TW202404151A - 有機發光顯示裝置及其製造設備 - Google Patents

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鄭光鎬
崔明雲
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南韓商延原表股份有限公司
安炳喆
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Abstract

一種用於製造有機發光顯示裝置之設備可包含第一沈積腔室、第二沈積腔室及第三沈積腔室。第一沈積腔室可包含用以經由第一噴嘴排出用於形成第三有機發光裝置之第三發光材料的第一蒸鍍源，第一噴嘴設置以面向具有複數條紋圖案之基板上的鄰近條紋圖案之間的分離區域。第二沈積腔室可包含用以經由第二噴嘴排出用於形成第一有機發光裝置之第一發光材料的第二蒸鍍源，第二噴嘴設置以面向條紋圖案之第一區域。第三沈積腔室可包含用以經由第三噴嘴排出用於形成第二有機發光裝置之第二發光材料的第三蒸鍍源，第三噴嘴設置以面向條紋圖案之第二區域。第二噴嘴及第三噴嘴可相對於基板之移動方向在彼此相反之方向上傾斜。

Description

有機發光顯示裝置及其製造設備
本案係關於一種有機發光顯示裝置。
最近，已廣泛研發出具有諸如薄、重量輕及功率消耗低之優良特性的平板顯示器，且將其應用於各種領域。
在平板顯示裝置當中，有機發光顯示裝置為藉由將電荷注入至形成於第二電極與第一電極之間的有機發光層中而在電子與電洞形成對時發射光且接著電子及電洞消失的顯示裝置，該第二電極為電子注入電極，該第一電極為電洞注入電極。
精細金屬遮罩（FMM）用作用於沈積之圖案遮罩以針對各子像素沈積及形成構成有機發光裝置的有機發光層。
然而，在製造高清晰度（例如，每吋500像素（PPI）或更高）顯示裝置或大面積（例如，第8代或更高版本）顯示裝置時，使用FMM為各子像素形成發光層係相當困難的。此外，當使用FMM時，高清晰度的進一步提高是有限度的。
此外，當使用FMM時，存在良率降低且製造成本增加之問題。
此外，當使用FMM時，存在產品壽命縮短之問題，此係因為難以最佳化沈積。
實施例之目標為提供一種有機發光顯示裝置，其能夠在不使用諸如FMM之沈積圖案遮罩的情況下有效地形成發射層。
根據實施例之一個態樣，一種用於製造有機發光顯示裝置之設備包含：第一沈積腔室，其包含用以經由第一噴嘴排出用於形成第三有機發光裝置之第三發光材料的第一蒸鍍源，該第一噴嘴設置以面向具有複數個條紋圖案之基板上的鄰近條紋圖案之間的分離區域；第二沈積腔室，其包含用以經由第二噴嘴排出用於形成第一有機發光裝置之第一發光材料的第二蒸鍍源，該第二噴嘴設置以面向條紋圖案之第一區域；及第三沈積腔室，其包含用以經由第三噴嘴排出用於形成第二有機發光裝置之第二發光材料的第三蒸鍍源，該第三噴嘴設置以面向條紋圖案之第二區域，其中第二噴嘴及第三噴嘴相對於基板之移動方向在彼此相反之方向上傾斜。
該基板可包含複數個像素。複數個像素中之各者可包含第一子像素、第二子像素及第三子像素。該第一子像素、該第二子像素及該第三子像素可沿著第一方向交替地配置且沿著第二方向伸長，該條紋圖案之第一區域及第二區域的傾斜角可為60度至95度。在第一沈積腔室、第二沈積腔室及第三沈積腔室中之各者中的沈積期間，基板用以在第一方向上移動。
第一沈積腔室用以朝向分離區域排出第三發光材料，以在第一子像素、第二子像素及第三子像素中之各者中共同形成第三有機發光層。
第一區可具有至少一或多個第一表面。第二沈積腔室用以朝向至少一或多個第一表面排出第一發光材料，以在第一子像素中形成第一有機發光層。
第二區可具有至少一或多個第二表面。第三沈積腔室用以朝向至少一或多個第二表面排出第二發光材料，以在第二子像素中形成第二有機發光層。
在第一沈積腔室中之沈積製程期間，基板用以在第一方向或第二方向上移動。在第二沈積腔室及第三沈積腔室中之沈積製程期間，基板用以在第一方向上移動。
該設備可包含：旋轉腔室，其用以使基板在第一沈積腔室與第二沈積腔室之間旋轉90度。
該設備可包含：輸入腔室，其能夠在第一沈積腔室之前端處在包含垂直於彼此之第一方向及第二方向的複數個方向上輸入基板。
第一發光材料可為紅色發光材料，第二發光材料可為綠色發光材料，且第三發光材料可為藍色發光材料。
第一發光材料可為綠色發光材料，第二發光材料可為紅色發光材料，且第三發光材料可為藍色發光材料。
在該實施例中，構成像素之兩個子像素（第一子像素及第二子像素）可位於條紋圖案之第一區域（第一傾斜表面）及第二區域（第二傾斜表面）上，另一子像素（第三子像素）可位於鄰近條紋圖案之間的分離區域上。在此狀況下，可沈積對應於第一至第三子像素之第一至第三有機發光層。此時，可分別使用自對準方法將第一有機發光層至第三有機發光層沈積於第一子像素至第三子像素上。
因此，對於難以使用FMM製造之高清晰度或大面積顯示裝置，可以並列結構形成子像素，藉此改良顯示裝置之效能，諸如功率消耗、明度、壽命等。
此外，由於可經由連續式（in-line）沈積方法實施並列結構，因此可降低投資成本且可改良生產率（例如，大約3倍或更多）。
此外，由於可在不使用FMM之情況下形成發光層，因此可改良良率且可降低製造成本。
此外，由於可在不使用FMM之情況下形成發光層，因此可經由沈積最佳化來延長產品壽命。
此外，像素可具有三維結構而非平面結構，使得可加寬發光區域且可改良壽命（例如，約4倍或更多）。
此外，由於其實施為三維結構，其中相較於現有平面結構，發射至少兩種或多於兩種不同色彩光之有機發光裝置經由條紋圖案之三維結構設置於至少兩個或多於兩個子像素上，因此可確保進一步提高的高清晰度使得可採用擴展實境（XR）相關裝置，諸如擴增實境（AR）、虛擬實境（VR）、混合實境（MR）等。
在下文中，將參看圖式詳細地描述實施例。在以下描述中，除非另外指定，否則顯示裝置可指有機發光顯示裝置。列方向或列線可將X軸方向表示為第一方向，且行方向或行線可將Y軸方向表示為垂直於第一方向之第二方向。在以下描述中，可互換地使用列方向、列線、第一方向、X軸方向等。此外，可混合行方向、行線、第二方向、Y軸方向等。
同時，第一方向可指Y軸方向，且第二方向可指X軸方向。在以下描述中，複數個子像素SPr、SPg及SPb可彼此接觸或間隔開。構成複數個子像素SPr、SPg及SPb之像素P可與其他鄰近像素P接觸或間隔開。當複數個子像素SPr、SPg及SPb間隔開或鄰近像素P間隔開時，黑色矩陣、堤層（bank）、障壁圖案、色彩阻擋圖案等可設置於藉由分離形成之分離區域上。
在以下描述中缺失的組件可為已知技術，但顯然，缺失組件亦在實施例之技術想法的範疇內。此外，為便於描述，隨附各種實施例之圖式中所展示的組件可在結構、形狀、厚度、寬度、面積、大小、體積等上不同於實際大量生產的產品中之對應組件。
圖1為示意性地展示根據第一實施例之有機發光顯示裝置的圖。圖2為示意性地展示根據第一實施例之各有機發光裝置之堆疊結構的圖。
參看圖1，根據實施例之有機發光顯示裝置10可包含基板100，其中複數個像素P沿著行方向（或第一方向）及列方向（或第二方向）以矩陣形式配置於顯示區域中。此處，列方向可為X軸方向，且行方向可為Y軸方向。
根據例示性實施例之有機發光顯示裝置10可為藉由朝向基板100之向上方向發射光來顯示影像的頂部發射型顯示裝置。根據例示性實施例之有機發光顯示裝置10可為藉由在基板100之向下方向上發射光來顯示影像的底部發射型顯示裝置。
複數個像素P可包含至少三種不同色彩之子像素，且可以例如紅色子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素之次序配置，但不限於此。舉例而言，紅色子像素SPr可被稱作第一子像素，綠色子像素SPg可被稱作第二子像素，且藍色子像素SPb可被稱作第三子像素。儘管圖中未示，但綠色子像素SPg、紅色子像素SPr及藍色子像素SPb可沿著第一方向（X軸方向）依次配置。儘管圖中未示，但紅色子像素SPr、藍色子像素SPb及綠色子像素SPg可沿著第一方向（X軸方向）依次配置。
同時，在該實施例中，子像素SPr、SPg及SPb中之各者可以條紋方式配置。相同色彩之子像素SPr、SPg及SPb可設置於相同行連續式，且不同色彩之子像素SPr、SPg及SPb可以行線為單位交替且重複地設置。亦即，相同色彩之子像素SPr、SPg及SPb可以沿著第二方向（Y軸方向）伸長之條紋形狀配置。舉例而言，紅色子像素SPr可以沿著第二方向伸長之條紋形狀配置。舉例而言，綠色子像素SPg可在第一方向上鄰近於紅色子像素SPr且可以沿著第二方向伸長之條紋形狀配置。舉例而言，藍色子像素SPb可在第一方向上鄰近於綠色子像素SPg且可以沿著第二方向伸長之條紋形狀配置。
