TW202344149A - 電路板、發光基板、背光模組、顯示面板及顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種電路板包括：襯底和設置於襯底一側的應力中性層，其中，所述應力中性層包括：至少一個第一金屬層和至少一個第二金屬層，至少一個第二金屬層與所述至少一個第一金屬層層疊設置，且至少一個第一金屬層中的至少一個第一金屬層的材料為產生拉應力的材料，至少一個第二金屬層中的至少一個第二金屬層的材料為產生壓應力的材料。

Description

電路板、發光基板、背光模組、顯示面板及顯示裝置

本申請要求於2022年4月21日提交的國際專利申請號PCT/CN2022/088130的優先權和利益。將國際專利申請號PCT/CN2022/088130的全部公開以引用方式併入本文，作為本申請公開的一部分。本公開涉及顯示技術領域，尤其涉及一種電路板、發光基板、背光模組、顯示面板及顯示裝置。

次毫米發光二極體（Mini Light-Emitting Diode，簡稱Mini-LED）是指，晶片尺寸介於50μm~200μm的LED元件，Mini-LED的晶片尺寸和晶片間距小於傳統LED的晶片尺寸和晶片間距，且大於Micro LED的晶片尺寸和晶片間距，次毫米發光二極體在背光和顯示螢幕中均有廣泛應用。

一方面，提供一種電路板包括：襯底和設置於襯底一側的應力中性層。其中，所述應力中性層包括：至少一個第一金屬層和至少一個第二金屬層，至少一個第二金屬層與所述至少一個第一金屬層層疊設置，且所述至少一個第一金屬層的至少一個第一金屬層的材料為產生拉應力的材料，所述至少一個第二金屬層的至少一個第二金屬層的材料為產生壓應力的材料。

在一些實施例中，所述至少一個第一金屬層為多層，所述至少一個第二金屬層為多層，所述至少一個第二金屬層位於兩個第一金屬層之間，所述至少一個第一金屬層位於兩個第二金屬層之間。

在一些實施例中，所述至少一個第一金屬層中的所有第一金屬層的厚度之和，佔所述應力中性層厚度的70%~99%。

在一些實施例中，所述應力中性層的翹曲≤1mm。

在一些實施例中，所述第二金屬層的材料包括W、WNi、WCu、WMo、WCr和WAl中的任意一種。

在一些實施例中，所述第二金屬層的電阻範圍為1×10 ^-8Ω•m~1×10 ^-5Ω•m。

在一些實施例中，所述第一金屬層的材料包括銅。

在一些實施例中，所述至少一個第一金屬層中的至少一個第一金屬層還包括至少一個緩衝層。

在一些實施例中，所述緩衝層的材料包括MoNb、MoNiTi、Ti、Mo和MoTi中的任意一種。

在一些實施例中，所述緩衝層的厚度範圍為0~1000埃。

在一些實施例中，每個第一金屬層的厚度範圍為1μm ~3μm，每個第二金屬層的厚度範圍為300埃~5000埃。

在一些實施例中，在所述至少一個第一金屬層最靠近所述襯底的情況下，所述至少一個第一金屬層包括銅層和至少一個緩衝層，且所述至少一個緩衝層中的一個比所述銅層靠近所述襯底。

在一些實施例中，所述襯底為玻璃襯底。

在一些實施例中，所述應力中性層包括經蝕刻形成的多個圖案，所述多個圖案中的每個圖案包括各疊層形成的子圖案；所述應力中性層包括多層第一金屬層和至少一個第二金屬層的情況下，所述圖案中，相對遠離所述襯底的疊層形成的子圖案的坡度角，小於相對靠近所述襯底的疊層形成的子圖案的坡度角，其中，所述疊層為第一金屬層、第二金屬層或者相鄰第一金屬層和第二金屬層的組合膜層中的任一者。

在一些實施例中，所述圖案中任意一個子圖案的坡度角的角度範圍為20°~70 °。

另一方面，提供一種發光基板，包括如上所述的電路板，其中，所述應力中性層用於形成走線和/或電極墊。

在一些實施例中，發光基板還包括：多個發光二極體，所述發光二極體包括第一引腳和第二引腳，所述電極墊包括第一電極墊和第二電極墊，所述走線包括第一走線和第二走線，所述第一走線通過所述第一電極墊與所述發光二極體的第一引腳連接，所述第二走線通過所述第二電極墊與所述發光二極體的第二引腳連接。

在一些實施例中，所述電極墊的材料還可以為WNi和WCu中的一種。

在一些實施例中，所述發光二極體為次毫米發光二極體或者微型發光二極體。

又一方面，提供一種背光模組，背光模組包括如上所述的發光基板。

又一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的背光模組，顯示裝置還包括與所述背光模組連接的液晶顯示面板。

又一方面，提供一種顯示面板，包括如上所述的發光基板。

又一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。

下面將結合圖式，對本公開一些實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本公開一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本公開所提供的實施例，本公開所屬領域中具有通常知識者所獲得的所有其他實施例，都屬於本公開保護的範圍。

除非上下文另有要求，否則，在整個說明書和申請專利範圍中，術語「包括（comprise）」及其其他形式例如第三人稱單數形式「包括（comprises）」和現在分詞形式「包括（comprising）」被解釋為開放、包含的意思，即為「包含，但不限於」。在說明書的描述中，術語「一個實施例（one embodiment）」、「一些實施例（some embodiments）」、「示例性實施例（exemplary embodiments）」、「示例（example）」、「特定示例（specific example）」或「一些示例（some examples）」等旨在表明與該實施例或示例相關的特定特徵、結構、材料或特性包括在本公開的至少一個實施例或示例中。上述術語的示意性表示不一定是指同一實施例或示例。此外，所述的特定特徵、結構、材料或特點可以以任何適當方式包括在任何一個或多個實施例或示例中。

以下，術語「第一」、「第二」僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有「第一」、「第二」的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特徵。在本公開實施例的描述中，除非另有說明，「多個」的含義是兩個或兩個以上。

