TW202401871A - 可撓曲電子裝置 - Google Patents

可撓曲電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202401871A
TW202401871A TW111134362A TW111134362A TW202401871A TW 202401871 A TW202401871 A TW 202401871A TW 111134362 A TW111134362 A TW 111134362A TW 111134362 A TW111134362 A TW 111134362A TW 202401871 A TW202401871 A TW 202401871A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electronic device
layer
interposer
flexible electronic
flexible
Prior art date
Application number
TW111134362A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI824710B (zh
Inventor
吳湲琳
李冠鋒
Original Assignee
群創光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 群創光電股份有限公司 filed Critical 群創光電股份有限公司
Application granted granted Critical
Publication of TWI824710B publication Critical patent/TWI824710B/zh
Publication of TW202401871A publication Critical patent/TW202401871A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
    • H04M1/0266—Details of the structure or mounting of specific components for a display module assembly
    • H04M1/0268—Details of the structure or mounting of specific components for a display module assembly including a flexible display panel
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1615—Constructional details or arrangements for portable computers with several enclosures having relative motions, each enclosure supporting at least one I/O or computing function
    • G06F1/1616—Constructional details or arrangements for portable computers with several enclosures having relative motions, each enclosure supporting at least one I/O or computing function with folding flat displays, e.g. laptop computers or notebooks having a clamshell configuration, with body parts pivoting to an open position around an axis parallel to the plane they define in closed position
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1656—Details related to functional adaptations of the enclosure, e.g. to provide protection against EMI, shock, water, or to host detachable peripherals like a mouse or removable expansions units like PCMCIA cards, or to provide access to internal components for maintenance or to removable storage supports like CDs or DVDs, or to mechanically mount accessories
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/0206—Portable telephones comprising a plurality of mechanically joined movable body parts, e.g. hinged housings
    • H04M1/0208—Portable telephones comprising a plurality of mechanically joined movable body parts, e.g. hinged housings characterized by the relative motions of the body parts
