TW202342595A - 顯示器基板用聚醯亞胺前驅物、顯示器基板用聚醯亞胺膜及顯示器基板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其係具有下述通式(1)所表示之結構單元者，且包含含有酸性基之基作為上述通式(1)中之X 1所表示之基、上述通式(1)中之Y 1所表示之基、及末端基中之至少一部分，上述酸性基之含有度為15×10 -3以上。 (上述通式(1)中，X 1為4價芳香族基或脂肪族基，Y 1為2價芳香族基，R 1、R 2彼此獨立地為氫原子、碳數1～6之烷基、或碳數3～9之烷基矽烷基)

Description

顯示器基板用聚醯亞胺前驅物、顯示器基板用聚醯亞胺膜及顯示器基板
本發明係關於一種顯示器基板用聚醯亞胺前驅物、以及使用其所獲得之顯示器基板用聚醯亞胺膜、及顯示器基板，該顯示器基板用聚醯亞胺前驅物之帶電半衰期較長，藉由帶電半衰期測定所獲得之120秒後之帶電衰減率較低，可有助於抑制充電，並且可實現較高之密接性。
由於聚醯亞胺之耐熱性、耐溶劑性(耐化學品性)、機械特性、電性等優異，因此廣泛地用於可撓性配線基板、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)用帶等電氣/電子機器類之用途。例如，適宜使用由芳香族四羧酸二酐與芳香族二胺所獲得之聚醯亞胺、尤其是由3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐與對苯二胺所獲得之聚醯亞胺。
又，在顯示裝置領域，正在研究將聚醯亞胺作為玻璃基板之替代品。藉由將用於各種顯示裝置之顯示器基板由玻璃基板替換為包含聚醯亞胺之塑膠基板，從而可提供一種輕量且可撓性優異，進而能夠彎折或捲曲之顯示器。
例如，作為能夠適用於顯示器基板用途之聚醯亞胺前驅物，專利文獻1中提出了一種使用包含特定單元結構之聚醯亞胺前驅物之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-41531號公報
[發明所欲解決之問題]
於將聚醯亞胺膜用於顯示器基板用途之情形時，基於使阻氣性變得充分這一觀點而言，聚醯亞胺膜通常以於其表面形成有SiO x等無機阻氣層之狀態來使用。另一方面，於將聚醯亞胺膜用於顯示器基板用途之情形時，電荷蓄積於聚醯亞胺膜與無機阻氣層之界面而發生充電，充電之發生會導致微量電流流經開關元件等，如此一來，存在顯示器產生殘像之問題。 [解決問題之技術手段]
對此，本發明人等進行了銳意研究，結果發現，藉由使聚醯亞胺膜中以規定之比率含有酸性基，可延長帶電半衰期，且降低藉由帶電半衰期測定所獲得之120秒後之帶電衰減率，藉此促進聚醯亞胺膜與無機阻氣層之界面處之電荷蓄積之消除，如此一來，有助於抑制充電，從而完成了本發明。 又，本發明人等進行了銳意研究，結果亦發現了藉由採用上述構成，從而可實現較高之密接性。
即，本發明提供下述之[1]～[8]。 [1]一種顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其係具有下述通式(1)所表示之結構單元者，且包含含有酸性基之基作為上述通式(1)中之X 1所表示之基、上述通式(1)中之Y 1所表示之基、及末端基中之至少一部分， 上述酸性基之含有度為15×10 -3以上。 [化1] (上述通式(1)中，X 1為4價芳香族基或脂肪族基，Y 1為2價芳香族基，R 1、R 2彼此獨立地為氫原子、碳數1～6之烷基、或碳數3～9之烷基矽烷基)。
[2]如[1]所記載之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其中上述含有酸性基之基係選自含有羧基之基、及含有磺酸基之基中之至少一種。
[3]如[2]所記載之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其中上述含有羧基之基係源自選自3,5-二胺基苯甲酸、5,5'-亞甲基雙(2-胺基苯甲酸) 、苯六甲酸及苯六甲酸酐、以及偏苯三甲酸酐中之至少一種化合物之基。
[4]如[3]所記載之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其中上述含有羧基之基係源自選自3,5-二胺基苯甲酸、苯六甲酸及苯六甲酸酐、以及偏苯三甲酸酐中之至少一種化合物之基。
[5]如[2]至[4]中任一項所記載之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其中上述含有磺酸基之基係源自選自1,4-苯二胺-2-磺酸、1,3-苯二胺-4-磺酸、3,5-二胺基-2,4,6-三甲基苯磺酸、及4,4'-二胺基二苯乙烯-2,2'-二磺酸中之至少一種化合物之基。
[6]如[5]所記載之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其中上述含有磺酸基之基係源自選自1,4-苯二胺-2-磺酸、及1,3-苯二胺-4-磺酸中之至少一種化合物之基。
[7]一種顯示器基板用聚醯亞胺膜，其係使用如[1]至[6]中任一項所記載之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物而獲得者。
[8]一種顯示器基板，其具備如[7]所記載之顯示器基板用聚醯亞胺膜。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其帶電半衰期較長，藉由帶電半衰期測定所獲得之120秒後之帶電衰減率較低，可有助於抑制充電，並且可實現較高之密接性。
＜顯示器基板用聚醯亞胺前驅物＞ 本發明之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物係用於形成顯示器基板用聚醯亞胺膜之聚醯亞胺前驅物，且係具有下述通式(1)所表示之結構單元之聚醯亞胺前驅物，且該顯示器基板用聚醯亞胺前驅物包含含有酸性基之基作為上述通式(1)中之X 1所表示之基、上述通式(1)中之Y 1所表示之基、及末端基中之至少一部分， 上述酸性基之含有度為15×10 -3以上。 [化2] (上述通式(1)中，X 1為4價芳香族基或脂肪族基，Y 1為2價芳香族基，R 1、R 2彼此獨立地為氫原子、碳數1～6之烷基、或碳數3～9之烷基矽烷基)
