TW202405977A - 控制基板的溫度的基板載體 - Google Patents

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Abstract

本文描述了一種用於處理諸如光學裝置的半導體基板的設備。該設備包括基板載體，該基板載體被配置為使被配置為處理較大基板的處理腔室能夠處理較小基板而無需改造該處理腔室。基板載體包括載體基座和夾持環。載體基座包括形成在基板凹穴內的複數個氣體通道。夾持環設置在載體基座上和基板上方，並且將基板保持在適當位置。夾持環被加重，或被配置為由分開的腔室夾持機構提供幫助。

Description

控制基板的溫度的基板載體
本公開的實施例大致涉及一種用於在半導體處理腔室之間傳送不同尺寸的基板的載體。
諸如沉積腔室、蝕刻腔室或退火腔室的半導體處理腔室被配置為處理具有一種特定尺寸的基板。在許多情況下，處理腔室被配置為處理300毫米基板或200毫米基板。然而，在一些應用中，會使用比處理腔室被配置為處理的基板更小的基板。在這些情況下，最初被配置為處理300毫米基板的處理腔室將處理200毫米基板、150毫米基板、或100毫米基板。在另一實施例中，最初配置為處理200毫米基板的處理腔室將處理150毫米基板或100毫米基板。
當處理比處理腔室最初被配置為處理的基板更小的基板時，最初的傳送裝置和腔室夾持機構並不總是與較小基板相容。然而，更換在處理腔室內的傳送裝置及/或腔室夾持機構是昂貴的、需要大量的停機時間、並且阻止正在處理的基板尺寸之間的快速變化。
當製造光學裝置(諸如波導、平坦光學裝置、超表面、彩色濾光片及抗反射塗層)時，通常會使用減小的基板尺寸。光學裝置被設計成具有高折射率和低吸收損耗特性。在光學裝置形成期間，溫度控制和划痕減少有助於改進光學裝置效能。
當處理較小基板時，利用模擬處理腔室被配置為處理的較大基板的尺寸和形狀的基板載體。基板載體在組成上相似於基板，並且當基板在不同的處理腔室和傳送腔室之間通過時保持基板。然而，基板載體在定位在其中的基板的加熱和冷卻的能力和控制方面是受限制的，並且基板在傳送期間經常偏移。受限制的加熱/冷卻控制有時會導致基板的過度處理或處理不足，或導致基板偏移。基板偏移可能會導致不均勻處理或基板自身上的划痕。
因此，當利用基板載體時，需要改進基板加熱/冷卻並減少基板偏移。
本公開大致涉及被配置為在半導體處理期間使用的基板載體。在一個實施例中，基板載體包括載體基座和夾持環。載體基座包括外基座表面、設置在外基座表面的徑向內側的下基座表面、設置在外基座表面的徑向內側並與下基座表面相對的上基座表面、從上基座表面且朝向下基座表面設置的基板凹穴、形成在下基座表面與基板凹穴之間的複數個氣體通道、及形成在上基座表面上的一個或多個基座對準特徵。夾持環設置在上基座表面上。夾持環包括外夾持表面、設置在外夾持表面的徑向內側的下夾持表面、設置在外夾持表面的徑向內側並與下夾持表面相對的上夾持表面、及在外夾持表面的徑向內側並連接下夾持表面和上夾持表面的內夾持表面。內夾持表面徑向向內延伸超過基板凹穴。
在另一實施例中，描述了另一基板載體。基板載體包括載體基座和夾持環。載體基座包括外基座表面、下基座表面、與下基座表面相對的上基座表面、從上基座表面且朝向下基座表面設置的基板凹穴、從基板凹穴延伸的一個或多個基板支撐特徵、形成在下基座表面與基板凹穴之間的複數個氣體通道、及形成在上基座表面上的一個或多個基座對準特徵。夾持環設置在上基座表面上。夾持環包括與外基座表面對齊或從外基座表面徑向向外延伸的外夾持表面、下夾持表面、與下夾持表面相對的上夾持表面、在外夾持表面的徑向內側並在基板凹穴上方徑向向內延伸的內夾持表面，及在下夾持表面上的一個或多個夾持環對準特徵。
在又一實施例中，描述了一種包括載體基座的基板載體。載體基座包括具有約300毫米至約325毫米的直徑的外基座表面、在外基座表面的徑向內側的下基座表面、與下基座表面相對並在外基座表面的徑向內側的上基座表面、從上基座表面且朝向下基座表面設置的基板凹穴、從基板凹穴延伸的基板支撐環、及形成在下基座表面與基板凹穴之間並設置在基板支撐環的徑向內側的複數個氣體通道。複數個氣體通道包括超過100個氣體通道，每個氣體通道具有約10密耳至約75密耳的直徑。一個或多個基座對準特徵形成在上基座表面上。
本公開涉及一種具有改進溫度控制和減少滑動的基板載體。為了在為較大基板(例如，晶圓)尺寸而配置的系統中運行小基板尺寸，使用相似於本文所述的基板載體。基板載體用於傳送和處理較小尺寸的基板。然而，先前的基板載體對基板溫度的控制不佳。不佳的基板溫度控制會降低處理效能。
本文所述的基板載體藉由使背面氣體能夠在基板背面流動而能夠改進基板溫度控制。在基板背面流動的背面氣體增強了導熱性和對基板溫度的控制，使得基板的溫度更接近加熱器或基架的溫度。背面氣體的流動因此改進了各種基板處理操作(諸如沉積處理、蝕刻處理及退火處理)的處理效能。沉積處理包括原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)及物理氣相沉積(PVD)。蝕刻處理包括乾式蝕刻處理，諸如反應性離子蝕刻(RIE)。退火處理包括快速熱處理(RTP)或爐處理。使用基板溫度控制來改進處理結果的其他處理也可受益於如本文所述的基板載體。本文所述的實施例在PVD操作期間特別有益，因為載體被配置為能夠改進加熱/冷卻控制，同時仍使均勻電場能夠通過在載體位於其上的基架內的電極與作為磁控管組件的一部分形成的電極之間的基板。
特別地，本文所述的基板載體在諸如非晶氧化鈮(α-NbO x)沉積或高折射率氧化鈦(TiO x)沉積的沉積處理期間是有益的。α-NbO x和TiO x沉積得益於增強的處理控制。在α-NbO x沉積其間，會希望具有低的膜損失和改進的非晶化。形成α-NbO x層包括跨基板施加直流(DC)功率和電場，同時使處理氣體(諸如淨化氣體)作為背面氣體並在處理腔室內流動。α-NbO x沉積在沉積與冷卻操作之間循環，直到α-NbO x達到預定厚度。在一些實施例中，獲得厚度大於250奈米且膜損失小於約0.03%的α-NbO x層的形成。在α-NbO x層形成期間，使用低的基板溫度獲得良好的層形成結果和改進的非晶化。
在TiO x沉積期間，具有低的膜損失同時形成具有折射率等於或大於約2.75的層是有益的。形成TiO x層包括在加熱基板時施加偏壓功率以跨基板形成電場。已證明結晶(金紅石相)TiO x具有更高的折射率。已證明較高的基板處理溫度以及跨基板應用射頻(RF)偏壓可增加TiO x層的折射率，同時減少薄膜損失。已證明較高的RF偏壓可緻密化TiO x膜，並且已證明增加基板溫度可更有效地形成金紅石相TiO x。
