TW202339326A - 具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法 - Google Patents
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Abstract
一種具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，包含：對製作好複數個微發光二極體之一基板進行光學影像掃描與演算並產生一實體虛擬光罩，該實體虛擬光罩定義每個微發光二極體為一像素區；於該基板上形成一負型光阻層，該負型光阻層之厚度大於每個該微發光二極體之厚度；以該實體虛擬光罩，對該負型光阻層進行一雷射直寫曝光程序，並移除定義於每個該像素區之該負型光阻層；及固化未被移除之該負型光阻層以形成一黑矩陣結構。
Description
本發明係關於一種微發光二極體技術，特別關於一種具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法。
手持式行動裝置，包括智慧型手機、平板電腦等，目前都已經內建有數位攝影機，甚至為了辨識人臉的結構光、飛行時間法（TOF）等影像系統，都已為其所採用。然而，為了要採用這些高階的影像感測系統，無論是智慧型手機或者是平板電腦，甚至是筆記型電腦等等，都需要有對應的硬體機構，來讓這些影像系統能夠在發射紅外線或發射光源，以及接收反射之紅外線或接收反射之光源等等，能夠具有不被側向漏光影響。微發光二極體顯示器(Micro Light Emitting Diode Display, μLED)是一種將微發光二極體作為顯示器的光發射元件的新世代顯示器。此技術係將LED薄膜化、微小化、陣列化至單一LED尺寸僅在1~10μm等級，再將μLED批量式移轉至電路基板上，進行表面黏著後，與電路基板上的電極與電晶體、上電極、保護層等共同構成微發光二極體顯示器所需的μLED面板。
μLED具有自發光、低功耗、響應時間快、高亮度、超高對比、廣色域、廣視角、 超輕薄、使用壽命長與適應各種工作溫度的諸多優異特性，相較於 LCD 與 OLED，μLED的技術規格具有壓倒性的優勢。
然而，μLED於晶粒巨量移轉並貼合至含電極的基板10之後，在個別晶粒發光過程中會有側向混光與基板反射的問題，這兩個狀況均可能會導致像素不清晰、對比度降低等問題。因此，先前技術已採取黑矩陣（Black Matrix）的製作，來解決此一技術問題。
然而，在實際量產的過程，晶粒巨量移轉的過程，難免有歪斜或晶粒擺設不均勻的問題，這導致了晶粒巨量移轉過程良率無法提高。因為，若預先製作好黑矩陣，再進行巨量移轉時，若晶粒擺設歪斜時，就必須進行晶粒重新校准。此外，在後續的維修上，亦可能反過來因為黑矩陣的隔絕，而造成更換晶粒不易的問題。
此外，黑矩陣的製作係採用曝光顯影的方法，必須預先準備光罩，當發生巨量移轉過程時的晶粒歪斜問題時，光罩的準確性反而會導致量產良率過低的進一步問題。
因此，如何以提高量產良率、解決可能歪斜的晶粒擺置，進而製作出合適的黑矩陣結構，成為μLED技術發展的一個重要研發方向。
為達上述目的，本發明提供一種具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，運用雷射直寫曝光（Laser Direct Imaging, LDI）與顯影製程來製作μLED之間的黑矩陣層，藉以準確地製作出能填於μLED之間空隙的黑矩陣層，進而解決μLED的製程中的晶粒歪斜、量率不高等技術問題，進而達到高良率、降低製程成本等特殊技術功效。
本發明的目的在提供一種具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，包含：對製作好複數個微發光二極體之一基板進行光學影像掃描與演算並產生一實體虛擬光罩，該實體虛擬光罩定義每個微發光二極體為一像素區；於該基板上形成一負型光阻層，該負型光阻層之厚度大於每個該微發光二極體之厚度；以該實體虛擬光罩，對該負型光阻層進行一雷射直寫曝光程序，並移除定義於每個該像素區之該負型光阻層；及固化未被移除之該負型光阻層以形成一黑矩陣結構。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者瞭解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。