上述通式(1)中，X 1為自四羧酸中去掉4個COOH基後得到之殘基(即，自四羧酸二酐中去掉2個羧酸酐基(CO) 2O後得到之殘基)，Y 1為自二胺中去掉2個NH 2基後得到之殘基。R 1、R 2較佳為氫原子、碳數3～9之烷基矽烷基，更佳為氫原子。
作為上述通式(1)所表示之結構單元，可例舉使四羧酸成分、與二胺成分進行反應，形成醯胺鍵(-CONH-)而獲得者。
作為四羧酸成分，例如可例舉：芳香族系四羧酸二酐或脂肪族系四羧酸二酐等。
作為芳香族系四羧酸二酐之具體例，可例舉：3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)、均苯四甲酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、4,4'-氧二鄰苯二甲酸二酐、二苯基碸-3,4,3',4'-四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)硫醚二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐(別稱：4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐)、2,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、對伸苯基雙(偏苯三甲酸單酯酸酐)、對聯伸苯基雙(偏苯三甲酸單酯酸酐)、間聯三苯-3,4,3',4'-四羧酸二酐、對聯三苯-3,4,3',4'-四羧酸二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯氧基)苯二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯氧基)苯二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯氧基)聯苯二酐、2,2-雙[(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、4,4'-(2,2-六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸二酐等。該等可單獨地使用，亦可混合2種以上來使用。
作為脂肪族系四羧酸二酐，可適宜地使用脂環式四羧酸二酐。作為脂環式四羧酸二酐之具體例，可例舉：(1S,2R,4S,5R)-環己烷四羧酸二酐、順,順,順-1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐、(1S,2S,4R,5R)-環己烷四羧酸二酐、(1R,2S,4S,5R)-環己烷四羧酸二酐、二環[2.2.2]辛烷-2,3,5,6-四羧酸二酐、二環[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、4-(2,5-二側氧四氫呋喃-3-基)-四氫萘-1,2-二羧酸酐、四氫呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐、二環-3,3',4,4'-四羧酸二酐、1,2,3,4-環戊烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐(以下，有時稱作「CBDA」)、1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,4-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環己烷四羧酸二酐、五環[8.2.1.1 4,7.0 2,9.0 3,8]十四烷-5,6,11,12-四羧酸二酐、5-(2,5-二側氧四氫呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、環己-1-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、二環[2.2.1]庚烷-2,3,5,6-四羧酸二酐等。該等可單獨地使用，亦可混合2種以上來使用。
關於作為四羧酸成分之四羧酸化合物，較佳為選自3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)、4,4'-氧二鄰苯二甲酸二酐(ODPA)、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐(CBDA)、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐(6FDA)、3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸二酐(DSDA)中之酸二酐，更佳為3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)。
關於作為二胺成分之二胺化合物，可例舉：4,4'-二胺基二苯醚、2,2'-二甲基聯苯胺、4,4'-二胺基二苯甲烷、4,4'-二胺基-1,2-二苯乙烷、對苯二胺(PPD)、間苯二胺、2,4-二胺基甲苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、間苯二甲胺、對苯二甲胺、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4'-亞甲基雙(2,6-二甲苯胺)、α,α'-雙(4-胺基苯基)-1,4-二異丙基苯、2,2'-二甲基-4,4'-胺基聯苯、3,3'-二甲基-4,4'-胺基聯苯、2,2'-伸乙基二苯胺等具有芳香族基之芳香族二胺；1,4-二胺基環己烷、1,4-二胺基-2-甲基環己烷、1,4-二胺基-2-乙基環己烷、1,4-二胺基-2-正丙基環己烷、1,4-二胺基-2-異丙基環己烷、1,4-二胺基-2-正丁基環己烷、1,4-二胺基-2-異丁基環己烷、1,4-二胺基-2-第二丁基環己烷、1,4-二胺基-2-第三丁基環己烷、1,2-二胺基環己烷、1,3-二胺基環丁烷、1,4-雙(胺基甲基)環己烷、1,3-雙(胺基甲基)環己烷、二胺基二環庚烷、二胺基甲基二環庚烷、二胺基氧基二環庚烷、二胺基甲基氧基二環庚烷、異佛爾酮二胺、二胺基三環癸烷、二胺基甲基三環癸烷、雙(胺基環己基)甲烷、雙(胺基環己基)亞異丙基、6,6'-雙(3-胺基苯氧基)-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚滿、6,6'-雙(4-胺基苯氧基)-3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺二茚滿等具有脂環式結構之脂環式二胺；2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷、2,3,5,6-四氟-1,4-二胺基苯、2,4,5,6-四氟-1,3-二胺基苯、2,3,5,6-四氟-1,4-苯(二甲烷胺)、2,2'-二氟-(1,1'-聯苯)-4,4'-二胺、2,2',6,6'-四氟-(1,1'-聯苯)-4,4'-二胺、4,4'-二胺基八氟聯苯、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、4,4'-氧基雙(2,3,5,6-四氟苯胺)、3,3'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯、4,4'-二胺基-2,2'-雙(三氟甲基)二苯醚、1,4-雙[4-胺基-2-(三氟甲基)苯氧基]苯、2,2-雙[4-[4-胺基-2-(三氟甲基)苯氧基]六氟丙烷、3,5-二胺基三氟化苯、4,4-二胺基-2-(三氟甲基)二苯醚等含氟原子之氟系二胺；4-胺基苯甲酸4-胺基苯基酯、對苯二甲酸雙(4-胺基苯基)酯等含酯鍵之二胺等。該等可單獨地使用，亦可混合2種以上來使用。
關於作為二胺成分之二胺化合物，較佳為4,4'-二胺基二苯醚、2,2'-二甲基聯苯胺、4,4'-二胺基二苯甲烷、4,4'-二胺基-1,2-二苯乙烷、對苯二胺(PPD)、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷，更佳為對苯二胺(PPD)。
本發明之聚醯亞胺前驅物包含含有酸性基之基作為上述通式(1)中之X 1所表示之基、上述通式(1)中之Y 1所表示之基、及末端基中之至少一部分，且酸性基之含有度為15×10 -3以上。酸性基之含有度較佳為16×10 -3以上，更佳為18×10 -3以上，進而較佳為20×10 -3以上。藉由以上述含有度含有酸性基，從而可使得由本發明之聚醯亞胺前驅物所獲得之聚醯亞胺膜含有規定量之酸性基，藉此，可延長帶電半衰期，又，可將120秒後之帶電衰減率抑制得較低，如此一來，可有助於抑制充電，進而，可實現較高之密接性。再者，帶電半衰期及120秒後之帶電衰減率可藉由依據JIS L 1094A之帶電半衰期測定進行測定。
酸性基之含有度可由以下之式求出。 酸性基之含有度＝{(用於聚醯亞胺前驅物之形成之含酸性基之單體之莫耳數)×(含酸性基之單體之每1分子之酸性基數)}÷(形成聚醯亞胺前驅物之全部單體之莫耳數) 此處，於使用每1分子之酸性基數不同之複數種含酸性基之單體之情形時，只要按照其等之使用比率，根據上述式，算出酸性基之含有度並使用即可。又，關於四羧酸，假定1分子中之酸性基中，4個羧酸在聚合時與二胺進行反應，形成聚醯亞胺時不以酸性基之形式殘留，作為計算酸性基量之情形時之酸性基數，係使用自四羧酸1分子中之酸性基數(包含酸酐基)減去4而得之數來進行計算。即，基於無助於醯亞胺鍵生成之游離羧基之數量，算出酸性基之含有度。例如，3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐僅具有4個羧基，且4個羧基均有助於醯亞胺鍵生成，因此上述酸性基之含有度之計算中，酸性基數為零。又，苯六甲酸有時混合存在不具有酐基之狀態、或具有1個酐基之狀態、進而具有2個酐基之狀態，但另一方面，通常而言，構成苯六甲酸之6個羧基中，4個用於醯亞胺鍵之形成，在形成聚醯亞胺前驅物、或聚醯亞胺膜後，游離羧基變為2個，因此關於苯六甲酸，只要將作為酸性基之羧基之數量作為2個來計算酸性基之含有度即可。
作為酸性基，並無特別限定，可例舉：羧基(-COOH)、磺酸基(-SO 3H)、膦酸基(-PO 3H 2)等，該等之中，基於能夠進一步延長帶電半衰期，且能夠將120秒後之帶電衰減率抑制得更加低，藉此使充電之抑制效果更加高而言，較佳為羧基、磺酸基。再者，此處，作為酸性基，亦可為藉由水解而產生不發生酯化等之酸性基者。
作為使上述通式(1)中之X 1所表示之基包含含有酸性基之基之方法，並無特別限定，例如可例舉：使用特定之四羧酸化合物作為四羧酸成分中之至少一部分之方法。作為此種特定之四羧酸化合物，可例舉除了具有構成上述通式(1)中之-COOR 1、-COOR 2、及2個醯胺鍵(-CONH-)之羧基以外，還具有羧基等酸性基之化合物(以下，稱為具有酸性基之四羧酸化合物)。即，具有酸性基之四羧酸化合物係除了有助於醯亞胺化反應之四羧酸結構以外，還含有無助於醯亞胺化反應之酸性基之化合物。
關於具有酸性基之四羧酸化合物之具體例，作為具有羧基作為酸性基之化合物，例如可例舉：苯六甲酸、苯六甲酸酐、苯六甲酸甲酯、苯六甲酸二甲酯、苯六甲酸三甲酯、苯六甲酸乙酯、苯六甲酸二乙酯、苯六甲酸三乙酯、苯六甲酸丙酯、苯六甲酸二丙酯、苯六甲酸三丙酯、苯六甲酸丁酯、苯六甲酸二丁酯、苯六甲酸三丁酯、苯六甲酸苯酯、苯六甲酸二苯酯、苯六甲酸三苯酯等。該等可單獨地使用，亦可混合2種以上來使用。該等之中，較佳為苯六甲酸、苯六甲酸酐。
上述具有酸性基之四羧酸化合物之使用量只要根據聚醯亞胺前驅物中所含有之酸性基之量適當地進行選擇即可，四羧酸成分之總量100莫耳%中，較佳為1莫耳%以上，更佳為2莫耳%以上，且較佳為70莫耳%以下，更佳為60莫耳%以下，進而較佳為50莫耳%以下，進而更佳為10莫耳%以下，特佳為6莫耳%以下。
又，作為使上述通式(1)中之Y 1所表示之基包含含有酸性基之基之方法，並無特別限定，例如可例舉：使用含酸性基之二胺化合物作為二胺成分中之至少一部分之方法。作為此種含酸性基之二胺化合物，只要為除了具有二胺結構以外還具有羧基等酸性基之化合物即可，作為具有羧基作為酸性基之化合物，例如可例舉：3,5-二胺基苯甲酸(3,5-DABA)、5,5'-亞甲基雙(2-胺基苯甲酸)、3,3'-二胺基-4,4'-二羧基聯苯、4,4'-二胺基-3,3'-二羧基二苯甲烷、3,3'-二胺基-4,4'-二羧基二苯甲烷、2,2-雙[4-(4-胺基-3-羧基苯基)苯基]丙烷等。又，作為具有磺酸基作為酸性基之化合物，可例舉：1,4-苯二胺-2-磺酸、1,3-苯二胺-2-磺酸、3,5-二胺基-2,4,6-三甲基苯磺酸、及4,4'-二胺基二苯乙烯-2,2'-二磺酸、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯-3,3'-二磺酸等。該等可單獨地使用，亦可混合2種以上來使用。該等之中，作為具有羧基作為酸性基之化合物，較佳為3,5-二胺基苯甲酸(3,5-DABA)，作為具有磺酸基作為酸性基之化合物，較佳為1,4-苯二胺-2-磺酸、1,3-苯二胺-2-磺酸。
