可包括低熔點材料或導電線並且可連接到基板110的內部端子112a的內部端子1123。舉例來說，組件端子121的低熔點材料可包括選自錫（Sn）、銀（Ag）、鉛（Pb）、Cu、Sn-Pb、Sn37-Pb、Sn95-Pb、Sn-Pb-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-Au、錫-鉍（Sn-Bi）、Sn-Ag-Cu中的任一者。舉例來說，導電線可為金線、銅線或鋁線，且可通過線接合設備將組件端子121接合到基板110的內部端子1123。
電子組件120的組件端子121和基板110的內部端子1123可通過低熔點材料或導電線彼此耦合。電子組件120的總體厚度的範圍可以是從近似20 μm到800 μm。
圖2C示出在製造的較晚階段的電子裝置100的橫截面圖。在圖2C所示的實例中，可提供囊封物130以覆蓋基板110和電子組件120。囊封物130可與基板110的頂側以及電子組件120的頂側和橫向側接觸。囊封物130可覆蓋基板110的頂側的內部端子112a和保護層1112。在一些實例中，囊封物130可包括或稱為第一囊封物、主體或模製件。舉例來說，囊封物130可包括模製化合物、具有填充物的聚合物或樹脂。舉例來說，囊封物130可通過壓縮模製、轉移模製、液體主體模製、真空層壓、膏印刷或膜輔助模製來形成。囊封物130的厚度的範圍可以是從近似60 μm到1000 μm。囊封物130可保護基板110和電子組件120免於外部元件的影響。
圖2D示出在製造的較晚階段的電子裝置100的橫截面圖。在圖2D所示的實例中，可提供從囊封物130的頂側130x延伸的孔口131。在一些實例中，基板110的內部端子112a可通過囊封物130的孔口131暴露、由囊封物的孔口暴露或從囊封物的孔口暴露。孔口131可從電子組件120的橫向側間隔開或向內間隔。孔口131可以一個或多個行或列的矩陣的形式提供。孔口131可包括鄰近於電子組件120的橫向側的孔口1311，且孔口1312位於孔口1311之外。在一些實例中，在囊封物130的頂側上形成遮罩圖案之後，可通過蝕刻移除囊封物30的暴露區以形成孔口131。在一些實例中，孔口131可被稱為或包括開口或通孔或凹槽。
圖2E和3A分別示出在製造的較晚階段的電子裝置100的橫截面圖和俯視圖。在圖2E和3A所示的實例中，可提供網狀導電層140以覆蓋囊封物130的頂側130x。網狀導電層140可提供於囊封物130的頂側130x上、電子組件120上方或孔口131中的一些或全部上方，例如孔口1312或孔口1311上。在一些實例中，網狀導電層140可包括一個或多個施加的保形導電層。在一些實例中，網狀導電層140的厚度的範圍可以是從近似0.1 μm到10 μm。
網狀導電層140可包括網狀覆蓋物141，所述網狀覆蓋物可包括或稱為蓋或電壓平面。舉例來說，如果導電層140包括一個或多個保形導電層，則可通過濺鍍、噴塗或電鍍提供網狀覆蓋物141。在一些實例中，網狀覆蓋物141可包括或稱為供電網狀覆蓋物，被配置成運載電子裝置100的電力電壓。
在一些實例中，網狀導電層140可包括提供於囊封物130的頂側130x上鄰近於孔口1312的網狀接觸件142。在一些實例中，網狀接觸件142在孔口1312與囊封物30的橫向側之間。在一些實例中，網狀接觸件142可包括或稱為被配置成運載電子裝置100的接地電壓的接地接觸件。
在一些實例中，網狀導電層140可包括覆蓋孔口1311和基板110的內部端子112a的內部端子1121的互連接觸件1411，或可包括覆蓋孔口1312和內部端子112a的內部端子1122的互連接觸件1412。在一些實施方案中，內部端子1121可包括或稱為運載電子裝置100的電力電壓的電力或供電端子，且內部端子1122可包括或稱為運載電子裝置100的接地電壓的接地或接地端子。互連接觸件1411可耦合到網狀覆蓋物141或從其延伸。互連接觸件1412可耦合以從網狀接觸件142延伸。
在一些實例中，網狀導電層140可包括鈦（Ti）、鈦-鎢（TiW）或Cu的一個或多個層。舉例來說，網狀導電層140可通過無電電鍍、電解電鍍、濺鍍、物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）、金屬有機CVD（MOCVD）、原子層沉積（ALD）、低壓CVD（LPCVD）或電漿增強CVD（PECVD）方法一次性形成為均勻厚度。網狀導電層140可包括一個或多個堆疊導電層。在一些實施方案中，網狀導電層140的厚度的範圍可以是從近似0.1 μm到10 μm。如圖2E所示，網狀覆蓋物141和互連接觸件1411可為連續結構。
