TW202405519A - 透鏡部、積層體、顯示體、顯示體之製造方法及顯示方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可實現VR護目鏡之輕量化、高精細化之透鏡部。本發明實施形態之透鏡部，係用於對使用者顯示影像之顯示系統者，前述透鏡部具備：反射部，其包含反射型偏光構件及配置於前述反射型偏光構件之前方的吸收型偏光構件，該反射部係反射從顯示影像之顯示元件的顯示面朝前方射出且通過偏光構件及第1λ/4構件之光；第一透鏡部，係配置於前述顯示元件與前述反射部之間的光路上；半反射鏡，係配置於前述顯示元件與前述第一透鏡部之間，該半反射鏡係使從前述顯示元件射出之光透射，並使經前述反射部反射之光朝前述反射部反射；以及，第2λ/4構件，係配置於前述半反射鏡與前述反射部之間的光路上；使光從前述反射型偏光構件側入射前述反射型偏光構件與前述吸收型偏光構件之積層體時，正交透射率為0.5%以下。
Description
本發明涉及透鏡部、積層體、顯示體、顯示體之製造方法及顯示方法。
以液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如有機EL顯示裝置)為代表之影像顯示裝置急速普及。影像顯示裝置中，為了實現影像顯示、提高影像顯示之性能，一般係使用偏光構件、相位差構件等光學構件(例如參照專利文獻1)。
近年來，有開發出影像顯示裝置之新用途。例如，用以實現Virtual Reality(VR)之附顯示器之護目鏡(VR護目鏡)已開始產品化。有研討要將VR護目鏡利用在各種情況下，因而期望其輕量化、高精細化等。輕量化例如可藉由將用於VR護目鏡之透鏡予以薄型化來達成。另一方面，亦期望開發適於使用薄型透鏡之顯示系統的光學構件。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2021-103286號公報
發明欲解決之課題
鑑於上述，本發明主要目的在於提供一種可實現VR護目鏡之輕量化、高精細化之透鏡部。
用以解決課題之手段
1.本發明實施形態之透鏡部，係用於對使用者顯示影像之顯示系統者，前述透鏡部具備：反射部，其包含反射型偏光構件及配置於前述反射型偏光構件之前方的吸收型偏光構件，該反射部係反射從顯示影像之顯示元件的顯示面朝前方射出且通過偏光構件及第1λ/4構件之光；第一透鏡部，係配置於前述顯示元件與前述反射部之間的光路上；半反射鏡，係配置於前述顯示元件與前述第一透鏡部之間，該半反射鏡係使從前述顯示元件射出之光透射，並使經前述反射部反射之光朝前述反射部反射；以及，第2λ/4構件，係配置於前述半反射鏡與前述反射部之間的光路上；使光從前述反射型偏光構件側入射前述反射型偏光構件與前述吸收型偏光構件之積層體時，正交透射率為0.5%以下。
2.如上述1之透鏡部中，上述反射型偏光構件之反射軸與上述吸收型偏光構件之吸收軸亦可配置成互相平行。
3.如上述1或2之透鏡部中，上述第一透鏡部與上述半反射鏡亦可為一體。
4.如上述1至3中任一項之透鏡部，亦可具備配置於上述反射部之前方的第二透鏡部。
5.如上述1至4中任一項之透鏡部中，上述顯示元件所含之上述偏光構件之吸收軸與上述第1λ/4構件之慢軸構成的角度亦可為40°~50°，且上述顯示元件所含之上述偏光構件之吸收軸與上述第2λ/4構件之慢軸構成的角度亦可為40°~50°。
6.本發明實施形態之積層體係用於如上述1至5中任一項之透鏡部的上述反射部，且該積層體具有上述反射型偏光構件與上述吸收型偏光構件。
7.如上述6之積層體中，上述反射型偏光構件與上述吸收型偏光構件亦可透過接著層而積層。
8.如上述6或7之積層體中，上述反射型偏光構件之反射軸與上述吸收型偏光構件之吸收軸亦可配置成互相平行。
9.本發明實施形態之顯示體具有如上述1至5中任一項之透鏡部。
10.本發明實施形態之顯示體之製造方法係具有如上述1至5中任一項之透鏡部之顯示體之製造方法。
