TW202404138A - 壓電石英傳感器的封裝方法及壓電石英傳感器 - Google Patents
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Abstract
本發明是一種壓電石英傳感器的封裝方法及壓電石英傳感器，該方法包括：形成壓電傳感器晶片，包括位於壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域和背面的第二引腳區域，第一、第二引腳區域呈對角方向設置；提供第一石英晶片，在第一石英晶片上對應第一引腳區域的位置形成第一缺口，在對應第二引腳區域的位置形成第二缺口，形成第一封裝側面部件；提供第二石英晶片，在第二石英晶片上對應第二引腳區域的位置形成第三缺口，在對應第一引腳區域的位置形成第四缺口，形成第二封裝側面部件；將第一封裝側面部件與壓電傳感器晶片正面以及將第二封裝側面部件與壓電傳感器晶片背面分別鍵合，採用鍵合的方式，提高了器件的性能。
Description
本發明係一種傳感器技術領域，尤其涉及一種壓電石英傳感器的封裝方法及壓電石英傳感器。
按，壓電傳感器有壓阻式、壓電式和諧振式，壓阻式壓力傳感器的敏感單元是壓敏電阻，其特點為當外界壓力作用下壓敏電阻上引起阻值發生改變，通過測定輸出電壓值的變化換算出外部壓力的大小，這類傳感器的缺點是溫漂嚴重，且長時間使用易産生蠕變效應，故應用精度要求低靜態力的測試。
壓電式傳感器採用壓電石英或陶瓷材料，該類傳感器的最大特點壓電系數高，Q值高故測試精度高；但是是能測試動態力。最近幾年諧振式壓力傳感器越來越受到關注，採用壓電諧振元器件制作而成，同諧振元器件的頻率變化感知外界力的大小，其特點直接數字頻率信號輸出，且精度較上述兩種高，另外該類傳感器既能測試靜態的力同時還可以測試動態的力；在較高精度力測試情況下備受關注。
但是在制作上述這類傳感器時面臨的最大問題是，敏感元件與結構之間的安裝問題，現有是通過黏貼的方式將兩者連接在一起，但是，存在如下問題：由於黏貼採用的膠會隨著外界的溫度的影響而老化，導致敏感元件與結構間的黏合力出現問題。
膠點的連接無法控制敏感元件與結構之間的黏合力，導致每個器件中的敏感器件的預應力大小不一致，必將導致最終産品的一致性非常差而無法批量生産。
點膠過程中很難保證敏感器件與結構之間的定位關系。
而且，由於採用點膠，敏感器件與結構這三者之間的材料不同，其熱膨脹系數也不同，當外界溫度發生變化時，其傳感器的溫度漂移無法控制。
使用金屬焊接、塑料封裝的方式與石英傳感器本體之間存在封接面溫度膨脹系數不一致，長期高低溫環境下工作會産生封裝裂隙。水汽通過裂隙進入石英傳感器內部，導致力頻系數發生變化，對力的測量出現大的偏差，使得傳感器測量出現偏差或失效。因此，如何提高傳感器的性能是目前亟待解決的技術問題
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者瞭解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。
鑒於上述問題，提出了本發明以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的壓電石英傳感器的封裝方法及壓電石英傳感器。
第一方面，本發明提供了一種壓電石英傳感器的封裝方法，包括： 形成壓電傳感器晶片，所述壓電傳感器晶片呈方形，包括位於壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域和壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域，所述第一引腳區域和所述第二引腳區域呈對角方向設置；提供第一石英晶片，在所述第一石英晶片上且對應所述壓電傳感器晶片正面的所述第一引腳區域的位置形成第一缺口，在所述第一石英晶片上且對應所述壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域的位置形成第二缺口，形成第一封裝側面部件；提供第二石英晶片，在所述第二石英晶片上且對應所述壓電傳感器晶片背面以及所述第二引腳區域的位置形成第三缺口，在所述第二石英晶片上且對應所述壓電傳感器正面的所述第一引腳區域的位置形成第四缺口，形成第二封裝側面部件；將所述第一封裝側面部件與所述壓電傳感器晶片正面鍵合，將所述第二封裝側面部件與所述壓電傳感器晶片背面鍵合。