圖2F和3B分別示出在製造的較晚階段的電子裝置100的橫截面圖和俯視圖。在圖2F和3B所示的實例中，互連件150填充孔口131的內部部分。互連件150可包括填充孔口1311且耦合到網狀覆蓋物141的互連件151。互連件150可包括填充孔口1312的互連件152。在一些實例中，互連件152可與網狀接觸件142耦合。
互連件151可將內部端子1121耦合到網狀覆蓋物141。互連件152可將內部端子1122耦合到網狀接觸件142。在一些實例中，互連件150無需用以填充孔口131，其中互連接觸件1411仍將內部端子1121耦合到網狀覆蓋物141，或其中互連接觸件1412仍將內部端子1122耦合到網狀接觸件142。
互連件151和互連件152中的每一個可包括或稱為通孔、穿模具通孔（TMV）、塗布導體的通孔、填充導體的通孔、垂直線、支柱、柱、立柱、焊料球或塗布焊料的導電芯球（CCB）。
在一些實例中，互連件150可通過電鍍或濺鍍形成。舉例來說，互連件150可經形成為填充孔口131，依賴於互連接觸件1411或互連接觸件1412作為用於電鍍的種子。舉例來說，可通過形成遮罩圖案以覆蓋囊封物130的上部部分，並且接著進行濺鍍以填充孔口131的內部部分來形成互連件150。互連件151可通過互連接觸件1411耦合到內部端子1121，且互連件152可通過互連接觸件1412耦合到內部端子1122。
在一些實例中，互連接觸件1411和互連件151可被視為彼此的部分，或互連接觸件1412和互連件152可被視為彼此的部分。
在一些實例中，互連件151可包括或稱為被配置成運載電子裝置100的電力電壓的電力或供電互連件，或互連件152可包括或稱為被配置成運載電子裝置100的接地電壓的接地或接地互連件。互連件150的高度可類似於囊封物130的高度。舉例來說，互連件150的頂部可與囊封物130的頂部基本上共面。
圖2G示出在製造的較晚階段的電子裝置100的橫截面圖。在圖2G所示的實例中，電子組件160可提供於互連件150上。電子組件160可包括端子161和端子162。舉例來說，端子161可耦合互連件151的頂側，或端子162可與互連件152的頂側耦合。
在一些實例中，拾放設備可拾取電子組件160且放置於互連件151與互連件152之間的頂部部分上。隨後，電子組件160的端子161或端子162可例如通過回焊端子161或162而分別緊固到互連件151或互連件152。
在一些實例中，電子組件160可包含類似於先前描述的電子組件120的對應元件或特徵。舉例來說，電子組件160的端子161和端子162可類似於電子組件120的組件端子121。在一些實例中，電子組件160可包括或稱為被動組件或去耦電容器。舉例來說，電子組件160可減少高頻噪聲。電子組件160的總體厚度的範圍可以是從近似100 μm到800 μm。
圖2H示出在製造的較晚階段的電子裝置100的橫截面圖。在圖2H所示的實例中，可提供囊封物170以覆蓋囊封物130、電子組件160和網狀覆蓋物141。囊封物170可覆蓋互連件150。在一些實例中，囊封物170可與囊封物130的頂側、互連件150的頂側、電子組件160的橫向側和頂側以及網狀覆蓋物141的頂側接觸。網狀覆蓋物141和網狀接觸件142可插入於囊封物130與囊封物170之間。
囊封物170可包含類似於先前描述的囊封物130的那些的對應元件、特徵、材料或製造方法。在一些實例中，囊封物170的厚度的範圍可以是從近似60 μm到1000 μm。在一些實例中，囊封物170可包括或稱為第二囊封物、主體或模製件。囊封物170可保護電子組件160和網狀覆蓋物141免於外部元件的影響。任選地，無需提供囊封物170。
圖2I示出在製造的較晚階段的電子裝置100的橫截面圖。在圖2I所示的實例中，外部互連件180可耦合到基板110的外部端子1124。