11.本發明實施形態之顯示方法，具有以下程序：使經由偏光構件及第1λ/4構件射出之顯示影像的光通過半反射鏡及第一透鏡部之程序；使通過前述半反射鏡及前述第一透鏡部之光通過第2λ/4構件之程序；使通過前述第2λ/4構件之光藉包含反射型偏光構件之反射部朝前述半反射鏡反射之程序；使經前述反射部及前述半反射鏡反射之光可藉由前述第2λ/4構件而透射前述反射部之前述反射型偏光構件之程序；以及，使透射前述反射型偏光構件之光透射吸收型偏光構件之程序；使光從前述反射型偏光構件側入射前述反射型偏光構件與前述吸收型偏光構件之積層體時，正交透射率為0.5%以下。
發明效果
根據本發明實施形態之透鏡部，可實現VR護目鏡之輕量化、高精細化。
以下參照圖式針對本發明實施形態進行說明，惟本發明不受該等實施形態所限。又，為了更明確說明圖式，相較於實施形態，有將各部分之寬度、厚度、形狀等示意顯示之情形，但僅為一例，非用以限定解釋本發明。
(用語及符號之定義)
本說明書中之用語及符號之定義如下。
(1)折射率(nx、ny、nz)
「nx」為面內折射率達最大之方向(亦即慢軸方向)的折射率，「ny」為在面內與慢軸正交之方向(亦即快軸方向)的折射率，而「nz」為厚度方向的折射率。
(2)面內相位差(Re)
「Re(λ)」係在23℃下以波長λnm之光測定之面內相位差。例如，「Re(550)」係於23℃下以波長550nm之光測定之面內相位差。Re(λ)可於令層(薄膜)之厚度為d(nm)時，藉由式：Re(λ)=(nx-ny)×d求出。
(3)厚度方向之相位差(Rth)
「Rth(λ)」係於23℃下以波長λnm之光測定之厚度方向之相位差。例如，「Rth(550)」係於23℃下以波長550nm之光測定之厚度方向之相位差。Rth(λ)可於令層(薄膜)厚度為d(nm)時，藉由式：Rth(λ)=(nx-nz)×d求出。
(4)Nz係數
Nz係數可藉由Nz=Rth/Re求出。
(5)角度
本說明書中提及角度時，該角度包含相對於基準方向往順時針方向及逆時針方向兩方向。因此，例如「45°」係指±45°。
圖1係顯示本發明一實施形態之顯示系統之概略構成的示意圖。圖1中係示意圖示顯示系統2之各構成要素之配置及形狀等。顯示系統2具備有：顯示元件12、反射部14、第一透鏡部16、半反射鏡18、第一相位差構件20、第二相位差構件22及第二透鏡部24。反射部14係配置於顯示元件12之顯示面12a側即前方，其可反射從顯示元件12射出之光。第一透鏡部16係配置於顯示元件12與反射部14之間的光路上，半反射鏡18係配置於顯示元件12與第一透鏡部16之間。第一相位差構件20係配置於顯示元件12與半反射鏡18之間的光路上，第二相位差構件22係配置於半反射鏡18與反射部14之間的光路上。
從半反射鏡起往前方配置之構成要素(圖式例中，為半反射鏡18、第一透鏡部16、第二相位差構件22、反射部14及第二透鏡部24)有時統稱為透鏡部(透鏡部4)。
顯示元件12例如為液晶顯示器或有機EL顯示器，且具有用以顯示影像之顯示面12a。要從顯示面12a射出之光例如會通過顯示元件12可能包含之偏光構件(代表上為偏光薄膜)後射出，成為第1直線偏光。
第一相位差構件20係λ/4構件，其可將入射第一相位差構件20之第1直線偏光轉換成第1圓偏光(以下，有時將第一相位差構件稱為第1λ/4構件)。此外，第一相位差構件20亦可設於顯示元件12上而成一體。
半反射鏡18係使從顯示元件12射出之光透射，並使經反射部14反射之光朝反射部14反射。半反射鏡18係設於第一透鏡部16上而成一體。
第二相位差構件22係λ/4構件，其可使經反射部14及半反射鏡18反射之光透射包含反射型偏光構件之反射部14(以下有時將第二相位差構件稱為第2λ/4構件)。此外，第二相位差構件22亦可設於第一透鏡部16上而成一體。
從第1λ/4構件20射出之第1圓偏光會通過半反射鏡18及第一透鏡部16，並藉由第2λ/4構件22轉換成第2直線偏光。從第2λ/4構件22射出之第2直線偏光不會透射反射部14所含之反射型偏光構件而朝半反射鏡18反射。此時，入射反射部14所含之反射型偏光構件之第2直線偏光的偏光方向係與反射型偏光構件之反射軸同方向。因此，入射反射部之第2直線偏光會被反射型偏光構件反射。