    • H04M1/0214—Foldable telephones, i.e. with body parts pivoting to an open position around an axis parallel to the plane they define in closed position
    • H04M1/0216—Foldable in one direction, i.e. using a one degree of freedom hinge
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Sink And Installation For Waste Water (AREA)
  • Control Of Vending Devices And Auxiliary Devices For Vending Devices (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Abstract

本揭露公開一種可撓曲電子裝置，其包括支撐層、可撓曲層、中介層以及複數個電子元件。可撓曲層設置在支撐層上，且可撓曲層包括至少兩個主部分以及一個可形變部分連接兩個主部分。中介層設置在支撐層與可撓曲層之間，且中介層包括第一部分位於可形變部分之下以及第二部分位於多個主部分中的一個之下。複數個電子元件設置在主部分上，且第一部分的厚度小於第二部分的厚度。

Description

可撓曲電子裝置
本揭露涉及一種電子裝置，特別是涉及一種可撓曲電子裝置。
可撓曲電子裝置可藉由拉伸及/或彎曲電子裝置而固定到彎曲表面上，例如可貼附於皮膚、車用面板、曲面玻璃…等曲面上，因此可例如作為生物感測器、車用電子元件或可具有其他適合的用途。隨著使用者對於可撓曲電子裝置的要求越來越高，如何改善可撓曲電子裝置的產品可靠度對於本領域來說仍是一項重要的議題。
本揭露的目的之一在於提供一種可撓曲電子裝置，利用中介層(medium layer)具有不同厚度部分的設計來改善可撓曲電子裝置的產品可靠度。
在一些實施例中，本揭露提供了一種可撓曲電子裝置。可撓曲電子裝置包括一支撐層、一可撓曲層、一中介層以及複數個電子元件。可撓曲層設置在支撐層上，且可撓曲層包括至少兩個主部分以及一個可形變部分連接兩個主部分。中介層設置在支撐層與可撓曲層之間，且中介層包括一第一部分位於可形變部分之下以及一第二部分位於多個主部分中的一個之下。複數個電子元件設置在主部分上。中介層的第一部分的厚度小於中介層的第二部分的厚度。
通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分，且附圖中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與所附的權利要求中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。
在下文說明書與權利要求書中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。
應了解到，當元件或膜層被稱為「設置」在另一個元件或膜層「上」或「連接」到另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。當元件或膜層被稱為「耦接」到另一個元件或膜層時，其可解讀為直接電連接或間接電連接。於直接電連接的情況下，兩電路上組件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接電連接的情況下，兩電路上組件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、電阻、其他適合的組件、或上述組件的組合，但不限於此。
雖然術語「第一」、「第二」、「第三」…可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。權利要求中可不使用相同術語，而依照權利要求中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在權利要求中可能為第二組成元件。
另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值的正負20%範圍以內，或解釋為在所給定的值的正負10%、正負5%、正負3%、正負2%、正負1%或正負0.5%的範圍以內。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
本揭露的電子裝置可包括顯示裝置、感測裝置、背光裝置、天線裝置、拼接裝置或其他適合的電子裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折、可撓曲或可拉伸的電子裝置。例如，本揭露的電子裝置可包括可撓曲電子裝置。顯示裝置可例如應用於筆記型電腦、公共顯示器、拼接顯示器、車用顯示器、觸控顯示器、電視、監視器、智慧型手機、平板電腦、光源模組、照明設備或例如為應用於上述產品的電子裝置，但不以此為限。感測裝置可包括光感測器、生物感測器、觸控感測器、指紋感測器、其他適合的感測器或上述類型的感測器的組合。天線裝置可例如包括液晶天線裝置，但不以此為限。拼接裝置可例如包括顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。此外，電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可包括電子元件，其中電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體、感測器等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)或無機發光二極體(in-organic light emitting diode)，無機發光二極體可例如包括次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統…等周邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。須注意的是，本揭露的電子裝置可為上述裝置的各種組合，但不以此為限。下文將以顯示裝置為例說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。
