TW202342672A - 半導體用接著膜、切割晶粒接合一體型膜及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

半導體用接著膜、切割晶粒接合一體型膜及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

揭示一種半導體用接著膜。該半導體用接著膜含有熱固性成分、彈性體及無機填料。彈性體含有具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂。

Description

半導體用接著膜、切割晶粒接合一體型膜及半導體裝置之製造方法
本揭示係有關一種半導體用接著膜、切割晶粒接合一體型膜及半導體裝置之製造方法。
已普及藉由積層為多層而成之半導體晶片實現高容量化之層疊式MCP（Multi Chip Package：多晶片封裝）。作為層疊式MCP的例子，可舉出導線（wire）埋入型及晶片埋入型的半導體封裝。導線被接著膜埋入之半導體封裝的結構有時被稱為FOW（Film Over Wire：覆線膜）。半導體晶片被接著膜埋入之半導體封裝的結構有時被稱為FOD（Film Over Die：覆晶膜）。作為採用FOD之半導體封裝的一例，有具有配置於最下層之控制器晶片和將其埋入之接著膜之半導體封裝（參閱專利文獻1）。在具有FOD或FOW的結構之半導體封裝的製造中，要求藉由半導體晶片或導線被接著膜充分地埋入。
近年來，伴隨高集積化，配線的線/空間的間隙變窄，要求這樣的接著膜的耐HAST（Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test：高加速溫度和濕度應力測試）性良好。作為提高接著膜的耐HAST性之方法，例如提出了使用來自於丙烯腈之結構單元的比例低的丙烯酸樹脂之方法（參閱專利文獻2）。
[專利文獻1]日本特開2014-175459號公報 [專利文獻2]國際公開第2020/067186號
然而，在以往的方法中，雖然耐HAST性提高，但有時接著力降低。因此，要求接著膜能夠兼具耐HAST性及接著力。
因此，本揭示的主要目的為提供一種耐HAST性優異，並且具有高接著力之半導體用接著膜。
依據本發明人等的研究，發現藉由使用具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂作為彈性體，能夠兼顧半導體用接著膜的耐HAST性及接著力，從而完成了本揭示的發明。
本揭示的一方面係有關一種半導體用接著膜。該半導體用接著膜（以下，有時簡稱為“接著膜”。）含有熱固性成分、彈性體及無機填料。彈性體含有具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂。
接著膜的一態樣可以具有60～150μm的厚度。在該情況下，接著膜可以為用於在埋入其他半導體晶片的同時將半導體晶片接著於基板上之FOD用接著膜。
接著膜的另一態樣可以具有25～80μm的厚度。在該情況下，接著膜可以為用於在埋入與其他半導體晶片連接之導線的一部分或整體的同時接著於其他半導體晶片上之FOW用接著膜。
彈性體還可以含有不具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂。不具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂的重量平均分子量可以為50萬以上。
以接著膜總量為基準，彈性體的含量可以為10～60質量%。
相對於熱固性成分100質量份，無機填料的含量可以為30～250質量份。
本揭示的另一方面係有關一種切割晶粒接合一體型膜。該切割晶粒接合一體型膜具備切割膜及設置於切割膜上之上述接著膜。
本揭示的另一方面係有關一種半導體裝置之製造方法。半導體裝置之製造方法的一態樣包括藉由上述接著膜將第二半導體晶片接著於搭載有第一半導體晶片之基板上之步驟。在該情況下，第一半導體晶片被接著膜埋入。
半導體裝置之製造方法的另一態樣包括藉由上述接著膜將第二半導體晶片接著於第一半導體晶片上之步驟。在該情況下，導線的一部分或整體被接著膜埋入。
在半導體裝置之製造方法的一態樣或另一態樣中，第一半導體晶片可以為控制器晶片。
本揭示包括[1]至[12]。 [1]一種半導體用接著膜，其含有熱固性成分、彈性體及無機填料， 前述彈性體含有具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂。 [2]如[1]所述之半導體用接著膜，其具有60～150μm的厚度。 [3]如[1]或[2]所述之半導體用接著膜，其用於在埋入其他半導體晶片的同時將半導體晶片接著於基板上。 [4]如[1]所述之半導體用接著膜，其具有25～80μm的厚度。 [5]如[1]或[4]所述之半導體用接著膜，其用於在埋入與其他半導體晶片連接之導線的一部分或整體的同時將半導體晶片接著於前述其他半導體晶片上。 [6]如[1]至[5]之任一項所述之半導體用接著膜，其中 前述彈性體還含有不具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂， 前述不具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂的重量平均分子量為50萬以上。 [7]如[1]至[6]之任一項所述之半導體用接著膜，其中 以半導體用接著膜總量為基準，前述彈性體的含量為10～60質量%。 [8]如[1]至[7]之任一項所述之半導體用接著膜，其中 相對於前述熱固性成分100質量份，前述無機填料的含量為30～250質量份。 [9]一種切割晶粒接合一體型膜，其具備： 切割膜；及 設置於前述切割膜上之[1]至[8]之任一項所述之半導體用接著膜。 [10]一種半導體裝置之製造方法，其包括藉由[1]或[2]所述之半導體用接著膜將第二半導體晶片接著於搭載有第一半導體晶片之基板上之步驟， 前述第一半導體晶片被前述接著膜埋入。 [11]一種半導體裝置之製造方法，其包括藉由[1]或[4]所述之半導體用接著膜將第二半導體晶片接著於第一半導體晶片上之步驟， 導線與前述第一半導體晶片連接， 前述導線的一部分或整體被前述接著膜埋入。 [12]如[10]或[11]所述之半導體裝置之製造方法，其中 前述第一半導體晶片為控制器晶片。 [發明效果]
依據本揭示，提供一種耐HAST性優異，並且具有高接著力之半導體用接著膜。又，依據本揭示，提供一種具備這樣的半導體用接著膜之切割晶粒接合一體型膜。進而，依據本揭示，提供一種使用該等半導體用接著膜或切割晶粒接合一體型膜之半導體裝置之製造方法。
本揭示並不限定於以下例子。在以下的例子中，除了特別明示之情況以外，其構成要素（亦包括步驟等）不是必須的。各圖中的構成要素的大小為概念性的大小，構成要素之間的大小的相對關係並不限定於各圖所示之關係。以下例示之數值及其範圍亦不限制本揭示。