本文所述的基板載體具有大小適於容納較小基板的凹穴。在載體的基座的底表面與基板定位在其中的凹穴之間形成氣體通道。氣體通道被配置為藉由增加在基板與載體之間以及在基板與載體定位在其上的加熱器及/或基架之間的熱導率來增加基板溫度控制。本文所述的基板載體提供了大大改進的溫度控制。在本文所述的實施例中，基板載體有助於將基板的溫度控制在約20°C至約400°C之間。
夾持環安裝在基板上方，以將基板保持在基板載體內的適當位置。藉由在夾持環上施加與由背面氣體施加的向上力相反的向下力和基板上方的容積與基板下方的容積之間的壓力差，夾持環防止基板在氣體被施加到基板背面時偏移。
在諸如上述的NbO x和TiO x沉積處理的處理中，會在基板上方的處理區域內的壓力與基板和基板載體之間的容積之間施加壓力差。壓力差是由施加背面氣體的流動引起的。在其中處理腔室最初被配置為處理由基板載體保持的300毫米基板和200毫米基板的實施例中，基板上方的壓力為約1毫托至約6毫托，而基板下方的背面壓力為約3托至約8托。因此，會跨基板施加約3托至約8托的壓力差。夾持環有助於向基板施加向下的力。在一些實施例中，夾持環本身具有大於約3公斤(kg)的質量，諸如約4公斤。在其中使用較大壓力差的實施例中，可使用較重夾持環，諸如質量大於約7公斤的夾持環，諸如質量大於約8公斤的夾持環，諸如質量大於約9公斤的夾持環。
然而，夾持環的增加的重量將導致基板載體和基板的總重量大於一般的300毫米基板。因此，傳送裝置(諸如定位在傳送腔室或工廠界面中的機器人)在不重新設計或改裝的情況下將難以準確地且快速地移動載體。因此，還描述了使用重量更輕的夾持環的附加實施例。具有較輕重量夾持環的實施例使用定位在每個單獨處理腔室內的夾持環，來在施加壓力差時壓住夾持環。
在又一些實施例中，夾持環和基板載體的基座被配置為鎖在一起，使得夾持環不加重，但仍然在基板上施加向下的力。
圖1是物理氣相沉積(PVD)處理腔室100的示意性剖視圖。應理解的是，下文所述的PVD腔室100是示例性PVD腔室，並且其他的PVD腔室(包括來自其他製造商的PVD腔室)可與本公開一起使用或被修改以利用本公開。
PVD腔室100用於在基板102上形成光學裝置。PVD腔室100被配置為使用保持基板102的基板載體111。PVD腔室100包括附接到腔室主體108的複數個陰極，該複數個陰極包括至少一個介電靶材陰極101和至少一個光學裝置材料靶材陰極103，具有相應的複數個靶材，該複數個靶材包括至少一個介電靶材104和至少一個光學裝置材料靶材106(例如金屬或半導體靶材)。雖然圖1描繪了一個介電靶材104和一個光學裝置材料靶材106，但PVD腔室100可包括一個或多個介電靶材104及/或一個或多個光學裝置材料靶材106。例如，在PVD腔室100中可包括選自介電靶材104或光學裝置材料靶材106中之至少一者的3個至5個靶材。在具有一個或多個介電靶材104和一個或多個光學裝置材料靶材106的實施例中，每個介電靶材104可操作以沉積不同的摻雜材料及/或每個光學裝置材料靶材106可操作以沉積不同的光學裝置材料。
PVD腔室100被配置為包括具有支撐表面112的基板支撐件110，用以支撐基板載體111和基板102。PVD腔室100包括開口134(例如狹縫閥)，光學裝置基板可以穿過該開口134進入PVD腔室100的處理容積105。
基板支撐件110包括RF偏壓電源114，該RF偏壓電源114耦合到設置在基板支撐件110中的偏壓電極116。PVD腔室100包括濺射氣體源136，該濺射氣體源136提供諸如氬氣(Ar)的濺射氣體。PVD腔室100包括反應性氣體源138，該反應性氣體源138提供反應性氣體，諸如含氧氣體或含氮氣體。
基板支撐件110包括諸如腔室夾持件142的機構，該機構將基板載體111或基板(諸如基板102)固定在基板支撐件110的支撐表面112上。該機構還可以包括靜電卡盤、真空卡盤等。腔室夾持件142是固定夾持件並設置在PVD腔室100內的護罩140的頂部。基板支撐件110被配置為包括設置在基板支撐件110中的冷卻導管118，其中冷卻導管118可控地將基板支撐件110、基板載體111及定位在其上的基板102冷卻至預定溫度，例如在約20°C至約400°C之間。冷卻導管118耦合到冷卻流體源120，用以提供冷卻流體。基板支撐件110進一步被配置為包括嵌入於其中的加熱器122。設置在基板支撐件110中的加熱器122(諸如電阻元件)耦合到可選的加熱器電源124，並且可控地將基板支撐件110和定位在其上的基板102加熱到預定溫度，例如在約30°C至300°C之間。每個靶材(例如介電靶材104或光學裝置材料靶材106)具有DC電源126或RF電源128和相關的磁控管。多個電源使得直流供電處理和RF供電處理都能夠在相同的PVD腔室100中發生。
PVD腔室100包括處理氣體供應源130，用以將預定處理氣體供應至PVD腔室100的處理容積105。例如，處理氣體供應源130將含氧氣體供應至處理容積105，以在處理容積105中形成氧化環境。PVD腔室100還可包括前驅物氣體源132，用以供應由前驅物氣體流動控制器131控制的前驅物氣體，例如氣態摻雜前驅物。
圖2是定位在基板支撐件110的支撐表面112上的基板載體111的示意性剖視圖。基板載體111包括載體基座230a和夾持環240a。夾持環240a設置在載體基座230a的頂部。基板102定位在基板載體111內，使得夾持環240a和載體基座230a保持基板102。基板102定位在基板凹穴239內。腔室夾持件142可將基板載體111保持在基板支撐件110上。
基板支撐件110包括電極210和承載器204。背面氣體通道202設置為穿過基板支撐件110，並且延伸到支撐表面112。一個或多個排氣通道也可穿過基板支撐件110形成，並且從支撐表面112延伸。一個或多個排氣通道能夠減解由從背面氣體通道202引入氣體引起的壓力增加。複數個升降銷孔206穿過基板支撐件110形成，並且被配置為升高和降低基板載體111和基板102。升降銷孔206可包括設置在其中的插口，用以幫助維持背面壓力並減少氣體穿過升降銷孔206的洩漏。插口設置在升降銷孔206的鄰近支撐表面112的擴口部分中的升降銷孔206的頂部處。