「A、B和C中的至少一個」與「A、B或C中的至少一個」具有相同含義，均包括以下A、B和C的組合：僅A，僅B，僅C，A和B的組合，A和C的組合，B和C的組合，及A、B和C的組合。

「A及/或B」，包括以下三種組合：僅A，僅B，及A和B的組合。

另外，「基於」的使用意味著開放和包容性，因為「基於」一個或多個所述條件或值的過程、步驟、計算或其他動作在實踐中可以基於額外條件或超出所述的值。

如本文所使用的那樣，「約」、「大致」或「近似」包括所闡述的值以及處於特定值的可接受偏差範圍內的平均值，其中所述可接受偏差範圍如由本領域普通技術人員考慮到正在討論的測量以及與特定量的測量相關的誤差(即，測量系統的局限性)所確定。

如本文所使用的那樣，「平行」、「垂直」、「相等」包括所闡述的情況以及與所闡述的情況相近似的情況，該相近似的情況的範圍處於可接受偏差範圍內，其中所述可接受偏差範圍如由本公開所屬領域中具有通常知識者考慮到正在討論的測量以及與特定量的測量相關的誤差(即，測量系統的局限性)所決定。例如，「平行」包括絕對平行和近似平行，其中近似平行的可接受偏差範圍例如可以是5°以內偏差；「垂直」包括絕對垂直和近似垂直，其中近似垂直的可接受偏差範圍例如也可以是5°以內偏差。「相等」包括絕對相等和近似相等，其中近似相等的可接受偏差範圍內例如可以是相等的兩者之間的差值小於或等於其中任一者的5%。

應當理解的是，當層或元件被稱為在另一層或基板上時，可以是該層或元件直接在另一層或基板上，或者也可以是該層或元件與另一層或基板之間存在中間層。

本文參照作為理想化示例性圖式的剖視圖和/或平面圖描述了示例性實施方式。在圖式中，為了清楚，放大了層和區域的厚度。因此，可設想到由於例如製造技術和/或公差引起的相對於圖式的形狀的變動。因此，示例性實施方式不應解釋為局限於本文示出的區域的形狀，而是包括因例如製造而引起的形狀偏差。例如，示為矩形的蝕刻區域通常將具有彎曲的特徵。因此，圖式中所示的區域本質上是示意性的，且它們的形狀並非旨在示出設備的區域的實際形狀，並且並非旨在限制示例性實施方式的範圍。

對於電子元件，其由導線向其傳輸電信號，需要盡可能地降低因導線產生的壓降損耗。根據電阻的計算公式，其與導電使用材料的電阻率、導線的延伸方向長度及垂直於該延伸方向的橫截面積的尺寸相關，其中橫截面積又由線寬和線高（即厚度）兩部分。由於顯示面板上佈線空間是確定的，而相鄰兩條導線之間需要滿足電氣可靠性要求，故任意相鄰設置的兩條導線之間的線距存在極小值，從而導線的線寬存在設計極限；為了盡可能地降低導線的電阻，可以盡可能增加導線的線高。另一方面，應選擇電阻率較低的導電材料，綜合考慮成本，目前銅是最佳的選擇。也就是說，一種實現低電阻導線的方案為製作厚度較大的銅導線，即厚銅。

相關技術中，可以通過電鍍工藝或磁控濺射工藝製作金屬層。

電鍍工藝存在成本高，污染大，膜質較差等問題。具體問題為：（1）、首先基板在濺射腔室形成種子層，再進入電鍍設備進行鍍膜金屬的沉積，需要將基板分別置於不同的工藝腔室，會導致整體工藝時間增加；（2）、電鍍工藝涉及化學反應，存在危廢，對環境的污染較大；（3）、形成的鍍膜緻密性較差，表面平整性較差，而且由於電鍍是通過電化學反應液相成膜，副產物較多，基板從電鍍設備取出後易氧化，導致鍍層表面較髒。

如第1圖和第2圖所示，磁控濺射工藝形成的金屬層20具有膜層均一性好、緻密性高等優點，但是，因為濺射過程中等離子體能量高，沉積速度快，對採用對溫度敏感材料（例如玻璃）製備的基板11來說，會造成基板11迅速升溫，金屬等離子體與基板11材料熱膨脹係數存在差異，會產生較大的熱應力，熱應力與厚度具有正相關關係，當鍍層金屬應力較大時，容易導致基板11發生翹曲甚至碎裂等不良，因此，通過濺射工藝在基板11上製作具有較大厚度（例如超過2μm）的金屬層20目前存在諸多風險。需要說明的是，翹曲是指材料未按照設計的形狀成形，使得材料形成扭曲的形狀的情況。

第3圖所示，可以通過降低鍍膜的功率來降低鍍層金屬應力（例如避免翹曲量大於2mm），但是這樣會降低成膜效率，進而影響生產效率。

Mini-LED (Mini Light Emitting Diode，迷你發光二極體)又名次毫米發光二極體，是指晶粒尺寸約在80μm~500μm的LED，Mini-LED 晶粒尺寸與像素間距介於傳統小間距LED和Micro LED之間。

對於Mini-LED在背光中的應用，背光包括陣列排列的多個Mini-LED，至少一個Mini-LED作為一個分區，配合LCD（Liquid Crystal Display，液晶顯示器），從而實現更小範圍內的區域調光。對比於傳統的背光設計，其能夠在更小的混光距離內實現更好的亮度均勻性、更高的色彩對比度，進而實現終端產品的超薄、高顯色性及省電的性能。同時由於其設計能夠搭配柔性基板，配合LCD（Liquid Crystal Display，液晶顯示器）的曲面化，能夠在保證畫質的情況下實現類似OLED的曲面顯示。

對於Mini-LED在顯示螢幕的應用，RGB Mini-LED克服正裝晶片的打線及可靠性的缺陷，同時結合COB（Chip On Board，將IC固定於印刷電路板上）封裝的優勢，使顯示螢幕像素間距進一步縮小。對應終端產品的視覺效果大幅提升，同時視距能夠大幅減小。另一方面，RGB Mini-LED搭配柔性基板的使用，也能夠實現曲面的高畫質顯示效果，加上其自發光的特性，具有更廣闊的應用領域，例如，汽車顯示。

