TW202343813A - 異質基板接合的光學組件及其製造方法 - Google Patents

異質基板接合的光學組件及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202343813A
TW202343813A TW111147432A TW111147432A TW202343813A TW 202343813 A TW202343813 A TW 202343813A TW 111147432 A TW111147432 A TW 111147432A TW 111147432 A TW111147432 A TW 111147432A TW 202343813 A TW202343813 A TW 202343813A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical
optical component
protective layer
layer
wafer
Prior art date
Application number
TW111147432A
Other languages
English (en)
Inventor
周正三
Original Assignee
神盾股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 神盾股份有限公司 filed Critical 神盾股份有限公司
Publication of TW202343813A publication Critical patent/TW202343813A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/483—Details of pulse systems
    • G01S7/486—Receivers
    • G01S7/4868—Controlling received signal intensity or exposure of sensor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4811—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements common to transmitter and receiver
    • G01S7/4813—Housing arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
    • G01S17/10—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of interrupted, pulse-modulated waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4816—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of receivers alone
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/483—Details of pulse systems
    • G01S7/486—Receivers
    • G01S7/4865—Time delay measurement, e.g. time-of-flight measurement, time of arrival measurement or determining the exact position of a peak
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14649—Infrared imagers
    • H01L27/1465—Infrared imagers of the hybrid type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)

Abstract