請參考第1A圖和第1B圖，第1A圖為本揭露一實施例的電子裝置100的示意圖，而第1B圖為電子裝置100進行折疊時的示意圖。如第1A圖所示，電子裝置100可包括一支撐層20、一可撓曲層10以及一中介層30。可撓曲層10設置在支撐層20上，可撓曲層10包括至少兩個主部分10B以及一個可形變(deformable)部分10A連接兩個主部分10B。中介層30設置在支撐層20與可撓曲層10之間，而中介層30包括一第一部分30A以及一第二部分30B。第一部分30A位於可形變部分10A之下，第二部分30B位於多個主部分10B中的一個之下，且第一部分30A的厚度T1小於第二部分30B的厚度T2。在一些實施例中，電子裝置100可為可彎折、可折疊、可撓曲或/及可拉伸的電子裝置，而當電子裝置100被彎折、折疊、撓曲或/及拉伸時，可撓曲層10的可形變部分10A以及對應可形變部分10A的中介層30與支撐層20可產生形變。通過將對應可形變部分10A的中介層30減薄，可降低在彎折、折疊、撓曲或/及拉伸等形變過程中或/及形變過程之後支撐層20與可撓曲層10之間發生剝離(peeling)的風險或/及降低支撐層20與可撓曲層10之間在形變時的應力，進而可提高電子裝置的可靠度。
如第1A圖與第1B圖所示，在一些實施例中，電子裝置100可具有一折疊軸AX，電子裝置100可依據折疊軸AX為中心進行折疊，且折疊軸AX與可形變部分10A重疊，例如折疊軸AX與可形變部分10A可在電子裝置100在攤平的狀況下(例如在第1A圖所示的狀況下)於可形變部分10A的法線方向彼此重疊。此外，在進行折疊時，可撓曲層10的可形變部分10A、中介層30對應可形變部分10A的第一部分30A以及支撐層20對應可形變部分10A的部分可產生形變以實現此折疊狀態。相對來說，可撓曲層10的主部分10B的至少一部分、中介層30的第二部分30B的至少一部分以及支撐層20對應主部分10B的至少一部分在進行折疊時可未產生形變，但並不以此為限。在一些實施例中，可撓曲層10的材料可包括聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他適合的材料或上述材料的組合，而支撐層20的材料可包括PI、PET、聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)、其他適合的材料或上述材料的組合，但並不以此為限。此外，中介層30可用以連接可撓曲層10與支撐層20，並在形變的過程中緩和可撓曲層10與支撐層20之間的應力差異。舉例來說，中介層30的材料可包括但並不限於光學透明膠(optical clear adhesive，OCA)、光學透明樹脂(optical clear resin，OCR)或/及其他適合的連接材料。
值得說明的是，上述中介層30的第一部分30A的厚度T1以及第二部分30B的厚度T2是在電子裝置100並未處於彎折、折疊、撓曲或/及拉伸狀態下進行量測的厚度。在一些實施例中，厚度T1與厚度T2可分別為在遠離第一部分30A與第二部分30B交界處10微米以上的第一部分30A與第二部分30B任取一個位置進行量測所獲得的厚度值。在一些實施例中，厚度T1可為第一部分30A在一垂直方向(例如方向Z)上的厚度最小值，而厚度T2可為第二部分30B在此垂直方向上的厚度最小值，但並不以此為限。此外，在一些實施例中，電子裝置100可還包括複數個電子元件(第1A圖與第1B圖未繪示)設置在主部分10B上，電子元件可各種主動或/及被動元件，例如包括發光元件(例如顯示元件、背光元件或其他具有發光功能的元件)、感測元件(例如用於光感測、生物感測、觸控感測、指紋感測、上述類型的感測的組合或其他感測類型的元件)、天線元件(例如但並不限於液晶天線元件)或/及其他適合的電子元件，而電子裝置可因此包括顯示裝置、背光裝置、感測裝置、天線裝置或其他適合的電子裝置。
請參考第2A圖、第2B圖第2B圖以及第2C圖第2C圖，第2A圖為本揭露另一實施例的電子裝置進行形變(例如上述的彎折、折疊、撓曲、拉伸或其他形變狀態)前後的狀況示意圖，第2B圖第2B圖為本揭露又一實施例的電子裝置進行形變前後的狀況示意圖，而第2C圖第2C圖為本揭露一實施例的電子裝置中的中介層的厚度設計與損壞率之間的關係示意圖。在第2A圖與第2B圖第2B圖中，上圖為電子裝置進行形變之前的狀況，而下圖為電子裝置進行形變之後的狀況。在一些實施例中，上述第2A圖、第2B圖第2B圖以及第2C圖第2C圖中進行形變之後的狀況可為進行多次形變(例如但並不限於1萬次以上)之後的狀況，但並不以此為限。如第2A圖、第2B圖第2B圖以及第2C圖第2C圖所示，當第二部分30B的厚度T2對比第一部分30A的厚度T1的比值(T2/T1)小於1或大於1.3時，電子裝置進行多次形變之後的損壞率會明顯上升。在第2A圖中，第二部分30B的厚度T2對比第一部分30A的厚度T1的比值(T2/T1)大於或等於0.1且小於1，而在此厚度設計下的電子裝置在進行多次形變之後容易發生可撓曲層10與支撐層20之間分離的狀況。在第2B圖第2B圖中，第二部分30B的厚度T2對比第一部分30A的厚度T1的比值(T2/T1)大於1.3且小於或等於10，而在此厚度設計下的電子裝置在進行多次形變之後也容易發生可撓曲層10與支撐層20之間分離的狀況。換句話說，中介層30的的第一部分30A比第二部分30B薄，且第一部分30A與第二部分30B的厚度差異維持在一定的範圍內，藉此可降低電子裝置在進行多次形變之後發生損壞的機會。在一些實施例中，如第1A圖所示的電子裝置100中，第二部分30B的厚度T2對比第一部分30A的厚度T1的比值(T2/T1)可大於1且小於或等於1.3，而第二部分30B的厚度T2與第一部分30A的厚度T1之間的差距可大於或等於0.5微米且小於或等於5微米，但並不以此為限。
