TW202349474A

TW202349474A - 液體回收組件、單晶圓處理設備及其控制方法

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Publication number: TW202349474A
Application number: TW111120727A
Authority: TW
Inventors: 陳建勝; 吳宗恩
Original assignee: 弘塑科技股份有限公司
Priority date: 2022-06-02
Filing date: 2022-06-02
Publication date: 2023-12-16

Abstract

本申請提供一種液體回收組件、單晶圓處理設備及其控制方法。液體回收組件包括承載台、回收環、門環、第一昇降機構和第二昇降機構。回收環與承載台間隔設置。第一昇降機構連接承載台和回收環。回收環藉由第一昇降機構沿著垂直方向與承載台相對地移動。門環設置在回收環遠離承載台之一側。第二昇降機構連接門環和回收環。門環藉由第二昇降機構沿著垂直方向與回收環相對地移動。本申請藉由兩個昇降機構以兩階段的方式將回收環和門環進行昇降，進而提高液體回收組件的整體高度差。

Description

液體回收組件、單晶圓處理設備及其控制方法

本揭示是關於一種濕處理設備，特別是關於一種液體回收組件、單晶圓處理設備及其控制方法。

在半導體基板的製程中，需要對半導體基板的元件設置面進行多道處理步驟，包含蝕刻、清洗等濕式處理程序。隨著半導體基板的製程複雜度增加，現已發展出一種單晶圓處理設備，其包含旋轉台和回收環。單晶圓處理設備可對旋轉台上的基板施加製程液體，並且通過回收環收集該製程液體。

在傳統的單晶圓處理設備中，回收環是採用單一昇降機構。然而，如果待處理基板不是平坦表面，而是具有複數晶片堆疊於晶圓表面的凸塊結構，此時當回收環的上升高度不足時，製程液體可能會噴濺超過回收環的高度，進而越過回收環而污染到周圍元件。另一方面，如果為了防止液體飛濺而增加回收環的高度差，當回收環下降到原點時，回收環容易與機械手臂互相干涉，進而導致機械手臂難以順利地夾取或放入晶圓。

有鑑於此，有必要提供一種單晶圓處理設備，以解決上述技術問題。

為解決上述習知技術之問題，本申請之目的在於提供一種液體回收組件、單晶圓處理設備及其控制方法，其藉由在回收環上增設一個門環，防止了液體飛濺越過回收環上方而污染周圍元件。

為達成上述目的，本申請提供一種液體回收組件，包括：一承載台；一回收環，與該承載台間隔設置；一第一昇降機構，連接該承載台和該回收環，其中該回收環藉由該第一昇降機構沿著一垂直方向與該承載台相對地移動；一門環，設置在該回收環遠離該承載台之一側；以及一第二昇降機構，連接該門環和該回收環，其中該門環藉由該第二昇降機構沿著該垂直方向與該回收環相對地移動。

在一些實施例中，該第一昇降機構包括第一起始態和第一上昇態，當該第一昇降機構處於該第一起始態時，該回收環與該承載台相隔第一距離，以及當該第一昇降機構處於該第一上昇態時，該回收環與該承載台相隔第二距離，其中該第二距離大於該第一距離。

在一些實施例中，該第二昇降機構包括第二起始態和第二上昇態，當該第二昇降機構處於該第二起始態時，該門環與該回收環相隔第三距離，以及當該第二昇降機構處於該第二上昇態時，該門環與該回收環相隔第四距離，其中該第四距離大於該第三距離。

在一些實施例中，當該第一昇降機構處於該第一起始態和該第二昇降機構處於該第二起始態時，該門環與該承載台的距離為該第一距離和該第三距離的和，以及當該第一昇降機構處於該第一上昇態和該第二昇降機構處於該第二上昇態時，該門環與該承載台的距離為該第二距離和該第四距離的和。