基板載體111的載體基座230a設置在基板支撐件110的頂部上。基板支撐件110的支撐表面112包括載體支撐突出212。載體支撐突出212設置在每個升降銷孔206和背面氣體通道202的徑向外側。載體支撐突出212具有頂表面214，該頂表面214接觸載體基座230a的下基座表面232，並且在支撐表面112與下基座表面232之間形成第一背面氣室226。
基板凹穴239是從載體基座230a的上基座表面222向內延伸的凹陷。基板凹穴239的尺寸被設計成容納基板，諸如200毫米基板、150毫米基板、或100毫米基板。基板凹穴239從上基座表面222向下基座表面232延伸，但不完全通到下基座表面232。基板凹穴239以基板載體111的中心軸A為中心。中心軸A是垂直延伸到基板凹穴239的底表面502(圖5A和圖5B)、下基座表面232、及上基座表面222的軸。
一個或多個基板支撐特徵236和複數個氣體通道234在基板凹穴239內。複數個氣體通道234形成在下基座表面232與基板凹穴239之間，使得下基座表面232和基板凹穴239流體連通。複數個氣體通道234被配置為允許背面氣體從第一背面氣室226和背面氣體通道202流出。
一個或多個基板支撐特徵236設置在複數個氣體通道234的徑向外側。在一些實施例中，一個或多個基板支撐特徵236是基板支撐環。一個或多個基板支撐特徵236遠離基板凹穴239的底表面502且朝向上基座表面222設置在其中的平面突出。一個或多個基板支撐特徵236被配置為支撐基板102，並且將基板102與基板凹穴239的底表面502分開。一個或多個基板支撐特徵236以中心軸A為中心，並且被配置為形成在基板102與基板凹穴239的底表面502之間的密封，以在其間形成第二背面氣室238。複數個氣體通道234被配置為將氣體從第一背面氣室226供應到第二背面氣室238。
上基座表面222進一步包括一個或多個基座對準特徵248。在一些實施例中，基座對準特徵248是從上基座表面222向內延伸的開口，如圖2和圖5A所示。或者，基座對準特徵248是從上基座表面222向外延伸的突出，諸如圖5B的基座對準突出507。一個或多個基座對準特徵248被配置為幫助將上基座表面222與夾持環240a對準。一個或多個基座對準特徵248可包括兩個或更多個基座對準特徵248，諸如三個或更多個基座對準特徵248。在一些實施例中，使用單個基座對準特徵並將其成形為使夾持環240a能夠與載體基座230a準確對準。在一些實施例中，一個或多個基座對準特徵248包括鎖狀特徵，用以幫助將夾持環240a與載體基座230a對準，並且將夾持環240a鎖定就位，使得夾持環240a定位在載體基座230a上，然後稍微轉動以鎖定夾持環240a。使用一個或多個基座對準特徵248進一步防止夾持環240a和載體基座230a在處理期間相對於彼此旋轉。防止夾持環240a相對於載體基座230a的旋轉防止了載體對準特徵(諸如圖6A至圖6D的載體對準特徵602)在處理期間被覆蓋，並且防止了在讀取基板載體111的位置時引起系統故障或錯誤。
基板載體111的夾持環240a耦合到載體基座230a的上基座表面222。夾持環240a的下夾持表面302(圖3A)與上基座表面222隔開，並且至少部分地包圍基板102，同時留下開口以將基板102的頂表面暴露於處理容積。下夾持表面302與上基座表面222的隔開在其間形成間隙221。間隙221的存在有助於確保夾持環240a的全部重量靠在基板102上，以抵抗在第二背面氣室238中形成的背面壓力。間隙221小於約0.5毫米，諸如小於約0.3毫米，諸如小於約0.2毫米，諸如約0.1毫米至約0.2毫米。夾持環240a以中心軸A為中心，使得由夾持環240a形成的開口以中心軸A為中心。
夾持環240a的下夾持表面302(圖3A)包括一個或多個夾持環對準特徵246。夾持環對準特徵246的尺寸和位置被設計成能夠在一個或多個夾持環對準特徵246與一個或多個基座對準特徵248之間進行互鎖。因此，夾持環對準特徵246的數量與基座對準特徵248的數量相同。夾持環對準特徵246是基座對準特徵248的相反形狀以使兩者能夠互鎖。因此，當基座對準特徵248形成如圖2所示的開口時，夾持環對準特徵246便是一個或多個突出，該突出遠離下夾持表面302且延伸到由基座對準特徵248形成的開口中。或者，當基座對準特徵248形成突出(諸如圖5B的基座對準突出507)時，夾持環對準特徵246便形成開口(諸如圖3B的開口310)以容納該突出。
內突出244從夾持環240a的主體徑向向內延伸且超過基板102的邊緣。因此，內突出244在基板102上方形成唇部242，並且延伸超過基板凹穴239。
夾持環240a和載體基座230a形成基板102設置在其中的間隙。內突出244的唇部242和基板凹穴239的底表面502形成基板容納空間。在內突出244的唇部242與基板凹穴239的底表面502之間的高度H 1的尺寸被設計成容納基板。
在基板載體111被配置為保持100毫米基板的實施例中，高度H 1為約500微米至約550微米，諸如約515微米至約535微米，諸如約525微米至約530微米。在基板載體111被配置為保持125毫米基板的實施例中，高度H 1為約600微米至約650微米，諸如約615微米至約635微米，諸如約625微米至約630微米。在基板載體111被配置為保持150毫米基板的實施例中，高度H 1為約650微米至約700微米，諸如約665微米至約690微米，諸如約675微米至約680微米。在基板載體111被配置為保持200毫米基板的實施例中，高度H 1為約700微米至約750微米，諸如約715微米至約735微米，諸如約725微米至約730微米。高度H 1是大到足以容納特定尺寸的基板，但又小到足以防止基板在基板凹穴239內的偏移。