在此狀況下，在列線方向上鄰近於彼此而設置的紅色子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素SPb可構成像素P，該像素為彩色顯示器之單位。
因而，在該實施例中，不同色彩之子像素SPr、SPg及SPb可沿著列線方向以並列結構配置。
子像素SPr、SPg及SPb中之各者可具備發射對應色彩之有機發光裝置。
如圖2中所展示，紅色有機發光裝置可設置於紅色子像素SPr中，綠色有機發光裝置可設置於綠色子像素SPg中，且藍色有機發光裝置可設置於藍色子像素SPb中。舉例而言，紅色有機發光裝置可被稱作第一有機發光裝置，綠色有機發光裝置可被稱作第二有機發光裝置且藍色有機發光裝置可被稱作第三有機發光裝置，但不限於此。
紅色有機發光裝置、綠色有機發光裝置及藍色有機發光裝置可分別包含作為下部電極之第一電極E1、作為上部電極之第二電極E2以及插入於第一電極E1與第二電極E2之間的有機發光層R-EML、G-EML及B-EML。亦即，紅色有機發光裝置可包含產生紅光之紅色有機發光層R-EML，綠色有機發光裝置可包含產生綠光之綠色有機發光層G-EML，且藍色有機發光裝置可包含產生藍光之藍色有機發光層B-EML。舉例而言，紅色有機發光層R-EML可被稱作第一有機發光層，綠色有機發光層G-EML可被稱作第二有機發光層且藍色有機發光層B-EML可被稱作第三有機發光層。
此處，第一電極E1可為陽極電極及陰極電極中之一者，且第二電極E2可為陽極電極及陰極電極中之另一者。在該實施例中，可將第一電極E1為陽極電極且第二電極E2為陰極電極之狀況視為示例。
此外，紅色有機發光裝置、綠色有機發光裝置及藍色有機發光裝置可分別包含第一電極E1與有機發光層R-EML、G-EML及B-EML之間的電洞傳輸結構，以及有機發光層R-EML、G-EML及B-EML與第二電極E2之間的電子傳輸結構。電洞傳輸結構及電子傳輸結構中之各者可包含複數個有機層。替代地，電洞傳輸結構及電子傳輸結構中之各者可包含複數個有機層及至少一個無機層。舉例而言，電洞傳輸結構可被稱為第一傳輸結構，電子傳輸結構可被稱為第二傳輸結構，或反之亦然。
電洞傳輸結構可包含電洞注入層HIL及/或電洞傳輸層HTL，但亦可包含更多有機層。電洞注入層HIL及/或電洞傳輸層HTL可用以將電洞供應至有機發光層R-EML、G-EML及B-EML。電子傳輸結構可用以注入電子，且電子傳輸層ETL可包含電子注入層EIL及/或電子傳輸層ETL，但亦可包含更多有機層。電子注入層EIL及/或電子傳輸層ETL可用以將電子供應至有機發光層R-EML、G-EML及B-EML。圖2中所展示之有機發光層的堆疊結構可為示例，且各種修改係可能的，且稍後將描述各種可變形的堆疊結構。
包括於電洞傳輸結構及/或電子傳輸結構中之複數種有機材料可共同設置於紅色子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素Spb中之各者中。因此，電洞傳輸結構及/或電子傳輸結構可被稱為共同層。亦即，電洞傳輸結構可被稱作第一共同層，且電子傳輸結構可被稱作第二共同層，或反之亦然。根據實施例，即使共同層共同設置於紅色子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素Spb中之各者中，紅色子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素SPg中之各者的共同層之厚度仍可彼此不同。此可藉由具有至少兩個區域及複數個蒸鍍源之條紋圖案STP實施，在該等區域中界定紅色子像素SPr及綠色子像素SPg，該等蒸鍍源用於相對於基板100在不同方向上蒸鍍紅色發光材料、綠色發光材料及藍色發光材料。儘管圖中未示，但包括於電洞傳輸結構及/或電子傳輸結構中之複數種有機材料可彼此分離地設置於子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素Spb中之各者中。
同時，在一實施例中，藍色有機發光層B-EML可設置於藍色子像素SPb以及紅色子像素SPr及綠色子像素SPr中。亦即，藍色有機發光層B-EML可共同設置於紅色子像素SPr、綠色子像素SPr及藍色子像素SPb中。在此狀況下，紅色有機發光層R-EML及綠色有機發光層G-EML可設置於藍色有機發光層B-EML上。在此狀況下，電洞傳輸結構之電洞可經由藍色有機發光層B-EML供應至紅色有機發光層R-EML或綠色有機發光層G-EML。此外，電子傳輸結構之電子可被供應至紅色有機發光層R-EML或綠色有機發光層G-EML。因此，在發光材料由於紅色有機發光層R-EML或綠色有機發光層G-EML中之電洞與電子的組合而被能量激發之後，可產生光同時返回至基態。
同時，罩蓋層CPL可定位於第二電極E2上。
同時，在該實施例中，可提供條紋圖案STP之至少兩個傾斜表面SS1及SS2以及鄰近條紋圖案STP之間的分離間隔。此外，可設置蒸鍍源以蒸鍍對應發光材料，以面向對應傾斜表面SS1及SS2以及分離間隔。因此，藉由對應蒸鍍源蒸鍍之對應發光材料可直接沈積於至少兩個傾斜表面SS1及SS2以及分離間隔中之各者上。因此，紅色有機發光裝置可形成為第一傾斜表面SS1上之紅色子像素SPr，且綠色有機發光裝置可形成為第二傾斜表面SS2上之綠色子像素SPg，且藍色有機發光裝置可形成為分離間隔上之藍色子像素SPb。結果，藉由不使用FMM或顯著減少FMM之數目，可顯著降低成本且可顯著簡化製造製程。
將參看圖3詳細地描述此情形。圖3為示意性地展示根據第一實施例之條紋圖案及發光層的橫截面圖。在圖3中，為便於描述，主要展示條紋圖案及發光層且省略其他組件。
參看圖1至圖3，在行線方向上延伸之複數個條紋圖案STP可形成於有機發光顯示裝置10之基板100上。
在此狀況下，可沿著列線方向針對各像素P重複地設置條紋圖案STP。亦即，條紋圖案STP可以像素P為單位週期性地設置。
條紋圖案STP可形成為對應於行線區域，其中可形成兩個鄰近子像素SP，例如紅色子像素SPr及綠色子像素SPg。亦即，紅色子像素SPr及綠色子像素SPg可分別定位於條紋圖案STP之對應第一及第二區域中。子像素SPr及綠色子像素SPg中之各者可沿著條紋圖案STP之長度方向伸長。藍色子像素SPb可定位於兩個鄰近條紋圖案STP之間的分離區域中，亦即，第三區域中。藍色子像素SPb可沿著條紋圖案STP之長度方向伸長。
條紋圖案STP可形成為寬度在基板100之向上方向上（亦即，在遠離基板100之方向上）變窄的錐形形狀，且寬度方向上之兩個側表面可形成為傾斜表面。在該實施例中，為便於描述，位於圖式左側之傾斜側表面可被稱作第一傾斜表面SS1，且位於右側之傾斜側表面可被稱作第二傾斜表面SS2。舉例而言，第一傾斜表面SS1可被稱作第一區域且第二傾斜表面SS2可被稱作第二區域，但不限於此。
如稍後將描述，條紋圖案STP可形成為沿著基板100之向上方向具有恆定寬度。亦即，條紋圖案STP可分別具有垂直於平面（或地面）之第一傾斜表面SS1及第二傾斜表面SS2。
同時，條紋圖案STP可用以在第一傾斜表面SS1與第二傾斜表面SS2之間具有連接第一傾斜表面SS1及第二傾斜表面SS2之上端的上表面（或頂表面）TM。上表面TM可具有實質上平坦的平面形狀，但不限於此且可具有彎曲形狀。
像素P之紅色子像素SPr及綠色子像素SPg可定位成分別對應於第一及第二傾斜表面表面SS1及SS2。藍色子像素SPb可定位成對應於鄰近條紋圖案STP之間的分離區域。
同時，在根據實施例之有機發光顯示裝置10中，藍色發光層B-EML可不僅形成於對應藍色子像素SPb中，而且形成於紅色子像素SPr及綠色子像素SPg中。換言之，藍色發光層B-EML可共同形成於基板100之整個區域中，亦即，所有子像素SP，亦即，紅色子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素SPb。此結構可被稱為藍色共同結構。
在此藍色共同結構中，藍色發光層B-EML可覆蓋條紋圖案STP且亦覆蓋鄰近條紋圖案STP之間的基板100之分離區域。
在此藍色共同結構中，位於藍色子像素SPb中之藍色發光層B-EML可用以產生藍色。位於紅色子像素SPr及綠色子像素SPg中之藍色發光層B-EML，亦即，第一斜面SS1及第二傾斜表面SS2，可充當電荷傳輸層（例如，電洞傳輸層）。
因而，在該實施例中，當沈積藍色發光層B-EML時，不需要使用分離的沈積圖案遮罩，諸如FMM。