根據本發明之一實施例，所述形成壓電傳感器晶片，包括：提供第三石英晶片；在所述第三石英晶片的正面和背面相對的位置形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽均為圓形凹槽；形成從所述第一凹槽開設至所述第二凹槽的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔為沿著所述第一凹槽底端一側邊緣的第一半弧柱狀孔洞，所述第二通孔為沿著所述第一凹槽底端另一側邊緣的第二半弧柱孔洞，使得所述第一通孔和所述第二通孔之間形成振蕩區域；在所述振蕩區域正面且沿著所述第一凹槽側壁延伸至所述第一凹槽外側形成第一電極，所述第一電極端部位於所述第一引腳區域，在所述振蕩區域背面且沿著所述第二凹槽側壁延伸至所述第二凹槽外側形成第二電極，所述第二電極端部位於所述第二引腳區域，以形成壓電傳感器晶片。
根據本發明之一實施例，所述形成從所述第一凹槽開設至所述第二凹槽的第一通孔和第二通孔，包括：採用光刻工藝，從所述第一凹槽開設至所述第二凹槽，形成第一通孔和第二通孔；或者採用激光切割工藝，從所述第一凹槽開設至所述第二凹槽，形成第一通孔和第二通孔。
根據本發明之一實施例，所述在第一石英晶片上對應所述壓電傳感器晶片正面且正對所述第一引腳區域的位置形成第一缺口之前，還包括：對所述第一石英晶片進行研磨和抛光，以使得所述第一石英晶片表面粗糙度小於10nm；所述在第二石英晶片上對應所述壓電傳感器晶片背面且正對所述第二引腳區域的位置形成第二缺口之間，還包括：對所述第二石英晶片進行研磨和抛光，以使得所述第二石英晶片表面粗糙度小於10nm。
根據本發明之一實施例，在將所述第一石英晶片與所述壓電傳感器晶片正面鍵合，將所述第二石英晶片與所述壓電傳感器晶片背面鍵合之前，還包括：在所述第一石英晶片表面和所述第二石英晶片表面均形成鍵合層。
根據本發明之一實施例，所述在所述第一石英晶片表面和所述第二石英晶片表面均形成鍵合層，具體採用如下任意一種方式：塗覆、PVD、CVD、PECVD以及燒結。
根據本發明之一實施例，所述將所述第一石英晶片與所述壓電傳感器晶片正面鍵合，將所述第二石英晶片與所述壓電傳感器晶片背面鍵合，包括：在真空環境中，將所述第一石英晶片與所述壓電傳感器晶片正面鍵合，將所述第二石英晶片與所述壓電傳感器晶片背面鍵合。
根據本發明之一實施例，在將所述第一石英晶片與所述壓電傳感器晶片正面鍵合，將所述第二石英晶片與所述壓電傳感器晶片背面鍵合之後，還包括：在所述第一引腳區域的第一電極上形成第一鍍膜層；在所述第二引腳區域的第二電極上形成第二鍍膜層。
第二方面，本發明還提供了一種壓電石英傳感器，包括：壓電傳感器晶片、第一封裝側面部件和第二封裝側面部件；所述壓電傳感器晶片包括正面邊緣的第一引腳區域和背面邊緣的第二引腳區域，所述第一引腳區域和所述第二引腳區域呈對角方向設置；所述第一石英晶片包括第一缺口、第二缺口；所述第二石英晶片包括第三缺口、第四缺口；所述第一封裝側面部件和所述第二封裝側面部件分別鍵合於所述壓電傳感器晶片的正面和背面，使得所述第一缺口和第四缺口與所述第一引腳區域正對，所述第二缺口和第三缺口與所述第二引腳區域正對。
根據本發明之一實施例，所述第一缺口的截面、第二缺口的截面、第三缺口的截面和第四缺口的截面均為半圓形或者矩形。
本發明實施例中的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優點：
本發明提供了一種壓電石英傳感器的封裝方法，包括：形成壓電傳感器晶片，該壓電傳感器晶片呈方形，包括位於壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域和背面的第二引腳區域，第一引腳區域和第二引腳區域呈對角方向設置；提供第一石英晶片，在第一石英晶片上對應壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域的位置形成第一缺口，在對應壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域的位置形成第二缺口，形成第一封裝側面部件；提供第二石英晶片，在第二石英晶片上對應壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域的位置形成第三缺口，在對應壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域的位置形成第四缺口，形成第二封裝側面部件；將第一封裝側面部件與壓電傳感器晶片正面鍵合，將第二封裝側面部件與壓電傳感器晶片背面鍵合，採用鍵合的方式，能夠避免黏貼方式所造成的器件性能不佳的問題，進而提高了器件的性能。