請參考第3A圖、第3B圖以及第3C圖，第3A圖至第3C圖為本揭露第一實施例的電子裝置的製作方法示意圖，其中第3B圖繪示了第3A圖之後的狀況示意圖，而第3C圖繪示了第3B圖之後的狀況示意圖。在一些實施例中，電子裝置的製作方法可包括但並不限於下列步驟。如第3A圖所示，可提供一載板12，而載板12可包括可提供支撐效果的硬質材料或可撓曲材料，例如玻璃、金屬板(例如為不鏽鋼))、非金屬板(例如為塑膠)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他適合的材料或上述材料的組合，但不以此為限。在一些實施例中，載板12可被放置在另一基板14上，以便進行後續製程，特別是當載板12為可撓曲材料時，但並不以此為限。然後，可在載板12上形成可撓曲層10，可撓曲層10可在方向Z上具有相對的表面S1與表面S2，表面S1可為接近載板12的表面，而表面S2可為遠離載板12的表面。之後，可在可撓曲層10的表面S2上形成絕緣層INL，並在絕緣層INL上形成複數個電晶體TS。例如，可在絕緣層INL上依序形成半導體層SM、絕緣層IL1以及金屬層M1，並可對半導體層SM進行一摻雜製程，其中，金屬層M1可被圖案化，部分的金屬層M1形成電晶體TS的閘極GE，經摻雜後的半導體層SM可形成電晶體TS的源極區SR、汲極區DRR，在源極區SR和汲極區DRR之間則具有通道區CR，而絕緣層IL1可形成電晶體TS的閘極絕緣層，但不以此為限。須注意的是，電晶體TS可根據產品設計需求而具有任何適合的形成方法，本實施例並不以此為限。
在絕緣層INL上設置電晶體TS之後，可在電晶體TS上設置接觸件CT。例如，可在金屬層M1上依序設置絕緣層IL2、金屬層M2、絕緣層IL3、金屬層M3和絕緣層IL4，其中金屬層M3可填入絕緣層IL3中的穿孔V1並耦接到金屬層M2，而金屬層M2可填入絕緣層IL2中的穿孔V2並耦接到電晶體TS的源極區SR和/或汲極區DRR，進而形成接觸件CT，但不以此為限。之後，可設置電子元件EL，而接觸件CT可用於將電晶體TS耦接到的電子元件EL(例如發光單元LE)或/及導線CW。以下以電子元件EL包括發光單元LE為例作說明，但本實施例並不以此為限。在一些實施例中，發光單元LE可包括半導體層C1、半導體層C2、位於半導體層C1和半導體層C2之間的主動層AL、連接到半導體層C1的電極E1和連接到半導體層C2的電極E2，但不以此為限。此外，發光單元LE的電極E1和電極E2可分別透過接合材料B1和接合材料B2耦接到電子裝置中的驅動元件或其他電子元件。例如，發光單元LE可耦接到電晶體TS，並透過電晶體TS驅動發光單元LE的發光，但不以此為限。再者，本實施例的電子裝置還可包括保護層PL，其中保護層PL可設置在發光元件LE上並覆蓋發光元件LE，以提供保護功能，但不以此為限。
在一些實施例中，可通過圖案化製程移除可形變部分10A上方的絕緣層IL4、絕緣層IL3、IL2、絕緣層IL1以及絕緣層INL，以使得位於主部分10B上方的絕緣層INL、電晶體TS以及電子元件EL互相分離，而導線CW可在上述的圖案化製程之後形成，例如導線CW的一部分可設置在兩個相鄰的主部分10B上的絕緣層IL4的上表面(即表面S3)上，而導線CW的另一部分可沿著絕緣層的側壁SW延伸而位於可形變部分10A上。導線CW設置在絕緣層IL4的一部分可穿過絕緣層IL4耦接到接觸件CT，並透過接觸件CT分別耦接到相鄰的主部分10B上的電晶體TS，但並不以此為限。在一些實施例中，可撓曲層10可還包括一中空區域10C，而中空區域10C可通過在上述圖案化製程之後進行的一移除製程將位於相鄰的主部分10B之間的可撓曲層10的一部分移除而形成，故中空區域10C可被視為可撓曲層10中被挖除的區域，但並不以此為限。此外，在設置導線CW之後，還可設置一絕緣層INL2，絕緣層INL2可接觸可撓曲層10與載板12而可將絕緣層INL2與載板12之間的膜層及電子元件予以封裝，進而提供保護效果。值得說明的是，本揭露的電子元件以及對應的電路、材料層以及其他相關部件並不以上述第3A圖所示狀況為限而可視設計需要使用其他類型的電子元件以及相關的部件。如第3A圖與第3B圖所示，可將載板12移除而暴露出可撓曲層10的表面S1。之後，如第3B圖與第3C圖所示，可將形成有中介層30的支撐層20與可撓曲層10的表面S1進行貼合，從而形成如第4C圖所示的電子裝置101。值得說明的是，第4C圖所示的電子裝置101的製作方法可包括但並不限於上述第3A圖至第3C圖所示的步驟。
請參考第4A圖、第4B圖以及第4C圖，第4A圖為本揭露第一實施例的電子裝置的部分區域俯視示意圖，而第4B圖為本實施例的電子裝置的支撐層與中介層的俯視示意圖。在一些實施例中，第4C圖可被視為本實施例的電子裝置沿著第4A圖中的剖線A-A’所繪示的剖視示意圖，但並不以此為限。如第4C圖所示，電子裝置101包括支撐層20、可撓曲層10、中介層30以及複數個電子元件EL。多個電子元件EL可分別設置在多個主部分10B上，且中介層30對應可形變部分10A的第一部分30A的厚度T1小於中介層30對應主部分10B的第二部分30B的厚度T2。此外，在一些實施例中，支撐層20可被放置在另一基板22上，以便進行其他製程，但並不以此為限。如圖4A、第4B圖與第4C圖所示，在一些實施例中，中介層30可為一整層的結構設置在支撐層20上而未具有對應可撓曲層10的圖案化特徵。此外，可撓曲層10可還包括中空區域10C與可形變部分10A或/及主部分10B相鄰設置，而中介層30可還包括一第三部分30C位於中空區域10C之下，且第三部分30C的厚度T3可大於第二部分30B的厚度T2。在一些實施例中，第三部分30C的厚度T3可為遠離第二部分30B與第三部分30C的交界處10微米以上的第三部分30C任取一個位置進行量測所獲得的厚度值。在一些實施例中，厚度T3可為第三部分30C在方向Z上的厚度最大值，但並不以此為限。通過使對應中空區域10C的第三部分30C相對較厚，可進一步降低在形變的過程中或/及形變的過程之後發生支撐層20剝離的風險。在一些實施例中，中介層30的第二部分30B的厚度T2對比第三部分30C的厚度T3的比值(T2/T3)可大於0.7且小於1，藉此達到上述的效果，但並不以此為限。如第4A圖與第4C圖所示，在一些實施例中，一個主部分10B上可設置有多個發光單元LE，而多個發光單元LE可各自發射不同顏色的光，並混合成所需的顏色，但不限於此。例如，一個主部分10B上的發光單元LE可分別發射紅光、綠光和藍光，並可混合出白光，但不以此為限。在一些實施例中，一個主部分10B上可僅設置一個發光單元LE。須注意的是，第4A圖所示的發光單元LE的排列方式僅為示例性的，本實施例並不以此為限。