一種異質基板接合的光學組件至少包含處理晶片、光學晶片及模塑料層。處理晶片包含：處理電路；多個讀取電路，電連接至處理電路；第一保護層，位於處理電路及讀取電路上；及多個第一導電通孔，貫穿第一保護層，且電連接至讀取電路。光學晶片包含：第二保護層，接合於第一保護層上；多個第二導電通孔，貫穿第二保護層，且接合至第一導電通孔；及多個光學像素，分別通過第二導電通孔及第一導電通孔而電連接至讀取電路。模塑料層包圍光學晶片，並且位於第一保護層上。亦揭露上述光學組件的製造方法，以產出適用於高解析度的光學組件。

Description

異質基板接合的光學組件及其製造方法
本發明是有關於一種光學組件及其製造方法，且特別是有關於一種異質基板接合的光學組件及其製造方法。
紅外線(Infrared，IR)又稱紅外光，是一種非可見光範圍內的電磁波，波長範圍從0.76微米(μm)至1,000μm，介於微波與可見光之間，室溫下物體所發出的熱輻射大多也都介於此波段。近年來，紅外線陣列元件對於二維(2D)影像的感測元件可以提供深度感測的輔助資訊，使得2D影像可以被處理成三維(3D)影像或者被附加有深度資訊，藉由發射光源(特別是雷射光源) 接觸到物體的反射光，可以計算發射光源與物體之間的距離。然而，發射光源可能會對人眼造成傷害，因此需要波長大於 1μm，又甚至是大於 1.3μm 的發射光源及感測器，即所謂的對眼睛安全(eye safe)的發射光源。
藉由矽晶圓製造的可見光感測裝置，例如互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS)影像感測器，目前已經發展得相當成熟，其陣列元件的高解析度像素及相關讀取/處理電路的整合，都伴隨著矽晶圓技術(摩爾定律)的發展，而到達了相當成熟的地步，但是受限於矽材料的量子能階，傳統的矽紅外線感測器，其量子效率(Quantum Efficiency，QE)值偏低，無法有效應用於大於1μm波長的紅外線感測。
非矽基材料(例如InGaAs)的能階比矽低，更適合使用於較長波長的紅外線。可以藉由三元素的組成比，調整能階以選擇所要偵測的波長，特別是波長大於1μm，又甚至是大於1.1μm、1.2μm或1.3μm。
然而，紅外線陣列元件(例如8×8，甚至是100×100或者更大的陣列元件)需要複雜的感測像素與讀取/處理電路的整合技術(每一像素具有感光元及對應的讀取電路)，故很難將像素陣列晶片與讀取/處理電路晶片分開製造，再藉由傳統的打線接合起來，其唯一製造方式需要類似矽的CMOS影像感測器般的積體電路整合。但是如前面所述，矽材料不能有效感測波長大於1μm的紅外線，卻能製造複雜的讀取/處理電路，而使用非矽基材料雖然能製造良好的長波長感測器，卻很難將其與讀取/處理電路整合製造出高密度陣列感測元件。
因此，本發明的一個目的是提供一種異質基板接合的光學組件及其製造方法，利用非矽晶圓製造出含有陣列元件的組件，並利用矽晶圓製作出含有讀取處理電路的組件，並將兩組件接合在一起，配合模塑料及後續加工流程，以產出異質基板接合的光學組件，適用於高解析度及長波長的紅外線感測或其他光學處理。
為達上述目的，本發明提供一種異質基板接合的光學組件，至少包含一處理晶片、一個含有非矽基板的光學晶片及一模塑料層。處理晶片包含：一含矽的基板；一處理電路；多個讀取電路，電連接至處理電路；一第一保護層，位於處理電路及此些讀取電路上；以及多個第一導電通孔，貫穿第一保護層，且電連接至此些讀取電路；光學晶片包含：一第二保護層，接合於第一保護層上；多個第二導電通孔，貫穿第二保護層，且接合至此些第一導電通孔；以及多個光學像素，製作於非矽基板中，並分別通過此些第二導電通孔及此些第一導電通孔而電連接至此些讀取電路，此些光學像素與此些讀取電路係為一對一對應，且處理晶片的橫向尺寸係大於光學晶片的橫向尺寸。模塑料層包圍光學晶片，並且位於第一保護層上。模塑料層具有一個與光學晶片的一背面齊平的上表面。
本發明亦提供一種異質基板接合的光學組件的製造方法，至少包含以下步驟：提供多個光學處理結構及一處理晶圓，其中：各光學處理結構包含：一非矽的基板層；多個光學像素，形成於非矽的基板層上；一第二保護層，形成於此些光學像素上；及多個第二導電通孔，貫穿第二保護層，並且分別電連接至此些光學像素；以及處理晶圓具有多個處理晶片，各處理晶片包含：一含矽的基板；一處理電路；多個讀取電路，電連接至處理電路；一第一保護層，位於處理電路及此些讀取電路上；以及多個第一導電通孔，貫穿第一保護層；分別將此些光學處理結構倒置並對準接合至此些處理晶片上，使得此些光學像素分別通過此些第二導電通孔及此些第一導電通孔而電連接至此些讀取電路；於此些光學處理結構與此些處理晶片上形成一模塑料結構層；移除模塑料結構層的一部分以及各光學處理結構的一部分；以及切割模塑料結構層並分開此些處理晶片，以形成多個光學組件。於各光學組件中，此些光學像素與此些讀取電路係為一對一對應，且處理晶片的橫向尺寸係大於初始光學晶片的橫向尺寸。