以下藉由具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。
本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如“一”、“兩”、“上”等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。
實施例一，本發明的實施例提供了一種壓電石英傳感器的封裝方法，如圖1所示，包括：
S101，形成壓電傳感器晶片，該壓電傳感器晶片呈方形，包括位於壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域和背面對的第二引腳區域，第一引腳區域和第二引腳區域呈對角方向設置；
S102，提供第一石英晶片，在第一石英晶片上且對應壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域的位置形成第一缺口，在第一石英晶片上且對應壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域的位置形成第二缺口，形成第一封裝側面部件；
S103，提供第二石英晶片，在第二石英晶片上且對應壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域的位置形成第三缺口，在第二石英晶片上且對應壓電傳感器正面的第一引腳區域的位置形成第四缺口，形成第二封裝側面部件；
S104，將第一封裝側面部件與壓電傳感器晶片正面鍵合，將第二封裝側面部件與壓電傳感器晶片背面鍵合。
下面對S101中形成壓電傳感器晶片的步驟進行詳細描述：如圖2~圖5所示，提供第三石英晶片201；在第三石英晶片201的正面和背面相對的位置形成第一凹槽202和第二凹槽203，該第一凹槽202和第二凹槽203均為圓形凹槽。
從第一凹槽202開設至第二凹槽203的第一通孔204和第二通孔205，第一通孔204為沿著第一凹槽202底端一側邊緣的第一半弧柱狀孔洞，第二通孔205為沿著第一凹槽202底端另一側邊緣的第二半弧柱狀孔洞，使得第一通孔204和第二通孔205之間形成振蕩區域206。
在振蕩區域206正面且沿著第一凹槽202側壁延伸至第一202外側形成第一電極207，第一電極207端部位於第一引腳區域211，在振蕩區域206背面且沿著第二凹槽203側壁延伸至第二凹槽203外側形成第二電極208，第二電極208端部位於第二引腳區域212。
該第一引腳區域211位於第三石英晶片201的正面，第二引腳區域212位於第三石英晶片201的背面，且第一引腳區域211與第二引腳區域212呈對角方向設置。
在形成第一凹槽202和第二凹槽203時，具體是通過在第三石英晶片201正面和背面採用磁控濺射方式鍍膜，形成兩層膜層，底層為鉻膜，頂層為金膜，其中，鉻膜的厚度為5~50nm，金膜的厚度大於100nm。
在兩層膜層上形成光刻膠層，通過曝光、顯影之後，對預設區域刻蝕，從而形成第一凹槽202和第二凹槽203。
其中，刻蝕的過程具體是採用刻蝕液，該刻蝕液包括：金刻蝕液、鉻刻蝕液以及BOE腐蝕液進行刻蝕，金刻蝕液用於刻蝕預設區域的金膜，鉻刻蝕液用於刻蝕預設區域的鉻膜，然後，BOE腐蝕液刻蝕預設區域的石英晶片。光刻膠層採用等離子去膠、化學去膠法進行去除。
金刻蝕液包括碘、碘化鉀按照一定比例配置的水溶液，鉻刻蝕液包括硝酸、硝酸沛銨按照一定比例配置的水溶液，BOE腐蝕液包括氫氟酸、氟化氫銨、緩蝕劑的水溶液，從而實現不影響粗糙度的腐蝕。
採用該刻蝕液中的金刻蝕液和鉻刻蝕液對剩余的兩層膜層進行去除。
在形成第一通孔204和第二通孔205時，同樣也是按照上述的刻蝕方式，由此在第一通孔204和第二通孔205之間形成振蕩區域206，在此就不再詳細贅述了。
