TW202344471A - 微粒子及微粒子之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供電漿耐性優良的微粒子及微粒子之製造方法。微粒子係含有SiC及Si，粒徑係80nm以下，重量減少比率係9質量%以下，親水化度係30%。

Description

微粒子及微粒子之製造方法
本發明係關於含有SiC及Si之微粒子及其之製造方法。
目前，各種微粒子被使用在各種用途。例如，金屬微粒子、 矽微粒子、氧化物微粒子、氮化物微粒子、及碳化物微粒子等微粒子，被使用在各種電絕緣零件等電絕緣材料、切削工具、機械工作材料、感應器等功能性材料、燒結材料、燃料電池之電極材料、及觸媒。
例如，專利文獻1中記載矽微粒子經碳化矽被覆的矽/碳化矽複合微粒子。專利文獻1中記載將氧化矽之粉末分散在含有碳的液狀之物質並製成漿液，將漿液予以液滴化並供給至不含有氧的熱電漿焰中而製造矽/碳化矽複合微粒子。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5363397號公報
[發明所欲解決之課題]
如上述般，各種微粒子被使用在各種用途，例如，有時會在暴露於電漿之環境中使用。例如，上述專利文獻1之矽/碳化矽複合微粒子並沒有充足的電漿耐性。
本發明之目的在於提供電漿耐性優良的微粒子及微粒子之製造方法。 [解決課題之手段]
為了達成上述目的，本發明之一態樣係提供一種微粒子，含有SiC及Si，粒徑係80nm以下，重量減少比率係9質量%以下，親水化度係30%以下。 提供一種微粒子之製造方法，具有：將Si粉末作為原料，並將原料供給至熱電漿焰中之步驟、及對於熱電漿焰供給冷卻氣體，並生成微粒子之步驟，冷卻氣體含有甲烷氣體。 供給至熱電漿焰中之步驟，宜為將原料在分散成粒狀之狀態下供給至熱電漿焰中。 [發明之效果]
若藉由本發明之微粒子，則電漿耐性優良。 若藉由本發明之微粒子之製造方法，則可以得到電漿耐性優良的微粒子。
以下，基於隨附的圖示所示之理想實施形態，詳細地說明本發明之微粒子及微粒子之製造方法。 另外，以下所說明的圖係為了說明本發明之示例性者，本發明並不受限於以下所示之圖。 以下，針對微粒子進行說明。本發明之微粒子具有電漿耐性。
[微粒子之一例] 微粒子含有SiC及Si，粒徑係80nm以下，重量減少比率係9質量%以下，親水化度係30%以下。 含有SiC及Si，可以係指如Si粒子及SiC粒子般單獨粒子混合並存在，亦可以係指SiC及Si被包含在單一粒子內者。SiC及Si被包含在單一粒子內之情形，微粒子係SiC及Si在單一粒子內經複合化的複合粒子。 另外，在微粒子中，關於含有SiC及Si之情事，例如，可以使用XRD(X射線結晶構造解析)來調查。 微粒子之粒徑係使用BET法測得的平均粒徑。微粒子之粒徑若係80nm以下，則可以防止因粒子所致之產品之汙染。微粒子之粒徑，宜為10~60nm。
重量減少比率係藉由差示熱-熱重量同時測定(TG-DTA)而得到的重量減少比率。差示熱-熱重量同時測定係使用Hitachi High-Tech Science(股)之STA7200(商品名)。 重量減少比率若係9質量%以下，則在電漿之中，暴露於氧電漿時，可以抑制因氧電漿所致之重量減少，而具有氧電漿耐性。另一方面，重量減少比率若超過9質量%，則暴露於氧電漿時，因氧電漿所致之重量減少會增加，無法得到氧電漿耐性。 微粒子之重量減少比率若係9質量%以下，例如，將微粒子混合在橡膠之情形，對於橡膠照射氧電漿時，會抑制橡膠成分與電漿進行反應而消失。微粒子之重量減少比率若超過9質量%，則對於混合了微粒子的橡膠照射氧電漿時，微粒子之重量減少量多，橡膠成分與電漿進行反應而消失之情事會增加。