外部互連件180可通過基板110的導電結構112耦合到電子組件120，或可通過基板110的導電結構112和互連件150耦合到電子組件160。電子組件120和160可通過基板110彼此耦合或可耦合到外部互連件180。在一些實例中，外部互連件180可包括Sn、Ag、Pb、Cu、Sn-Pb、Sn37-Pb、Sn95-Pb、Sn-Pb-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-Au、Sn-Bi或Sn-Ag-Cu。舉例來說，在通過球滴方法在基板110的外部端子1124的底側上形成包含焊料的導電材料之後，可通過回焊工藝形成外部互連件180。在一些實例中，外部互連件180可包括或稱為例如焊料球的導電球、例如銅柱的導電柱，或具有形成於銅柱上方的焊料蓋的導電柱。在一些實例中，外部互連件180的大小的範圍可以是從近似100 μm到500 μm。在一些實例中，外部互連件180可被稱為電子裝置100的外部輸入/輸出或電力/接地端子。
可執行通過鋸切將基板110以及囊封物130和170分離成經單粒化電子裝置100A的單粒化過程。基板110可橫向暴露內部端子1122的一個或多個部分、外部端子1124的一個或多個部分，或基板110的導電路徑1125的一個或多個部分。此類暴露部分可被稱作網狀接觸件1127並且可視為網狀結構NS2的部分。經單粒化電子裝置100A也可橫向暴露網狀接觸件142。
圖2J示出在製造的較晚階段的電子裝置100的橫截面圖。在圖2J所示的實例中，可形成網狀覆蓋物190以覆蓋經單粒化電子裝置100A的頂側和橫向側。網狀覆蓋物190可包括覆蓋經單粒化電子裝置100A的頂側的覆蓋物頂板191，或覆蓋經單粒化電子裝置100A的橫向側的覆蓋物側壁192。網狀覆蓋物190可以是網狀結構NS2的部分。
網狀覆蓋物190可耦合到囊封物170的頂側和橫向側、囊封物130的橫向側和基板110的橫向側，且可包括基本上均勻厚度。在一些實例中，網狀覆蓋物190的覆蓋物側壁192可耦合到在經單粒化電子裝置100A的橫向側處暴露的網狀接觸件142或1127。網狀覆蓋物190可通過作為網狀結構NS2的部分的網狀接觸件142或1127耦合到基板110的內部端子1122。網狀覆蓋物190可由能夠屏蔽去往或來自電子組件120的電磁干擾的導電材料製成。在一些實例中，網狀覆蓋物190可包括或稱為保形屏蔽件、保形導電層、EMI屏蔽件或平面。舉例來說，網狀覆蓋物190可包括Ag、Cu、Al、鎳（Ni）、鈀（Pd）或鉻（Cr）。舉例來說，網狀覆蓋物190可通過濺鍍、噴塗或電鍍方法形成。在一些實例中，網狀覆蓋物190的厚度的範圍可以是從近似0.1 μm到10 μm。
完成的電子裝置100可包括基板110、電子組件120和160、囊封物130和170、網狀結構NS1和NS2，以及外部互連件180。
圖4示出實例電子裝置200的橫截面圖。在圖4所示的實例中，電子裝置200可包括基板110、電子組件120和160、囊封物130和170、網狀結構NS1A和NS2A，以及外部端子180。
電子裝置200可包含類似於電子裝置100的那些的對應元件、特徵、材料或製造方法。舉例來說，電子裝置200的基板110、電子組件120和160、囊封物130和170和外部端子180可類似於圖1A和圖1B中示出的電子裝置100的那些。
互連件251、252可類似於互連件151、152，且可包括或稱為例如垂直線、支柱、柱或立柱。
網狀結構NS1A可類似於網狀結構NS1且可包括網狀覆蓋物241、互連接觸件2411或互連件251。
網狀結構NS2A可類似於網狀結構NS2且可包括網狀接觸件1127、網狀接觸件242、互連接觸件2412、互連件252或網狀覆蓋物190。
互連接觸件2411可類似於互連接觸件1411，且可覆蓋互連件251的頂側。在一些實例中，互連接觸件2411和網狀覆蓋物241可被視為彼此的部分或彼此的延伸部。
互連接觸件2412可類似於互連接觸件1412，且可覆蓋互連件252的頂側。在一些實例中，互連接觸件2412和網狀接觸件242可被視為彼此的部分或彼此的延伸部。
在當前的實例中，在網狀結構NS1A和NS2A中，在提供互連件251和互連件252之後，可提供網狀覆蓋物241和網狀接觸件242。在當前的實例中，在提供互連件251和互連件252之後，可提供囊封物130。
圖5示出實例電子裝置300的橫截面圖。在圖5所示的實例中，電子裝置300可包括基板110、電子組件120和160、囊封物130和170、網狀結構NS1B和NS2B，以及外部端子180。