本揭露的電子裝置並不以上述實施例為限，可具有不同的實施例。為簡化說明，下文中不同的實施例將使用與上述實施例相同標號標註相同元件。為清楚說明不同的實施例，下文將針對不同的實施例之間的差異描述，且不再對重覆部分作贅述。
請參考第5A圖、第5B圖、第6A圖以及第6B圖，並請一併參考第3A圖與第3B圖。第5A圖與第5B圖為本揭露第二實施例的電子裝置的製作方法示意圖，其中第5B圖繪示了第5A圖之後的狀況示意圖，第6A圖為本實施例的電子裝置的支撐層與中介層的俯視示意圖，而第6B圖為本實施例的電子裝置的剖視示意圖。在一些實施例中，第5A圖可被視為繪示了第3B圖之後的狀況示意圖，但並不以此為限。在本實施例中，電子裝置的製作方法可包括但並不限於下列步驟。如第3A圖、第3B圖以及第5A圖所示，在移除載板12而暴露出可撓曲層10的表面S1之後，可在可撓曲層10的表面S1上形成對應主部分10B的中介層30，而在可形變部分10A與中空區域10C上方則未形成有中介層30。在一些實施例中，可利用特定製程(例如但並不限於ink-jet，噴印製程)而僅形成中介層30的第二部分30B，或者可在形成整面的中介層30之後再進行圖案化製程(例如但並不限於微影蝕刻製程)而移除部分的中介層30。如第5A圖與第5B圖所示，在中介層30形成在可撓曲層10的表面S1上之後，可將支撐層20與中介層30以及可撓曲層10進行貼合，從而形成如第6B圖所示的電子裝置102。值得說明的是，第6B圖所示的電子裝置102的製作方法可包括但並不限於上述第5A圖至第5B圖所示的步驟。如第6A圖與第6B圖所示，在電子裝置102中，複數個對應主部分10B的中介層30的第二部分30B可排列設置在支撐層20上且彼此互相分離。換句話說，中介層30對應可形變部分10A的第一部分30A以及對應中空區域10C的第三部分30C可分別被視為中介層30中厚度為零的區域，故中介層30的第一部分30A與第三部分30C的厚度小於第二部分30B的厚度。
請參考第7A圖、第7B圖、第8A圖以及第8B圖，並請一併參考第3A圖與第3B圖。第7A圖與第7B圖為本揭露第三實施例的電子裝置的製作方法示意圖，其中第7B圖繪示了第7A圖之後的狀況示意圖，第8A圖為本實施例的電子裝置的支撐層與中介層的俯視示意圖，而第8B圖為本實施例的電子裝置的剖視示意圖。在一些實施例中，第7A圖可被視為繪示了第3B圖之後的狀況示意圖，但並不以此為限。如第3A圖、第3B圖以及第7A圖所示，在移除載板12而暴露出可撓曲層10的表面S1之後，可將形成有中介層30的支撐層20與可撓曲層10的表面S1進行貼合。然後，如第7A圖與第7B圖所示，可對位於中空區域10C下方的中介層的第三部分30C進行調整處理91，用以調整第三部分30C的材料特性，從而形成如第8B圖所示的電子裝置103。值得說明的是，第8B圖所示的電子裝置103的製作方法可包括但並不限於上述第7A圖至第7B圖所示的步驟。在一些實施例中，調整處理91可包括一紫外光(ultraviolet，UV)照射處理，用以降低第三部分30C的黏性。換句話說，中介層的第三部分30C可被調整處理91轉變成經處理的第三部分30C’位於中空區域10C下方，且經處理的第三部分30C’的黏性低於中介層的第一部分30A的黏性與第二部分30B的黏性。此外，本揭露的調整處理91並不以上述的UV照射處理為限而可視設計需要使用其他可調整中介層30的黏性或/及其他材料特性的處理方式。如第8A圖與第8B圖所示，在電子裝置103中，中介層30的第一部分30A以及第二部分30B在俯視方向上的圖案形狀可與可撓曲層10的可形變部分10A以及主部分10B在俯視方向上的圖案形狀相同或相似，而中介層30的經處理的第三部分30C’可在方向Z上對應可撓曲層10的中空區域10C。通過使對應可撓曲層10的中空區域10C的中介層30的黏性降低，可降低電子裝置103在形變的過程中或/及形變的過程之後發生支撐層20剝離的風險，對於電子裝置的可靠度有正面幫助。
請參考第9A圖以及第9B圖，第9A圖為本揭露第四實施例的電子裝置的支撐層與中介層的俯視示意圖，而第9B圖為本實施例的電子裝置104的製作方法示意圖。如第9A圖所示，在一些實施例中，支撐層20可包括一溝槽TR，溝槽TR為沒有貫穿支撐層20的凹槽，且溝槽TR在可撓曲電子裝置的俯視方向上完全圍繞或至少部分圍繞中介層30。如第9B圖所示，在一些實施例中，溝槽TR與中介層30可位於支撐層20的同一側，而溝槽TR可被視為中介層30的滯洪池，當中介層30在電子裝置的製作過程中向外溢流時，溝槽TR可容納溢流的中介層30而改善中介層30的溢流狀況。此外，在一些實施例中，可對位於溝槽TR中的中介層30進行上述的調整處理91，例如可降低溢流出的中介層30的黏性，藉此改善因中介層30溢流而產生的相關問題，但並不以此為限。此外，本實施例的溝槽TR亦可視設計需要應用在本揭露的其他實施例中。
請參考第10A圖以及第10B圖，第10A圖為本揭露第五實施例的電子裝置的剖視示意圖，而第10B圖為本實施例的電子裝置的俯視示意圖。如第10A圖與第10B圖所示，在電子裝置105中，支撐層20可包括一開口20A位於可形變部分10A之下，開口20A可在方向Z上貫穿支撐層20，且開口20A可用以在形變過程中減少支撐層20與設置有導線CW的可形變部分10A之間的摩擦狀況，對於電子裝置的可靠度有正面幫助。此外，本實施例的支撐層20的開口20A亦可視設計需要應用在本揭露的其他實施例中。