本申請還提供一種單晶圓處理設備，包括：一旋轉台，配置為放置一基板；一液體供應裝置，設置在該旋轉台上方，且配置為對該基板施加一製程液體；以及一液體回收組件，環繞地設置在該旋轉台的周圍，並且可沿著一垂直方向相對該旋轉台移動。該液體回收組件包括：一承載台；一回收環，與該承載台間隔設置，並且配置為收集從該基板飛濺出的該製程液體；一第一昇降機構，連接該承載台和該回收環，其中該回收環藉由該第一昇降機構沿著該垂直方向與該承載台相對地移動；一門環，設置在該回收環遠離該承載台之一側，並且配置為收集部分越過該回收環而噴濺至該回收環外部的該製程液體；以及一第二昇降機構，連接該門環和該回收環，其中該門環藉由該第二昇降機構沿著該垂直方向與該回收環相對地移動。

在一些實施例中，當取放該基板時，該回收環和該門環的水平高度低於該旋轉台的水平高度，以及當該旋轉台旋轉時，該回收環和該門環的水平高度高於該旋轉台的水平高度。

在一些實施例中，該單晶圓處理設備還包含第一排放管和第二排放管，其中該第一排放管與該回收環的內部空間連通並且配置為排放該回收環收集的該製程液體，以及該第二排放管與該門環的內部空間連通並且配置為排放該門環收集的該部分的該製程液體。

在一些實施例中，當取放該基板時，該第一昇降機構處於該第一起始態和該第二昇降機構處於該第二起始態，以及當該旋轉台旋轉時，該第一昇降機構處於該第一上昇態和該第二昇降機構處於該第二上昇態。

本申請還提供一種單晶圓處理設備的控制方法，其中該單晶圓處理設備包括一旋轉台、一液體供應裝置、一承載台、一回收環、一第一昇降機構、一門環和一第二昇降機構，以及該控制方法包括：在該旋轉台上放置一基板；藉由該第一昇降機構控制該回收環同步帶動該門環一起沿著一垂直方向朝遠離該承載台的方向移動；藉由該第二昇降機構控制該門環沿著該垂直方向朝遠離該回收環的方向移動；以及控制該旋轉台旋轉以及控制該液體供應裝置對該基板施加一製程液體，其中該回收環配置為收集從該基板飛濺出的該製程液體，以及該門環配置為收集部分越過該回收環而噴濺至該回收環外部的該製程液體。

在一些實施例中，該第一昇降機構包括第一起始態和第一上昇態並且該第二昇降機構包括第二起始態和第二上昇態，以及在該旋轉台上放置該基板之前，該控制方法還包括：控制該第一昇降機構處於該第一起始態以及控制該第二昇降機構處於該第二起始態，使得該回收環和該門環的水平高度低於該旋轉台的水平高度。

在一些實施例中，在控制該旋轉台旋轉以及控制該液體供應裝置對該基板施加該製程液體之前，該控制方法還包括：控制該第一昇降機構處於該第一上昇態以及控制該第二昇降機構處於該第二上昇態，使得該回收環和該門環的水平高度高於該旋轉台的水平高度。

在一些實施例中，控制該旋轉台旋轉以及控制該液體供應裝置對該基板施加該製程液體之後，該控制方法還包括：控制該旋轉台停止旋轉以及控制該液體供應裝置停止對該基板施加該製程液體；藉由該第二昇降機構控制該門環沿著該垂直方向朝靠近該回收環的方向移動；藉由該第一昇降機構控制該回收環同步帶動該門環一起沿著該垂直方向朝靠近該承載台的方向移動；以及從該旋轉台取走該基板。

在一些實施例中，該單晶圓處理設備還包含第一排放管和第二排放管，該控制方法還包括：當控制該旋轉台旋轉以及控制該液體供應裝置對該基板施加該製程液體時，藉由該第一排放管排放該回收環收集的該製程液體，以及藉由該第二排放管排放該門環收集的該部分的該製程液體。

相較於先前技術，本申請之單晶圓處理設備藉由在回收環上增設門環，並且藉由兩個昇降機構以兩階段的方式將回收環和門環進行昇降，進而提高液體回收組件的整體高度差，防止藥水飛濺越過回收環上方而污染設備。