在當前的實例中，電子裝置300可包含類似於電子裝置200的那些的對應元件、特徵、材料或製造方法。在當前的實例中，電子裝置300的網狀結構NS1B和NS2B可包括包含網狀覆蓋物241和互連件351的網狀結構NS1B，以及包含網狀接觸件242、互連件352和網狀覆蓋物190的網狀結構NS2B。在當前的實例中，互連件351和互連件352可為堆疊凸塊。
圖6示出實例電子裝置400的橫截面圖。在圖6所示的實例中，電子裝置400可包括基板110、電子組件120和160、囊封物130和170、網狀結構NS1C和NS2C，以及外部端子180。
在當前的實例中，電子裝置400可包含類似於電子裝置200的那些的對應元件、特徵、材料或製造方法。在當前的實例中，電子裝置400的網狀結構NS1C和NS2C可包括包含網狀覆蓋物241和互連件451的網狀結構NS1C，以及包含網狀接觸件242、互連件452和網狀覆蓋物190的網狀結構NS2C。在當前的實例中，互連件451和互連件452可為垂直線。
圖7示出實例電子裝置500的橫截面圖。在圖7所示的實例中，電子裝置500可包括基板110、電子組件120和160、囊封物130和170、網狀結構NS1D和NS2D，以及外部端子180。
在當前的實例中，電子裝置500可包含類似於電子裝置200的那些的對應元件、特徵、材料或製造方法。在當前的實例中，電子裝置500的網狀結構NS1D和NS2D可包括包含網狀覆蓋物241和互連件551的網狀結構NS1D，以及包含網狀接觸件242、互連件552和網狀覆蓋物190的網狀結構NS2D。
在當前的實例中，電子裝置500的網狀結構NS1D和NS2D可包括包含網狀覆蓋物241和互連件551的網狀結構NS1D，以及包含網狀接觸件242和1127、互連件552和網狀覆蓋物190的網狀結構NS2D。在當前的實例中，在網狀結構NS1D和NS2D中，在提供互連件551和互連件552以填充囊封物130的孔口之後，可提供網狀覆蓋物241和網狀接觸件242。在當前的實例中，互連件551和互連件552中的每一個可包括或被稱作焊料、通孔、穿模具通孔、塗布導體的通孔、填充導體的通孔、焊料球或塗布焊料的導電芯球。
圖8A和8B示出實例電子裝置600的橫截面圖。圖8A示出沿著圖8B的線A-A'所取的橫截面圖，且圖8B示出沿著圖8A的線B-B'所取的橫截面圖。在圖8A和8B所示的實例中，電子裝置600可包括基板110、電子組件120和160、囊封物130和170、網狀結構NS1E和NS2E，以及外部端子180。
在當前的實例中，電子裝置600可包含類似於電子裝置100的那些的對應元件、特徵、材料或製造方法。舉例來說，電子裝置600的基板110、電子組件120、囊封物130和170和外部端子180可類似於圖1A和圖1B中示出的電子裝置100的那些。在當前的實例中，電子裝置600無需包括電子組件160、網狀接觸件142或網狀結構NS1E和NS2E的互連件152。
在當前的實例中，網狀結構NS1E和NS2E可包括包含網狀覆蓋物141和互連件651的網狀結構NS1E，以及包含網狀接觸件1127和網狀覆蓋物190的網狀結構NS2E。網狀覆蓋物190可耦合到基板110的網狀接觸件1127。互連件651可被塗布到預定厚度而無需完全填充孔口131的內部部分。在一些實例中，互連件651可類似於電子裝置100的互連接觸件1411。互連件651和網狀覆蓋物141可以是彼此的部分或彼此的延伸部。
本揭示內容包含對某些實例的引用，然而，所屬領域的技術人員應理解，在不脫離本揭示內容的範圍的情況下，可做出各種改變且可取代等效物。另外，在不脫離本揭示內容的範圍的情況下可對公開的實例作出修改。因此，希望本揭示內容不限於公開的實例，但本揭示內容將包含屬於所附申請專利範圍的範疇內的所有實例。
100:實例電子裝置/電子裝置 100':電子封裝/封裝 100A:經單粒化電子裝置 110:基板 111:介電質結構 112:導電結構 112a:內部端子 120:電子組件 121:組件端子 130:囊封物 130x:頂側 131:孔口 140:網狀導電層 141:網狀覆蓋物 142:網狀接觸件 150:互連件 151:互連件 152:互連件 160:電子組件 161:端子 162:端子 170:囊封物 180:外部互連件 190:網狀覆蓋物 200:實例電子裝置/電子裝置 241:網狀覆蓋物 242:網狀接觸件 251:互連件 252:互連件 