在本說明書中，使用“～”表示之數值範圍表示將記載於“～”前後之數值分別作為最小值及最大值包含之範圍。在本說明書中階段性地記載之數值範圍內，一個數值範圍所記載之上限值或下限值亦可以替換成其他階段性地記載之數值範圍的上限值或下限值。在本說明書中記載之數值範圍內，該數值範圍的上限值或下限值亦可以替換成實施例中所示之值。
在本說明書中，（甲基）丙烯酸酯係指丙烯酸酯或與其對應之甲基丙烯酸酯。關於（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯醯基、（甲基）丙烯酸共聚物等其他類似表述亦相同。
只要沒有特別說明，以下例示之材料可以單獨使用一種，亦可以組合兩種以上來使用。在組成物中存在複數個符合各成分之物質之情況下，只要沒有特別說明，組成物中的各成分的含量係指組成物中存在之該複數個物質的合計量。
[半導體用接著膜（接著膜）] 圖1係表示接著膜的一實施形態之示意剖面圖。圖1所示之接著膜10含有熱固性成分（以下，有時稱為“（A）成分”。）、彈性體（以下，有時稱為“（B）成分”。）及無機填料（以下，有時稱為“（C）成分”。）。除了（A）成分、（B）成分及（C）成分以外，接著膜10亦可以含有固化促進劑（以下，有時稱為“（D）成分”。）、偶合劑（以下，有時稱為“（E）成分”。）及其他成分等。接著膜10可以為由含有（A）成分、（B）成分、（C）成分等之熱固性接著劑形成之膜。接著膜10可以為半固化（B階段）狀態。接著膜10在固化處理後能夠成為固化（C階段）狀態。
（A）成分：熱固性成分 （A）成分可以含有作為具有藉由熱固化反應形成交聯結構之官能基之化合物之（A1）熱固性樹脂，亦可以進一步含有與熱固性樹脂反應之（A2）固化劑。就接著性的觀點而言，熱固性樹脂可以含有作為具有環氧基之化合物之環氧樹脂。在該情況下，固化劑可以含有作為具有酚性羥基之化合物之酚醛樹脂。
作為用作熱固性樹脂之環氧樹脂，例如可舉出雙酚A型環氧樹脂；雙酚F型環氧樹脂；雙酚S型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂；甲酚酚醛清漆型環氧樹脂；雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂；雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂；茋型環氧樹脂；三𠯤骨架含有環氧樹脂；茀骨架含有環氧樹脂；三酚甲烷型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂；伸茬基（xylylene）型環氧樹脂；聯苯芳烷基（biphenyl aralkyl）型環氧樹脂；萘型環氧樹脂；多官能酚類；蒽等多環芳香族類的二環氧丙基醚化合物等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。該等之中，就膜的黏性、柔軟性等的觀點而言，環氧樹脂亦可以含有甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂或它們的組合。
環氧樹脂可以含有在30℃時為液體之液狀環氧樹脂（軟化點為40℃以下之環氧樹脂）。亦即，環氧樹脂可以為液狀環氧樹脂和在30℃時為固體之固體狀環氧樹脂（軟化點超過40℃之環氧樹脂）的組合。另外，在本說明書中，軟化點係指按照JIS K7234，藉由環球法測量之值。以接著膜總量為基準，液狀環氧樹脂的含量可以為3～15質量%。藉由熱固性樹脂含有液狀環氧樹脂，具有接著膜的柔軟性提高之傾向。又，藉由組合液狀環氧樹脂和固體狀環氧樹脂，具有半導體晶片及導線的埋入性提高之傾向。
作為液狀環氧樹脂的市售品，例如可舉出EXA-830CRP（商品名，DIC Corporation製造，在30℃時為液體）、YDF-8170C（商品名，NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd.製造，在30℃時為液體）、EP-4088S（商品名，ADEKA CORPORATION製造，在30℃時為液體）等。
環氧樹脂的環氧當量沒有特別限制，可以為90～300g/eq或110～290g/eq。當環氧樹脂的環氧當量在這樣的範圍內時，具有維持接著膜的體積強度，並且容易確保形成接著膜時的熱固性接著劑的流動性之傾向。
作為用作固化劑之酚醛樹脂，例如可舉出將苯酚、甲酚、間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F、苯基苯酚、胺基苯酚等酚及/或α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚與甲醛等具有醛基之化合物在酸性觸媒下進行縮合或共縮合而得到之酚醛清漆型酚醛樹脂、由烯丙基化雙酚A、烯丙基化雙酚F、烯丙基化萘二醇、苯酚酚醛清漆、苯酚等酚類及/或萘酚類與二甲氧基對二甲苯或雙（甲氧基甲基）聯苯合成之苯酚芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。酚醛樹脂可以含有苯基芳烷基型酚醛樹脂、苯酚酚醛清漆樹脂或它們的組合。
酚醛樹脂的羥基當量亦可以為70g/eq以上、或70～300g/eq。當酚醛樹脂的羥基當量為70g/eq以上時，具有接著膜的儲存彈性模數進一步增大之傾向。當酚醛樹脂的羥基當量為300g/eq以下時，能夠進一步抑制發泡及除氣的產生。
作為酚醛樹脂的市販品，例如可舉出PSM-4326（商品名，Gunei Chemical Industry Co., Ltd.製造，軟化點：120℃）、J-DPP-140（商品名，JFE Chemical Corporation製造，軟化點：140℃）、GPH-103（商品名，Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造，軟化點：99～106℃）、MEH-7800M（商品名，MEIWA PLASTIC INDUSTRIES,LTD.製造，軟化點：80℃）、J-DPP-85（商品名，JFE Chemical Corporation製造，軟化點：85℃）、MEH-5100-5S（商品名，MEIWA PLASTIC INDUSTRIES,LTD.製造，軟化點：65℃）等。
在熱固性樹脂含有環氧樹脂，固化劑含有酚醛樹脂之情況下，就固化性的觀點而言，環氧樹脂的環氧當量與酚醛樹脂的羥基當量之比（環氧當量:羥基當量）可以為0.30/0.70～0.70/0.30、0.35/0.65～0.65/0.35、0.40/0.60～0.60/0.40、或0.45/0.55～0.55/0.45。當該當量比為0.30/0.70以上時，具有得到更充分的固化性之傾向。當該當量比為0.70/0.30以下時，能夠防止黏度變得過高，能夠得到更充分的流動性。
固化劑的軟化點可以為50～200℃或60～150℃。具有200℃以下的軟化點之固化劑具有容易與熱固性樹脂具有良好的相溶性之傾向。
