TW202403977A

TW202403977A - 散熱片一體型絕緣電路基板及電子裝置

Info

Publication number: TW202403977A
Application number: TW111141052A
Authority: TW
Inventors: 大橋東洋; 坂庭慶昭
Original assignee: 日商三菱綜合材料股份有限公司
Priority date: 2022-03-11
Filing date: 2022-10-28
Publication date: 2024-01-16
Also published as: JP2023132535A; WO2023171019A1

Abstract

此散熱片一體型絕緣電路基板(10)，係具備散熱片(11)、和形成於此散熱片(11)之頂板部(11A)之絕緣層(12)、和形成於與此絕緣層(12)之散熱片(11)相反側之面之電路層(13)，於電路層(13)之搭載面(13A)，搭載電子零件(3)。電路層(13)係以銅或銅合金所構成，令對於電路層(13)之搭載面(13A)之面積而言電子零件(3)之占有面積之比例之零件占有率為X，令絕緣層(12)之厚度t _R與絕緣層(12)之熱傳導率λ _R之比λ _R/t _R為Y之時，前述零件占有率X為0.6以下之範圍中，電路層(13)之厚度t _C係在0.7×(-5X-0.005Y+ 4.5)≦t _C≦1.3×(-5X-0.005Y+4.5)之範圍內。

Description

散熱片一體型絕緣電路基板及電子裝置

此發明係有關具備散熱片，和絕緣層、和電路層之散熱片一體型絕緣電路基板及電子裝置。本發明係於2022年3月11日，根據於日本申請之日本特願2022-037910號主要優先權，將此內容援用於此。

於功率模組、LED模組及熱電模組等之各種電子裝置中，於絕緣層之一方之面，形成導電材料所成之電路層的絕緣電路基板，成為接合功率半導體元件、LED元件及熱電元件等之電子零件之構造。然而，做為絕緣層，提案有使用陶瓷者或使用絕緣樹脂者。

又，此等絕緣電路基板中，為散熱來自搭載之元件之熱，而配設散熱片。例如於專利文獻1、2中，提案有散熱片與電路層經由絕緣樹脂層加以絕緣的散熱片一體型絕緣電路基板。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平11-204700號公報 [專利文獻2]日本特開2021-145094號公報

[發明欲解決之課題]

上述散熱片一體型絕緣電路基板中，成為將來自搭載於電路層上之電子零件所產生之熱，在電路層向面方向擴展，藉由絕緣層，傳達朝向散熱片之熱，經由散熱片加以散熱之構成。在此，雖經由使電路層之厚度變厚，可容易將來自電子零件之熱向面方向擴展，但在厚度方向會有熱阻抗。因此，為了有效率將來自搭載電子零件之熱從散熱片加以散熱，需將電路層之厚度加以適切化。

此發明係有鑑於上述情事而成，提供可有效率將來自搭載之電子零件之熱從散熱片加以散熱之散熱片一體型絕緣電路基板，及電子裝置為目的。 [為解決課題之手段]

為解決如此課題，為了達成前述目的，本發明人等經由專業之檢討，得到經由對應電路層之電子零件之占有面積，規定電路層之適切厚度，可有效率將電子零件所產生之熱從散熱片有效率加以散熱之發現。

本發明係根據上述之發現而成者，本發明之散熱片一體型絕緣電路基板係具備散熱片、和形成於此散熱片之頂板部之絕緣層、和形成於與此絕緣層之前述散熱片相反側之面之電路層；於前述電路層之搭載面，搭載電子零件之散熱片一體型絕緣電路基板中，前述電路層係以銅或銅合金所構成，令對於前述電路層之前述搭載面之面積而言前述電子零件之占有面積之比例之零件占有率為X，令前述絕緣層之厚度t _R與前述絕緣層之熱傳導率λ _R之比λ _R/t _R為Y之時，前述零件占有率X為0.6以下之範圍中，前述電路層之厚度t _C係在0.7×(-5X-0.005Y+4.5)≦t _C≦1.3×(-5X-0.005Y+4.5)之範圍內為特徵。

根據本發明之散熱片一體型絕緣電路基板時，前述電路層之厚度t _C係以對於前述電路層之前述搭載面之面積而言所搭載之前述電子零件之占有面積之比例之零件占有率X、和前述絕緣層之厚度t _R與前述絕緣層之熱傳導率λ _R之比Y=λ _R/t _R，成為以上述之式所規定之範圍內之故，可將電子零件所產生之熱，從散熱片有效率地加以散熱。