經反射部14反射之第2直線偏光藉由第2λ/4構件22轉換成第2圓偏光，而從第2λ/4構件22射出之第2圓偏光則通過第一透鏡部16而被半反射鏡18反射。經半反射鏡18反射之第2圓偏光會通過第一透鏡部16，並藉由第2λ/4構件22轉換成第3直線偏光。第3直線偏光會透射反射部14所含之反射型偏光構件。此時，入射反射部14所含之反射型偏光構件之第3直線偏光的偏光方向係與反射型偏光構件之透射軸同方向。因此，入射反射部14之第3直線偏光會透射反射型偏光構件。
透射反射部14之光會通過第二透鏡部24入射使用者之眼睛26。
例如，顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與反射部14所含之反射型偏光構件之反射軸可配置成互相大致平行，亦可配置成大致正交。顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與第一相位差構件20之慢軸構成的角度例如為40°~50°，可為42°~48°，亦可為約45°。顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與第二相位差構件22之慢軸構成的角度例如為40°~50°，可為42°~48°，亦可為約45°。
第一相位差構件20之面內相位差Re(550)例如為100nm~190nm，可為110nm~180nm，可為130nm~160nm，亦可為135nm~155nm。
第一相位差構件20宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。第一相位差構件20之Re(450)/Re(550)例如為0.75以上且小於1，亦可為0.8以上且0.95以下。
第二相位差構件22之面內相位差Re(550)例如為100nm~190nm，可為110nm~180nm，可為130nm~160nm，亦可為135nm~155nm。
第二相位差構件22宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。第二相位差構件22之Re(450)/Re(550)例如為0.75以上且小於1，亦可為0.8以上且0.95以下。
反射部14除了反射型偏光構件，亦可包含有吸收型偏光構件。吸收型偏光構件可配置於反射型偏光構件之前方。反射型偏光構件之反射軸與吸收型偏光構件之吸收軸可配置成互相大致平行，且反射型偏光構件之透射軸與吸收型偏光構件之透射軸可配置成互相大致平行。反射部14包含吸收型偏光構件時，反射部14亦可包含有具有反射型偏光構件與吸收型偏光構件之積層體。
圖2係顯示圖1所示顯示系統之反射部所用之積層體之一例的示意剖面圖。積層體30包含反射型偏光構件32與吸收型偏光構件34，且反射型偏光構件32與吸收型偏光構件34係透過接著層36而積層。藉由使用接著層，反射型偏光構件32與吸收型偏光構件34會被固定，而可防止反射軸與吸收軸(透射軸與透射軸)之軸配置偏移。又，可抑制可能形成於反射型偏光構件32與吸收型偏光構件34之間的空氣層造成之不良影響。接著層36可由接著劑形成，亦可由黏著劑形成。接著層36之厚度例如為0.05µm~30µm，宜為3µm~20µm，更宜為5µm~15µm。
上述反射型偏光構件可在將與其透射軸平行之偏光(代表上為直線偏光)維持其偏光狀態之狀態下透射，並反射其以外之偏光狀態的光。反射型偏光構件代表上係以具有多層結構之薄膜(有時稱為反射型偏光薄膜)構成。此時，反射型偏光構件之厚度例如為10µm~150µm，宜為20µm~100µm，更宜為30µm~60µm。