腔室夾持件142被配置為將基板載體111保持在基板支撐件110上。腔室夾持件142被配置為隨著基板支撐件110升高和降低而向上致動和向下致動。腔室夾持件142定位成當基板支撐件110處於降低位置時靠在護罩140上，並且當基板支撐件110及/或基板載體111接觸腔室夾持件142的夾持表面220時升高。護罩140包括豎直部分218，該豎直部分218被配置為在腔室夾持件142的支撐狹縫216的內部延伸。支撐狹縫216從腔室夾持件142的下表面形成，並且被配置為容納護罩140的豎直部分218，以使得腔室夾持件142當處於降低位置中時能夠由護罩140支撐，並且當處於升高位置中時能夠被抬離護罩140。夾持表面220是內腔室夾持突出224的下表面，其是腔室夾持件142在基板載體111的至少一部分上方徑向向內延伸的一部分。腔室夾持件142可被配置為接觸載體基座230a、夾持環240a、或載體基座230a和夾持環240a兩者。腔室夾持件142被加重以幫助將載體基座230a和夾持環240a保持在基板支撐件110上的適當位置。腔室夾持件142因此具有大於約3公斤的質量，諸如約4公斤。在其中使用較大壓力差的實施例中，可使用較重的腔室夾持件142，諸如具有質量大於約7公斤的腔室夾持件142，諸如具有質量大於約8公斤的腔室夾持件142，諸如具有質量大於約9公斤的腔室夾持件142。由於腔室夾持件142在處理操作之間保持在PVD腔室100中，因此腔室夾持件142的增加的質量不會導致整個基板載體111內的對準錯誤或傳送錯誤。
圖3A是圖2的實施例中使用的夾持環240a的示意性剖視圖。夾持環240a是可在圖2的基板載體111中使用的夾持環240a的第一實施例。夾持環240a包括從下夾持表面302突出的一個或多個夾持環對準特徵246。
夾持環240a包括外夾持表面306和內夾持表面308。外夾持表面306和內夾持表面308都是圓形表面，並且以中心軸A為中心。內夾持表面308和外夾持表面306是同心的。在一些實施例中，外夾持表面306和內夾持表面308中之一者或兩者包括平坦邊緣，諸如圖4所示的外夾持表面306的平坦邊緣402。
下夾持表面302設置在外夾持表面306的徑向內側，並且在外夾持表面306與內夾持表面308之間延伸。上夾持表面304設置在外夾持表面306的徑向內側，並且也在外夾持表面306與內夾持表面308之間延伸。上夾持表面304和下夾持表面302彼此相對形成。一個或多個夾持環對準特徵246從下夾持表面302延伸。
內夾持表面308形成夾持環240a的最內表面，使得內夾持表面308是內突出244的徑向最內表面。內夾持表面308被配置為具有第一直徑D 1。第一直徑D 1小於定位在基板載體111內的基板的直徑。唇部242從內夾持表面308的底部且徑向向外延伸。唇部242平行於下夾持表面302和上夾持表面304中之一者或兩者，以及平行於定位在基板載體111內的基板的頂表面。
第一直徑D 1隨著所處理基板的尺寸而變化。當100毫米基板定位在基板載體111內時，第一直徑D 1為約75毫米至約98毫米，諸如約80毫米至約95毫米，諸如約85毫米至約95毫米。當125毫米基板定位在基板載體111內時，第一直徑D 1為約100毫米至約123毫米，諸如約115毫米至約120毫米，諸如約118毫米至約120毫米。當150毫米基板定位在基板載體111內時，第一直徑D 1為約125毫米至約148毫米，諸如約130毫米至約145毫米，諸如約135毫米至約145毫米，諸如約140毫米至約145毫米。當200毫米基板定位在基板載體111內時，第一直徑D 1為約175毫米至約198毫米，諸如約180毫米至約195毫米，諸如約185毫米至約195毫米。
內夾持表面308的下部分305從內夾持表面308的最內部分徑向向外設置。下部分305相似地以中心軸A為中心，但具有比內夾持表面308大的直徑。下部分305具有第二直徑D 2。第二直徑D 2略大於第一直徑D 1。第二直徑D 2被配置為略大於定位在基板載體111內的基板。
當100毫米基板定位在基板載體111內時，第二直徑D 2為約101毫米至約110毫米，諸如約102毫米至約105毫米，諸如約103毫米至約105毫米。當125毫米基板定位在基板載體111內時，第二直徑D 2為約126毫米至約140毫米，諸如約126毫米至約130毫米，諸如約128毫米至約130毫米。當150毫米基板定位在基板載體111內時，第二直徑D 2為約151毫米至約165毫米，諸如約152毫米至約160毫米，諸如約152毫米至約155毫米。當200毫米基板定位在基板載體111內時，第二直徑D 2為約201毫米至約215毫米，諸如約202毫米至約210毫米，諸如約202毫米至約205毫米。第一直徑D 1與第二直徑D 2之間的差異為約1毫米至約15毫米，諸如約3毫米至約10毫米，諸如約5毫米至約10毫米。
外夾持表面306具有第三直徑D 3。第三直徑D 3大於第一直徑D 1和第二直徑D 2兩者。第三直徑D 3取決於基板載體111的構造而變化。在一些實施例中，第三直徑D 3隨著定位在基板載體111內的基板的尺寸而變化。當100毫米基板定位在基板載體111內時，第三直徑D 3為約125毫米至約310毫米，諸如約150毫米至約310毫米，諸如約200毫米至約305毫米。當125毫米基板定位在基板載體111內時，第三直徑D 3為約150毫米至約310毫米，諸如約200毫米至約310毫米，諸如約225毫米至約305毫米。當150毫米基板定位在基板載體111內時，第三直徑D 3為約175毫米至約310毫米，諸如約200毫米至約310毫米，諸如約250毫米至約305毫米。當200毫米基板定位在基板載體111內時，第三直徑D 3為約225毫米至約310毫米，諸如約250毫米至約310毫米，諸如約275毫米至約305毫米。
圖3B是可在圖2的實施例中使用的另一夾持環240b的示意性剖視圖。圖3B的夾持環240b相似於圖3A的夾持環240a，但一個或多個夾持環對準特徵246是從下夾持表面302延伸到夾持環240b的主體中的開口310。開口310是圓柱形開口，並且被配置為容納突出，諸如圖5B的基座對準突出507。
圖4是圖3A的夾持環240a的示意性底視圖。圖3B的夾持環240b的底視圖相似於圖4的視圖。如圖4所示，夾持環240a包括沿著外夾持表面306的平坦邊緣402。平坦邊緣402可有助於夾持環240a的對準，使得當夾持環240a設置在其上時，形成在載體基座230a上的對準特徵被暴露。或者，平坦邊緣402被配置為與設置在基板載體111內的基板的一部分對準。
平坦邊緣402沿著外夾持表面306的一側形成弦，使得外夾持表面306的圓形部分與平坦邊緣402在平坦邊緣402的第一端404和第二端406處相交。平坦邊緣402設置在第一端404與第二端406之間。平坦邊緣402形成外夾持表面306的一小部分，使得沿著外夾持表面306的第一端404與第二端406之間的角度差θ很小。在本文所述的實施例中，角度差θ小於約20度，諸如約1度至約20度，諸如約2度至約15度，諸如約2度至約10度。角度差θ是其中形成平坦邊緣402的圍繞中心軸A的角度。具有相對小的角度差θ使得夾持環240a與載體基座230a能夠對準，同時減少在基板的不同部分之間的力不平衡，並且能夠有更均勻的熱傳導。