爲了讓本申請之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂，下文將特舉本申請較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參照圖1至圖3，圖1顯示本申請之實施例之單晶圓處理設備之第一示意圖，圖2顯示本申請之實施例之單晶圓處理設備之第二示意圖，以及圖3顯示本申請之實施例之單晶圓處理設備之第三示意圖。單晶圓處理設備1包括旋轉台10、液體供應裝置20以及液體回收組件30。旋轉台10配置為放置一基板50。在本申請中，單晶圓處理設備1適用於對單晶圓進行濕處理，尤其是對表面具有凸塊結構的單晶圓進行濕處理。舉例來說，基板50包含鍵合的3D-IC晶片52與晶圓51(Chip on Wafer)，因此基板50的待處理表面具有多個以3D-IC晶片52形成的凸塊結構。在對基板50進行濕製程時，表面的凸塊結構會加重製程液體的飛濺程度。本申請的單晶圓處理設備1可確實地回收飛濺的製程液體以避免製程液體噴濺到周圍設備，具體說明如下。

如圖1所示，在本實施例中，當基板50放置在旋轉台10上之後，基板50可被進一步固定在旋轉台10上，例如採用真空吸盤或夾持裝置等方式進行固定。旋轉台10配置有驅動機構，用於驅使旋轉台10繞軸旋轉。再者，液體供應裝置20設置在旋轉台10上方，用於對基板50施加製程液體。可選地，液體供應裝置20的藥液供應旋轉懸臂可包含有一個或複數個噴嘴，使得液體供應裝置20可對基板50施加一種或多種製程液體。噴嘴設置爲與旋轉台10的頂部對準，以及液體傳輸管線的一端與對應的噴嘴連接，另一端連接至對應的製程液體的供應端。藉此設計，可根據製程需求來控制液體供應裝置20施加對應的製程液體至旋轉台10上的基板50，以對基板50進行蝕刻或清洗等作業。

如圖1至圖3所示，液體回收組件30環繞地設置在旋轉台10的周圍，並且可沿著一垂直方向相對旋轉台10移動。液體回收組件30用於收集從旋轉台10上的基板50的表面因離心力甩出的製程液體，並且將該製程液體排出。液體回收組件30包括承載台31、回收環32、門環33、第一昇降機構34以及第二昇降機構35。如圖3所示，回收環32與承載台31間隔設置，並且配置為收集大部分的從基板50飛濺出的製程液體21。門環33設置在回收環32環遠離承載台31之一側，並且配置為收集其餘部分越過回收環32而噴濺至回收環32外部的製程液體22。在本實施例中，回收環32的頂部包含朝中心傾斜的遮擋壁，以及門環33的頂部也包含朝中心傾斜的遮擋壁。藉由遮擋壁的設計，可有效地將飛濺的液體檔下，並且驅使液體沿著傾斜的遮擋壁向下流動。

如圖1至圖3所示，第一昇降機構34包括第一起始態和第一上昇態，以及第二昇降機構35包括第二起始態和第二上昇態。第一昇降機構34連接承載台31和回收環32。回收環32藉由第一昇降機構34沿著垂直方向與承載台31相對地移動。第二昇降機構35連接門環33和回收環32。門環33藉由第二昇降機構35沿著垂直方向與回收環32相對地移動。應當注意的是，當第一昇降機構34昇降時，回收環32會同步帶動門環33一起運動。

如圖1所示，當第一昇降機構34處於第一起始態時，回收環32與承載台31相隔第一距離D1。如圖2和圖3所示，當第一昇降機構34處於第一上昇態時，回收環32與承載台31相隔第二距離D2。第二距離D2大於第一距離D1。在一些實施例中，第二距離D2與第一距離D1的差值為60 mm。

如圖1和圖2所示，當第二昇降機構35處於第二起始態時，門環33與回收環32相隔第三距離D3。如圖3所示，當第二昇降機構35處於第二上昇態時，門環33與回收環32相隔第四距離D4。第四距離D4大於第三距離D3。在一些實施例中，第四距離D4與第三距離D3的差值為30 mm。