紅色發光層R-EML可沈積於對應的第一傾斜表面SS1上，且綠色發光層G-EML可沈積於對應的第二傾斜表面SS2上。更具體而言，紅色發光層R-EML可沈積於位於對應第一傾斜表面SS1上之藍色發光層B-EML之一部分上，且綠色發光層G-EML可沈積於位於對應第二傾斜表面SS2上之藍色發光層B-EML之一部分上。
相比之下，在該實施例中，可提供具有傾斜形狀之條紋圖案STP，且由於條紋圖案STP之陰影效應，紅色發光材料可選擇性地沈積於對應的第一傾斜表面SS1上。紅色發光層R-EML可以圖案形成，且綠色發光材料可選擇性地沈積於對應的第二傾斜表面SS2上從而以圖案形成綠色發光層G-EML。
因而，藉由使用條紋圖案STP，紅色發光層R-EML及綠色發光層G-EML可藉由自對準（或自匹配）沈積方法以圖案形式形成於所要區域中。
因此，當沈積紅色發光層R-EML及綠色發光層G-EML時，不需要使用分離的沈積圖案遮罩，諸如FMM。
在下文中，進一步參看圖4至圖6，將描述根據第一實施例之沈積紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層的方法。
在圖4至圖6中，為便於解釋，可將沈積發光材料同時上面形成有條紋圖案STP之基板100在圖式之右方向上移動的狀況視為示例。
基板100可經設置使得條紋圖案STP面向下。因此，以預定間隔定位且蒸鍍沈積於基板100上之發光材料的蒸鍍源410至430可位於基板100下方。
參看與藍色發光層B-EML之沈積相關的圖4，在藍色發光層B-EML之沈積腔室中，上面形成有條紋圖案STP之基板100可在垂直於行方向（或Y軸方向）之列方向（或X軸方向）上移動，條紋圖案STP在行方向上延伸且可在基板100移動時沈積於基板100上。
相比之下，用於排出經蒸鍍發光材料之第一噴嘴415可位於藍色發光材料之第一蒸鍍源410的上表面上，且第一噴嘴415可在基板100之平面的法線方向（或Z軸方向）上，亦即，在垂直於基板100之平面的方向上延伸。
同時，可設置第一角度限制板416以限制沈積角度及/或沈積範圍。界定寬度比第一噴嘴415（或第一蒸鍍源410）寬之開口417的第一角度限制板416可設置於第一噴嘴415上。就此而言，例如，可設置在垂直於第一噴嘴415之兩側之方向上延伸的第一角度限制板416，且第一角度限制板416之上端可高於第一噴嘴415而定位。為了提高發光材料之材料使用效率，可組態沈積設備使得可減小基板100與第一噴嘴415之間的距離，且可增加第一角度限制板416與第一噴嘴415之距離（亦即，偏移值）。
基板100與第一噴嘴415之間的距離可為固定的，且根據第一蒸鍍源410之頂部上的第一角度限制板416之偏移值，可在調整半球方向之大小的同時排出藍色發光材料，且藍色發光材料可根據適當偏移值連續地沈積於基板100之整個表面上。此處，可定位對應於條紋圖案STP之傾斜表面的紅色子像素SPr及綠色子像素SPg，且可定位對應於基板100之平面的藍色子像素SPb。因此，在不同色彩之子像素中，藍色發光層B-EML可具有不同厚度。
同時，對於相同色彩之子像素，藍色發光層B-EML可形成為具有相同厚度。舉例而言，具有相同厚度之藍色發光層B-EML可形成於紅色子像素SPr中。具有相同厚度之藍色發光層B-EML可形成於綠色子像素SPg中，且具有相同厚度之藍色發光層B-EML可形成於藍色子像素SPb中。
參看與紅色發光層R-EML之沈積相關的圖5，在紅色發光層R-EML之沈積腔室中，上面形成有藍色發光層B-EML之基板100在列方向上移動，且紅色發光材料可在基板100移動時沈積於基板100上。
相比之下，用於排出經蒸鍍發光材料之第二噴嘴425可位於紅色發光材料之第二蒸鍍源420的上表面上，且第二噴嘴425可在相對於垂直於基板100之平面之方向傾斜的方向上延伸。亦即，第二噴嘴425可傾斜以便面向對應於紅色發光材料之沈積表面的條紋圖案STP之第一傾斜表面SS1。此時，藉由將第二角度限制板426設定為針對預蒸鍍基板之結構最佳化的沈積角度，紅色發光層R-EML可能不沈積於鄰近條紋圖案STP之間的分離區域（或藍色子像素SPb）中。此處，第二角度限制板426可設置於第二蒸鍍源420上以覆蓋該第二蒸鍍源。舉例而言，第二角度限制板426可包含在蒸鍍源420上覆蓋蒸鍍源420之水平部分426a 2及在與第二噴嘴425之傾斜方向（亦即，圖式中之右方向）相反的方向（亦即，圖式中之左方向）上定位且自水平部分426a向下彎曲以延伸的豎直部分426b。
因而，第二噴嘴425可用以向前傾斜以查看第一傾斜表面SS1，該第一傾斜表面為基於基板移動方向之向後傾斜表面。
在此狀況下，當自第二噴嘴425檢視基板100時，第二傾斜表面SS2與條紋圖案STP之間的分離區域可對應於陰影區域，且第一傾斜表面SS1可對應於可見區域。
因此，紅色發光材料可自第二噴嘴425排出且實質上垂直地入射於第一傾斜表面SS1上。
因此，紅色發光材料可實質上沈積於第一傾斜表面SS1上以在紅色子像素SPr中形成紅色發光層R-EML。
參看與綠色發光層G-EML之沈積相關的圖6，在綠色發光層G-EML之沈積腔室中，上面形成有紅色發光層R-EML之基板100在列方向上移動，且綠色發光材料可在基板100移動時沈積於基板100上。
相比之下，用於排出經蒸鍍發光材料之第三噴嘴435可位於綠色發光材料之第三蒸鍍源430的上表面上，且第三噴嘴435可在相對於垂直於基板100之平面之方向傾斜的方向上延伸。亦即，第三噴嘴435可傾斜以面向對應於綠色發光材料之沈積表面的條紋圖案STP之第二傾斜表面SS2。
此處，第三角度限制板436可設置於第三蒸鍍源430上以覆蓋該第三蒸鍍源。舉例而言，第三角度限制板436可包含在第三蒸鍍源430上覆蓋第三蒸鍍源430之水平部分436a及在與噴嘴435之傾斜方向（亦即，圖式中之左方向）相反的方向（亦即，圖式中之右方向）上定位且自水平部分436a向下彎曲以延伸的豎直部分436b。
因而，第三噴嘴435可用以向後傾斜以便檢視第二傾斜表面SS2，該第二傾斜表面為基於基板移動方向之向前傾斜表面。亦即，第三噴嘴435可在與第二噴嘴425相反之方向上傾斜。
在此狀況下，當自第三噴嘴435檢視基板100時，第一傾斜表面SS1與條紋圖案STP之間的分離區域可對應於陰影區域，且第二傾斜表面SS2可對應於可見區域。
因此，綠色發光材料可自第三噴嘴435排出且實質上豎直地入射於第二傾斜表面SS2上。
因此，綠色發光材料可實質上沈積於第二傾斜表面SS2上以在綠色子像素SPg中形成綠色發光層G-EML。
同時，在前述內容中，可已例示在形成紅色發光層R-EML之後形成綠色發光層G-EML的狀況，但沈積製程可以相反方式執行。
同時，關於藍色發光層B-EML之形成，形成於紅色子像素SPr及綠色子像素SPg上之藍色發光層B-EML的厚度可形成為比形成於藍色子像素SPb上之藍色發光層B-EML的厚度薄。此外，藉由最小化由於紅色子像素SPr及綠色子像素SPg之第一傾斜表面SS1及第二傾斜表面SS2所引起的沈積陰影而對藍色發光層B-EML之厚度的影響，藍色子像素SPb之藍色發光層B-EML在基板內可具有恆定厚度。
就此而言，可參看圖7。界定具有預定寬度之開口417的第四角度限制板418可設置於藍色發光材料之第一蒸鍍源410與基板100之間。舉例而言，開口417可具有比第一蒸鍍源410（或第一噴嘴415）寬的寬度。
此處，第四角度限制板418之上端可高於上文所論述之第一角度限制板416之上端，使得相較於使用第一角度限制板416之狀況，沈積角度變得更窄。
當使用第四角度限制板418時，藍色發光材料至基板100之入射角接近豎直線可變窄。
因此，沈積於紅色子像素SPr及綠色子像素SPg之第一傾斜表面SS1及第二傾斜表面SS2上的藍色發光層B-EML之厚度可變得較薄。舉例而言，紅色子像素SPr及綠色子像素SPg之藍色發光層B-EML的厚度可為藍色子像素SPb之藍色發光層B-EML的厚度之大約80%或更小。
因而，當藍色發光層B-EML之厚度變得較薄時，可最小化藍色摻雜劑對紅色子像素SPr及綠色子像素SPg之有機發光裝置的影響，藉此改良色調及裝置效率。
除藍色發光層B-EML以外，第一蒸鍍源410亦可應用於所有共同層（例如，電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、電子注入層EIL、電子傳輸層ETL及罩蓋層CPL）。此時，可藉由為共同層設計角度限制板之適當偏移值來最佳化針對各子像素SP所沈積之共同層的厚度。因此，取決於產品，若有必要區分各子像素之共同層，諸如改良光學特性，則蒸鍍源與角度限制板之各種組合的結構可為有可能的。