圖5A是圖2的實施例中使用的載體基座230a的示意性剖視圖。載體基座230a是可在圖2的基板載體111中使用的載體基座230a的第一實施例。載體基座230a包括一個或多個基座對準特徵248，該基座對準特徵248是從上基座表面222向內延伸的開口。
載體基座230a包括連接上基座表面222和下基座表面232的外基座表面506。上基座表面222和下基座表面232從外基座表面506徑向向內突出。上基座表面222和下基座表面232位在載體基座230a的相對側上，使得載體基座230a形成具有外基座表面506的圓盤，該外基座表面506形成圓盤的外圓周。
基板凹穴239的底表面502包括穿過其中形成的複數個氣體通道234以及一個或多個基板支撐特徵236。在本文所述的實施例中，一個或多個基板支撐特徵236是單個基板支撐特徵，並且包括從底表面502向上朝向上基座表面222延伸的環形基板支撐環。基板支撐特徵236在基板與載體基座230a之間形成密封，使得由複數個氣體通道234引入的氣體維持在基板與底表面502之間的氣室內。
基板支撐特徵236具有第二高度H 2。基板凹穴239具有第三高度H 3。第三高度H 3是在上基座表面222與基板凹穴239的底表面502之間測量出。第二高度H 2小於第三高度H 3。第二高度H 2是大到足以將定位在基板凹穴239內的基板與底表面502分開的高度，使得基板的中心不接觸底表面502。改變第二高度H 2和第三高度H 3以確保夾持環對準特徵246和基座對準特徵248在處理期間保持配對，使得第二高度H 2和第三高度H 3被配置為控制基板102定位在上基座表面222之上的量。
第二高度H 2為約0.05毫米至約0.15毫米，諸如約0.08毫米至約0.12毫米，諸如約0.09毫米至約0.11毫米。第三高度H 3被配置為減少基板102在基板凹穴239內的滑動。在一些實施例中，第三高度H 3與第二高度H 2之間的差異至少為約0.15毫米至約0.3毫米，諸如約0.2毫米，以防止晶圓滑動。第三高度H 3為約200微米至約450微米，諸如約250微米至約400微米，諸如約275微米至約350微米。
氣體通道234中之每一者設置在基板支撐特徵236的徑向內側。基板支撐特徵具有帶第四直徑D 4的內表面。第四直徑D 4也是氣體通道234穿過基板凹穴239的底表面502形成的最外直徑。整個基板凹穴239具有第五直徑D 5，使得基板凹穴239具有帶第五直徑D 5的圓柱形側壁504。第四直徑D 4小於第五直徑D 5。第四直徑D 4比第五直徑D 5小約2.5毫米至約10毫米，諸如比第五直徑D 5小約3毫米至約8毫米，諸如比第五直徑D 5小約3毫米至約7毫米，諸如比第五直徑D 5小約3毫米至約5毫米。第四直徑D 4和第五直徑D 5取決於基板的尺寸而變化。第五直徑D 5大於定位在基板凹穴239內的基板的尺寸，但足夠小以減少在基板凹穴239內的偏移。
當100毫米基板定位在基板載體111內時，第五直徑D 5為約101毫米至約110毫米，諸如約102毫米至約105毫米，諸如約103毫米至約105毫米。當125毫米基板定位在基板載體111內時，第五直徑D 5為約126毫米至約140毫米，諸如約126毫米至約130毫米，諸如約128毫米至約130毫米。當150毫米基板定位在基板載體111內時，第五直徑D 5為約151毫米至約165毫米，諸如約152毫米至約160毫米，諸如約152毫米至約155毫米。當200毫米基板定位在基板載體111內時，第五直徑D 5為約201毫米至約215毫米，諸如約202毫米至約210毫米，諸如約202毫米至約205毫米。
當100毫米基板定位在基板載體111內時，第四直徑D 4為約90毫米至約97毫米，諸如約94毫米至約97毫米，諸如約95毫米至約97毫米。當125毫米基板定位在基板載體111內時，第四直徑D 4為約115毫米至約122毫米，諸如約118毫米至約122毫米，諸如約120毫米至約122毫米。當150毫米基板定位在基板載體111內時，第四直徑D 4為約140毫米至約147毫米，諸如約142毫米至約147毫米，諸如約145毫米至約147毫米。當200毫米基板定位在基板載體111內時，第四直徑D 4為約190毫米至約197毫米，諸如約193毫米至約197毫米，諸如約195毫米至約197毫米。
外基座表面506具有第六直徑D 6。第六直徑D 6被配置為相似於PVD腔室100被配置為處理的基板的直徑。因此，第六直徑D 6被配置為直徑相似於300毫米或200毫米直徑的基板。當PVD腔室100被配置為使用300毫米基板來操作時，第六直徑D 6為約295毫米至約305毫米，諸如約297毫米至約303毫米，諸如約298毫米至約302毫米，諸如約299毫米至約301毫米。當PVD腔室100被配置為使用200毫米基板來操作時，第六直徑D 6為約195毫米至約205毫米，諸如約197毫米至約203毫米，諸如約198毫米至約202毫米，諸如約199毫米至約201毫米。
基板支撐特徵236沿著從中心軸A的徑向方向的寬度是第一寬度W 1。基板支撐特徵236的寬度被配置為能夠良好地支撐基板，同時減少基板與載體基座230a的熱相互作用。第一寬度W 1為約1.0毫米至約3.0毫米，諸如約1.5毫米至約2.5毫米，諸如約1.8毫米至約2.2毫米，諸如約2.0毫米。
每個氣體通道234進一步具有一第二寬度W 2。第二寬度W 2是每個氣體通道234在該氣體通道穿過載體基座230a時的直徑。第二寬度W 2大到足以使足夠的氣體流過載體基座230a以控制基板的溫度，但又小到足以減少經由通過基板的電場形成的任何不均勻性。如果氣體通道234的尺寸較大，則氣體通道將在電場通過的介質中引起不一致性，並且在處理期間在基板上引起不均勻性。大直徑的氣體通道234還增加了在將RF偏壓施加到基板支撐基架(諸如基板支撐件110)期間在氣體通道234內的電漿點火的風險。第二寬度W 2為約10密耳至約75密耳，諸如約15密耳至約55密耳，諸如約16密耳至約50密耳。複數個氣體通道234包括超過100個氣體通道，諸如超過200個氣體通道，諸如超過300個氣體通道，諸如超過500個氣體通道，諸如超過700個氣體通道。氣體通道234的數量取決於定位在基板凹穴239內的基板的尺寸而改變。氣體通道234流體連接下基座表面232和基板凹穴239。