上述含酸性基之二胺化合物之使用量只要根據聚醯亞胺前驅物中所含有之酸性基之量適當地進行選擇即可，二胺成分之總量100莫耳%中，較佳為2莫耳%以上，更佳為3莫耳%以上，進而較佳為4莫耳%以上，且較佳為70莫耳%以下，更佳為60莫耳%以下，進而較佳為50莫耳%以下，進而更佳為10莫耳%以下，特佳為6莫耳%以下。
或者，作為使末端基包含含有酸性基之基之方法，並無特別限定，例如可例舉：將四羧酸成分中之一部分替換為具有酸性基之二羧酸化合物、或具有酸性基之二羧酸酐化合物之方法。具有酸性基之二羧酸化合物係除了包含有助於醯亞胺化反應之二羧酸結構以外，還具有除了構成二羧酸結構之羧基以外之無助於醯亞胺化反應之酸性基之化合物。又，具有酸性基之二羧酸酐化合物係除了包含有助於醯亞胺化反應之二羧酸酐結構以外，還具有除了構成二羧酸酐結構之羧基以外之無助於醯亞胺化反應之酸性基之化合物。
關於具有酸性基之二羧酸化合物、或具有酸性基之二羧酸酐化合物，作為具有羧基作為酸性基之化合物，例如可例舉：偏苯三甲酸、偏苯三甲酸酐、1,2,3-苯三甲酸、1,2,3-苯三甲酸酐等。又，作為具有磺酸基作為酸性基之化合物，可例舉：3-磺基鄰苯二甲酸、4-磺基鄰苯二甲酸、3-磺基鄰苯二甲酸酐、4-磺基鄰苯二甲酸酐等。該等可單獨地使用，亦可混合2種以上來使用。該等之中，較佳為具有羧基作為酸性基之化合物，且較佳為偏苯三甲酸酐。
上述具有酸性基之二羧酸化合物、或具有酸性基之二羧酸酐化合物之使用量只要根據聚醯亞胺前驅物中所含有之酸性基之量，適當地進行選擇即可，四羧酸成分、具有酸性基之二羧酸化合物、及具有酸性基之二羧酸酐化合物之合計100莫耳%中，以四羧酸換算來計，較佳為1莫耳%以上，更佳為1.5莫耳%以上，進而較佳為2莫耳%以上，且較佳為35莫耳%以下，更佳為30莫耳%以下，進而較佳為25莫耳%以下，特佳為5莫耳%以下；又，以化合物換算來計，較佳為2莫耳%以上，更佳為3莫耳%以上，進而較佳為4莫耳%以上，且較佳為70莫耳%以下，更佳為60莫耳%以下，進而較佳為50莫耳%以下，進而更佳為10莫耳%以下，特佳為6莫耳%以下。再者，由於具有酸性基之二羧酸化合物、具有酸性基之二羧酸酐化合物係包含二羧酸結構而非四羧酸結構作為有助於醯亞胺化反應之結構者，因此以四羧酸換算來計之添加量通常為以化合物換算來計之添加量之一半。
又，作為上述通式(1)中之Y 1所表示之基，亦可包含下述通式(2)所表示之基。 [化3] (上述通式(2)中，R 3、R 4、R 5、R 6彼此獨立地為氫原子、可具有取代基之碳數1～12之烷基、或可具有取代基之碳數6～12之芳基)。
藉由含有上述通式(2)所表示之基，從而可進一步延長帶電半衰期，且可將120秒後之帶電衰減率抑制得更加低，如此一來，可進一步提高充電之抑制效果。
作為含有上述通式(2)所表示之基作為上述通式(1)中之Y 1所表示之基之方法，例如可例舉使用下述通式(3)所表示之包含三𠯤結構之二胺化合物作為二胺成分中之至少一部分之方法。
[化4] (上述通式(3)中，R 3、R 4、R 5、R 6與上述通式(2)相同)
上述通式(2)、上述通式(3)中，R 3、R 4、R 5彼此獨立地為氫原子、可具有取代基之碳數1～12之烷基、或可具有取代基之碳數6～12之芳基，較佳為氫原子、不具有取代基之碳數1～12之烷基、或不具有取代基之碳數6～12之芳基，更佳為氫原子、或不具有取代基之碳數1～4之烷基，進而較佳為氫原子。
又，上述通式(2)、上述通式(3)中，R 6為氫原子、可具有取代基之碳數1～12之烷基、或可具有取代基之碳數6～12之芳基，較佳為氫原子、不具有取代基之碳數1～12之烷基、或不具有取代基之碳數6～12之芳基，更佳為氫原子、或不具有取代基之碳數6～12之芳基，進而較佳為苯基。
作為上述通式(3)所表示之包含三𠯤結構之二胺化合物之具體例，可例舉：2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-苯胺基-1,3,5-三𠯤(p-ATDA)、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-苄基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-萘基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-聯苯基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-二苯基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-二苄基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-二萘基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-N-甲基苯胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-N-甲基萘基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-甲基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-乙基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-二甲基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-二乙基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-二丁基胺基-1,3,5-三𠯤、2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-胺基-1,3,5-三𠯤等。該等可單獨地使用，亦可混合2種以上來使用。該等之中，較佳為2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-苯胺基-1,3,5-三𠯤(p-ATDA)，藉由使用2,4-雙(3-胺基苯胺基)-6-苯胺基-1,3,5-三𠯤(p-ATDA)，從而可導入下述式(4)所表示之基作為上述通式(1)中之Y 1。 [化5]