對於採用Mini-LED的高分辨產品，Mini-LED為電流型元件，其需要在較大電流下才表現出穩定的光電特性，而利用2μm厚的金屬層20製備導線，仍難以滿足需求。

基於以上內容，本公開提供一種電路板10，如第4圖、第5圖和第6圖所示，電路板10包括襯底1和設置於襯底1一側的應力中性層2。其中，應力中性層2包括：至少一個第一金屬層21和至少一個第二金屬層22，至少一個第二金屬層22與至少一個第一金屬層21層疊設置，且至少一個第一金屬層21的至少一個第一金屬層21的材料為產生拉應力的材料，至少一個第二金屬層22的至少一個第二金屬層22材料為產生壓應力的材料。

示例性的，所述襯底1包括諸如玻璃襯底、石英襯底、藍寶石襯底、陶瓷襯底等中的任一種；或者半導體襯底諸如以矽或碳化矽等為材料的單晶半導體襯底或多晶半導體襯底、矽鍺等的化合物半導體襯底、SOI(Silicon On Insulator；絕緣體上矽)襯底等中的任一種。襯底還可以包括諸如環氧樹脂、三嗪、矽樹脂或聚醯亞胺的有機樹脂材料。在一些示例實施例中，襯底可以是FR4類型印刷電路板(PCB)，或者可以是易於變形的柔性PCB。在一些示例實施例中，襯底可以包括諸如氮化矽、AlN或Al ₂O ₃的陶瓷材料，或者金屬或金屬化合物，或者金屬芯印刷電路板(MCPCB)或金屬覆銅層壓板(MCCL)中的任一種。

需要說明的是，第一金屬層21的材料為產生拉應力的材料，是指第一金屬層21的材料形成膜層後，其產生的翹曲為正值。第二金屬層22的材料為產生壓應力的材料，是指第二金屬層22的材料形成膜層後，其產生的翹曲為負值。第一金屬層21的翹曲為正值，第二金屬層22的翹曲為負值，是指第一金屬層21和第二金屬層22具有向相反的方向產生翹曲的作用力。

示例性的，再次參見第1圖和第2圖，第一金屬層21的材料例如採用銅，則會產生向上的翹曲。如第7圖和第7圖所示，第二金屬層22形成後，產生向下的翹曲，那麼，第2圖所示的結構和第7圖所示的結構即為產生了向相反的方向翹曲的作用力。

示例性的，至少一個第一金屬層21和至少一個第二金屬層22形成應力中性層2，再次參見第4圖和第5圖，至少一個第一金屬層21為一層，至少一個第二金屬層22為一層，應力中性層2是指第二金屬層22產生的壓應力有效地抵消了第一金屬層21產生的拉應力。

例如，第一金屬層21的厚度為3μm，第一金屬層21產生的翹曲為1.3mm，第二金屬層22的厚度為2000埃（Å），第二金屬層22產生的翹曲為-0.65mm，那麼第一金屬層21和第二金屬層22層疊後形成的應力中性層2的翹曲理論值為，第一金屬層21的翹曲和第二金屬層22的翹曲之和，即為1.3mm-0.65mm=0.65mm。襯底1、第一金屬層21、第二金屬層22依次層疊設置的實際測量翹曲為0.63 mm，襯底1、第二金屬層22、第一金屬層21依次層疊設置的實際測量翹曲為0.6mm。實際測量值和理論計算值相差較小。

需要說明的是，如第4圖所示，襯底1、第一金屬層21和第二金屬層22依次層疊設置。如第5圖所示，襯底1、第二金屬層22和第一金屬層21依次層疊設置，此處在遠離襯底1的方向上，對於第二金屬層22和第一金屬層21的層疊設置次序並不設限。

在一些示例中，至少一層第一金屬層包括M層，至少一層第二金屬層包括N層，其中|M-N|≤2；當然，在一些示例中，第一金屬層的層數和第二金屬層的層數可以沒有必然的關係。

在一些示例中，再次參見第6圖，至少一個第一金屬層21為一層，至少一個第二金屬層22為兩層，分別為第二金屬層22a和第二金屬層22b，襯底1、第二金屬層22a、第一金屬層21、第二金屬層22b依次層疊設置。

例如，第一金屬層21的厚度為3μm，第一金屬層21產生的翹曲為1.3mm，每層第二金屬層22的厚度為2000埃（Å），每層第二金屬層22產生的翹曲為-0.65mm，那麼一層第一金屬層21和兩層第二金屬層22層疊後形成的應力中性層2的翹曲為，一層第一金屬層21的翹曲和兩層第二金屬層22的翹曲之和，即理論值為1.3mm-0.65mm-0.65mm =0mm。實際測量翹曲為-0.1 mm，實際測量值和理論計算值相差較小。

本公開通過在襯底1上形成產生拉應力的第一金屬層21和產生壓應力的第二金屬層22，使得第一金屬層21和第二金屬層22產生的翹曲作用力相互中和抵消，例如銅材料產生的應力為拉應力，第二金屬層22產生的應力為壓應力，第二金屬層22可有效地消除銅材料產生的拉應力，形成應力中性層2，可以有效的避免採用磁控濺射工藝形成厚度較大的金屬層20發生翹曲引起襯底1的碎裂等不良。

在一些實施例中，如第9圖~第13圖所示，至少一個第一金屬層21為多層，至少一個第二金屬層22為多層，至少一個第二金屬層22位於兩個第一金屬層21之間，至少一個第一金屬層21位於兩個第二金屬層22之間，即第一金屬層21和第二金屬層22交替設置。

需要說明的是，在至少一個第一金屬層21為多層、至少一個第二金屬層22為多層的情況下，第一金屬層21和第二金屬層22交替設置，是指在遠離襯底1的方向上，依次層疊設置第一金屬層21、第二金屬層22、第一金屬層21、第二金屬層22、第一金屬層21、第二金屬層22等。或者，在遠離襯底1的方向上，依次層疊設置第二金屬層22、第一金屬層21、第二金屬層22、第一金屬層21、第二金屬層22、第一金屬層21等，即單層的第一金屬層21和單層的第二金屬層22交替設置。