另一方面，為了改良或調整共同層之厚度均勻性，可使用最佳化圖4及圖7中所展示之蒸鍍源之結構的方法，或可使用改變沈積設備中之基板之移動的方法。
就此而言，例如，當沈積包括藍色發光層B-EML之共同層時，基板100之移動方向可為條紋圖案STP延伸之行方向（第二方向）。當沈積紅色發光層R-EML及綠色發光層G-EML時，基板100之移動方向可為垂直於行方向之列方向。在此狀況下，可最小化條紋圖案STP之陰影效應對共同層之沈積均勻性的影響，且可增加蒸鍍源之角度限制板的設計自由度，藉此改良材料使用效率。在此狀況下，可將用於旋轉基板之腔室添加至沈積設備。
進一步參看圖8，將更詳細地描述條紋圖案STP之設計結構及沈積設備之設計結構。在圖8中，為便於描述，可將綠色發光層G-EML之沈積視為示例，且未展示形成於綠色發光層G-EML下方之藍色發光層B-EML及第一電極E1。圖8(B)為圖8(A)之基板之一部分的放大視圖。
在將發光材料沈積於傾斜表面上時，用於設計條紋圖案STP之主要因素可為高度H、第一寬度W1及第二寬度W2。高度H可為條紋圖案STP之高度。第一寬度W1可為垂直於條紋圖案STP之第一傾斜表面SS1投影的寬度。第二寬度W2可為鄰近條紋圖案STP之間的分離區域之寬度。
用於藉由陰影效應將對應綠色發光材料沈積於第二傾斜表面SS2上之沈積角度θe（或最大沈積角度）可由以下等式1表達。
等式1：tanθe=H/(W1+W2)
就此而言，相對於作為參考之基板100之平面，可繪製自綠色子像素SPg之有效發光區域之下部點連接位於下部點前方之條紋圖案STP的上表面TM之一個末端的虛擬線，且此虛擬線將實際上對應於等式1之沈積角度θe。
同時，用於沈積上文之傾斜表面的沈積設備之組件可經配置以滿足沈積角度θe。
相比之下，第三角度限制板436可設置於綠色發光材料之第三蒸鍍源430與綠色發光層沈積腔室中之基板100之間。
第三角度限制板436可實質上寬於第三蒸鍍源430以便覆蓋整個第三蒸鍍源430。
另一方面，第三蒸鍍源430之第三噴嘴435可向後傾斜以查看第二傾斜表面SS2。
此時，第三蒸鍍源430及第三角度限制板436可經設置使得連接第三噴嘴435與第三角度限制板436之後端（亦即，沈積方向上之一個末端）的虛擬線變為沈積角度θe，其可由以下等式2表達。
等式2：tanθe=TS/L offset
此處，TS可為基板100與第三蒸鍍源430（更具體而言，第三噴嘴435）之間的豎直距離，且L offset可為自第三蒸鍍源430至可沈積發光材料之基板100上之點的最短水平距離。
需要設計條紋圖案STP及沈積設備使得可滿足以上等式1及2。
進一步參看圖9，將更詳細地描述根據實施例之有機發光顯示裝置的結構。
參看圖9，在根據實施例之有機發光顯示裝置10中，用於驅動各子像素SP之驅動電路DC可形成於基板100上。驅動電路DC可包含：包括驅動電晶體之複數個電晶體及至少一個電容器。
由絕緣材料製成之平坦化層110可形成於驅動電路DC上。曝露驅動電路DC之一個電極的接觸孔111可形成於平坦化層110中。此處，驅動電路DC之一個電極可為包括於驅動電路DC中之任一個電晶體的汲極電極。
以各子像素SP為單位進行圖案化之輔助電極（或連接電極） E11可形成於平坦化層110上。輔助電極E11可被視為對應於構成第一電極E1之一個電極層，且輔助電極E11可經由對應子像素SP之接觸孔111接觸驅動電路DC之一個電極。輔助電極E11及第一電極E1可包含但不限於不同金屬。輔助電極E11及/或第一電極E1可為單層或可包含複數個金屬層。
相比之下，第一輔助電極E11可被稱作第一陽極電極，第一電極E1可被稱作第二陽極電極，且第一電極可由第一陽極電極及第二陽極電極組態。
條紋圖案STP可形成於紅色子像素SPr及綠色子像素SPg之輔助電極E11上。
條紋圖案STP可定位成對應於形成紅色子像素SPr及綠色子像素SPg之區域。
此時，紅色子像素SPr之輔助電極E11的一個末端可定位於條紋圖案STP之第一傾斜表面SS1外部且可曝露而不被條紋圖案STP覆蓋。
綠色子像素SPg之輔助電極E11的另一末端可定位於條紋圖案STP之第二傾斜表面SS2外部且可曝露而不被條紋圖案STP覆蓋。
同時，藍色子像素SPb之輔助電極E11可定位於鄰近條紋圖案STP之間且可曝露而不被條紋圖案STP覆蓋。
條紋圖案STP可由有機絕緣材料製成且可藉由印刷方法或光微影方法形成。作為有機絕緣材料，可使用但不限於聚醯亞胺或丙烯酸樹脂。
在形成條紋圖案STP之後，可形成以子像素SP為單位進行圖案化之第一電極E1。第一電極E1可藉由接觸定位於第一電極E1下方之輔助電極E11而連接至驅動電路DC。
就此而言，紅色子像素SPr之第一電極E1可沿著條紋圖案STP之第一傾斜表面SS1形成，且其下端可接觸輔助電極E11之一個末端。
綠色子像素SPg之第一電極E1可沿著條紋圖案STP之第二傾斜表面SS2形成，且其下端可接觸輔助電極E11之另一末端。
同時，藍色子像素SPb之第一電極E1可定位於鄰近條紋圖案STP之間且可完全接觸第一電極E1下方之輔助電極E11。
在形成第一電極E1之後，一共同層可以電洞注入層HIL及電洞傳輸層HTL之次序形成於基板100上，且另一共同層及藍色發光層B-EML（其為另一共同層）可沈積及形成於電洞傳輸層HTL上。
藍色發光層B-EML可共同形成於所有子像素SPr、SPg及SPb中，且可形成於條紋圖案STP之第一傾斜表面SS1及第二傾斜表面SS2以及鄰近圖案STP之間的分離區域上。
在形成藍色發光層B-EML之後，紅色發光層R-EML可沈積及形成於位於對應第一傾斜表面SS1上之藍色發光層B-EML上，且綠色發光層G-EML可沈積及形成於位於對應第二傾斜表面SS2上之藍色發光層B-EML上。
在形成紅色發光層R-EML及綠色發光層G-EML之後，電子傳輸層ETL及電子注入層EIL可形成為基板100上之共同層且第二電極E2可形成於基板100上。第二電極E2可共同形成於基板100之整個區域上。
如上文所描述，紅色有機發光裝置可設置於條紋圖案STP之第一傾斜表面SS1上，綠色有機發光裝置可設置於條紋圖案STP之第二傾斜表面SS2上，且藍色有機發光裝置可設置於鄰近條紋圖案STP之間的分離區域上。第一傾斜表面SS1及第二傾斜表面SS2可分別具有相對於分離區域傾斜之傾斜表面。此時，第一傾斜表面SS1之第一傾斜角與第二傾斜表面SS2之第二傾斜角可相同或不同。
因此，自紅色有機發光裝置、綠色有機發光裝置及藍色有機發光裝置中之各者發射的光之方向可不同。舉例而言，紅光可經由紅色有機發光裝置之上表面在10點鐘方向上發射。舉例而言，綠光可經由綠色有機發光裝置之上表面在2點鐘之方向上發射。舉例而言，藍光可經由藍色有機發光裝置之上表面在12點鐘方向上發射。
同時，在如上文所描述而組態之有機發光顯示裝置10為頂部發射類型的狀況下，包括輔助電極E11及第一電極E1之下部電極可具有反射特性且作為上部電極之第二電極E2可具有透射或透射反射特性。就此而言，例如，輔助電極E11可由ITO、Ti或Mo製成，且第一電極E1可由ITO/（Ag或Ag合金）/ITO製成以具有高反射率。同時，第二電極E2可由ITO或Mg-Ag製成。參看與此狀況下之光路徑相關的圖10，且圖10展示紅色子像素SPr之光輸出路徑作為示例。
作為另一示例，輔助電極E11可具有Ag、Ag合金之單層結構、包括Al之單層，或包括Ag或Ag合金（例如，ITO/（Ag或Ag合金）/ITO、ITO/（Ag或Ag合金）/Ti或ITO/（Ag或Ag合金）/Mo）之多層結構。又，第一電極E1可由ITO單層形成，且第二電極E2可由ITO或Mg-Ag形成。可參看與此狀況下之光路徑相關的圖11，且圖11展示紅色子像素SPr之光輸出路徑作為示例。
在如上文所組態之有機發光顯示裝置10為底部發射類型的狀況下，輔助電極E11及構成下部電極之第一電極E1兩者具有透射特性，且第二電極E2可具有反射特性。就此而言，例如，第二電極E2可由Al製成。關於此狀況下之光路徑，可參看圖12，且圖12展示紅色子像素SPr之光輸出路徑作為示例。
另一方面，實施例之條紋圖案STP可具有可參看圖13至圖17之各種形狀。
如圖13A至圖13C中所展示，條紋圖案STP可具有至少兩個或多於兩個表面。