作為上述通式(3)所表示之包含三𠯤結構之二胺化合物之使用量，於二胺成分之總量100莫耳%中，較佳為50～100莫耳%，更佳為70～100莫耳%，進而較佳為90～100莫耳%。即，Y 1所表示之基100莫耳%中之包含上述通式(2)所表示之基之結構單元之比率較佳為50～100莫耳%，更佳為70～100莫耳%，進而較佳為90～100莫耳%。
本發明之聚醯亞胺前驅物例如可使用先前公知之方法簡單地進行製備。作為本發明之聚醯亞胺前驅物之製備方法，並無特別限定，例如，使大致相等莫耳之四羧酸成分與二胺成分於溶劑中以不進行醯亞胺化反應、或不會過度地進行醯亞胺化反應之方式，於100℃以下、較佳為80℃以下之相對低溫下進行反應，從而能夠以溶解於溶劑中之狀態、即聚醯亞胺前驅物溶液之狀態獲得聚醯亞胺前驅物。再者，如此獲得之聚醯亞胺前驅物溶液中除了包含作為聚醯亞胺前驅物之聚醯胺酸以外，還可包含進行醯亞胺化反應而形成之一部分或全部經醯亞胺化之聚醯亞胺前驅物或聚醯亞胺。
獲得本發明之聚醯亞胺前驅物時之聚合溫度較佳為25℃以上100℃以下，更佳為40℃以上80℃以下，進而較佳為50℃以上80℃以下。聚合時間較佳為0.1小時以上24小時以下，更佳為2小時以上12小時以下。藉由使聚合溫度及聚合時間為上述範圍內，從而能夠以高生產效率容易地獲得高分子量之聚醯亞胺前驅物。聚合亦可於空氣氛圍下進行，但通常適宜於惰性氣體、較佳為氮氣氛圍下進行。大致相等莫耳之四羧酸成分與二胺成分具體而言係指以其等之莫耳比[全部四羧酸成分/全部二胺成分]計為0.90以上1.10以下，較佳為0.95以上1.05以下，進而較佳為超過0.98且1.04以下，進而更佳為超過0.98且1.03以下。再者，於本說明書中，所謂「大致相等莫耳」係指上述莫耳比為超過0.99～1.01之範圍，所謂「相等莫耳」係指莫耳比1.00之有效數字。
使四羧酸成分與二胺成分進行反應時，通常可適宜地採用如下方法：將二胺成分添加於填充有溶劑之聚合裝置中，在確認二胺成分溶解後添加四羧酸成分。
作為使四羧酸成分與二胺成分進行反應時所使用之溶劑，只要能夠使聚醯亞胺前驅物聚合，且能夠使聚醯亞胺前驅物溶解，則可為任意溶劑，可為水溶劑、或有機溶劑之任一種。溶劑可為2種以上之混合物，亦可使用2種以上之有機溶劑之混合溶劑、或水與1種以上之有機溶劑之混合溶劑。作為有機溶劑，並無特別限定，例如可例舉：N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、N-甲基己內醯胺、六甲基磷醯三胺、1,2-二甲氧基乙烷、雙(2-甲氧基乙基)醚、1,2-雙(2-甲氧基乙氧基)乙烷、四氫呋喃、雙[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]醚、1,4-二㗁烷、二甲基亞碸、二甲基碸、二苯醚、環丁碸、二苯基碸、四甲基脲、苯甲醚、間甲酚、苯酚、γ-丁內酯等。再者，本發明中，可將使聚醯亞胺前驅物聚合時所使用之溶劑直接用作製造顯示器基板用聚醯亞胺膜時之聚醯亞胺前驅物溶液之溶劑。
聚醯亞胺前驅物溶液並無特別限定，聚醯亞胺前驅物之固形物成分濃度相對於聚醯亞胺前驅物與溶劑之合計量，較佳為5質量%以上45質量%以下，更佳為5質量%以上40質量%以下，進而較佳為超過10質量%且30質量%以下。若固形物成分濃度低於5質量%，則使膜之厚度變厚有時要花費功夫，若高於45質量%，則溶液黏度有時變得過高，有時需要特殊之膜製造裝置。
又，聚醯亞胺前驅物溶液於30℃下之溶液黏度並無限定，就操作方面而言，適宜為：較佳為1000 Pa・sec以下，更佳為0.5 Pa・sec以上500 Pa・sec以下，進而較佳為1 Pa・sec以上300 Pa・sec以下，特佳為2 Pa・sec以上200 Pa・sec以下。
聚醯亞胺前驅物溶液中亦可視需要加入公知之添加劑，如：胺化合物、脫水劑等促進醯亞胺化反應之添加劑、含磷有機化合物、上述填充材、界面活性劑、矽烷偶合劑、調平材等。
作為胺化合物，可例舉：經取代或未經取代之含氮雜環化合物、該含氮雜環化合物之N-氧化物化合物、經取代或未經取代之胺基酸化合物、具有羥基之芳香族烴化合物或芳香族雜環狀化合物等。作為醯亞胺化觸媒之具體例，可例舉：1,2-二甲基咪唑、N-甲基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、5-甲基苯并咪唑、N-苄基-2-甲基咪唑等咪唑衍生物、或異喹啉、3,5-二甲基吡啶、3,4-二甲基吡啶、2,5-二甲基吡啶、2,4-二甲基吡啶、4-正丙基吡啶等經取代之吡啶衍生物等。醯亞胺化觸媒之使用量相對於聚醯胺前驅物之醯胺酸單元，較佳為0.01倍當量以上2倍當量以下，尤其是0.02倍當量以上1倍當量以下。藉由使用醯亞胺化觸媒，從而有提高所獲得之聚醯亞胺膜之物性、尤其是伸長率或斷裂阻力之情況。
作為其他胺化合物，可例舉：三甲胺、三伸乙基二胺等脂肪族三級胺；二甲基苯胺等芳香族三級胺；及異喹啉、吡啶、α-甲基吡啶、β-甲基吡啶等雜環三級胺等，該等可視需要進行添加。
作為脫水劑，可例舉：乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐等脂肪族羧酸酐；及苯甲酸酐等芳香族羧酸酐等。
作為含磷有機化合物，例如可例舉：磷酸單己醯酯、磷酸單辛酯、磷酸單月桂酯、磷酸單肉豆蔻酯、磷酸單鯨蠟酯、磷酸單硬脂酯、三乙二醇單十三烷基醚之磷酸單酯、四乙二醇單月桂醚之磷酸單酯、二乙二醇單硬脂醚之磷酸單酯、磷酸二己醯酯、磷酸二辛酯、磷酸二癸醯酯、磷酸二月桂酯、磷酸二肉豆蔻酯、磷酸二鯨蠟酯、磷酸二硬脂酯、四乙二醇單新戊醚之磷酸二酯、三乙二醇單十三烷基醚之磷酸二酯、四乙二醇單月桂醚之磷酸二酯、二乙二醇單硬脂醚之磷酸二酯等磷酸酯、或該等磷酸酯之胺鹽。作為胺，可例舉：氨、單甲胺、單乙胺、單丙胺、單丁胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、二丁胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等。
＜顯示器基板用聚醯亞胺膜＞ 本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜係使用上述顯示器基板用聚醯亞胺前驅物而獲得者。