或者，第一金屬層21和第二金屬層22交替設置，是指在遠離襯底1的方向上，第一金屬層21、第一金屬層21、第二金屬層22、第一金屬層21、第一金屬層21、第二金屬層22等。或者，在遠離襯底1的方向上，依次層疊設置第二金屬層22、第一金屬層21、第一金屬層21、第二金屬層22、第一金屬層21、第一金屬層21、第二金屬層22、第一金屬層21、第一金屬層21等，即雙層的第一金屬層21和單層的第二金屬層22交替設置。

或者，第一金屬層21和第二金屬層22交替設置，是指在遠離襯底1的方向上，第一金屬層21、第一金屬層21、第二金屬層22、第一金屬層21、第二金屬層22等。或者，在遠離襯底1的方向上，依次層疊設置第二金屬層22、第一金屬層21、第二金屬層22、第一金屬層21、第一金屬層21、第二金屬層22、第一金屬層21、第二金屬層22等，即雙層的第一金屬層21或單層的第一金屬層21與單層的第二金屬層22交替設置。

也就是說，第一金屬層21和第二金屬層22交替設置時，第一金屬層21可以為單層也可以為雙層，此處並不設限，且本公開其他實施例同理。

在一些示例中，如第9圖所示，至少一個第一金屬層21為三層，分別為第一金屬層21a、第一金屬層21b和第一金屬層21c，至少一個第二金屬層22為三層，分別為第二金屬層22a、第二金屬層22b和第二金屬層22c，在遠離襯底1的方向上，第二金屬層22a、第一金屬層21a、第一金屬層21b、第二金屬層22b、第一金屬層21c、第二金屬層22c依次層疊設置。

在一些示例中，如第10a圖所示，至少一個第一金屬層21為兩層，分別為第一金屬層21a和第一金屬層21b，至少一個第二金屬層22為兩層，分別為第二金屬層22a和第二金屬層22b，在遠離襯底1的方向上，第二金屬層22a、第一金屬層21a、第二金屬層22b、第一金屬層21b依次層疊設置。

在一些示例中，如第11圖所示，在至少一個第一金屬層21為兩層、至少一個第二金屬層22為兩層的情況下，在遠離襯底1的方向上，可以為第一金屬層21a、第二金屬層22a、第一金屬層21b、第二金屬層22b依次層疊設置，此處並不設限。

在一些示例中，如第12圖所示，至少一個第一金屬層21為n層，分別為第一金屬層21a、第一金屬層21b…第一金屬層21n，至少一個第二金屬層22為n層，分別為第二金屬層22a、第二金屬層22b…第二金屬層22n，在遠離襯底1的方向上，第二金屬層22a、第一金屬層21a、第二金屬層22b、第一金屬層21b…第二金屬層22n、第一金屬層21n依次層疊設置。其中，n為大於等於1的正整數。

在一些示例中，如第13圖所示，在至少一個第一金屬層21為n層、至少一個第二金屬層22為n層的情況下，在遠離襯底1的方向上，可以為第一金屬層21a、第二金屬層22a、第一金屬層21b、第二金屬層22b…第一金屬層21n、第二金屬層22n依次層疊設置，此處並不設限。

通過將應力中性層2設置多層第一金屬層21和多層第二金屬層22，可以增加第一金屬層21的總體厚度。例如，應力中性層2的第一金屬層21包括兩個相互間隔的層，則第一金屬層21的厚度為兩個層的厚度之和，從而在保證降低翹曲的情況下，增大第一金屬層21的厚度。

示例性的，如第4圖和第5圖所示，應力中性層2包括一層第一金屬層21，第一金屬層21的厚度範圍為1μm~3μm，雖然第一金屬層21不足5μm，但第一金屬層21所在的應力中性層2的翹曲較小，例如如上所述的0.6mm或0.63mm。

示例性的，如第6圖所示，應力中性層2包括一層第一金屬層21，第一金屬層21的厚度範圍為1μm~4μm，其翹曲例如可以為-0.1mm或0.6mm。

示例性的，如第10a圖和第11圖所示，應力中性層2中第一金屬層21包括兩個相互間隔的層，第一金屬層21的厚度為第一金屬層21a和第一金屬層21b之和，形成的第一金屬層21的總體厚度範圍1μm~6μm，其翹曲例如可以為0. 6 mm、0. 65mm或1mm。

示例性的，如第12圖和第13圖所示，應力中性層2中第一金屬層21包括兩個相互間隔的層，第一金屬層21的厚度為第一金屬層21a和第一金屬層21b之和，形成的第一金屬層21的總體厚度範圍1μm~6μm，其翹曲例如可以為0. 6 mm或者0. 65mm。因此，可以在保證翹曲較小的情況下，形成具有較大厚度的第一金屬層21。

在一些示例中，第10b圖為包括兩層第一金屬層21和兩層第二金屬層22的電路板的掃描電子顯微鏡(SEM)圖，可以看出，各膜層各處平整度較佳，在相鄰的第一金屬層21和第二金屬層22的截面以及第二金屬層22和襯底1的截面清晰，無明顯剝離，黏附性較好。

在一些實施中，如第13圖所示，至少一個第一金屬層21中的所有第一金屬層21的厚度d2之和，佔應力中性層2厚度d4的70%~99%。

示例性的，所有第一金屬層21的厚度d2之和，佔應力中性層2厚度d4的70%、75%、80%、86%、95%或99%等，此處並不設限。

在一些實施例中，應力中性層2的翹曲≤1mm。

由具有拉應力的至少一個第一金屬層21和具有壓應力的至少一個第二金屬層22形成應力中性層2，通過控制至少一個第一金屬層21和至少一個第二金屬層22的材料和厚度，可以形成翹曲≤1mm的應力中性層2，可以有效的避免翹曲過大引起的襯底1的碎裂等不良。應力中性層2的至少一個第一金屬層21和至少一個第二金屬層22的材料和厚度具體見下述內容，此處不再贅述。