在此，本發明之散熱片一體型絕緣電路基板中，前述絕緣層之厚度t _R係0.05mm以上0.3mm以下之範圍內，前述絕緣層之熱傳導率λ _R係3W/(m･K)以上30W/(m･K)以下之範圍內為佳。此時，絕緣層之厚度及熱傳導率成為上述之範圍內之故，可將電路層側之熱傳達至散熱片側之同時，可充分確保電路層與散熱片之間之絕緣性。

又，本發明之散熱片一體型絕緣電路基板中，前述散熱片係以銅或銅合金構成為佳。此時，散熱片以銅或銅合金構成之故，由於熱傳導性優異，更可將自電子零件所產生之熱有效率地加以散熱。

本發明之電子裝置係具備上述之散熱片一體型絕緣電路基板，和搭載於前述散熱片一體型絕緣電路基板之前述電路層之前述搭載面之前述電子零件為特徵。根據此構成之電子裝置時，如上所述，具備散熱特性優異之散熱片一體型絕緣電路基板之故，可有效率散熱電子零件所產生之熱，即使增加來自電子零件之發熱量時，亦可安定加以使用。 [發明效果]

根據本發明時，可提供有效率將來自搭載之電子零件之熱從散熱片加以散熱之散熱片一體型絕緣電路基板，及電子裝置。

以下，參照圖面，對於本發明之實施形態加以說明。然而，以下所示各實施形態，係為了更加理解發明之意思而具體加以說明者，在於沒有特定指定下，非限定本發明者。又，以下說明所使用之圖面係為了更理解本發明之特徵，在方便上，有擴大顯示主要部分之部分之情形，各各構成要素之尺寸比例等與實際上不見得是相同的。

於圖1，顯示本發明之實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板10及使用此散熱片一體型絕緣電路基板10之半導體裝置1(電子裝置)。

圖1所示半導體裝置1係具備散熱片一體型絕緣電路基板10、和於此散熱片一體型絕緣電路基板10之一方面(圖1中之上面)，隔著銲錫層2加以接合之電子零件3。本實施形態中，電子零件3係半導體元件。

電子零件3係以Si等之半導體材料構成。接合散熱片一體型絕緣電路基板10與電子零件3之銲錫層2係例如Sn-Ag系、Sn-Cu系、Sn-In系、或Sn-Ag-Cu系之銲錫材(所謂無鉛銲錫材)。

散熱片一體型絕緣電路基板10係具備散熱片11，和形成於此散熱片11之頂板部11A之一方面(圖1中上面)之絕緣層12、和形成於絕緣層12之一方面(圖1中上面)之電路層13。然後，上述電子零件3係接合於電路層13之搭載面13A(圖1中之上面)。

散熱片11係具備頂板部11A、和從此頂板部11A之另一方面(圖1中下面)突出之散熱鰭片11B。此散熱片11係以熱傳導性優異之材料所構成，例如以銅或銅合金、鋁或鋁合金等之金屬，碳質材料、金屬與碳質材料之複合材料等所構成。本實施形態中，散熱片11(頂板部11A及散熱鰭片11B)係以銅或銅合金所構成為佳。

然而，頂板部11A之厚度係1mm以上為佳，更佳為3mm以上。另一方面，頂板部11A之厚度係7mm以下為佳，更佳為5mm以下。又，散熱鰭片11B係可為柱狀鰭片構造，亦可為梳形構造。

絕緣層12係防止電路層13與散熱片11間之電性連接者，本實施形態中，以具有絕緣性之樹脂加以構成。本實施形態中，確保絕緣層12之強度的同時，為確保熱傳導性，做為構成絕緣層12之樹脂，使用含有無機材料之填料之樹脂為佳。在此，做為填料，例如可使用氧化鋁、氮化硼、氮化鋁等。從確保絕緣層12之熱傳導性之觀點視之，填料之含有量係50mass%以上為佳，較佳為70mass%以上。又，做為熱硬化型樹脂，可使用環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂等。在此，聚矽氧樹脂時，可使前述填料含有70mass%以上，為環氧樹脂時，可使上述填料含有80mass%以上。

