TW202349436A

TW202349436A - 優化離子束的掃描束距離的方法、設備及非暫態電腦可讀存儲介質

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Publication number: TW202349436A
Application number: TW112117836A
Authority: TW
Inventors: 泰勒威爾斯; 喬治Ｍ葛梅爾; 艾利克唐納德威爾森; 傑Ｔ舒爾; 向东贺
Original assignee: 美商應用材料股份有限公司
Priority date: 2022-05-27
Filing date: 2023-05-15
Publication date: 2023-12-16
Also published as: US20230386785A1; WO2023229857A1

Abstract

本文中提供一種優化加速器束的全水平掃描束距離的方式。在一個方式中，一種方法可包括：沿著預期束掃描區域的第一側對第一法拉第杯進行定位；沿著預期束掃描區域的第二側對第二法拉第杯進行定位；沿著預期束掃描區域的第一側及第二側對離子束進行掃描；在第一法拉第杯處測量離子束的第一束電流且在第二法拉第杯處測量離子束的第二束電流；以及基於第一束電流及第二束電流來確定離子束的跨越預期束掃描區域的最佳掃描距離。

Description

優化全水平掃描束距之系統以及方法

本公開大體來說涉及離子束處理技術，且更具體來說涉及優化全水平掃描束距離的系統以及方法。

當今，採用各種類型的處理設備來使用離子對基底進行處置或處理。為對基底（例如半導體基底）進行處理，可使用離子對基底上的層或特徵進行蝕刻。也可使用離子在基底上沉積層或結構、將物質植入到基底中、或使基底非晶化。還已開發出對基底的處理進行監測的技術，以對基底的處理進行控制。

使用水平掃描距離來跨越晶片直徑對束進行掃描。當前方法使用對束邊緣的估計來對總的所需水平掃描距離進行估計。然而，由於並未實行實際的測量來確認束正在跨越晶片進行充分的掃描，因此常常會發生對晶片的過掃描（over scanning）或欠掃描（under scanning）。

因此，確保在整個晶片直徑之上對束進行充分的掃描以提供均勻的植入以及對在晶片植入期間所利用的束電流進行優化將是有益的。正是鑒於這一考慮及其他考慮，提供了本公開。

提供本發明內容是為了以簡化形式介紹將在下文的具體實施方式中加以進一步闡述的一系列概念。本發明內容不意在識別所主張主題的關鍵特徵或本質特徵，也並非意在說明確定所主張主題的範圍。

在一個實施例中，一種方法可包括：沿著預期束掃描區域的第一側提供第一法拉第杯位置；沿著預期束掃描區域的第二側提供第二法拉第杯位置；沿著預期束掃描區域的第一側及第二側對離子束進行掃描；在第一法拉第杯位置處測量離子束的第一束電流且在第二法拉第杯位置處測量離子束的第二束電流；以及基於第一束電流及第二束電流來確定離子束的跨越預期束掃描區域的最佳掃描距離。

在另一實施例中，一種優化離子束的掃描束距離的設備可包括：束掃描器，能夠操作以相對於預期束掃描區域對點離子束進行掃描；沿著預期束掃描區域的第一側定位的法拉第杯、以及沿著預期束掃描區域的第二側定位的法拉第輪廓儀，其中法拉第杯能夠操作以測量點離子束的第一束電流，且法拉第輪廓儀能夠操作以測量點離子束的第二束電流。所述設備可還包括束校準組件，包括控制器及記憶體，所述記憶體包括校準常式，所述校準常式在控制器上運行以基於第一束電流及第二束電流來確定離子束的最佳掃描距離。

在又一實施例中，一種非暫態電腦可讀存儲介質，所述非暫態電腦可讀存儲介質包括指令，當由電腦來執行所述指令時，所述指令使電腦：利用束掃描器相對於預期束掃描區域對點離子束進行掃描；在沿著預期束掃描區域的第一側定位的第一法拉第杯處測量點離子束的第一束電流，且在沿著預期束掃描區域的第二側定位的第二法拉第杯處測量點離子束的第二束電流。電腦可讀存儲介質還包括當由電腦來執行時使電腦基於第一束電流及第二束電流來確定離子束的最佳掃描距離的指令。