圖3係顯示反射型偏光薄膜所含之多層結構之一例的示意立體圖。多層結構32a交替具有具雙折射性之層A與實質上不具雙折射性之層B。構成多層結構之層的總數亦可為50~1000。舉例而言，A層之x軸方向的折射率nx大於y軸方向的折射率ny，而B層之x軸方向的折射率nx與y軸方向的折射率ny係實質上相同；在x軸方向上A層與B層之折射率差大，在y軸方向上則實質上為零。結果x軸方向會成為反射軸，y軸方向會成為透射軸。A層與B層在x軸方向上之折射率差宜為0.2~0.3。
上述A層代表上係以藉由延伸展現雙折射性之材料構成。所述材料可舉萘二甲酸聚酯(例如聚萘二甲酸乙二酯)、聚碳酸酯及丙烯酸系樹脂(例如聚甲基丙烯酸甲酯)。上述B層代表上係以即使延伸而實質上也不會展現雙折射性之材料構成。所述材料可舉例如萘二甲酸與對苯二甲酸之共聚酯。上述多層結構可組合共擠製與延伸來形成。例如，將構成A層之材料與構成B層之材料擠製後，進行多層化(例如使用倍增器)。接著，將所得多層積層體予以延伸。圖式例之x軸方向可對應延伸方向。
反射型偏光薄膜之市售物可舉例如3M公司製之商品名「DBEF」、「APF」、日東電工公司製之商品名「APCF」。
反射型偏光構件(反射型偏光薄膜)之正交透射率(Tc)例如可為0.01%~3%。反射型偏光構件(反射型偏光薄膜)之單體透射率(Ts)例如為43%~49%，宜為45%~47%。反射型偏光構件(反射型偏光薄膜)之偏光度(P)例如可為92%~99.99%。
上述吸收型偏光構件代表上可包含含二色性物質之樹脂薄膜(有時稱為吸收型偏光膜)。吸收型偏光膜之厚度例如為1µm以上且20µm以下，可為2µm以上且15µm以下，可為12µm以下，可為10µm以下，可為8µm以下，亦可為5µm以下。
上述吸收型偏光膜可由單層樹脂薄膜製作，亦可使用二層以上之積層體來製作。
由單層樹脂薄膜製作時，例如可藉由對聚乙烯醇(PVA)系薄膜、部分縮甲醛化PVA系薄膜、乙烯・乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等之親水性高分子薄膜，施行利用碘或二色性染料等之二色性物質進行之染色處理、延伸處理等，而獲得吸收型偏光膜。其中，宜為將PVA系薄膜用碘染色並進行單軸延伸所得之吸收型偏光膜。
上述利用碘進行之染色，例如可藉由將PVA系薄膜浸漬於碘水溶液中來進行。上述單軸延伸之延伸倍率宜為3~7倍。延伸可在染色處理後進行，亦可邊染色邊進行。又，亦可延伸後再染色。視需要，對PVA系薄膜施行膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。
作為使用上述二層以上之積層體來製作時的積層體，可列舉以下積層體：樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂薄膜)的積層體；或者樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層的積層體。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層的積層體而得之吸收型偏光膜，例如可藉由以下步驟來製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材並使其乾燥，於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層的積層體；及，將該積層體延伸及染色而將PVA系樹脂層製成吸收型偏光膜。本實施形態中，宜於樹脂基材之單側形成含鹵化物與聚乙烯醇系樹脂之聚乙烯醇系樹脂層。延伸在代表上包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中來延伸。並且視需求，延伸可更包含在硼酸水溶液中進行延伸前將積層體在高溫(例如95℃以上)下進行空中延伸。並且，在本實施形態中，宜將積層體供於乾燥收縮處理，該乾燥收縮處理係將積層體一邊往長邊方向輸送一邊加熱藉此使其於寬度方向收縮2%以上。