以接著膜總量為基準，（A）成分的含量（熱固性樹脂及固化劑的合計含量）可以為10質量%以上，亦可以為15質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、或30質量%以上。當以接著膜總量為基準，（A）成分的含量為10質量%以上時，具有接著膜的接著力提高之傾向。就膜成形性的觀點而言，以接著膜總量為基準，（A）成分的含量可以為80質量%以下、70質量%以下、60質量%以下、50質量%以下、或45質量%以下。
（B）成分：彈性體 （B）成分可以含有具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂（以下，有時稱為“第一丙烯酸樹脂”。），並且進一步含有不具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂（以下，有時稱為“第二丙烯酸樹脂”。）。
第一丙烯酸樹脂為具有來自於具有（甲基）丙烯醯基之單體之結構單元作為主成分之丙烯酸樹脂（丙烯酸橡膠）。作為具有（甲基）丙烯醯基之單體，例如可舉出（甲基）丙烯酸酯（（甲基）丙烯酸酯）、（甲基）丙烯酸、（甲基）丙烯腈等。以構成第一丙烯酸樹脂之結構單元總量為基準，來自於具有（甲基）丙烯醯基之單體之結構單元的含量例如可以為70質量%以上、80質量%以上、或90質量%以上。第一丙烯酸樹脂可以具有來自於具有環氧基、醇性或酚性羥基、羧基等交聯性官能基之（甲基）丙烯酸酯之結構單元。在第一丙烯酸樹脂具有來自於具有交聯性官能基之（甲基）丙烯酸酯之結構單元之情況下，藉由加熱進行與（A）成分的反應，能夠提高固化後的接著強度。
第一丙烯酸樹脂具有來自於具有芳香環之單體之結構單元。藉由（B）成分含有這樣的第一丙烯酸樹脂，具有接著膜的接著力提高之傾向。作為具有芳香環之單體，例如可舉出具有芳香環且具有（甲基）丙烯醯基之單體（具有芳香環，並且具有（甲基）丙烯醯基之單體）、具有芳香環且不具有（甲基）丙烯醯基之單體（具有芳香環，並且不具有（甲基）丙烯醯基單體）等。
作為具有芳香環，並且具有（甲基）丙烯醯基之單體，例如可舉出（甲基）丙烯酸苯酯、（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸羥基芐基酯、（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基）丙烯酸羥基苯基酯、（甲基）丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸酯、（甲基）丙烯酸苯氧基聚乙二醇酯、乙氧基化壬基苯基醚（甲基）丙烯酸酯等。
作為具有芳香環，並且不具有（甲基）丙烯醯基之單體，例如可舉出苯乙烯；α-甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、丁基苯乙烯、異丁基苯乙烯、丙基苯乙烯、異丙基苯乙烯、氟苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯、苯乙烯磺酸、羥基苯乙烯（乙烯基苯酚）等苯乙烯衍生物；乙烯基甲苯、乙烯基吡啶、異丙烯基苯酚、烯丙基苯酚、乙烯基萘、乙烯基蒽、乙烯基菲、乙烯基芘等芳香族乙烯基化合物及其衍生物等。
以構成第一丙烯酸樹脂之結構單元總量為基準，來自於具有芳香環之單體之結構單元的含量可以為1質量%以上、3質量%以上、或5質量%以上，並且可以為30質量%以下、25質量%以下、或20質量%以下。
第一丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度（Tg）可以為0℃以上，亦可以為3℃以上。當第一丙烯酸樹脂的Tg為0℃以上時，能夠進一步提高接著膜的接著強度，進而具有能夠防止接著膜的柔軟性變得過高之傾向。藉此，在晶圓切割時容易切斷接著膜，能夠防止產生毛邊。第一丙烯酸樹脂的Tg的上限沒有特別限制，例如可以為55℃以下、50℃以下、45℃以下、40℃以下、35℃以下、30℃以下、或25℃以下。當第一丙烯酸樹脂的Tg為55℃以下時，具有對晶圓的層壓性提高之傾向。藉此，接著力提高，切割後的晶片飛散的防止效果提高。又，能夠防止由於與半導體晶圓的密接性降低而導致的切割時的崩裂。另外，在本說明書中，玻璃轉移溫度（Tg）係指使用DSC（熱示差掃描量熱儀）（例如，Rigaku Corporation製造，Thermo Plus 2）進行測量而得之值。藉由調整構成第一丙烯酸樹脂之結構單元的種類及含量，能夠將第一丙烯酸樹脂的Tg調整到所期望的範圍。
第一丙烯酸樹脂的重量平均分子量（Mw）可以為10萬以上、20萬以上、或30萬以上，並且可以為300萬以下、200萬以下、或100萬以下。當第一丙烯酸樹脂的Mw在這樣的範圍內時，能夠適當地控制膜形成性、膜強度、撓性、黏性等，並且迴焊（reflow）性優異，能夠提高埋入性。另外，在本說明書中，Mw係指利用凝膠滲透層析法（GPC）進行測量，使用基於標準聚苯乙烯之校準曲線換算而得之值。另外，在GPC中觀測到複數個峰之情況下，將起因於峰強度最高的峰之重量平均分子量定義為本說明書中的重量平均分子量。
以（B）成分的總量為基準，第一丙烯酸樹脂的含量可以為20～100質量%。當以（B）成分的總量為基準，第一丙烯酸樹脂的含量為20質量%以上時，具有容易兼顧接著膜的耐HAST性及接著力之傾向。以（B）成分的總量為基準，第一丙烯酸樹脂的含量可以為22質量%以上或25質量%以上，並且可以為90質量%以下、80質量%以下、70質量%以下、60質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、或40質量%以下。
第二丙烯酸樹脂為具有來自於具有（甲基）丙烯醯基之單體之結構單元作為主成分且不具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂（丙烯酸橡膠）。亦即，第二丙烯酸樹脂能夠稱為從第一丙烯酸樹脂去除了來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂（丙烯酸橡膠）。以構成第二丙烯酸樹脂之結構單元總量為基準，來自於具有（甲基）丙烯醯基之單體之結構單元的含量例如可以為70質量%以上、80質量%以上、或90質量%以上。第二丙烯酸樹脂可以具有來自於具有環氧基、醇性或酚性羥基、羧基等交聯性官能基之（甲基）丙烯酸酯之結構單元。在第二丙烯酸樹脂具有來自於具有交聯性官能基之（甲基）丙烯酸酯之結構單元之情況下，藉由加熱進行與（A）成分的反應，能夠提高固化後的接著強度。
第二丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度（Tg）可以為5℃以上，亦可以為8℃以上。第二丙烯酸樹脂的Tg的上限沒有特別限制，例如可以為55℃以下、50℃以下、45℃以下、40℃以下、35℃以下、30℃以下、或25℃以下。