在此，本實施形態中，絕緣層12之厚度t _R係0.05mm以上0.3mm以下之範圍內為佳。然而，絕緣層12之厚度t _R係較佳為0.08mm以上，更佳為0.1mm以上。另一方面，絕緣層12之厚度t _R係較佳為0.25mm以下，更佳為0.2mm以下。

又，絕緣層12之熱傳導率λ _R係以3W/(m･K)以上30W/(m･K)以下之範圍內為佳。然而，絕緣層12之熱傳導率λ _R係較佳為5W/(m･K)以上，更佳為8W/(m･K)以上。另一方面，絕緣層12之熱傳導率λ _R係較佳為25W/(m･K)以下，更佳為20W/(m･K)以下。

電路層13係如圖11所示，於絕緣層12之一方之面，經由接合導電性優異之金屬所成金屬片43加以形成。做為金屬片43，可使用銅或銅合金、鋁或鋁合金等。於本實施形態中，做為構成電路層13之金屬片43，可使用打穿無氧銅之軋板。於此電路層13中，形成電路圖案，該一方之面(圖1之上面)則成為搭載電子零件3之搭載面13A。

然後，本實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板10中，電路層13之厚度t _C係經由對於電路層13之搭載面之面積而言之電子零件3之占有面積之比例之零件占有率X、和絕緣層12之厚度t _R與絕緣層12之熱傳導率λ _R之比Y=λ _R/t _R，設定成為如下。 0.7×(-5X-0.005Y+4.5)≦t _C≦1.3×(-5X-0.005Y+4.5) 惟，零件占有率X係0.6以下。然而，t _C之值係愈接近-5X-0.005Y+4.5愈好，可為以下之範圍。 0.8×(-5X-0.005Y+4.5)≦t _C≦1.2×(-5X-0.005Y+4.5) 0.9×(-5X-0.005Y+4.5)≦t _C≦1.1×(-5X-0.005Y+4.5)

以下，對於電路層13之厚度t _C規定成如上述之理由，加以說明。自搭載於電路層13上之搭載面13A上之電子零件3所產生之熱係在熱傳導性優異之電路層13，向面方向擴展，藉由絕緣層12，傳達至散熱片11，從散熱片11之散熱鰭片11B加以散熱。因此，為了有效率將來自電子零件3之熱加以散熱，需使散熱片一體型絕緣電路基板10之厚度方向之熱阻抗變小。

在此，於圖2A、圖2B、圖3、圖4A、圖4B、圖5、圖6A、圖6B、圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖8C，顯示熱計算各種構造之散熱片一體型絕緣電路基板之厚度方向之熱阻抗之結果。然而，圖3,5、圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖8C中，做為熱計算結果，顯示散熱片一體型絕緣電路基板之電路層之厚度、與搭載於電路層之電子零件之表面溫度之關係。電子零件之表面溫度愈低，散熱片一體型絕緣電路基板之厚度方向之熱阻抗則愈低，散熱特性會變得優異。

圖2A、圖2B及圖3係令對於電路層13之搭載面13A之面積而言電子零件3之占有面積之比例之零件占有率X為1.0之情形，即是於電路層13之搭載面13A之整面搭載電子零件3之情形。伴隨電路層13之厚度t _C變厚，電子零件之表面溫度則上昇，可知散熱片一體型絕緣電路基板之厚度方向之熱阻抗變高。由於零件占有率X為1.0之故，於電路層13中，沒有將熱向面方向擴展之效果，僅向厚度方向傳達之故，伴隨電路層13之厚度t _C變厚，散熱片一體型絕緣電路基板之厚度方向之熱阻抗則變高。

圖4A、圖4B及圖5係對於電路層13之搭載面13A之面積而言電子零件3之占有面積之比例之零件占有率X為0.59之情形。電子零件之表面溫度係可知對於電路層13之厚度t _C有極小值。然而，電子零件之表面溫度愈低，顯示散熱片一體型絕緣電路基板之熱阻抗愈小。由於零件占有率X為0.59之故，於電路層13中，伴隨熱向面方向擴展，亦向厚度方向傳達。因此，考量到電路層13之厚度t _C向面方向熱擴展之效果與對厚度方向之熱阻抗加以適切化，可使散熱片一體型絕緣電路基板之厚度方向之熱阻抗變低。