親水化度係將吸附於粒子表面的水蒸氣之吸附面積，除以(除)吸附於粒子表面的氮分子之吸附面積的值，可以藉由高精度氣體/蒸氣吸附量測定裝置來求得。高精度氣體/蒸氣吸附量測定裝置係使用MicrotracBEL(股)之BELSORP-max II(商品名)。 藉由將親水化度設定為30%以下，在電漿之中，暴露於氟電漿時，可以抑制因氟電漿所致之重量減少，而具有氟電漿耐性。 另一方面，親水化度若超過30%，則暴露於氟電漿時，因氟電漿所致之重量減少會增加，無法得到氟電漿耐性。另外，氟電漿，例如，係CF 4電漿。 微粒子之親水化度若係30%以下，例如，將微粒子混合到橡膠之情形，對於橡膠照射氟電漿時，會抑制橡膠成分與電漿進行反應而消失之情事。微粒子之親水化度若超過30%，則對於混合了微粒子的橡膠照射氟電漿時，微粒子之重量減少量多，橡膠成分與電漿進行反應而消失之情事會增加。 藉由將重量減少比率設定為9質量%以下，親水化度設定為30%以下，會具有氧電漿耐性及氟電漿耐性。 微粒子，就兼具氧電漿耐性及氟電漿耐性之觀點而言，宜為重量減少比率係0~9質量%，親水化度係0~30%。另外，較宜為重量減少比率係0~6質量%，親水化度係0~20%，更宜為重量減少比率係0~4質量%，親水化度係0~8%。
[微粒子之製造方法] 微粒子之製造方法，具有：將Si粉末作為原料，並供給至熱電漿焰中之步驟、及對於熱電漿焰供給冷卻氣體，並生成微粒子之步驟。冷卻氣體含有甲烷氣體(CH 4氣體)。 供給至熱電漿焰中之步驟，例如，將原料在分散成粒狀之狀態下供給至熱電漿焰中。
以下，針對本發明之微粒子之製造方法，基於圖1進行說明，但本發明之微粒子之製造方法並不受限於使用圖1所示之製造裝置的製造方法。 圖1係表示本發明之微粒子之製造方法中使用的微粒子製造裝置之一例之模式圖。圖1所示之微粒子製造裝置10(以下，簡稱為製造裝置10)，係上述微粒子之製造中所使用者。藉由製造裝置10可以得到上述微粒子。
[微粒子之製造裝置之一例] 製造裝置10，具有：產生熱電漿的電漿炬12、將微粒子之原料粉末供給到電漿炬12內的材料供給裝置14、用以生成1次微粒子15之具有作為冷卻槽之功能的腔室16、氣體供給裝置17、從1次微粒子15中去除具有任意規定的粒徑以上的粒徑之粗大粒子的旋風器19、及將藉由旋風器19分級後的具有所欲之粒徑的2次微粒子18予以回收的回收部20。1次微粒子15，係本發明之微粒子之製造途中之微粒子體， 2次微粒子18相當於本發明之微粒子。1次微粒子15及2次微粒子18，例如，含有SiC及Si。 關於材料供給裝置14、腔室16、旋風器19、回收部20，例如，可以使用日本特開2007-138287號公報之各種裝置。
在本實施形態中，微粒子之製造係使用Si粉末作為原料。Si粉末，係適當設定其平均粒徑，使其在熱電漿焰中容易進行蒸發，Si粉末之平均粒徑，係使用雷射繞射法而測得者，例如，係100μm以下，宜為10μm以下，更宜為5μm以下。
電漿炬12，係由石英管12a、及環繞其外側的高頻振盪用線圈12b所結構。在電漿炬12之上部，其中央部設置有用以將微粒子之原料粉末供給至電漿炬12內之後述供給管14a。電漿氣體供給口12c係形成在供給管14a之週邊部(同一圓周上)，電漿氣體供給口12c係環狀。高頻振盪用線圈12b連接著產生高頻電壓的電源(沒有圖示)。若對於高頻振盪用線圈12b施加高頻電壓則會產生熱電漿焰24。藉由熱電漿焰24，原料(沒有圖示)會蒸發而成為氣相狀態。電漿炬12，係使用本發明之氣相法並使原料成為氣相狀態的處理部。
電漿氣體供給源22，係將電漿氣體供給至電漿炬12內者，例如，具有氣體供給部22a。氣體供給部22a係經由配管22c連接著電漿氣體供給口12c。於氣體供給部22a，雖然沒有圖示，但設置有用以調整供給量之閥等供給量調整部。電漿氣體，係從電漿氣體供給源22經過環狀之電漿氣體供給口12c，從箭頭P所示的方向及箭頭S所示的方向被供給至電漿炬12內。