在一些實施例中，第二金屬層22的材料包括W、WNi、WCu、 WMo、WCr和WAl中的任意一種。

示例性的，第二金屬層22的材料可以選擇W（鎢）或者WNi（鎢鎳合金）、WCu（鎢銅合金）、WMo（鎢鉬合金）、WCr（鎢鉻合金）、WAl（鎢鋁合金）。

示例性的，第二金屬層22的材料採用W時，其厚度與其翹曲的關係如第8圖所示的曲線，可以看出，第二金屬層22的翹曲為負值，且第二金屬層22的翹曲隨著第二金屬層22厚度的增加而下降。

在一些實施例中，第二金屬層22的電阻範圍為1×10 ^-8Ω•m~1×10 ^-5Ω•m。第二金屬層22為導體，當第一金屬層21和第二金屬層22層疊形成走線時，在形成第一金屬層21（銅）和第二金屬層22（鎢）的疊層結構後，疊層結構的電阻小於單獨使用第一金屬層21（銅層）的電阻，其導電性能滿足使用要求。

在一些實施例中，如第13圖所示，第一金屬層21的材料包括銅。

第一金屬層21的材料包括銅，從而形成以銅為材料的導線，向其傳輸電信號，從而滿足Mini-LED電流驅動的要求。

需要說明的是，第一金屬層21中材料為銅的膜層稱為銅層20。

在一些實施例中，如第13圖所示，至少一個第一金屬層21中的至少一個第一金屬層21還包括至少一個緩衝層211。也就是說，至少一個金屬層21包括銅層20和至少一個緩衝層211，所述至少一個緩衝層位於銅層20的至少一側。

示例性的，再次參見第13圖，第一金屬層21包括多層，分別為第一金屬層21a、第一金屬層21b…第一金屬層21n，其中第一金屬層21a為最靠近襯底1的膜層，第一金屬層21a包括銅層20和至少一個緩衝層211，且所包括的緩衝層211為一層，一層緩衝層211與銅層20層疊設置，且緩衝層211可以比銅層20靠近襯底1。第一金屬層21a包括的緩衝層211的數量可以為多層，此處並不設限。

在一些實施例中，緩衝層211的材料包括MoNb、MoNiTi、Ti、Mo和MoTi中的任意一種。

示例性的，緩衝層211的材料可以為MoNb（鉬鎳合金）或者MoNiTi（鉬鎳鈦合金）、Ti（鈦）、Mo（鉬）、MoTi（鉬鈦合金）。

如第13圖所示，通過在銅層20一側設置緩衝層211可以增加第一金屬層21與其相鄰層的黏附力，其相鄰層可以為襯底1，也可以為第二金屬層22。

在一些實施例中，再次參見第13圖，緩衝層211的厚度d1範圍為0埃（Å）~1000 埃（Å）。

某一膜層的厚度是指該膜層在垂直襯底1的第一方向Y上各處尺寸的平均值，上述及下述內容的厚度同理。

需要說明的是，緩衝層211的厚度d1為0埃，即可理解為可以不設置緩衝層211，第一金屬層21僅為銅層。在設置緩衝層211的情況下，示例性的，緩衝層211的厚度為100埃、300埃、600埃、800埃或1000埃等，此處並不設限。

在一些實施例中，再次參見第13圖，每個第一金屬層21的厚度d2範圍為1μm~3μm。每個第二金屬層22的厚度d3範圍為300埃~5000埃。

示例性的，通過磁控濺射工藝形成第一金屬層21。

示例性的，第一金屬層21的厚度d2為1μm、1.5μm、2μm或3μm等，此處並不設限。

示例性的，通過磁控濺射工藝形成第二金屬層22。

示例性的，第二金屬層22的厚度d3為300埃、1000埃、1500埃、3000 埃、3500埃、4000埃或5000埃等，此處並不設限。

在一些實施例中，再次參見第4圖，在第一金屬層21最靠近襯底1的情況下，第一金屬層21包括銅層20和至少一個緩衝層211，且至少一個緩衝層211中的一個比銅層20靠近襯底1。

在一些示例中，如第4圖所示，襯底1、第一金屬層21、第二金屬層22依次設置，此時，第一金屬層21最靠近襯底1設置，第一金屬層21包括銅層20和一層緩衝層211，且緩衝層211比銅層20靠近襯底1，緩衝層211可以增加銅層20和襯底1的黏附力，提高結構穩定性。

在一些示例中，如第11圖所示，襯底1、第一金屬層21a、第二金屬層22a、第一金屬層21b、第二金屬層22b依次層疊設置，如第13圖所示，襯底1、第一金屬層21a、第二金屬層22a、第一金屬層21b、第二金屬層22b…第一金屬層21n、第二金屬層22n依次層疊設置，第一金屬層21a最靠近襯底1設置，那麼，第一金屬層21包括銅層20和緩衝層211，且緩衝層211比銅層20靠近襯底1。對於相對遠離襯底1的第一金屬層21，例如第一金屬層21b，可以包括緩衝層211也可以不包括緩衝層211，此處並不設限。

在一些示例中，如第12圖所示，第二金屬層22a、第一金屬層21a、第二金屬層22b、第一金屬層21b…第二金屬層22n、第一金屬層21n在襯底1上依次層疊設置，由於第二金屬層22a最靠近襯底1，那麼第一金屬層21a可以不設置緩衝層211，不僅可以簡化工藝流程且可以降低工藝成本。

在一些實施例中，襯底1為玻璃襯底，即襯底1為上述的玻璃基板11。

示例性的，玻璃襯底為無鹼玻璃、鹼性玻璃、強化玻璃或鋼化玻璃。玻璃基平坦度好，無需拼接，制程精度高，導熱率高，散熱性強。

在一些實施例中，如第14圖所示，應力中性層2包括經蝕刻形成的多個圖案23，每個圖案23包括各疊層形成的子圖案23’，即每個圖案23包括多個子圖案23’，多個子圖案23’在第一方向Y上堆疊。應力中性層2包括多層第一金屬層21和至少一個第二金屬層22的情況下，每個圖案23中相對遠離襯底1的疊層形成的子圖案23’的坡度角α，小於相對靠近襯底1的疊層形成的子圖案23’的坡度角α，其中，疊層為第一金屬層21、第二金屬層22或相鄰的第二金屬層22和第一金屬層21形成的疊層。