在形成從第一凹槽202開設至第二凹槽203的第一通孔204和第二通孔205時，可以採用刻蝕工藝，或者採用激光切割工藝，在此並不作限定。
其中，激光切割工藝的激光採用短脈沖激光，從而減少熱效應避免壓電石英材料發生雙晶情況。
接下來，是形成第一電極207和第二電極209的步驟，具體是在形成第一通孔204和第二通孔205的第三石英晶片201正面和背面先形成金屬層，然後，通過刻蝕的方式，將多余區域的金屬層去除，得到第一電極207和第二電極209。
該第一電極207形成於振蕩區域206正面且沿著第一凹槽202側壁延伸至第一凹槽202外側，且該第一電極207端部位於第一引腳區域211；第二電極208形成於振蕩區域206背面且沿著第二凹槽203側壁延伸至第二凹槽203外側，且該第二電極209端部位於第二引腳區域212，以形成壓電傳感器晶片210，具體如圖5所示。
接下來，對形成封裝側面的工藝進行描述。
執行S202和S203，提供第一石英晶片，在第一石英晶片上且對應壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域的位置形成第一缺口，在第一石英晶片上且對應壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域的位置形成第二缺口，形成第一封裝側面部件；提供第二石英晶片，在第二石英晶片上且對應壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域的位置形成第三缺口，在第二石英晶片上且對應壓電傳感器正面的第二引腳區域的位置形成第四缺口，形成第二封裝側面部件。
如圖6、圖7、圖8所示，以第一石英晶片為例，提供第一石英晶片601，接著，對第一石英晶片601進行研磨和抛光，以使得第一石英晶片601表面粗糙度小於10nm，然後，在第一石英晶片601上對應壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域211的位置形成第一缺口602，在第一石英晶片601上對應壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域212的位置形成第二缺口603，以形成第一封裝側面部件604。
該第一缺口602和第二缺口603的截面為半圓形或者矩形。
如圖8所示，在第一石英晶片601表面形成第一鍵合層605。
同理，在提供第二石英晶片607之後，對第二石英晶片607進行研磨和抛光，以使得第二石英晶片607表面粗糙度小於10nm，然後，在第二石英晶片607上對應壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域212的位置形成第三缺口608，在第二石英晶片上對應壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域211的位置形成第四缺口609，以形成第二封裝側面部件606。
同樣，在第二封裝側面部件606表面形成第二鍵合層610。
在具體的實施方式中，該第一鍵合層605和第二鍵合層610具體採用如下任意一種方式形成：
塗覆、PVC（物理氣相沈積）、CVD（化學氣相沈積）、PECVD（等離子體增強化學的氣相沈積法）以及燒結。
最後，執行S104，將第一封裝側面部件604與壓電傳感器晶片210正面鍵合，將第二封裝側面部件606與壓電傳感器晶片210背面鍵合，如圖9所示。採用鍵合的方式，能夠提高器件的性能。
上述的鍵合操作具體是在真空環境中進行的，以實現氣密性封裝。
在S104之後，還可以在第一引腳區域211的第一電極207上形成第一鍍膜層；在第二引腳區域212的第二電極209上形成第二鍍膜層。以便於引線焊接，通過增加第一鍍膜層和第二鍍膜層的厚度，從而增加焊接強度。
本發明實施例中的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優點：