本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜例如可使用上述聚醯亞胺前驅物溶液(含有本發明之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物之溶液，亦稱為「顯示器基板形成液」)，利用公知之方法進行製造。
本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜例如可利用如下方法進行製造：將聚醯亞胺前驅物溶液塗佈於支持體上，使其乾燥而獲得支持體與聚醯亞胺前驅物膜之積層體，對該積層體進行化學醯亞胺化/或熱醯亞胺化之方法；將聚醯亞胺前驅物溶液塗佈於支持體上，使其乾燥而獲得支持體與聚醯亞胺前驅物膜之積層體，對該積層體進行化學醯亞胺化/或熱醯亞胺化後，將聚醯亞胺膜自支持體剝離之方法；或者，將聚醯亞胺前驅物溶液塗佈於支持體上，使其乾燥後，將聚醯亞胺前驅物膜自支持體剝離而獲得自持性膜後，使該自持性膜固定，進行化學醯亞胺化/或熱醯亞胺化之方法。
將聚醯亞胺前驅物溶液塗佈於支持體之方法若為可形成所需塗佈膜之方法，則並無特別限定，例如可適宜地使用旋轉塗佈法、網版印刷法、棒式塗佈法、電沈積法、流延法、擠出成形法等公知之方法。考慮到其後之乾燥、加熱等形成聚醯亞胺膜之前之步驟，例如，塗佈膜之厚度形成為1 μm～500 μm左右即可。
乾燥條件並無特別限定，乾燥溫度例如可為20℃以上200℃以下，較佳為室溫(25℃)以上180℃以下，更佳為30℃以上150℃以下之溫度範圍。乾燥時間係根據加熱溫度而有所不同，例如為1分鐘以上60分鐘以下、較佳為30分鐘以下、20分鐘以下即可。加熱方法為熱風、紅外線等，該方法並無特別限定，且可進行複數次，亦可一面階段性地升溫一面進行加熱。其乾燥條件例如考慮真空、氮氣等惰性氣體、或空氣等氣氛等條件下之聚醯亞胺膜之特性來進行選擇即可。
關於塗佈聚醯亞胺前驅物溶液之支持體，只要可塗佈聚醯亞胺前驅物溶液，且不會對其後之藉由乾燥之聚醯亞胺前驅物膜之形成、及加熱、化學醯亞胺化/或熱醯亞胺化反應產生影響，則並無特別限制，較佳為使用玻璃、金屬、塑膠基板等。
本發明中，化學醯亞胺化/或熱醯亞胺化可藉由加熱處理來進行。若以熱醯亞胺化為例進行說明，則加熱處理中之最高加熱溫度通常為300℃以上，較佳為350℃以上，更佳為450℃以上，進而較佳為470℃以上。關於加熱處理溫度之上限，只要為不會使聚醯亞胺膜之特性下降之溫度即可，較佳為600℃以下，更佳為550℃以下，進而較佳為520℃以下。再者，加熱處理可於空氣氛圍下進行，通常適宜於惰性氣體、較佳為氮氣之氛圍下進行。化學醯亞胺化係根據化學醯亞胺化觸媒等添加劑之種類而有所不同，可應用相比於熱醯亞胺化而言更加溫和之加熱處理之條件。例如，通常於100℃以上，較佳為120℃以上，更佳為150℃以上，進而較佳為200℃以上，且通常於360℃以下，較佳為300℃以下，更佳為250℃以下，進而較佳為220℃以下之溫度範圍內進行加熱處理即可。
化學醯亞胺化/或熱醯亞胺化之加熱處理亦可階段性地進行。例如，較佳為於100℃～170℃之相對較低之溫度下進行約0.5～30分鐘之第一次加熱處理，繼而於超過170℃且220℃以下之溫度下進行約0.5～30分鐘之第二次加熱處理，其後於超過220℃且未達350℃之高溫下進行約0.5～30分鐘之第三次加熱處理，進而可於350℃以上至最高加熱溫度進行第四次高溫加熱處理。加熱處理較佳為連續地進行。例如，較佳為於100℃～170℃之相對較低之溫度至最高加熱溫度進行加熱處理。升溫速度並無特別限制，較佳為1℃/分鐘以上30℃/分鐘以下，特佳為2℃/分鐘以上20℃/分鐘以下。若為上述範圍，則可抑制因急速升溫所產生之發泡，故較佳。
由於本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜係使用上述顯示器基板用聚醯亞胺前驅物而獲得者，因此其帶電半衰期較長，藉由帶電半衰期測定所獲得之120秒後之帶電衰減率較低，可有助於抑制充電，並且可實現較高之密接性。
具體而言，藉由依據JIS L 1094A之帶電半衰期測定所獲得之該帶電半衰期較佳為48秒以上，更佳為50秒以上，進而較佳為52秒以上。藉由帶電半衰期測定所獲得之帶電半衰期係對本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜進行電暈放電使聚醯亞胺膜帶電後，至帶電量變為一半為止之時間。
帶電半衰期之測定例如可如下述進行。即，藉由對本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜依據JIS L 1094A進行電暈放電使其帶電，而進行帶電半衰期測定，藉此可測定帶電半衰期。
又，本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜之藉由依據JIS L 1094A之帶電半衰期測定所獲得之120秒後之帶電衰減率較佳為63%以下，更佳為61%以下。又，120秒後之帶電衰減率之下限較佳為30%以上。藉由帶電半衰期測定所獲得之120秒後之帶電衰減率係對本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜進行電暈放電使聚醯亞胺膜帶電後，經過120秒後之帶電量之減少量相對於剛帶電後之帶電量之比率。即，係由120秒後之帶電衰減率(%)＝{(剛帶電後之帶電量－經過120秒後之帶電量)÷剛帶電後之帶電量}×100算出。
120秒後之帶電衰減率之測定例如可如下述進行。即，對本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜，依據JIS L 1094A進行電暈放電使其帶電，測定剛帶電後之帶電量、及經過120秒後之帶電量，此時，亦可同時進行帶電半衰期之測定。
又，本發明中，就更加合適地抑制充電這一觀點而言，當用於顯示器基板用途時，較佳為相對於形成積層於顯示器基板用聚醯亞胺膜之作為阻氣層之無機層之無機材料而言，帶電半衰期、或120秒後之帶電衰減率顯示出相近之值。尤其是，作為形成無機層之無機材料，適宜使用SiO x，由於SiO x等無機材料之帶電半衰期相對較長，且120秒後之帶電衰減率相對較小，因此如上所述藉由使顯示器基板用聚醯亞胺膜之帶電半衰期更長，且120秒後之帶電衰減率更低，從而可更加接近於SiO x等無機材料之帶電半衰期、或120秒後之帶電衰減率，如此一來，可更加合適地抑制充電。再者，形成無機層之無機材料之帶電半衰期、及120秒後之帶電衰減率係同上所述，可藉由依據JIS L 1094A之帶電半衰期測定、及120秒後之帶電衰減率之測定而求出。