圖5B是可在圖2的實施例中使用的載體基座230b的第二實施例的示意性剖視圖。載體基座230b相似於圖5A的載體基座230a，但是基座對準特徵248被更換為基座對準突出507。基座對準突出507是圓柱形突出，並且被配置為延伸到開口中，諸如圖3B的夾持環240b內的開口310。可以有單個突出507或複數個突出507，諸如兩個突出507、三個突出507、或四個突出507。突出有助於在組裝期間對準載體基座230b和夾持環240b，並且在傳輸和處理基板期間將夾持環240b保持在適當位置。
圖6A至圖6D是在組裝的不同階段期間的基板載體111的示意性平面圖。圖6A示出了在其上沒有設置基板或夾持環的載體基座230a。載體基座230a包括作為環形支撐特徵的基板支撐特徵236，其中每個氣體通道234設置在基板支撐特徵236的徑向內側。基板被配置為定位在圓柱形側壁504的徑向內側。每個基座對準特徵圍繞基板凹穴239均勻隔開定位。載體基座230a包括在一個或多個基座對準特徵的徑向外側的載體對準特徵。載體對準特徵602被示為形成在上基座表面222和外基座表面506上的對準凹口。
圖6B示出了在基板102放置在基板凹穴239內之後的載體基座230a。基板102被定位在基板支撐特徵236上，並且在基板凹穴239內居中。在夾持環240a放置在載體基座230a上之前，基板102放置在基板凹穴239中。在圖6C中，夾持環240a放置在載體基座230a的頂部，使得夾持環240a和載體基座230a部分地包圍基板102。基板102的中心被暴露。在如圖6C所示的實施例中，夾持環240a的外半徑小於載體基座230a的外半徑，使得上基座表面222的外部分是暴露表面604。暴露表面604可以被腔室夾持件142抓住，而腔室夾持件142無需接觸夾持環240a。
圖6D示出了夾持環240a的外直徑相似於或大於載體基座230a的外直徑的實施例。在圖6D的實施例中，夾持環240a的外直徑相似於載體基座230a的外直徑。當夾持環240a和載體基座230a的外直徑相似時，外夾持表面306包括平坦邊緣402。平坦邊緣402形成上基座表面222的暴露部分606。暴露部分606包括載體對準特徵602。平坦邊緣402與載體對準特徵602對準，使得載體對準特徵602被暴露。
圖7是定位在基板支撐件110上的基板載體700的示意性剖視圖。基板載體700相似於基板載體111，但是夾持環240a被更換為夾持環240c，該夾持環240c具有外夾持表面306的第三直徑D 3，該第三直徑D 3相似於外基座表面506的第六直徑D 6。針對基板載體700，第三直徑D 3和第六直徑D 6具有小於約15毫米的差異，諸如小於約10毫米的差異，諸如小於約5毫米的差異，諸如小於約1毫米的差異。
將第三直徑D 3延伸到與第六直徑D 6大約相同，使夾持環240c能夠被腔室夾持件142夾持。使用腔室夾持件142來夾持夾持環240c能夠減少夾持環質量，並且減少在處理系統內傳輸部件的應力。與基板載體111的總厚度相比，總基板載體700的厚度也減小了。在圖7的實施例中，沒有基板102的基板載體700的質量小於約250克，諸如約100克至約250克，諸如約150克至約200克，諸如約160至約180克。在平行於中心軸A的方向上，基板載體700的總厚度小於約2.0毫米，諸如小於約1.7毫米，諸如約1.5毫米至約1.7毫米。總基板載體700的總質量被配置為小於具有相似外直徑的基板的質量的兩倍。因此，針對被配置為具有與質量為約125克的300毫米基板相似的外直徑的基板載體700，基板載體700具有小於約250克的質量。全部基板載體700的總質量，被配置為具有與質量為約53克的200毫米相似的外直徑的基板載體700，基板載體700具有小於約110克的質量，諸如小於約100克。
每個夾持環240a、240b、240c和載體基座230a、230b、230c的材料被配置為能夠有良好的導熱性，同時減少對基板102的污染或損壞。如本文所述，基板102是光學裝置，並且由諸如玻璃的矽形成。夾持環240a和載體基座230a可以是類似的材料，諸如單晶矽。在其他實施例中，夾持環240a和載體基座230a是金屬材料，諸如鈦或鋁。
圖8是被配置為保持複數個基板102和基板載體111的基板盒800的示意性剖視圖。基板盒800包括複數個貨架808。每個貨架808被配置為容納和支撐基板載體111。基板盒800最初被配置為支撐基板，諸如300毫米基板。然而，當使用較小基板時，基板載體111被配置為被保持在基板盒800內。因此，基板載體111的尺寸和重量被進一步配置為能夠放置在盒(諸如基板盒800)內。基板盒800進一步包括側壁802、頂板806及底板804。
圖9是定位在基板支撐件110上的另一基板載體900的示意性剖視圖。基板載體900相似於圖2的基板載體111，但是腔室夾持件142和夾持環240a被更換為腔室夾持環902。載體基座230a進一步被更換為載體基座230c。在一些實施例中，載體基座230c不包括基座對準特徵248。腔室夾持環902設置在護罩140的頂部，並且包括與基板載體111的支撐狹縫216相似的支撐狹縫916。腔室夾持環902被配置為夾持基板102，並且從載體基座230a的徑向外側延伸到基板102的外邊緣和基板凹穴239的外邊緣的徑向內側。基板102被唇部922夾持，該唇部922形成為腔室夾持環902的底表面的一部分。唇部922相似於夾持環240a的唇部242。腔室夾持環902的內邊緣924設置在基板102的外邊緣、基板凹穴239的外邊緣、及唇部922的徑向內側。
內邊緣924具有第七直徑D 7。第七直徑D 7相似於第一直徑D 1。第七直徑D 7隨著所處理基板的尺寸而變化。當100毫米基板定位在基板載體900內時，第七直徑D 7為約75毫米至約98毫米，諸如約80毫米至約95毫米，諸如約85毫米至約95毫米。當125毫米基板定位在基板載體900內時，第七直徑D 7為約100毫米至約123毫米，諸如約115毫米至約120毫米，諸如約118毫米至約120毫米。當150毫米基板定位在基板載體900內時，第七直徑D 7為約125毫米至約148毫米，諸如約130毫米至約145毫米，諸如約135毫米至約145毫米，諸如約140毫米至約145毫米。當200毫米基板定位在基板載體900內時，第七直徑D 7為約175毫米至約198毫米，諸如約180毫米至約195毫米，諸如約185至約195毫米。