300:實例電子裝置/電子裝置 351:互連件 352:互連件 400:實例電子裝置/電子裝置 451:互連件 452:互連件 500:實例電子裝置/電子裝置 551:互連件 552:互連件 600:電子裝置 651:電子裝置 1111:介電質 1111x:頂側 1111y:底側 1112:保護層 1113:保護層 1121:內部端子 1122:內部端子 1123:內部端子 1124:外部端子 1125:導電路徑 1127:網狀接觸件 1311:孔口 1312:孔口 1411:互連接觸件 1412:互連接觸件 2411:互連接觸件 2412:互連接觸件 A-A':線 B-B':線 NS1:網狀結構 NS1A:網狀結構 NS1B:網狀結構 NS1C:網狀結構 NS1D:網狀結構 NS1E:網狀結構 NS2:網狀結構 NS2A:網狀結構 NS2B:網狀結構 NS2C:網狀結構 NS2D:網狀結構 NS2E:網狀結構
[圖1A和1B]示出實例電子裝置的橫截面圖。
[圖2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H、2I和2J]示出用於製造實例電子裝置的實例方法的橫截面圖。
[圖3A和3B]示出用於製造實例電子裝置的實例方法的俯視圖。
[圖4]示出實例電子裝置的橫截面圖。
[圖5]示出實例電子裝置的橫截面圖。
[圖6]示出實例電子裝置的橫截面圖。
[圖7]示出實例電子裝置的橫截面圖。
[圖8A和8B]示出實例電子裝置的橫截面圖。
100:實例電子裝置/電子裝置
100':電子封裝/封裝
110:基板
111:介電質結構
112:導電結構
120:電子組件
121:組件端子
130:囊封物
141:網狀覆蓋物
142:網狀接觸件
151:互連件
152:互連件
160:電子組件
161:端子
162:端子
170:囊封物
180:外部互連件
190:網狀覆蓋物
1121:內部端子
1122:內部端子
1123:內部端子
1124:外部端子
1127:網狀接觸件
1411:互連接觸件
1412:互連接觸件
B-B':線
NS1:網狀結構
NS2:網狀結構

Claims (20)

  1. 一種電子裝置，其包括：  基板，其具有基板頂側、與所述基板頂側相對的基板底側以及基板導電結構，所述基板導電結構包括： 接地路徑；以及 供電路徑； 第一電子組件，其耦合到所述基板頂側； 第一囊封物，其覆蓋所述第一電子組件和所述基板頂側且具有第一孔口，其中所述供電路徑由所述第一孔口暴露； 第一網狀結構，其包括： 第一網狀覆蓋物，其在所述第一囊封物上方；以及 第一網狀互連件，其通過所述第一孔口耦合到所述第一網狀覆蓋物和所述供電路徑；以及 第二網狀結構，其包括： 第二網狀覆蓋物，其具有第二覆蓋物頂板和從所述第二覆蓋物頂板延伸的第二覆蓋物側壁；以及 第二網狀接觸件，其耦合到所述第二網狀覆蓋物和所述接地路徑； 其中： 所述第二網狀覆蓋物在所述第一網狀覆蓋物上方；以及 所述第一網狀覆蓋物在所述第一電子組件上方。
  2. 根據請求項1所述的電子裝置，其中： 所述第一囊封物進一步包括第二孔口； 所述接地路徑由所述第二孔口暴露；以及 所述第二網狀結構包括在所述第二孔口中且耦合到所述接地路徑的第二網狀互連件。
  3. 根據請求項2所述的電子裝置，其中： 所述第二網狀接觸件在所述第一囊封物的頂側處耦合到所述第二網狀互連件和所述第二網狀覆蓋物中的一個。
  4. 根據請求項2所述的電子裝置，其進一步包括： 被動裝置，其耦合到所述第二網狀互連件中的一個且耦合到所述第一網狀互連件中的一個。
  5. 根據請求項2所述的電子裝置，其中： 所述第一網狀互連件和所述第二網狀互連件包括穿模具通孔。
  6. 根據請求項2所述的電子裝置，其中： 所述第一網狀互連件和所述第二網狀互連件包括導電柱。
  7. 根據請求項2所述的電子裝置，其中： 所述第一網狀互連件和所述第二網狀互連件包括垂直線。
  8. 根據請求項1所述的電子裝置，其中： 所述第二網狀接觸件是所述基板導電結構的部分且在所述基板的橫向側處耦合到所述第二覆蓋物側壁中的一個。
  9. 根據請求項1所述的電子裝置，其進一步包括： 第二囊封物，其在所述第一囊封物上方； 其中： 所述第二覆蓋物頂板和所述第二覆蓋物側壁在所述第二囊封物上。