根據本發明的實施例，本發明運用雷射直寫曝光（Laser Direct Imaging）與顯影製程來製作μLED之間的黑矩陣層，藉以準確地製作出能填於μLED之間空隙的黑矩陣層，進而解決μLED的製程中的晶粒歪斜、量率不高等技術問題，進而達到高良率、降低製程成本等特殊技術功效。
請參考第1圖，同時參考第2A-2G圖，本發明的具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法的一實施例之流程圖與各製作階段的剖面示意圖與成品上視圖，其中，本發明的具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法包含：
步驟S101：對製作好複數個微發光二極體像素群之基板進行光學影像掃描與演算並產生一實體虛擬光罩，該實體虛擬光罩定義每個微發光二極體像素群為一個像素區。本發明採用後製程的方式來製作黑矩陣，其目的在於解決μLED於巨量移轉時可能發生的歪斜問題，進而提供黑矩陣製作的良率。其中，實體虛擬光罩的產生方式為光學影像掃描與演算，可透過多種方式來進行，例如，透過高解析度之光學攝影機、雷射或者紅外線等方式進行掃描，再將每個微發光二極體之位置予以定位，最後，製作一微發光二極體的定位影像資訊（包括其歪斜角度等資訊）。由於實體虛擬光罩所代表的定位影像資訊為將已巨量轉移好的微發光二極體的『實際位置與歪斜角度』予以記錄，再透過後續的雷射切割製程來製作的黑矩陣，可完全解決巨量移轉過程所發生的歪斜問題，進而大幅提高微發光二極體的製程良率。
以本步驟來說，先前的技術均為透過固定的光罩來進行曝光、顯影，然後，進行黑矩陣的製作；本發明則反其道而行，完全不預先製作光罩，而採取了本步驟。藉由本步驟的執行，可以掌握已經製作好的微發光二極體像素群之基板10上每個微發光二極體經過巨量移轉的結果。其中微發光二極體像素群的配置如第2E圖所示，第2E圖即為實體虛擬光罩的配置圖。其中，每個像素區包含了基本的RGB像素，分別為第2A圖與第2G圖中的電極層201-3-1、電極層201-3-1、電極層201-3-1，以及形成於其上已完成電連接的微發光二極體301-3-1、微發光二極體301-3-2、微發光二極體301-3-3，其上視圖為第2G圖的狀態（該圖為最終的完成圖）。可以發現，第2G圖為像素區的微發光二極體有歪斜的示意圖，當如此的歪斜情形發生時，本步驟可藉由實際拍攝的照片所製作的實體虛擬光罩來校正光罩。亦即，實體虛擬光罩依據該些微發光二極體之一實體照片進行該像素區之定義，並於該些微發光二極體當中之該微發光二極體發生歪斜時，使後續製作的像素區對應生成一歪斜之像素區。換言之，每個實體虛擬光罩皆為每個晶圓的客制化產品，可以大幅提高黑矩陣的製作良率。並且，由於運用了實體虛擬光罩，所以，可以降低實體光罩的花費，進而降低生產成本。
步驟S102：於具有已製作好對應於該些微發光二極體像素群之基板上形成一負型光阻層，該負型光阻層之厚度大於每個微發光二極體之厚度。如第2B圖所示，可採用旋轉塗佈法或噴塗法來形成負型光阻層30。此外，由於負型光阻層將製作為黑矩陣結構，因此，可選用摻雜黑色顏料的負型光阻材料。
步驟S103：以該實體虛擬光罩，對該負型光阻層進行雷射直寫曝光，並移除定義於該些微發光二極體像素群之像素區之負型光阻層。一般稱此步驟為雷射直寫曝光及顯影步驟，由於所選用的光阻材料為負型光阻，因此，未被曝光的部分，將可被顯影劑清除掉。如第2C圖所示，由於雷射直寫曝光頭50可發射雷射光51，可直接以電腦軟體控制其曝光範圍。換言之，由於實體虛擬光罩為實際上的每片已經製作好微發光二極體像素群的基板10的實際照片（如第2E圖的樣態），因此，雷射直寫曝光頭50可發射雷射光51可直接針對歪斜的部分進行調整，而無須實體的光罩來進行曝光。被曝光的負型光阻層30將會留下來成為本發明所預留下來的黑矩陣結構。