電漿氣體，例如，係使用氬氣。此情形下，氬氣被貯藏在氣體供給部22a。氬氣係從電漿氣體供給源22之氣體供給部22a經由配管22c並經過電漿氣體供給口12c，從箭頭P所示的方向及箭頭S所示的方向被供給至電漿炬12內。另外，電漿氣體並不受限於氬氣，亦可以係氬氣中添加了氫氣的混合氣體。此情形下，會具有貯藏氫氣的氣體供給部(沒有圖示)。另外，混合氣體中的氬氣與氫氣之比率係根據所製造的微粒子之組成等而適當決定。 若對於高頻振盪用線圈12b施加高頻電壓，則於電漿炬12內會產生熱電漿焰24。藉由熱電漿焰24，原料(沒有圖示)會蒸發而成為氣相狀態。
熱電漿焰24之溫度需要高於原料粉末之沸點。另一方面，熱電漿焰24之溫度越高，原料粉末越容易成為氣相狀態，故為理想，但溫度並無特別限定。例如，亦可以將熱電漿焰24之溫度設定為6000℃，據認為理論上會達到約10000℃。 此外，於電漿炬12內的壓力環境，宜為大氣壓以下。此處，關於大氣壓以下之環境並無特別限定，例如，係0.5~100kPa。
另外，石英管12a之外側，係被形成為同心圓狀的管(沒有圖示)所包圍，在該管與石英管12a之間使冷卻水進行循環並將石英管12a予以水冷，來防止由於電漿炬12內產生的熱電漿焰24而石英管12a變得過於高溫。
材料供給裝置14，係經由供給管14a連接著電漿炬12之上部。材料供給裝置14，例如，係將原料粉末以粉末之形態供給至電漿炬12內之熱電漿焰24中者。 就將原料之Si粉末以粉末之形態進行供給的材料供給裝置14而言，如上述般，例如，可以使用日本特開2007-138287號公報中揭示者。此情形下，材料供給裝置14，例如，具有：貯藏原料的貯藏槽(沒有圖示)、將原料進行定量搬送的螺桿進料器(沒有圖示)、在經螺桿進料器搬送後的原料最終被散布之前，將其分散成一次粒子之狀態的分散部(沒有圖示)、及載體氣體供給源(沒有圖示)。
原料會與從載體氣體供給源押出而被施加了壓力的載體氣體一起，透過供給管14a被供給至電漿炬12內之熱電漿焰24中。 材料供給裝置14，只要係可以防止原料之凝聚，維持分散狀態，將原料散布到電漿炬12內者的話，其結構並無特別限定。載體氣體，例如，係使用氬氣等惰性氣體。載體氣體流量，例如，可以使用浮子式流量計等流量計進行控制。此外，載體氣體之流量值係指流量計之刻度值。
腔室16，係相鄰於電漿炬12之下方而設置，並連接著氣體供給裝置17。於腔室16內，例如，會生成含有SiC及Si的1次微粒子15。此外，腔室16係作為冷卻槽而發揮作用者。
氣體供給裝置17，係將冷卻氣體供給至腔室16內者。氣體供給裝置17，係對於藉由熱電漿焰24而蒸發成為氣相狀態的原料，供給含有惰性氣體的冷卻氣體(急冷氣體)。 氣體供給裝置17，具有：氣體供給源(沒有圖示)、配管17a、及控制氣體供給量的壓力控制閥(沒有圖示)。氣體供給裝置17，更具有：對於供給到腔室16內的冷卻氣體進行押出而施加壓力的壓縮機、或鼓風機等壓力賦予裝置(沒有圖示)。 氣體供給源中分別著貯藏氬氣、及甲烷氣體。此情形下，冷卻氣體係混合了氬氣與甲烷氣體的氣體。冷卻氣體中的氬氣與甲烷氣體之比率，係根據所製造的微粒子之組成等而適當決定。
氣體供給裝置17，例如，係對於熱電漿焰24，例如，從橫向方向，亦即，水平地供給急冷氣體(冷卻氣體)。急冷氣體(冷卻氣體)，例如，係被供給至熱電漿焰24之尾部24b。 藉由從氣體供給裝置17供給至腔室16內的冷卻氣體，由於熱電漿焰24而蒸發成為氣相狀態後的Si粉末會被急冷，並得到含有SiC及Si的1次微粒子15。除此之外，上述冷卻氣體亦具有有助於旋風器19中的1次微粒子15之分級等附加作用。 另外，氣體供給裝置17，係朝向熱電漿焰24之尾部24b，亦即，與電漿氣體供給口12c為相反側之熱電漿焰24之末端，亦即，朝向熱電漿焰24之終端部，例如，以45°之角度，對於箭頭Q之方向，供給氬氣與甲烷氣體之混合氣體作為冷卻氣體，且亦可以沿著腔室16之內側壁16a並從上方朝向下方，亦即，對於圖1所示的箭頭R之方向供給上述冷卻氣體。