代表上，本實施形態之製造方法包含對積層體依序施行空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及乾燥收縮處理。藉由導入輔助延伸，即便是在將PVA塗佈於熱塑性樹脂上之情況下仍可提高PVA之結晶性，而可達成高光學特性。又，同時事先提高PVA之定向性，可在後續的染色步驟或延伸步驟中浸漬於水中時，防止PVA之定向性降低或溶解等問題，而可達成高光學特性。並且，將PVA系樹脂層浸漬於液體中時，相較於PVA系樹脂層不含鹵化物之情況，更可抑制聚乙烯醇分子之定向紊亂及定向性之降低。藉此，可提升經由染色處理及水中延伸處理等將積層體浸漬於液體中來進行的處理步驟而得之吸收型偏光膜的光學特性。並且，透過乾燥收縮處理使積層體於寬度方向收縮，可提升光學特性。所得樹脂基材/吸收型偏光膜之積層體可直接使用(即，可將樹脂基材作為吸收型偏光膜之保護層)，亦可於從樹脂基材/吸收型偏光膜之積層體剝離樹脂基材後的剝離面、或於與剝離面相反側的面積層符合目的之任意適當的保護層來使用。所述吸收型偏光膜之製造方法之詳細內容記載於例如日本專利特開2012-73580號公報、日本專利第6470455號中。本說明書中係引用該等公報整體之記載作為參考。
吸收型偏光構件(吸收型偏光膜)之正交透射率(Tc)宜為0.5%以下，較宜為0.1%以下，更宜為0.05%以下。吸收型偏光構件(吸收型偏光膜)之單體透射率(Ts)例如為41.0%~45.0%，宜為42.0%以上。吸收型偏光構件(吸收型偏光膜)之偏光度(P)例如為99.0%~99.997%，宜為99.9%以上。
反射部之正交透射率(Tc)宜為0.5%以下，較宜為0.1%以下，更宜為0.05%以下。藉由滿足所述正交透射率，可抑制使用者視辨到重影(ghost)，從而可實現優異之顯示特性。反射部之單體透射率(Ts)宜為40.0%~45.0%，較宜為41.0%以上。反射部之偏光度(P)宜為99.0%~99.997%，較宜為99.9%以上。
上述反射部之光學特性可相當於反射型偏光構件之光學特性，亦可相當於反射型偏光構件與吸收型偏光構件之積層體之光學特性。上述反射部之光學特性可藉由於反射型偏光構件組合吸收型偏光構件來極良好地達成。
實施例
以下，藉由實施例來具體說明本發明，惟本發明不受該等實施例所限。此外，厚度係藉由下述測定方法測定之值。
＜厚度＞
10µm以下的厚度係使用掃描型電子顯微鏡(日本電子公司製，製品名「JSM-7100F」)進行測定。大於10μm的厚度係使用數位測微器(Anritsu公司製，產品名「KC-351C」)進行測定。
[實施例1-1]
(偏光膜1之製作)
熱塑性樹脂基材是使用長條狀且吸水率0.75%、Tg約75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度：100µm)。對樹脂基材之單面施行了電暈處理。
在以9：1混合聚乙烯醇(聚合度4200，皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改質PVA(Mitsubishi Chemical Co.製，商品名「GOHSENX Z410」)而成之PVA系樹脂100重量份中添加碘化鉀13重量份，並將所得者溶於水中而調製出PVA水溶液(塗佈液)。
於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液並在60℃下乾燥，藉此形成厚度13μm之PVA系樹脂層，而製作出積層體。
將所得之積層體於130℃之烘箱內在周速相異之輥間往縱向(長邊方向)進行自由端單軸延伸成2.4倍(空中輔助延伸處理)。
接著，使積層體浸漬於液溫40℃的不溶解浴(相對於水100重量份摻混4重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(不溶解處理)。
接著，於液溫30℃的染色浴(相對於水100重量份，以1：7之重量比摻混碘與碘化鉀而得之碘水溶液)中調整濃度的同時使其浸漬於其中60秒鐘，以使最後所得偏光膜的單體透射率(Ts)成為42.0%以上(染色處理)。