請參考第11A圖以及第11B圖，第11A圖為本揭露第六實施例的電子裝置的剖視示意圖，而第11B圖為本實施例的電子裝置的俯視示意圖。如第11A圖與第11B圖所示，在電子裝置106中，支撐層20可包括一開口20C位於中空區域10C之下，開口20C可在方向Z上貫穿支撐層20，且開口20C在方向Z上未與可形變部分10A以及主部分10B重疊。在一些實施例中，開口20C的長軸方向(例如第11B圖中所示方向D1)與電子裝置106的拉伸方向(例如第11B圖中所示方向D2)之間的銳角AA可大於或等於0度且小於或等於30度，藉此可有助於電子裝置106進行拉伸操作而增加可拉伸性。在一些實施例中，開口20C的長軸方向可依據在開口20C的邊緣上取出兩個相隔最遠的點的連線的延伸方向來定義，而電子裝置的拉伸方向則可被視為電子裝置在正常的拉伸操作中進行拉長與收縮的方向，但並不以此為限。此外，本實施例的支撐層20的開口20C亦可視設計需要應用在本揭露的其他實施例中。
請參考第12A圖以及第12B圖，並請一併參考第3A圖與第3B圖。第12A圖與第12B圖為本揭露第七實施例的電子裝置的製作方法示意圖，其中第12B圖繪示了第12A圖之後的狀況示意圖。在一些實施例中，第12A圖可被視為繪示了第3B圖之後的狀況示意圖，但並不以此為限。如第3A圖、第3B圖以及第12A圖所示，在移除載板12而暴露出可撓曲層10的表面S1之後，可將形成有中介層30的支撐層20與可撓曲層10的表面S1進行貼合。然後，如第12A圖與第12B圖所示，可將基板22移除而暴露出支撐層20的底表面，並可自支撐層20的底表面的一側對在方向Z上對應中空區域10C的支撐層20進行移除處理92，用以移除支撐層20的一部分而形成減薄部分20D。換句話說，在電子裝置107中，支撐層20可包括減薄部分20D位於中空區域10C之下，而減薄部分20D的厚度可小於位於可形變部分10A以及主部分10B之下的支撐層20的厚度。在一些實施例中，移除處理92可包括雷射處理、蝕刻處理或其他適合的移除方法，而對應中空區域10C設置的減薄部分20D可用以提升電子裝置107的可拉伸性。此外，本實施例的支撐層20的減薄部分20D亦可視設計需要應用在本揭露的其他實施例中。
請參考第13A圖，第13A圖為本揭露第八實施例的電子裝置108的剖視示意圖。如第13A圖所示，在電子裝置108中，支撐層20的減薄部分20D可具有一表面RS，表面RS1可為減薄部分20D在方向Z上遠離中介層30的表面，且表面RS1的粗糙度可高於位於可形變部分10A以及主部分10B之下的支撐層20的底表面的粗糙度。在一些實施例中，上述的表面RS1的粗糙度設計可用以檢測或/及確認減薄部分20D的狀態(例如但並不限於分布狀態)，而減薄部分20D的表面RS1可通過上述第七實施例中的移除處理92或/及其他適合的處理方式而形成。此外，在一些實施例中，進行表面的粗糙度量測時，可先在該表面的剖面圖中任意選擇一區域，並在該區域中選取該表面的複數個高點(例如但並不限於3個高點)和複數個低點(例如但並不限於3個低點)，而該表面的粗糙度可例如定義為所選取的高點與低點的高度差的平均值，但不以此為限。表面的剖面圖可例如藉由掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)而獲得，但不以此為限。此外，本實施例的減薄部分20D的表面RS1亦可視設計需要應用在本揭露的其他實施例中。
請參考第13B圖，第13B圖為本揭露第九實施例的電子裝置109的剖視示意圖。如第13B圖所示，在電子裝置109中，支撐層20可包括開口20C位於中空區域10C之下，開口20C可在方向Z上貫穿支撐層20，且開口20C可用以增加電子裝置109的可拉伸性。此外，在一些實施例中，開口20C可通過上述第七實施例中的移除處理92或/及其他適合的處理方式而形成，而位於開口20C與中空區域10C之間的中介層30的一部分亦可被上述的處理移除，但並不以此為限。
請參考第13C圖，第13C圖為本揭露第十實施例的電子裝置110的剖視示意圖。如第13C圖所示，在電子裝置110中，中介層30的第三部分30C可位於中空區域10C之下，且第三部分30C的表面粗糙度可大於第二部分30B的表面粗糙度。舉例來說，中介層30的第三部分30C面向中空區域10C的表面RS2以及遠離中空區域10C的表面RS3可分別為相對較粗糙的表面，粗糙的表面RS2可用以提高中介層30的附著性，而粗糙的表面RS3則可用以檢測或/及確認開口20C的狀態。此外，本實施例的第三部分30C的表面RS2或/及表面RS3亦可視設計需要應用在本揭露的其他實施例中。
請參考第13D圖，第13D圖為本揭露第十一實施例的電子裝置111的剖視示意圖。如第13D圖所示，電子裝置111可還包括一蝕刻停止層24設置在支撐層20與中介層30之間，用以防止在形成開口20C的製程(例如但並不限於上述第七實施例中的移除處理92)中對其他疊層產生破壞。在一些實施例中，蝕刻停止層24的材料可包括金屬(例如但並不限於銅、鈦、鋁等)、金屬氧化物(例如但並不限於氧化鋯、氧化鋅等)、非金屬氧化物(例如但並不限於氧化矽)或其他與支撐層20之間具有較佳蝕刻選擇比的材料。此外，本實施例的蝕刻停止層24亦可視設計需要應用在本揭露的其他實施例中。
上述各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
綜上所述，在本揭露的電子裝置中，可利用中介層具有不同厚度的設計來降低在形變過程中或/及形變過程之後支撐層與可撓曲層之間發生剝離的風險，進而可提高電子裝置的產品可靠度。 以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。
10:可撓曲層 10A:可形變部分 10B:主部分 10C:中空區域 12:載板 14:基板 20:支撐層 20A:開口 20C:開口 20D:減薄部分 22:基板 24:蝕刻停止層 30:中介層 30A:第一部分 30B:第二部分 30C:第三部分 30C’:經處理的第三部分 91:調整處理 92:移除處理 100:電子裝置 101:電子裝置 102:電子裝置 103:電子裝置 104:電子裝置 105:電子裝置 106:電子裝置 107:電子裝置 108:電子裝置 109:電子裝置 110:電子裝置 111:電子裝置 AA:銳角 AL:主動層 AX:折疊軸 B1:接合材料 B2:接合材料 C1:半導體層 C2:半導體層 CR:通道區 CT:接觸件 CW:導線 D1:方向 D2:方向 DRR:汲極區 E1:電極 E2:電極 EL:電子元件 GE:閘極 IL1:絕緣層 IL2:絕緣層 IL3:絕緣層 IL4:絕緣層 INL:絕緣層 INL2:絕緣層 LE:發光單元 M1:金屬層 M2:金屬層 M3:金屬層 PL:保護層 RS1:表面 RS2:表面 RS3:表面 S1:表面 S2:表面 S3:表面 SM:半導體層 SR:源極區 SW:側壁 T1:厚度 T2:厚度 T3:厚度 TR:溝槽 TS:電晶體 V1:穿孔 V2:穿孔 Z:方向