若含有SiC及Si的1次微粒子15之剛生成後之微粒子彼此衝突，形成凝聚體，因此產生粒徑之不均勻的話，則會成為品質降低之原因。但是，藉由朝向熱電漿焰之尾部24b(終端部)對於箭頭Q之方向，作為冷卻氣體而供給的混合氣體將1次微粒子15予以稀釋，可防止微粒子彼此衝突並凝聚。 另外，藉由沿著腔室16之內壁並從上方朝向下方，供給急冷氣體(冷卻氣體)，亦即，藉由對於箭頭R方向作為冷卻氣體而供給的混合氣體，在1次微粒子15之回收之過程中，可防止1次微粒子15附著到腔室16之內側壁16a，提高生成的1次微粒子15之產率。
另外，作為冷卻氣體(急冷氣體)，雖然使用了氬氣與甲烷氣體之混合氣體，但並不受限於此等。氬氣係惰性氣體之一例，甲烷氣體(CH 4)係碳數為4以下之碳化氫氣體之一例。 冷卻氣體(急冷氣體)中使用者，並不受限於氬氣，可以使用氮氣等。此外，並不受限於甲烷氣體，可以使用碳數為4以下之碳化氫氣體。因此，作為冷卻氣體(急冷氣體)，可以使用乙烷(C 2H 6)、丙烷(C 3H 8)、及丁烷(C 4H 10)等石蠟系碳化氫氣體、以及乙烯(C 2H 4)、丙烯(C 3H 6)、及丁烯(C 4H 8)等烯烴系碳化氫氣體。
如圖1所示般，腔室16中，設置有用以將1次微粒子15以所欲之粒徑進行分級之旋風器19。該旋風器19，具備：從腔室16供給1次微粒子15的入口管19a、與該入口管19a連接並位於旋風器19之上部的圓筒形狀之外筒19b、從該外筒19b下部朝向下側並連續，且徑係逐漸減少的圓錐台部19c、連接在該圓錐台部19c下側，並將具有上述所欲之粒徑以上之粒徑的粗大粒子予以回收的粗大粒子回收腔室19d、及連接在之後詳述的回收部20，突出設置在外筒19b的內管19e。
含有1次微粒子15的氣流，會從旋風器19之入口管19a沿著外筒19b之內周壁被吹入，藉此，該氣流會如圖1中箭頭T所示般，從外筒19b之內周壁朝向圓錐台部19c方向流動，藉此會形成下降的渦流。 然後，上述下降的渦流會反轉，而成為上昇流，此時藉由離心力及阻力之平衡，粗大粒子無法乘上上昇流，而會沿著圓錐台部19c側面下降，被粗大粒子回收腔室19d回收。此外，比起離心力更受到阻力之影響的微粒子，會與於圓錐台部19c內壁之上昇流一起從內管19e被排出到旋風器19外。
此外，通過內管19e，從之後詳述的回收部20會產生負壓(吸引力)。然後，藉由該負壓(吸引力)，從上述迴旋的氣流分離後的微粒子，會如符號U所示般被吸引，並通過內管19e被送到回收部20。
在係旋風器19內之氣流之出口的內管19e之延長上，設置有將具有所欲之奈米級之粒徑的2次微粒子(微粒子)18予以回收的回收部20。回收部20，具有：回收室20a、設置在回收室20a內的過濾器20b、及透過設置在回收室20a內下方的管而連接的真空泵30。從旋風器19被運送的微粒子，藉由以真空泵30吸引，會被吸入回收室20a內，成為留在過濾器20b之表面之狀態而被回收。 另外，在上述製造裝置10中，所使用的旋風器之個數，並不限定為1個，亦可以係2個以上。