第二丙烯酸樹脂的重量平均分子量（Mw）可以為50萬以上、60萬以上、或70萬以上，並且可以為300萬以下、200萬以下、或100萬以下。
以（B）成分的總量為基準，第二丙烯酸樹脂的含量可以為0～80質量%。以（B）成分的總量為基準，第二丙烯酸樹脂的含量可以為78質量%以下或75質量%以下，並且可以為10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上、40質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、或60質量%以上。
就耐HAST性的觀點而言，第一丙烯酸樹脂及第二丙烯酸樹脂可以為來自於（甲基）丙烯腈之結構單元的比例低的丙烯酸樹脂。第一丙烯酸樹脂及第二丙烯酸樹脂例如可以為在紅外吸收光譜（IR光譜）中，在將來自於羰基的伸縮振動之吸收峰的面積設為PA CO，將來自於腈基的伸縮振動之峰的面積設為PA CN時，滿足下述式（1）的條件之丙烯酸樹脂。 PA CN/PA CO≤0.100 （1）
在此，羰基主要來自於作為結構單元之（甲基）丙烯酸酯，腈基主要來自於作為結構單元之（甲基）丙烯腈。另外，來自於羰基的伸縮振動之吸收峰的面積（PA CO）及來自於腈基的伸縮振動之峰的面積（PA CN）例如能夠藉由以下方法來計算。
首先，藉由KBr錠劑法對第一丙烯酸樹脂及第二丙烯酸樹脂的混合物或含有它們之接著膜測量透射IR光譜，以縱軸為吸光度、橫軸為波數（cm -1）顯示光譜。在IR光譜的測量中，例如能夠使用FT-IR6300（JASCO Corporation製造，光源：高亮度陶瓷光源，檢測器：DLATGS）。在所顯示之光譜中，來自於羰基的伸縮振動之吸收峰的面積（PA CO）定義為以連接光譜上的1650cm -1及1800cm -1這2點之直線為基線並且由光譜和基線包圍之吸光度的面積。來自於腈基的伸縮振動之峰的面積（PA CN）定義為以連接光譜上的2230cm -1及2300cm -1這2點之直線為基線並且由光譜和基線包圍之吸光度的面積。根據如此定義之PA CO及PA CN，能夠計算PA CN/PA CO。
第一丙烯酸樹脂及第二丙烯酸樹脂的PA CN/PA CO可以為0.100以下，亦可以為0.090以下、0.080以下、0.070以下、0.060以下、0.050以下、0.040以下、0.030以下、或0.020以下。當PA CN/PA CO為0.100以下時，丙烯酸樹脂的凝集力降低，因此具有埋入性提高之傾向。
除了第一丙烯酸樹脂及第二丙烯酸樹脂以外，（B）成分還可以含有其他彈性體。作為其他彈性體，例如例如可舉出聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、丁二烯樹脂；該等樹脂的改質體等。以（B）成分的總量為基準，其他彈性體的含量可以為0～20質量%。
以接著膜總量為基準，（B）成分的含量可以為10～60質量%。當以接著膜總量為基準，（B）成分的含量為10質量%以上時，具有接著膜的埋入性提高之傾向，當為60質量%以下時，具有接著膜的接著力提高之傾向。以接著膜總量為基準，（B）成分的含量可以為15質量%以上、20質量%以上、25質量%以上、或30質量%以上，並且可以為55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、40質量%以下、或38質量%以下。
（C）成分：無機填料 （C）成分例如可以為選自氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼及二氧化矽中之至少1種。就調整熔融黏度之觀點而言，（C）成分可以含有二氧化矽。
就流動性的觀點而言，（C）成分的平均粒徑可以為0.01μm（10nm）以上、0.03μm（30nm）以上、0.05μm（50nm）以上、或0.1μm（100nm）以上，並且可以為1.5（1500nm）μm以下、1.0μm（1000nm）以下、0.8μm（800nm）以下、或0.6μm（600nm）以下。亦可以組合平均粒徑不同的2種以上的（C）成分。在此，平均粒徑係指藉由雷射繞射/散射法求出之粒度分佈中的累計頻度50%的粒徑。另外，（C）成分的平均粒徑亦能夠藉由使用含有（C）成分之接著膜來求出。在該情況下，將藉由加熱接著膜使樹脂成分分解而得到之殘渣分散於溶劑中以製作分散液，依據對其適用雷射繞射/散射法而得到之粒度分佈，能夠求出（C）成分的平均粒徑。
接著膜可以含有滿足以下條件之第一無機填料及第二無機填料。藉由接著膜含有第一無機填料及第二無機填料，能夠提高埋入性，進而在固化後，能夠提高斷裂強度、接著力等。 ・第一無機填料的平均粒徑為300～1000nm。 ・第二無機填料的平均粒徑為第一無機填料的平均粒徑的0.05～0.70倍。 ・以接著膜總量為基準，第一無機填料及第二無機填料的合計（（C）成分）含量為10～60質量%。
第一無機填料的平均粒徑為300～1000nm，可以為350nm以上、400nm以上、或450nm以上，並且可以為900nm以下、800nm以下、700nm以下、或600nm以下。
第二無機填料的平均粒徑可以小於300nm，亦可以為250nm以下、220nm以下、或200nm以下。第二無機填料的平均粒徑例如可以為10nm以上、50nm以上、或100nm以上。
該等平均粒徑係指藉由雷射繞射/散射法求出之粒度分佈中的累計頻度50%的粒徑。另外，第一無機填料及第二無機填料的平均粒徑亦能夠藉由使用含有第一無機填料及第二無機填料之接著膜來求出。在該情況下，將藉由加熱接著膜使樹脂成分分解而得到之殘渣分散於溶劑中以製作分散液，依據對其適用雷射繞射/散射法而得到之粒度分佈，能夠將處於300～1000nm的範圍之峰的數值作為第一無機填料的平均粒徑，能夠將處於小於300nm的範圍之峰的數值作為第二無機填料的平均粒徑。
第二無機填料的平均粒徑為第一無機填料的平均粒徑的0.05～0.70倍。第二無機填料的平均粒徑可以為第一無機填料的平均粒徑的0.10倍以上、0.20倍以上、或0.30倍以上，並且可以為0.60倍以下、0.50倍以下、或0.40倍以下。
以接著膜總量為基準，第一無機填料的含量可以為5～60質量%，亦可以為6質量%以上、8質量%以上、或10質量%以上，並且可以為55質量%以下、45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、或30質量%以下。
以接著膜總量為基準，第二無機填料的含量可以為0～40質量%，亦可以為3質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、12質量%以上、或15質量%以上，並且可以為35質量%以下、30質量%以下、或25質量%以下。
以接著膜總量為基準，第一無機填料及第二無機填料的合計（（C）成分）含量為10～60質量%，可以為15質量%以上、18質量%以上、20質量%以上、25質量%以上、或30質量%以上，並且可以為55質量%以下、52質量%以下、或50質量%以下。