作為示例，條紋圖案STP可具有對稱多邊形形狀（圖13A）。上文已描述具有此對稱多邊形形狀之條紋圖案STP。舉例而言，條紋圖案STP可具有第一傾斜表面SS1、第二傾斜表面SS2及上表面TM。在此狀況下，第一傾斜表面SS1及第二傾斜表面SS2可相對於豎直線彼此對稱。舉例而言，第一傾斜表面SS1相對於平面（或地面）之內角及第二傾斜表面SS2相對於平面之內角可相同。此處，內角可被稱作傾斜角。此時，內角可為銳角。第一傾斜表面SS1或第二傾斜表面SS2之長度可大於上表面TM之長度。第一傾斜表面SS1或第二傾斜表面SS2之面積可大於上表面TM之面積。
同時，紅色發光層R-EML可設置於第一傾斜表面SS1上，且綠色發光層G-EML可設置於第二傾斜表面SS2上。由於光量隨著紅色發光層R-EML或綠色發光層G-EML之面積增加而增加，因此上表面TM之面積可為最小值或為0，且第一傾斜表面SS1或第二傾斜表面SS2之面積可具有最大值。此處，上表面TM之面積可藉由適合於產品之解析度的圖案化方法來判定，使得可在基板100上之複數個像素P中之各者的子像素SPr、SPg及SPb中之各者中相同地或類似地管理條紋圖案STP之高度及傾斜角中之各者。舉例而言，在藉由光微影進行圖案化之狀況下，僅在面積超過某一位準時，製程管理才可為有可能的。
作為另一示例，條紋圖案STP可具有不對稱多邊形形狀（圖13B）。
舉例而言，條紋圖案STP可具有第一傾斜表面SS1、第二傾斜表面SS2及上表面TM。在此狀況下，第一傾斜表面SS1及第二傾斜表面SS2可相對於豎直線不對稱。舉例而言，第一傾斜表面SS1相對於平面之內角可不同於第二傾斜表面SS2相對於平面之內角。此處，內角可被稱作傾斜角。此時，內角可為銳角。第一傾斜表面SS1或第二傾斜表面SS2之長度可大於上表面TM之長度。第一傾斜表面SS1之長度可大於第二傾斜表面SS2之長度。第一傾斜表面SS1之面積可大於第二傾斜表面SS2之面積。儘管圖中未示，但第二傾斜表面SS2之長度可大於第一傾斜表面SS1之長度。第二傾斜表面SS2之面積可大於第一傾斜表面SS1之面積。
同時，紅色發光層R-EML可設置於第一傾斜表面SS1上，且綠色發光層G-EML可設置於第二傾斜表面SS2上。
由於紅色發光層R-EML、綠色發光層G-EML及藍色發光層B-EML具有不同壽命，因此可能需要針對各子像素設計不同區域。因此，根據該實施例，第一傾斜表面SS1及第二傾斜表面SS2中之各者的內角（60度至95度）及寬度（圖8(B)中之W2）可最佳化為設計變數。亦即，由於產品之壽命由具有最短壽命之子像素判定，因此整個產品之壽命可藉由最佳化R子像素SPr、G子像素SPg及B子像素SPb之間的面積比來延長。若充分滿足產品壽命，則可改良產品之明度。此外，當產生明度之設計餘裕時，可減少功率消耗。另外，必須確保足夠製程餘裕以便提高生產率及良率。可在傾斜角、陽極之間的距離等上最佳化設計餘裕使得可充分確保製程餘裕。
然而，根據該實施例，可增加上面設置有具有相對較低明度之發光層的傾斜表面之面積，且可減小上面設置有具有相對較高明度之發光層的傾斜表面之面積。舉例而言，當紅色發光層R-EML之明度為低的時，如圖13B中所展示，第一傾斜表面SS1之面積可設定為大於第二傾斜表面SS2之面積，藉此最佳化像素之間的壽命以改良明度、功率消耗等，從而確保產品競爭力。相反地，當綠色發光層G-EML之明度為低的時，儘管圖中未示，但可藉由使第二傾斜表面SS2之面積大於第一傾斜表面SS1之面積來最佳化像素之間的壽命，從而確保產品競爭力，諸如明度及功率消耗。
以此方式，可藉由區分條紋圖案STP之兩側上的傾斜表面SS1及SS2來補償紅色有機發光裝置與綠色有機發光裝置之間的效率及壽命差異。
作為另一示例，條紋圖案STP可具有正方形形狀（圖13c）。
舉例而言，條紋圖案STP可具有第一傾斜表面SS1、第二傾斜表面SS2及上表面TM。在此狀況下，第一傾斜表面SS1及/或第二傾斜表面SS2可相對於水平線成直角。亦即，第一傾斜表面SS1可相對於水平線成直角。第二傾斜表面SS2可相對於水平線成直角。舉例而言，第一傾斜表面SS1相對於平面之內角及第二傾斜表面SS2相對於平面之內角可相同或不同。第一傾斜表面SS1相對於平面之內角及第二傾斜表面SS2相對於平面之內角兩者可為直角。第一傾斜表面SS1相對於平面之內角可為直角，且第二傾斜表面SS2相對於平面之內角可為小於90度之角度。第二傾斜表面SS2相對於平面之內角可為直角，且相對於第一傾斜表面SS1之內角可為小於90度之角度。
第一傾斜表面SS1或第二傾斜表面SS2之長度可與上表面TM之長度相同或不同。第一傾斜表面SS1或第二傾斜表面SS2之長度可等於或大於上表面TM之長度。第一傾斜表面SS1之面積、第二傾斜表面SS2之面積及上表面TM之面積可相同或不同。第一傾斜表面SS1或第二傾斜表面SS2之面積可等於或大於上表面TM之面積。第一傾斜表面SS1之長度及第二傾斜表面SS2之長度可相同或不同。第一傾斜表面SS1之面積及第二傾斜表面SS2之面積可相同。
在圖13C中，條紋圖案STP可具有垂直於地面之第一傾斜表面SS1及/或第二傾斜表面SS2。又，條紋圖案STP可具有上表面。儘管圖中未示，但第一傾斜表面SS1及/或第二傾斜表面SS2相對於地面之內角可為鈍角，亦即，大於或等於90度之角度。當第一傾斜表面SS1及/或第二傾斜表面SS2相對於地面之內角為鈍角時，條紋圖案STP可具有倒錐形形狀。
在一實施例中，條紋圖案STP之第一傾斜表面SS1及/或第二傾斜表面SS2的內角可為60度至95度，但不限於此。
紅色發光層R-EML可設置於第一傾斜表面SS1上，且綠色發光層G-EML可設置於第二傾斜表面SS2上。在此狀況下，由於紅色發光層R-EML與綠色發光層G-EML之間的間隔為窄的，因此在小型化及高PPI上為有利的。因此，需要最小化上表面TM之長度或面積。
參看圖14，條紋圖案STP可為彎曲傾斜表面且可用以具有向外凸起的傾斜表面。
參看圖15，條紋圖案STP可為彎曲傾斜表面且可用以具有向內凹入的傾斜表面。
參看圖16，條紋圖案STP可為彎曲傾斜表面且可用以具有凸起部分及凹入部分。
參看圖17，條紋圖案STP可具有多邊形形狀。條紋圖案STP可具有第一傾斜表面SS1、第二傾斜表面SS2及上表面TM。儘管圖式展示第一傾斜表面SS1及第二傾斜表面SS2相對於豎直線彼此對稱，但其可彼此不對稱。
舉例而言，第一傾斜表面SS1可具有複數個第一子傾斜表面311及312。複數個第一子傾斜表面311與312之間的內角可彼此相同或不同。舉例而言，第二傾斜表面SS2可具有複數個第二子傾斜表面321及322。
複數個第二子傾斜表面321與322之間的內角可彼此相同或不同。舉例而言，紅色發光層R-EML可設置於複數個第一子傾斜表面311及312上。舉例而言，綠色發光層G-EML可設置於複數個第二子傾斜表面321及322上。在此狀況下，紅光可藉由設置於具有不同內角之複數個第一子傾斜表面311及312上的紅色發光層R-EML在不同方向上發射。此外，綠光可藉由設置於具有不同內角之複數個第二子傾斜表面321及322上的綠色發光層G-EML在不同方向上發射。因此，紅光R-EML或綠光G-EML可以較大輻射角發射使得可顯示高亮度及高清晰度影像。舉例而言，優點在於可更有效地實施2000 PPI或更高的高清晰度顯示裝置。
如上文所描述，雖然實施例之條紋圖案STP可具有寬度朝向上部部分變窄之錐形形狀，但傾斜表面之形狀可進行各種修改。
實施例之有機發光顯示裝置的有機發光裝置可使用將在下文詳細描述之連續式沈積設備來製造。不同於此情形，當各腔室之結構或設計被改變為與連續式方法之結構或設計類似或相同時，該實施例可用於群集方法。亦即，當各腔室變形使得特定有機發光層（例如，紅色有機發光層R-EML或綠色有機發光層G-EML）中基板100之移動方向或蒸鍍源之移動方向可類似時，連續型沈積設備可同樣適用於群集型沈積設備。圖18為展示根據第一實施例之各有機發光裝置之堆疊結構的圖。圖19為示意性地展示用於形成具有圖18之堆疊結構之有機發光裝置的連續式沈積設備的圖。
在圖1及圖18中所展示之有機發光裝置的結構中，在紅色子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素SPb中之各者中，可共同形成藍色發光層B-EML、藍色發光層B-EML下方之電洞注入層HIL及/或電洞傳輸層HTL以及藍色發光層B-EML上之電子傳輸層ETL及/或電子注入層EIL，且可在第二電極E2上共同形成罩蓋層CPL。亦可改變電洞注入層HIL及電洞傳輸層HTL之配置次序。此外，可改變電子傳輸層ETL及電子注入層EIL之配置次序。如上文所描述，電洞注入層HIL及/或電洞傳輸層HTL可包括於電洞傳輸結構中，電子傳輸層ETL及電子注入層EIL可包括於電子傳輸結構中，且電洞傳輸結構及電子傳輸結構可各自包含比此等有機層更多的有機層。