本發明提供了一種壓電石英傳感器的封裝方法，包括：形成壓電傳感器晶片，該壓電傳感器晶片呈方形，包括位於壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域和背面的第二引腳區域，第一引腳區域和第二引腳區域呈對角方向設置；提供第一石英晶片，在第一石英晶片上對應壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域的位置形成第一缺口，在對應壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域的位置形成第二缺口，形成第一封裝側面部件；提供第二石英晶片，在第二石英晶片上對應壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域的位置形成第三缺口，在對應壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域的位置形成第四缺口，形成第二封裝側面部件；將第一封裝側面部件與壓電傳感器晶片正面鍵合，將第二封裝側面部件與壓電傳感器晶片背面鍵合，採用鍵合的方式，能夠避免黏貼方式所造成的器件性能不佳的問題，進而提高了器件的性能。
實施例二，基於相同的發明創造，本發明實施例還提供了一種壓電石英傳感器，如圖9所示，包括：壓電傳感器晶片210、第一封裝側面部件604和第二封裝側面部件606；該壓電傳感器晶片210包括正面邊緣的第一引腳區域和背面邊緣的第二引腳區域，該第一引腳區域和第二引腳區域呈對角方向設置；第一封裝側面部件604包括第一缺口602、第二缺口603；第二封裝側面部件606包括第三缺口608，第四缺口609；第一封裝側面部件604和第二封裝側面部件606分別鍵合於壓電傳感器晶片210的正面和背面，使得第一缺口602和第四缺口609與第一引腳區域正對，第二缺口603和第三缺口608與第二引腳區域正對。
在一種可選的實施方式中，該第一缺口602、第二缺口603、第三缺口608、第四缺口609的截面均為半圓形或者矩形。
在一種可選的實時方式中，還包括第一鍍膜層和第二鍍膜層，第一鍍膜層位於第一引腳區域的第一電極207上，第二鍍膜層位於第二引腳區域的第二電極209上。
盡管已描述了本發明的優選實施例，但本領域內的技術人員一旦得知了基本創造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優選實施例以及落入本發明範圍的所有變更和修改。
顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和範圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬於本發明權利要求及其等同技術的範圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
201:第三石英晶片
202:第一凹槽
203:第二凹槽
204:第一通孔
205:第二通孔
206:振蕩區域
207:第一電極
208:第二電極
209:第二電極
210:壓電傳感器晶片
211:第一引腳區域
212:第二引腳區域
601:第一石英晶片
602:第一缺口
603:第二缺口
604:第一封裝側面部件
605:第一鍵合層
606:第二封裝側面部件
607:第二石英晶片
608:第三缺口
609:第四缺口
610:第二鍵合層
圖1示出了本發明實施例中壓電石英傳感器的封裝方法的步驟流程示意圖。
圖2~圖5示出了本發明實施例中形成壓電傳感器晶片的示意圖。
圖6~圖8示出了本發明實施例中形成第一封裝側面部件和第二封裝側面部件的示意圖。
圖9示出了本發明實施例中將第一封裝側面部件、第二封裝側面部件與壓電傳感器晶片鍵合的示意圖。
201:第三石英晶片
208:第二電極
601:第一石英晶片
602:第一缺口
603:第二缺口
604:第一封裝側面部件
605:第一鍵合層
606:第二封裝側面部件
607:第二石英晶片
608:第三缺口
609:第四缺口
610:第二鍵合層
Claims (10)