如圖1所示，當第一昇降機構34處於第一起始態和第二昇降機構35處於第二起始態時時，門環33與承載台31的距離為第一距離D1和第三距離D3的和。如圖3所示，當第一昇降機構34處於第一上昇態和第二昇降機構35處於第二上昇態時，門環33與承載台31的距離為第二距離D2和第四距離D4的和。

如圖1所示，當從旋轉台10取放基板50時，第一昇降機構34處於第一起始態以及第二昇降機構35處於第二起始態。此時，門環33與回收環32的水平高度皆低於旋轉台10的用於放置基板50的台面。應當注意的是，當門環33與回收環32下降至最低點時(即，第一昇降機構34處於第一起始態和第二昇降機構35處於第二起始態)，機械手臂能順利夾取或放入基板50，不會受到門環33和回收環32阻擋。也就是說，機械手臂在橫移時不會與液體回收組件30產生結構上的干涉。

如圖2所示，當待處理的基板50放置在旋轉台10上時，第一昇降機構34開始上升，使得第一昇降機構34處於第一上昇態以及第二昇降機構35處於第二起始態。此時，門環33與回收環32的水平高度皆高於旋轉台10的台面。

如圖3所示，當第一昇降機構34上升之後，第二昇降機構35開始上升，使得第一昇降機構34處於第一上昇態以及第二昇降機構35處於第二上昇態時。此時，門環33與回收環32的水平高度也皆高於旋轉台10的台面。再者，當第二昇降機構35上升時，回收環32與旋轉台10的距離不變，而門環33相較於回收環32進一步增加與旋轉台10之間的距離。藉由門環33的高度提升，可提高液體回收組件30的整體高度差(即門環33與回收環32的高度差)，確保了飛濺越過回收環32上方的製程液體22可被門環33收集而不會造成周圍設備的污染。一般而言，現有的單晶圓處理設備僅包含單一昇降機構和回收環。當回收環的上升高度不足時，液體容易噴濺超過回收環的高度，進而從回收環上方飛濺而污染周圍設備。相較於現有的單晶圓處理設備，本申請的單晶圓處理設備可確保飛濺越過回收環32上方的製程液體22可被門環33收集而不會造成周圍設備的污染。

在本實施例中，如圖3所示，當第一昇降機構34和第二昇降機構35皆上升後，旋轉台10開始旋轉以及液體供應裝置20開始對基板50施加製程液體。也就是說，當旋轉台10旋轉時，第一昇降機構34處於第一上昇態和第二昇降機構35處於第二上昇態。

如圖1至圖3所示，單晶圓處理設備1還包含第一排放管41和第二排放管42。第一排放管41與回收環32的內部空間連通並且配置為排放回收環32收集的製程液體。第二排放管42與門環33的內部空間連通並且配置為排放門環33收集的部分的製程液體。液體供應裝置20所噴灑之製程液體被回收環32和門環33檔下後，製程液體直接沿著回收環32和門環33的內部往下方流動並且收集至腔體空間的底部，接著分別由連接至各別腔體空間的底部的第一排放管41和第二排放管42排出或回收。

本申請的實施例還提供一種單晶圓處理設備的控制方法。本實施例的單晶圓處理設備包含上述的單晶圓處理設備1。單晶圓處理設備1包括旋轉台10、液體供應裝置20、承載台31、回收環32、門環33、第一昇降機構34和第二昇降機構35，該些元件的具體結構如上所述，在此不加以贅述。本申請的單晶圓處理設備的控制方法包括以下步驟。

首先，如圖1所示，在旋轉台10上放置基板50。在本實施例中，第一昇降機構34包括第一起始態和第一上昇態，以及第二昇降機構35包括第二起始態和第二上昇態。當從旋轉台10取放基板50之前，控制第一昇降機構34處於第一起始態以及控制第二昇降機構35處於該第二起始態。此時，門環33與回收環32的水平高度皆低於旋轉台10的用於放置基板50的台面(即，旋轉台10的水平高度)。應當注意的是，當門環33與回收環32下降至最低點時，第一昇降機構34處於第一起始態和第二昇降機構35處於第二起始態。因此，機械手臂能順利夾取或放入基板50，不會受到門環33和回收環32阻擋。也就是說，機械手臂在橫移時不會與液體回收組件30產生結構上的干涉。