藉由上述的實施例，可以在矽晶圓上製造出複雜的讀取處理電路，並且使用非矽晶圓製造紅外光感測器，再將感測器與讀取處理電路結合起來，使用晶圓級製程即可大量生產，製造出具有高解析度及低成本的長波長的紅外光感測器或其他光學處理器。
為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
本發明主要是利用非矽晶圓製造出複數個光學晶片，並利用矽晶圓製作出含有讀取及處理電路的複數個處理晶片，依序將非矽晶圓經過切割挑取後的每一光學晶片對準於對應的處理晶片的方式而與矽晶圓接合在一起，因此本發明可以簡單稱為非矽光學晶片在矽晶圓上的接合技術(non-silicon sensing chip on silicon wafer)，可進一步簡稱光學晶片整合於晶圓上(sensing chip on wafer)，當完成光學晶片與具有相對的處理電路的晶圓的接合後，可以更進一步配合模塑料灌注、部分的模塑料研磨，甚至可以包括部分光學晶片的背面的研磨，以形成一偽(pseudo)矽晶圓，其中偽矽晶圓具有一平坦表面，該平坦表面包含裸露的部分光學晶片的背面及圍繞光學晶片四周的模塑料，之後可以將該偽矽晶圓利用類似於傳統矽晶圓的方式做其他後續製程、測試、切割和封裝等加工流程，甚至還可以以晶圓級的製造方式製作出晶圓級的光學組件，例如光感測裝置、光學濾光器、偏振器、曲面光學器件、數位光學器件、繞射式光學元件(Diffraction Optical Element, DOE)、超透鏡(Metalens)等等而產出光學處理結構或光學處理器，當應用於光感測裝置時，除了適用於長波長的紅外線感測以外，也適用任何波長感測，且能提供高解析度的感測效果。值得注意的是，以下所有的結構層，可以包含單一層材料或多層材料所組成的結構層。
圖1顯示依據本發明較佳實施例的光學組件的結構示意圖。如圖1所示，本實施例提供一種異質基板接合的光學組件100，至少包含一處理晶片10、一光學晶片20以及一模塑料層30。
處理晶片10包含一處理電路11、多個讀取電路12(亦可稱讀取像素)、一第一保護層13以及多個第一導電通孔(via)14。處理電路11更包含了介面電路(interface circuit)，藉以與外界電子系統溝通。處理電路11與讀取電路12都是形成於一含矽的基板15中或上的電路，且讀取電路12透過CMOS製程的金屬互連線而電連接至處理電路11，因此也可將處理電路11與此些讀取電路12視為一個讀取處理電路。可以理解的，含矽的基板15可以包含矽基板及其上的金屬層、介電層及保護層。第一保護層13位於處理電路11及多個讀取電路12上。第一導電通孔14貫穿第一保護層13，且電連接至讀取處理電路的此些讀取電路12，可以通過對第一保護層13蝕刻出多個窗口後填入導電材料，譬如是銅、鎢等等的金屬或多晶矽等等的非金屬材料。
光學晶片20包含一第二保護層21、多個第二導電通孔22以及多個光學像素23。光學像素23可以提供的功能包含但不限於收光、發光、濾光、偏振、聚焦、散焦、反射或繞射等等光學處理及其組合。於以下詳述的非限制性的實施例中，光學像素23為感測像素，具有收光功能，用於感測光線而產生電信號，而讀取電路12提供讀取信號，用於讀出感測像素的電信號。第二保護層21位於第一保護層13上。如前面所述，第一保護層13及第二保護層21的材料不限其為單一層材料，其更廣泛的內容包含了一晶圓製程中的所有後段金屬製程中的導體層、介電層以及栓塞金屬材料。第二導電通孔22貫穿第二保護層21，且接合至此些第一導電通孔14，可以採用對齊式的接合以達成電連接。