相對於第一無機填料及第二無機填料的合計（（C）成分），第一無機填料的質量比例可以為40～100質量%，亦可以為45質量%以上、50質量%以上、或55質量%以上，並且可以為95質量%以下、90質量%以下、或85質量%以下。
相對於第一無機填料及第二無機填料的合計（（C）成分），第二無機填料的質量比例可以為0～60質量%，亦可以為5質量%以上、10質量%以上、或15質量%以上，並且可以為55質量%以下、50質量%以下、或45質量%以下。
相對於（A）成分（熱固性樹脂及固化劑的合計）100質量份，（C）成分的含量可以為30～250質量份。當（C）成分的含量在這樣的範圍內時，具有接著膜的接著力提高之傾向。相對於（A）成分（熱固性樹脂及固化劑的合計）100質量份，（C）成分的含量可以為35質量份以上、40質量份以上、50質量份以上、或55質量份以上，並且可以為220質量份以下、200質量份以下、180質量份以下、160質量份以下、150質量份以下、140質量份以下、130質量份以下、120質量份以下、或100質量份以下。
（D）成分：固化促進劑 作為（D）成分，例如可舉出咪唑類及其衍生物、有機磷系化合物、二級胺類、三級胺類、四級銨鹽等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。該等之中，就反應性的觀點而言，（D）成分亦可以為咪唑類及其衍生物。
作為咪唑類，例如可舉出2-甲基咪唑、1-芐基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
（E）成分：偶合劑 （E）成分亦可以為矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，例如可舉出γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-（2-胺乙基）胺基丙基三甲氧基矽烷等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
接著膜還可以含有其他成分。作為其他成分，例如可舉出顏料、離子捕捉劑、抗氧化劑等。
以接著膜的總量為基準，（D）成分、（E）成分及其他成分的合計含量可以為0.1質量%以上、0.3質量%以上、或0.5質量%以上，亦可以為30質量%以下、20質量%以下、10質量%以下、或5質量%以下。
接著膜10例如能夠藉由將熱固性接著劑塗佈於支撐膜上而形成。在接著膜10的形成中，亦可以使用熱固性接著劑的清漆（接著劑清漆）。在使用接著劑清漆之情況下，將（A）成分、（B）成分及（C）成分、以及依據需要添加之成分在溶劑中混合或混煉而製備接著劑清漆，將所得到之接著劑清漆塗佈於支撐膜上，加熱乾燥而去除溶劑，藉此能夠得到接著膜10。
支撐膜只要係能夠經受上述加熱乾燥之膜，則沒有特別限定，例如可以為聚酯膜、聚丙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚醯亞胺膜、聚醚醯亞胺膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚甲基戊烯膜等。支撐膜可以為組合兩種以上而成之多層膜，亦可以為表面被矽酮系、二氧化矽系等脫模劑等處理而成之基材。支撐膜的厚度例如可以為10～200μm或20～170μm。
混合或混煉使用通常的攪拌機、擂潰機、三輥磨機、球磨機等分散機，能夠適當組合它們來進行。
用於製備接著劑清漆之溶劑只要係能夠均勻地溶解、混煉或分散各成分者，則沒有限制，能夠使用以往公知的溶劑。作為這樣的溶劑，例如可舉出丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、二甲苯等。就乾燥速度及價格的觀點而言，溶劑可以為甲基乙基酮或環己酮。
作為將接著劑清漆塗佈於支撐膜之方法，能夠使用公知的方法，例如能夠使用刮刀塗佈法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、棒塗法及簾式塗佈法等。加熱乾燥條件只要係所使用之溶劑充分地揮發之條件，則不受特別限制，例如可以為在50～150℃時1～30分鐘。
接著膜10的厚度例如可以為1μm以上、3μm以上、20μm以上、25μm以上、30μm以上、35μm以上、40μm以上、50μm以上、60μm以上、70μm以上、或80μm以上，並且可以為200μm以下、150μm以下、120μm以下、100μm以下、80μm以下、或60μm以下。在接著膜10為FOD用接著膜之情況下，為了適當地埋入半導體晶片（例如，控制器晶片）的整體，接著膜10的厚度例如可以為40～200μm、60～150μm、或80～120μm。在接著膜10為FOW用接著膜之情況下，為了埋入導線以使導線不與半導體晶片接觸，接著膜10的厚度例如可以為20～120μm、25～80μm、或30～60μm。
就防止損傷或污染之觀點而言，在支撐膜上製作之接著膜10亦可以在接著膜的與支撐膜相反的一側的面具備覆蓋膜。作為覆蓋膜，例如可舉出聚乙烯膜、聚丙烯膜、表面剝離劑處理膜等。覆蓋膜的厚度例如可以為15～200μm或30～170μm。
接著膜10例如能夠用作用以保護倒裝晶片型半導體裝置的半導體元件（半導體晶片）的背面的保護片、或用以密封倒裝晶片型半導體裝置的半導體元件（半導體晶片）的表面與被黏附體之間的密封片。
[切割晶粒接合一體型膜] 圖2及圖3係表示具備接著膜之積層體的一實施形態之示意剖面圖。接著膜10亦可以以圖2或圖3所示之積層體的形態供給。圖2所示之積層體100具備基材層20和設置於基材層20上之接著膜10。圖3所示之積層體110還具備保護膜30，該保護膜30相對於積層體100設置於接著膜10的與基材層20相反的一側的面上。
基材層20可以為與支撐膜相同的樹脂膜。基材層20的厚度例如可以為10～200μm或20～170μm。
基材層20亦可以為切割膜。基材層20為切割膜之積層體能夠作為切割晶粒接合一體型膜使用。切割晶粒接合一體型膜可以為膜狀、片狀或帶狀。
作為切割膜，例如可舉出聚四氟乙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚醯亞胺膜等樹脂膜。依據需要，切割膜亦可以為藉由底漆塗佈、UV處理、電暈放電處理、研磨處理、蝕刻處理進行了表面處理之樹脂膜。切割膜可以具有黏著性。具有黏著性之切割膜例如可以為賦予了黏著性之樹脂膜、或具有樹脂膜及設置於其單面上之黏著劑層之積層膜。黏著劑層能夠由非紫外線固化型或紫外線固化型的黏著劑形成。非紫外線固化型黏著劑為在短時間的加壓下顯示恆定的黏著性之黏著劑。紫外線固化型黏著劑為具有藉由照射紫外線而黏著性降低之性質之黏著劑。黏著劑層的厚度能夠依據半導體裝置的形狀、尺寸適當設定，例如可以為1～100μm、5～70μm、或10～40μm。就經濟性及膜的操作性的觀點而言，作為切割膜之基材層20的厚度可以為60～150μm或70～130μm。