步驟S104：固化未被移除之該負型光阻層以形成一黑矩陣結構；例如，曝光後，以顯影劑移除未被曝光的部分，接著，透過熱固化或光固化的方式來進一步讓負型光阻層30所構成的黑矩陣結構固化為永久材料層，如第2D圖、第2E圖、第2F圖、第2G圖所示。
比較第2F圖與第2G圖可發現，第2F圖中，局部2像素區30-1-1的微發光二極體301-1-1、微發光二極體301-1-2、微發光二極體301-1-3為製作正常，而第2G圖中，局部3像素區30-1-3的微發光二極體301-3-1與微發光二極體301-3-3因巨量移轉時發生了歪斜的現象。而本發明可藉由調整實體虛擬光罩的方式，讓像素區30-1-3的開窗與其他的像素區30-1-1、像素區30-1-2、像素區30-1-4、像素區30-1-5、像素區30-1-6不同；並於步驟S103當中執行，即可製作出如第2G圖的不同像素區30-1-3的開窗結構。
就本發明的另一實施例而言，可以將微發光二極體與黑矩陣層的間距拉大，如平均間距3～15微米（um），即可較大限度地容忍微發光二極體的歪斜，如此，可標準化像素區的結構而不需要微調。並於微發光二極體歪斜程度過大時，再調整像素區的大小尺寸與結構。
本發明中之光阻使用負光阻，但佳地，本發明的光阻層係使用高解析度負型光阻劑。光阻層的材料主要由高分子樹脂（Resin)、感光起始劑(Photo initiator)、單體(Monomer)、溶劑(Solvent)，以及添加劑(Additives)所組成。
其中在光阻層的材料中，高分子樹脂（Resin)的功能在於附著性、顯影性、顏料分散性、流動性、耐熱 性、耐化性、解析能力；感光起始劑(Photo initiator)的功能在於感光特性、解析能力；單體（Monomer)的功能在於附著性、顯影性、解析能力；溶劑（Solvent)的功能在於黏度與塗布性質；添加劑(Additives)的功能則在於塗布性、流平性及起泡性。
高分子樹脂（Resin）可以為含羧酸基（COOH）的聚合物或共聚物，如壓克力 (Acrylic)樹脂、壓克力-環氧（Epoxy）樹脂、壓克力_美耐皿（Melamine，三聚氰胺）樹脂、壓克力-苯乙烯（Styrene）樹脂、苯酚-酚醛（PhenolicAldehyde）樹脂等樹脂，或以上樹脂的任意混合，但不以此為限。樹脂在光阻中的重量百分比範圍可以是3%至30%。
單體可分非水溶性及水溶性單體，其中，非水溶性單體 (water-insolubleMonomer)可以為 戊赤藻糖醇三丙烯酸酯、三甲基醚丙烷三丙烯酸酯、三甲基醚丙烷三甲基丙烯酸酯、三，二-乙醇異氰酸酯 三丙烯酸酯，二，三甲醇丙烷四 丙烯酸酯、二異戊四醇五丙烯酸酯、五丙烯酸酯、四乙酸異戊四醇；六乙酸二己四醇、六乙酸二異戊四醇，或為多官能基單體、樹狀 / 多叢族 丙烯酸酯寡體、多叢蔟聚醚丙烯酸酯、氨甲酸乙酯。水溶性單體(water-soluble monomer)則可為Ethoxylated (聚氧乙烯)（簡稱EO）base和Propoxylated (聚氧丙烯)（簡稱PO)的單體(monomer)；例如為：二- ( 二-氧乙烯氧乙烯)乙烯基丙 烯酸酉旨、十五聚氧乙烯三甲醇丙烷三丙烯酸酯、三十氧乙烯二，二-雙對酚甲烷二丙烯酸酯、三十個氧乙烯二，二-雙對酚甲烷二甲基丙 烯酸酉旨、二十氧乙烯三甲醇丙烷三丙烯酸酯、十五氧乙烯三甲醇丙烷三丙烯酸酯、甲基氧五百五十個氧乙烯單甲基丙烯酸酯、二百氧乙烯二丙烯酸酯、四百氧乙烯二丙烯酸酉旨、四百氧乙烯二甲基丙烯酸酯、六百氧乙烯二丙烯酸酯、六百氧乙烯二甲基丙烯酸酯、聚氧丙烯單甲基丙烯酸酯。當然亦可添加兩種以上單體(monomer)混合成共單體(co-monomer)。單體或共單體在光阻中的重量百分比範圍可以是0.1%至99%。
光起始劑(Photo initiator)，可以選自苯乙酮系化合物(acetophenone)、二苯甲酮(Benzophenone)系化合物或二咪唑系化合物(bis_imidazole)、苯偶姻系化合物(Benzoin)，苯偶酰系化合物(Benzil)、α-氨基酮系化合物(α-amino ketone)、酰基膦氧化物系化合物(Acyl phosphine oxide)或苯甲酰甲酸酯系化合物以上光起始劑任意的混合，但不以此為限。光起始劑在光阻中的重量百分比範圍可以是至0.1至10%。