圖6A、圖6B、圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖8C係對於電路層13之搭載面13A之面積而言電子零件3之占有面積之比例之零件占有率X為0.44之情形。在此，於圖7A、圖7B中，變更散熱片11之熱傳導係數，實施熱計算。於圖8A、圖8B、圖8C中，變更絕緣層12之熱傳導率λ _R，實施熱計算。電子零件之表面溫度係可知對於電路層13之厚度t _C有極小值。然而，電子零件之表面溫度愈低，顯示散熱片一體型絕緣電路基板之熱阻抗愈小。

然而，如圖7A、圖7B所示，變更散熱鰭片11B之熱傳導係數時，在電子零件之表面溫度(散熱片一體型絕緣電路基板之熱阻抗)顯示極小值之電路層13之厚度t _C，無變化。又，如圖8A、圖8B、圖8C所示，變更絕緣層12之熱傳導率λ _R時，在電子零件之表面溫度(散熱片一體型絕緣電路基板之熱阻抗)顯示極小值之電路層13之厚度t _C，會產生變化。於絕緣層12之熱阻抗為大之時，在電路層13中，推測需要將熱向面方向充分擴展。

為了由以上之熱計算之結果，提升散熱性，使散熱片一體型絕緣電路基板之熱阻抗變低，於電路層13，伴隨充分將熱向面方向擴展的同時，亦向厚度方向傳達之故，需適切化電路層13之厚度t _C。然後，電路層13之厚度之適切值係不大為影響散熱片之散熱特性，而可影響絕緣層12之熱阻抗。

因此，本實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板10中，電路層13之厚度t _C係如上所述，經由零件占有率X、和絕緣層12之厚度t _R與絕緣層12之熱傳導率λ _R之比Y=λ _R/t _R，加以規定。然而，如上所述，經由電路層13之厚度t _C，散熱片一體型絕緣電路基板之厚度方向之熱阻抗顯示明確之極小值時，零件占有率X為在0.6以下之時。

在此，於實際之半導體裝置1中，如圖9所示，於配設成電路圖案狀之電路層13，各別搭載電子零件3。圖9所示半導體裝置1時，零件占有率X係由電路層13之搭載面13A之面積(圖9之領域A之合計面積)、與電子零件3之占有面積(圖9之領域B之合計面積，做為X=B/A加以算出。然而，未進行電子零件3之搭載之電路層13之面積係不含於領域A。又，本實施形態中，電子零件3之底面整體則接合於電路層13。

接著，對於本實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板10之製造方法，參照圖10及圖11加以說明。

(樹脂組成物配設工程S01) 如圖11所示，於散熱片11之頂板部11A之一方面(圖11中之上面)，配設含有無機材料之填料與樹脂與硬化劑之樹脂組成物42。本實施形態中，樹脂組成物42係使用薄片狀者。

(金屬片配置工程S02) 接著、於樹脂組成物42之一方面(圖11中之上面)，將成為電路層13之複數之金屬片43，配置成電路圖案狀。

(加壓及加熱工程S03) 接著，經由加壓裝置，伴隨將散熱片11和樹脂組成物42和金屬片43，向層積方向加壓，經由加熱，硬化樹脂組成物42，形成絕緣層12之同時，接合散熱片11之頂板部11A與絕緣層12、絕緣層12與金屬片43。

於此加壓及加熱工程S03中，加熱溫度係在120℃以上350℃以下之範圍內，加熱溫度之保持時間在10分以上180分以下之範圍內為佳。又，層積方向之加壓荷重係以1MPa以上30MPa以下之範圍內為佳。

在此，加熱溫度之下限係成為150℃以上為佳，更佳為170℃以上。另一方面，加熱溫度之上限係以320℃以下為佳，更佳為300℃以下。加熱溫度之保持時間之下限係成為30分以上為佳，更佳為60分以上。另一方面，加熱溫度之保持時間之上限係成為120分以下為佳，更佳為90分以下。層積方向之加壓荷重之下限係成為3MPa以上為佳，更佳為5MPa以上。另一方面，層積方向之加壓荷重之上限係成為15MPa以下為佳，更佳為10MPa以下。