保護膜30可以為與覆蓋膜相同的樹脂膜。保護膜30的厚度例如可以為15～200μm或30～170μm。
[半導體裝置及其製造方法] 圖4係表示半導體裝置的一實施形態之示意剖面圖，表示使用接著膜製造之半導體裝置的一例。圖4所示之半導體裝置200主要由基板14、搭載於基板14上之第一半導體晶片Wa及第二半導體晶片Waa、密封第二半導體晶片Waa之密封層42、將第二半導體晶片Waa接著於基板14上之接著膜10構成。基板14具有有機基板90和設置於有機基板90上之電路圖案84、94。第一半導體晶片Wa藉由接著劑41接著於基板14上。第一導線88與第一半導體晶片Wa連接，第一半導體晶片Wa經由第一導線88與電路圖案84電連接。第一半導體晶片Wa的整體及第一導線88的整體被埋入於接著膜10中。第二導線98與第二半導體晶片Waa連接，第二半導體晶片Waa經由第二導線98與電路圖案84電連接。第二半導體晶片Waa的整體及第二導線98的整體被埋入於密封層42中。
圖5、圖6、圖7、圖8及圖9係表示半導體裝置之製造方法的一實施形態之步驟圖，係表示圖4所示之半導體裝置200之製造方法的一例之步驟圖。圖5～9所示之方法包括如下步驟：經由接著劑41將第一半導體晶片Wa接著於基板14上；設置連接第一半導體晶片Wa與基板14（電路圖案84）之第一導線88；準備具有第二半導體晶片Wbb及附著於其上之接著膜10之帶接著劑之晶片；將帶接著劑之晶片壓接於基板14上，藉此以第一半導體晶片Wa及第一導線88被接著膜10埋入之方式將第二半導體晶片Waa接著於基板14上；設置連接第二半導體晶片Waa與基板14（電路圖案84）之第二導線98。之後，藉由形成密封層44，能夠得到圖4所示之半導體裝置200。
第一半導體晶片Wa的厚度可以為10～170μm。第一半導體晶片Wa可以為用以驅動半導體裝置200的控制器晶片。第一半導體晶片Wa可以為倒裝晶片型晶片。第一半導體晶片Wa的尺寸通常為第二半導體晶片Waa的尺寸以下。介在於第一半導體晶片Wa與基板14之間之接著劑41可以為該領域中使用之公知的半導體用接著劑。
如圖5所示，基板14（電路圖案84）與第一半導體晶片Wa經由第一導線88電連接。連接第一半導體晶片Wa與基板14（電路圖案84）之第一導線88例如可以為金線、鋁線或銅線。用以連接第一導線88的加熱溫度可以在80～250℃或80～220℃的範圍內。用以連接第一導線88的加熱時間可以為幾秒～幾分鐘。為了連接第一導線88，亦可以賦予由超聲波產生的振動能量和由施加加壓產生的壓接能量。
由第二半導體晶片Waa及接著膜10形成之帶接著劑之晶片例如能夠使用具有與圖2所示之積層體100相同的結構之切割晶粒接合一體型膜來準備。在該情況下，例如，積層體100（切割晶粒接合一體型膜）以其接著膜10與半導體晶圓接觸之朝向貼附於半導體晶圓的單面上。貼附接著膜10之面可以為半導體晶圓的電路面，亦可以為與其相反側的背面。藉由切割來分割貼附有積層體100（切割晶粒接合一體型膜）之半導體晶圓，從而形成單片化之第二半導體晶片Waa。作為切割，可舉出使用旋轉刀之刀片切割、藉由雷射在半導體晶圓上製作改質區域，擴展（Expand）基材層之隱形切割等。第二半導體晶片Waa與被分割之接著膜10一起被拾取。在切割膜的黏著劑層由紫外線固化型黏著劑形成之情況下，在拾取第二半導體晶片Waa之前，依據需要，可以藉由對黏著劑層照射紫外線來降低黏著劑層的黏著力。
第二半導體晶片Waa可以具有寬度20mm以下的尺寸。第二半導體晶片Waa的寬度（或一邊的長度）可以為3～15mm或5～10mm。
用於形成第二半導體晶片Waa之半導體晶圓例如可以為具有10～100μm的厚度之薄型半導體晶圓。除了單晶矽以外，半導體晶圓還可以為多晶矽、各種陶瓷、砷化鎵等化合物半導體晶圓。第二半導體晶片Waa亦可以由相同的半導體晶圓形成。
如圖7所示，由接著膜10及第二半導體晶片Waa形成之帶接著劑之晶片被載置成第一導線88及第一半導體晶片Wa被接著膜10覆蓋。接著，如圖8所示，藉由將第二半導體晶片Waa壓接於基板14上，將第二半導體晶片Waa固定於基板14上。用以壓接的加熱溫度可以為50～200℃或100～150℃。若用以壓接的加熱溫度高，則接著膜10變軟，因此具有埋入性提高之傾向。壓接時間可以為0.5～20秒或1～5秒。用以壓接的壓力可以為0.01～5MPa或0.02～2MPa。
亦可以在壓接之後，進一步加熱包含接著膜10之結構體，藉此使接著膜10固化。用以固化的溫度及時間能夠依據接著膜10的固化溫度等適當設定。溫度亦可以階段性地變化。加熱溫度例如可以為40～300℃或60～200℃。加熱時間例如可以為30～300分鐘。
如圖9所示，基板14與第二半導體晶片Waa經由第二導線98電連接。第二導線98的種類及連接方法可以與第一導線88相同。
之後，由密封材料形成密封電路圖案84、第二導線98及第二半導體晶片Waa之密封層42。密封層42例如能夠藉由使用模具之通常的方法形成。在形成密封層42後，可以藉由加熱進一步使接著膜10及密封層42熱固化。為此的加熱溫度例如可以為165～185℃，加熱時間可以為0.5～8小時左右。
圖10係表示半導體裝置的另一實施形態之示意剖面圖。半導體裝置201主要由基板14、搭載於基板14上之第一半導體晶片Wa及第二半導體晶片Waa、密封第一半導體晶片Wa及第二半導體晶片Waa之密封層42、將第二半導體晶片Waa接著於第一半導體晶片Wa上之接著膜10構成。基板14具有有機基板90、設置於有機基板90上之電路圖案84、94、設置於有機基板90的與電路圖案84，94相反的一側的面上之連接端子95。第一半導體晶片Wa藉由接著劑41接著於基板14上。第一導線88與第一半導體晶片Wa連接，第一半導體晶片Wa經由第一導線88與電路圖案84電連接。第一導線88的一部分被埋入於接著膜10中。第二導線98與第二半導體晶片Waa連接，第二半導體晶片Waa經由第二導線98與電路圖案84電連接。
圖10所示之半導體裝置201能夠藉由與半導體裝置200之製造方法相同的方法製造，該方法包括藉由接著膜10將第二半導體晶片Waa接著於第一半導體晶片Wa上之步驟。
圖11係表示半導體裝置的另一實施形態之示意剖面圖。半導體裝置202主要由基板14（有機基板90）、搭載於基板14上之第一半導體晶片Wa及第二半導體晶片Waa、密封第一半導體晶片Wa及第二半導體晶片Waa之密封層42、在埋入第一半導體晶片Wa的整體的同時將第二半導體晶片Waa接著於基板14上之接著膜10構成。第一半導體晶片Wa為倒裝晶片型晶片，經由複數個電極96與基板14電連接。在第一半導體晶片Wa與基板14之間填充有底部填充劑50。 [實施例]
以下，基於實施例對本揭示具體地進行說明，但本揭示並不限定於該等。