可以理解的是，本公開的實施例中，某個膜層圖案的坡度角，指的是，該膜層圖案在垂直於襯底1所在平面且垂直於該膜層圖案延伸方向的截面中，其側表面與襯底1所在平面的夾角。

在一些示例中，再次參見第14圖，應力中性層2中的第一金屬層21包括兩個相互間隔的層，即，第一金屬層21a和第一金屬層21b，第一金屬層21a和第一金屬層21b之間設置有第二金屬層22，襯底1、第一金屬層21a、第二金屬層22、第一金屬層21b依次層疊設置，第一金屬層21a為一個疊層，第二金屬層22和第一金屬層21b作為一個疊層，這兩個疊層經蝕刻後均形成不同的子圖案23’，分別為第一子圖案231和第二子圖案232，第一子圖案231相比第二子圖案232靠近襯底1，第一子圖案231的坡度角α1大於第二子圖案232的坡度角α2。

需要說明的是，從第14圖中可以看出，第一金屬層21的厚度d2遠大於第二金屬層22的厚度d3，以第二金屬層22和第一金屬層21b為例，在對應力中性層進行蝕刻時，由於第二金屬層22過薄，在蝕刻介面處，位於第二金屬層22遠離襯底1一側的第一金屬層21b，與該第二金屬層22的介面過渡比較平滑，第一金屬層21經蝕刻形成的子圖案的坡度角，與第一金屬層21b和第二金屬層22作為一個整體經蝕刻形成的子圖案的坡度角大致相等，因此，在劃分疊層形成的圖案時，由襯底1指向疊層的第一方向Y上，可以將相鄰依次設置的第二金屬層22和第一金屬層21形成的圖案23視為同一個子圖案23，例如，第二金屬層22和第一金屬層21b形成的子圖案為第二子圖案232。

可以理解的是，也可以將第一金屬層21a、第二金屬層22和第一金屬層21b的疊層經蝕刻後形成的子圖案，對應每一層金屬層視為一個獨立的子圖案，從圖中可以看出，每個圖案23中相對遠離襯底1的疊層形成的子圖案的坡度角α，小於相對靠近襯底1的疊層形成的子圖案的坡度角α。

在應力中性層2的每個圖案23中，各疊層經蝕刻形成子圖案23’，所有子圖案23’中相對遠離襯底1的疊層形成的子圖案23’的坡度角α，小於相對靠近襯底1的疊層形成的子圖案23’的坡度角α，即應力中性層2形成具有梯度的坡度角，不會影響後續無機材料絕緣層（如第一鈍化層51和/或第二鈍化層54），或有機材料絕緣層（如絕緣層52和/或平坦層53）對應力中性層的覆蓋性，且應力中性層2與覆蓋應力中性層2的無機膜層能夠具有較好的附著性。

再次參見第14圖，在應力中性層2採用蝕刻工藝進行圖案化時，其遠離襯底1的一側覆蓋有經曝光後的光刻膠圖案PR作為掩膜，可以看出，光刻膠圖案PR在第二方向X上的邊界超出應力中性層2經蝕刻工藝後在第二方向X上留下的圖案的邊界；也就是說，在蝕刻後，應力中性層2相對光刻膠PR產生一定的縮進量。具體地，光刻膠圖案PR在第二方向X上的邊界超出應力中性層2中相對靠近襯底1的疊層形成的子圖案的最外側邊界長度L ₂，光刻膠圖案PR在第二方向X上的邊界超出應力中性層2中相對遠離襯底1的疊層形成的子圖案的最內側邊界長度L ₁。其中，第二方向X為平行襯底1所在平面且垂直於圖案延伸方向的方向。

示例性的，蝕刻可以為乾蝕刻工藝或者濕蝕刻工藝。

需要說明的是，第14圖僅示出了一種實施例的第一金屬層21和第二金屬層22蝕刻形成圖案23後其邊緣位置的SEM圖，並不代表其他實施例的形貌也是如此，即第14圖並不是對第一金屬層21和第二金屬層22蝕刻後形成圖案23的限制。可以理解的是，通過調整蝕刻液的配方或濃度或蝕刻時間等參數，應力中性層2中在蝕刻後，其具有的多個疊層可以具有相同的坡度角，且多個疊層的側表面基本上處於同一個平面。

此外，可以理解的是，由於應力中性層2中各個第一金屬層21和各個第二金屬層22的材料、厚度、以及與襯底1之間距離的不同，會導致其與蝕刻液的反應速度不盡相同，在一些實施例中，對於應力中性層2中最遠離襯底1的膜層，其可能在蝕刻後會形成屋頂結構（即該膜層在第二方向X上超出其他膜層的一定長度），在這種情況下，可以通過在蝕刻液中增加添加劑來控制屋頂結構的長度，以不超過0.5um為宜。

在一些實施例中，再次參見圖14，經蝕刻形成的多個圖案23中，每個圖案所包括的任意一個子圖案23’的坡度角α的角度範圍為20°~70°。

示例性的，應力中性層2中的子圖案23’的坡度角α的角度為20°、30°、40°、60°或70°等，此處並不設限。

本公開的另一些實施例提供一種發光基板100，如第15圖所示，包括上述的電路板10。發光基板100還包括多個發光元件L。

在一些示例中，再次參見第15圖，在發光基板100中第一金屬層301設置於襯底1的一側，第一金屬層301包括多條第一信號線301a，第一鈍化層51設置於第一金屬層301遠離襯底1的一側，絕緣層52設置於第一金屬層301遠離襯底1的一側，第二金屬層302設置於絕緣層52遠離襯底1的一側，平坦層53設置於第二金屬層302遠離襯底1的一側，第二鈍化層54設置於平坦層53遠離襯底1的一側。