現在將在後文中參考示出一些實施例的附圖更充分地闡述本實施例。本公開的主題可以許多不同的形式實施且不被視為僅限於本文中所述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使本公開將全面及完整，且將向所屬領域中的技術人員充分傳達所述主題的範圍。在圖式中，相同的編號始終指代相同的元件。

本文中闡述的實施例提供使用來自定位於晶片的相對邊緣處的一組法拉第杯的束電流測量值來優化加速器束的水平掃描距離的新穎技術。與其中使用對束邊緣的估計來試圖確定總的所需水平掃描距離的現有技術方式不同，本公開實施例使用利用定位於晶片的每一側上的法拉第杯進行的實際束電流測量來確定最佳掃描束距離。此確保束穿過晶片的邊緣以外且將額外的過掃描距離最小化。有利地，當束離開晶片時不存在被浪費的束電流，且在晶片植入期間利用束電流/對束電流進行優化。此外，本文中的實施例確保束在整個晶片直徑之上被充分地掃描，以確保進行均勻的植入。而且，本文中的實施例有利地確保了進行植入監測的法拉第杯的精確測量以實現劑量精確度。

圖1示出用於確定離子植入機的最佳掃描距離的設備100的第一實施例。設備100可包括法拉第杯101以及法拉第杯或法拉第輪廓儀103，法拉第杯101沿著預期束掃描區域106的第一側104位於第一法拉第杯位置102處，法拉第杯或法拉第輪廓儀103沿著預期束掃描區域106的第二側112位於第二法拉第杯位置110處。在一些實施例中，僅存在法拉第杯101且由單個法拉第杯101在多個位置處進行測量。

法拉第杯101一般來說沿著X方向固定，而法拉第輪廓儀103可沿著X方向在水平方向上移動，但不具限制性。舉例來說，法拉第輪廓儀103可定位於預期束掃描區域106內或預期束掃描區域106外。第一法拉第杯102可包括第一孔口（未示出），當在第一側104附近在水平方向上（例如，沿著所示方向中的X方向）對離子束114進行掃描時，第一孔口可操作以接收離子束114的電流的指示。當在第二側112附近在水平方向上對離子束114進行掃描時，法拉第輪廓儀103可相似地對離子束114的電流進行測量。如在本文中將進一步闡述，可使用從法拉第杯101獲得的測量值及從法拉第輪廓儀103獲得的測量值來確定束電流何時完全穿過預期束掃描區域106外的特定位置，例如法拉第杯101的第一孔口。離子束114可為加速器點束（accelerator spot beam），但不具限制性。在一些情形中，當離子束114穿過法拉第杯101及法拉第輪廓儀103時，可探測到離子束114的左邊緣及右邊緣。這些邊緣可為點離子束114的被探測到的峰值（並非積分電流）的約0.6%。

預期束掃描區域106一般來說可對應於離子束114將要處理（例如掃描）的晶片的區域。在使用期間，可在水平方向上（例如，在X方向上）對離子束114進行掃描，而晶片可在垂直方向上（例如，沿著Y方向）移動。植入區域106可由周界（perimeter）124界定，其中第一側104及第二側112可對應於沿著周界124的在圓周上相對的點。預期束掃描區域106的直徑可在第一側104與第二側112之間延伸。在所示實施例中，法拉第杯101在第一過掃描區域130中定位於周界124外，而法拉第輪廓儀103在第二過掃描區域132中定位於周界124外。第一過掃描區域130可包括與第一孔口和第一側104之間的長度（例如，沿著X方向）對應的第一閉環法拉第（closed loop Faraday，CLF）尺寸（first CLF dimension，CD1）。

在使用期間，在預期束掃描區域106的第一側104與第二側110之間對離子束114進行掃描。可在第一法拉第杯位置102處測量離子束114的第一束電流且可在第二法拉第杯位置110處測量離子束114的第二束電流，以基於第一束電流及第二束電流來確定離子束的跨越預期束掃描區域106且跨越第一過掃描區域130及第二過掃描區域132的最佳掃描距離。有利地，通過優化水平掃描距離，可增大束電流。更具體來說，本文中的實施例對於高劑量配方盡可能地減小水平掃描距離以使束電流最大化。在另一實例中，對於低劑量配方，可增大水平掃描距離從而使束電流減小。換句話說，設備100允許進行水平掃描距離的快速調諧，以將束電流撥回到目標值，使得所述距離不小於最小水平掃描距離（horizontal scan distance，HSD）。