於本實施例中，光學晶片20更包含一基板24，在此為非矽的基板(或簡稱非矽基板)。於一非限制例中，基板24的材料是III-V族半導體化合物，譬如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)等等，上面形成的光學像素23的部分材料譬如是砷化銦鎵(InGaAs)、砷化鋁鎵(InAlAs)等等。製作於基板24中的光學像素23分別通過此些第二導電通孔22及此些第一導電通孔14而電連接至此些讀取電路12。此些光學像素23用於感測大於1微米(甚至是1.3微米)的紅外線，而產生對應的電信號。讀取電路12讀取此電信號，並對讀取的電信號傳送至處理電路11進行影像信號處理。於一例子中，第一保護層13的最表面(最外表面)為氧化矽材料，而第二保護層21的最表面也是相同的氧化矽材料，其他材料例如氮化矽或金屬氧化物等等。因此在晶圓級的製程中，採用一種混合式接合(Hybrid bonding)的方式，使得氧化矽對氧化矽接合，並使得導電通孔對導電通孔(Via-To-Via, VTV)接合。氧化矽對氧化矽接合在此係為一種熔融接合(fusion bonding)技術，藉由處理氧化矽表面成具有氫鍵的極性表面，可以藉此將兩個表面鍵結接合，並由高溫處理後形成高強度氧化物的鍵結層。VTV接合在此係為金屬原子擴散接合(diffusion bonding)，在高溫過程中，乾淨的金屬表面接觸，金屬原子相互擴散而形成鍵結。因此，混合式接合使得第一保護層13接合至第二保護層21，且使得此些第一導電通孔14接合至此些第二導電通孔22，進而在接合介面可以達到第一導電通孔14對應地電連接至第二導電通孔22，相鄰的第一導電通孔14彼此絕緣、以及相鄰的第二導電通孔22彼此絕緣的效果，也可以使第一導電通孔14與第二導電通孔22的導電介面和第一保護層13與第二保護層21的絕緣介面位於同一平面上。
模塑料層30包圍光學晶片20，並且位於第一保護層13上，可以穩固地固定光學晶片20及處理晶片10。由於是採用晶圓級製程，所以模塑料層30為利用晶圓級封裝切割後所形成的具有切痕的模塑料結構，且最後進行切割後，模塑料層30的鉛直邊界36與處理晶片10的鉛直邊界16對齊。可以理解的，本發明當然不限定於此，但是其基本架構為處理晶片的橫向尺寸大於光學晶片的橫向尺寸。一種實施例中，模塑料層30具有阻斷紅外線波長的特性，也就是不穿透的特性，特別是波長範圍≤20μm，≤12μm或者是≤5μm，避免雜散光從模塑料層30耦合進入光學像素23。
由於本技術係為光學像素對讀取像素(電路)的一對一對應接合，因此導電通孔的面積是越小越好，所以各第一導電通孔14的橫向尺寸小於或等於1微米，而各光學像素23的橫向尺寸係小於或等於10微米，甚至是8、6、5微米。於本例子中，第一導電通孔14的橫向尺寸等於第二導電通孔22的橫向尺寸，當然為了避免對準時的誤差，也可以設計成一個較大而另一個較小的不同橫向尺寸。
於本實施例中，模塑料層30包圍基板24，並且具有一個與光學晶片20(或基板24)的一背面29齊平的上表面39。基板24為製作第二導電通孔22與光學像素23所需要的基板的局部被移除後所剩下的結構，說明於後，基板24可以讓長波長的紅外光穿透，這是利用矽基板無法達成的特性，因此基板24也是本發明光學組件的一個重要部分，可以讓入射的紅外光穿透直達光學像素23。此外，光學組件100可以更包含一光學結構40，位於光學晶片20的背面29。光學結構40、或者光學結構40與基板24兩者的組合包含但不限於準直器、微透鏡、濾光器、局部阻光層等光學元件或其組合，且這些光學元件與光學像素23可以是一對一、一對多或多對多的對應關係。
圖2顯示圖1的變化例的光學組件的結構示意圖。如圖2所示，本例類似於圖1，與圖1相同的元件符號可以參酌圖1，圖2與圖1的差異在於圖2完全去除光學像素23背面的基板24(圖1)，具有降低光學組件100的厚度的效果，也可提高光學像素的感度。於此情況下，可選的光學結構40位於光學像素23上，且模塑料層30的上表面39與光學像素23的背面23A和光學晶片20的背面29位於同一平面或同一高度上。
圖3至圖8顯示圖1的光學組件100的製造方法的各步驟的結構示意圖。光學組件的製造方法包含以下步驟。首先，如圖3與圖4所示，首先，提供一處理晶圓10'及多個初始光學晶片20'。如圖3所示，多個初始光學晶片20'原本可以形成於一體，譬如是形成於一個非矽的晶圓20"中，可以利用化學機械研磨、拋光來將背面平坦化，再沿著切割線D1進行切割以獲得多個初始光學晶片20'。各初始光學晶片20'包含一基板層24'(非矽的基板層)、多個光學像素23、一第二保護層21及多個第二導電通孔22。此些光學像素23形成於基板層24'中，於光感測的應用中，基板層24'可以讓光(譬如長波長的紅外光)穿透，而對應的圖1的基板24為透紅外光基板。第二保護層21形成於此些光學像素23上。此些第二導電通孔22貫穿第二保護層21，並且分別電連接至此些光學像素23。