第1A圖為本揭露一實施例的電子裝置的示意圖。 第1B圖為本揭露一實施例的電子裝置進行折疊時的示意圖。 第2A圖為本揭露另一實施例的電子裝置進行形變前後的狀況示意圖。 第2B圖第2B圖為本揭露又一實施例的電子裝置進行形變前後的狀況示意圖。 第2C圖第2C圖為本揭露一實施例的電子裝置中的中介層的厚度設計與損壞率之間的關係示意圖。 第3A圖至第3C圖為本揭露第一實施例的電子裝置的製作方法示意圖，其中第3B圖繪示了第3A圖之後的狀況示意圖，而第3C圖繪示了第3B圖之後的狀況示意圖。 第4A圖為本揭露第一實施例的電子裝置的部分區域俯視示意圖。 第4B圖為本揭露第一實施例的電子裝置的支撐層與中介層的俯視示意圖。 第4C圖為本揭露第一實施例的電子裝置沿著第4A圖中的剖線A-A’所繪示的剖視示意圖。 第5A圖與第5B圖為本揭露第二實施例的電子裝置的製作方法示意圖，其中第5B圖繪示了第5A圖之後的狀況示意圖。 第6A圖為本揭露第二實施例的電子裝置的支撐層與中介層的俯視示意圖。 第6B圖為本揭露第二實施例的電子裝置的剖視示意圖。 第7A圖與第7B圖為本揭露第三實施例的電子裝置的製作方法示意圖，其中第7B圖繪示了第7A圖之後的狀況示意圖。 第8A圖為本揭露第三實施例的電子裝置的支撐層與中介層的俯視示意圖。 第8B圖為本揭露第三實施例的電子裝置的剖視示意圖。 第9A圖為本揭露第四實施例的電子裝置的支撐層與中介層的俯視示意圖。 第9B圖為本揭露第四實施例的電子裝置的製作方法示意圖。 第10A圖為本揭露第五實施例的電子裝置的剖視示意圖。 第10B圖為本揭露第五實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第11A圖為本揭露第六實施例的電子裝置的剖視示意圖。 第11B圖為本揭露第六實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第12A圖與第12B圖為本揭露第七實施例的電子裝置的製作方法示意圖，其中第12B圖繪示了第12A圖之後的狀況示意圖。 第13A圖為本揭露第八實施例的電子裝置的剖視示意圖。 第13B圖為本揭露第九實施例的電子裝置的剖視示意圖。 第13C圖為本揭露第十實施例的電子裝置的剖視示意圖。 第13D圖為本揭露第十一實施例的電子裝置的剖視示意圖。
10:可撓曲層
10A:可形變部分
10B:主部分
20:支撐層
30:中介層
30A:第一部分
30B:第二部分
100:電子裝置
AX:折疊軸
T1:厚度
T2:厚度
Z:方向

Claims (15)

  1. 一種可撓曲電子裝置，包括： 一支撐層； 一可撓曲層，設置在該支撐層上，該可撓曲層包括至少兩個主部分以及一個可形變部分連接該等主部分； 一中介層，設置在該支撐層與該可撓曲層之間，該中介層包括一第一部分位於該可形變部分之下以及一第二部分位於該等主部分中的一個之下；以及 複數個電子元件，設置在該等主部分上， 其中該第一部分的厚度小於該第二部分的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲電子裝置，其中該可撓曲電子裝置具有一折疊軸與該可形變部分重疊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲電子裝置，其中該第二部分的該厚度對比該第一部分的該厚度的比值大於1且小於或等於1.3。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲電子裝置，其中該第二部分的該厚度與該第一部分的該厚度之間的差距大於或等於0.5微米且小於或等於5微米。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲電子裝置，其中該可撓曲層還包括一中空區域與該可形變部分相鄰設置。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的可撓曲電子裝置，其中該中介層還包括一第三部分位於該中空區域之下，且該第三部分的厚度大於該第二部分的該厚度。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的可撓曲電子裝置，其中該支撐層包括一開口位於該中空區域之下。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的可撓曲電子裝置，其中該中介層還包括一第三部分位於該中空區域之下，且該第三部分的表面粗糙度大於該第二部分的表面粗糙度。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的可撓曲電子裝置，其中該支撐層包括一減薄部分位於該中空區域之下。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲電子裝置，其中該支撐層包括一溝槽，且該溝槽在該可撓曲電子裝置的俯視方向上至少部分圍繞該中介層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的可撓曲電子裝置，其中該溝槽與該中介層位於該支撐層的同一側。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲電子裝置，其中該支撐層包括一開口，且該開口的長軸方向與該可撓曲電子裝置的拉伸方向之間的銳角大於或等於0度且小於或等於30度。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲電子裝置，其中該支撐層包括一開口位於該可形變部分之下。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲電子裝置，還包括一蝕刻停止層，設置在該支撐層與該中介層之間。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲電子裝置，其中該等電子元件包括發光元件、感測元件或天線元件。