又，本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜之90度剝離強度較佳為15 mN/mm以上，更佳為20 mN/mm以上。90度剝離強度可藉由如下方式進行測定，即，使本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜成膜於玻璃之表面後，對製得之聚醯亞胺膜進行90度剝離試驗。
＜顯示器基板＞ 本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜適宜用於顯示器、觸控面板等顯示器基板。
顯示器基板例如以如下方式形成。即，首先，利用濺鍍、蒸鍍或凝膠-溶膠法等，於本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜表面形成作為阻隔水蒸氣、氧氣等氣體之層之無機阻氣層。無機阻氣層例如係由SiO x等形成。接下來，藉由於無機阻氣層上形成導電性物質(金屬或金屬氧化物、導電性有機物、導電性碳等)之導電層，從而可製成顯示器基板。導電層係利用光微影法或各種印刷法、噴墨法等方法，形成為規定之電路圖案。其後，亦可追加形成用於構成顯示器之元件或半導體等構件。
本發明之顯示器基板亦可經過如下步驟來進行製造，即，於使用本發明之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物而獲得之聚醯亞胺膜之表面形成無機阻氣層，於其上以電路圖案狀形成導電層後，將表面形成有無機阻氣層及導電層之聚醯亞胺膜自支持體剝離。剝離方法並無特別限制，例如可藉由自支持體側照射雷射等使其剝離之雷射剝離、及機械地剝離之機械剝離等來實施。
如此獲得之本發明之顯示器基板係於使用本發明之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物而獲得之顯示器基板用聚醯亞胺膜之表面形成無機阻氣層，於其上以電路圖案狀形成導電層而成。並且，本發明之顯示器基板具備使用本發明之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物而獲得之顯示器基板用聚醯亞胺膜，且本發明之顯示器基板用聚醯亞胺膜之帶電半衰期較長，因此有助於聚醯亞胺膜與無機阻氣層之界面處之電荷蓄積之消除，如此一來，有助於抑制充電。 [實施例]
以下，藉由實施例、比較例、及參考例，對本發明進一步具體地進行說明，但本發明並不受該等所限定。
對以下之例中所使用之測定方法進行說明。
[酸性基之含有度] 首先，作為聚醯亞胺膜中所含有之總酸性基量，對酸二酐、二胺、四羧酸、封端劑之各原料，根據以下之式算出所含有之酸性基量。其中，關於四羧酸，假定1分子中之酸性基之中，4個羧酸在聚合時與二胺進行反應，製膜時不以酸性基之形式殘留，作為計算酸性基量之情形時之酸性基數，係使用自四羧酸1分子中之酸性基數(包含酸酐基)減去4而得之數來進行計算。 原料中所含有之酸性基量(mol)＝原料之物質量(mol)×(原料1分子中之酸性基數) 接下來，將去除觸媒後之酸二酐、二胺、四羧酸、封端劑之總莫耳數設為單體之總添加量(mol)，根據以下之式算出聚醯亞胺膜中所含有之酸性基(-COOH基、-SO 3H基)之含有度。 膜中所含有之酸性基之含有度＝原料中所含有之酸性基量之總和(mol)/單體之總添加量(mol)
[藉由帶電半衰期測定所獲得之帶電半衰期、120秒後之帶電衰減率] 將聚醯亞胺膜切割成縱橫分別55 mm而製得試片。對該試片，依據JIS L 1094A，於23±2℃、50%RH之環境下，以施加電圧：-10 kV、施加時間30 s、最大測定時間120 s之條件，使用SHISHIDO ELECTROSTATIC(股)製造之Static Honestmeter，根據電暈荷電方式進行帶電半衰期測定，藉此測定帶電半衰期、及120秒後之帶電衰減率。
[90度剝離強度] 90度剝離強度係根據以下之方法進行測定。將成膜有聚醯亞胺膜之玻璃板切割成寬度25 mm而製得試片。對該試片進行用於固定試片之尾接後，將試片固定於Tensilon RTF-1350之剝離試驗測定用夾具中，並使用拉伸試驗機，以50 mm/min之速度剝離50 mm以上，測定此時之負載。將剝離負載除以試片之剝離寬度(mm)，將所得之值作為90度剝離強度。
以下實施例中所使用之化合物之簡稱係如下所述。 s-BPDA：3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐 PPD：對苯二胺 3,5-DABA：3,5-二胺基苯甲酸 MPD：間苯二胺 HAB：3,3'-二羥基聯苯胺 DATP：4,4''-二胺基對聯三苯
[實施例1] 於具備攪拌機、及氮氣導入管之反應容器中投入NMP(N-甲基吡咯啶酮)34.4734 g、PPD 1.4340 g、及3,5-DABA 0.0842 g，於氮氣氛圍、50℃下攪拌30分鐘後，添加s-BPDA 3.9820 g進行反應，獲得聚醯亞胺前驅物溶液(聚醯胺酸溶液)。此時，s-BPDA：PPD：3,5-DABA(莫耳比)＝100：96：4。 接下來，將合成例中所製得之聚醯胺酸溶液旋轉塗佈於無鹼玻璃晶圓上，並分別於120℃、150℃、200℃、250℃下加熱10分鐘，於450℃下加熱5分鐘，來進行溶劑之除去與醯亞胺化，獲得厚度10 μm之聚醯亞胺膜。將各評價結果示於表1中。
[實施例2] 將二胺成分及四羧酸成分之使用量設為s-BPDA：偏苯三甲酸酐：PPD(莫耳比)＝98：4：100，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得聚醯亞胺前驅物溶液，接下來，藉由進行溶劑之去除、醯亞胺化等，從而獲得聚醯亞胺膜。將各評價結果示於表1中。
[實施例3] 將二胺成分及四羧酸成分之使用量設為s-BPDA：苯六甲酸：PPD(莫耳比)＝98：2：100，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得聚醯亞胺前驅物溶液，接下來，藉由進行溶劑之去除、醯亞胺化等，從而獲得聚醯亞胺膜。將各評價結果示於表1中。 再者，關於實施例3中所使用之苯六甲酸，作為與四羧酸成分相同地進行反應而最終殘留於膜之酸性基，假定自作為苯六甲酸之酸性基數之6個羧酸去掉四羧酸成分之4個羧酸後成為2個羧酸，關於計算酸性基之含有度時之(原料每1分子之酸性基數)，使用2來進行計算。