如圖4所示，處理晶圓10'具有多個處理晶片10。各處理晶片10包含：一處理電路11、多個讀取電路12、一第一保護層13以及多個第一導電通孔14。此些讀取電路12電連接至處理電路11。第一保護層13位於處理電路11及此些讀取電路12上。此些第一導電通孔14貫穿第一保護層13。為了提供平坦表面，可以利用化學機械研磨、拋光來將處理晶圓10'的背面平坦化。可以理解的，可以使用一種含矽的晶圓15'進行矽晶圓的處理製程，以形成上述的結構。此外，含矽的晶圓15'的主體為矽晶圓，可包含其他的保護層、氧化層或線路層，但也可不含有其他的保護層或氧化層。
然後，如圖5所示，使用光學晶片與矽晶圓接合(定義為異質基板接合)的方式，分別將此些初始光學晶片20'倒置並對準接合至此些處理晶片10上，使得此些光學像素23分別通過此些第二導電通孔22及此些第一導電通孔14而電連接至此些讀取電路12。於本例中，初始光學晶片20'的橫向尺寸小於處理晶片10的橫向尺寸，所以相鄰的初始光學晶片20'之間會有間隙。於一例中，使用混合式接合的方式，使得第一保護層13熔融接合至第二保護層21，且此些第一導電通孔14擴散接合(直接金屬-金屬(譬如銅-銅或鎢-鎢)擴散接合)至此些第二導電通孔22。於其他例中，第一導電通孔14與第二導電通孔22之間的接合介面可以是焊料(solder)接合介面。
接著，如圖6所示，利用模塑料於此些初始光學晶片20'與此些處理晶片10上形成一模塑料結構層30'，使得模塑料覆蓋此些初始光學晶片20'與此些處理晶片10。於一例中，使用壓縮包覆成型(Compressive Overmolding)完成上述動作。藉此，可以讓初始光學晶片20'與處理晶片10受到良好的固定，以利後續的研磨、拋光程序的進行。
然後，如圖7所示，移除模塑料結構層30'的一部分以及各初始光學晶片20'的一部分，此時圖7的整體結構為上述的偽矽晶圓。於本實施例中，是藉由研磨及拋光製程以移除各基板層24'的一部分，以留下一基板24，其中基板24被模塑料結構層30'包圍固定住。因為InP基板具有大的能階，所以波長大於1微米的紅外光可以穿透InP基板，正好符合本案的透光需求。此外，由於使用研磨及拋光製程，使得圖7的組合結構可以具有平坦的上表面，接著可將圖7的組合結構當作一般矽晶圓來進行後續處理，譬如鍍膜、蝕刻、沈積、曝光、顯影等等。可以理解的，處理電路11對外界的電連接方式，可以採用各種矽晶圓的電連接方式。於一例中，可採用位於含矽的晶圓15'的上表面的連接墊(未顯示)，連接墊被模塑料結構層30'覆蓋後，可以用雷射開口技術來使連接墊露出。於另一例中，可採用位於含矽的晶圓15'的下表面的連接墊(例如利用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via, TSV)的技術，圖中未顯示)。
接著，如圖8所示，可選的，可以更使用矽晶圓處理製程來製造出包含濾光器、準直器、遮光層及/或微透鏡，以形成一光學結構40於各基板24上。接著，沿著切割線D2切割模塑料結構層30'並分開此些處理晶片10，以形成多個光學組件100(參見圖1)。如圖8與圖1所示，圖8的模塑料結構層30'被切割後變成圖1的模塑料層30。值得注意的是，光學結構40不必然只形成於基板24的區域，有時因為製程與結構的關係，光學結構40也可以部分形成於模塑料層30的區域，也就是光學結構40也可以部分位於模塑料層30上，此配置同樣適用於圖2的實施例。
圖9與圖10顯示圖7與圖8的變化例的結構示意圖。如圖9所示，移除模塑料結構層30'的一部分以及各基板層24'的幾乎全部使得光學像素23露出。如圖10所示，形成多個光學結構40於此些光學像素23上，然後沿著切割線D2切割模塑料結構層30'並分開此些處理晶片10，藉此形成多個光學組件100(參見圖2)。
雖然上述實施例是以用於感測長波長紅外光的感測像素的出發點完成本發明，但是本發明的主要技術特徵仍可應用於其他例子中，其中，讀取電路提供控制信號以控制光學像素進行發光、濾光、偏振、聚焦、散焦、反射及繞射等等的單一或多重光學處理。