- 一種壓電石英傳感器的封裝方法，其包括： 形成壓電傳感器晶片，該壓電傳感器晶片呈方形，包括位於壓電傳感器晶片正面的第一引腳區域和壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域，該第一引腳區域和該第二引腳區域呈對角方向設置； 提供第一石英晶片，在該第一石英晶片上且對應該壓電傳感器晶片正面的該第一引腳區域的位置形成第一缺口，在該第一石英晶片上且對應該壓電傳感器晶片背面的第二引腳區域的位置形成第二缺口，形成第一封裝側面部件； 提供第二石英晶片，在該第二石英晶片上且對應該壓電傳感器晶片背面以及該第二引腳區域的位置形成第三缺口，在該第二石英晶片上且對應該壓電傳感器正面的該第一引腳區域的位置形成第四缺口，形成第二封裝側面部件； 將該第一封裝側面部件與該壓電傳感器晶片正面鍵合，將該第二封裝側面部件與該壓電傳感器晶片背面鍵合。
- 如請求項1所述之方法，其中該形成壓電傳感器晶片，包括： 提供第三石英晶片；在該第三石英晶片的正面和背面相對的位置形成第一凹槽和第二凹槽，該第一凹槽和該第二凹槽均為圓形凹槽； 形成從該第一凹槽開設至該第二凹槽的第一通孔和第二通孔，該第一通孔為沿著該第一凹槽底端一側邊緣的第一半弧柱狀孔洞，該第二通孔為沿著該第一凹槽底端另一側邊緣的第二半弧柱孔洞，使得該第一通孔和該第二通孔之間形成振蕩區域； 在該振蕩區域正面且沿著該第一凹槽側壁延伸至該第一凹槽外側形成第一電極，該第一電極端部位於該第一引腳區域，在該振蕩區域背面且沿著該第二凹槽側壁延伸至該第二凹槽外側形成第二電極，該第二電極端部位於該第二引腳區域，以形成壓電傳感器晶片。
- 如請求項2所述之方法，其中形成從該第一凹槽開設至該第二凹槽的第一通孔和第二通孔，包括：採用光刻工藝，從該第一凹槽開設至該第二凹槽，形成第一通孔和第二通孔；或者採用激光切割工藝，從該第一凹槽開設至該第二凹槽，形成第一通孔和第二通孔。
- 如請求項1所述之方法，其中該在第一石英晶片上對應該壓電傳感器晶片正面且正對該第一引腳區域的位置形成第一缺口之前，還包括：對該第一石英晶片進行研磨和抛光，以使得該第一石英晶片表面粗糙度小於10nm；該在第二石英晶片上對應該壓電傳感器晶片背面且正對該第二引腳區域的位置形成第二缺口之間，還包括：對該第二石英晶片進行研磨和抛光，以使得該第二石英晶片表面粗糙度小於10nm。
- 如請求項1所述之方法，其中在將該第一石英晶片與該壓電傳感器晶片正面鍵合，將該第二石英晶片與該壓電傳感器晶片背面鍵合之前，還包括：在該第一石英晶片表面和該第二石英晶片表面均形成鍵合層。
- 如請求項5所述之方法，其中該在該第一石英晶片表面和該第二石英晶片表面均形成鍵合層，具體採用如下任意一種方式：塗覆、PVD、CVD、PECVD以及燒結。
- 如請求項1所述之方法，其中將該第一石英晶片與該壓電傳感器晶片正面鍵合，將該第二石英晶片與該壓電傳感器晶片背面鍵合，包括：在真空環境中，將該第一石英晶片與該壓電傳感器晶片正面鍵合，將該第二石英晶片與該壓電傳感器晶片背面鍵合。
- 如請求項2所述之方法，其中在將該第一石英晶片與該壓電傳感器晶片正面鍵合，將該第二石英晶片與該壓電傳感器晶片背面鍵合之後，還包括：在該第一引腳區域的第一電極上形成第一鍍膜層；在該第二引腳區域的第二電極上形成第二鍍膜層。
- 一種壓電石英傳感器，其包括： 壓電傳感器晶片、第一封裝側面部件和第二封裝側面部件； 該壓電傳感器晶片包括正面邊緣的第一引腳區域和背面邊緣的第二引腳區域，該第一引腳區域和該第二引腳區域呈對角方向設置； 該第一石英晶片包括第一缺口、第二缺口；該第二石英晶片包括第三缺口、第四缺口； 該第一封裝側面部件和該第二封裝側面部件分別鍵合於該壓電傳感器晶片的正面和背面，使得該第一缺口和第四缺口與該第一引腳區域正對，該第二缺口和第三缺口與該第二引腳區域正對。
- 如請求項8所述之壓電石英傳感器，其中該第一缺口的截面、第二缺口的截面、第三缺口的截面和第四缺口的截面均為半圓形或者矩形。
Applications Claiming Priority (2)
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| CN202210799325.5 | 2022-07-08 |
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|---|---|---|---|
| TW111130799A TWI820865B (zh) | 2022-07-08 | 2022-08-16 | 壓電石英傳感器的封裝方法及壓電石英傳感器 |
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