[實施例4] 將二胺成分及四羧酸成分之使用量設為s-BPDA：PPD：1,4-苯二胺-2-磺酸(莫耳比)＝100：96：4，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得聚醯亞胺前驅物溶液，接下來，藉由進行溶劑之去除、醯亞胺化等，從而獲得聚醯亞胺膜。將各評價結果示於表1中。
[比較例1] 將二胺成分及四羧酸成分之使用量設為s-BPDA：PPD＝100：100，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得聚醯亞胺前驅物溶液，接下來，藉由進行溶劑之去除、醯亞胺化等，從而獲得聚醯亞胺膜。將各評價結果示於表1中。
[比較例2] 將二胺成分及四羧酸成分之使用量設為s-BPDA：PPD：MPD＝100：96：4，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得聚醯亞胺前驅物溶液，接下來，藉由進行溶劑之去除、醯亞胺化等，從而獲得聚醯亞胺膜。將各評價結果示於表1中。
[比較例3] 將二胺成分及四羧酸成分之使用量設為s-BPDA：PPD：HAB＝100：96：4，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得聚醯亞胺前驅物溶液，接下來，藉由進行溶劑之去除、醯亞胺化等，從而獲得聚醯亞胺膜。將各評價結果示於表1中。
[比較例4] 將二胺成分及四羧酸成分之使用量設為s-BPDA：DATP＝100：100，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，獲得聚醯亞胺前驅物溶液，接下來，藉由進行溶劑之去除、醯亞胺化等，從而獲得聚醯亞胺膜。將各評價結果示於表1中。
[表1]
表1
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
聚醯亞胺組成(莫耳比) s-BPDA 100 98 98 100 100 100 100 100
偏苯三甲酸酐    4                  
苯六甲酸       2               
PPD 96 100 100 96 100 96 98   
3,5-DABA 4                     
1,4-苯二胺-2-磺酸          4            
MPD                4      
HAB                   2   
DATP                      100
評價結果 聚醯亞胺中之酸性基含有度(×10 -3) 20 COOH 20 COOH 20 COOH 20 SO 3H 0 0 0 0
藉由帶電半衰期測定所獲得之帶電半衰期(s) 55.3 68.4 ＞120 ＞120 46.7 26.8 30.3 15.6
藉由帶電半衰期測定所獲得之120秒後之衰減率(%) 61 58 38 46 64 71 70 77
如表1所示，藉由使聚醯亞胺前驅物中以規定之比率含有酸性基，從而可獲得帶電半衰期為48秒以上及120秒後之帶電衰減率為63%以下之聚醯亞胺膜，由於如此獲得之聚醯亞胺膜之帶電半衰期較長，且120秒後之帶電衰減率較低，因此藉由將其用作顯示器基板用之聚醯亞胺膜，可有助於抑制充電(實施例1～4)。又，關於90°剝離強度，結果實施例1中之剝離強度為25 mN/mm，亦高於比較例1中之剝離強度13 mN/mm，實施例2中，確認了為設置於剝離強度測定用夾具而進行之膜之剝離作業越困難，則密接性越高。 [產業上之可利用性]
本發明之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物適宜用於顯示器基板。

Claims (8)

  1. 一種顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其係具有下述通式(1)所表示之結構單元者，且包含含有酸性基之基作為上述通式(1)中之X 1所表示之基、上述通式(1)中之Y 1所表示之基、及末端基中之至少一部分， 上述酸性基之含有度為15×10 -3以上； [化6] (上述通式(1)中，X 1為4價芳香族基或脂肪族基，Y 1為2價芳香族基，R 1、R 2彼此獨立地為氫原子、碳數1～6之烷基、或碳數3～9之烷基矽烷基)。
  2. 如請求項1之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其中上述含有酸性基之基係選自含有羧基之基、及含有磺酸基之基中之至少一種。
  3. 如請求項2之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其中上述含有羧基之基係源自選自3,5-二胺基苯甲酸、5,5'-亞甲基雙(2-胺基苯甲酸) 、苯六甲酸及苯六甲酸酐、以及偏苯三甲酸酐中之至少一種化合物之基。
  4. 如請求項3之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其中上述含有羧基之基係源自選自3,5-二胺基苯甲酸、苯六甲酸及苯六甲酸酐、以及偏苯三甲酸酐中之至少一種化合物之基。
  5. 如請求項2之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其中上述含有磺酸基之基係源自選自1,4-苯二胺-2-磺酸、1,3-苯二胺-4-磺酸、3,5-二胺基-2,4,6-三甲基苯磺酸、及4,4'-二胺基二苯乙烯-2,2'-二磺酸中之至少一種化合物之基。
  6. 如請求項5之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物，其中上述含有磺酸基之基係源自選自1,4-苯二胺-2-磺酸、及1,3-苯二胺-4-磺酸中之至少一種化合物之基。
  7. 一種顯示器基板用聚醯亞胺膜，其係使用如請求項1至6中任一項之顯示器基板用聚醯亞胺前驅物而獲得者。
  8. 一種顯示器基板，其具備如請求項7之顯示器基板用聚醯亞胺膜。
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