同時，紅色發光層R-EML可形成於紅色子像素SPr中之藍色發光層B-EML上，且綠色發光層G-EML可形成於綠色子像素SPg中之藍色發光層B-EML上。
為了實施此堆疊結構，可使用圖19中所展示之連續式沈積設備。相比之下，連續式沈積設備可包含用於沈積構成有機發光裝置之複數個堆疊膜的複數個沈積腔室，且第一至第七沈積腔室CH1至CH7例如可用以移動基板100。該等腔室可沿著一個方向依序配置。連續式沈積設備可進一步包含用於旋轉基板之第一旋轉腔室CHr1及第二旋轉腔室CHr2。
同時，儘管未具體展示，但具有除沈積或旋轉以外之功能的腔室可位於第一至第七沈積腔室CH1至CH7以及第一旋轉腔室CHr1及第二旋轉腔室CHr2中之至少一者的前端及/或後端處。此外，條紋圖案STP之方向可根據基板100內面板或複數個有機發光裝置之佈局而改變。因此，在基板100之輸入步驟中，其可經設計以允許基板100在兩個或多於兩個方向上的輸入。
在第一沈積腔室CH1中，電洞注入層HIL及/或電洞傳遞層HTL可共同沈積於上面形成有條紋圖案STP及第一電極E1之基板100上。此時，為了在基板100上以均勻厚度沈積電洞注入層HIL及/或電洞傳輸層HTL，具有第一噴嘴415之複數個第一蒸鍍源410可設置於第一沈積腔室CH1中。
作為另一示例，為了給出第一傾斜表面SS1及/或第二傾斜表面SS2之厚度差，具有垂直於水平面之第一噴嘴415的第一蒸鍍源410、具有向前傾斜之第二噴嘴425的第二蒸鍍源420及具有向後傾斜之第三噴嘴435的第三蒸鍍源430可以適當組合設置。
同時，在第一沈積腔室CH1中，用於沈積電洞注入層HIL之蒸鍍源可設置於基板之運入側上，且用於沈積電洞傳輸層HTL之蒸鍍源可設置於基板之運出側上。
在第二沈積腔室CH2中，藍色發光層B-EML可共同沈積於基板100上。此時，具有垂直於地面之第一噴嘴415的複數個第一蒸鍍源410可設置於第二沈積腔室CH2中。因此，藍色發光層B-EML可以實質上均勻的厚度連續地形成於藍色子像素SPb、紅色子像素SPr及綠色子像素SPg中。此外，在第一沈積腔室CH1及第二沈積腔室Ch2中之各者中，基板100可在垂直於行方向（Y軸方向）之方向（X軸方向）上移動，條紋圖案STP在行方向上以與第三沈積腔室CH3及第四沈積腔室CH4相同的方式延伸。在此狀況下，可針對紅色子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素SPb中之各者以不同厚度沈積作為共同層之電洞傳輸層HTL及藍色有機發光層B-EML。結果，可確保具有改良自由度之沈積技術以改良紅色有機發光裝置、綠色有機發光裝置及藍色有機發光裝置中之各者的效能。因此，可實施具有改良效能之新裝置。在此狀況下，第一旋轉腔室CHr1可為不必要的且可省略。
可將基板100置入第一旋轉腔室CHr1中且使其旋轉，在該基板上，藍色發光層B-EML形成於第二沈積腔室CH2中。
就此而言，例如，如上文所提及，在第一沈積腔室CH1及第二沈積腔室CH2中之沈積製程期間，基板100可與條紋圖案STP延伸之行方向平行地移動。對於基板100，可在綠色發光層G-EML及紅色發光層R-EML之沈積製程之前執行將基板100旋轉90度之製程，該沈積製程為後續製程。可設置第一旋轉腔室CHr1。
可將藉由第一旋轉腔室CHr1旋轉90度之基板100置入第三沈積腔室CH3中，且可在基板100平行於垂直於條紋圖案STP之列方向移動時執行對應沈積製程。就此而言，在第三沈積腔室CH3中，綠色發光層G-EML可沈積於基板100上之綠色子像素SPg上。此時，具有向後傾斜之第三噴嘴435的複數個第三蒸鍍源430可設置於第三沈積腔室CH3中。
在第四沈積腔室CH4中，紅色發光層R-EML可沈積於基板100上之紅色子像素SPr上。此時，具有向前傾斜之第二噴嘴425的複數個第二蒸鍍源420可設置於第四沈積腔室CH4中。
可將基板100置入第二旋轉腔室CHr2中且使其旋轉，在該基板上，紅色發光層R-EML可形成於第四沈積腔室CH4中。
就此而言，例如，在第三沈積腔室CH3及第四沈積腔室CH4中，在基板100沿著列方向移動時進行沈積製程，且在後續沈積製程之前，可執行將基板100旋轉90度之製程。可設置第二旋轉腔室CHr2以用於基板之旋轉製程。
可將藉由第二旋轉腔室CHr2旋轉90度之基板100置入第五沈積腔室CH5中，且可在基板100平行於條紋圖案STP延伸之行方向移動時執行對應沈積製程。
就此而言，在第五沈積腔室CH5中，電子傳輸層ETL可共同沈積於基板100上。此時，具有第一噴嘴415之複數個第一蒸鍍源410可設置於第五沈積腔室CH5中。作為另一示例，可一起設置具有第一噴嘴415之第一蒸鍍源410、具有第二噴嘴425之第二蒸鍍源420及具有第三噴嘴435之第三蒸鍍源430。
在第六沈積腔室CH6中，電子注入層EIL/第二電極E2可共同沈積於基板100上。此時，在第六沈積腔室CH6中，可使用用於電子注入層之無機材料（或金屬）的蒸鍍源M1及用於第二電極之無機材料（或金屬）之蒸鍍源M2、M3，使得電子注入層EIL及第二電極E2可共同沈積於基板100上。
在第七沈積腔室CH7中，頂蓋層CPL可共同沈積於基板100上。此時，具有第一噴嘴415之複數個第一蒸鍍源410可設置於第七沈積腔室CH7中。作為另一示例，可一起設置具有第一噴嘴415之第一蒸鍍源410、具有第二噴嘴425之第二蒸鍍源420及具有第三噴嘴435之第三蒸鍍源430。
圖20為展示根據第二實施例之各有機發光裝置之堆疊結構的圖。
在圖1、圖3及圖20中所展示之有機發光裝置的結構中，p電洞傳輸層p-HTL及電洞傳輸層HTL可共同沈積於上面形成有條紋圖案STP及第一電極E1之基板100上。p電洞傳輸層p-HTL可為摻雜有p型摻雜劑之電洞注入層。除非另外指定，否則下文所描述之p電洞傳輸層p-HTL可指電洞注入層。
紅色電洞傳輸層R-HTL及綠色電洞傳輸層G-HTL可分別個別地沈積於紅色子像素SPr及綠色子像素SPg上。
電子阻擋層EBL可共同沈積於基板100上。電子阻擋層EBL可為無機半導體層，但不限於此。
藍色發光層B-EML可共同沈積於基板100上。
綠色發光層G-EML及紅色發光層R-EML可分別個別地沈積於綠色子像素SPg及紅色子像素SPr上。
電洞阻擋層HBL可共同沈積於基板100上。
電子傳輸層ETL可共同沈積於基板100上。
第二電極E2可共同沈積於基板100上。
罩蓋層CPL可共同沈積於基板100上。
儘管以上描述係基於按時間次序之製程，但可同時執行製程或可即時改變製程之次序。
為了形成圖21之有機發光裝置的堆疊結構，可使用類似於圖19之連續式沈積設備的連續式沈積設備。
圖21為展示根據第三實施例之各有機發光裝置之堆疊結構的圖。
圖1、圖3及圖21中所展示之各有機發光裝置的堆疊結構可為所謂的雙堆疊結構，其中對應色彩之兩個發光層堆疊於各子像素SP中。
就此而言，p電洞傳輸層p-HTL及電洞傳輸層HTL1可共同沈積於上面形成有條紋圖案STP及第一電極E1之基板100上。p電洞傳輸層p-HTL可為摻雜有p型摻雜劑之電洞注入層。
電洞控制層HCL1可共同沈積於基板100上。
藍色發光層B-EML可共同沈積於基板100上。
綠色發光層G-EML及紅色發光層R-EML可分別個別地沈積於綠色子像素SPg及紅色子像素SPr上。
電子傳輸層ETL1可共同沈積於基板100上。
n電荷產生層n-CGL可共同沈積於基板100上。
p電荷產生層p-CGL可共同沈積於基板100上。
另一電洞傳輸層HTL2可共同沈積於基板100上。
另一電洞控制層HCL2可共同沈積於基板100上。
藍色發光層B-EML可共同沈積於基板100上。
綠色發光層G-EML及紅色發光層R-EML可分別個別地沈積於綠色子像素SPg及紅色子像素SPr上。
另一電子傳輸層ETL2可共同沈積於基板100上。
第二電極E2可共同沈積於基板100上。
罩蓋層CPL可共同沈積於基板100上。
第一電極E1可分離地設置於紅色子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素SPb中之各者中。第二電極E2可共同設置於紅色子像素SPr、綠色子像素SPg及藍色子像素SPb中。舉例而言，第一電極E1可為陽極電極且第二電極E2可為陰極電極。
雙堆疊結構可為可設置在n電荷產生層n-CGL及p電荷產生層p-CGL上方及下方發射相同色彩光之至少兩個或多於兩個有機發光層R-EML、G-EML及B-EML的結構。複數個有機層可分別設置於n電荷產生層n-CGL及p抗原產生層p-CGL上方及下方。