接著，使其浸漬於液溫40℃的交聯浴(相對於水100重量份摻混3重量份之碘化鉀並摻混5重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(交聯處理)。
然後，一邊使積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4重量%、碘化鉀濃度5重量%)中，一邊在周速相異之輥間往縱向(長邊方向)進行單軸延伸以使總延伸倍率達5.5倍(水中延伸處理)。
之後，使積層體浸漬於液溫20℃的洗淨浴(相對於水100重量份摻混4重量份之碘化鉀而得之水溶液)中(洗淨處理)。
之後，一邊在保持於90℃之烘箱中乾燥，一邊使其接觸表面溫度保持於75℃之SUS製加熱輥約2秒(乾燥收縮處理)。積層體進行乾燥收縮處理所致之寬度方向之收縮率為5.2%。
經由以上程序，於樹脂基材上形成了厚度5μm之偏光膜1(吸收型偏光膜)。
(吸收型偏光薄膜之製作)
於所得吸收型偏光膜之表面(積層體之偏光膜1側的面)透過紫外線硬化型接著劑貼合厚度25µm之環烯烴系樹脂薄膜作為保護層。具體而言，是以硬化後之接著劑層厚度成為約1µm之方式塗敷，並使用輥軋機進行貼合。然後，從環烯烴系樹脂薄膜側照射UV光線使接著劑硬化。接著，剝離樹脂基材，而獲得具有環烯烴系樹脂薄膜/吸收型偏光膜之構成的吸收型偏光薄膜。
(反射部用薄膜之製作)
透過黏著劑，以使反射型偏光薄膜之反射軸與吸收型偏光膜之吸收軸配置成互相平行之方式，將吸收型偏光膜貼合於反射型偏光薄膜(日東電工公司製之「APCFG4」)上，而獲得反射部用薄膜(積層薄膜)。
[實施例1~-2及實施例1~-3]
除了在製作偏光膜1時變更染色處理之條件外，以與實施例1-1相同方式而獲得反射部用薄膜。
[實施例1-4]
除了使用下述偏光膜2取代偏光膜1外，以與實施例1-1相同方式而獲得反射部用薄膜。
(偏光膜2之製作)
將厚度30μm之聚乙烯醇(PVA)系樹脂薄膜(Kuraray製，商品名「PE3000」)的長條捲材，利用輥延伸機往長邊方向進行單軸延伸使其沿長邊方向成為5.9倍，並同時依序施以膨潤、染色、交聯、洗淨處理後，最後施以乾燥處理，藉此製作出厚度12μm之偏光膜2。
上述膨潤處理係於20℃之純水中一邊進行處理一邊延伸成2.2倍。接著，染色處理係一邊於碘與碘化鉀之重量比為1：7之30℃的水溶液中進行處理一邊延伸成1.4倍，且該水溶液之碘濃度已調整成可使所得偏光膜之單體透射率成為42.0%以上。接著，交聯處理係採用二階段之交聯處理，第一階段之交聯處理係一邊於40℃的溶有硼酸與碘化鉀的水溶液中進行處理一邊延伸成1.2倍。第一階段之交聯處理的水溶液之硼酸含量為5.0重量%，碘化鉀含量係設為3.0重量%。第二階段之交聯處理係一邊於65℃的硼酸與碘化鉀的水溶液中進行處理一邊延伸成1.6倍。第二階段之交聯處理的水溶液之硼酸含量為4.3重量%，碘化鉀含量係設為5.0重量%。接著，洗淨處理係以20℃之碘化鉀水溶液進行處理。洗淨處理之水溶液的碘化鉀含量係設為2.6重量%。最後，在70℃下進行5分鐘乾燥處理而獲得偏光膜2。
[實施例1-5]
除了在製作偏光膜2時變更染色處理之條件外，以與實施例1-4相同方式而獲得反射部用薄膜。
[實施例2-1至實施例2-5]
除了使用日東電工公司製之「APCFG5」作為反射型偏光薄膜外，以與實施例1-1至實施例1-5相同方式而獲得反射部用薄膜。
[比較例1]
反射部用薄膜係使用日東電工公司製之「APCFG4」。
[比較例2]
反射部用薄膜係使用日東電工公司製之「APCFG5」。
針對實施例及比較例進行下述評估。將評估結果整合於表1。
＜評估＞
・單體透射率、正交透射率及偏光度
針對吸收型偏光膜(吸收型偏光薄膜)及反射部用薄膜，使用紫外線可見光光譜光度計(大塚電子公司製，「LPF200」)測定單體透射率Ts、平行透射率Tp及正交透射率Tc。Ts、Tp及Tc係以JIS Z8701之2度視野(C光源)進行測定並進行視感度校正後之Y值。此外，在反射部用薄膜之測定中係使光從反射型偏光薄膜側入射來進行。