TW111134362A 2022-06-22 2022-09-12 可撓曲電子裝置 TWI824710B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210714139.7A CN117316954A (zh) 2022-06-22 2022-06-22 可挠曲电子装置
CN202210714139.7 2022-06-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI824710B TWI824710B (zh) 2023-12-01
TW202401871A true TW202401871A (zh) 2024-01-01

Family

ID=89241254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111134362A TWI824710B (zh) 2022-06-22 2022-09-12 可撓曲電子裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230418334A1 (zh)
CN (1) CN117316954A (zh)
TW (1) TWI824710B (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015055899A1 (fr) * 2013-10-18 2015-04-23 Griset Support pour composants électroniques de puissance, module de puissance doté d'un tel support, et procédé de fabrication correspondant
TWM556348U (zh) * 2016-11-14 2018-03-01 創王光電股份有限公司 可撓式顯示器及具有可撓式顯示器的裝置
TWI646637B (zh) * 2018-02-13 2019-01-01 頎邦科技股份有限公司 薄膜覆晶封裝結構及其可撓性基板
KR20220056860A (ko) * 2019-08-29 2022-05-06 코닝 인코포레이티드 폴더블 장치, 리본, 및 이의 제조 방법
TW202130596A (zh) * 2019-10-14 2021-08-16 美商康寧公司 可折疊設備及其製造方法
US20230370535A1 (en) * 2020-09-25 2023-11-16 Corning Incorporated Foldable apparatus and methods of making

Also Published As

Publication number Publication date
CN117316954A (zh) 2023-12-29
TWI824710B (zh) 2023-12-01
US20230418334A1 (en) 2023-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10649267B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
US10431769B2 (en) Organic light emitting display device
US20230075372A1 (en) Display panel and display device
EP3547368B1 (en) Electronic device
US11251399B2 (en) Display substrate, display apparatus, method of fabricating display substrate
US20220165991A1 (en) Oled display panel and method of manufacturing the same, and oled display apparatus
TWI824710B (zh) 可撓曲電子裝置
CN115172622A (zh) 显示设备
TWI818728B (zh) 可撓曲電子裝置及其製造方法
TWI804313B (zh) 電子裝置及其製造方法
US20220367764A1 (en) Optical substrate and manufacturing method thereof
US20220003384A1 (en) Backlight module and display device
US11348489B2 (en) Flexible display device and method for manufacturing thereof
TW202403974A (zh) 電子裝置
US20240153924A1 (en) Manufacturing method of electronic device
US20230187586A1 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
US20240021763A1 (en) Electronic device
US20220393066A1 (en) Electronic device
US20240032387A1 (en) Electronic device
US20220223569A1 (en) Display panel and window
CN118315389A (zh) 电子装置及其制造方法
KR20230161290A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN113410203A (zh) 电子装置