  10. 根據請求項1所述的電子裝置，其進一步包括： 互連接觸件，其在所述第一孔口的側壁表面與所述第一網狀互連件之間； 其中： 所述互連接觸件將所述第一網狀互連件耦合到所述第一網狀覆蓋物。
  11. 一種電子裝置，其包括： 基板，其具有基板頂側、與所述基板頂側相對的基板底側以及基板導電結構，所述基板導電結構包括： 第一電力端子，其在所述基板頂側處；以及 接地端子，其在所述基板頂側處； 第一電子組件，其耦合到所述基板頂側； 第一囊封物，其覆蓋所述第一電子組件和所述基板頂側且具有第一孔口和第二孔口，其中： 所述第一電力端子由所述第一孔口暴露；以及 所述接地端子由所述第二孔口暴露； 網狀導電層，其包括： 第一網狀覆蓋物，其在所述第一囊封物的頂側上方； 第一互連接觸件，其在所述第一孔口中且耦合到所述第一電力端子和所述第一網狀覆蓋物；以及 第二互連接觸件，其在所述第二孔口中且耦合到所述接地端子； 以及 第二網狀覆蓋物，其包括： 第二覆蓋物頂板，其在所述第一網狀覆蓋物上方；以及 第二覆蓋物側壁，其從所述第二覆蓋物頂板延伸； 其中： 所述第二網狀覆蓋物耦合到所述接地端子。
  12. 根據請求項11所述的電子裝置，其進一步包括： 第一互連件，其在所述第一互連接觸件上方；以及 第二互連件，其在所述第二互連接觸件上方。
  13. 根據請求項12所述的電子裝置，其進一步包括： 第二電子組件，其耦合到所述第一互連件和所述第二互連件；以及 第二囊封物，其在所述第一囊封物上方且覆蓋所述第二電子組件； 其中： 所述第二覆蓋物頂板在所述第二囊封物的頂側上。
  14. 根據請求項11所述的電子裝置，其中： 所述網狀導電層包括耦合到所述第二互連接觸件和所述第二覆蓋物側壁中的一個的網狀接觸件。
  15. 根據請求項11所述的電子裝置，其中： 所述基板導電結構包括網狀端子；以及 所述第二網狀覆蓋物在所述基板的橫向側處通過所述網狀端子耦合到所述接地端子。
  16. 根據請求項11所述的電子裝置，其中： 所述基板導電結構包括第二電力端子； 所述第一囊封物包括第三孔口； 所述第二電力端子在所述第三孔口中暴露； 所述第一孔口和所述第三孔口在所述第一電子組件的相對側上； 所述網狀導電層包括在所述第三孔口中的耦合到所述第一網狀覆蓋物和所述第二電力端子的第三互連接觸件； 所述第一互連接觸件和所述第三互連接觸件從第一網狀覆蓋物延伸；以及 所述第一網狀覆蓋物上覆於所述第一電子組件。
  17. 一種製造電子裝置的方法，其包括： 提供基板，所述基板具有基板頂側、與所述基板頂側相對的基板底側以及基板導電結構，所述基板導電結構包括： 接地路徑；以及 供電路徑； 將第一電子組件耦合到所述基板頂側； 提供第一囊封物，所述第一囊封物覆蓋所述第一電子組件和所述基板頂側且具有暴露所述供電路徑的第一孔口； 提供第一網狀結構，所述第一網狀結構包括： 第一網狀覆蓋物，其在所述第一囊封物上方；以及 第一網狀互連件，其通過所述第一孔口耦合到所述第一網狀覆蓋物和所述供電路徑；以及 提供第二網狀結構，所述第二網狀結構包括： 第二網狀覆蓋物，其具有第二覆蓋物頂板和從所述第二覆蓋物頂板延伸的第二覆蓋物側壁；以及 第二網狀接觸件，其耦合到所述第二網狀覆蓋物和所述接地路徑； 其中： 所述第二網狀覆蓋物在所述第一網狀覆蓋物上方；以及 所述第一網狀覆蓋物在所述第一電子組件上方。
  18. 根據請求項17所述的方法，其中： 提供所述第一囊封物包括提供暴露所述接地路徑的第二孔口；以及 提供所述第二網狀結構包括提供在所述第二孔口中且耦合到所述接地路徑的第二網狀互連件。
  19. 根據請求項18所述的方法，其中： 提供所述第二網狀結構包括提供接近於所述第一囊封物的頂側耦合到所述第二網狀互連件中的一個和所述第二覆蓋物側壁中的一個的所述第二網狀接觸件。
  20. 根據請求項18所述的方法，其進一步包括： 提供在所述第一囊封物的頂側處耦合到所述第二網狀互連件中的一個且耦合到所述第一網狀互連件中的一個的第二電子組件。
TW112120728A 2022-06-30 2023-06-02 電子裝置及製造電子裝置的方法 TW202406017A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/855,429 2022-06-30