溶劑(Solvent)可以為乙二醇丙醚(ethylene glycol monopropylether）、二甘醇二甲醚(di-ethylene glycol dimethyl ether)、四氫呋喃、乙二醇甲醚(ethylene glycol monomethyl ether)、乙二醇乙醚(ethyleneglycol monoethyl ether)、二甘醇一甲醚(di-ethylene glycol mono—methylether)、二甘醇一乙醚(di-ethylene glycol mono-ethyl ether) 、二甘醇一丁醚(di-ethylene glycol mono-butyl ether)、丙二醇甲醚醋酸酯(propylene glycol mono-methyl ether acetate)、丙二醇乙醚醋酸酯(propylene glycol mono—ethyl ether acetate)、丙二醇丙醚醋酸酯(propylene glycol mono-propyl ether acetate)、3-乙氧基丙酸乙酯(ethyl3_ethoxy propionate)等，或以上溶劑任意的混合，但不限於此。溶劑在光阻中的重量百分比範圍可以是0.1%至99%。
添加劑一般為顏料分散劑，此為含有顏料的光阻所必需加入的成份，一般為非離子型介面活性劑，舉例如：Solsperse39000，Solsperse21000，此分散劑在光阻中的重量百分比範圍可以是至0.1至5%。
在本發明的步驟S103進行雷射直寫曝光、顯影時，更包含：(1)基板洗淨(Substrate Clean)；(2)塗布(Coating)；(3)軟烤(pre-baking)；(4)曝光(exposure)；(5)顯影(Developing)等加工步驟。
接著，請參考第3圖及第4A-4H圖，本發明的具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法的另一實施例之流程圖與各製作階段的剖面示意圖、成品上視圖，其中，本發明的具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法包含：
步驟S111：對製作好複數個微發光二極體之基板進行光學影像掃描與演算並產生一實體虛擬光罩。藉由本步驟的執行，可以掌握已經製作好的微發光二極體之基板10當中，每個微發光二極體經過巨量移轉的結果。其中，微發光二極體的分配如第4F圖所示，像素依序排列為RGB像素，分別為第4F圖中像素區31-1-1、像素區31-1-2、像素區31-1-3、像素區31-1-4、像素區31-1-5、像素區31-1-6，第4F圖即為實體虛擬光罩的配置圖。其中，電極層201-3-1，以及形成於其上已完成電連接的微發光二極體301-3-1，其上視圖為第4H圖的狀態（該圖式為最終的完成圖）。可以發現，第4H圖為像素區31-1-3中的微發光二極體有歪斜的示意圖，當如此的歪斜情形發生時，本步驟可藉由實際拍攝的照片所製作的實體虛擬光罩來校正光罩。換言之，每個實體虛擬光罩皆為每個晶圓的客制化產品，可以大幅提高黑矩陣的製作良率。並且，由於運用了實體虛擬光罩，所以，可以降低實體光罩的花費，進而降低生產成本。
步驟S112：於具有已製作好對應於該些微發光二極體之基板上形成一負型光阻層，該負型光阻層之厚度大於每個微發光二極體之厚度。如第4B圖所示，可採用旋轉塗佈法或噴塗法來形成負型光阻層30。此外，由於負型光阻層將製作為黑矩陣結構，因此，可選用摻雜黑色顏料的負型光阻材料。
步驟S113：以該實體虛擬光罩，對該負型光阻層進行雷射直寫曝光，並移除覆蓋於該些微發光二極體之負型光阻層。一般稱此步驟為雷射直寫曝光及顯影步驟，由於所選用的光阻材料為負型光阻，因此，未被曝光的部分，將可被顯影劑清除掉。如第4C圖所示，由於雷射直寫曝光頭50可發射雷射光51，可直接以電腦軟體控制其曝光範圍。換言之，由於實體虛擬光罩為實際上的每片已經製作好微發光二極體像素群的基板10的實際照片（如第4F圖的樣態），因此，雷射直寫曝光頭50可發射雷射光51可直接針對歪斜的部分進行調整，而無須實體的光罩來進行曝光。被曝光的負型光阻層30將會留下來成為本發明所預留下來的黑矩陣結構。