儘管以上描述係基於按時間次序之製程，但可同時執行製程或可即時改變製程之次序。為了形成圖21之有機發光裝置的堆疊結構，可使用類似於圖19之連續式沈積設備的連續式沈積設備。
圖22為示意性地展示根據第二實施例之有機發光顯示裝置的圖。在圖22中，為便於解釋，主要展示條紋圖案及發光層且省略其他組件。
參看圖22，在實施例之有機發光顯示裝置10中，相較於第一實施例之有機發光顯示裝置，可形成覆蓋第一電極E1之拐角的保護圖案130。
就此而言，可藉由形成第一電極E1來產生台階差，且特定而言，當第一電極E1由例如ITO/Ag/ITO製成且可具有反射功能時，台階差可隨著厚度增加而增加。
可藉由此台階差形成過電流，且在此狀況下，可在第一電極E1與第二電極E2之間發生電短路。
為了改良此情形，可形成覆蓋第一電極E1之各拐角的保護圖案130。第一電極E1與第二電極E2之間的電短路可藉由利用保護圖案130減小台階差來解決。
可參看與形成保護圖案130之方法相關的圖23。
參看圖23，第一電極E1可經由光微影製程形成於各子像素中，且接著充當用於形成第一電極E1之蝕刻遮罩的光阻圖案140可灰化。
因此，各子像素SP之第一電極E1的拐角可曝露而不被光阻圖案140覆蓋。舉例而言，可曝露約1 μm或更大的拐角。
此後，基板100可浸沒於電解質中，且電壓可經由子像素SP之驅動電路DC施加至第一電極E1。因此，可藉由將有機絕緣材料或無機絕緣材料電沈積於第一電極E1之曝露拐角上來形成保護圖案130。
在形成保護圖案130之後，可移除光阻圖案140且接著可形成有機發光層。
圖24為示意性地展示根據第三實施例之有機發光顯示裝置的圖。在圖24中，為便於描述，主要展示條紋圖案及發光層且省略其他組件。
參看圖24，在實施例之有機發光顯示裝置10中，相較於第一實施例之有機發光顯示裝置，整合平坦化層125及條紋圖案STP之保護層120可形成於驅動電路DC上。
就此而言，例如，有機絕緣材料可沈積於上面形成有驅動電路（DC）之基板100上，且可執行光微影製程以形成由條紋圖案STP及平坦化層125構成之保護層120。
條紋圖案STP可類似於第一及第二實施例之條紋圖案進行組態且可形成為對應於紅色子像素SPr及綠色子像素SPg。
連接鄰近條紋圖案STP之平坦化層125可形成於鄰近條紋圖案STP之間。平坦化層125可實質上定位成對應於藍色子像素SPb。
同時，曝露各子像素SP之驅動電路DC之一個電極的接觸孔121可形成於保護層120中。
就此而言，例如，曝露紅色子像素SPr之驅動電路DC的接觸孔121可形成於條紋圖案STP之第一傾斜表面SS1與鄰近於其之平坦化層125之間的邊界處。
曝露綠色子像素SPg之驅動電路DC的接觸孔121可形成於條紋圖案STP之第二傾斜表面SS2與鄰近於其之平坦化層125之間的邊界處。
此外，曝露藍色子像素SPb之驅動電路DC的接觸孔121可形成於平坦化層125中。
在如上所述之保護層120上，可針對各子像素SP形成第一電極E1。各子像素SP之第一電極E1可經由對應接觸孔121連接至對應驅動電路DC。
如上文所描述之第一電極E1可類似於第一及第二實施例之第一電極E1進行組態。
同時，儘管未具體展示，但第二實施例之保護圖案可應用於第三實施例之有機發光顯示裝置10。就此而言，在形成第一電極E1之後，可形成覆蓋其拐角之保護圖案。
表1將產品展示為有機發光顯示裝置，其具有根據實施例之條紋圖案、條紋圖案之設計值及產品效能之預測結果。表2展示先前技術之顯示裝置與電話顯示產品中具有實施例之條紋圖案的顯示裝置的比較結果。圖25為示意性地展示一般顯示裝置之像素結構的圖。圖26為示意性地展示根據實施例之顯示裝置之像素結構的圖（參見表2）。圖27為示意性地展示圖26之實施例的顯示裝置之像素之設計模型的圖。同時，在圖25及圖26中，數字之單位可為「μm」。圖27中之紅色子像素、綠色子像素及藍色子像素的陽極電極可能未由保護圖案覆蓋且可實質上為位於有效發光區域中之第一電極。
表1
產品 像素 設計參數 產品效能預測
產品系列 規格 PPI（像素/吋） 像素大小（μm） STP 高度（μm） STP高度 /像素大小 最大沈積角度/沈積角度餘裕（°） 頂部/拐角餘裕（μm） 像素孔徑比（%） 孔徑比增加速率（時間）
先前技術 實施例      
AR/VR 1.3''(2560ｘ2560) 2785 9.1 3.6 40% 33.7/ 14.3 1.3/ 1.4 ~15 62 4.1 7.2~
手機 6.5''(3120ｘ1440) 530 48 19 40% 30.1/ 10.8 6/6 23 71 3.1 4.8
平板 9.7''(2048ｘ1536) 264 96 38 40% 31.8/ 6.6 12/ 10 29 93 3.2 5.1
TV 55''(3840ｘ2160) 80 318 140 44% 32.9/ 4.9 28/ 19 38 116 3.1 4.8
表2
   產品（530 ppi） 先前技術 實施例
1 像素結構 RGRG，pentile RGB，完全配置
2 像素面積（μm 2） 2,304
3 R面積、孔徑比 286 (6.2%) 476 (21%)
4 G面積、孔徑比 219 (9.5%) 476 (21%)
5 B面積、孔徑比 322 (7.0%) 684 (30%)
6 像素孔徑比 22.7% 71%
7 裝置壽命（時間） 1 4.8
參考表1，在各種產品（AR/VR、手機、平板、TV）中，條紋圖案之高度可為像素大小之大約40%至44%，且沈積角度之餘裕隨著PPI減小而減小。在實施例中，藉由在條紋圖案之至少兩個區域中配置子像素從而以三維方式組態像素，可顯著增加像素區域使用率。兩個區域中之各者可具有至少一個表面且可為相對於地面傾斜之傾斜表面。藉由在不使用諸如FMM之沈積圖案遮罩的情況下以自對準方式進行沈積，可減小子像素之間的間隔及像素之間的間隔，藉此相較於先前技術將孔徑比增加約三倍或更多。
此外，相較於先前技術，顯示裝置之壽命可延長約4.8倍。就此而言，可參考等式3。
等式3：壽命比率=(孔徑比) n（n=1.4）
另一方面，在計算先前技術之像素孔徑比時，假定位於子像素之間的堤層之寬度為20 μm。僅在PPI為530時，假定pentile結構（亦即，R、G、B、G配置）。對於其餘PPI，計算R、G、B完全配置結構。
同時，為了更準確地確認實施例之顯示裝置的改良，參考先前技術之顯示裝置的像素結構以及圖25及圖26中所展示之530PPI行動電話中的實施例之像素結構。如圖27中所展示，基於圖26中之設計尺寸，可預測實施例之顯示裝置的像素結構（例如，第三實施例之像素結構）之孔徑比、最大沈積角度、沈積角度餘裕等。
相較於先前技術之顯示裝置與實施例，可看出，相較於先前技術之顯示裝置，孔徑比可增加約3.1倍且壽命可延長約4.8倍。在先前技術中，區分子像素區域以補償每種色彩之壽命差異，且可應用pentile結構以克服解析度限制。另一方面，可確認因為在實施例中確保了壽命之足夠設計餘裕，所以可提供一種新類型之有機發光顯示裝置。
可藉由調整諸如條紋圖案之高度、其頂部餘裕以及第一電極之頂部及底部餘裕（亦即，平面上之頂部及底部餘裕）的變數來最佳化影像品質效能及良率。
裝置壽命之創新性延長亦可增加顯示裝置之明度，使得可改良顯示裝置之固有效能。
此外，在製造諸如矽上OLED（OLEDoS）之超小型有機發光顯示裝置時，其中並列配置當前為不可能的，或在大面積沈積設備中，在不使用FMM之情況下蒸鍍變得可能，從而開啟了顯示裝置之新時代。
此外，由於用於室外使用之大面積有機發光顯示裝置需要改良明度及改良壽命，因此有機發光顯示裝置將有可能佔據當前使用微型LED之市場。
此外，若實施例之結構應用於並列結構—應用先前技術之產品，則藉由提高生產率，不僅可進行效能新穎而且可進行成本創新，此將應用擴展至膝上型電腦、監視器、汽車等。
如上文所描述，在實施例之顯示裝置中，構成像素之兩個子像素可定位於條紋圖案上，且可沈積自構成位於鄰近條紋圖案之間的分離區域中之像素的另一子像素產生彩色光的有機發光層，且產生兩個子像素中之各者之彩色光的有機發光層可以自對準方式個別地沈積於條紋圖案之兩個傾斜表面上。
因此，對於難以使用FMM製造之高清晰度或大面積顯示裝置，可以並列結構形成子像素，藉此改良顯示裝置之效能，諸如功率消耗、明度及壽命。
由於可經由連續式方法實施並列結構，因此可降低投資成本且可改良生產率（例如，大約3倍或更多）。
此外，由於可在不使用FMM之情況下形成發光層，因此可改良良率且可降低製造成本。
此外，像素可具有三維結構而非平面結構，使得可加寬發光區域且可改良壽命（例如，約4倍或更多）。