[接著膜的製作] （實施例1～7及比較例1～3） ＜接著劑清漆的製備＞ 以表1及表2所示之品名及組成比（單位：質量份），向由（A）成分及（C）成分組成之組成物中添加環己酮，並攪拌混合。向其中添加表1及表2所示之（B）成分並攪拌，進而添加表1及表2所示之（D）成分及（E）成分，攪拌至各成分均勻，製備了接著劑清漆。另外，表1及表2所示之（B）成分及（C）成分的數值係指固體成分的質量份。
（A）成分：熱固性樹脂成分 （A1）成分：熱固性樹脂 （A1-1）N-500P-10（商品名，DIC Corporation製造，鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，環氧當量：204g/eq，軟化點：75～85℃） （A1-2）EXA-830CRP（商品名，DIC Corporation製造，液狀雙酚F型環氧樹脂，環氧當量：159g/eq）
（A2）成分：固化劑 （A2-1）MEH-7800M（商品名，Meiwa Chemical Industry Co.,Ltd.製造，苯基芳烷基型酚醛樹脂，羥基當量：174g/eq，軟化點：80℃） （A2-2）PSM-4326（商品名，Gunei Chemical Co., Ltd.製造，苯酚酚醛清漆樹脂，羥基當量：105g/eq，軟化點：120℃）
（B）成分：彈性體 （B1）成分：第一丙烯酸樹脂 （B1-1）丙烯酸樹脂A（作為丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/甲基丙烯酸乙酯/甲基丙烯酸環氧丙酯/苯乙烯的共聚物之丙烯酸樹脂，來自於苯乙烯之結構單元的含量：9質量%（以總結構單元為基準），重量平均分子量：40萬，Tg：5℃） （B2）成分：第二丙烯酸樹脂 （B2-1）丙烯酸樹脂B（HTR-860P-3CSP（商品名），Nagase ChemteX Corporation製造，丙烯酸樹脂，重量平均分子量：80萬，Tg：12℃） （B2-2）丙烯酸樹脂C（在SG-P3（商品名，Nagase ChemteX Corporation製造）的丙烯酸樹脂中，去除了來自於丙烯腈之結構單元之丙烯酸樹脂，重量平均分子量：60萬，Tg：12℃）
（C）成分：無機填料 （C-1）二氧化矽填料A（SC2050-HLG（商品名），Admatechs Co.,Ltd.製造，二氧化矽填料分散液，平均粒徑：0.50μm） （C-2）二氧化矽填料B（二氧化矽填料分散液，平均粒徑：0.18μm）
（D）固化促進劑 （D-1）2PZ-CN（商品名，SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑）
＜接著膜的製作＞ 用100篩目的過濾器過濾所製作之接著劑清漆，並進行了真空消泡。作為基材層，準備厚度38μm的實施了脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜（PET）膜，將真空消泡後的接著劑清漆塗佈於PET膜上。將所塗佈之接著劑清漆以在90℃時加熱乾燥5分鐘，接著，在140℃時加熱乾燥5分鐘這分兩階段進行加熱乾燥，得到了B階段狀態的實施例1～7及比較例1～3的接著膜。在接著膜中，依據接著劑清漆的塗佈量，調整為厚度成為60μm。準備2片所得到之厚度60μm的接著膜，將它們在70℃貼合，製作了厚度120μm的接著膜。
[接著膜的評價] ＜丙烯酸樹脂中的腈基的比例的測量＞ 對實施例3的接著膜測量IR光譜，計算出PA CN/PA CO。首先，藉由KBr錠劑法對接著膜測量透射IR光譜，以縱軸顯示吸光度，以橫軸顯示波數（cm -1）。在IR光譜的測量中，使用了FT-IR6300（JASCO Corporation製造，光源：高亮度陶瓷光源，檢測器：DLATGS）。接著，在所顯示之光譜中，計算以連接光譜上的1650cm -1及1800cm -1這2點之直線為基線並且由光譜和基線包圍之吸光度的面積作為PA CO。又，計算以連接光譜上的2230cm -1及2300cm -1這2點之直線為基線並且由光譜和基線包圍之吸光度的面積作為PA CN。依據計算出之PA CO及PA CN，求出了PA CN/PA CO。合計進行3次這樣的操作，求出PA CN/PA CO的3次的平均值，結果為0.014。
＜耐HAST性的評價＞ 準備了在玻璃環氧基材上積層厚度70μm的銅箔而成之印刷配線板用基板（Showa Denko Materials co., Ltd.製造，商品名：MCL-E-679）。蝕刻印刷配線板用基板的銅表面，形成線/空間為40μm/40μm之梳型電極。在形成該梳型電極之基板上，分別在溫度120℃、時間2秒、壓力0.2MPa的條件下貼附了厚度120μm的實施例1～7及比較例1～3的接著膜（5mm×12mm）。接著，在減壓乾燥機中，在溫度90℃、時間1小時、壓力0.6MPa的條件下加熱後，進而在溫度130℃、時間1小時、壓力0.6MPa的條件下加熱，藉此製作了評價基板。將評價基板在130℃、85%RH的條件下，在施加DC13.2V的電壓之狀態下暴露，施加電壓，測量了線之間的電阻值。在電阻值的測量中，計算出觀測到2位數以上的電阻值降低時的次數，按照以下基準評價了從試驗開始到觀測到第50次電阻值降低時的時間。將結果示於表1及表2中。 A：從試驗開始到觀測到第50次電阻值降低時的時間超過100小時。 B：從試驗開始到觀測到第50次電阻值降低時的時間超過50小時且100小時以下。 C：從試驗開始到觀測到第50次電阻值降低時的時間為50小時以下。
＜接著力的評價＞ （帶接著膜之半導體晶片的製作） 準備具有樹脂膜及黏著劑層之切割膜（Showa Denko Materials co., Ltd.製造，厚度100μm），分別貼附所製作之實施例1～7及比較例1～3的接著膜（厚度120μm），製作了具備切割膜和設置於切割膜的一個面上之接著膜之切割晶粒接合一體型膜。接著，在階段溫度70℃，將半導體晶圓（厚度400μm）貼附於切割晶粒接合一體型膜的接著膜側。藉由使用全自動切割機DFD-6361（DISCO Corporation製造）之切割來切斷，形成了具有2mm×2mm的尺寸之半導體晶片。拾取由半導體晶片及附著於其上之接著膜形成之帶接著膜之半導體晶片，得到了帶接著膜之半導體晶片。
（對有機基板（阻焊劑）的接著力） 使用所得到之帶接著膜之半導體晶片，測量了固化後的晶片剪力強度。將半導體晶片熱壓接於阻焊劑（TAIYO HOLDINGS CO.,LTD.、商品名：SR-1）上。壓接條件為溫度120℃、時間1秒、壓力0.1MPa。接著，將藉由壓接而得到之評價樣品放入乾燥機中，在110℃加熱1小時後，耗時30分鐘升溫，進而在175℃加熱5小時，藉此使其固化。接著，在固化之評價樣品中，藉由萬能黏結強度試驗機（Nordson Advanced Technology K. K.製造，商品名：系列4000）掛住並且拉伸半導體晶片，藉此測量了半導體晶片和有機基板的固化後的晶片剪力強度。晶片剪力強度的測量在6.7MPa、260℃、階段保持時間20秒的條件下進行。將結果示於表1及表2中。