步驟S114：固化未被移除之該負型光阻層以形成黑矩陣結構。例如，曝光後，以顯影劑移除未被曝光的部分，接著，透過熱固化或光固化的方式來進一步讓負型光阻層30所構成的黑矩陣結構固化為永久材料層，如第4E圖、第4F圖、第4G圖、第4H圖所示。
比較第4G圖與第4H圖可發現，第4G圖中，局部2像素區31-1-1中的微發光二極體301-1-1為製作正常，而第4H圖中，局部3像素區31-1-3中的微發光二極體301-1-3因巨量移轉時發生了歪斜的現象。而本發明可藉由調整實體虛擬光罩的方式，讓像素區31-1-3的開窗與其他的像素區31-1-1、像素區31-2、像素區31-1-4、像素區31-1-5、像素區31-1-6不同；並於步驟S103當中執行，即可製作出如第4H圖的不同像素區31-1-3的開窗結構。
其中，微發光二極體與光阻擋層之一間距小於3微米，更甚者，小於1微米，包括像素區為歪斜狀態者。由於本發明所採用的技術，此等呈歪斜狀態的光阻擋層，如第4H圖所示者，為本發明的一大技術特色。就本發明的另一實施例而言，可以將微發光二極體與黑矩陣層的間距拉大，如平均間距3～15微米（um），即可較大限度地容忍微發光二極體的歪斜，如此，可標準化像素區的結構而不需要微調。並於微發光二極體歪斜程度過大時，再調整像素區的大小尺寸與結構。
第3圖至第4H圖的實施例，係為每個像素佔據了一個像素區，而第1圖至第2G圖的實施例則不同，其為每三個像素做為一個像素區。然而，兩者的黑矩陣的製作程序基本上相同。
在第3圖至第4H圖的實施例中，由於每個像素佔據了單獨的一個像素區，因此，本發明更可以增加步驟S115與步驟S116的程序，讓每個像素區填入量子點層。茲說明如下：
步驟S115：形成一量子點層於該些微發光二極體上之像素區。如第4E圖所示，在每個像素區中，依據每個像素區中的微發光二極體為紅色（R）或綠色（G）或藍色（B），提供對應的量子點（Quantum Dot，QD），即可提高其發光效率與演色性，讓微發光二極體的整體表現更佳。
步驟S116：固化該量子點層。以真空或加熱方式除去量子點層401-3-1當中的溶劑，最後再用紫外線或熱固化定型。即可完成第4E圖的量子點層的固化。
以上的兩個不同實施例，係為後製的方式來形成本發明的光阻擋層。具體的負型光阻層30的厚度，可製作為10~60微米（um）。而黑矩陣與微發光二極體的間距，可設定小於1微米、3微米、5微米、15微米，或者，介於3微米至15微米之間。
就本發明的另一個實施例而言，每個像素區亦可包含三個或六個微發光二極體。
此外，實施例中的RGB色彩定義模式，並非用以限定本發明。就微發光二極體的技術而言，亦可採用CIE的色彩定義方式，或其他的色彩定義方式（例如，僅運用RG）。就本發明而言，其技術重點在於透過LDI技術，以後製程的方式定義出經過巨量移轉的微發光二極體的每個畫素空間，再以LDI技術製作出光阻擋層。若為增加量子點層的實施例，則可僅用B，亦即藍光uLED，而發光則依靠量子點。在此實施例中，由於每個像素區皆包含了三個或六個微發光二極體，並且，由於具有後設置的光阻擋層（可防止每個畫素之間的色干擾情形），因此，可讓微發光二極體以較近的距離設置。亦即，在微發光二極體製作之時，可以較近的間距來設置『每個畫素』當中的三個或六個微發光二極體之間的間距，例如，1-2微米，甚至更低。於是，本發明可實現更高解析度的微發光二極體配置與製作的特殊技術功效。
如前述的多個不同的實施例所示，本發明的具光阻擋層的微發光二極體顯示面板，運用實體虛擬光罩與雷射直寫曝光技術，來解決微發光二極體於巨量移轉過程中所發生的晶粒歪斜問題，進而實現高良率、較低成本的特殊技術功效，並且，可進一步實現擋光，並定義出量子點的畫素範圍的特殊技術功效。
雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾，皆應涵蓋於本發明的範疇內，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