腔室夾持環902的外邊緣具有第八直徑D 8。第八直徑D 8大於第六直徑D 6，使得第八直徑D 8從載體基座230a(圖5A)的外基座表面506的徑向外側延伸並超過護罩140的豎直部分218。
圖10是定位在基板支撐件110上的另一基板載體1000的示意性剖視圖。基板載體1000被配置為真空夾持基板載體，並且不包括夾持環(諸如夾持環240a、240b或腔室夾持環902中之任一者)。圖10的基板載體1000能夠在化學氣相沉積(CVD)操作期間來使用。真空被配置為穿過背面氣體通道202和複數個氣體通道234被施加到第一背面氣室226和第二背面氣室238。在使用載體1000的實施例中，基板102之上的壓力大於基板102和基板載體1000之下且在第一背面氣室226和第二背面氣室238內的壓力。在一些實施例中，基板102之上的壓力比基板102之下的壓力大1托以上。基板之上的壓力為約4托至約6托，諸如約4.5托至約5.5托，諸如約5托。基板之下的壓力為約2托至約4托，諸如約2.5托至約3.5托，諸如約3托。
圖11A至圖11C是在組裝的不同階段期間的具有多個基板凹穴239的載體1100的示意性平面圖。載體1100包括多凹穴載體基座1102。多凹穴載體基座1102包括具有複數個基板支撐區域1106a、1106b、1106c的頂表面1104。每個基板支撐區域1106a、1106b、1106c包括多個基板凹穴239。基板支撐區域1106a、1106b、1106c包括圍繞圓柱形側壁504設置的基座對準特徵248。基板凹穴239各自包括穿過基板凹穴239的底表面形成的複數個氣體通道234。每個基板凹穴239進一步包括一個或多個基板支撐特徵236。
在圖11A的實施例中，有三個基板支撐區域1106a、1106b、1106c，各自具有基板凹穴239。因此至少有第一基板支撐區域1106a、第二基板支撐區域1106b、及第三基板支撐區域1106c。在一些實施例中，可以有兩個基板支撐區域1106a、1106b或多於三個基板支撐區域1106a、1106b、1106c。
圖11B包括在複數個基板102a、102b、102c已被放置在基板支撐區域1106a、1106b、1106c的基板凹穴239內之後的多凹穴載體基座1102。如圖11C所示，在基板102a、102b、102c放置在基板凹穴239內之後，一個或多個夾持環240a圍繞每個基板凹穴239放置。因此，第一夾持環240a定位在第一基板支撐區域1106a上方的多凹穴載體基座1102的頂部。第二夾持環240a定位在第二基板支撐區域1106b的頂部。第三夾持環240a定位在第三基板支撐區域1106c的頂部。
圖12是具有多個基板凹穴239的另一載體1200和一體式夾持環1202的示意性平面圖。一體式夾持環1202是被配置為定位在多凹穴載體基座1102上方的一體式蓋。一體式夾持環1202包括複數個開口1206a，用以暴露複數個基板102a、102b、102c的頂表面。因此，第一開口1206a定位在第一基板102a上方，第二開口1206b定位在第二基板102b上方，並且第三開口1206c定位在第三基板102c上方。使用一體式夾持環1202使得組裝更容易，因為僅要組裝兩個部件。然而，與使用複數個夾持環240a相比，一體式夾持環1202更難製造和維護。
使用複數個對準特徵1204，來將一體式夾持環1202固定到多凹穴載體基座1102的頂表面1104。對準特徵1204可相似於夾持環對準特徵246或開口310。
儘管前述是針對本公開的實施例，但在不脫離本公開的基本範圍的情況下，可設計本公開的其他和進一步實施例，並且本公開的範圍由後面的申請專利範圍來決定。
100:腔室 101:介電靶材陰極 102:基板 102a:基板 102b:基板 102c:基板 103:光學裝置材料靶材陰極 104:介電靶材 105:處理容積 106:光學裝置材料靶材 108:腔室主體 110:基板支撐件 111:基板載體 112:支撐表面 114:RF偏壓電源 116:偏壓電極 118:冷卻導管 120:冷卻流體源 122:加熱器 124:加熱器電源 126:DC電源 128:RF電源 130:處理氣體供應源 131:前驅物氣體流動控制器 132:前驅物氣體源 134:開口 136:濺射氣體源 138:反應性氣體源 140:護罩 142:腔室夾持件 202:背面氣體通道 204:承載器 206:升降銷孔 210:電極 212:載體支撐突出 214:頂表面 216:支撐狹縫 218:豎直部分 220:夾持表面 221:間隙 222:上基座表面 224:內腔室夾持突出 226:第一背面氣室 230a:載體基座 230b:載體基座 230c:載體基座 232:下基座表面 234:氣體通道 236:基板支撐特徵 238:第二背面氣室 239:基板凹穴 240a:夾持環 240b:夾持環 240c:夾持環 242:唇部 244:內突出 246:夾持環對準特徵 248:基座對準特徵 302:下夾持表面 304:上夾持表面 305:下部分 306:外夾持表面 308:內夾持表面 310:開口 402:平坦邊緣 404:第一端 406:第二端 502:底表面 504:圓柱形側壁 506:外基座表面 507:突出 602:載體對準特徵 604:暴露表面 606:暴露部分 700:基板載體 800:基板盒 802:側壁 804:底板 806:頂板 808:貨架 900:基板載體 902:腔室夾持環 916:支撐狹縫 922:唇部 924:內邊緣 1000:載體 1100:載體 1102:多凹穴載體基座 1104:頂表面 1106a:基板支撐區域 1106b:基板支撐區域 1106c:基板支撐區域 1200:載體 1202:一體式夾持環 1204:對準特徵 1206a:開口 1206b:開口 1206c:開口 A:中心軸 H 1~H 3:高度 D 1~D 8:直徑 W 1~W 2:高度 θ:角度差
為了能夠詳細理解本公開的上述特徵的方式，以上簡要概述的本公開的更具體的描述可以藉由參考實施例來獲得，其中一些實施例在附圖中示出。然而，要注意的是，附圖僅示出示例性實施例，而因此不應被視為對其範圍的限制，可承認其他同等有效的實施例。
圖1是根據本文所述的實施例的物理氣相沉積(PVD)處理腔室的示意性剖視圖。
圖2是根據本文所述的實施例的定位在基板支撐件上的載體的示意性剖視圖。
圖3A是根據本文所述的一個實施例的可在圖2的實施例中使用的夾持環的示意性剖視圖。
圖3B是根據本文所述的另一實施例的可在圖2的實施例中使用的另一夾持環的示意性剖視圖。