US17/855,429 US20240006279A1 (en) 2022-06-30 2022-06-30 Electronic devices and methods of manufacturing electronic devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202406017A true TW202406017A (zh) 2024-02-01

Family

ID=89289140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112120728A TW202406017A (zh) 2022-06-30 2023-06-02 電子裝置及製造電子裝置的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240006279A1 (zh)
CN (1) CN117334677A (zh)
TW (1) TW202406017A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20240006279A1 (en) 2024-01-04
CN117334677A (zh) 2024-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101533459B1 (ko) 반도체 소자 및 희생적 캐리어를 이용한 반도체 소자 제조 방법
KR20180108368A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20180106791A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
US20220238441A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
TW202121608A (zh) 半導體裝置及製造半導體裝置的方法
TW202209570A (zh) 半導體裝置及製造半導體裝置的方法
TW202109827A (zh) 半導體裝置及製造半導體裝置的方法
US20220319969A1 (en) Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices
US20220045037A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
US11398455B2 (en) Semiconductor devices and related methods
US11482496B2 (en) Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices
TWI760725B (zh) 半導體裝置和製造半導體裝置的方法
TW202406017A (zh) 電子裝置及製造電子裝置的方法
US11996369B2 (en) Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices
US20240079282A1 (en) Electronic devices and method of manufacturing an electronic devices
US20240145369A1 (en) Electronic devices and methods of manufacturing electronic devices
US20230282532A1 (en) Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices
TWI836377B (zh) 半導體裝置和製造半導體裝置的方法
TW202401666A (zh) 電子裝置及製造電子裝置的方法
US20240113090A1 (en) Electronic devices and methods of manufacturing electronic devices
US20210272862A1 (en) Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices
TW202416469A (zh) 電子裝置及製造電子裝置的方法