（對金基板的接著力） 使用比有機基板不易接著之金基板進行了接著力的評價。亦即，對金基板的接著力為比對有機基板（阻焊劑）的接著力更嚴格的條件下的評價方法。使用所得到之帶接著膜之半導體晶片，測量了固化後的晶片剪力強度。將半導體晶片熱壓接於金基板上。壓接條件為溫度120℃、時間1秒、壓力0.1MPa。接著，將藉由壓接而得到之評價樣品放入乾燥機中，在110℃加熱1小時後，耗時30分鐘升溫，進而在175℃加熱5小時，藉此使其固化。接著，在固化之評價樣品中，藉由萬能黏結強度試驗機（Nordson Advanced Technology K. K.製造，商品名：系列4000）掛住並且拉伸半導體晶片，藉此測量了半導體晶片和金基板的固化後的晶片剪力強度。晶片剪力強度的測量在6.7MPa、260℃、階段保持時間20秒的條件下進行。將結果示於表1及表2中。另外，在比較例1中，晶片剪力強度低於測量裝置的測量下限，無法測量。
[表1]
   實施例１ 實施例２ 比較例１
(A) (A1) (A1-1) 15 15 15
(A1-2) 14 14 14
(A2) (A2-1) 24 24 24
(A2-2) - - -
(B) (B1) (B1-1) 9 17 -
(B2) (B2-1) 9 - -
(B2-2) - - 17
(C) (C-1) 29 29 29
(C-2) - - -
(D) (D-1) 0.06 0.06 0.06
耐HAST性 Ａ Ａ Ａ
接著力 （晶片剪力強度，MPa） 有機基板 6.2 3.6 3.0
金基板 1.0 1.0 NG
如表1所示，含有具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂作為彈性體之實施例1、2的接著膜的耐HAST性優異，並且與不含有具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂作為彈性體之比較例1的接著膜相比，接著力優異。
[表2]
   實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 比較例2 比較例3
(A) (A1) (A1-1) 15 15 5 15 10 15 10
(A1-2) 8 13 10 5 5 14 17
(A2) (A2-1) 5 5 5 5 5 24 -
(A2-2) 10 10 5 5 5 - 12
(B) (B1) (B1-1) 10 19 18 10 12 - -
(B2) (B2-1) 26 19 24 10 12 17 22
(B2-2) - - - - - - -
(C) (C-1) 14 10 22 40 27 29 39
(C-2) 13 10 10 10 23 - -
(D) (D-1) 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06
耐HAST性 B B A B B C C
接著力（MPa） 金基板 4.6 3.3 3.0 4.3 3.9 1.0 1.8
如表2所示，含有具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂作為彈性體之實施例3～7的接著膜與不含有不具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂作為彈性體之比較例2、3的接著膜相比，耐HAST性及接著力這兩者均優異。
由以上結果可確認，本揭示的半導體用接著膜的耐HAST性優異，並且具有高接著力。
10:接著膜 14:基板 20:基材層（切割膜） 30:保護膜 41:接著劑 42:密封層 84,94:電路圖案 88:第一導線 90:有機基板 98:第二導線 100,110:積層體 200,201,202:半導體裝置 Wa:第一半導體晶片 Waa:第二半導體晶片
圖1係表示接著膜的一實施形態之示意剖面圖。 圖2係表示具備接著膜之積層體的一實施形態之示意剖面圖。 圖3係表示具備接著膜之積層體的一實施形態之示意剖面圖。 圖4係表示半導體裝置的一實施形態之示意剖面圖。 圖5係表示半導體裝置之製造方法的一實施形態之步驟圖。 圖6係表示半導體裝置之製造方法的一實施形態之步驟圖。 圖7係表示半導體裝置之製造方法的一實施形態之步驟圖。 圖8係表示半導體裝置之製造方法的一實施形態之步驟圖。 圖9係表示半導體裝置之製造方法的一實施形態之步驟圖。 圖10係表示半導體裝置的另一實施形態之示意剖面圖。 圖11係表示半導體裝置的另一實施形態之示意剖面圖。
10:接著膜

Claims (13)

  1. 一種半導體用接著膜，其含有熱固性成分、彈性體及無機填料， 前述彈性體含有具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂。
  2. 如請求項1所述之半導體用接著膜，其具有60～150μm的厚度。
  3. 如請求項1或請求項2所述之半導體用接著膜，其用於在埋入其他半導體晶片的同時將半導體晶片接著於基板上。
  4. 如請求項1所述之半導體用接著膜，其具有25～80μm的厚度。
  5. 如請求項1或請求項4所述之半導體用接著膜，其用於在埋入與其他半導體晶片連接之導線的一部分或整體的同時將半導體晶片接著於前述其他半導體晶片上。
  6. 如請求項1、請求項2及請求項4之任一項所述之半導體用接著膜，其中 前述彈性體還含有不具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂， 前述不具有來自於具有芳香環之單體之結構單元之丙烯酸樹脂的重量平均分子量為50萬以上。
  7. 如請求項1、請求項2及請求項4之任一項所述之半導體用接著膜，其中 以半導體用接著膜總量為基準，前述彈性體的含量為10～60質量%。
  8. 如請求項1、請求項2及請求項4之任一項所述之半導體用接著膜，其中 相對於前述熱固性成分100質量份，前述無機填料的含量為30～250質量份。
  9. 一種切割晶粒接合一體型膜，其具備： 切割膜；及 設置於前述切割膜上之請求項1、請求項2及請求項4之任一項所述之半導體用接著膜。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，其包括藉由請求項1或請求項2所述之半導體用接著膜將第二半導體晶片接著於搭載有第一半導體晶片之基板上之步驟， 前述第一半導體晶片被前述接著膜埋入。
  11. 一種半導體裝置之製造方法，其包括藉由請求項1或請求項4所述之半導體用接著膜將第二半導體晶片接著於第一半導體晶片上之步驟， 導線與前述第一半導體晶片連接， 前述導線的一部分或整體被前述接著膜埋入。
  12. 如請求項10所述之半導體裝置之製造方法，其中 前述第一半導體晶片為控制器晶片。
  13. 如請求項11所述之半導體裝置之製造方法，其中 前述第一半導體晶片為控制器晶片。
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