藉由上述實施例的異質基板接合的光學組件及其製造方法，可以使用成熟的技術，在矽晶圓上製造出複雜的讀取處理電路，並且使用非矽晶圓製造良好的光學晶片，再將光學晶片與讀取處理電路結合起來，使用晶圓級製程即可大量生產，製造出具有高解析度及低成本的光感測器或其他光學處理器。
值得注意的是，上述所有實施例，都可以適當的交互組合、替換或修改，以提供多樣化的功能，滿足多樣化的需求。
在較佳實施例的詳細說明中所提出的具體實施例僅用以方便說明本發明的技術內容，而非將本發明狹義地限制於上述實施例，在不超出本發明的精神及申請專利範圍的情況下，所做的種種變化實施，皆屬於本發明的範圍。
D1:切割線 D2:切割線 10:處理晶片 10':處理晶圓 11:處理電路 12:讀取電路 13:第一保護層 14:第一導電通孔 15:含矽的基板 15':含矽的晶圓 16:鉛直邊界 20:光學晶片 20':初始光學晶片 20":非矽的晶圓 21:第二保護層 22:第二導電通孔 23:光學像素 23A:背面 24:基板 24':基板層 29:背面 30:模塑料層 30':模塑料結構層 36:鉛直邊界 39:上表面 40:光學結構 100:光學組件
［圖1］顯示依據本發明較佳實施例的光學組件的結構示意圖。 ［圖2］顯示［圖1］的變化例的光學組件的結構示意圖。 ［圖3］至［圖8］顯示［圖1］的光學組件的製造方法的各步驟的結構示意圖。 ［圖9］與［圖10］顯示［圖7］與［圖8］的變化例的結構示意圖。
10:處理晶片
11:處理電路
12:讀取電路
13:第一保護層
14:第一導電通孔
15:含矽的基板
16:鉛直邊界
20:光學晶片
21:第二保護層
22:第二導電通孔
23:光學像素
24:基板
29:背面
30:模塑料層
36:鉛直邊界
39:上表面
40:光學結構
100:光學組件

Claims (30)

  1. 一種異質基板接合的光學組件，至少包含： 一處理晶片，包含：一含矽的基板；一處理電路；多個讀取電路，電連接至該處理電路；一第一保護層，位於該處理電路及該等讀取電路上；以及多個第一導電通孔，貫穿該第一保護層，且電連接至該等讀取電路； 一個含有非矽基板的光學晶片，包含：一第二保護層，接合於該第一保護層上；多個第二導電通孔，貫穿該第二保護層，且接合至該等第一導電通孔；以及多個光學像素，製作於該非矽基板中，並分別通過該等第二導電通孔及該等第一導電通孔而電連接至該等讀取電路，其中該等光學像素與該等讀取電路係為一對一對應，且該處理晶片的橫向尺寸係大於該光學晶片的橫向尺寸；以及 一模塑料層，包圍該光學晶片，並且位於該第一保護層上，其中該模塑料層具有一個與該光學晶片的一背面齊平的上表面。
  2. 如請求項1所述的光學組件，其中該第一保護層熔融接合至該第二保護層，且該等第一導電通孔擴散接合至該等第二導電通孔。
  3. 如請求項1所述的光學組件，其中該模塑料層的鉛直邊界與該處理晶片的鉛直邊界對齊。
  4. 如請求項1所述的光學組件，其中該模塑料層為利用晶圓級封裝切割後所形成的具有切痕的模塑料結構。
  5. 如請求項1所述的光學組件，其中各該光學像素的橫向尺寸小於或等於10微米。
  6. 如請求項1所述的光學組件，其中各該第一導電通孔的橫向尺寸小於或等於1微米。
  7. 如請求項1所述的光學組件，更包含一光學結構，位於該光學晶片的該背面。
  8. 如請求項7所述的光學組件，其中該光學結構包含選自於由準直器、微透鏡、濾光器及局部阻光層所組成的群組。
  9. 如請求項7所述的光學組件，其中該光學結構的一部分更位於該模塑料層上。
  10. 如請求項1所述的光學組件，其中該等光學像素用於感測波長大於1微米的紅外線。
  11. 如請求項1所述的光學組件，其中該等光學像素用於感測波長大於1.3微米的紅外線。
  12. 如請求項1所述的光學組件，其中入射的紅外光穿透該非矽基板而直達該等光學像素。
  13. 如請求項1所述的光學組件，為選自於一光感測裝置、一光學濾光器、一偏振器、一曲面光學器件、一數位光學器件、一繞射式光學元件及一超透鏡所組成的群組。
  14. 如請求項1所述的光學組件，其中該第一保護層的最表面為氧化矽材料。
  15. 如請求項1所述的光學組件，其中各該光學像素的橫向尺寸小於或等於8微米。
  16. 如請求項1所述的光學組件，其中各該光學像素的橫向尺寸小於或等於6微米。
  17. 如請求項1所述的光學組件，其中各該光學像素的橫向尺寸小於或等於5微米。