示例性的，多條第一信號線301a包括第一電源線Hm2或第二電源線Hm1。

第二金屬層302包括多個電極墊302b，以及與多個電極墊302b中的至少兩個電極墊連接的第二信號線302a。多個電極墊302b用於與發光元件L和像素驅動晶片M的引腳電連接，具體的，發光元件L的引腳和像素驅動晶片M的引腳通過焊接材料S（例如焊錫、錫銀銅合金、錫銅合金等）與對應的電極墊302b連接。平坦層53包括多個第二過孔a2，多個第二過孔a2貫穿至第二金屬層302。鈍化層54包括多個第三過孔a3，多個第三過孔a3貫穿至平坦層53。其中，一個第三過孔a3和一個第二過孔a2位置對應，形成由第二鈍化層54貫穿至第二金屬層302的電極墊302b的貫穿過孔。

示例性的，發光元件L的引腳通過貫穿平坦層53和第二鈍化層54的貫穿過孔與兩個電極墊302b連接，像素驅動晶片M的引腳通過貫穿平坦層53和第二鈍化層54的過孔與電極墊302b連接，從而發光元件L能夠在像素驅動晶片M的控制下發光。

通過至少一個第一金屬層21和至少一個第二金屬層22形成的應力中性層2作為第一電源線Hm2或第二電源線Hm1，增加了第一電源線Hm2或第二電源線Hm1的厚度，實現低電阻的要求，且有效的避免了翹曲的影響。

示例性的，第一鈍化層51和/或第二鈍化層54的材料包括氮化矽、氧化矽、氮氧化矽中的至少一種，絕緣層52和/或平坦化層53的材料為有機材料，例如樹脂。

在一些實施例中，發光元件L為次毫米發光二極體或者微型發光二極體。

示例性的，發光元件L包括發紅光的發光二極體、發綠光的發光二極體或發藍光的發光二極體。

示例性的，次毫米發光二極體是指晶粒尺寸約在50μm~200μm的LED，微型發光二極體是指晶粒尺寸在50μm以下的LED。

上述發光基板100的有益效果與本公開的第一方面所提供的電路板10的有益效果相同，此處不再贅述。

本公開的一些實施例還提供一種背光模組200，如第16圖所示，背光模組200包括如上所述的發光基板100。

可以理解的是，發光基板100包括多個發光元件L。

上述背光模組200的有益效果與本公開所提供的發光基板100的有益效果相同，此處不再贅述。

本公開的一些實施例還提供一種顯示裝置1000，如第17圖所示，顯示裝置1000包括如上所述的背光模組200，還包括與背光模組200連接的液晶顯示面板300。

可以理解的是，液晶顯示面板300設置於背光模組200的出光側E。

示例性的，再次參見第17圖，顯示裝置1000還包括多個光學膜片301，多個光學膜片301位於背光模組200與液晶顯示面板300之間，用於調節背光模組200的出光。

上述顯示裝置1000的有益效果與本公開所提供的背光模組200的有益效果相同，此處不再贅述。

上述顯示裝置1000可以是顯示不論運動(例如，影片)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是的圖像的任何裝置。更明確地說，預期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關聯，所述多種電子裝置例如(但不限於)行動電話、無線裝置、個人數位助理(PDA)、掌上型或可攜式電腦、GPS接收器/導航器、相機、MP4影片播放機、攝影機、遊戲控制器、手錶、時鐘、計算器、電視顯示器、平板顯示器、電腦顯示器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、導航儀、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中後視相機的顯示器)、電子相片、電子看板或指示牌、投影機、建築結構、包裝和美學結構(例如，對於一件珠寶的圖像的顯示器)等。

本公開的一些實施例還提供一種顯示面板400，如第18圖所示，顯示面板400包括如上所述的發光基板100。

示例性的，將上述發光基板100應用於Mini-LED顯示幕中，可以使顯示螢幕像素間距進一步縮小，對應終端產品的視覺效果大幅提升，同時視距能夠大幅減小。

上述的顯示面板400的有益效果與本公開所提供的發光基板100的有益效果相同，此處不再贅述。

本公開的一些實施例還提供一種顯示裝置2000，如第19圖所示，顯示裝置2000包括如上所述的顯示面板400。

上述顯示裝置2000可以是顯示不論運動(例如，影片)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是的圖像的任何裝置。更明確地說，預期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關聯，所述多種電子裝置例如(但不限於)行動電話、無線裝置、個人數位助理(PDA)、掌上型或可攜式電腦、GPS接收器/導航器、相機、MP4影片播放機、攝影機、遊戲控制器、手錶、時鐘、計算器、電視顯示器、平板顯示器、電腦顯示器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、導航儀、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中後視相機的顯示器)、電子相片、電子看板或指示牌、投影機、建築結構、包裝和美學結構(例如，對於一件珠寶的圖像的顯示器)等。

上述顯示裝置2000的有益效果與本公開的所提供的顯示面板400的有益效果相同，此處不再贅述。

以上所述，僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本公開揭露的技術範圍內，想到變化或替換，都應涵蓋在本公開的保護範圍之內。因此，本公開的保護範圍應以所述申請專利範圍的保護範圍為准。

1:襯底 2:應力中性層 10:電路板 11:基板 20:金屬層 21,21a,21b,21c,21n:第一金屬層 211:緩衝層 22,22a,22b,22c,22n:第二金屬層 23:圖案 23’:子圖案 231:第一子圖案 232:第二子圖案 51:第一鈍化層 52:絕緣層 53:平坦層 54:第二鈍化層 100:發光基板 200:背光模組 300:液晶顯示面板 301:第一金屬層 301a:第一信號線 302:第二金屬層 302a:第二信號線 302b:電極層 400:顯示面板 1000:顯示裝置 2000:顯示裝置 a2:第二過孔 a3:第三過孔 d1:厚度 d2:厚度 d3:厚度 d4:厚度 E:出光側 Hm1:第二電源線 Hm2:第一電源線 L:發光元件 L ₁:長度 L ₂:長度 M:像素驅動晶片 PR:光刻膠圖案 S:焊接材料 X:第二方向 Y:第一方向 α,α1,α2:坡度角