在一個實施例中，可跨越寬的水平距離（例如，從第一過掃描區域130到第二過掃描區域132）對離子束114進行掃描，且然後朝向預期束掃描區域106的中心將離子束114在水平方向上的寬度緩慢地減小。圖2A展示出電流與第一法拉第杯乘數（在下文中為乘數1）之間的關係。如輔助線133所示，電流被期望成隨著過掃描的減小而線性增大。換句話說，隨著離子束114遠離第一過掃描區域130且朝向預期束掃描區域106移動，電流增大。由法拉第杯101對實例性電流測量值進行跟蹤的線135展示出過掃描不足的情形，使得線135從輔助線133偏離。為確定乘數1的恰當值，可使用高於或低於第一預定閾值的電流偏差。舉例來說，可選擇電流從期望值（輔助線133）下降“x”%之前的掃描位置。在各種實例中，“x”可介於0.01與10之間。因此，如線138所示，在此實例中乘數1可為近似1.1。

如圖2B中所示，可對法拉第輪廓儀103實行相似的分析。輔助線133對應於線性增大的期望電流，而線139連接法拉第輪廓儀103的各個實例性電流測量值。為確定第二法拉第杯乘數（在下文中為乘數2）的恰當值，可使用高於或低於第二預定閾值的電流偏差，在此種情形中，電流從期望值（輔助線133）下降“x”%之前的掃描位置。在各種實例中，“x”可介於0.01與10之間。因此，如線140所示，在此實例中乘數2可為近似0.8。

使用以下方程式（1），可為設備100的預期束掃描區域106、第一過掃描區域130及第二過掃描區域132確定離子束114的動態水平掃描距離（）：（1）

在上文中，束寬度是可測量的值且相依於離子束114的參數而變化。

圖3展示出確定設備200的水平掃描距離的另一方式。設備200可與設備100相同或相似。因此，為簡明起見，在下文中將僅對設備200的某些方面進行闡述。在此實施例中，一組靜止的點離子束214A、214B起初分別定位於第一過掃描區域230及第二過掃描區域232中。第一離子束214A可經由被指令到固定位置的掃描器而朝向第一法拉第位置202處的法拉第杯201反復地位移。法拉第杯201測量當第一離子束214A朝向預期束掃描區域206移動時的電流增大。相似地，第二離子束214B可經由被指令到固定位置的掃描器而朝向第二法拉第位置210處的法拉第輪廓儀203反復地位移。法拉第輪廓儀203測量當第二離子束214B朝向預期束掃描區域206移動時的電流增大。可基於每一束皆位於預期束掃描區域206外的點來設定掃描距離，且法拉第杯201及法拉第輪廓儀203不測量相對於無束偏移量（no-beam offset）的任何增大的束電流。可再次使用以上方程式（1）來計算水平掃描距離。

圖4A至圖4C展示出確定“快速點”束的動態水平掃描距離的再一方式。利用“快速點”束方式，點束214A可掃過法拉第杯201多次（例如，16次）以獲得平均電流回應作為快速點輪廓，此可能需要約3秒。相似地，點束214B可掃過法拉第輪廓儀203多次（例如，16次）以獲得平均電流回應作為快速點輪廓。在此實施例中，可在法拉第杯201的CLF位置（即，孔口）周圍對快速點離子束進行掃描，以確定電流與位置的曲線260，如圖4B中所示。可在法拉第輪廓儀203處相似地對快速點離子束進行掃描，以基於圖4C中所示的電流與位置的曲線262來確定預期束掃描區域206的邊緣處的電流邊緣。然後可使用快速點數據來確定所測量電流的邊緣，其中基於快速點電流測量距離來設定掃描距離。

圖5以步驟形式繪示出根據本公開各種實施例的束線離子植入機（被示出為離子植入機300）的俯視平面圖。離子植入機300包括被配置成產生離子束304的離子源302。離子束304可被設置為沿著例如X方向等方向被掃描的點束。在本文中使用的慣例中，Z方向是指與離子束304的中心射線軌跡平行的軸線的方向。因此，如圖所示，Z方向的絕對方向以及X方向在離子植入機300內的不同點處可發生變動，其中X方向垂直於Z方向。離子束304在照射設置於基底平台314上的基底316之前可行進穿過分析器磁體306、質量分辨狹縫（mass resolving slit）308且穿過準直器312。在一些實施例中，基底平台314可被配置成至少沿著Y方向對基底316進行掃描。在圖5中所示的實例中，離子植入機300包括束掃描器310。當離子束304被設置為點束時，束掃描器310可沿著X方向對離子束304進行掃描，從而生成經掃描的離子束，也沿著X方向在基底處進行掃描。所得經掃描的點束的寬度可與基底316的寬度W相當。