經由上述各工程，製造本實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板10。

根據以上構成之本實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板10時，由於規定於以電路層13之厚度t _C係以對於電路層13之搭載面13A之面積而言電子零件3之占有面積之比例之零件占有率X、和絕緣層12之厚度t _R與絕緣層12之熱傳導率λ _R之比Y=λ _R/t _R加以規定之以下之範圍內之故，散熱片一體型絕緣電路基板10之厚度方向之熱阻抗會變低，可將電子零件3所產生之熱，由散熱片11有效率地加以散熱。 0.7×(-5X-0.005Y+4.5)≦t _C≦1.3×(-5X-0.005Y+4.5) 惟，零件占有率X係0.6以下。

又，本實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板10中，絕緣層12之厚度t _R在0.05mm以上0.3mm以下之範圍內，絕緣層12之熱傳導率λ _R在3W/(m･K)以上30W/(m･K)以下之範圍內時，伴隨可將來自電子零件3之熱，充分傳達至散熱板11側的同時，可充分確保電路層13與散熱片11之間之絕緣性。

又，本實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板10中，散熱板11以銅或銅合金所構成之時，散熱片11有充分優異熱傳導性，可更有效率將來自電子零件3所產生之熱加以散熱。

更且，根據本實施形態之半導體裝置1(電子裝置)時，具備散熱特性優異之本實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板10之故，可有效率散熱來自電子零件3所產生之熱，即使增加來自電子零件3之發熱量時，亦可安定加以使用。

以上，雖對於本發明的實施形態做了說明，但本發明非限定於此，在不脫離該發明之技術思想之範圍下，可適切加以變更。例如，本實施形態中，雖散熱片在構造上無特別限定，可為具有各種構造之散熱鰭片，頂板部成為層積構造亦可。又，本實施形態中，雖就做為電子零件搭載半導體元件者做了說明，但非限定於此，可為其他之電子零件。 [實施例]

對於確認本發明之有效性所進行之確認實驗加以說明。

首先，如表1~7所示，變更零件占有率X、絕緣層之熱傳導率λ _R及厚度t _R、電路層之厚度t _C，熱計算散熱片一體型絕緣電路基板之厚度方向之熱阻抗。然而，於表1~7中，電路層之厚度係以0.05mm之熱阻抗為基準(1.0)，相對性評估將電路層之厚度做為參數時之熱阻抗。

熱計算係使用泛用之有限元素法計算軟體ANSYS(ANSYS公司製)。做為計算模型，假定電子零件、銲錫層、電路層、絕緣層、散熱片(僅頂板部)之層積構造。做為計算條件，設想僅由電子零件發熱，周圍係斷熱，僅由散熱片下部進行散熱。即，於電子零件設定發熱量，僅於散熱片下部，設定熱傳導係數。然而，做為具體之發熱量、物性值及熱傳導係數之值，各別設定電子零件之發熱量為100W、電子零件之熱傳導率為150~200W/(m･K)、銲錫層之熱傳導率為30~50W/(m･K)、電路層之熱傳導率為400W/(m･K)、絕緣層之熱傳導率為3~30W/mK、散熱片(頂板部)之熱傳導率為400W/(m･K)、散熱片下部之熱傳導係數為5000~20000W/(m ²･K)。然而，使電子零件之平面所視之尺寸成為10mm×10mm，零件占有率X成為0.2~1.0，設定電路層之尺寸。銲錫層、電路層、絕緣層、散熱片之平面所視尺寸為相同，電子零件係配置於銲錫層之中心。又，設想發熱後，經過充分時間後之狀態，經由定常熱計算，算出各零件之溫度。

如表1~7所示，令電路層之厚度t _C係成為經由零件占有率X、和絕緣層之厚度t _R與絕緣層之熱傳導率λ _R之比Y=λ _R/t _R，加以規定之以下之範圍內之本發明例中，相較範圍外之比較例，可確認到熱阻抗變低。 0.7×(-5X-0.005Y+4.5)≦t _C≦1.3×(-5X-0.005Y+4.5)

以上之確認實驗結果，根據本發明例時，可確認提供有效率將來自搭載之電子零件之熱從散熱片加以散熱之散熱片一體型絕緣電路基板，及電子裝置。 [產業上的可利用性]