如圖2所示，將基板50固定在旋轉台10上之後，藉由第一昇降機構34控制回收環32同步帶動該門環一起沿著垂直方向朝遠離承載台31的方向移動。在此步驟中，第一昇降機構34開始上升，使得第一昇降機構34處於第一上昇態以及第二昇降機構35處於第二起始態。此時，門環33與回收環32的水平高度皆高於旋轉台10的台面。

如圖3所示，當第一昇降機構34上升之後，藉由第二昇降機構35控制門環33沿著該垂直方向朝遠離回收環32方向移動。在此步驟中，第二昇降機構35開始上升，使得第一昇降機構34處於第一上昇態以及第二昇降機構35處於第二上昇態時。此時，門環33與回收環32的水平高度也皆高於旋轉台10的台面。再者，當第二昇降機構35上升時，回收環32與旋轉台10的距離不變，而門環33相較於回收環32進一步增加與旋轉台10之間的距離。

如圖3所示，當第一昇降機構34和第二昇降機構35皆上升後，控制旋轉台10旋轉以及控制液體供應裝置20對基板50施加製程液體。也就是說，在控制旋轉台10旋轉以及控制液體供應裝置20對基板50施加製程液體之前，控制第一昇降機構34處於第一上昇態以及控制第二昇降機構35處於第二上昇態，使得回收環32和門環33沿的水平高度高於旋轉台10的水平高度。當旋轉台10旋轉時，回收環32配置為收集大部分的從基板50飛濺出的製程液體21。門環33配置為收集其餘部分越過回收環32而噴濺至回收環32外部的製程液體22。在此步驟中，由於門環33的高度進一步提升，提高了液體回收組件30的整體高度差(即門環33與回收環32的高度差)，進而確保飛濺越過回收環32上方的製程液體22可被門環33收集而不會造成周圍設備的污染。一般而言，現有的單晶圓處理設備僅包含單一昇降機構和回收環。當回收環的上升高度不足時，液體容易噴濺超過回收環的高度，進而從回收環上方飛濺而污染周圍設備。相較於現有的單晶圓處理設備，本申請的單晶圓處理設備可確保飛濺越過回收環32上方的製程液體22可被門環33收集而不會造成周圍設備的污染。

如圖1至圖3所示，單晶圓處理設備1還包含第一排放管41和第二排放管42。第一排放管41與回收環32的內部空間連通並且配置為排放回收環32收集的製程液體。第二排放管42與門環33的內部空間連通並且配置為排放門環33收集的部分的製程液體。也就是說，當控制旋轉台10旋轉以及控制液體供應裝置20對基板50施加製程液體時，藉由第一排放管排41放回收環32收集的製程液體，以及藉由第二排放管42排放門環33收集的部分的製程液體。液體供應裝置20所噴灑之製程液體被回收環32和門環33檔下後，製程液體直接沿著回收環32和門環33的內部往下方流動並且收集至腔體空間的底部，接著分別由連接至各別腔體空間的底部的第一排放管41和第二排放管42排出或回收。

當對基板50濕處理完畢之後，控制旋轉台10停止旋轉以及控制液體供應裝置20停止對基板50施加製程液體。接著，如圖2所示，藉由第二昇降機構35控制門環33沿著垂直方向朝靠近回收環32的方向移動。接著，如圖1所示，藉由第一昇降機構34控制回收環32同步帶動門環33一起沿著垂直方向朝靠近承載台31的方向移動。最後，藉由機械手臂從旋轉台10取走基板50。