接著，針對使用了上述製造裝置10的微粒子之製造方法之一例進行說明。 首先，作為微粒子之原料粉末，例如，將平均粒徑係5μm以下之Si粉末投入材料供給裝置14。 電漿氣體中，例如，使用氬氣，對於高頻振盪用線圈12b施加高頻電壓，於電漿炬12內產生熱電漿焰24。 此外，從氣體供給裝置17將冷卻氣體，對於熱電漿焰24之尾部24b，例如，從橫向方向進行供給。冷卻氣體，例如，係氬氣與甲烷氣體之混合氣體。 接著，作為載體氣體，例如，使用氬氣將Si粉末進行氣體搬送，經由供給管14a供給至電漿炬12內之熱電漿焰24中。經供給的Si粉末，在熱電漿焰24中會蒸發並成為氣相狀態。氣相狀態之Si粉末，藉由上述冷卻氣體會被急冷而生成含有SiC及Si的1次微粒子15(微粒子)。 另外，微粒子之製造方法中，可以藉由冷卻氣體之流量改變微粒子之粒徑。 微粒子之重量減少比率及微粒子之親水化度，可以藉由甲烷氣體濃度或導入位置而改變。甲烷氣體之導入位置之基準位置Pg，係電漿氣體供給口12c。 將從上述基準位置Pg到腔室16之上端面16c為止，定義為範圍D ref。相對於上述範圍D ref，將範圍D ref×2.25~2.44定義為範圍Di。於範圍Di導入甲烷氣體等急冷氣體。亦即，範圍Di係急冷氣體導入位置。 氣體供給裝置17之配管17a，例如，係連接著腔室16之上端面16c及急冷氣體導入位置(範圍Di)。於配管17a，雖然沒有圖示，但設置有閥等切換部位，藉由切換部位可改變急冷氣體之導入位置。
然後，於腔室16內得到的含有SiC及Si的1次微粒子15，會從旋風器19之入口管19a與氣流一起沿著外筒19b之內周壁被吹入，藉此，該氣流會如圖1之箭頭T所示般沿著外筒19b之內周壁流動，藉此形成渦流並下降。然後，上述下降的渦流會反轉，而成為上昇流，此時藉由離心力與阻力之平衡，粗大粒子無法乘上上昇流，而會沿著圓錐台部19c側面下降，被粗大粒子回收腔室19d回收。此外，比起離心力更受到阻力之影響的微粒子，會與於圓錐台部19c內壁之上昇流一起從內壁被排出到旋風器19外。
被排出的2次微粒子(微粒子)18，藉由因真空泵30所致的來自回收部20之負壓(吸引力)，會被吸引至圖1中符號U所示的方向，通過內管19e被送至回收部20，並於回收部20之過濾器20b被回收。此時之旋風器19內之內壓，宜為大氣壓以下。此外，2次微粒子(微粒子)18之粒徑，因應目的，被規定為奈米級之任意粒徑。藉由如此方式，會得到電漿耐性優良的微粒子。 另外，本發明係使用熱電漿焰而形成含有SiC及Si的1次微粒子，但亦可以使用其他氣相法形成含有SiC及Si的1次微粒子。因此，只要係氣相法，則並不受限於使用熱電漿焰，例如，亦可以係藉由火焰法形成含有SiC及Si的1次微粒子之製造方法。另外，將使用了熱電漿焰的1次微粒子之製造方法稱作熱電漿法。
本發明，基本上係如上述般而構成。以上，已針對本發明之微粒子及微粒子之製造方法詳細地進行說明，但本發明並不受限於上述實施形態，在不偏離本發明之主旨之範圍內，當然亦可以進行各種改良或變更。 [實施例]
以下，針對本發明之微粒子，更具體地進行說明。 在本實施例中，製造了例1~6之含有SiC及Si的微粒子。微粒子之製造中係使用了圖1所示的製造裝置10。製造條件表示如下。
作為製造條件，將對於電漿之輸入設定為恆定86kW，使用Ar氣體及H 2氣體作為電漿氣體，Ar氣體之流量設定為210L/分鐘(換算標準狀態)，H 2氣體之流量設定為20L/分鐘(標準狀態換算)。電漿炬內壓力固定在40kPa。 此外，關於原料供給，載體氣體中使用Ar氣體，將平均粒徑係5μm之Si粉末以3.8g/分鐘與載體氣體一起進行供給。載體氣體之流量設定為15L/分鐘(換算標準狀態換算)。Si粉體之平均粒徑係以粒度分布計測得之值。 急冷氣體，係使用氬氣(Ar氣體)、與甲烷氣體(CH 4氣體)之混合氣體。作為急冷氣體，將氬氣(Ar氣體)之流量設定為150L/分鐘(換算標準狀態)，將甲烷氣體(CH 4氣體)之流量設定為0.5、1、2.5、5L/分鐘(換算標準狀態)以成為規定之濃度。