離子植入機300還包括用於監測被提供至基底316的束電流的一組電流探測器318A至318B（例如，法拉第杯電流探測器，且具體來說是閉環法拉第電流探測器）、以及用於測量束均勻性的輪廓儀法拉第杯。電流探測器318A至電流探測器318B可沿著基底316的相對側放置以阻止離子束304，且可被配置成在如上所述的各種水平掃描束距離優化操作期間對離子束304的束電流進行記錄。

離子植入機300也包括束校準組件320。束校準元件320可耦合到束掃描器310以及電流探測器318A、電流探測器318B。束校準元件320可耦合到一個或多個元件以對離子束304的掃描進行調節，從而作為束距離優化程式的結果向基底316中提供更均勻且更高效的離子植入。束校準元件320可包括邏輯，所述邏輯基於各種束測量值的應用來確定且基於這些測量值來確定常式的應用，如前述實例中所述。所述邏輯可還基於所確定的來產生用於對離子束304的掃描進行調節的調節信號。在一些情況下，可以軟體與硬體的組合或固件來實施束校準元件320的邏輯。在一些實例中，束校準元件320可包括電路系統（例如，控制器320-A及記憶體320-B），所述電路系統耦合到軟體以執行基於的確定而對離子束304的掃描進行調節的指令。實施例並非僅限於此上下文。

轉向圖6，將對根據本公開實施例的方法400進行闡述。在步驟401處，方法400可包括沿著預期束掃描區域的第一側提供第一法拉第杯位置且沿著預期束掃描區域的第二側提供第二法拉第杯位置。在一些實施例中，法拉第杯可位於第一法拉第杯位置處，而法拉第輪廓儀可位於第二法拉第杯位置處。第一法拉第杯位置及第二法拉第杯位置可在預期束掃描區域的在圓周上相對的點處沿著相同的水平軸定位。

在步驟402處，方法400可還包括沿著預期束掃描區域的第一側及第二側對離子束進行掃描。在一些實施例中，可完全地跨越預期束掃描區域、第一法拉第杯位置及第二法拉第杯位置對離子束進行掃描。在一些實施例中，可僅在第一法拉第杯位置及第二法拉第杯位置處對離子束進行掃描。即，點束可停留於法拉第杯及法拉第輪廓儀中的每一者以外，且朝向預期束掃描區域向內移動，停止於預期束掃描區域的邊緣處。可使用快速點束操作來實行此製程。

在步驟403處，方法400可包括在第一法拉第杯位置處測量離子束的第一束電流且在第二法拉第杯位置處測量離子束的第二束電流。

在步驟404處，方法400可包括基於第一束電流及第二束電流來確定離子束的跨越預期束掃描區域的最佳掃描距離。在一些實施例中，確定最佳掃描距離包括：在預期束掃描區域的第一側以外對離子束進行掃描，直到離子束完全穿過法拉第杯的第一孔口為止；以及在預期束掃描區域的第二側以外對離子束進行掃描，直到離子束完全穿過法拉第輪廓儀為止。在一些實施例中，所述方法可還包括：當法拉第杯的第一電流測量值達到第一預定閾值時確定出離子束已完全穿過法拉第杯的第一孔口，以及當第二法拉第杯的第二電流測量值達到第二預定閾值時確定出離子束已完全穿過第二法拉第杯的第二孔口。

上述論述是出於說明及闡述的目的而呈現，並不意在將本公開限制於本文中所公開的一種或多種形式。舉例來說，為了簡化本公開，可在一個或多個方面、實施例或配置中將本公開的各種特徵集合於一起。然而應理解，可將本公開的某些方面、實施例或配置的各種特徵組合於替代方面、實施例或配置中。此外，以上申請專利範圍特此併入到本具體實施方式中供參考，其中每一申請專利範圍自身作為本公開的單獨實施例。