相較於現有技術，在本申請的液體回收組件、單晶圓處理設備及其控制方法中，藉由兩個昇降機構以兩階段的方式將回收環和門環進行昇降。當回收環和門環上升時，提高了液體回收組件的整體高度差確保了飛濺越過回收環上方的製程液體可被門環收集而不會造成周圍設備的污染。當回收環和門環下降時，機械手臂能順利夾取或放入基板，不會受到門環和回收環阻擋。

以上僅是本揭示的較佳實施方式，應當指出，對於所屬領域技術人員，在不脫離本揭示原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視爲本揭示的保護範圍。

1:單晶圓處理設備 10:旋轉台 20:液體供應裝置 21、22:製程液體 30:液體回收組件 31:承載台 32:回收環 33:門環 34:第一昇降機構 35:第二昇降機構 41:第一排放管 42:第二排放管 50:基板 51:晶圓 52:晶片 D1:第一距離 D2:第二距離 D3:第三距離 D4:第四距離

圖1顯示本申請之實施例之單晶圓處理設備之第一示意圖；圖2顯示本申請之實施例之單晶圓處理設備之第二示意圖；圖3顯示本申請之實施例之單晶圓處理設備之第三示意圖。

1:單晶圓處理設備

10:旋轉台

20:液體供應裝置

30:液體回收組件

31:承載台

32:回收環

33:門環

34:第一昇降機構

35:第二昇降機構

41:第一排放管

42:第二排放管

50:基板

51:晶圓

52:晶片

D1:第一距離

D3:第三距離

Claims

一種液體回收組件，包括：一承載台；一回收環，與該承載台間隔設置；一第一昇降機構，連接該承載台和該回收環，其中該回收環藉由該第一昇降機構沿著一垂直方向與該承載台相對地移動；一門環，設置在該回收環遠離該承載台之一側；以及一第二昇降機構，連接該門環和該回收環，其中該門環藉由該第二昇降機構沿著該垂直方向與該回收環相對地移動。
如請求項1的液體回收組件，其中該第一昇降機構包括第一起始態和第一上昇態，當該第一昇降機構處於該第一起始態時，該回收環與該承載台相隔第一距離，以及當該第一昇降機構處於該第一上昇態時，該回收環與該承載台相隔第二距離，其中該第二距離大於該第一距離。
如請求項2的液體回收組件，其中該第二昇降機構包括第二起始態和第二上昇態，當該第二昇降機構處於該第二起始態時，該門環與該回收環相隔第三距離，以及當該第二昇降機構處於該第二上昇態時，該門環與該回收環相隔第四距離，其中該第四距離大於該第三距離。
如請求項3的液體回收組件，其中當該第一昇降機構處於該第一起始態和該第二昇降機構處於該第二起始態時，該門環與該承載台的距離為該第一距離和該第三距離的和，以及當該第一昇降機構處於該第一上昇態和該第二昇降機構處於該第二上昇態時，該門環與該承載台的距離為該第二距離和該第四距離的和。
一種單晶圓處理設備，包括：一旋轉台，配置為放置一基板；一液體供應裝置，設置在該旋轉台上方，且配置為對該基板施加一製程液體；以及一液體回收組件，環繞地設置在該旋轉台的周圍，並且可沿著一垂直方向相對該旋轉台移動，其中該液體回收組件，包括：一承載台；一回收環，與該承載台間隔設置，並且配置為收集從該基板飛濺出的該製程液體；一第一昇降機構，連接該承載台和該回收環，其中該回收環藉由該第一昇降機構沿著該垂直方向與該承載台相對地移動；一門環，設置在該回收環遠離該承載台之一側，並且配置為收集部分越過該回收環而噴濺至該回收環外部的該製程液體；以及一第二昇降機構，連接該門環和該回收環，其中該門環藉由該第二昇降機構沿著該垂直方向與該回收環相對地移動。