在例1~6中，重量減少比率及親水化度係根據甲烷氣體(CH 4氣體)濃度及導入位置進行調整。甲烷氣體(CH 4氣體)導入位置，係設定為基於上述基準位置Pg(參照圖1)之範圍D ref及範圍D ref×2.25~2.44。於下表1之甲烷氣體導入位置之欄位表示例1~6之甲烷氣體導入位置。 例1~6之重量減少比率及親水化度表示如下表1。 針對例1~6，測定了粒徑、因氧電漿所致之重量減少、及因氟電漿所致之重量減少。其測定結果表示如下表1。 粒徑，係使用BET法求得平均粒徑。 粒子之耐電漿性，係藉由使用錠劑成型器製作直徑7mm、厚度為0.5~0.6mm之錠劑，施行氧電漿及CF 4電漿照射處理，並調查照射前後之重量變化而求得。氧電漿之照射條件，係氣體流量為16sccm(16×1.667×10 -8m 3/s)、RF輸出為400W、壓力為2.66Pa、蝕刻時間為75分鐘。此外，CF 4電漿之照射條件，係氣體流量為16sccm、RF輸出為400W、壓力為2.66Pa、蝕刻時間為75分鐘。另外，電漿照射裝置，係使用SAMCO(股)製高密度電漿ICP蝕刻裝置MODEL RIE-101iPH。
此外，重量減少比率與因氧電漿所致之重量減少之關係如圖2所示。親水化度與因氟電漿所致之重量減少之關係如圖3所示。 此處，圖2係表示本發明之微粒子之氧電漿耐性之圖表，圖3係表示本發明之微粒子之氟電漿耐性之圖表。 上述例1~6之中，例1及例2相當於實施例，例3~6相當於比較例。 如表1及圖2所示般，重量減少比率若係9質量%以下，則在暴露於氧電漿時，可以抑制因氧電漿所致之重量減少，而具有氧電漿耐性。 此外，如表1及圖3所示般，親水化度若係30%以下，則在暴露於氟電漿時，可以抑制因氟電漿所致之重量減少，而具有氟電漿耐性。
10:微粒子製造裝置(製造裝置) 12:電漿炬 12a:石英管 12b:高頻振盪用線圈 12c:電漿氣體供給口 14:材料供給裝置 14a:供給管 15:1次微粒子 16:腔室 16a:內側壁 16c:上端面 17:氣體供給裝置 17a:配管 18:2次微粒子 19:旋風器 19a:入口管 19b:外筒 19c:圓錐台部 19d:粗大粒子回收腔室 19e:內管 20:回收部 20a:回收室 20b:過濾器 22:電漿氣體供給源 22a:氣體供給部 22c:配管 24:熱電漿焰 24b:尾部 30:真空泵
[圖1]係表示本發明之微粒子之製造方法中使用之微粒子製造裝置之一例之模式圖。 [圖2]係表示本發明之微粒子之氧電漿耐性之圖表。 [圖3]係表示本發明之微粒子之氟電漿耐性之圖表。
10:微粒子製造裝置(製造裝置)
12:電漿炬
12a:石英管
12b:高頻振盪用線圈
12c:電漿氣體供給口
14:材料供給裝置
14a:供給管
15:1次微粒子
16:腔室
16a:內側壁
16c:上端面
17:氣體供給裝置
17a:配管
18:2次微粒子
19:旋風器
19a:入口管
19b:外筒
19c:圓錐台部
19d:粗大粒子回收腔室
19e:內管
20:回收部
20a:回收室
20b:過濾器
22:電漿氣體供給源
22a:氣體供給部
22c:配管
24:熱電漿焰
24b:尾部
30:真空泵

Claims (3)

  1. 一種微粒子， 含有SiC及Si， 粒徑係80nm以下， 重量減少比率係9質量%以下， 親水化度係30%以下。
  2. 一種微粒子之製造方法，具有：將Si粉末作為原料，並將前述原料供給至熱電漿焰中之步驟、及 對於前述熱電漿焰供給冷卻氣體，並生成微粒子之步驟； 前述冷卻氣體含有甲烷氣體。
  3. 如請求項2記載之微粒子之製造方法，其中，將前述原料供給至前述熱電漿焰中之步驟，係將前述原料在分散成粒狀之狀態下供給至前述熱電漿焰中。
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