圖4是根據本文所述的一個實施例的圖3A的夾持環的示意性底視圖。
圖5A是根據本文所述的一個實施例的可在圖2的實施例中使用的載體基座的示意性剖視圖。
圖5B是根據本文所述的另一實施例的可在圖2的實施例中使用的另一載體基座的示意性剖視圖。
圖6A至圖6D是根據本文所述的實施例的在組裝的不同階段期間的載體的示意性平面圖。
圖7是根據本文所述的另一實施例的定位在基板支撐件上的另一載體的示意性剖視圖。
圖8是根據本文所述的另一實施例的配置為保持複數個基板或基板載體的基板盒的示意性剖視圖。
圖9是根據本文所述的另一實施例的定位在基板支撐件上的另一載體的示意性剖視圖。
圖10是根據本文所述的另一實施例的定位在基板支撐件上的另一載體的示意性剖視圖。
圖11A至圖11C是根據本文所述的實施例的在組裝的不同階段期間的具有複數個基板凹穴的載體的示意性平面圖。
圖12是根據本文所述的實施例的具有複數個基板凹穴的另一載體和一體式夾持環的示意性平面圖。
為了便於理解，在可能的情況下使用了相同的元件符號來指示圖中共有的相同元件。可設想的是，一個實施例的元件和特徵可有益地結合到其他實施例中而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
102:基板
110:基板支撐件
111:基板載體
112:支撐表面
140:護罩
142:腔室夾持件
202:背面氣體通道
204:承載器
206:升降銷孔
210:電極
212:載體支撐突出
214:頂表面
216:支撐狹縫
218:豎直部分
220:夾持表面
221:間隙
222:上基座表面
224:內腔室夾持突出
226:第一背面氣室
230a:載體基座
232:下基座表面
234:氣體通道
236:基板支撐特徵
238:第二背面氣室
239:基板凹穴
240a:夾持環
242:唇部
244:內突出
246:夾持環對準特徵
248:基座對準特徵
A:中心軸
H1:高度

Claims (20)

  1. 一種用於保持一基板且適用於半導體製造的載體，包括： 一載體基座，該載體基座包括： 一外基座表面； 一下基座表面，設置在該外基座表面的徑向內側； 一上基座表面，設置在該外基座表面的徑向內側並與該下基座表面相對； 一基板凹穴，從該上基座表面且朝向該下基座表面設置； 複數個氣體通道，形成在該下基座表面與該基板凹穴之間；及 一個或多個基座對準特徵，形成在該上基座表面上；及 一夾持環，設置在該上基座表面上，該夾持環包括： 一外夾持表面； 一下夾持表面，設置在該外夾持表面的徑向內側； 一上夾持表面，設置在該外夾持表面的徑向內側並與該下夾持表面相對；及 一內夾持表面，在該外夾持表面的徑向內側，並且連接該下夾持表面和該上夾持表面，該內夾持表面徑向向內延伸超過該基板凹穴。
  2. 如請求項1所述之載體，其中該一個或多個基座對準特徵是從該上基座表面向外延伸的突出。
  3. 如請求項1所述之載體，其中該一個或多個基座對準特徵是從該上基座表面向內延伸的開口。
  4. 如請求項1所述之載體，其中該夾持環進一步包括在該下夾持表面上的一個或多個夾持環對準特徵。
  5. 如請求項1所述之載體，進一步包括： 一個或多個基板支撐特徵，從該基板凹穴延伸。
  6. 如請求項1所述之載體，其中該夾持環具有大於約3.5公斤的質量。
  7. 如請求項1所述之載體，其中該複數個氣體通道包括超過100個的流體連接該下基座表面和該基板凹穴的氣體通道。
  8. 如請求項1所述之載體，其中該複數個氣體通道中之每一者的一直徑為約10密耳至約75密耳。
  9. 如請求項1所述之載體，其中該基板凹穴具有約150毫米至約165毫米的一凹穴直徑。
  10. 如請求項1所述之載體，其中該基板凹穴具有約200毫米至約220毫米的一凹穴直徑。
  11. 一種用於保持一基板且適用於半導體製造的載體，包括： 一載體基座，該載體基座包括： 一外基座表面； 一下基座表面； 一上基座表面，與該下基座表面相對； 一基板凹穴，從該上基座表面且朝向該下基座表面設置； 一個或多個基板支撐特徵，從該基板凹穴延伸； 複數個氣體通道，形成在該下基座表面與該基板凹穴之間；及 一個或多個基座對準特徵，形成在該上基座表面上；及 一夾持環，設置在該上基座表面上，該夾持環包括： 一外夾持表面，與該外基座表面對齊延伸或從該外基座表面徑向向外延伸； 一下夾持表面； 一上夾持表面，與該下夾持表面相對； 一內夾持表面，在該外夾持表面的徑向內側，並且在該基板凹穴上方徑向向內延伸；及 一個或多個夾持環對準特徵，在該下夾持表面上。
  12. 如請求項11所述之載體，其中該複數個氣體通道包括超過100個的流體連接該下基座表面和該基板凹穴的氣體通道。
  13. 如請求項12所述之載體，其中該複數個氣體通道之該超過100個氣體通道中之每個氣體通道的一直徑為約10密耳至約75密耳。
  14. 如請求項11所述之載體，其中該外基座表面具有約300毫米至約325毫米的一外基座直徑，並且該外夾持表面具有約300毫米至約325毫米的一外夾持直徑。
  15. 如請求項11所述之載體，其中該一個或多個基板支撐特徵形成在該複數個氣體通道的徑向外側。
  16. 如請求項15所述之載體，其中該一個或多個基板支撐特徵是被配置為以該載體的一中心軸為中心的一基板支撐環。
  17. 如請求項11所述之載體，其中該載體基座包括一載體對準特徵，在該一個或多個基座對準特徵的徑向外側。
  18. 一種用於保持一基板且適用於半導體製造的載體，包括： 一載體基座，該載體基座包括： 一外基座表面，具有約300毫米至約325毫米的一直徑； 一下基座表面，且在該外基座表面的徑向內側； 一上基座表面，與該下基座表面相對並在該外基座表面的徑向內側； 一基板凹穴，從該上基座表面且朝向該下基座表面設置； 一基板支撐環，從該基板凹穴延伸； 複數個氣體通道，形成在該下基座表面與該基板凹穴之間並設置在該基板支撐環的徑向內側，該複數個氣體通道包括超過100個氣體通道，其中每個氣體通道具有約10密耳至約75密耳的一直徑；及 一個或多個基座對準特徵，形成在該上基座表面上。
  19. 如請求項18所述之載體，其中一載體對準凹口形成在該外基座表面或該下基座表面中之一者上。
  20. 如請求項18所述之載體，其中基板支撐環具有約1毫米至約3毫米的一支撐寬度。
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