本文中所使用的以單數形式敘述且前面有詞語“一（a或an）”的元件或步驟應被理解為不排除多個元件或步驟，除非明確敘述了此種排除。此外，提及本公開的“一個實施例”不意在解釋為排除也包括所敘述特徵的另外實施例的存在。

本文中所使用的“包括（including、comprising）”或“具有（having）”及其變型意在囊括其後列出的項目及其等效物以及另外的項目。因此，用語“包括”或“具有”及其變型是開放式表達，且在本文中可互換使用。

所有的方向性參考語（例如，近側、遠側、上部、下部、向上、向下、左、右、橫向、縱向、前、後、頂部、底部、上方、下方、垂直、水平、徑向、軸向、順時針及逆時針）僅用於識別目的以說明讀者理解本公開，並不形成限制，特別是不會對本公開的位置、定向或使用形成限制。除非另有指示，連接參考語（例如，附接、耦合、連接及接合）應廣義地加以解釋且可包括在一組元件之間的中間構件及在元件之間的相對移動。這樣一來，連接參考語不一定意味著兩個元件直接連接及相對於彼此固定。

此外，識別參考語（例如，主要、次要、第一、第二、第三、第四等）不意在暗指重要性或優先順序，而是用於將一個特徵與另一特徵區分開。圖式僅用於說明目的，且附圖中所反映的尺寸、位置、次序及相對大小可有所變化。

而且，用語“實質的（substantial）”或“實質上（substantially）”以及用語“近似（approximate）”或“近似地（approximately）”在一些實施例中可互換使用，且可使用所屬領域的普通技術人員可接受的任何相對量度來闡述。舉例來說，這些用語可充當參考參數的比較以指示能夠提供既定功能的偏差。與參考參數的偏差可例如在小於1%、小於3%、小於5%、小於10%、小於15%、小於20%等的量內，但不具限制性。

由於本公開具有本領域將允許的寬廣範圍且說明書可同樣加以解讀，因此雖然本文中已闡述了本公開的某些實施例，但本公開並不僅限於此。因此，以上說明不應被解釋為限制性的。所屬領域中的技術人員將設想出在隨附申請專利範圍的範圍及精神內的其他修改。

100、200:設備 101、201:法拉第杯 102:第一法拉第杯/第一法拉第杯位置 103:法拉第輪廓儀/法拉第杯 104:第一側 106:預期束掃描區域/植入區域 110、210:第二法拉第位置 112:第二側 114:點離子束/離子束 124:周界 130、230:第一過掃描區域 132、232:第二過掃描區域 133:輔助線 135、138、139、140:線 202:第一法拉第位置 203:法拉第輪廓儀 206:預期束掃描區域 214A:第一離子束/點離子束/點束 214B:第二離子束/點離子束/點束 260、262:曲線 300:離子植入機 302:離子源 304:離子束 306:分析器磁體 308:質量分辨狹縫 310:束掃描器 312:準直器 314:基底平台 316:基底 318A、318B:電流探測器 320:束校準組件 320-A:控制器 320-B:記憶體 400:方法 401、402、403、404:步驟 W:寬度 X、Y、Z:方向

現在將參考附圖通過實例的方式闡述本公開實施例，在附圖中：

圖1是根據本公開實施例的包括用於確定掃描束距離的一對法拉第杯位置的系統。

圖2A至圖2B是示出根據本公開實施例的電流與乘數值的曲線圖。

圖3是根據本公開實施例的包括用於確定掃描束距離的一對法拉第杯位置的系統。

圖4A是根據本公開實施例的包括用於確定掃描束距離的一對法拉第杯位置的系統。

圖4B至圖4C是示出根據本公開實施例的電流與位置的曲線圖。

圖5以步驟形式繪示出根據本公開各種實施例的束線離子植入機的俯視平面圖。

圖6繪示出根據本公開各種實施例的方法的示例性製程流程。

圖式未必成比例。圖式僅是示意圖，不意在描繪本公開的具體參數。圖式不意在繪示本公開的示例性實施例，且因此不被視為對範圍做出限制。在圖式中，相似的編號代表相似的元件。

此外，為使說明清晰起見，各圖中的一些圖中的某些元件可省略或不按比例示出。為使說明清晰起見，剖視圖可呈“片段”或“近視”剖視圖的形式，省略了在“真實的”剖視圖中才能看到的某些背景線條。此外，為清晰起見，在某些圖式中可省略一些參考編號。