為了更清楚地說明本公開中的技術方案，下面將對本公開一些實施例中所需要使用的圖式作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的圖式僅僅是本公開的一些實施例的圖式，對於本領域普通技術人員來講，還可以根據這些圖式獲得其他的圖式。此外，以下描述中的圖式可以視作示意圖，並非對本公開實施例所涉及的產品的實際尺寸、方法的實際流程、信號的實際時序等的限制。

第1圖為根據一些實施例所提供的電路板的結構圖； 第2圖為本公開根據一些實施例所提供的銅層的應力（翹曲量）隨著厚度的變化曲線圖； 第3圖為本公開根據一些實施例所提供的磁控濺射工藝的鍍膜功率和翹曲量的變化曲線圖； 第4圖為本公開根據一些實施例所提供的電路板的結構圖； 第5圖為本公開根據一些實施例所提供的電路板的另一種結構圖； 第6圖為本公開根據一些實施例所提供的電路板的又一種結構圖； 第7圖為根據一些實施例所提供的第二金屬層的應力結構圖； 第8圖為本公開根據一些實施例所提供的第二金屬層的應力（翹曲量）隨著厚度的變化曲線圖； 第9圖為本公開根據一些實施例所提供的電路板的又一種結構圖； 第10a圖為本公開根據一些實施例所提供的電路板的又一種結構圖； 第10b圖為本公開根據一些實施例所提供的電路板的掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)圖； 第11圖為本公開根據一些實施例所提供的電路板的又一種結構圖； 第12圖為本公開根據一些實施例所提供的電路板的又一種結構圖； 第13圖為本公開根據一些實施例所提供的電路板的又一種結構圖； 第14圖為本公開根據一些實施例所提供的應力中性層經蝕刻形成的多個圖案的掃描電子顯微鏡(SEM)圖； 第15圖為本公開根據一些實施例所提供的發光基板的結構圖； 第16圖為本公開根據一些實施例所提供的背光模組的結構圖； 第17圖為本公開根據一些實施例所提供的顯示裝置的結構圖； 第18圖為本公開根據一些實施例所提供的顯示面板的結構圖； 第19圖為本公開根據一些實施例所提供的顯示裝置的另一種結構圖。

1:襯底

2:應力中性層

10:電路板

20:金屬層

21:第一金屬層

211:緩衝層

22:第二金屬層

Claims (23)

1. 一種電路板，包括： 襯底； 設置於襯底一側的應力中性層； 其中，所述應力中性層包括： 至少一個第一金屬層； 至少一個第二金屬層，與所述至少一個第一金屬層層疊設置；且，所述至少一個第一金屬層的至少一個第一金屬層的材料為產生拉應力的材料，所述至少一個第二金屬層的至少一個第二金屬層的材料為產生壓應力的材料。
2. 如請求項1之電路板，其中，所述至少一個第一金屬層為多層，所述至少一個第二金屬層為多層，所述至少一個第二金屬層位於兩個第一金屬層之間，所述至少一個第一金屬層位於兩個第二金屬層之間。
3. 如請求項1之電路板，其中，所述至少一個第一金屬層中的所有第一金屬層的厚度之和，占所述應力中性層厚度的70%~99%。
4. 如請求項1之電路板，其中，所述應力中性層的翹曲≤1mm。
5. 如請求項1之電路板，其中，所述第二金屬層的材料包括W、WNi、WCu、WMo、WCr和WAl中的任意一種。
6. 如請求項5之電路板，其中，所述第二金屬層的電阻範圍為1×10 ^-8Ω•m~1×10 ^-5Ω•m。
7. 如請求項1之電路板，其中，所述第一金屬層的材料包括銅。
8. 如請求項7之電路板，其中，所述至少一個第一金屬層中的至少一個第一金屬層還包括至少一個緩衝層。
9. 如請求項8之電路板，其中，所述緩衝層的材料包括MoNb、MoNiTi、Ti、Mo和MoTi中的任意一種。
10. 如請求項8之電路板，其中，所述緩衝層的厚度範圍為0~1000埃。
11. 如請求項1之電路板，其中，每個第一金屬層的厚度範圍為1μm ~3μm； 每個第二金屬層的厚度範圍為300埃~5000埃。
12. 如請求項1~11中任一項之電路板，其中，所述至少一個第一金屬層中最靠近所述襯底的第一金屬層，包括銅層和至少一個緩衝層；且所述至少一個緩衝層中的一個比所述銅層靠近所述襯底。
13. 如請求項1~11中任一項之電路板，其中，所述襯底為玻璃襯底。
14. 如請求項1~11中任一項之電路板，其中，所述應力中性層包括經蝕刻形成的多個圖案，所述多個圖案中的每個圖案包括各疊層形成的子圖案；所述應力中性層包括多層第一金屬層和至少一個第二金屬層的情況下，所述圖案中，相對遠離所述襯底的疊層形成的子圖案的坡度角，小於相對靠近所述襯底的疊層形成的子圖案的坡度角；其中，所述疊層為第一金屬層、第二金屬層或相鄰第一金屬層和第二金屬層的組合膜層的任一者。
15. 如請求項14之電路板，其中，所述圖案中任意一個子圖案的坡度角的角度範圍為20°~70°。
16. 一種發光基板，包括如請求項1~15中任一項之電路板，其中，所述應力中性層用於形成走線和/或電極墊。
17. 如請求項16之發光基板，還包括： 多個發光二極體，所述發光二極體包括第一引腳和第二引腳，所述電極墊包括第一電極墊和第二電極墊，所述走線包括第一走線和第二走線； 所述第一走線通過所述第一電極墊與所述發光二極體的第一引腳連接； 所述第二走線通過所述第二電極墊與所述發光二極體的第二引腳連接。
18. 如請求項17之發光基板，其中，所述電極墊的材料還可以為WNi和WCu中的一種。
19. 如請求項17或18之發光基板，其中，所述發光二極體為次毫米發光二極體或者微型發光二極體。
20. 一種背光模組，包括如請求項16~19中任一項之發光基板。
21. 一種顯示裝置，包括如請求項20之背光模組； 還包括與所述背光模組連接的液晶顯示面板。
22. 一種顯示面板，包括如請求項16~19中任一項之發光基板。
23. 一種顯示裝置，包括如請求項22之顯示面板。

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