根據本發明時，可提供有效率將來自搭載之電子零件之熱從散熱片加以散熱，散熱效率優異之功率模組、LED模組、熱電模組等之各種電子裝置。因此，具有產業上的可利用性。

1:半導體裝置(電子裝置) 3:電子零件 10:散熱片一體型絕緣電路基板 11:散熱片 11A:頂板部 12:絕緣層 13:電路層 13A:搭載面

[圖1]使用本發明之實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板之半導體裝置之概略說明圖。 [圖2A]於散熱片一體型絕緣電路基板，搭載零件占有率X=1.0之電子零件之上面圖。 [圖2B]於散熱片一體型絕緣電路基板，搭載零件占有率X=1.0之電子零件之剖面圖。 [圖3]顯示搭載零件占有率X=1.0之電子零件時之電路層之厚度與電子零件之表面溫度之關係之圖表。 [圖4A]於散熱片一體型絕緣電路基板，搭載零件占有率X=0.59之電子零件之上面圖。 [圖4B]於散熱片一體型絕緣電路基板，搭載零件占有率X=0.59之電子零件之剖面圖。 [圖5]顯示搭載零件占有率X=0.59之電子零件時之電路層之厚度與電子零件之表面溫度之關係之圖表。 [圖6A]於散熱片一體型絕緣電路基板，搭載零件占有率X=0.44之電子零件之上面圖。 [圖6B]於散熱片一體型絕緣電路基板，搭載零件占有率X=0.44之電子零件之剖面圖。 [圖7A]顯示搭載零件占有率X=0.44之電子零件時之電路層之厚度與電子零件之表面溫度之關係之圖表(散熱片之熱傳導係數為15000W/(m ²･K)之時)。 [圖7B]顯示搭載零件占有率X=0.44之電子零件時之電路層之厚度與電子零件之表面溫度之關係之圖表(散熱片之熱傳導係數為20000W/(m ²･K)之時)。 [圖8A]顯示搭載零件占有率X=0.44之電子零件時之電路層之厚度與電子零件之表面溫度之關係之圖表(絕緣層之熱傳導率為5W/(m･K)之時)。 [圖8B]顯示搭載零件占有率X=0.44之電子零件時之電路層之厚度與電子零件之表面溫度之關係之圖表(絕緣層之熱傳導率為15W/(m･K)之時)。 [圖8C]顯示搭載零件占有率X=0.44之電子零件時之電路層之厚度與電子零件之表面溫度之關係之圖表(絕緣層之熱傳導率為25W/(m･K)之時)。 [圖9]本發明之實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板中，零件占有率之說明圖。 [圖10]本發明之實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板之製造方法之流程圖。 [圖11]本發明之實施形態之散熱片一體型絕緣電路基板之製造方法之說明圖。

1:半導體裝置(電子裝置)

2:銲錫層

3:電子零件

10:散熱片一體型絕緣電路基板

11:散熱片

11A:頂板部

11B:散熱鰭片

12:絕緣層

13:電路層

13A:搭載面

Claims

一種散熱片一體型絕緣電路基板，其為具備散熱片、和形成於此散熱片之頂板部之絕緣層、和形成於此絕緣層之與前述散熱片相反側之面之電路層，於前述電路層之搭載面，搭載電子零件之散熱片一體型絕緣電路基板，其特徵係前述電路層係以銅或銅合金所構成，令對於前述電路層之前述搭載面之面積而言前述電子零件之占有面積之比例之零件占有率為X，令前述絕緣層之厚度t _R與前述絕緣層之熱傳導率λ _R之比λ _R/t _R為Y之時，前述零件占有率X為0.6以下之範圍中，前述電路層之厚度t _C設為0.7×(-5X-0.005Y+4.5)≦t _C≦1.3×(-5X-0.005Y+ 4.5)之範圍內。
如請求項1記載之散熱片一體型絕緣電路基板，其中，前述絕緣層之厚度t _R設為0.05mm以上0.3mm以下之範圍內，前述絕緣層之熱傳導率λ _R設為3W/(m･K)以上30W/(m･K)以下之範圍內。
如請求項1或2記載之散熱片一體型絕緣電路基板，其中，前述散熱片係以銅或銅合金所構成。
一種電子裝置，其特徵係具備如請求項1至3之任一項記載之散熱片一體型絕緣電路基板，和搭載於前述散熱片一體型絕緣電路基板之前述電路層之前述搭載面之前述電子零件。