100:設備

101:法拉第杯

102:第一法拉第杯/第一法拉第杯位置

103:法拉第輪廓儀/法拉第杯

104:第一側

106:預期束掃描區域/植入區域

110:第二法拉第位置

112:第二側

114:點離子束/離子束

124:周界

130:第一過掃描區域

132:第二過掃描區域

X、Y:方向

Claims

一種方法，包括：沿著預期束掃描區域的第一側提供第一法拉第杯位置；沿著所述預期束掃描區域的第二側提供第二法拉第杯位置；沿著所述預期束掃描區域的所述第一側及所述第二側對離子束進行掃描；在所述第一法拉第杯位置處測量所述離子束的第一束電流且在所述第二法拉第杯位置處測量所述離子束的第二束電流；以及基於所述第一束電流及所述第二束電流來確定所述離子束的最佳掃描距離。
如請求項1所述的方法，其中沿著所述預期束掃描區域的所述第一側及所述第二側對所述離子束進行掃描包括：在所述預期束掃描區域的所述第一側以外對所述離子束進行掃描，直到所述離子束完全穿過所述第一法拉第杯位置處的第一法拉第杯的第一孔口為止；以及在所述預期束掃描區域的所述第二側以外對所述離子束進行掃描，直到所述離子束完全穿過所述第二法拉第杯位置為止。
如請求項2所述的方法，還包括：當所述第一法拉第杯的所述第一束電流達到第一預定閾值時確定出所述離子束已完全穿過所述第一法拉第杯的所述第一孔口，以及當所述第二法拉第杯位置處的所述第二束電流達到第二預定閾值時確定出所述離子束已完全穿過所述第二法拉第杯位置。
如請求項3所述的方法，其中確定所述離子束的所述最佳掃描距離還包括：確定所述離子束的束寬度；將所述束寬度乘以第一乘數以獲得第一乘積，其中所述第一乘數是根據所述第一預定閾值確定；將所述第一乘積與所述第一孔口和所述植入區域的所述第一側之間的長度尺寸相加以確定第一過掃描值；將所述束寬度與第二乘數相乘以獲得第二過掃描值，其中所述第二乘數是根據所述第二預定閾值確定；將所述第一過掃描值、所述第二過掃描值與所述預期束掃描區域的直徑加在一起。
如請求項2所述的方法，其中沿著所述預期束掃描區域的所述第一側及所述第二側對所述離子束進行掃描包括：起初將所述離子束定位於第一過掃描區域中的所述第一法拉第杯以外；以及將所述離子束朝向所述預期束掃描區域的所述第一側移動。
如請求項5所述的方法，其中沿著所述預期束掃描區域的所述第一側及所述第二側對所述離子束進行掃描還包括：起初將所述離子束定位於第二過掃描區域中的所述第二法拉第杯位置以外；以及將所述離子束朝向所述預期束掃描區域的所述第二側移動。
如請求項1所述的方法，還包括：基於所述離子束的所確定的所述最佳掃描距離來修改所述離子束的電流。
一種優化離子束的掃描束距離的設備，所述設備包括：束掃描器，能夠操作以相對於預期束掃描區域對點離子束進行掃描；沿著預期束掃描區域的第一側的法拉第杯；沿著所述預期束掃描區域的第二側的法拉第輪廓儀，其中所述法拉第杯能夠操作以測量所述點離子束的第一束電流，且所述法拉第輪廓儀能夠操作以測量所述點離子束的第二束電流；以及束校準組件，包括控制器及記憶體，所述記憶體包括校準常式，所述校準常式在所述控制器上運行以基於所述第一束電流及所述第二束電流來確定所述離子束的最佳掃描距離。
如請求項8所述的設備，其中所述束掃描器能夠操作以沿著所述預期束掃描區域的所述第一側及所述第二側對所述點離子束進行掃描。
如請求項9所述的設備，其中能夠操作以沿著所述預期束掃描區域的所述第一側及所述第二側對所述點離子束進行掃描的所述束掃描器還能夠操作以：在所述預期束掃描區域的所述第一側以外對所述點離子束進行掃描，直到所述點離子束完全穿過所述法拉第杯的第一孔口為止；以及在所述預期束掃描區域的所述第二側以外對所述點離子束進行掃描，直到所述點離子束完全穿過所述法拉第輪廓儀為止。