2、3:局部
10:基板
30:負型光阻層
30-1-1、30-1-2、30-1-3、30-1-4、30-1-5、30-1-6:像素區
31-1-1、31-1-2、31-1-3、31-1-4、31-1-5、31-1-6:像素區
50:雷射直寫曝光頭
51:雷射光
201-3-1、201-3-2、201-3-3:電極層
301-1-1、301-1-2、301-1-3:微發光二極體
401-3-1:量子點層
第1A、1B圖，習知技術μLED於晶粒巨量移轉後的上視與沿A-A剖面線的剖面示意圖。
第1圖，本發明的具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法的一實施例之流程圖。
第2A~2G圖，本發明的具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法的一實施例之流程中，各製作階段的剖面示意圖與成品上視圖。
第3圖，本發明的具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法的另一實施例之流程圖。
第4A-4H圖，本發明的具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法的另一實施例之流程中，各製作階段的剖面示意圖、成品上視圖。
Claims (10)
- 一種具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，包含： 對製作好複數個微發光二極體之一基板進行光學影像掃描與演算並產生一實體虛擬光罩，該實體虛擬光罩定義每個微發光二極體為一像素區； 於該基板上形成一負型光阻層，該負型光阻層之厚度大於每個該微發光二極體之厚度； 以該實體虛擬光罩，對該負型光阻層進行一雷射直寫曝光程序，並移除定義於每個該像素區之該負型光阻層；及 固化未被移除之該負型光阻層以形成一黑矩陣結構。
- 如請求項1所述之具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，其中該負型光阻層之厚度介於10~60微米（um）。
- 如請求項1所述之具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，其中該實體虛擬光罩依據該些微發光二極體之一實體照片進行該像素區之定義，並於該些微發光二極體當中之該微發光二極體發生歪斜時，使該像素區對應生成一歪斜之像素區。
- 如請求項3所述之具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，其中該黑矩陣結構與該微發光二極體形成一小於1微米的間隔。
- 如請求項3所述之具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，其中該黑矩陣結構與該微發光二極體形成一小於3微米的間隔。
- 如請求項1所述之具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，其中該黑矩陣結構與該微發光二極體形成一小於5微米的間隔。
- 如請求項1所述之具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，其中，每個該像素區包含一個該微發光二極體。
- 如請求項1所述之具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，其中，每個該像素區包含三個該微發光二極體。
- 如請求項1所述之具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，其中，每個該像素區包含六個該微發光二極體。
- 如請求項1所述之具光阻擋層的微發光二極體顯示面板的製作方法，更包含： 形成一量子點層於該些微發光二極體上之該像素區；及 固化該量子點層。
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