  18. 如請求項1所述的光學組件，其中各該第一導電通孔的橫向尺寸等於各該第二導電通孔的橫向尺寸。
  19. 如請求項1所述的光學組件，其中各該第一導電通孔的橫向尺寸不同於各該第二導電通孔的橫向尺寸。
  20. 如請求項1所述的光學組件，更包含一光學結構，位於該等光學像素上或上方，其中該光學結構的多個光學元件和該等光學像素是一對一、一對多或多對多的對應關係。
  21. 如請求項1所述的光學組件，其中該模塑料層的該上表面與該等光學像素的多個背面位於同一平面。
  22. 如請求項1所述的光學組件，其中該模塑料層具有阻斷紅外線波長的特性。
  23. 如請求項22所述的光學組件，其中該紅外線波長小於或等於20μm。
  24. 一種異質基板接合的光學組件的製造方法，至少包含以下步驟： (a)提供多個初始光學晶片及一處理晶圓，其中： 各該初始光學晶片包含：一非矽的基板層；多個光學像素，形成於該非矽的基板層上；一第二保護層，形成於該等光學像素上；及多個第二導電通孔，貫穿該第二保護層，並且分別電連接至該等光學像素；以及 該處理晶圓具有多個處理晶片，各該處理晶片包含：一含矽的基板；一處理電路；多個讀取電路，電連接至該處理電路；一第一保護層，位於該處理電路及該等讀取電路上；以及多個第一導電通孔，貫穿該第一保護層； (b) 分別將該等初始光學晶片倒置並對準接合至該等處理晶片上，使得該等光學像素分別通過該等第二導電通孔及該等第一導電通孔而電連接至該等讀取電路； (c) 於該等初始光學晶片與該等處理晶片上形成一模塑料結構層； (d) 移除該模塑料結構層的一部分以及各該初始光學晶片的一部分；以及 (e) 切割該模塑料結構層並分開該等處理晶片，以形成多個光學組件，其中於各該光學組件中，該等光學像素與該等讀取電路係為一對一對應，且該處理晶片的橫向尺寸係大於該初始光學晶片的橫向尺寸。
  25. 如請求項24所述的光學組件的製造方法，其中於該步驟(d)中，是移除各該非矽的基板層的一部分，以留下一非矽基板。
  26. 如請求項25所述的光學組件的製造方法，其中於該步驟(d)中，更包含：形成一光學結構於各該非矽基板上。
  27. 如請求項24所述的光學組件的製造方法，其中於該步驟(d)中，是移除各該非矽基板層使得該等光學像素露出。
  28. 如請求項27所述的光學組件的製造方法，其中於該步驟(d)中，更包含：形成多個光學結構於該等光學像素上。
  29. 如請求項24所述的光學組件的製造方法，其中於該步驟(b)中，該第一保護層熔融接合至該第二保護層，且該等第一導電通孔擴散接合至該等第二導電通孔。
  30. 如請求項24所述的光學組件的製造方法，其中各該光學組件為選自於一光感測裝置、一光學濾光器、一偏振器、一曲面光學器件、一數位光學器件、一繞射式光學元件及一超透鏡所組成的群組。
TW111147432A 2022-04-19 2022-12-09 異質基板接合的光學組件及其製造方法 TW202343813A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202263332280P 2022-04-19 2022-04-19
US63/332,280 2022-04-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202343813A true TW202343813A (zh) 2023-11-01

Family

ID=85049703

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111213653U TWM639036U (zh) 2022-04-19 2022-12-09 異質基板接合的光學組件
TW111147432A TW202343813A (zh) 2022-04-19 2022-12-09 異質基板接合的光學組件及其製造方法
TW111150469A TW202343026A (zh) 2022-04-19 2022-12-28 Tof光學感測模組

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111213653U TWM639036U (zh) 2022-04-19 2022-12-09 異質基板接合的光學組件