如請求項5的單晶圓處理設備，其中當取放該基板時，該回收環和該門環的水平高度低於該旋轉台的水平高度，以及當該旋轉台旋轉時，該回收環和該門環的水平高度高於該旋轉台的水平高度。
如請求項5的單晶圓處理設備，其中該單晶圓處理設備還包含第一排放管和第二排放管，其中該第一排放管與該回收環的內部空間連通並且配置為排放該回收環收集的該製程液體，以及該第二排放管與該門環的內部空間連通並且配置為排放該門環收集的該部分的該製程液體。
如請求項5的單晶圓處理設備，其中該第一昇降機構包括第一起始態和第一上昇態，當該第一昇降機構處於該第一起始態時，該回收環與該承載台相隔第一距離，以及當該第一昇降機構處於該第一上昇態時，該回收環與該承載台相隔第二距離，其中該第二距離大於該第一距離。
如請求項8的單晶圓處理設備，其中該第二昇降機構包括第二起始態和第二上昇態，當該第二昇降機構處於該第二起始態時，該門環與該回收環相隔第三距離，以及當該第二昇降機構處於該第二上昇態時，該門環與該回收環相隔第四距離，其中該第四距離大於該第三距離。
如請求項9的單晶圓處理設備，其中當該第一昇降機構處於該第一起始態和該第二昇降機構處於該第二起始態時，該門環與該承載台的距離為該第一距離和該第三距離的和，以及當該第一昇降機構處於該第一上昇態和該第二昇降機構處於該第二上昇態時，該門環與該承載台的距離為該第二距離和該第四距離的和。
如請求項9的單晶圓處理設備，其中當取放該基板時，該第一昇降機構處於該第一起始態和該第二昇降機構處於該第二起始態，以及當該旋轉台旋轉時，該第一昇降機構處於該第一上昇態和該第二昇降機構處於該第二上昇態。
一種單晶圓處理設備的控制方法，其中該單晶圓處理設備包括一旋轉台、一液體供應裝置、一承載台、一回收環、一第一昇降機構、一門環和一第二昇降機構，以及該控制方法包括：在該旋轉台上放置一基板；藉由該第一昇降機構控制該回收環同步帶動該門環一起沿著一垂直方向朝遠離該承載台的方向移動；藉由該第二昇降機構控制該門環沿著該垂直方向朝遠離該回收環的方向移動；以及控制該旋轉台旋轉以及控制該液體供應裝置對該基板施加一製程液體，其中該回收環配置為收集從該基板飛濺出的該製程液體，以及該門環配置為收集部分越過該回收環而噴濺至該回收環外部的該製程液體。
如請求項12的單晶圓處理設備的控制方法，其中該第一昇降機構包括第一起始態和第一上昇態並且該第二昇降機構包括第二起始態和第二上昇態，以及在該旋轉台上放置該基板之前，該控制方法還包括：控制該第一昇降機構處於該第一起始態以及控制該第二昇降機構處於該第二起始態，使得該回收環和該門環的水平高度低於該旋轉台的水平高度。
如請求項13的單晶圓處理設備的控制方法，其中在控制該旋轉台旋轉以及控制該液體供應裝置對該基板施加該製程液體之前，該控制方法還包括：控制該第一昇降機構處於該第一上昇態以及控制該第二昇降機構處於該第二上昇態，使得該回收環和該門環的水平高度高於該旋轉台的水平高度。
如請求項12的單晶圓處理設備的控制方法，其中控制該旋轉台旋轉以及控制該液體供應裝置對該基板施加該製程液體之後，該控制方法還包括：控制該旋轉台停止旋轉以及控制該液體供應裝置停止對該基板施加該製程液體；藉由該第二昇降機構控制該門環沿著該垂直方向朝靠近該回收環的方向移動；藉由該第一昇降機構控制該回收環同步帶動該門環一起沿著該垂直方向朝靠近該承載台的方向移動；以及從該旋轉台取走該基板。
如請求項12的單晶圓處理設備的控制方法，其中該單晶圓處理設備還包含第一排放管和第二排放管，該控制方法還包括：當控制該旋轉台旋轉以及控制該液體供應裝置對該基板施加該製程液體時，藉由該第一排放管排放該回收環收集的該製程液體，以及藉由該第二排放管排放該門環收集的該部分的該製程液體。