同時，在上述實施例中，已描述可將連續式沈積設備應用於形成條紋圖案之有機發光顯示裝置的狀況。然而，連續式沈積設備可應用於結構不同於具有條紋圖案之結構的有機發光顯示裝置。
前述實施例可為本發明之示例，且可在包括於本發明之精神中的範疇內進行自由修改。因此，本發明涵蓋在隨附申請專利範圍及其等效物之範疇內的本發明之修改。
10:有機發光顯示裝置 100:基板 110:平坦化層 111:接觸孔 120:保護層 121:接觸孔 125:平坦化層 130:保護圖案 140:光阻圖案 311:第一子傾斜表面 312:第一子傾斜表面 321:第二子傾斜表面 322:第二子傾斜表面 410:第一蒸鍍源 415:第一噴嘴 416:第一角度限制板 417:開口 418:第四角度限制板 420:第二蒸鍍源 425:第二噴嘴 426:第二角度限制板 426a:水平部分 426b:豎直部分 430:第三蒸鍍源 435:第三噴嘴 436:第三角度限制板 436a:水平部分 436b:豎直部分 B-EML:第三有機發光層/藍色有機發光層 CH1:第一沈積腔室 CH2:第二沈積腔室 CH3:第三沈積腔室 CH4:第四沈積腔室 CH5:第五沈積腔室 CH6:第六沈積腔室 CH7:第七沈積腔室 CHr1:第一旋轉腔室 CHr2:第二旋轉腔室 CPL:罩蓋層 DC:驅動電路 E1:第一電極 E11:第一輔助電極/連接電極 E2:第二電極 EBL:電子阻擋層 EIL:電子注入層 ETL:電子傳輸層 ETL1:電子傳輸層 ETL2:電子傳輸層 G-EML:綠色有機發光層 G-HTL:綠色電洞傳輸層 H:高度 HBL:電洞阻擋層 HCL1:電洞控制層 HCL2:電洞控制層 HIL:電洞注入層 HTL:電洞傳輸層 HTL1:第一電洞傳輸層 HTL2:第二電洞傳輸層 L offset:最短水平距離 M1:蒸鍍源 M2:蒸鍍源 M3:蒸鍍源 n-CGL:n型電荷產生層 P:像素 p-CGL:p型電荷產生層 p-HTL:p電洞傳輸層 R-EML:紅色有機發光層 R-HTL:紅色電洞傳輸層 SP:子像素 SPb:藍色子像素 SPg:綠色子像素 SPr:紅色子像素 SS1:第一傾斜表面 SS2:第二傾斜表面 STP:條紋圖案 TM:上表面/頂表面 TS:豎直距離 W1:第一寬度 W2:第二寬度 θe:沈積角度
[圖1]為示意性地展示根據第一實施例之有機發光顯示裝置的圖。 [圖2]為示意性地展示根據第一實施例之各有機發光裝置之堆疊結構的圖。 [圖3]為示意性地展示根據第一實施例之條紋圖案及發光層的橫截面圖。 [圖4至圖6]為分別示意性地展示根據第一實施例之藍色發光層、紅色發光層及綠色發光層之沈積方法的圖。 [圖7]為示意性地展示根據第一實施例之沈積藍色發光層的方法之另一示例的圖。 [圖8]為示意性地展示根據第一實施例的條紋圖案之設計結構及沈積設備之設計結構的圖。 [圖9]為展示根據第一實施例之有機發光顯示裝置的結構之示例的圖。 [圖10及圖11]為展示圖9中具有頂部發射類型之有機發光顯示裝置中之各光發射路徑的圖。 [圖12]為圖9中具有底部發射類型之有機發光顯示裝置中之光發射路徑的圖。 [圖13至圖17]分別為展示第一實施例之條紋圖案的形狀之各種示例的圖。 [圖18]為展示根據第一實施例之各有機發光裝置之堆疊結構的圖。 [圖19]為示意性地展示用於形成具有圖18之堆疊結構之有機發光裝置的連續式沈積設備的圖。 [圖20]為展示根據第二實施例之各有機發光裝置之堆疊結構的圖。 [圖21]為展示根據第三實施例之各有機發光裝置之堆疊結構的圖。 [圖22]為示意性地展示根據第二實施例之有機發光顯示裝置的圖。 [圖23]為展示形成圖22之保護圖案的方法之示例的視圖。 [圖24]為示意性地展示根據第三實施例之有機發光顯示裝置的圖。 [圖25]為示意性地展示一般顯示裝置之像素結構的圖。 [圖26]為示意性地展示根據實施例之顯示裝置之像素結構的圖。 [圖27]為示意性地展示圖26之實施例的顯示裝置之像素之設計模型的圖。
100:基板
410:第一蒸鍍源
415:第一噴嘴
420:第二蒸鍍源
425:第二噴嘴
430:第三蒸鍍源
435:第三噴嘴
B-EML:第三有機發光層/藍色有機發光層
CH1:第一沈積腔室
CH2:第二沈積腔室
CH3:第三沈積腔室
CH4:第四沈積腔室
CH5:第五沈積腔室
CH6:第六沈積腔室
CH7:第七沈積腔室
CHr1:第一旋轉腔室
CHr2:第二旋轉腔室
CPL:罩蓋層
E2:第二電極
EIL:電子注入層
ETL:電子傳輸層
G-EML:綠色有機發光層
HIL:電洞注入層
HTL:電洞傳輸層
M1:蒸鍍源
M2:蒸鍍源
M3:蒸鍍源
R-EML:紅色有機發光層

Claims (10)

  1. 一種用於製造一有機發光顯示裝置之設備，其包含： 一第一沈積腔室，其包含用以經由一第一噴嘴排出用於形成一第三有機發光裝置之一第三發光材料的一第一蒸鍍源，該第一噴嘴經設置以面向具有複數個條紋圖案之一基板上的鄰近條紋圖案之間的一分離區域； 一第二沈積腔室，其包含用以經由一第二噴嘴排出用於形成一第一有機發光裝置之一第一發光材料的一第二蒸鍍源，該第二噴嘴經設置以面向該條紋圖案之一第一區域；及 一第三沈積腔室，其包含用以經由一第三噴嘴排出用於形成一第二有機發光裝置之一第二發光材料的一第三蒸鍍源，該第三噴嘴經設置以面向該條紋圖案之一第二區域， 其中該第二噴嘴及該第三噴嘴相對於該基板之移動方向在彼此相反之方向上傾斜。
  2. 如請求項1之設備，其中 該基板包含複數個像素， 該複數個像素中之各者包含一第一子像素、一第二子像素及一第三子像素， 該第一子像素、該第二子像素及該第三子像素沿著第一方向交替地配置且沿著第二方向伸長， 該條紋圖案之該第一區域及該第二區域的傾斜角為60度至95度，且 在該第一沈積腔室、該第二沈積腔室及該第三沈積腔室中之各者中的沈積期間，該基板用以在該第一方向上移動。
  3. 如請求項2之設備，其中該第一沈積腔室用以朝向該分離區域排出該第三發光材料，以在該第一子像素、該第二子像素及該第三子像素中之各者中共同形成一第三有機發光層。
  4. 如請求項3之設備，其中 第一區具有至少一或多個第一表面，且 該第二沈積腔室用以朝向該至少一或多個第一表面排出該第一發光材料，以在該第一子像素中形成一第一有機發光層。
  5. 如請求項3之設備，其中 第二區具有至少一或多個第二表面，且 該第三沈積腔室用以朝向該至少一或多個第二表面排出該第二發光材料，以在該第二子像素中形成一第二有機發光層。
  6. 如請求項1之設備，其中 在該第一沈積腔室中之一沈積製程期間，該基板用以在第一方向或第二方向上移動，且 在該第二沈積腔室及該第三沈積腔室中之沈積製程期間，該基板用以在該第一方向上移動。
  7. 如請求項5之設備，其包含： 一旋轉腔室，其用以使該基板在該第一沈積腔室與該第二沈積腔室之間旋轉90度。
  8. 如請求項5之設備，其包含： 一輸入腔室，其能夠在該第一沈積腔室之前端處在包含垂直於彼此之該第一方向及該第二方向的複數個方向上輸入該基板。
  9. 如請求項1至7中任一項之設備，其中 該第一發光材料為一紅色發光材料， 該第二發光材料為一綠色發光材料，且 該第三發光材料為一藍色發光材料。
  10. 如請求項1至7中任一項之設備，其中 該第一發光材料為一綠色發光材料， 該第二發光材料為一紅色發光材料，且 該第三發光材料為一藍色發光材料。
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JP2008140669A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Canon Inc 真空蒸着装置および真空蒸着方法
KR20150113742A (ko) * 2014-03-31 2015-10-08 주식회사 선익시스템 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
KR102528044B1 (ko) * 2014-10-24 2023-05-02 에이지씨 가부시키가이샤 격벽용 경화성 조성물, 격벽, 격벽의 제조 방법, 격벽의 수복 방법, 수복된 격벽, 및 광학 소자
KR20210086170A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

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