如請求項10所述的設備，其中所述校準常式還能夠在所述控制器上運行以：當所述法拉第杯的所述第一束電流達到第一預定閾值時，確定出所述離子束已完全穿過所述法拉第杯的所述第一孔口；以及當所述法拉第杯的所述第二束電流達到第二預定閾值時，確定出所述離子束已完全穿過所述法拉第輪廓儀。
如請求項11所述的設備，其中所述校準常式還能夠在所述控制器上運行以通過以下步驟確定所述離子束的所述最佳掃描距離：確定所述離子束的束寬度；將所述束寬度乘以第一乘數以獲得第一乘積，其中所述第一乘數是根據所述第一預定閾值確定；將所述第一乘積與所述第一孔口和所述植入區域的所述第一側之間的長度尺寸相加以確定第一過掃描值；將所述束寬度與第二乘數相乘以獲得第二過掃描值，其中所述第二乘數是根據所述第二預定閾值確定；將所述第一過掃描值、所述第二過掃描值與所述預期束掃描區域的直徑加在一起。
如請求項8所述的設備，其中所述束掃描器還能夠操作以：起初將所述離子束定位於第一過掃描區域中的所述法拉第杯以外；以及將所述離子束朝向所述預期束掃描區域的所述第一側移動。
如請求項8所述的設備，其中所述束掃描器還能夠操作以：起初將所述離子束定位於第二過掃描區域中的所述法拉第輪廓儀以外；以及將所述離子束朝向所述預期束掃描區域的所述第二側移動。
一種非暫態電腦可讀存儲介質，所述非暫態電腦可讀存儲介質包括指令，當由電腦來執行所述指令時，所述指令使所述電腦：利用束掃描器相對於預期束掃描區域對點離子束進行掃描；在沿著所述預期束掃描區域的第一側定位的第一法拉第杯處測量所述點離子束的第一束電流，且在沿著所述預期束掃描區域的第二側定位的第二法拉第杯處測量所述點離子束的第二束電流；以及基於所述第一束電流及所述第二束電流來確定所述離子束的最佳掃描距離。
如請求項15所述的非暫態電腦可讀存儲介質，其中所述指令還將所述電腦配置成沿著所述預期束掃描區域的所述第一側及所述第二側對所述點離子束進行掃描。
如請求項15所述的非暫態電腦可讀存儲介質，其中所述指令還將所述電腦配置成：在所述預期束掃描區域的所述第一側以外對所述點離子束進行掃描，直到所述點離子束完全穿過所述第一法拉第杯的第一孔口為止；以及在所述預期束掃描區域的所述第二側以外對所述點離子束進行掃描，直到所述點離子束完全穿過所述第二法拉第杯的第二孔口為止。
如請求項17所述的非暫態電腦可讀存儲介質，其中所述指令還將所述電腦配置成：當所述第一法拉第杯的所述第一束電流達到第一預定閾值時，確定出所述點離子束已完全穿過所述第一法拉第杯的所述第一孔口；以及當所述第二法拉第杯的所述第二束電流達到第二預定閾值時，確定出所述點離子束已完全穿過所述第二法拉第杯的所述第二孔口。
如請求項15所述的非暫態電腦可讀存儲介質，其中所述指令還將所述電腦配置成：確定所述離子束的束寬度；將所述束寬度乘以第一乘數以獲得第一乘積，其中所述第一乘數是根據所述第一預定閾值確定；將所述第一乘積與所述第一孔口和所述植入區域的所述第一側之間的長度相加以確定第一過掃描值；將所述束寬度與第二乘數相乘以獲得第二過掃描值，其中所述第二乘數是根據所述第二預定閾值確定；以及將所述第一過掃描值、所述第二過掃描值與所述預期束掃描區域的直徑加在一起。
如請求項15所述的非暫態電腦可讀存儲介質，其中所述指令還將所述電腦配置成：起初將所述離子束定位於第一過掃描區域中的所述第一法拉第杯以外；當所述點離子束朝向所述預期束掃描區域的所述第一側移動時，測量所述第一束電流；起初將所述點離子束定位於第二過掃描區域中的所述第二法拉第杯以外；以及當所述點離子束朝向所述預期束掃描區域的所述第二側移動時，測量所述第二束電流。