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111150469A TW202343026A (zh) 2022-04-19 2022-12-28 Tof光學感測模組

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20230333222A1 (zh)
CN (3) CN115685230A (zh)
TW (3) TWM639036U (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
CN115685230A (zh) 2023-02-03
CN115763512A (zh) 2023-03-07
US20230333222A1 (en) 2023-10-19
TW202343026A (zh) 2023-11-01
TWM639036U (zh) 2023-03-21
CN218996718U (zh) 2023-05-09
US20230395632A1 (en) 2023-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI685957B (zh) 影像感測裝置、其形成方法及影像感測系統
US8502335B2 (en) CMOS image sensor big via bonding pad application for AlCu Process
TW201910832A (zh) 晶圓級接合主動式光子中介層及其製造方法
KR102456271B1 (ko) 후면 정렬 마크가 있는 bsi 칩
US11563048B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4693827B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
CN105023928A (zh) 形成具有嵌入的滤色器的背照式图像传感器的方法和装置
CN102867832A (zh) 具有接合焊盘结构的背照式传感器及其制造方法
CN104779243A (zh) 3dic密封环结构及其形成方法
US10263030B2 (en) Die stacked image sensors and related methods
KR101763017B1 (ko) 반도체 구조체 및 그 제조 방법
US9667900B2 (en) Three dimensional system-on-chip image sensor package
CN113960715B (zh) 封装结构的制作方法及封装结构
CN104620385B (zh) 半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置
US9018645B2 (en) Optoelectronics assembly and method of making optoelectronics assembly
JP2010245121A (ja) 半導体装置
TW202343813A (zh) 異質基板接合的光學組件及其製造方法
US20220384509A1 (en) Low-Refractivity Grid Structure and Method Forming Same
US11817472B2 (en) Anchor structures and methods for uniform wafer planarization and bonding
JP2018133392A (ja) 光電変換装置
CN217158211U (zh) 一种基于锗p-i-n光电二极管的图像传感器
KR101310742B1 (ko) 배면 조사형 이미지 센서 및 그 제조방법
US20220415960A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
KR20170129554A (ko) 초박형 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈
KR20100080224A (ko) 후면 수광 이미지센서의 제조방법