又，從所得Tp及Tc利用下述式求算偏光度P。
偏光度P(%)={(Tp-Tc)/(Tp+Tc)}
1/2×100
[表1]
本發明不受上述實施形態所限，可進行各種變形。例如，可以實質上與上述實施形態所示構成相同之構成、可發揮相同作用效果之構成或可達成相同目的之構成作取代。
產業上之可利用性
本發明實施形態之透鏡部例如可用於VR護目鏡等之顯示體。
2:顯示系統
4:透鏡部
12:顯示元件
12a:顯示面
14:反射部
16:第一透鏡部
18:半反射鏡
20:第一相位差構件(第1λ/4構件)
22:第二相位差構件(第2λ/4構件)
24:第二透鏡部
26:使用者之眼睛
30:積層體
32:反射型偏光構件
32a:多層結構
34:吸收型偏光構件
36:接著層
A,B:層
X,Y,Z:軸
圖1係顯示本發明一實施形態之顯示系統之概略構成的示意圖。
圖2係顯示圖1所示顯示系統之反射部所用之積層體之一例的示意剖面圖。
圖3係顯示反射型偏光薄膜所含之多層結構之一例的示意立體圖。
2:顯示系統
4:透鏡部
12:顯示元件
12a:顯示面
14:反射部
16:第一透鏡部
18:半反射鏡
20:第一相位差構件(第1λ/4構件)
22:第二相位差構件(第2λ/4構件)
24:第二透鏡部
26:使用者之眼睛
Claims (11)
- 一種透鏡部，係用於對使用者顯示影像之顯示系統者，前述透鏡部具備： 反射部，其包含反射型偏光構件及配置於前述反射型偏光構件之前方的吸收型偏光構件，該反射部係反射從顯示影像之顯示元件的顯示面朝前方射出且通過偏光構件及第1λ/4構件之光； 第一透鏡部，係配置於前述顯示元件與前述反射部之間的光路上； 半反射鏡，係配置於前述顯示元件與前述第一透鏡部之間，該半反射鏡係使從前述顯示元件射出之光透射，並使經前述反射部反射之光朝前述反射部反射；以及 第2λ/4構件，係配置於前述半反射鏡與前述反射部之間的光路上； 使光從前述反射型偏光構件側入射前述反射型偏光構件與前述吸收型偏光構件之積層體時，正交透射率為0.5%以下。
- 如請求項1之透鏡部，其中前述反射型偏光構件之反射軸與前述吸收型偏光構件之吸收軸係配置成互相平行。
- 如請求項1之透鏡部，其中前述第一透鏡部與前述半反射鏡為一體。
- 如請求項1之透鏡部，其具備配置於前述反射部之前方的第二透鏡部。
- 如請求項1之透鏡部，其中前述顯示元件所含之前述偏光構件之吸收軸與前述第1λ/4構件之慢軸構成的角度為40°~50°，且 前述顯示元件所含之前述偏光構件之吸收軸與前述第2λ/4構件之慢軸構成的角度為40°~50°。
- 一種積層體，係用於如請求項1至5中任一項之透鏡部的前述反射部，且 該積層體具有前述反射型偏光構件與前述吸收型偏光構件。
- 如請求項6之積層體，其中前述反射型偏光構件與前述吸收型偏光構件係透過接著層而積層。
- 如請求項6之積層體，其中前述反射型偏光構件之反射軸與前述吸收型偏光構件之吸收軸係配置成互相平行。
- 一種顯示體，具有如請求項1至5中任一項之透鏡部。
- 一種顯示體之製造方法，係具有如請求項1至5中任一項之透鏡部之顯示體之製造方法。
- 一種顯示方法，具有以下程序： 使經由偏光構件及第1λ/4構件射出之顯示影像的光通過半反射鏡及第一透鏡部之程序； 使通過前述半反射鏡及前述第一透鏡部之光通過第2λ/4構件之程序； 使通過前述第2λ/4構件之光藉包含反射型偏光構件之反射部朝前述半反射鏡反射之程序； 使經前述反射部及前述半反射鏡反射之光可藉由前述第2λ/4構件而透射前述反射部之前述反射型偏光構件之程序；以及 使透射前述反射型偏光構件之光透射吸收型偏光構件之程序； 使光從前述反射型偏光構件側入射前述反射型偏光構件與前述吸收型偏光構件之積層體時，正交透射率為0.5%以下。
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